JPH09325748A - 文字パターン形成装置及び文字パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】文字パターン輪郭を描く際に、冗長な輪郭情報
を省略して中間メモリに書き込むことにより、中間メモ
リへのアクセス回数を減らして文字パターンの描画に要
する時間を短縮し、文字パターンを高速に形成する。 【解決手段】フォントＲＯＭ４１からフォントデータを
ストローク毎に読み出し、輪郭スケーリング回路４２に
て文字パターンの輪郭線を記述する制御点情報を復元、
スケーリングする。輪郭描画回路４３にて文字パターン
の輪郭を中間メモリ４４に描画する。塗り潰し回路４５
は中間メモリ４４にセットされた内容に基づいて文字パ
ターンの各列を塗り潰すものであり、特に塗り潰し方向
の各列毎に塗り潰しを行う第１の塗り潰し処理と、塗り
潰し方向の列パターンを塗り潰し方向とは直角な方向に
繰り返し発生して塗り潰しを行う第２の塗り潰し処理を
行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、日本語ワードプロ
セッサ等の文書作成装置に用いられ、線図形により定義
される文字パターンを形成する方式であって、線図形に
基づいて描画された輪郭を塗り潰す方式としてノンゼロ
・ワインディング・ナンバ（ｎｏｎ−ｚｅｒｏｗｉｎｄ
ｉｎｇ ｎｕｍｂｅｒ）方式を用いた文字パターン形成
装置及び文字パターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、日本語ワードプロセッサ等の文書
作成装置では、文字をディスプレイに表示したり、プリ
ンタにより印刷するために、文字パターンを形成する文
字パターン形成装置が設けられている。文字パターン形
成装置は、高品質の文字パターンを生成できるアウトラ
イン・フォント方式を採用したものが一般的である。ア
ウトライン・フォント方式は、基本的には文字パターン
毎の文字輪郭情報を用意し、この文字輪郭情報に基づい
て線図形情報をビットマップメモリ上に展開し、この線
図形を塗り潰して文字パターンを形成する。

【０００３】１．文字パターンの形成方法 文字パターンを、互いに重なることを許された複数のス
トローク部品に分解してフォントＲＯＭに記憶してお
き、このフォントＲＯＭを用いて文字パターンを生成す
る際には、（１）まず、文字パターンの各ストローク部
品の輪郭を中間メモリ（文字パターンに対応するビット
マップメモリ、または、それに対応した内容を記憶する
ソフトウェア的な配列）に描画し、全ストローク部品を
描画した後、（２）中間メモリから輪郭情報を読み出し
て、塗り潰しを行って文字パターンを生成し出力する、
といった方法が広く知られている。

【０００４】このように線図形により定義された領域
（パターン）を塗り潰す方式として、イーブン・オッド
方式（ｅｖｅｎ−ｏｄｄ）とノンゼロ・ワインディング
・ナンバ（ｎｏｎ−ｚｅｒｏｗｉｎｄｉｎｇ ｎｕｍｂ
ｅｒ）方式が周知である。

【０００５】イーブン・オッド方式は、線図形が描画さ
れたビットマップメモリを所定方向（塗り潰し方向）に
走査して、例えば「奇数番目」の点から次の「偶数番
目」の点までを順次塗り潰す方式である。このイーブン
・オッド方式では、図１７（ｂ）に示すように、輪郭線
データを塗り潰したときに、重なり合った図形を塗り潰
すことができないという問題がある。

【０００６】一方、ノンゼロ・ワインディング・ナンバ
方式は、米国Ａｄｏｂｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ社の開発した
ページ記述言語ＰｏｓｔＳｃｒｉｐｔに採用されて広く
知られている方式であって、図１７（ａ）に示すよう
に、輪郭線の進行方向に対して、例えば左側を塗り潰す
方式である（ワインディング番号に“＋１”を加え、時
計回り閉曲線によって囲まれた領域では、ワインディン
グ番号に“−１”を加え、その結果ワインディング番号
がゼロ以外の値となった領域を塗り潰す）。このノンゼ
ロ・ワインディング・ナンバ方式は、例えば特開平２−
１３６８９０号公報に開示されているように、輪郭線を
１ドットずつビットマップメモリ上に展開する。

【０００７】ここで、ビットマップメモリは、１ドット
（１画素）に対して記憶領域を１対１に対応させてあ
り、１ドットに対応するビット数を複数用意したもので
ある。この場合、ビットマップメモリに記憶される情報
は、輪郭線のベクトル方向情報と輪郭線重なり回数情報
とを合わせたｗｉｎｄｉｎｇ ｎｕｍｂｅｒ差分情報
（以下、Ｗナンバ差分情報と称する）である。塗り潰す
ときには、先のビットマップメモリを走査線方向からス
キャンしていき、各ドットについてそこに記憶されてい
る先の情報を得て、その情報を累計することによりＷナ
ンバを求める。このＷナンバが零でない（ｎｏｎ−ｚｅ
ｒｏ）区間にあるドット位置を塗り潰す。この方式であ
れば、図１７（ｃ）に示すように、重なり合った図形を
塗り潰すことも可能となる。

【０００８】このようなノンゼロ・ワインディング・ナ
ンバ方式（ＮＺＷＮ方式）を用いた文字パターン描画方
式としては、例えば特開平２−２６６４８０号公報、特
開平０２−２７００１９号公報などがある。また、中間
メモリとしてビットマップメモリの代わりに配列を用い
る方式として、特願平５−１３５７９４号公報がある。

【０００９】これらの方式においては、文字パターンを
塗り潰し方向に走査したときに、Ｗナンバが変化する点
の位置と変化量を中間メモリに記憶する。特開平２−２
６６４８０号公報の場合は、中間メモリとして、文字パ
ターンの各ドットに対応したアドレスに複数ビットを持
つＷＮＰＭ（ワインディング・ナンバ・パターン・メモ
リ）を用い、Ｗナンバの変化する点（すなわち、文字パ
ターンの輪郭を構成する点の一部）の位置は、ＷＮＰＭ
のアドレスによって示し、ＷＮＰＭの内容としては、Ｗ
ナンバの変化量を記憶する。

【００１０】特願平５−１３５７９４号公報の場合は、
塗り潰し方向の座標値とＷナンバの変化量を記憶する１
次元配列の配列を中間メモリとして持つ。この１次元配
列は、文字パターンの塗り潰しと直角の方向のドット数
だけ用意され、点の位置情報のうち、塗り潰しと直角方
向の成分は、この１次元配列の識別情報に対応する。

