JPH09324266A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH09324266A JPH09324266A JP14575796A JP14575796A JPH09324266A JP H09324266 A JPH09324266 A JP H09324266A JP 14575796 A JP14575796 A JP 14575796A JP 14575796 A JP14575796 A JP 14575796A JP H09324266 A JPH09324266 A JP H09324266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- substrate
- cooling liquid
- coolant
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高出力スパッタ時においてもターゲット板を
効率良く均一に冷却し、安定した放電を持続するスパッ
タリング装置の提供。 【解決手段】 アノードに保持される基板と、基板に対
向し、ターゲット板９を保持するバッキングプレート１
０と、バッキングプレート１０に隣接し、冷却液５ｂを
注入する冷却液供給口５ｃと冷却液５ｂを排出する冷却
液排出口５ｄとを具備する冷却室５ａを有するカソード
５とを有し、ターゲット板９をスパッタリングすること
により基板表面に薄膜を形成するスパッタリング装置に
おいて、冷却液排出口５ｄが、冷却室５ａの上面に有す
るものであることを特徴とする。 【効果】 ターゲット板の割れによる異常放電の発生す
る虞がなく、安定した放電を持続することができる。従
って、基板に高品質な薄膜を形成することができるとと
もに、稼働効率の良いスパッタリング装置とすることが
できる。
効率良く均一に冷却し、安定した放電を持続するスパッ
タリング装置の提供。 【解決手段】 アノードに保持される基板と、基板に対
向し、ターゲット板９を保持するバッキングプレート１
０と、バッキングプレート１０に隣接し、冷却液５ｂを
注入する冷却液供給口５ｃと冷却液５ｂを排出する冷却
液排出口５ｄとを具備する冷却室５ａを有するカソード
５とを有し、ターゲット板９をスパッタリングすること
により基板表面に薄膜を形成するスパッタリング装置に
おいて、冷却液排出口５ｄが、冷却室５ａの上面に有す
るものであることを特徴とする。 【効果】 ターゲット板の割れによる異常放電の発生す
る虞がなく、安定した放電を持続することができる。従
って、基板に高品質な薄膜を形成することができるとと
もに、稼働効率の良いスパッタリング装置とすることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング装置
に関し、さらに詳しくは、カソードにバッキングプレー
トおよびターゲット板を冷却するための冷却室を有する
スパッタリング装置に関する。
に関し、さらに詳しくは、カソードにバッキングプレー
トおよびターゲット板を冷却するための冷却室を有する
スパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク、光磁気ディスクおよび磁気
ディスク等のディスク状記録媒体は大量の情報が記録可
能な記録媒体であり、ディスク基板上に記録薄膜層が形
成されたものである。このような、ディスク状記録媒体
の製造ではスパッタリング装置が用いられるが、一般に
スパッタリング装置はグロー放電によりカソードに設置
されたターゲット板にイオン化したＡｒガスを衝突さ
せ、その衝撃でターゲット板から飛び出した原子等によ
りアノードに設置された光ディスク等の基板上に薄膜を
形成するものである。以下、従来のスパッタリング装置
について図３を参照して説明する。
ディスク等のディスク状記録媒体は大量の情報が記録可
能な記録媒体であり、ディスク基板上に記録薄膜層が形
成されたものである。このような、ディスク状記録媒体
の製造ではスパッタリング装置が用いられるが、一般に
スパッタリング装置はグロー放電によりカソードに設置
されたターゲット板にイオン化したＡｒガスを衝突さ
せ、その衝撃でターゲット板から飛び出した原子等によ
りアノードに設置された光ディスク等の基板上に薄膜を
形成するものである。以下、従来のスパッタリング装置
について図３を参照して説明する。
【０００３】図３（ａ）はスパッタリング装置の概略構
成図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ部の概
略拡大断面図である。一般に、スパッタリング装置は真
空チャンバー１と、この真空チャンバー１内の真空状態
を制御する真空制御部２と、プラズマ放電用の電源３
と、この電源３と電源ライン４に接続され、バッキング
プレート１０を有するカソード５と、カソード５と所定
距離で対向配置されているアノード６と、Ａｒガス等の
スパッタガスを真空チャンバー１内に供給するスパッタ
ガス供給部７から概略構成されている。そして、カソー
ド５には、負電極として作用しＳｉ等で構成されたター
ゲット板９がボンディング剤１１によってバッキングプ
