JP2000313956A - スパッタ装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタ装置のダスト対策用防着板の使用可
能期間を長期化し稼動率の向上を図る。 【解決手段】 基板５の周りを覆う防着板３１と防着板
３２は、防着板３１がターゲット１に対向する第１の防
着部として作用し、防着板３２が第１の防着部の外周に
位置しターゲット１に対向しない第２の防着部として作
用する。防着板３２の裏面には、ターゲット１から第２
の防着部に向かう磁力線が形成されるように磁石４を配
置し、磁石４の極のうち防着板３２に近い極４ａの極性
は磁気回路３のターゲット外側極３ａの極性と同じに設
定する。防着板にヒートショックを与える電子は磁力線
に導かれ防着板３２に流入する。この部分に付着する膜
厚は薄く剥離は抑えられ、防着板の使用可能期間を長期
化できる。
能期間を長期化し稼動率の向上を図る。 【解決手段】 基板５の周りを覆う防着板３１と防着板
３２は、防着板３１がターゲット１に対向する第１の防
着部として作用し、防着板３２が第１の防着部の外周に
位置しターゲット１に対向しない第２の防着部として作
用する。防着板３２の裏面には、ターゲット１から第２
の防着部に向かう磁力線が形成されるように磁石４を配
置し、磁石４の極のうち防着板３２に近い極４ａの極性
は磁気回路３のターゲット外側極３ａの極性と同じに設
定する。防着板にヒートショックを与える電子は磁力線
に導かれ防着板３２に流入する。この部分に付着する膜
厚は薄く剥離は抑えられ、防着板の使用可能期間を長期
化できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、光ディス
ク、電子部品などの薄膜形成に用いられるスパッタ装置
に関するもので、特に製品を製造する生産用のスパッタ
装置に関するものである。
ク、電子部品などの薄膜形成に用いられるスパッタ装置
に関するもので、特に製品を製造する生産用のスパッタ
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来のマグネトロンスパッタ装置
を示す。全体は中心軸１９に対して対称である。真空チ
ャンバ１０の中に基板５とターゲット１が対向して配置
され、ガス供給ライン１１とガス排気ライン１２を持
つ。
を示す。全体は中心軸１９に対して対称である。真空チ
ャンバ１０の中に基板５とターゲット１が対向して配置
され、ガス供給ライン１１とガス排気ライン１２を持
つ。
【０００３】ターゲット１には直流または交流の電源１
５が接続されている。またターゲット１の裏にはマグネ
トロン放電用の磁気回路３が配置されている。基板１以
外の前記チャンバ１０の内壁は、交換が可能な防着板２
１，２２，２３で覆われている。防着板２１，２２，２
３は図示していないが、ヒーターや熱電対が接続されて
おり温度制御が可能となっている。１４はチャンバ１０
にターゲット１を取り付ける絶縁体である。
５が接続されている。またターゲット１の裏にはマグネ
トロン放電用の磁気回路３が配置されている。基板１以
外の前記チャンバ１０の内壁は、交換が可能な防着板２
１，２２，２３で覆われている。防着板２１，２２，２
３は図示していないが、ヒーターや熱電対が接続されて
おり温度制御が可能となっている。１４はチャンバ１０
にターゲット１を取り付ける絶縁体である。
【０００４】この装置は次のように動作する。まず、ガ
ス排気ライン１２を使ってガスを排気しながら、Ａｒな
どのガスをガス供給ライン１１から導入する。次に、電
源１５より高電圧をかけると放電が起こりＡｒがイオン
と電子に電離したプラズマ５０が発生する。イオンは負
にバイアスされたターゲット１に衝突し、ターゲット原
子を叩き出す（スパッタ）。そのときスパッタされたタ
ーゲット原子（以下、スパッタ粒子）が基板５に付着し
て基板５の上に薄膜が形成される。
ス排気ライン１２を使ってガスを排気しながら、Ａｒな
どのガスをガス供給ライン１１から導入する。次に、電