【００１１】図２に中間メモリとしてＷＮＰＭを用いる
場合について従来の塗り潰し技術を、「土」の字を例に
とって図示する。ただし、ここでは簡潔に要点を示すた
め、全体の大きさは、２０ドット×２０ドットに縮小し
ているが、横線の線幅は一般的な動作例となるように３
ドット幅に設定している。この例では、塗り潰しをＹ軸
方向（上から下方向）へ行う。これは、縦方向に並んだ
ドット印刷機構を持つヘッドを横方向へ移動させつつ、
文字パターンを印字するＯＡ機器用プリンタの文字パタ
ーンデータ転送方向と一致させて、全体を最適化してい
るためである。

【００１２】「土」の字は、第１画の横棒、第２画の縦
棒、第３画の横棒の３つのストローク部品から成る。そ
れらが順次描画されて、文字パターンの輪郭（実際の輪
郭とは異なる）がＷＮＰＭに記憶された状態が図２であ
る。特開平２−２６６４８０号公報では、ＷＮＰＭの内
容（各ドットのＷナンバを示すコード情報）は、最大の
重なり回数（３回）に従って、“−３”〜“＋３”およ
び“±”で表記することになっているが、この例では、
“＋１”、“−１”、“±”の３つの値しか出現しない
ので、それらを“＋”、“−”、“±”で表現してい
る。

【００１３】“＋”の印は、注目点のＷナンバが、その
直前（塗り潰し方向の直前であり、ここでは注目点の上
隣）の点のＷナンバと比べて１だけ大きくことを示すも
のである。したがって、注目点が“＋”の場合には、そ
のＷナンバの変化量として１だけ加算することになる。

【００１４】“−”の印は、注目点のＷナンバが、その
直前の点のＷナンバと比べて１だけ小さいことを示すも
のである。したがって、注目点が“−”の場合には、そ
のＷナンバの変化量として１だけ減算することになる。

【００１５】“±”の印は、“＋”と“−”の重なった
点であり、その点の直前と直後の点のＷナンバに差はな
いが、この点は黒く印字すべきことを示す（特開平２−
２６６４８０号公報の第７ページ参照）。

【００１６】また、「土」の字の第２画の縦棒の左右の
輪郭は“●”の印で示されているが、これは実際にはＷ
ＮＰＭには描画されない。この“●”印は、図の上で文
字パターンを見やすくするために付けた印であり、実際
は何も印をつけていないドットと全く同じ状態にある。
例えば縦棒の左側輪郭は、（７，０）の点の“＋”印か
ら（７，１７）の点の“−”印までが塗り潰され、
（８，０）の点の“＋”印から（８，１７）の点の
“−”印までが塗り潰されることにより、その左側の塗
り潰されないで白地として残った点との対比として、自
然に輪郭として現れる。すなわち、塗り潰し方向に沿っ
た輪郭はＷＮＰＭに記憶される必要がない。

【００１７】また、横棒と縦棒の重なった部分、例えば
（８，１６）の点は、塗り潰しの処理でＷナンバを累計
すると“＋２”になるが、文字パターンとしては、この
点も“＋１”の点と同様に黒ドットにされる。

【００１８】２．ファクシミリ用画像符号化方式 後述する本発明の実施形態に類似する従来技術を説明す
る。

【００１９】ファクシミリでは、送信する画像を横方向
に走査して、白か黒の点を列と見なす。その点列の中
で、白から黒へ、あるいは黒から白へと変化した点の位
置を逐次送信することによって、受信側で送信側と同じ
画像を復元できるようにしている。その変化点の位置を
表現する方法の１つとして、垂直モードの符号化方式が
ある。

【００２０】これは、図１６に示すように、現在符号化
中の走査ラインの直前のライン（これを参照ラインとい
う）のパターンを送信側でも受信側でも記憶しておき、
参照ラインの変化点を基準点として、符号化ラインの変
化点が基準点の真下にあるとき、コード“Ｖ”、基準点
より１ドット右にあるときコード“ＶR(1)”などと表
す。ＶL(3)からＶR(3)までのコードを使うことができ
る。

【００２１】点の位置をそのまま数値として表現した
り、ラン長コードを用いるよりも、このコードを用いた
方がコードが短くて済むケースが多いことが知られてい
る。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】上述したようなノンゼ
ロ・ワインディング・ナンバ方式を用いた文字パターン
描画方式において、従来、図２に示すように、水平線の
上側と出力側の輪郭線を構成するドットは、すべて中間
メモリに記憶させる必要があった。なお、水平線ストロ
ークの輪郭であっても、そのうちの縦線部分は中間メモ
リに記憶させる必要がないことは当然である。例えば、
図２の（１９，１７）の点である。

【００２３】一般に、文字パターン描画処理全体に要す
る時間のうち、文字パターンの輪郭を中間メモリに描画
するのに要する時間の比率は大きく、その比率が１／２
を越えるケースも多い。その輪郭描画時間を左右する重
大な要因が中間メモリへのアクセス回数である。

【００２４】図２を参照すると、“＋”あるいは“−”
の変化値を示すＷナンバのコード情報が、同じＹ座標値
を持つ連続した位置に一様に書かれている部分が多い。
例えば、（３，７）、（４，７）〜（１５，７）の各点
である。したがって、冗長な情報を中間メモリに書き込
むために、多数のメモリサイクルを消費していることが
分かる。

【００２５】本発明は上記のような点に鑑みなされたも
ので、冗長な情報を中間メモリに書き込むことなく文字
パターンの輪郭を描くことにより、中間メモリへのアク
セス回数を減らして文字パターンの描画に要する時間を
短縮化して、文字パターンを高速に形成可能な文字パタ
ーン形成装置及び文字パターン形成方法を提供すること
を目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】

（１）本発明の文字パターン形成装置は、文字パターン
を構成するフォントデータを記憶したフォントメモリ
と、このフォントメモリから、指定された文字パターン
に対応する上記フォントデータを読み出し、そのフォン
トデータに基づいて上記文字パターンの輪郭情報を描画
する輪郭描画手段と、この輪郭描画手段によって描画さ
れた上記輪郭情報を記憶するための中間メモリと、この
中間メモリに記憶された上記輪郭情報に基づいて塗り潰
し処理を実行し、上記文字パターンを形成する塗り潰し
手段とを具備したものである。

【００２７】特に、上記塗り潰し手段は、上記塗り潰し
方向の各列毎に塗り潰しを行う第１の塗り潰し手段と、
上記塗り潰し方向の列パターンを上記塗り潰し方向とは
直角な方向に繰り返し発生して塗り潰しを行う第２の塗
り潰し手段とを有することを特徴とする。