レート１０上に保持され、正電極として作用するアノー
ド６上には、光ディスク等の被成膜体である基板８が保
持されている。
成図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ部の概
略拡大断面図である。一般に、スパッタリング装置は真
空チャンバー１と、この真空チャンバー１内の真空状態
を制御する真空制御部２と、プラズマ放電用の電源３
と、この電源３と電源ライン４に接続され、バッキング
プレート１０を有するカソード５と、カソード５と所定
距離で対向配置されているアノード６と、Ａｒガス等の
スパッタガスを真空チャンバー１内に供給するスパッタ
ガス供給部７から概略構成されている。そして、カソー
ド５には、負電極として作用しＳｉ等で構成されたター
ゲット板９がボンディング剤１１によってバッキングプ
レート１０上に保持され、正電極として作用するアノー
ド６上には、光ディスク等の被成膜体である基板８が保
持されている。
【０００４】このようなスパッタリング装置で基板８上
に薄膜を形成する場合、先ず、スパッタガス供給部７の
バルブ７ａを閉にし、真空チャンバー１内を真空制御部
２により排気して１×１０-4Ｐａ以下の真空状態にす
る。そして、バルブ７ａを開にし、スパッタガス供給部
７からＡｒ＋Ｎ2 ガス等のスパッタガスを真空チャンバ
ー１内に供給し所定の圧力で充満させる。このような状
態において、電源３によりバッキングプレート１０およ
びターゲット板９に所定の負電位を印加するとターゲッ
ト板９とアノード６間に電界が生じ、グロー放電が起こ
る。そして、イオン化したＡｒガスがターゲット板９に
衝突する。その結果、ターゲット板９からターゲット材
料が原子等の状態となって叩き出され、このターゲット
材料がアノード６上に取り付けられた基板８の表面に堆
積してＳｉＮ等で構成される薄膜が形成される。
に薄膜を形成する場合、先ず、スパッタガス供給部７の
バルブ７ａを閉にし、真空チャンバー１内を真空制御部
２により排気して１×１０-4Ｐａ以下の真空状態にす
る。そして、バルブ７ａを開にし、スパッタガス供給部
７からＡｒ＋Ｎ2 ガス等のスパッタガスを真空チャンバ
ー１内に供給し所定の圧力で充満させる。このような状
態において、電源３によりバッキングプレート１０およ
びターゲット板９に所定の負電位を印加するとターゲッ
ト板９とアノード６間に電界が生じ、グロー放電が起こ
る。そして、イオン化したＡｒガスがターゲット板９に
衝突する。その結果、ターゲット板９からターゲット材
料が原子等の状態となって叩き出され、このターゲット
材料がアノード６上に取り付けられた基板８の表面に堆
積してＳｉＮ等で構成される薄膜が形成される。
【０００５】ところで、グロー放電時にはターゲット板
９はＡｒガスの衝突による熱エネルギーにより高温状態
になる。この為、カソード５の内部にはバッキングプレ
ート１０とを冷却するとともにターゲット板９を冷却す
るための冷却室５ａが設けられており、冷却液５ｂはカ
ソード５の側面に設けられた冷却液供給口５ｃから注入
されて冷却室５ａ内に流入し、熱を奪って加熱した冷却
液５ｂがカソード５の側面に設けられた冷却液排出口５
ｄから排出するように構成されている。
９はＡｒガスの衝突による熱エネルギーにより高温状態
になる。この為、カソード５の内部にはバッキングプレ
ート１０とを冷却するとともにターゲット板９を冷却す
るための冷却室５ａが設けられており、冷却液５ｂはカ
ソード５の側面に設けられた冷却液供給口５ｃから注入
されて冷却室５ａ内に流入し、熱を奪って加熱した冷却
液５ｂがカソード５の側面に設けられた冷却液排出口５
ｄから排出するように構成されている。
【０００６】しかしながら、図３（ｂ）に示したよう
に、冷却液排出口５ｄがカソード５の側面に設けられて
いるものでは、冷却室５ａの上部に空気溜まりができて
しまい、この部分での冷却効率が著しく低下する。特
に、高出力スパッタ時には冷却液５ｂのある所と空気溜
まりの部分との温度差が大となり、ターゲット板９を歪
ませて割れを発生させ、ターゲット板９の破片によるピ
ンホールの発生や異常放電を引き起し、基板８が光ディ
スクである場合ではバイトエラーレートの劣化を著しく
大とする虞がある。さらに、空気溜まり部分のボンディ
ング剤１１が溶融しターゲット板９が脱落する虞もあ
る。
に、冷却液排出口５ｄがカソード５の側面に設けられて
いるものでは、冷却室５ａの上部に空気溜まりができて
しまい、この部分での冷却効率が著しく低下する。特
に、高出力スパッタ時には冷却液５ｂのある所と空気溜
まりの部分との温度差が大となり、ターゲット板９を歪
ませて割れを発生させ、ターゲット板９の破片によるピ
ンホールの発生や異常放電を引き起し、基板８が光ディ
スクである場合ではバイトエラーレートの劣化を著しく
大とする虞がある。さらに、空気溜まり部分のボンディ
ング剤１１が溶融しターゲット板９が脱落する虞もあ
る。
【０００７】図４は、基板８が光磁気ディスクである場
合の異常放電数とバイトエラーレートとの関係を示した
グラフであり、異常放電数の増加とともにバイトエラー
レートが増加することを表している。従って、バッキン