源１５より高電圧をかけると放電が起こりＡｒがイオン
と電子に電離したプラズマ５０が発生する。イオンは負
にバイアスされたターゲット１に衝突し、ターゲット原
子を叩き出す（スパッタ）。そのときスパッタされたタ
ーゲット原子（以下、スパッタ粒子）が基板５に付着し
て基板５の上に薄膜が形成される。
【０００５】特に、マグネトロンスパッタ装置では、磁
力線７がターゲット上でトンネル形状を作るよう構成さ
れており、磁場によりプラズマを閉じ込めることでプラ
ズマ５０の高密度化を可能としている。スパッタ粒子は
基板でない部分にも付着して膜を形成する。この基板で
ない所に付着するスパッタ粒子によって形成された膜
は、膜厚が厚くなると剥がれてダストとなる。ダストが
基板５に付着すると製品の欠陥となるので、防着板２
１，２２，２３を設けて剥離が始まる前にこれを交換す
ることで欠陥のない製品を生産している。
力線７がターゲット上でトンネル形状を作るよう構成さ
れており、磁場によりプラズマを閉じ込めることでプラ
ズマ５０の高密度化を可能としている。スパッタ粒子は
基板でない部分にも付着して膜を形成する。この基板で
ない所に付着するスパッタ粒子によって形成された膜
は、膜厚が厚くなると剥がれてダストとなる。ダストが
基板５に付着すると製品の欠陥となるので、防着板２
１，２２，２３を設けて剥離が始まる前にこれを交換す
ることで欠陥のない製品を生産している。
【０００６】ここでは、防着板を膜の付いていないもの
に交換してから次に交換するまでの期間を防着板の使用
可能期間と呼ぶことにする。防着板に付着した膜の剥離
の原因は、電子の衝撃によるヒートショックである。放
電中に膜表面はプラズマ中の電子の衝撃を受ける。この
エネルギーにより膜表面の温度は急激に上昇し、防着板
や防着板付近の膜との間に温度差が生じる。この温度差
によって膨張の差が生じ、分断が形成され膜応力や重力
によって剥離する。このため防着板の温度を制御するこ
とで膨張の差を抑え、剥離の発生を抑制している。
に交換してから次に交換するまでの期間を防着板の使用
可能期間と呼ぶことにする。防着板に付着した膜の剥離
の原因は、電子の衝撃によるヒートショックである。放
電中に膜表面はプラズマ中の電子の衝撃を受ける。この
エネルギーにより膜表面の温度は急激に上昇し、防着板
や防着板付近の膜との間に温度差が生じる。この温度差
によって膨張の差が生じ、分断が形成され膜応力や重力
によって剥離する。このため防着板の温度を制御するこ
とで膨張の差を抑え、剥離の発生を抑制している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、生産性向上のた
め放電のパワーを増加させたり、基板５とターゲット１
の距離を短くしたりすることが多くなっている。これら
の場合、防着板２１〜２３が受ける電子衝撃エネルギー
は増加するので、ヒートショックによる剥離の低減がま
すます重要となっている。
め放電のパワーを増加させたり、基板５とターゲット１
の距離を短くしたりすることが多くなっている。これら
の場合、防着板２１〜２３が受ける電子衝撃エネルギー
は増加するので、ヒートショックによる剥離の低減がま
すます重要となっている。
【０００８】しかしながら、防着板２１〜２３の温度制
御では、短時間で放電のオン・オフが繰り返される場合
など、防着板上の膜厚が厚くなると膜全体の温度を制御
しきれず、ヒートショックによる剥離が発生するという
問題がある。具体的には、基板５の周辺部で防着板２１
上の膜厚が厚い部分２１ａとターゲット１の正面に位置
しプラズマ５０によってヒートショックを受ける部分５
０ａが一致しており、防着板を長期間使用することが困
難になっている。
御では、短時間で放電のオン・オフが繰り返される場合
など、防着板上の膜厚が厚くなると膜全体の温度を制御
しきれず、ヒートショックによる剥離が発生するという
問題がある。具体的には、基板５の周辺部で防着板２１
上の膜厚が厚い部分２１ａとターゲット１の正面に位置
