JPH09323261A - ウェハー研磨装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップを形成するためのウェハーを平
坦にする工程で用いられるウェハー研磨装置及び半導体
装置製造方法に関し、ウェハーの面内分布及びウェハー
の研磨レートを一定に保持できるウェハー研磨装置及び
半導体製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ウェハーを研磨布に押圧しつつ擦り合わ
せる研磨手段と、研磨布にウェハーを研磨する研磨剤を
吐出する研磨剤吐出手段と、ウェハーと研磨布との研磨
時間に応じて研磨剤吐出手段から研磨布に供給される研
磨剤の吐出量を制御する研磨剤制御手段を有する構成と
してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はウェハー研磨装置及
び半導体装置製造方法に係り、特に、半導体チップを形
成するためのウェハーを平坦にする工程で用いられるウ
ェハー研磨装置及び半導体製造方法に関する。

【０００２】近年、半導体チップの微細化とそれに伴う
配線の多層化に伴い、半導体チップを形成するウェハー
の平坦化が要求されている。このため、ＳＯＧに代え
て、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）が採用
されるようになってきている。

【０００３】

【従来の技術】ＣＭＰはChemical Mechanical Polishi
ngの略で、半導体集積回路を製造する工程で、ウェハー
製造工程のうち半導体ウェハーを平坦化するいわゆるポ
リッシング工程に用いられる装置である。ＣＭＰは、回
転する研磨布に研磨剤を吐出しつつ、回転するウェハー
を接触させ、研磨を行うことによりウェハーを平坦化す
る技術である。

【０００４】図７に従来の一例の構成図を示す。ＣＭＰ
によるウェハー研磨装置３０は、主に、ウェハー３１を
研磨する研磨布３２を回転させる研磨定盤部３３、ウェ
ハー３１を研磨布３２に押圧しつつ回転させるヘッド部
３４、研磨布３２とウェハー３１との間に研磨剤（スラ
リー）３５を供給する研磨剤供給部３６から構成され
る。

【０００５】研磨定盤部３３は、円盤状に構成された定
盤３７に研磨布３２が貼り付けられ、モータ等により回
転させる。研磨布３２は、人工皮革、発砲シート等から
なり表面には研磨剤３５が研磨剤供給部３６から吐出さ
れる。研磨布３２の表面には、研磨剤３５を面内で均一
にするために丸穴がパンチングされたり、格子状の溝が
形成されている。

【０００６】ヘッド部３４は、円盤状に構成されたヘッ
ド３８にウェハー３１が保持され、ヘッド３８を回転さ
せつつ、ウェハー３１を定盤３７に所定の押圧力で押圧
する。定盤３７は矢印Ｄ方向に回転し、ヘッド３８は矢
印Ｅ方向に回転することにより、ヘッド３８は定盤３７
に対して揺動運動する。

【０００７】研磨剤供給部３６は、研磨剤３５を吸引し
吐出させるチュービングポンプ３９、チュービングポン
プ３９から吐出される研磨剤３５を研磨布３２に導くノ
ズル４０、チュービングポンプ３９を駆動させるモータ
４１、モータ４１の回転制御を行うモータドライバ４２
から構成される。

【０００８】図８にモータドライバ４２の構成図を示
す。モータドライバ４２は、モータ４１に駆動電圧を供
給する駆動電源４３、モータ４１及び駆動電源４３に直
列に接続され、モータ４１へ印加する駆動電圧を可変す
る可変抵抗４４、モータ４１、駆動電源４３、可変抵抗
４４と直列に接続され、モータ４１への駆動電圧の供給
をオン／オフするリレー４５、リレー４５を制御するリ
レーコントローラ４６より構成される。

【０００９】研磨を行う場合には、リレーコントローラ
４６に制御信号を供給することによりリレー４５をオン
することによりモータ４１を可変抵抗４４により予め設
定された回転速度で回転させ、チュービングポンプ３９
を駆動し、ノズル４０から一定量の研磨剤３５を研磨布
３２に吐出しつつ、ウェハー３１を研磨布３２に押圧す
ることにより行われていた。