グプレート１０を効率良く均一に冷却するとともにター
ゲット板９を均一に冷却すれば、バイトエラーレートを
小とすることができることは明らかである。
合の異常放電数とバイトエラーレートとの関係を示した
グラフであり、異常放電数の増加とともにバイトエラー
レートが増加することを表している。従って、バッキン
グプレート１０を効率良く均一に冷却するとともにター
ゲット板９を均一に冷却すれば、バイトエラーレートを
小とすることができることは明らかである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高出
力スパッタ時においてもターゲット板を効率良く均一に
冷却し、安定した放電を持続するスパッタリング装置を
提供することである。
力スパッタ時においてもターゲット板を効率良く均一に
冷却し、安定した放電を持続するスパッタリング装置を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のスパッタリング装置では、アノードに保持
される基板と、基板に対向し、ターゲット板を保持する
バッキングプレートと、バッキングプレートに隣接し、
冷却液を注入する冷却液供給口と、冷却液を排出する冷
却液排出口とを具備する冷却室を有するカソードとを有
し、ターゲット板をスパッタリングすることにより、基
板表面に薄膜を形成するスパッタリング装置において、
冷却液排出口が、冷却室の上面に有するものであること
を特徴とする。
に、本発明のスパッタリング装置では、アノードに保持
される基板と、基板に対向し、ターゲット板を保持する
バッキングプレートと、バッキングプレートに隣接し、
冷却液を注入する冷却液供給口と、冷却液を排出する冷
却液排出口とを具備する冷却室を有するカソードとを有
し、ターゲット板をスパッタリングすることにより、基
板表面に薄膜を形成するスパッタリング装置において、
冷却液排出口が、冷却室の上面に有するものであること
を特徴とする。
【００１０】上述した手段による作用としては、カソー
ドの冷却室に空気溜まりができないので、バッキングプ
レートを効率良く均一に冷却するとともにターゲット板
を効率良く均一に冷却することができ、高出力のスパッ
タ時においても安定した放電を持続させることができる
ことである。
ドの冷却室に空気溜まりができないので、バッキングプ
レートを効率良く均一に冷却するとともにターゲット板
を効率良く均一に冷却することができ、高出力のスパッ
タ時においても安定した放電を持続させることができる
ことである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例につ
いて図１を参照して説明する。なお、図中の構成要素で
従来の技術と同様の構造を成しているものについては、
同一の参照符号を付すものとする。また、スパッタリン
グ装置の概略構成と基板上に薄膜を形成する手順につい
ては、従来の技術において図３（ａ）および図３（ｂ）
を参照して説明した事例と同様であるので省略する。
いて図１を参照して説明する。なお、図中の構成要素で
従来の技術と同様の構造を成しているものについては、
同一の参照符号を付すものとする。また、スパッタリン
グ装置の概略構成と基板上に薄膜を形成する手順につい
ては、従来の技術において図３（ａ）および図３（ｂ）
を参照して説明した事例と同様であるので省略する。
【００１２】図１は、従来の技術において参照した図３
（ｂ）と同様、図３（ａ）におけるＡ部の概略拡大断面
図である。本発明は、冷却液排水口５ｄをカソード５の
上面に設けたことを特徴とする。冷却液排水口５ｄをカ
ソード５の上面に設ければ、冷却室５ａに空気溜まりが
できないので、バッキングプレート１０を効率良く均一
に冷却するとともに、ターゲット板９をも効率良く均一
に冷却することができる。従って、高出力のスパッタ時
においてもターゲット板９を歪ませて割れを発生させた
り、ターゲット板９の破片によるピンホールの発生や異
常放電を引き起す虞がなくなる。
（ｂ）と同様、図３（ａ）におけるＡ部の概略拡大断面
図である。本発明は、冷却液排水口５ｄをカソード５の
上面に設けたことを特徴とする。冷却液排水口５ｄをカ
ソード５の上面に設ければ、冷却室５ａに空気溜まりが
できないので、バッキングプレート１０を効率良く均一
に冷却するとともに、ターゲット板９をも効率良く均一
に冷却することができる。従って、高出力のスパッタ時
においてもターゲット板９を歪ませて割れを発生させた
り、ターゲット板９の破片によるピンホールの発生や異
常放電を引き起す虞がなくなる。
【００１３】図２は、従来の技術の図３（ｂ）に示した
事例のように冷却液供給口５ｃと冷却液排出口５ｄとが
カソード５の側面に設けられたスパッタリング装置と、
本発明の図１に示した事例のように冷却液供給口５ｃを
カソード５の底面に設け、冷却液排水口５ｄをカソード
５の上面に設けたスパッタリング装置とにおいて、基板
８を光磁気ディスクとしてターゲット使用時間によるバ
イトエラーレートの変化を比較したものである。これか
らも明らかなように、本発明のものではターゲット板９
の割れによるピンホールが低減し、バイトエラーレート