しプラズマ５０によってヒートショックを受ける部分５
０ａが一致しており、防着板を長期間使用することが困
難になっている。
【０００９】本発明は、ヒートショックによる剥離を低
減し、ダスト対策用の防着板の使用可能期間を長期化し
て稼動率の向上を達成できるスパッタ装置を提供するこ
とを目的とする。
減し、ダスト対策用の防着板の使用可能期間を長期化し
て稼動率の向上を達成できるスパッタ装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタ装置
は、基板の周り覆う防着板を、基板の外周を覆うととも
にターゲットに対向する第１の防着部と、第１の防着部
の外周に位置しターゲットに対向しない第２の防着部と
で構成し、第２の防着部の裏面に磁界制御手段を設けた
ことを特徴とする。
は、基板の周り覆う防着板を、基板の外周を覆うととも
にターゲットに対向する第１の防着部と、第１の防着部
の外周に位置しターゲットに対向しない第２の防着部と
で構成し、第２の防着部の裏面に磁界制御手段を設けた
ことを特徴とする。
【００１１】この本発明によると、ヒートショックによ
る剥離を低減し、ダスト対策用の防着板の使用可能期間
を長期化して稼動率の向上を達成できる。
る剥離を低減し、ダスト対策用の防着板の使用可能期間
を長期化して稼動率の向上を達成できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載のスパッタ
装置は、真空チャンバ内にターゲットに対向して基板を
配置し、真空チャンバ内の少なくとも前記基板の周りを
防着板で覆った状態でターゲット面上に発生したプラズ
マにより前記基板上に成膜するスパッタ装置において、
基板の周り覆う防着板を、基板の外周を覆うとともにタ
ーゲットに対向する第１の防着部と、第１の防着部の外
周に位置しターゲットに対向しない第２の防着部とで構
成し、第２の防着部の裏面に磁界制御手段を設けたこと
を特徴とする。
装置は、真空チャンバ内にターゲットに対向して基板を
配置し、真空チャンバ内の少なくとも前記基板の周りを
防着板で覆った状態でターゲット面上に発生したプラズ
マにより前記基板上に成膜するスパッタ装置において、
基板の周り覆う防着板を、基板の外周を覆うとともにタ
ーゲットに対向する第１の防着部と、第１の防着部の外
周に位置しターゲットに対向しない第２の防着部とで構
成し、第２の防着部の裏面に磁界制御手段を設けたこと
を特徴とする。
【００１３】本発明の請求項２記載のスパッタ装置は、
請求項１において、ターゲットの前記基板とは反対側に
マグネトロン放電用磁気回路を設け、磁界制御手段は、
第２の防着部に近い側の極性をマグネトロン放電用磁気
回路のターゲット外側極の極性と一致させたことを特徴
とする。本発明の請求項３記載のスパッタ装置は、真空
チャンバ内にターゲットに対向して基板を配置し、真空
チャンバ内の少なくとも前記基板の周りを防着板で覆っ
た状態でターゲット面上に発生したプラズマにより前記
基板上に成膜するスパッタ装置において、基板の周り覆
う防着板を、基板の外周を覆うとともにターゲットに対
向する第１の防着部と、第１の防着部の外周に位置しタ
ーゲットに対向しない第２の防着部とで構成し、第２の
防着部の電位を第１の防着部の防着板より高くしたこと
を特徴とする。
請求項１において、ターゲットの前記基板とは反対側に
マグネトロン放電用磁気回路を設け、磁界制御手段は、
第２の防着部に近い側の極性をマグネトロン放電用磁気
回路のターゲット外側極の極性と一致させたことを特徴
とする。本発明の請求項３記載のスパッタ装置は、真空
チャンバ内にターゲットに対向して基板を配置し、真空
チャンバ内の少なくとも前記基板の周りを防着板で覆っ
た状態でターゲット面上に発生したプラズマにより前記
基板上に成膜するスパッタ装置において、基板の周り覆
う防着板を、基板の外周を覆うとともにターゲットに対
向する第１の防着部と、第１の防着部の外周に位置しタ
ーゲットに対向しない第２の防着部とで構成し、第２の