【００１０】ウェハー３１と研磨布３２とは相対的に接
触しており、研磨布３２は経時的に変化する。図９に研
磨布の経時変化を説明するための図を示す。図９は研磨
布３２の断面図を示している。

【００１１】研磨布３２は、図９に示すように初期時に
厚さｄ0 であっても、ウェハー３１を研磨することによ
り摩耗する。研磨布３２が摩耗すると、研磨布３２に形
成されたパンチング穴や溝４７の深さが浅くなる。従っ
て、研磨剤３５が保持される量が減少し、研磨量が変化
する。

【００１２】このため、研磨布３２の経時変化に応じて
研磨剤３５の吐出量を調整することにより研磨レートや
研磨量を一定になるようにしていた。研磨剤３５の吐出
量の調整は、作業員がウェハーの研磨状態を観察して可
変抵抗４４を調整することにより調整されていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のウェ
ハー研磨装置では、研磨剤３５の吐出量の調整は、作業
員がウェハーの研磨状態を観察して可変抵抗４４を調整
することにより調整されていたため、作業に手間がかか
り製造効率が悪かった。また、人手による調整であった
ため、精度が悪く、ウェハーを均一に研磨することが困
難である等の問題点があった。

【００１４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、研磨布の経時変化によらずウェハーの面内分布及び
ウェハーの研磨レートを一定に保持できるウェハー研磨
装置及び半導体製造方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、ウ
ェハーを研磨布に押圧しつつ擦り合わせる研磨手段と、
該研磨布に該ウェハーを研磨する研磨剤を吐出する研磨
剤吐出手段とを有するウェハー研磨装置において、前記
ウェハーと前記研磨布との研磨時間に応じて前記研磨剤
吐出手段から前記研磨布に供給される前記研磨剤の吐出
量を制御する研磨剤制御手段を有することを特徴とす
る。

【００１６】請求項１によれば、研磨時間に応じて研磨
剤の吐出量を制御することにより研磨剤の量を研磨布の
状態に応じた量に制御できるため、ウェハーの研磨量を
研磨時間によらず一定にできる。請求項２は、前記研磨
剤制御手段を前記研磨剤の吐出量を前記ウェハーの面内
分布が均一になるように制御する構成としてなる。

【００１７】請求項２によれば、研磨剤の吐出量をウェ
ハの研磨を面内の分布が均一になるように制御すること
により、ウェハーを均一に研磨でき、均一なチップを提
供できる。請求項３は、前記研磨剤制御手段を前記研磨
剤の吐出量を前記ウェハーの研磨レートが均一になるよ
うに制御する構成としてなる。

【００１８】請求項３によれば、研磨剤の吐出量を研磨
レートが均一になるように制御することにより、複数の
ウェハーを均一に研磨できるため、均一なチップを提供
できる。請求項４は、ウェハーを研磨布に押圧しつつ擦
り合わせる研磨手段を有するウェハー研磨装置におい
て、前記研磨布の使用時間に応じて前記研磨手段による
前記ウェハーと前記研磨布との研磨時間を制御する研磨
時間制御手段を有することを特徴とする。

【００１９】請求項４によれば、研磨布の使用時間に応
じて研磨時間を制御することにより、研磨布の変化によ
らずウェハーの研磨量を一定に保持できるため、ウェハ
ーを均一に製造でき、均一なチップを提供できる。請求
項５は、前記研磨時間制御手段を前記研磨時間を前記ウ
ェハーの研磨レートが均一になるように制御する構成と
してなる。

【００２０】請求項５によれば、ウェハーの研磨レート
が均一になるように研磨時間を制御することにより、研
磨布の劣化によらずウェハーの研磨量を一定に保持でき
るため、ウェハーを均一に製造でき、均一なチップを提
供できる。請求項６は、半導体ウェハーを平坦化する工
程を有する半導体装置の製造方法において、前記請求項
１乃至５記載のウェハー研磨装置を用いて平坦化するこ
とを特徴とする。

