JPH1025568A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH1025568A JPH1025568A JP18057896A JP18057896A JPH1025568A JP H1025568 A JPH1025568 A JP H1025568A JP 18057896 A JP18057896 A JP 18057896A JP 18057896 A JP18057896 A JP 18057896A JP H1025568 A JPH1025568 A JP H1025568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- dark space
- target material
- space shield
- sputtering apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品位の光記録媒体を作成するスパッタリン
グ装置を提供する。 【解決手段】 光ディスクの製造に用いるスパッタリン
グ装置において、バッキングプレート１０を保護するダ
ークスペースシールド１１は、バッキングプレート１０
とターゲット材９との円周部を覆うように設けられてい
るが、そのターゲット材９とダークスペースシールド１
１とが僅かに離間して対向する面に、絶縁層１２を設け
る。絶縁層の幅をＬ1 とし、前記ターゲット材と前記ダ
ークスペースシールドとのオーバーラップする幅をＬ2
としたとき、Ｌ1 ≧Ｌ2 であることとし、また、前記絶
縁層の厚さをＴ1 とし、前記ターゲット材と前記ダーク
スペースシールドとの間隔をＴ2 としたとき、０．１Ｔ
2 ≦Ｔ1 ≦Ｔ2 であることとする。更に、絶縁層はアル
ミナで形成する。
グ装置を提供する。 【解決手段】 光ディスクの製造に用いるスパッタリン
グ装置において、バッキングプレート１０を保護するダ
ークスペースシールド１１は、バッキングプレート１０
とターゲット材９との円周部を覆うように設けられてい
るが、そのターゲット材９とダークスペースシールド１
１とが僅かに離間して対向する面に、絶縁層１２を設け
る。絶縁層の幅をＬ1 とし、前記ターゲット材と前記ダ
ークスペースシールドとのオーバーラップする幅をＬ2
としたとき、Ｌ1 ≧Ｌ2 であることとし、また、前記絶
縁層の厚さをＴ1 とし、前記ターゲット材と前記ダーク
スペースシールドとの間隔をＴ2 としたとき、０．１Ｔ
2 ≦Ｔ1 ≦Ｔ2 であることとする。更に、絶縁層はアル
ミナで形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光磁気ディスク等の
製造に係わるスパッタリング装置の異常放電を低減する
ダークスペースシールドに関するものである。
製造に係わるスパッタリング装置の異常放電を低減する
ダークスペースシールドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に記録膜等の機能薄膜
を形成して光ディスク等の記録媒体を形成する場合、一
般にＲＦ（高周波）、ＤＣ（直流）スパッタリング装置
が使用されている。例えば誘電体膜ＳｉＮ（窒化Ｓｉ）
を成膜する場合には、絶縁体であるＳｉの単結晶をＡｒ
等の希ガスとＮ2 ガスを混入し、反応性スパッタリング
として成膜している。ＤＣスパッタリング装置の場合、
絶縁物は放電しないので、Ｂ（ホウ素）等をＳｉターゲ
ットに添加して導電率を上げて使用している。
を形成して光ディスク等の記録媒体を形成する場合、一
般にＲＦ（高周波）、ＤＣ（直流）スパッタリング装置
が使用されている。例えば誘電体膜ＳｉＮ（窒化Ｓｉ）
を成膜する場合には、絶縁体であるＳｉの単結晶をＡｒ
等の希ガスとＮ2 ガスを混入し、反応性スパッタリング
として成膜している。ＤＣスパッタリング装置の場合、
絶縁物は放電しないので、Ｂ（ホウ素）等をＳｉターゲ
ットに添加して導電率を上げて使用している。
【０００３】つぎに、従来の一般的なスパッタリング装
置の構成と、本発明に係わるダークスペースシールドに
関して、図６および図７を参照して説明する。図６はス
パッタリング装置の概略の構成を示す図であり、図７は
スパッタリング装置のダークスペースシールドを示す図
であって、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ線上における断面図である。
置の構成と、本発明に係わるダークスペースシールドに
関して、図６および図７を参照して説明する。図６はス
パッタリング装置の概略の構成を示す図であり、図７は
スパッタリング装置のダークスペースシールドを示す図
であって、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ線上における断面図である。
【０００４】一般にスパッタリング装置は図６に示すよ
うに、成膜室である真空チャンバー１と、その室内の真
空度を制御する真空制御部２と、プラズマ放電用の電源
３と、この電源３が電源ケーブル４によって接続されて
いるカソード部５と、カソード部５と所定距離を持って
対向配置されているアノード６と、スパッタガスである
Ａｒ等を真空チャンバー１内に供給するためのスパッタ
ガス供給部７とを主な要素として構成されている。アノ