防着部の電位を第１の防着部の防着板より高くしたこと
を特徴とする。
【００１４】本発明の請求項４記載のスパッタ装置は、
請求項３において、第２の防着部をアース電位とし第１
の防着部の電位をフローティング電位としたことを特徴
とする。以下、本発明の各実施の形態を図１〜図３に基
づいて説明する。なお、従来例を示す図４と同様の作用
をなすものには同一の符号を付けて説明する。
請求項３において、第２の防着部をアース電位とし第１
の防着部の電位をフローティング電位としたことを特徴
とする。以下、本発明の各実施の形態を図１〜図３に基
づいて説明する。なお、従来例を示す図４と同様の作用
をなすものには同一の符号を付けて説明する。
【００１５】〔実施の形態１〕図１は本発明の〔実施の
形態１〕のマグネトロンスパッタ装置を示している。図
４に示した従来のマグネトロンスパッタ装置とは、チャ
ンバ１０の形状とこのチャンバ１０の内側に配設された
防着板の具体的な構成ならびに磁石４が追加されている
点が異なっている。
形態１〕のマグネトロンスパッタ装置を示している。図
４に示した従来のマグネトロンスパッタ装置とは、チャ
ンバ１０の形状とこのチャンバ１０の内側に配設された
防着板の具体的な構成ならびに磁石４が追加されている
点が異なっている。
【００１６】全体は中心軸１９に対して対称である。基
板以外のチャンバ内壁は交換可能な防着板３１，３２，
３３，３４，３５で覆われている。防着板３１，３２，
３３，３４，３５は図示していないが、ヒーターや熱電
対が接続されており温度制御が可能となっている。基板
５の周りを覆う防着板３１と防着板３２は、防着板３１
がターゲット１に対向する第１の防着部として作用し、
防着板３２が第１の防着部の外周に位置しターゲット１
に対向しない第２の防着部として作用している。
板以外のチャンバ内壁は交換可能な防着板３１，３２，
３３，３４，３５で覆われている。防着板３１，３２，
３３，３４，３５は図示していないが、ヒーターや熱電
対が接続されており温度制御が可能となっている。基板
５の周りを覆う防着板３１と防着板３２は、防着板３１
がターゲット１に対向する第１の防着部として作用し、
防着板３２が第１の防着部の外周に位置しターゲット１
に対向しない第２の防着部として作用している。
【００１７】防着板３２の裏面には、ターゲット１から
第２の防着部に向かう磁力線が形成されるように磁界制
御手段としての磁石４が配置されており、磁石４の極の
うち防着板３２に近い極４ａの極性は磁気回路３のター
ゲット外側極３ａの極性と同じに設定されている。次に
動作の説明をする。
第２の防着部に向かう磁力線が形成されるように磁界制
御手段としての磁石４が配置されており、磁石４の極の
うち防着板３２に近い極４ａの極性は磁気回路３のター
ゲット外側極３ａの極性と同じに設定されている。次に
動作の説明をする。
【００１８】まず、排気ラインを使ってガスを排気しな
がら、Ａｒなどのガスを導入する。次に、電源１５によ
り高電圧をかけると放電が起こりＡｒがイオンと電子に
電離したプラズマ５１が発生する。イオンは負にバイア
スされたターゲットに衝突し、ターゲット原子を叩き出
す。そのときスパッタされたターゲット原子（スパッタ
粒子）が基板に付着し基板上に薄膜が形成される。基板
以外の所に付着するスパッタ粒子によって形成された膜
は膜厚が厚くなると剥がれてダストとなる。ダストは基
板に付着すると製品の欠陥となるので、防着板３１，３
２，３３，３４，３５を剥離が始まる前に交換すること
で欠陥のない製品を生産する。
がら、Ａｒなどのガスを導入する。次に、電源１５によ
り高電圧をかけると放電が起こりＡｒがイオンと電子に
電離したプラズマ５１が発生する。イオンは負にバイア
スされたターゲットに衝突し、ターゲット原子を叩き出
す。そのときスパッタされたターゲット原子（スパッタ
粒子）が基板に付着し基板上に薄膜が形成される。基板
以外の所に付着するスパッタ粒子によって形成された膜
は膜厚が厚くなると剥がれてダストとなる。ダストは基
板に付着すると製品の欠陥となるので、防着板３１，３