【００２１】請求項６によれば、研磨布の状態によらず
ウェハーを均一に研磨できるため、性能が均一な半導体
装置を提供できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】図１に本発明の一実施例のブロッ
ク構成図を示す。本実施例のウェハー研磨装置１は、半
導体集積回路を製造する工程で、ウェハー製造工程のう
ち半導体ウェハーを平坦化するいわゆるポリッシング工
程に用いられる装置である。ウェハー研磨装置２は、ウ
ェハー２を研磨する研磨布３を回転させる研磨定盤部
４、ウェハー２を研磨布３に押圧しつつ回転させるヘッ
ド部５、研磨布３とウェハー２との間に研磨剤（スラリ
ー）６を供給する研磨剤供給部７、研磨定盤部４、ヘッ
ド部５、研磨剤供給部７とを制御する制御部８、制御部
８に指示を行う操作部９から構成される。

【００２３】研磨定盤部４は、円盤状に構成され、研磨
布３が貼り付けられる定盤１０、定盤１０を回転させる
駆動部１１から構成される。駆動部１１は回転駆動力を
発生するモータ１２、モータ１２と定盤１０とを接続
し、定盤１０に回転駆動力を供給する回転軸１３とから
構成される。定盤１０は駆動部１１のモータ１２による
回転により回転軸１３を中心に矢印Ａ方向に高速で回転
され、研磨布３を矢印Ａ方向に回転させる。

【００２４】研磨布３は、人工皮革、発砲シート等から
なり表面には研磨剤６を表面に保持し、研磨剤６を面内
で均一にするために丸穴がパンチングされたり、格子状
の溝が形成されたりしている。ヘッド部５は、円盤状に
構成され、ウェハー２を保持するヘッド１４、ヘッド１
４を回転させるヘッド駆動部１５、ヘッド１４を定盤１
０方向に所定の押圧力で押圧させるヘッド移動機構１６
より構成される。ヘッド駆動部１５は、回転駆動力を発
生するモータ１７及びモータ１７の回転駆動力をヘッド
１４に供給する回転軸１８より構成される。ヘッド１４
はモータ１７で発生される回転駆動力により回転軸１８
を中心として矢印Ｂ方向に回転され、定盤９に対して遊
星運動をする構成とされている。

【００２５】ヘッド移動機構１６は、制御部８と接続さ
れていて、制御部８からの制御信号に応じてヘッド１４
をモータ１７により回転させたまま、定盤１０に所定の
押圧力で接触させる。研磨剤供給部７は、研磨剤６を収
容する収容部１９、収容部１９に収容された研磨剤６を
収容部１９から吸引し吐出させるチュービングポンプ２
０、チュービングポンプ２０から吐出される研磨剤６を
研磨布３に導くノズル２１、チュービングポンプ２０を
駆動させるモータ２２、制御部８からの制御信号に応じ
てモータ２２の回転制御を行うモータドライバ２３から
構成される。

【００２６】研磨剤供給部７ではモータ２２の回転速度
を調整することによりチュービングポンプ２０の動作が
制御され、収容部１９から吸引吐出される研磨剤６の量
を制御できる構成とされている。例えば、モータ２２の
回転速度を低下させると収容部１９から吸引吐出される
研磨剤６の量を減少させることができ、逆にモータ２２
の回転速度を上昇させると収容部１９から吸引吐出され
る研磨剤６の量を増加させることができる。

【００２７】モータ２２はモータドライバ２３に接続さ
れており、モータドライバ２３により回転／停止及び回
転数の制御が行われる。モータドライバ２３は制御部８
と接続されており、制御部８から供給される制御信号に
応じてモータ２１の回転／停止及び回転数の制御を行
う。