が低減されている。
事例のように冷却液供給口５ｃと冷却液排出口５ｄとが
カソード５の側面に設けられたスパッタリング装置と、
本発明の図１に示した事例のように冷却液供給口５ｃを
カソード５の底面に設け、冷却液排水口５ｄをカソード
５の上面に設けたスパッタリング装置とにおいて、基板
８を光磁気ディスクとしてターゲット使用時間によるバ
イトエラーレートの変化を比較したものである。これか
らも明らかなように、本発明のものではターゲット板９
の割れによるピンホールが低減し、バイトエラーレート
が低減されている。
【００１４】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明のス
パッタリング装置によれば、ターゲット板の割れによる
異常放電の発生する虞がなく、安定した放電を持続する
ことができる。従って、基板に高品質な薄膜を形成する
ことができるとともに、稼働効率の良いスパッタリング
装置とすることができる。
パッタリング装置によれば、ターゲット板の割れによる
異常放電の発生する虞がなく、安定した放電を持続する
ことができる。従って、基板に高品質な薄膜を形成する
ことができるとともに、稼働効率の良いスパッタリング
装置とすることができる。
【図１】 本発明の実施の形態例を示し、図３（ａ）に
おけるＡ部の概略拡大断面図である。
おけるＡ部の概略拡大断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態例と従来例とを、ターゲ
ット使用時間によるバイトエラーレートの変化を比較し
たグラフである。
ット使用時間によるバイトエラーレートの変化を比較し
たグラフである。
【図３】 従来例を示し、（ａ）はスパッタリング装置
の概略構成図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ部の概
略拡大断面図である。
の概略構成図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ部の概
略拡大断面図である。
【図４】 従来例において、異常放電数とバイトエラー
レートとの関係を示したグラフである。
レートとの関係を示したグラフである。
１…真空チャンバー、２…真空制御部、３…電源、４…
電源ライン、５…カソード、５ａ…冷却室、５ｂ…冷却
液、５ｃ…冷却液供給口、５ｄ…冷却液排出口、６…ア
ノード、７…スパッタガス供給部、７ａ…バルブ、８…
基板、９…ターゲット板、１０…バッキングプレート、
１１…ボンディング剤
電源ライン、５…カソード、５ａ…冷却室、５ｂ…冷却
液、５ｃ…冷却液供給口、５ｄ…冷却液排出口、６…ア
ノード、７…スパッタガス供給部、７ａ…バルブ、８…
基板、９…ターゲット板、１０…バッキングプレート、
１１…ボンディング剤
Claims (1)
- 【請求項１】 アノードに保持される基板と、 前記基板に対向し、ターゲット板を保持するバッキング
プレートと、 前記バッキングプレートに隣接し、 冷却液を注入する冷却液供給口と、前記冷却液を排出す
る冷却液排出口とを具備する冷却室を有するカソードと
を有し、 前記ターゲット板をスパッタリングすることにより、前
記基板に薄膜を形成するスパッタリング装置において、 前記冷却液排出口が、前記冷却室の上面に有するもので
あることを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14575796A JPH09324266A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14575796A JPH09324266A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09324266A true JPH09324266A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15392462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14575796A Pending JPH09324266A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09324266A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102400105A (zh) * | 2010-09-10 | 2012-04-04 | 佳能安内华股份有限公司 | 旋转接头以及溅射装置 |
-
1996
- 1996-06-07 JP JP14575796A patent/JPH09324266A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102400105A (zh) * | 2010-09-10 | 2012-04-04 | 佳能安内华股份有限公司 | 旋转接头以及溅射装置 |
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