ード６には光ディスクの基板８が固定されている。
うに、成膜室である真空チャンバー１と、その室内の真
空度を制御する真空制御部２と、プラズマ放電用の電源
３と、この電源３が電源ケーブル４によって接続されて
いるカソード部５と、カソード部５と所定距離を持って
対向配置されているアノード６と、スパッタガスである
Ａｒ等を真空チャンバー１内に供給するためのスパッタ
ガス供給部７とを主な要素として構成されている。アノ
ード６には光ディスクの基板８が固定されている。
【０００５】また、図７に示すようにカソード部５のバ
ッキングプレート１０にスパッタリングのターゲット材
９が固定されていて、更に、バッキングプレート１０を
保護するダークスペースシールド１１がバッキングプレ
ート１０とターゲット材９との円周部を覆うように設け
られている。
ッキングプレート１０にスパッタリングのターゲット材
９が固定されていて、更に、バッキングプレート１０を
保護するダークスペースシールド１１がバッキングプレ
ート１０とターゲット材９との円周部を覆うように設け
られている。
【０００６】このような装置によるスパッタリングにお
いてアーク放電の発生が問題となる。アーク放電は局所
的に電荷が集中して発生するが、このアーク放電によっ
て飛散したターゲット材９の固相状の固まりが基板８の
上に付着しディスク不良の原因となっていた。そこでア
ーク放電の起こりにくいＲＦスパッタリングを用いる
か、またはＤＣスパッタリングにおいて、ある一定周波
数で投入電力を零にするなどの対策がなされてきた。し
かしながら、これらの対策によっても十分にアーク放電
の発生を抑えることはできず、特にターゲット材９の端
部で起こるアーク放電を抑えることは困難であった。
いてアーク放電の発生が問題となる。アーク放電は局所
的に電荷が集中して発生するが、このアーク放電によっ
て飛散したターゲット材９の固相状の固まりが基板８の
上に付着しディスク不良の原因となっていた。そこでア
ーク放電の起こりにくいＲＦスパッタリングを用いる
か、またはＤＣスパッタリングにおいて、ある一定周波
数で投入電力を零にするなどの対策がなされてきた。し
かしながら、これらの対策によっても十分にアーク放電
の発生を抑えることはできず、特にターゲット材９の端
部で起こるアーク放電を抑えることは困難であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、スパッタリング装置内でのアーク放電の発生を抑制
してその影響を抑え、成膜欠陥の少ない光ディスクの製
造を可能とする光ディスク製造装置を提供しようとする
ものである。
は、スパッタリング装置内でのアーク放電の発生を抑制
してその影響を抑え、成膜欠陥の少ない光ディスクの製
造を可能とする光ディスク製造装置を提供しようとする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
なされたものであり、光ディスクの製造に用いるスパッ
タリング装置において、バッキングプレートを保護する
ダークスペースシールドの、ターゲット材に対向した面
に絶縁層を設けたスパッタリング装置を構成する。
なされたものであり、光ディスクの製造に用いるスパッ
タリング装置において、バッキングプレートを保護する
ダークスペースシールドの、ターゲット材に対向した面
に絶縁層を設けたスパッタリング装置を構成する。
【０００９】前記絶縁層の幅をＬ1 とし、前記ターゲッ
ト材と前記ダークスペースシールドとのオーバーラップ
する幅をＬ2 としたとき、Ｌ1 ≧Ｌ2 であることとし、
また、前記絶縁層の厚さをＴ1 とし、前記ターゲット材
と前記ダークスペースシールドとの間隔をＴ2 としたと
き、０．１Ｔ2 ≦Ｔ1 ≦Ｔ2 であることとする。
ト材と前記ダークスペースシールドとのオーバーラップ
する幅をＬ2 としたとき、Ｌ1 ≧Ｌ2 であることとし、
また、前記絶縁層の厚さをＴ1 とし、前記ターゲット材
と前記ダークスペースシールドとの間隔をＴ2 としたと
き、０．１Ｔ2 ≦Ｔ1 ≦Ｔ2 であることとする。
【００１０】また、前記絶縁層はアルミナで形成して上
記課題を解決する。
記課題を解決する。
【００１１】本発明は上述した構成の、ダークスペース
シールドの絶縁層の効果によりターゲット材の端部で起
こるアーク放電の発生を抑制し、その影響を抑えること
ができて、成膜欠陥の少ない光ディスクを製造すること
ができる。
シールドの絶縁層の効果によりターゲット材の端部で起
こるアーク放電の発生を抑制し、その影響を抑えること
ができて、成膜欠陥の少ない光ディスクを製造すること
ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例について図
１ないし図５を参照して説明する。図１は本発明による
スパッタリング装置の、ダークスペースシールドの要部
拡大断面図であり、図２は本発明の実施による装置と従
来の装置との、ディスク欠陥発生率について比較する図
である。また、図３はダークスペースシールドに設ける
絶縁層の大きさと位置を示す図である。更に、図４は絶
縁層の幅（Ｌ1 ）とディスク欠陥発生率との関係を示す
図であり、図５は絶縁層の厚み（Ｔ1 ）とディスク欠陥
発生率との関係を示す図である。
１ないし図５を参照して説明する。図１は本発明による
スパッタリング装置の、ダークスペースシールドの要部