【００２８】制御部８は操作部９に接続されていて、操
作部９の操作に応じて各種動作が実行される。図２に本
発明のモータドライバ２３の構成図を示す。モータドラ
イバ２３は、モータ２２に駆動電圧を供給する駆動電源
２４、駆動電源２４とモータ２２との間に直列に接続さ
れ、モータ２２の印加電圧を制御する可変抵抗部２５、
駆動電源２４とモータ２２との間に直列に接続され、モ
ータ２２への駆動電圧の供給をオン／オフするリレー２
６、制御部８に接続され制御部８からの制御信号に応じ
てリレー２６を制御するリレーコントローラ２７より構
成される。

【００２９】リレー２６は、リレーコントローラ２７を
介して制御部８に接続され、制御部８の指示に応じてモ
ータ２２のオン／オフを制御する。また、可変抵抗部２
５は制御部８に接続されていて、制御部８からの回転制
御信号に応じて抵抗値が制御され、モータ２２への印加
電圧を制御することによりモータ２２の回転数を制御さ
れる。

【００３０】制御部８は研磨布３の使用時間を計時して
おり研磨布３の使用時間に応じて可変抵抗部２４に供給
する回転制御信号を制御してモータ２２の回転数を制御
することにより定盤１０に貼り付けられた研磨布３に供
給される研磨剤６の量をウェハー２の研磨レートが均一
となるように制御する。制御部８には研磨布３の使用時
間に応じた研磨剤６の吐出量がレシピ上に予め設定され
ており、制御部８はレシピ上に設定された研磨布３の使
用時間に対する研磨剤６の吐出量に応じてモータ２２の
回転数を制御して、研磨剤６の吐出量を制御している。

【００３１】図３に本発明の一実施例の制御部のレシピ
の設定手順のフローチャートを示す。研磨布３を新しく
貼り替える時等に、ウェハーの処理枚数−ウェハーの研
磨分布，研磨レートの相対関係を示すレファレンス曲線
を作成する（ステップＳ１）。

【００３２】図４にステップＳ１で作成するウェハーの
処理枚数−ウェハーの研磨分布，研磨レートの相対関係
を示すレファレンス曲線を示す。図４は研磨剤の吐出量
及び研磨時間を一定としたときのウェハーの残膜量を示
し、所定のウェハ処理枚数毎に書かれた線分の長さが分
布の状態を示し、太い線分の範囲が残膜量の平均を示
す。

【００３３】図４に示すようにウェハー処理枚数が増加
するに従ってウェハーの研磨レート及び研磨分布にばら
つきが生じることがわかる。例えば、図４でウェハー処
理枚数５５枚である点Ａまでは、研磨レート及び研磨分
布とも比較的安定しているが、点Ａを過ぎたあたりで一
時的に研磨レートが速くなり、同時に分布が乱れ始めて
いる。これは研磨布の表面の状態に変化が表れ始めたた
めである。

【００３４】図４でウェハー処理枚数８０枚である点Ｂ
となると、研磨レートは落ち着き始めたものの、分布は
さらに悪くなっている。図４を解析することにより点
Ａ、点Ｂで研磨レート、研磨分布に大きな変化が生じて
いることがわかる。

【００３５】そこで、ステップＳ１で作成された図４の
ウェハーの処理枚数−ウェハーの研磨分布，研磨レート
の相対関係を示すレファレンス曲線のウェハーの処理枚
数と各処理時の研磨時間から研磨布の累積時間を把握す
る（ステップＳ２）。なお、累積時間は、例えば、各ウ
ェハーの処理枚数をＮ、ウェハーの研磨時間をＴとする
とＮ×Ｔで求めることができる。

【００３６】ステップＳ２で研磨布の累積使用時間を把
握すると、次に、研磨布の累積使用時間に対して研磨剤
の吐出量及び研磨時間を設定し、制御部８のレシピに登
録する（ステップＳ３）。研磨剤の吐出量の設定は、点
Ａの研磨レートが増加するときに相当する研磨布の累積
使用時間で研磨剤の吐出量を低下させるように設定さ
れ、安定した時点で研磨剤の吐出量を元に戻し、さら
に、点Ｂ以降の研磨分布がばらつく時に相当する研磨布
の累積使用時間で研磨剤の吐出量を増加するように設定
される。また、研磨時間の設定は、研磨剤の吐出量を変
化させても一定の研磨レートを保持する時間に設定す
る。