【００２８】なお、後述するように、実際には第２の塗
り潰し手段のための情報は、第１の塗り潰し手段のため
の情報と一緒に中間メモリから読み出す。

【００２９】このような構成によれば、上記第２の塗り
潰し手段を備えたことにより、輪郭描画時における中間
メモリへのアクセス回数を減らすことができる。例えば
単純水平線セグメントであれば、その大きさにかかわら
ず４回のアクセス（後述する“（＋）”２個、
“（−）”２個を書き込むため）で形成できるので、中
間メモリアクセス回数が大幅に減る。

【００３０】また、配列で中間メモリを実現する特願平
５−１３５７９４号公報のような方式の場合には、塗り
潰しの際の中間メモリアクセス回数も同様にして大幅に
減る。この場合、ビットマップ方式の特開平２−２６６
４８０号公報では、塗り潰しのために中間メモリ全ドッ
トを１回ずつアクセスするので、本発明を適用しても塗
り潰しの中間メモリアクセス回数は変わらない。

【００３１】（２）また、本発明の文字パターン形成装
置は、文字パターンの第１の座標軸方向に塗り潰しを行
う第１の塗り潰し手段と、上記第１の座標軸方向に少な
くとも上記文字パターンと同じ大きさの列パターンを記
憶する列パターン記憶手段と、この列パターン記憶手段
に記憶された上記列パターンを第２の座標軸方向に繰り
返し発生する第２の塗り潰し手段と、この第２の塗り潰
し手段による塗り潰し処理に従って上記列パターン記憶
手段の内容を更新する更新手段と、上記第１の塗り潰し
手段から出力されるパターンと上記列パターン記憶手段
に記憶された上記列パターンとを演算し、上記文字パタ
ーンとして出力する演算手段とを具備したことを特徴と
する。

【００３２】このような構成によれば、列パターン記憶
手段（後述するＨＰＭ）があるので、単純水平線セグメ
ントを出力するには、セグメントの始端と終端でＨＰＭ
の内容を更新するだけでよい。

【００３３】また、第１の塗り潰し手段を動かし、ま
た、ＨＰＭの内容を更新するのは中間メモリからの情報
を用いることになるが、このＨＰＭがあるので、
“（＋）”２個、“（−）”２個に対する４回分の中間
メモリへのアクセスで単純水平線セグメントを描画でき
る。その結果、高速化できる。

【００３４】（３）また、本発明の文字パターン形成装
置は、文字パターンの第１の座標軸方向に塗り潰しを行
う第１の塗り潰し手段と、上記第１の座標軸方向に少な
くとも上記文字パターンと同じ大きさの列パターンを記
憶する列パターン記憶手段と、この列パターン記憶手段
に記憶された上記列パターンを上記第１の座標軸方向に
繰り返し発生する第２の塗り潰し手段と、上記第１の塗
り潰し手段を制御するための第１の制御情報と上記第２
の塗り潰し手段を制御するための第２の制御情報とを用
いて、上記文字パターンの輪郭を描画する輪郭描画手段
とを具備し、上記文字パターンの上記第１の座標軸方向
の輪郭は、上記第１の塗り潰し手段によって形成され、
上記文字パターンの上記第１の座標軸方向と直角方向の
輪郭の少なくとも一部は、上記第２の塗り潰し手段によ
って形成されることを特徴とする。

【００３５】このような構成によれば、例えばＹ軸方向
（上から下方向）を塗り潰し方向とした場合に、文字パ
ターンの垂直の輪郭は第１の塗り潰し手段で、水平な輪
郭は第２の塗り潰し手段で形成されるため、冗長な情報
（後述する図１の“●”印と“○”印）を中間メモリに
記憶させる必要がない。したがって、高速化できる。

【００３６】（４）また、本発明の文字パターン形成方
法は、塗り潰しによって文字パターンを形成する文字パ
ターン形成方法であって、指定された文字パターンに対
応するフォントデータをストローク単位に読み出すステ
ップと、読み取ったストロークの少なくとも一部のスト
ロークのパターンを塗り潰し方向に平行な輪郭と塗り潰
し方向に直角な輪郭とで囲まれた矩形部分とそれ以外の
部分とに分割するステップと、上記矩形部分以外の部分
を第１の制御情報で表現し、上記矩形部分を第２の制御
情報で表現して中間メモリに書き込むステップと、上記
中間メモリに書き込まれた上記第１、第２の制御情報を
読み出し、上記第１の制御情報で表現された部分に対し
ては１次元的に塗り潰しを行い、上記第２の制御情報で
表現された部分に対しては２次元的に塗り潰しを行うこ
とによって、上記文字パターンを形成するステップとを
具備したことを特徴とする。

【００３７】このような方法によれば、文字パターンの
矩形部分を分離し、その矩形部分を簡単な表示方法で表
現することによって、中間メモリへ記憶するデータ量を
少なくすることができる。したがって、高速に文字パタ
ーンを形成できる。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について説明する。

【００３９】まず、図１を参照して本発明の原理を説明
する。図１は、図２（従来）に対応する本発明の塗り潰
し方式を説明するための概念図である。

【００４０】図１では、ＷＮＰＭ（中間メモリ）に何も
書かれていないが、文字パターンの輪郭となる点が、
“●”と“○”の印で示されている。“●”の印は、図
２の場合と同じ意味である。すなわち、実際にはＷＮＰ
Ｍには描画されない点であり、この図の上で文字パター
ンを見やすくするために付けた印である。

【００４１】“○”の印は、図２で“＋”または“−”
であった点であり、本実施形態では何も書かれなくなっ
た点を示す。すなわち、“○”印の数だけＷＮＰＭへの
アクセスが減ったことを示す。図１の例では、“＋”、
“−”、“±”印の数よりも“○”印の数の方が多いか
ら、本発明を実施することにより、ＷＮＰＭのアクセス
回数が半分以下に減ったことを示している。これは、と
りもなおさず、文字パターン描画が大幅に高速化される
ことを意味している。

【００４２】また、図１において、“（＋）”と
“（−）”の印は、図２の“＋”、“−”と同じ働きを
持つ他に、その“（＋）”から“（−）”までの縦列
（Ｙ軸方向）のパターンをそれ以降、右側（Ｘ軸方向）
へ繰り返し発生すべきことを示している。上記“＋”、
“−”は、従来の塗り潰し処理（第１の塗り潰し処理）
を制御するための第１の制御情報に対応し、上記
“（＋）”と“（−）”は、本発明の塗り潰し処理（第
２の塗り潰し処理）を制御するための第２の制御情報に
対応する。