拡大断面図であり、図２は本発明の実施による装置と従
来の装置との、ディスク欠陥発生率について比較する図
である。また、図３はダークスペースシールドに設ける
絶縁層の大きさと位置を示す図である。更に、図４は絶
縁層の幅（Ｌ1 ）とディスク欠陥発生率との関係を示す
図であり、図５は絶縁層の厚み（Ｔ1 ）とディスク欠陥
発生率との関係を示す図である。
【００１３】本発明者は鋭意検討の結果、ダークスペー
スシールドのターゲット材に対向した部位に絶縁層を設
けることによって、アーク放電の発生が低減し、その影
響が抑えられることを見いだし、これによって成膜欠陥
の少ない光ディスクの製造を可能とするスパッタリング
装置の開発に至った。
スシールドのターゲット材に対向した部位に絶縁層を設
けることによって、アーク放電の発生が低減し、その影
響が抑えられることを見いだし、これによって成膜欠陥
の少ない光ディスクの製造を可能とするスパッタリング
装置の開発に至った。
【００１４】本発明によるバッキングプレート１０を保
護するダークスペースシールドは、バッキングプレート
１０とターゲット材９との円周部を覆うように設けられ
ているが、そのターゲット材９とダークスペースシール
ド１１とが僅かに離間して対向する面に、図１に示すよ
うに、絶縁層１２を設けたものである。その他のスパッ
タリング装置の構造は図６および図７に示す従来例と同
一であり、それらの説明は省略する。
護するダークスペースシールドは、バッキングプレート
１０とターゲット材９との円周部を覆うように設けられ
ているが、そのターゲット材９とダークスペースシール
ド１１とが僅かに離間して対向する面に、図１に示すよ
うに、絶縁層１２を設けたものである。その他のスパッ
タリング装置の構造は図６および図７に示す従来例と同
一であり、それらの説明は省略する。
【００１５】つぎに、本発明によるスパッタリング装置
と従来のスパッタリング装置とによる光ディスク製造時
の欠陥発生率について説明する。図２はその測定結果で
あって、横軸は１０００枚を１ブロックとする成膜ディ
スク枚数であり、縦軸はこの１ブロック中で発生した欠
陥の数を規格化して表示している。規格化の基準は従来
の装置による１ブロックの欠陥の数の最大値を用いてい
る。図２からダークスペースシールド１１のターゲット
材９に対向した面に絶縁層１２を設けた結果、欠陥の発
生が低減していることが分かる。
と従来のスパッタリング装置とによる光ディスク製造時
の欠陥発生率について説明する。図２はその測定結果で
あって、横軸は１０００枚を１ブロックとする成膜ディ
スク枚数であり、縦軸はこの１ブロック中で発生した欠
陥の数を規格化して表示している。規格化の基準は従来
の装置による１ブロックの欠陥の数の最大値を用いてい
る。図２からダークスペースシールド１１のターゲット
材９に対向した面に絶縁層１２を設けた結果、欠陥の発
生が低減していることが分かる。
【００１６】つぎに絶縁層１２の形状と欠陥発生につい
て説明する。ここで図３に示すように絶縁層１２の幅を
Ｌ1 、ターゲット材９とダークスペースシールド１１と
のオーバーラップする幅をＬ2 、絶縁層１２の厚さをＴ
1 、ターゲット材９とダークスペースシールド１１との
ギャップをＴ2 とする。
て説明する。ここで図３に示すように絶縁層１２の幅を
Ｌ1 、ターゲット材９とダークスペースシールド１１と
のオーバーラップする幅をＬ2 、絶縁層１２の厚さをＴ
1 、ターゲット材９とダークスペースシールド１１との
ギャップをＴ2 とする。
【００１７】まず、絶縁層１２の幅Ｌ1 をパラメータと
したときの欠陥発生について述べる。このときＬ2 ＝５
ｍｍ、Ｔ1 ＝０．５ｍｍ、Ｔ2 ＝２ｍｍである。図４は
その結果を示していて、横軸は絶縁層１２の幅Ｌ1 （ｍ
ｍ）であり、縦軸は任意のＬ1 のときの欠陥発生率であ
る。図４よりＬ1 ≧Ｌ2 （５ｍｍ）において効果が現
れ、Ｌ1 が大きくなるにしたがって成膜欠陥の発生が少
なくなることが分かる。
したときの欠陥発生について述べる。このときＬ2 ＝５
ｍｍ、Ｔ1 ＝０．５ｍｍ、Ｔ2 ＝２ｍｍである。図４は
その結果を示していて、横軸は絶縁層１２の幅Ｌ1 （ｍ
ｍ）であり、縦軸は任意のＬ1 のときの欠陥発生率であ
る。図４よりＬ1 ≧Ｌ2 （５ｍｍ）において効果が現
れ、Ｌ1 が大きくなるにしたがって成膜欠陥の発生が少
なくなることが分かる。
【００１８】つぎに、絶縁層１２の厚さＴ1 をパラメー
タとしたときの欠陥発生について述べる。このときＬ1
＝１５ｍｍ、Ｌ2 ＝５ｍｍ、Ｔ2 ＝２ｍｍである。図５
はその結果を示していて、横軸は絶縁層１２の厚さＴ1
（ｍｍ）であり、縦軸は任意のＴ1 のときの欠陥発生率
である。図５よりＴ1 が０．２ｍｍで欠陥発生は従来の
略１／３となり、その低減の効果は大きく、更にＴ2 に
近づくにしたがって低減していくことが分かる。
タとしたときの欠陥発生について述べる。このときＬ1
＝１５ｍｍ、Ｌ2 ＝５ｍｍ、Ｔ2 ＝２ｍｍである。図５
はその結果を示していて、横軸は絶縁層１２の厚さＴ1
（ｍｍ）であり、縦軸は任意のＴ1 のときの欠陥発生率
である。図５よりＴ1 が０．２ｍｍで欠陥発生は従来の
略１／３となり、その低減の効果は大きく、更にＴ2 に
近づくにしたがって低減していくことが分かる。
【００１９】一般的にスパッタリング中のガス圧では、