２，３３，３４，３５を剥離が始まる前に交換すること
で欠陥のない製品を生産する。
【００１９】磁石４の極のうち防着板３２に近い極４ａ
の極性は磁気回路３のターゲット外側極３ａの極性と同
じであるから磁気トンネルを形成する磁力線８の基板側
にターゲットから防着板３２に向かう磁力線９が形成さ
れている。プラズマ５１の電子は磁力線９に導かれて防
着板３２へ流入する。すなわちプラズマ５１によってヒ
ートショックを受ける面５１ａは、膜厚の厚い面３１ａ
でなく防着板３２の表面となる。防着板３２は、ターゲ
ット１に対向していないので、一回の処理における膜の
付着量はきわめて少ない。すなわち防着板３２の表面の
膜厚が厚くなるには時間がかかりヒートショックによる
剥離の開始は遅れる。その結果、従来よりも防着板の使
用可能期間を長期化できる。
の極性は磁気回路３のターゲット外側極３ａの極性と同
じであるから磁気トンネルを形成する磁力線８の基板側
にターゲットから防着板３２に向かう磁力線９が形成さ
れている。プラズマ５１の電子は磁力線９に導かれて防
着板３２へ流入する。すなわちプラズマ５１によってヒ
ートショックを受ける面５１ａは、膜厚の厚い面３１ａ
でなく防着板３２の表面となる。防着板３２は、ターゲ
ット１に対向していないので、一回の処理における膜の
付着量はきわめて少ない。すなわち防着板３２の表面の
膜厚が厚くなるには時間がかかりヒートショックによる
剥離の開始は遅れる。その結果、従来よりも防着板の使
用可能期間を長期化できる。
【００２０】〔実施の形態２〕図２は本発明の〔実施の
形態２〕を示している。基板以外のチャンバ内壁は交換
可能な防着板４１，４２，４３，４４，４５で覆われて
いる。防着板４１，４２，４３，４４，４５は図示して
いないが、ヒーターや熱電対が接続されており温度制御
が可能となっている。
形態２〕を示している。基板以外のチャンバ内壁は交換
可能な防着板４１，４２，４３，４４，４５で覆われて
いる。防着板４１，４２，４３，４４，４５は図示して
いないが、ヒーターや熱電対が接続されており温度制御
が可能となっている。
【００２１】基板５の周りを覆う防着板４１と防着板４
２は、防着板４１がターゲット１に対向する第１の防着
部として作用し、防着板４２が第１の防着部の外周に位
置しターゲット１に対向しない第２の防着部として作用
している。また、防着板４１，４２，４３，４４，４５
は絶縁物１４により真空チャンバと絶縁されている。さ
らに防着板４２は防着板４１，４３，４４，４５とも絶
縁されており防着板４２の電位を制御する電源１６が接
続されている。防着板４１，４３，４４，４５にはそれ
らの電位を制御する電源１７が接続されている。電源１
６，１７により防着板４２の電位は防着板４１，４３，
４４，４５の電位より高くしてある。
２は、防着板４１がターゲット１に対向する第１の防着
部として作用し、防着板４２が第１の防着部の外周に位
置しターゲット１に対向しない第２の防着部として作用
している。また、防着板４１，４２，４３，４４，４５
は絶縁物１４により真空チャンバと絶縁されている。さ
らに防着板４２は防着板４１，４３，４４，４５とも絶
縁されており防着板４２の電位を制御する電源１６が接
続されている。防着板４１，４３，４４，４５にはそれ
らの電位を制御する電源１７が接続されている。電源１
６，１７により防着板４２の電位は防着板４１，４３，
４４，４５の電位より高くしてある。
【００２２】次に動作の説明をする。まず、排気ライン
を使ってガスを排気しながら、Ａｒなどのガスを導入す
る。次に、電源１５より高電圧をかけると放電が起こり
Ａｒがイオンと電子に電離したプラズマ５２が発生す
る。イオンは負にバイアスされたターゲットに衝突し、
ターゲット原子を叩き出す。そのときスパッタされたタ
ーゲット原子（スパッタ粒子）が基板に付着し基板上に
薄膜が形成される。基板以外の所に付着するスパッタ粒
子によって形成された膜は膜厚が厚くなると剥がれてダ
ストとなる。ダストは基板に付着すると製品の欠陥とな