【００４３】こうして指定された繰り返しパターンは、
再び同じ位置に“（＋）”と“（−）”の印が現れるま
で続く。ここで、塗り潰しの方向はＹ軸方向（上から下
方向）であり、左から順に１列ずつ塗り潰すものと想定
している。“（＋）”と“（−）”の印で生成されたパ
ターンが各列の塗り潰し処理毎に次の“（＋）”と
“（−）”が出現するまで繰り返されることにより、
“○”印の点は自然に文字パターンの輪郭となる。

【００４４】本発明を適用した文字パターン形成装置の
ブロック図を図４に示す。図４において、ＨＰＭ（水平
パターンメモリ）４６は、本発明を実現するためのメモ
リである。

【００４５】フォントＲＯＭ４１は、文字パターンをデ
ータ圧縮して記憶している。輪郭スケーリング回路４２
は、文字パターンの輪郭線を記述する制御点情報を復元
し、所定の文字サイズとなるように座標値や線幅情報を
スケーリングする。輪郭描画回路４３は、文字パターン
の輪郭を中間メモリ４４に描画する。塗り潰し回路４５
は、中間メモリ４４にセットされた内容に基づいて文字
パターンの各列を上から下方向に塗り潰すものであっ
て、ここでは塗り潰し方向の各列毎に塗り潰しを行う第
１の塗り潰し処理と、塗り潰し方向の列パターンを上記
塗り潰し方向とは直角な方向に繰り返し発生して塗り潰
しを行う第２の塗り潰し処理を有する。出力イメージメ
モリ４７は、塗り潰し後の文字パターンを最終的に出力
する文字パターンとして記憶する。

【００４６】ここで、ＨＰＭ（水平パターンメモリ）４
６は、塗り潰し処理中の列の直前（すぐ左）の列に含ま
れる水平線ストロークのパターンを保持するものであ
る。そのために、ＨＰＭ４６は、出力文字パターンの塗
り潰し処理の方向の長さ（ドット数）と同じ長さのビッ
ト数を持つ。

【００４７】このような構成にあっては、フォントＲＯ
Ｍ４１から、指定された文字のフォントデータ（線図形
を構成するための文字輪郭情報）を読み出し、輪郭スケ
ーリング回路４２にて文字パターンの輪郭線を記述する
制御点情報を復元し、所定の文字サイズとなるように座
標値や線幅情報をスケーリングする。そして、輪郭描画
回路４３にて、文字パターンの輪郭を中間メモリ４４に
対し、“＋”、“−”のコード情報と共に、そのストロ
ークパターンに応じて“（＋）”、“（−）”のコード
情報を用いて描画する。

【００４８】文字を構成する全てのストロークの情報を
中間メモリ４４へ記憶したら、次は、塗り潰し回路４５
にて、中間メモリ４４にセットされた文字パターンの輪
郭を１列毎に上から下に塗り潰し、これを最終的な文字
パターンとして出力イメージメモリ４７に出力する。こ
の場合、ＨＰＭ４６にて保持された水平線パターン
（“（＋）”、“（−）”で示される）を参照すること
により、中間メモリ４４へのアクセスを減らして塗り潰
しを行うことができる。例えば単純水平線ストロークで
あれば、“（＋）”２個、“（−）”２個に対する４回
分の中間メモリ４４へのアクセスで単純水平線セグメン
トを描画できる。この塗り潰しと文字パターン出力は、
最も左側の列から始めて順に右へと繰り返す。

【００４９】図１に対応するＨＰＭ（水平パターンメモ
リ）と、その内容が塗り潰し処理の進行につれて変化す
る様子を図３に示す。図３のＨＰＭは、図１の文字パタ
ーンの塗り潰し方向（上から下方向）の長さと同じく、
２０ドットを持つ。塗り潰し開始時点では、ＨＰＭ４６
の内容は全て“０”（白を“０”で、黒を“１”で表現
する）にクリアされる（図示せず）。

【００５０】塗り潰し処理が図１の列３まで進んだとき
のＨＰＭの状態を図３（ａ）に示す。図１の（２，１
６）点の“（＋）”印と、（２，１８）点の“（−）”
印によって指定された水平線ストロークパターンがあ
り、これに対応して、図３（ａ）に示すようにＨＰＭの
ドット１６から１８が黒になっている。

【００５１】塗り潰し処理が図１の列４まで進むと、
（３，７）点の“＋”、（３，８）点の“−”の対によ
って、従来通りの塗り潰し処理によって、文字パターン
の列３に対しては、ドット７とドット８だけを黒とした
パターンが作られる。

【００５２】そのパターンとＨＰＭの内容とがＯＲ演算
されて、文字パターンの第４列として出力される。その
内容は、言うまでもなく、ドット７，８およびドット１
６〜１８が黒になったものであり、図１の文字パターン
として期待される通りのパターンになっている。上記の
ＯＲ演算を行う手段の詳細は後述する。

【００５３】第４列の塗り潰し処理を行った後、第１５
列の塗り潰しを始める前までのＨＰＭの内容を図３
（ｂ）に示す。図１の（４，７）点の“（＋）”と
（４，９）点の“（−）”によって、ＨＰＭのドット７
〜９も黒に変わっている。このパターンが、文字パター
ンの各列にＯＲ演算されることにより、図１の「土」の
字を構成する２本の横棒が作られる。

【００５４】図１の第１５列に含まれる“（＋）”と
“（−）”によって、ＨＰＭに記憶されていたパターン
がクリアされる。つまり、始めの“（＋）”と
“（−）”のコード情報でＨＰＭに水平ストロークパタ
ーンが記憶され、次の“（＋）”と“（−）”でその内
容がクリアされることになる。これは、後述するＥＸＯ
Ｒ演算によって実現される。その結果、第１６列以降の
塗り潰し処理では、ＨＰＭの内容は図３（ｃ）に示すよ
うに全て白になっており、従来の塗り潰し処理と同じ結
果が作られる。

【００５５】すなわち、本発明によれば、ＨＰＭの内容
を従来の塗り潰し処理の結果にＯＲすることによって、
塗り潰し処理の方向と直角の方向のストロークを描画で
きる。その結果、中間メモリに書き込むべき輪郭データ
の量が大幅に減って、中間メモリへ書き込む処理段階の
所要時間が大幅に短縮されることになる。

【００５６】次に、ＨＰＭの内容を更新する手段と、従
来の塗り潰し処理結果にＨＰＭの内容をＯＲする手段の
実施形態について図５を参照して説明する。

【００５７】図５は塗り潰し回路の主要部を出力文字パ
ターンの１ビット分について示す。従来から塗り潰し回
路は、複数のドットを並列処理するように構成されるこ
とが多い。本実施形態の場合も、実際には（後述のよう
に８ビット幅ＳＲＡＭで作られた中間メモリから２ドッ
ト分の情報が同時に読み出されるのに対応して）２ドッ
ト並列に構成されている。この並列構成に対する技術は
広く知られており、本発明に直接は関係しないので、図
５は１ビット分の回路の構成を簡明に示すにとどめる。