【００３７】以上により点Ａ付近では研磨剤の吐出量が
低下され、ウェハーの研磨レートが低下し、ウェハーの
研磨レートをそれ以前の状態に保持でき、また、点Ｂ付
近では研磨剤の吐出量が増加されて、ウェハーの研磨分
布をそれ以前の状態に保持できる。

【００３８】なお、点Ｂで研磨分布を一定するため、研
磨剤を増加させると、研磨レートが増加するため、研磨
量を一定する時にはレシピに研磨時間を設定できるよう
にして、点Ｂで研磨量を増加させるときに研磨時間の設
定を低下させる。以上により、制御部８のレシピの登録
が終了する。

【００３９】次に、ウェハー研磨動作について説明す
る。ウェハーの研磨動作は、制御部８のレシピを登録
し、ヘッド１４に最初のウェハー２を保持した後、操作
部９により研磨開始操作を行うことにより実行される。

【００４０】操作部９により研磨開始操作を行うと、制
御部８はモータ１２に駆動指示を行い、モータ１２を一
定の速度で回転させるとともに、モータ１６に駆動指示
を行い、モータ１６を一定の速度で回転させる。また、
モータドライバ２３を制御してモータ２２を回転させ、
チュービングポンプ２０を駆動させ、収容部１９から研
磨剤６を吸引し、ノズル２１から吐出させる。

【００４１】このとき、制御部８はレシピに予め設定さ
れた吐出量の研磨剤６がノズル２１から吐出されるよう
にモータドライバ２３を制御する。次に制御部８は、ヘ
ッド移動機構１６を駆動させ、ヘッド１４を矢印Ｃ１方
向に降下させ、ヘッド１４に保持されたウェハー２を定
盤１０の研磨布３が貼り付けられた面に所定の押圧力で
押圧させる。制御部８はヘッド移動機構１６を駆動して
ヘッド１４を矢印Ｃ１方向に移動させると、内部のタイ
マを起動して、研磨布３の累積使用時間を計測する。な
お、タイマは１回のウェハー２の研磨終了し、ヘッド移
動機構１６によりヘッド１４が矢印Ｃ２方向に移動した
時に停止される。

【００４２】ウェハー２の研磨が終了すると、研磨布３
がクリーニングされ、再びウェハー２の研磨が行われ
る。ウェハー２の研磨が続けられ、ウェハー２の処理枚
数が５５枚に近づき、タイマーにより計測された研磨布
３の使用累積時間がレシピに予め設定された点Ａに相当
する時間になると、制御部８はレシピに予め登録された
それ以前の吐出量より少ない所定の吐出量の研磨剤６が
ノズル２１から吐出されるようにモータドライバ２３に
制御信号を供給する。

【００４３】従って、点Ａ付近ではノズル２１からの研
磨剤６の吐出量が減少し、研磨レートが低減し、それ以
前の研磨レートに保持される。このため、ウェハー２の
研磨量をそれ以前の研磨量と同等にでき、均一なウェハ
ーを製造できる。また、さらにウェハー２の研磨が続け
られ、タイマーにより計測された研磨布３の使用累積時
間がレシピに予め設定された点Ａ付近以降に研磨レート
が落ち付く時間になると、レシピに予め登録された点Ａ
付近以前の研磨剤の吐出量と等しい吐出量に戻される。
従って、ノズル２１からの研磨剤６の吐出量が点Ａ以前
の量に戻され、研磨レートが一定に保持される。このた
め、ウェハー２の研磨量をそれ以前の研磨量と同等にで
き、均一なウェハーを製造できる。

【００４４】さらにウェハー２の研磨を続け、タイマー
により計測された研磨布３の累積使用時間が点Ｂに相当
する時間になると、制御部８により予めレシピに登録さ
れていたように、研磨剤６の吐出量を増加させ、安定し
た研磨を可能とするとともに、研磨時間を短縮し、研磨
レートを一定に保持する制御が実行される。