るので、防着板４１，４２，４３，４４，４５を剥離が
始まる前に交換することで欠陥のない製品を生産する。
を使ってガスを排気しながら、Ａｒなどのガスを導入す
る。次に、電源１５より高電圧をかけると放電が起こり
Ａｒがイオンと電子に電離したプラズマ５２が発生す
る。イオンは負にバイアスされたターゲットに衝突し、
ターゲット原子を叩き出す。そのときスパッタされたタ
ーゲット原子（スパッタ粒子）が基板に付着し基板上に
薄膜が形成される。基板以外の所に付着するスパッタ粒
子によって形成された膜は膜厚が厚くなると剥がれてダ
ストとなる。ダストは基板に付着すると製品の欠陥とな
るので、防着板４１，４２，４３，４４，４５を剥離が
始まる前に交換することで欠陥のない製品を生産する。
【００２３】電源１６，１７により防着板４２の電位は
防着板４１，４３，４４，４５の電位より高くしてある
ので電位の勾配によりプラズマ５２の電子は防着板４２
に流入する。すなわちプラズマ５２によってヒートショ
ックをうける面５２ａは膜厚の厚い面４１ａでなく防着
板４２の表面となる。防着板４２は、ターゲット１に対
向していないので、一回の処理における膜の付着量はき
わめて少ない。すなわち防着板４２の表面の膜厚が厚く
なるには時間がかかりヒートショックによる剥離の開始
は遅れる。その結果、従来よりも防着板の使用可能期間
を長期化できる。
防着板４１，４３，４４，４５の電位より高くしてある
ので電位の勾配によりプラズマ５２の電子は防着板４２
に流入する。すなわちプラズマ５２によってヒートショ
ックをうける面５２ａは膜厚の厚い面４１ａでなく防着
板４２の表面となる。防着板４２は、ターゲット１に対
向していないので、一回の処理における膜の付着量はき
わめて少ない。すなわち防着板４２の表面の膜厚が厚く
なるには時間がかかりヒートショックによる剥離の開始
は遅れる。その結果、従来よりも防着板の使用可能期間
を長期化できる。
【００２４】放電の電力が大きくプラズマ密度が高い場
合などは、図３の如く防着板４２をアースと接続し他の
防着板の電位をフローティングとするだけでも十分な電
位勾配が得られ、電源１６，１７がないシンプルな構成
で上記効果を得ることができる。マグネトロン放電用の
磁気回路３の磁場が強い場合は〔実施の形態１〕が有効
であり、磁石４の磁場が基板上の膜質に悪影響を及ぼす
場合には〔実施の形態２〕が有効である。
合などは、図３の如く防着板４２をアースと接続し他の
防着板の電位をフローティングとするだけでも十分な電
位勾配が得られ、電源１６，１７がないシンプルな構成
で上記効果を得ることができる。マグネトロン放電用の
磁気回路３の磁場が強い場合は〔実施の形態１〕が有効
であり、磁石４の磁場が基板上の膜質に悪影響を及ぼす
場合には〔実施の形態２〕が有効である。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、防着板に
ヒートショックを与える電子は磁力線または電位勾配に
導かれ、ターゲット表面から見えない部分に流入する。
この部分に付着する膜の膜厚は薄いのでヒートショック
による剥離は抑えられ、防着板の使用可能期間を長期化
できるものである。
ヒートショックを与える電子は磁力線または電位勾配に
導かれ、ターゲット表面から見えない部分に流入する。
この部分に付着する膜の膜厚は薄いのでヒートショック
による剥離は抑えられ、防着板の使用可能期間を長期化
できるものである。
【図１】本発明の〔実施の形態１〕の構成図
【図２】本発明の〔実施の形態２〕の構成図
【図３】本発明の〔実施の形態２〕の別の例の構成図
【図４】従来例の構成図
１ ターゲット ３ 磁気回路 ４ 磁石〔磁界制御手段〕 ５ 基板 ８，９ 磁力線 １０ チャンバ １１ ガス供給ライン １２ ガス排気ライン １４ 絶縁体 １５ 高圧電源 １６，１７ 電位制御用電源 ３１ 防着板〔第１の防着部〕 ３２ 防着板〔第２の防着部〕 ４１ 防着板〔第１の防着部〕 ４２ 防着板〔第２の防着部〕 ５０，５１，５２ プラズマ