【００５８】中間メモリから読み出された当該ドットの
Ｗナンバの差分値は累算器５０にて加えられて、ゼロ判
定回路５１に与えられる。Ｗナンバがゼロならば、白ド
ットを表す“０”が、また、ノンゼロならば黒ドットを
表す“１”が、ゼロ判定の結果として得られる。これが
従来の塗り潰し回路（５０、５１）であり、従来は、こ
れが出力イメージメモリへ、出力文字パターンの１ドッ
トとして送られていた。

【００５９】なお、累算器５０の出力は、入力に対して
１クロックずつ遅れるので、ゼロ判定回路５７を付加し
て“＋”のあるドット位置も黒ドットとなるようにする
のが一般的である。ここまでの部分が公知のノンゼロワ
インディング方式の塗り潰し回路の例である。

【００６０】一方、図５のトグル回路５２、ＯＲ回路５
３、ＥＸＯＲ（エクスクルーシブ・オア）回路５４、Ｈ
ＰＭ（水平パターンメモリ）５５、ＯＲ回路５６が、本
発明を実現するためのものである。

【００６１】トグル回路５２は、入力に１が加えられる
ごとに反転するＤフリップフロップである。ＨＰＭ５５
は、前述のメモリであるが、その中の当該ドットだけを
示している。文字パターンの各列の塗り潰しを始める時
に、トグルはゼロにリセットされる。中間メモリから読
み出された当該ドットに関するデータには、本実施形態
では図１の“（＋）”、“（−）”を示すフラグＦが、
Ｗナンバの差分値と並んで記憶されている。そのフラグ
Ｆがトグル回路５２へ加えられる。その結果、トグル回
路５２は、次のドットから状態を反転する。

【００６２】具体的に説明すると、今、図１の（４，
７）の点を処理しているとすると、中間メモリからフラ
グＦが読み出され、これはＯＲ回路５３、ＥＸＯＲ回路
５４を通してＨＰＭ５５に記憶される。すなわち、次の
列の処理において、（５，７）の点をクロックにする準
備ができたことになる。ドット（４，７）は、従来の塗
り潰し回路（５０、５１）の働きで、ゼロ判定回路５１
から“１”が出力されることにより、ＯＲ回路５６の出
力が“１”となり、文字パターンのドットとしては黒に
なる。

【００６３】次のドット（４，８）を処理するタイミン
グでは、トグル回路５２の出力が“１”となり、ＯＲ回
路５３、ＥＸＯＲ５４を通してＨＰＭ５５に“１”が書
き込まれる。ドット（４，８）では、中間メモリから読
み出されるフラグＦが“１”となるので、トグル回路５
２の出力はドット（４，８）まで“１”であり、（４，
９）が以降はゼロになる。

【００６４】ドット（４，１６）から（４，１８）で
は、ＨＰＭ５５の内容が“１”になっているので、それ
がＥＸＯＲ５４を通してＨＰＭ５５の入力となり、次の
列についても同じＨＰＭ５５の内容が記憶されることに
なる。文字パターンの列１５では、ＨＰＭ５５の内容と
同じパターンがトグル回路５２によって作られ、それが
ＥＸＯＲ５４に加えられるので、列１６以降ではＨＰＭ
５５の内容はゼロになる。

【００６５】図６は本実施形態における中間メモリのデ
ータ形式を示す図である。中間メモリは、８ビット並列
データ入出力ピンを持つＳＲＡＭで構成され、その１語
８ビットがドット（ｎ，ｉ）とドット（ｎ，ｉ＋１）の
情報を図６の形式で記憶する。

【００６６】ここで、Ｄi ，Ｄi+1 はそれぞれの点のＷ
ナンバ差分値を、また、Ｆi ，Ｆi+1 はそれぞれの点の
フラグを表す。差分値については、特開平２−２６６４
８０号公報に開示されている通りである。

【００６７】Ｗナンバ差分値の更新規則を図７に示す。
この更新規則を一言で説明すれば、“中間メモリに書か
れている輪郭の別のストロークの輪郭が重なった場合
は、両者のＷナンバ差分値を加えた値をその点の差分値
とする”ということになる。この更新規則は本実施形態
においても全く同じである。なお、表中で、生成ＷＮコ
ードとは、書き込もうとするストロークに関する当該ド
ットでのＷナンバの差分値である。

【００６８】なお、中間メモリの同じ点（文字パターン
の同じ位置）にＦフラグを２回以上セットすることは本
実施形態では想定していないので、Ｆフラグの更新規則
は例えば図８のようにすれば良い。その詳細については
後述する。

【００６９】中間メモリにフラグを立てる手段として
は、フラグを立てるべきことをフォントデータの一部と
して、図４のフォントＲＯＭに記憶しておくのが単純で
ある。つまり、図８のＧｆビットをフォントデータの中
に持つ方法であって、自明であり、説明を要さない。一
方、フォントＲＯＭの内容は従来のままとして、図４の
輪郭の復元・スケーリング部分（輪郭スケーリング回路
４２）を変更してＧｆビットを作り出せることが望まし
い場合も多い。これは、一般にフォントＲＯＭは、種々
の製品に利用することも多いからである。

【００７０】次に、本発明を芯線フォントに適用した場
合について説明する。ここでは、図９（ａ）に示すよう
に文字ストロークを芯線Ｍの形状およびその芯線Ｍから
ストローク輪郭までの幅Ｗを基にして記述する従来例に
対して本発明を適用する場合を例にとっても説明する。

【００７１】従来例のフォントデータの基本データ構造
を図９（ｂ）に示す。ストロークはセグメントのつなが
りとして表現されるが、図９（ｂ）は１つのセグメント
のデータ構造を示す。図９（ａ）の横棒のような単純な
ストロークは１個のセグメントとして表現される。セグ
メント種別のフィールドには、水平線、垂直線、斜線、
曲線の別を示す部分を持つ。このデータ構造には、芯線
形状と線幅を示すフィールドの他に、クリッピングと飾
りを示すフィールドがある。芯線Ｍと線幅Ｗから決まる
ストローク輪郭線の端点、つまり、図９（ａ）に示すＣ
rs，Ｃre，Ｃls，Ｃleの４点の位置をクリッピング・フ
ィールドで示し、その先の部分の形状を飾りのフィール
ドで示している。