１ｍｍのギャップでの耐電圧は約１ＫＶ／ｍｍである。
また今回使用した絶縁層の主成分はアルミナであり、ス
パッタリング中の温度は数百度であることを考え合わせ
ると、絶縁層での耐電圧は略５〜６ＫＶ／ｍｍになる。
従ってＴ1 ＝０．３ｍｍの場合、絶縁層での耐電圧は略
１．５〜１．８ＫＶであり、また、エアーギャップは
１．３ｍｍとなるから、エアーギャップでの耐電圧は
１．３ＫＶ程度となる。従って、全体での耐電圧は略３
ＫＶになる。即ち、２ｍｍのエアーギャップ中にアルミ
ナの絶縁膜を厚さ０．３ｍｍで形成することによって耐
電圧は略３ＫＶに上昇する。これにより今回の実施例の
テストでのＲＦ印加電圧は最大で約２．２ＫＶであった
が、アーク放電の発生を低減して欠陥発生率を減少させ
ていることが理解できる。尚、ギャップＴ2 を広げる
と、放電自体がそのギャップ中で起こるようになり、Ｔ
2 を必要以上に大きくすることはできない。
１ｍｍのギャップでの耐電圧は約１ＫＶ／ｍｍである。
また今回使用した絶縁層の主成分はアルミナであり、ス
パッタリング中の温度は数百度であることを考え合わせ
ると、絶縁層での耐電圧は略５〜６ＫＶ／ｍｍになる。
従ってＴ1 ＝０．３ｍｍの場合、絶縁層での耐電圧は略
１．５〜１．８ＫＶであり、また、エアーギャップは
１．３ｍｍとなるから、エアーギャップでの耐電圧は
１．３ＫＶ程度となる。従って、全体での耐電圧は略３
ＫＶになる。即ち、２ｍｍのエアーギャップ中にアルミ
ナの絶縁膜を厚さ０．３ｍｍで形成することによって耐
電圧は略３ＫＶに上昇する。これにより今回の実施例の
テストでのＲＦ印加電圧は最大で約２．２ＫＶであった
が、アーク放電の発生を低減して欠陥発生率を減少させ
ていることが理解できる。尚、ギャップＴ2 を広げる
と、放電自体がそのギャップ中で起こるようになり、Ｔ
2 を必要以上に大きくすることはできない。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、ダー
クスペースシールドとターゲット材間に絶縁層を設けた
ことでアーク放電の発生を低減しその影響を抑えること
ができ、欠陥発生の少ない光ディスクを製造するスパッ
タリング装置を提供することができる。
クスペースシールドとターゲット材間に絶縁層を設けた
ことでアーク放電の発生を低減しその影響を抑えること
ができ、欠陥発生の少ない光ディスクを製造するスパッ
タリング装置を提供することができる。
【図１】 本発明によるスパッタリング装置の、ダーク
スペースシールドの要部拡大断面図である。
スペースシールドの要部拡大断面図である。
【図２】 本発明の実施による装置と従来の装置との、
ディスク欠陥発生率について比較する図である。
ディスク欠陥発生率について比較する図である。
【図３】 ダークスペースシールドに設ける絶縁層の大
きさと位置を示す図である。
きさと位置を示す図である。
【図４】 絶縁層の幅（Ｌ1 ）とディスク欠陥発生率と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図５】 絶縁層の厚み（Ｔ1 ）とディスク欠陥発生率
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図６】 スパッタリング装置の概略の構成を示す図で
ある。
ある。
【図７】 スパッタリング装置のダークスペースシール
ドを説明するための図であって、（ａ）はその平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線上における断面図であ
る。
ドを説明するための図であって、（ａ）はその平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線上における断面図であ
る。
１…真空チャンバー、２…真空制御部、３…電源、４…
電源ケーブル、５…カソード部、６…アノード、７…ス
パッタガス供給部、８…基板、９…ターゲット材、１０
…バッキングプレート、１１…ダークスペースシール
ド、１２…絶縁層
電源ケーブル、５…カソード部、６…アノード、７…ス
パッタガス供給部、８…基板、９…ターゲット材、１０
…バッキングプレート、１１…ダークスペースシール
ド、１２…絶縁層
Claims (4)
- 【請求項１】 光ディスクの製造に用いるスパッタリン
グ装置において、 バッキングプレートを保護するダークスペースシールド
の、ターゲット材に対向した面に絶縁層を設けることを
特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 前記絶縁層の幅をＬ1 とし、前記ターゲ
ット材と前記ダークスペースシールドとのオーバーラッ
プする幅をＬ2 としたとき、Ｌ1 ≧Ｌ2 であることを特
徴とする、請求項１に記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】 前記絶縁層の厚さをＴ1 とし、前記ター
ゲット材と前記ダークスペースシールドとの間隔をＴ2
としたとき、０．１Ｔ2 ≦Ｔ1 ≦Ｔ2 であることを特徴
とする、請求項１に記載のスパッタリング装置。 - 【請求項４】 前記絶縁層はアルミナであることを特徴