【００４５】従って、研磨分布を安定にしつつ研磨レー
トを一定保持できるため、ウェハーの研磨量及び研磨状
態をそれ以前と同等に保持でき、均一なウェハーを製造
できる。このように、本実施例によれば、研磨布の経時
的変化によらず、ウェハーの研磨量及び研磨状態を一定
に保持でき、常に均一なウェハーを製造できる。

【００４６】なお、本実施例では、単一ヘッドのウェハ
ー研磨装置について説明したが、これに限ることはな
く、マルチヘッドにより複数のウェハーを同時に研磨す
るウェハー研磨装置において研磨するウェハーの枚数に
よらず一定の研磨レート及び研磨分布を得る制御に使用
できる。

【００４７】図５に本発明の他の実施例の構成図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。本実施例では図１のヘッド部５と
同一構成の第１及び第２のヘッド部２８，２９を設けて
なる。第１及び第２のヘッド部２８，２９は制御部８に
接続され、ウェハー２の回転及び研磨布３への押圧の制
御が行われる。

【００４８】本実施例のマルチヘッドによるウェハー研
磨装置の場合、制御部８のレシピには研磨布に対する研
磨剤の吐出量及び研磨時間に代えて同時に研磨するウェ
ハーの枚数に対して研磨レート及び研磨時間などが設定
される。図６にマルチヘッドのウェハ研磨装置でウェハ
ーを研磨した場合の研磨量の特性図を示す。図６におい
て●は第１のヘッド部２８に保持されたウェハーの研磨
量、○は第２のヘッド部２９に保持されたウェハーの研
磨量の変化を示す。

【００４９】図６に示すように１〜３回目の処理までは
研磨量が大きく、かつ、ばらつきが大きいので、研磨剤
の量を多くし、研磨時間を短く設定し、４回目以降では
第１及び第２のヘッド部２８，２９でともに研磨量は安
定し、ばらつきの小さくなるので研磨剤をなくし、研磨
時間を長く設定することにより、研磨量を一定に保持で
きるとともに、第１のヘッド部２８と第２のヘッド部２
９とでの研磨量のばらつきを小さくできる。

【００５０】また、図５の１３回目の研磨で第１のヘッ
ド部２８だけで研磨行った場合、研磨量が急激に大きく
なるので、第１及び第２のヘッド部２８，２９の両方の
ヘッド部で研磨を行う場合に比べて第１のヘッド部２８
又は第２のヘッド部２９のどちらか一方で研磨を行う場
合には研磨量を減少させるか、又は、研磨時間を短縮さ
せることにより、第１及び第２のヘッド部２８，２９の
両方のヘッド部で研磨を行う場合と第１のヘッド部２８
又は第２のヘッド部２９のどちらか一方で研磨を行う場
合とで研磨量を一定に保持でき、均一のウェハーを製造
できる。

【００５１】また、さらに多くのヘッドを有する場合で
も同時に研磨するウェハーの枚数が少ない場合には、研
磨剤の研磨量を少なくし、同時に研磨するウェハーの枚
数が多い場合には、研磨剤の研磨量を多くすることによ
り一枚のウェハーに供給される研磨剤の量を略一定にで
きるため、ウェハーの研磨レートを一定に保持できる。

【００５２】また、上記実施例のウェハー研磨装置を用
いて半導体集積回路を形成するための半導体ウェハーを
研磨することにより、半導体ウェハーの研磨量及び研磨
状態を研磨布の経時変化によらず、一定にできるため、
半導体ウェハーの半導体チップを切断する位置によらず
研磨量を一定にでき、従って切り出した半導体チップの
性能をほぼ同等にできる。

【００５３】

【発明の効果】上述の如く、本発明の 請求項１によれ
ば、研磨時間に応じて研磨剤の吐出量を制御することに
より研磨剤の量を研磨布の状態に応じた量に制御できる
ため、ウェハーの研磨量を研磨時間によらず一定にでき
る等の特長を有する。