【００７２】従来は、輪郭復元部でＣrsからＣreまでと
ＣlsからＣleまでの２本の直線と、ＣlsからＣrsまでと
ＣreからＣleまでの２つの飾り輪郭の記述に変換し、こ
れを目的文字サイズにスケーリングして輪郭描画部へ渡
していた。

【００７３】ここで、本発明を芯線フォントに適用する
基本的な考え方を、図１０を用いて説明する。説明を簡
単にするために、塗り潰し方向が上から下である場合に
限定して説明する。

【００７４】図１０は本発明を図９の横棒ストロークに
適用した場合での表現を示す図である。本発明を芯線フ
ォントに適用する場合には、ストロークパターンを塗り
潰し方向に平行な輪郭と塗り潰し方向に直角な輪郭とで
囲まれた矩形部分（ここでは水平ストロークパターン）
と、それ以外の部分とに分割する必要がある。

【００７５】そこで、図９（ａ）のように表されている
横棒ストロークを、図１０のように水平線と垂直線で囲
まれた単純水平線セグメント１０１と、二つの飾り部分
１０２、１０３とに分けて輪郭描画する。なお、以下の
説明では、１０２、１０３はそれぞれ閉じた輪郭で囲ま
れた図形として輪郭描画部へ渡す。これは、従来の輪郭
描画部が、輪郭が閉じることをチェックしているからで
あって、本質的ではない。

【００７６】始端側、終端側それぞれの２つのクリッピ
ング点のうち、ストローク中心に近い方（始端側ではｘ
座標値の大きい方、終端側ではｘ座標値の小さい方）の
ｘ座標値と遠い方のＹ座標値を持つ点Ｋs 、Ｋe を求め
る。そして、始端側では、Ｃrs，Ｋs ，Ｃlsを結ぶ２本
の線分を輪郭描画部に送った後、従来通りの飾りの輪郭
線を輪郭描画部へ送る。これにより、飾り部分１０２が
描画される。同様に、終端側では、Ｃle、Ｋe 、Ｃreを
結ぶ２本の線分を輪郭描画部へ送った後、従来通りの終
端飾りの輪郭線を輪郭描画部へ送る。これにより、飾り
部分１０３が描画される。

【００７７】この場合、Ｋs またはＫe を終点として含
む線分のうち、垂直方向のものを送るときに、新設され
たＧｆフラグを付けて輪郭描画部へ送る。輪郭描画部で
は、Ｇｆフラグのついた輪郭を中間メモリに書き込む際
に、上述した“（＋）”、“（−）”を示すフラグＦを
立てる。こうして、フォントＲＯＭとして従来のものを
用いて、本発明を実行することができる。

【００７８】図１１に上記の動作をより詳しくフローチ
ャートの形で示す。図中で、例えばＫs.x ，Ｋs.y のよ
うに、Ｐ.x，Ｐ.y の形で表記されているのは点Ｐのｘ
座標、点ＰのＹ座標である。また、Ｌ（Ｋs ，Ｃls）の
ように、Ｌ（Ｐ，Ｑ）の形で表記されているのは点Ｐか
ら点Ｑへ至る線分を描画するよう輪郭描画部へ指示する
ことを示す。これは従来から用いられている。Ｌ（Ｐ，
Ｑ，Ｇｆ）の形で表記されているのは、点Ｐから点Ｑへ
至る線分を描画すると共に、図６のＦフラグを立てるよ
うに輪郭描画部へ指示することを示す。すなわち、Ｇｆ
付き（図８）の輪郭線分描画を示し、本発明のために追
加されたものである。

【００７９】図１１において、ステップＡ１１〜Ａ１８
は始端側の処理である。上述したように、ストローク中
心に近い方、つまり、始端側ではｘ座標値の大きい方の
ｘ座標値と遠い方のＹ座標値を持つ点Ｋs を求め、Ｃr
s，Ｋs ，Ｃlsを結ぶ２本の線分を輪郭描画部に送る。
このとき、Ｋs を端点として含む線分のうち、垂直方向
のものを送るときに、Ｇｆフラグを付けて輪郭描画部へ
送る。引き続き、従来通りの始端飾り処理を行うことに
よって、始端部分の輪郭が閉じる。

【００８０】また、ステップＡ１９〜Ａ２５は終端側の
処理である。上述したように、ストローク中心に近い
方、つまり、終端側ではｘ座標値の小さい方のｘ座標値
と遠い方のＹ座標値を持つ点Ｋe を求め、Ｃle、Ｋe 、
Ｃreを結ぶ２本の線分を輪郭描画部に送る。このとき、
Ｋe を端点として含む線分のうち、垂直方向のものを送
るときに、Ｇｆフラグを付けて輪郭描画部へ送る。引き
続き、従来通りの終端飾り処理を行うことによって、終
端部分の輪郭が閉じる。

【００８１】このようにして、輪郭描画部では、Ｇｆフ
ラグのついた輪郭を中間メモリに書き込む際に、上述し
た“（＋）”、“（−）”を示すフラグＦを立てること
になる。図１の“（＋）”、“（−）”は、このように
して中間メモリに書き込まれたものである。

【００８２】Ｇｆフラグの有無に応じて輪郭描画部が中
間メモリのＦフラグを更新する規則を図８に示す。垂直
線の描画は、従来から線の両端のドット位置にだけ差分
値が書き込まれ、中間のドットはアクセスされないこと
を付記する。なお、図１１には２つのクリッピング点が
丁度、上下に並ぶ場合の動作も示されている。もともと
の飾りが、２つのクリッピング点を結ぶ「切り落し」飾
りである場合には、飾りの描画全体を省略し、それ以外
ならばＫ点を省略する。

【００８３】ところで、本発明は、従来のものの小変更
として実現できる利点を持つ。例えば、中間メモリとし
て用いるメモリは、通常８ビットのデータ幅を持ってい
るので、従来から図６のようなデータ形式を用いてお
り、Ｆi ，Ｆi+1 に相当するビット部分は未使用になっ
ていた。したがって、本発明を実施するために中間メモ
リの記憶容量を物理的に増す必要もなく、また、従来の
中間メモリの更新回路をそのまま利用できる。

【００８４】また、その一方で、本実施形態では、Ｆフ
ラグにより縦方向と横方向へ２重にｅｖｅｎ−ｏｄｄ方
式の塗り潰しを行っていることになる。したがって、図
１０の１０１で示すような単純水平線セグメント同士が
互いに重なり合うことは許されない。つまり、例えば図
１に示すような「土」の字で２つの横棒のストローク部
品が重なり合うと、その重なり部分の塗り潰しが抜けて
しまう（白になる）。