とする、請求項１に記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18057896A JPH1025568A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18057896A JPH1025568A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1025568A true JPH1025568A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16085724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18057896A Pending JPH1025568A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1025568A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106574362A (zh) * | 2014-08-08 | 2017-04-19 | 株式会社爱发科 | 靶组件 |
| US11551918B2 (en) * | 2019-05-28 | 2023-01-10 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP18057896A patent/JPH1025568A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106574362A (zh) * | 2014-08-08 | 2017-04-19 | 株式会社爱发科 | 靶组件 |
| US11551918B2 (en) * | 2019-05-28 | 2023-01-10 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5556500A (en) | Plasma etching apparatus | |
| EP0070982B1 (en) | Sputtering system | |
| US6426477B1 (en) | Plasma processing method and apparatus for eliminating damages in a plasma process of a substrate | |
| US7850174B2 (en) | Plasma processing apparatus and focus ring | |
| US20090236043A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR20100127803A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| KR100415795B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
| JP2010010214A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、及び記憶媒体 | |
| US4318796A (en) | Sputtering apparatus | |
| EP0326531B1 (en) | Improved rf plasma processing apparatus | |
| JPH1025568A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH03240944A (ja) | アルミニウム薄膜形成用対向ターゲット式スパッタ法及び装置 | |
| EP0197770B1 (en) | Planar penning magnetron sputtering device | |
| JPH1021586A (ja) | Ｄｃスパッタリング装置 | |
| JP2003197607A (ja) | 焦電性高誘電体のエッチング方法及び装置 | |
| JPS63111173A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH10317132A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS6350025A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0649936B2 (ja) | バイアススパツタリング装置 | |
| JPH05339726A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH02298268A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3031364B1 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2007131930A (ja) | 反応性マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPS5848421A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2002363743A (ja) | スパッタリング装置 |