Claims (4)
- 【請求項１】真空チャンバ内にターゲットに対向して基
板を配置し、真空チャンバ内の少なくとも前記基板の周
りを防着板で覆った状態でターゲット面上に発生したプ
ラズマにより前記基板上に成膜するスパッタ装置におい
て、 基板の周り覆う防着板を、 基板の外周を覆うとともにターゲットに対向する第１の
防着部と、 第１の防着部の外周に位置しターゲットに対向しない第
２の防着部とで構成し、第２の防着部の裏面に磁界制御
手段を設けたスパッタ装置。 - 【請求項２】ターゲットの前記基板とは反対側にマグネ
トロン放電用磁気回路を設け、 磁界制御手段は、第２の防着部に近い側の極性をマグネ
トロン放電用磁気回路のターゲット外側極の極性と一致
させた請求項１記載のスパッタ装置。 - 【請求項３】真空チャンバ内にターゲットに対向して基
板を配置し、真空チャンバ内の少なくとも前記基板の周
りを防着板で覆った状態でターゲット面上に発生したプ
ラズマにより前記基板上に成膜するスパッタ装置におい
て、 基板の周り覆う防着板を、 基板の外周を覆うとともにターゲットに対向する第１の
防着部と、 第１の防着部の外周に位置しターゲットに対向しない第
２の防着部とで構成し、第２の防着部の電位を第１の防
着部の防着板より高くしたスパッタ装置。 - 【請求項４】第２の防着部をアース電位とし第１の防着
部の電位をフローティング電位とした請求項３記載のス
パッタ装置。
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|---|---|---|---|
| JP11886299A JP3824443B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | スパッタ装置 |
| US09/550,999 US6620298B1 (en) | 1999-04-23 | 2000-04-18 | Magnetron sputtering method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11886299A JP3824443B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | スパッタ装置 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP11886299A Expired - Fee Related JP3824443B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-27 | スパッタ装置 |
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| JP (1) | JP3824443B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019060015A (ja) * | 2017-08-18 | 2019-04-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 物理的気相堆積チャンバの粒子低減装置及び方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109023267B (zh) * | 2018-08-17 | 2020-09-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种防着板及其制作方法 |
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- 1999-04-27 JP JP11886299A patent/JP3824443B2/ja not_active Expired - Fee Related
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