【００８５】通常の漢字文字パターンでは、“横棒”と
“縦棒”、“横棒”と“はらい”など、他の種類のセグ
メントと重なることはあっても、横棒同士が重なること
はないので、上記の制約は通常は障害にならない。しか
し、目的の文字サイズを極度に小さく設定した場合に
は、縮小の結果として横棒同士が重なることがあり、問
題となる。そこで、本実施形態では、図１２のフローチ
ャートに示すような処理をＯＡ機器側で行うものとす
る。

【００８６】図１２は本発明を文字サイズに応じて適用
するための処理動作を示すフローチャートである。文字
サイズが一定値未満の小さな文字を描画する場合には
（ステップＢ１１）、本発明を適用しないようにしてい
る。この場合、従来通りの描画を行ってもよいが、本実
施形態の場合には、フォントデータの芯線をそのまま描
画し、塗り潰しを行わないようにして、文字の潰れを減
らしている（ステップＢ１２）。

【００８７】また、文字サイズが所定値以上の場合には
（ステップＢ１１）、本発明を適用する（ステップＢ１
４）。ただし、線幅を太くして文字を描く場合には横棒
が重なるおそれがあるので、線幅を変化させるような文
字修飾が指定された場合には（ステップＢ１３）、安全
のため従来技術で描画するものとする（ステップＢ１
５）。

【００８８】なお、図４の中間メモリへの書き込みをソ
フトウェア的な処理で実現し、塗り潰しをハードウェア
で行うこともできる。この場合のソフトウェア部分のフ
ローチャートを図１３に示す。ここでは、文字のフォン
トデータをＲＯＭから読んで伸長する処理をまとめて行
っているが（ステップＣ１１、Ｃ１２）、図１３の点線
で示すようにストローク毎に読込みと伸長を行ってもよ
い。

【００８９】データ圧縮されたフォントデータを伸張す
ると、ストロークの輪郭を復元、目的の文字サイズへ座
標値をスケーリングした後、その輪郭を中間メモリに書
き込む（ステップＣ１３）。その際に、上述したように
“＋”、“−”のコード情報と共に、水平線パターンに
対しては“（＋）”、“（−）”のコード情報を用いて
描画する。

【００９０】文字パターンを構成する全てのストローク
に対する処理を終えると（ステップＣ１４）、中間メモ
リの１列分の情報を座標値でソートし（ステップＣ１
５）、ハードウェアである塗り潰し回路の空き状態に応
じて（ステップＣ１６、Ｃ１７）、ソート後の１列分の
情報をＨＷインタフェース領域へ書き込む（ステップＣ
１８）。そして、塗り潰し回路を起動して、塗り潰し処
理を行う（ステップＣ１９）。これを全ての列について
繰り返し行う（ステップＣ２０）。この場合、
“（＋）”と“（−）”を見付けると、次に“（＋）”
と“（−）”が出現するまで、同じパターンを当該塗り
潰し処理の繰返し毎に発生することで、中間メモリへの
アクセスを減らして塗り潰しを行うことができる。

【００９１】ここで、ハードウェア部分のブロック図を
図１４に示す。図１４において、１４１は全体の制御を
行うＣＰＵである。１４２は各種情報を記憶した主メモ
リである。１４３は文字パターンの塗り潰し処理を行う
ための塗り潰し回路である。１４４は水平ストロークパ
ターンを格納しておくためのＨＰＭである。１４５はフ
ォントデータを圧縮した形で記憶しているフォントＲＯ
Ｍである。１４６はバスである。

【００９２】この例では、併せて、中間メモリとして配
列を用いて本発明を実現する。文字パターン列の数だけ
１次元配列を設け、文字パターンの列に対応する１次元
配列の中に順次、ドットのＹ座標値、Ｗナンバの差分値
およびＦフラグを、例えば図１５のような形式で書き込
む。図１５は中間メモリとして配列を用いた場合のデー
タ形式を示す図である。このような配列の場合には、同
じドットに輪郭が重なった場合でも、同じＹ座標値を持
つ複数のデータ要素として表現できるので、個々のデー
タ要素内に持つＷナンバの差分値は、図１５の如く、
“＋”，“−”，“±”の３通りだけでよい。

【００９３】上記の配列は、図１４の主メモリ１４２の
一部に設けられる。図１３の中で言及されるＨＷインタ
フェース領域も主メモリ１４２の中に設けられる。塗り
潰し回路１４３は、ＤＭＡ回路を内蔵し、このＨＷイン
タフェース領域から１列分の中間メモリデータを読み込
み、塗り潰し処理を行って、１列分の文字パターンを主
メモリ１４２中のバッファ領域にＤＭＡ回路を用いて書
き込む。これらの詳細は、公知技術で容易に設計できる
ので、説明を省略する。本発明の要点である図５はこの
ような実施形態の場合でも特に変更を必要としない。

【００９４】また、塗り潰し部分も含めて、すべてソフ
トウェアで実現することも考えられる。上述した各実施
形態の場合には、ＨＰＭを専用メモリとして作ることが
できる大きさであるので、ＨＰＭへのアクセスはバスサ
イクルを専有しない。したがって、中間メモリへのアク
セス回数の削減によって高速化できる。

【００９５】塗り潰しもソフトウェアで行う場合にはＨ
ＰＭを主メモリ上に取ることになり、ＨＰＭを設けたこ
とによるバスサイクルの増加を考慮する必要がある。中
間メモリアクセスの回数に比例して長くなる処理が複雑
な場合は検討に値する。この場合、中間メモリは１ドッ
ト分のアクセス当たり１バスサイクルを要するのに対
し、ＨＰＭのアクセスは、例えば１６ドット当たり１サ
イクルで済む。

【００９６】なお、漢字の場合には横棒の方が縦棒より
も出現頻度がずっと高いので、文字パターンの塗り潰し
方向を漢字の縦方向に選ぶようにすれば、本発明を適用
した場合での効果が大きくなる。

【００９７】また、文字パターンの塗り潰し方向の１列
のドットパターンの一部を同時にバスに出力することに
より、並列処理の方向の整合がとれるので高速化を図る
ことができる。

【００９８】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、塗り潰し
方向の各列毎に塗り潰しを行う第１の塗り潰し手段とは
別に、上記塗り潰し方向の列パターンを上記塗り潰し方
向とは直角な方向に繰り返し発生して塗り潰しを行う第
２の塗り潰し手段を備えたことにより、輪郭描画時にお
ける中間メモリへのアクセス回数を減らすことができ
る。これにより、単純水平線セグメントであれば、その
大きさにかかわらず４回のアクセスで形成することがで
き、中間メモリアクセス回数を大幅に減らすことができ
る。なお、中間メモリを配列として実現する場合には、
塗り潰し処理のための中間メモリアクセス回数も減るの
で、本発明による高速化の効果はさらに大きい。