【００５４】請求項２によれば、研磨剤の吐出量をウェ
ハの研磨を面内の分布が均一になるように制御すること
により、ウェハーを均一に研磨でき、均一なチップを提
供できる等の特長を有する。請求項３によれば、研磨剤
の吐出量を研磨レートが均一になるように制御すること
により、複数のウェハーを均一に研磨できるため、均一
なチップを提供できる等の特長を有する。

【００５５】請求項４によれば、研磨布の使用時間に応
じて研磨時間を制御することにより、研磨布の変化によ
らずウェハーの研磨量を一定に保持できるため、ウェハ
ーを均一に製造でき、均一なチップを提供できる等の特
長を有する。請求項５によれば、ウェハーの研磨レート
が均一になるように研磨時間を制御することにより、研
磨布の劣化によらずウェハーの研磨量を一定に保持でき
るため、ウェハーを均一に製造でき、均一なチップを提
供できる等の特長を有する。

【００５６】請求項６によれば、研磨布の状態によらず
ウェハーを均一に研磨できるため、性能が均一な半導体
装置を提供できる等の特長を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成図である。

【図２】本発明の一実施例のモータドライバの構成図で
ある。

【図３】本発明の一実施例の制御部のレシピの設定手順
のフローチャートである。

【図４】ウェハーの処理枚数−ウェハーの研磨分布，研
磨レートの相対関係の説明図である。

【図５】本発明の他の実施例の構成図である。

【図６】マルチヘッドで研磨した場合のウェハーの研磨
量の特性図である。

【図７】従来の一例の構成図である。

【図８】従来の一例のモータドライバの構成図である。

【図９】研磨布の経時変化を説明するための図である。

【符号の説明】

１ ウェハー研磨装置 ２ ウェハー ３ 研磨布 ４ 定盤部 ５ ヘッド部 ６ 研磨剤 ７ 研磨剤供給部 ８ 制御部 ９ 操作部 １０ 定盤 １１ 駆動部 １２ モータ １３，１８ 回転軸 １９ 収容部 ２０ チュービングポンプ ２１ ノズル ２２ モータ ２３ モータドライバ ２４ 駆動電源 ２５ 可変抵抗部 ２６ リレー ２７ リレーコントローラ ２８ 第１のヘッド部 ２９ 第２のヘッド部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェハーを研磨布に押圧しつつ擦り合わ
   せる研磨手段と、該研磨布に該ウェハーを研磨する研磨
   剤を吐出する研磨剤吐出手段とを有するウェハー研磨装
   置において、 前記ウェハーと前記研磨布との研磨時間に応じて前記研
   磨剤吐出手段から前記研磨布に供給される前記研磨剤の
   吐出量を制御する研磨剤制御手段を有することを特徴と
   するウェハー研磨装置。
2. 【請求項２】 前記研磨剤制御手段は、前記研磨剤の吐
   出量を前記ウェハーの面内分布が均一になるように制御
   することを特徴とする請求項１記載のウェハー研磨装
   置。
3. 【請求項３】 前記研磨剤制御手段は、前記研磨剤の吐
   出量を前記ウェハーの研磨レートが均一になるように制
   御することを特徴とする請求項１記載のウェハー研磨装
   置。
4. 【請求項４】 ウェハーを研磨布に押圧しつつ擦り合わ
   せる研磨手段を有するウェハー研磨装置において、 前記研磨布の使用時間に応じて前記研磨手段による前記
   ウェハーと前記研磨布との研磨時間を制御する研磨時間
   制御手段を有することを特徴とするウェハー研磨装置。
5. 【請求項５】 前記研磨時間制御手段は、前記研磨時間
   を前記ウェハーの研磨レートが均一になるように制御す
   ることを特徴とする請求項４記載のウェハー研磨装置。
6. 【請求項６】 半導体ウェハーを平坦化する工程を有す
   る半導体装置の製造方法において、 前記半導体ウェハーを平坦化する工程は、前記請求項１
   乃至５記載のウェハー研磨装置を用いて平坦化すること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。