【００９９】また、文字パターンの第１の座標軸方向に
同じ大きさの列パターンを記憶する列パターン記憶手段
（ＨＰＭ）を用いることで、単純水平線セグメントの出
力を容易にすることができる。

【０１００】また、例えばＹ軸方向（上から下方向）を
塗り潰し方向とした場合に、垂直の輪郭は第１の塗り潰
し手段で、水平な輪郭は第２の塗り潰し手段で形成する
ことにより、冗長的な情報を中間メモリに記憶させずに
済み、その結果として高速化を図ることができる。

【０１０１】また、文字パターンの矩形部分を分離し、
その矩形部分を簡単な表示方法で表現することによっ
て、中間メモリへ記憶するデータ量を少なくすることが
できる。したがって、高速に文字パターンを形成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の塗り潰し方式を説明するための概念
図。

【図２】図１に対応する従来の塗り潰し方式を説明する
ための概念図。

【図３】図１に対応するＨＰＭとその内容が塗り潰し処
理の進行につれて変化する様子を示す図。

【図４】本発明を適用した文字パターン形成装置の構成
を示すブロック図。

【図５】本発明を適用した場合での塗り潰し回路の主要
部を出力文字パターンの１ビット分について示すブロッ
ク図。

【図６】中間メモリのデータ形式を示す図。

【図７】Ｗナンバ差分値の更新規則を示す図。

【図８】Ｇｆフラグの有無に応じて輪郭描画部が中間メ
モリのＦフラグを更新する規則を示す図。

【図９】芯線フォントの基本データ構造としての横棒ス
トロークの表現を示す図。

【図１０】本発明を芯線フォントに適用した場合での横
棒ストロークの表現を示す図。

【図１１】本発明を芯線フォントに適用した場合での処
理動作を示すフローチャート。

【図１２】本発明を文字サイズに応じて適用するための
処理動作を示すフローチャート。

【図１３】中間メモリへの書き込み処理をソフトウェア
で実現した場合での処理動作を示すフローチャート。

【図１４】塗り潰し処理をハードウェアで実現した場合
での構成を示すブロック図。

【図１５】中間メモリとして配列を用いた場合のデータ
形式を示す図。

【図１６】ファクシミリの符号化方式を説明するための
概念図。

【図１７】従来の塗り潰し方式を説明するための概念
図。

【符号の説明】

４１…フォントＲＯＭ ４２…輪郭スケーリング回路 ４３…輪郭描画回路 ４４…中間メモリ ４５…塗り潰し回路 ４６…水平パターンメモリ ４７…出力イメージメモリ ５０…累算器 ５１…ゼロ判定回路 ５２…トグル回路 ５３…ＯＲ回路 ５４…ＥＸＯＲ（エクスクルーシブ・オア）回路 ５５…ＨＰＭ（水平パターンメモリ） ５６…ＯＲ回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 文字パターンを構成するフォントデータ
   を記憶したフォントメモリと、 このフォントメモリから、指定された文字パターンに対
   応する上記フォントデータを読み出し、そのフォントデ
   ータに基づいて上記文字パターンの輪郭情報を描画する
   輪郭描画手段と、 この輪郭描画手段によって描画された上記輪郭情報を記
   憶するための中間メモリと、 この中間メモリに記憶された上記輪郭情報に基づいて塗
   り潰し処理を実行し、上記文字パターンを形成する塗り
   潰し手段とを具備し、 上記塗り潰し手段は、 上記塗り潰し方向の各列毎に塗り潰しを行う第１の塗り
   潰し手段と、 上記塗り潰し方向の列パターンを上記塗り潰し方向とは
   直角な方向に繰り返し発生して塗り潰しを行う第２の塗
   り潰し手段とを有することを特徴とする文字パターン形
   成装置。
2. 【請求項２】 文字パターンの第１の座標軸方向に塗り
   潰しを行う第１の塗り潰し手段と、 上記第１の座標軸方向に少なくとも上記文字パターンと
   同じ大きさの列パターンを記憶する列パターン記憶手段
   と、 この列パターン記憶手段に記憶された上記列パターンを
   第２の座標軸方向に繰り返し発生する第２の塗り潰し手
   段と、 この第２の塗り潰し手段による塗り潰し処理に従って上
   記列パターン記憶手段の内容を更新する更新手段と、 上記第１の塗り潰し手段から出力されるパターンと上記
   列パターン記憶手段に記憶された上記列パターンとを演
   算し、上記文字パターンとして出力する演算手段とを具
   備したことを特徴とする文字パターン形成装置。
3. 【請求項３】 文字パターンの第１の座標軸方向に塗り
   潰しを行う第１の塗り潰し手段と、 上記第１の座標軸方向に少なくとも上記文字パターンと
   同じ大きさの列パターンを記憶する列パターン記憶手段
   と、 この列パターン記憶手段に記憶された上記列パターンを
   上記第１の座標軸方向に繰り返し発生する第２の塗り潰
   し手段と、 上記第１の塗り潰し手段を制御するための第１の制御情
   報と上記第２の塗り潰し手段を制御するための第２の制
   御情報とを用いて、上記文字パターンの輪郭を描画する
   輪郭描画手段とを具備し、 上記文字パターンの上記第１の座標軸方向の輪郭は、上
   記第１の塗り潰し手段によって形成され、 上記文字パターンの上記第１の座標軸方向と直角方向の
   輪郭の少なくとも一部は、上記第２の塗り潰し手段によ
   って形成されることを特徴とする文字パターン形成装
   置。
4. 【請求項４】 塗り潰しによって文字パターンを形成す
   る文字パターン形成方法であって、 指定された文字パターンに対応するフォントデータをス
   トローク単位に読み出すステップと、 読み取ったストロークの少なくとも一部のストロークの
   パターンを塗り潰し方向に平行な輪郭と塗り潰し方向に
   直角な輪郭とで囲まれた矩形部分とそれ以外の部分とに
   分割するステップと、 上記矩形部分以外の部分を第１の制御情報で表現し、上
   記矩形部分を第２の制御情報で表現して中間メモリに書
   き込むステップと、 上記中間メモリに書き込まれた上記第１、第２の制御情
   報を読み出し、上記第１の制御情報で表現された部分に
   対しては１次元的に塗り潰しを行い、上記第２の制御情
   報で表現された部分に対しては２次元的に塗り潰しを行
   うことによって、上記文字パターンを形成するステップ
   とを具備したことを特徴とする文字パターン形成方法。