JPH09322390A - 過電圧保護回路 - Google Patents
過電圧保護回路Info
- Publication number
- JPH09322390A JPH09322390A JP13927896A JP13927896A JPH09322390A JP H09322390 A JPH09322390 A JP H09322390A JP 13927896 A JP13927896 A JP 13927896A JP 13927896 A JP13927896 A JP 13927896A JP H09322390 A JPH09322390 A JP H09322390A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- converter
- overvoltage
- circuit
- logic portion
- transistor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 過大電流の印加等でFETがショートモード
で故障した場合であっても、過電圧検出回路により過電
圧を検出し、FETスイッチをOFFすることにより過
電圧からロジック部を保護できるようにする。 【解決手段】 DC−DCコンバータ4を介して電気機
器のロジック部へ電源を供給する電源回路において、ロ
ジック部に印加される過大電圧を検出する過電圧検出回
路7と、この過電圧検出回路の出力によりロジック部と
DC−DCコンバータとを切り離す遮断手段とを有して
いる。
で故障した場合であっても、過電圧検出回路により過電
圧を検出し、FETスイッチをOFFすることにより過
電圧からロジック部を保護できるようにする。 【解決手段】 DC−DCコンバータ4を介して電気機
器のロジック部へ電源を供給する電源回路において、ロ
ジック部に印加される過大電圧を検出する過電圧検出回
路7と、この過電圧検出回路の出力によりロジック部と
DC−DCコンバータとを切り離す遮断手段とを有して
いる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気機器の過電圧
保護に関し、特に、DC−DCコンバータがショートモ
ードで故障した場合の過電圧保護回路に関する。
保護に関し、特に、DC−DCコンバータがショートモ
ードで故障した場合の過電圧保護回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、ノートパソコンにおける電源回
路は、図2に示すように構成されている。図2におい
て、ノートパソコンに使用されているACアダプタ21
及びバッテリ22の電圧は、通常ロジック用電圧(+
3.3V、+5V等)に比べて高い電圧となっているた
め、ACアダプタ21及びバッテリ22からロジック電
圧へ電圧を下げるDC−DCコンバータとしては降圧型
の方式が採られている。そして、この降圧型DC−DC
コンバータ24には、電源の入力(ACアダプタ又はバ
ッテリ電圧に相当)と出力(ロジック電圧に相当)の間
にP−ch MOS FET25が配置されている。な
お、23はヒューズ、26は昇圧回路、27及び28は
トランジスタ、29はN−ch MOS FETであ
る。
路は、図2に示すように構成されている。図2におい
て、ノートパソコンに使用されているACアダプタ21
及びバッテリ22の電圧は、通常ロジック用電圧(+
3.3V、+5V等)に比べて高い電圧となっているた
め、ACアダプタ21及びバッテリ22からロジック電
圧へ電圧を下げるDC−DCコンバータとしては降圧型
の方式が採られている。そして、この降圧型DC−DC
コンバータ24には、電源の入力(ACアダプタ又はバ
ッテリ電圧に相当)と出力(ロジック電圧に相当)の間
にP−ch MOS FET25が配置されている。な
お、23はヒューズ、26は昇圧回路、27及び28は
トランジスタ、29はN−ch MOS FETであ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電源回
路では、降圧型DC−DCコンバータ24に直列に入っ
ているFET25が、入力の過大電圧の印加やESD等
でショートモードで故障した場合、ロジック部には許容
値を越える電圧(ACアダプタ電圧又はバッテリ電圧)
が印加され、最悪の場合にはメモリ等の部品の発煙発火
に至ることがある。
路では、降圧型DC−DCコンバータ24に直列に入っ
ているFET25が、入力の過大電圧の印加やESD等
でショートモードで故障した場合、ロジック部には許容
値を越える電圧(ACアダプタ電圧又はバッテリ電圧)
が印加され、最悪の場合にはメモリ等の部品の発煙発火
に至ることがある。
【0004】しかしながら、従来の保護回路にはこのよ
うなDC−DCコンバータ内のFETがショートモード
で故障した場合に対する保護回路が存在せず、これから
起こりうる故障を回避することができないという問題が
あった。
うなDC−DCコンバータ内のFETがショートモード
で故障した場合に対する保護回路が存在せず、これから
起こりうる故障を回避することができないという問題が
あった。
【0005】本発明は上記問題点にかんがみてなされた
ものであり、過大電流の印加等でFETがショートモー
ドで故障した場合であっても、過電圧検出回路により過
電圧を検出し、FETスイッチをOFFすることにより
過電圧からロジック部を保護する過電圧保護回路の提供
を目的とする。なお、過電圧による弊害を防止する技術
としては、特開昭64−74069号公報、特開平2−
155418号公報等に開示されているが、本発明とは
構成が異なっている。
ものであり、過大電流の印加等でFETがショートモー
ドで故障した場合であっても、過電圧検出回路により過
電圧を検出し、FETスイッチをOFFすることにより
過電圧からロジック部を保護する過電圧保護回路の提供
を目的とする。なお、過電圧による弊害を防止する技術
としては、特開昭64−74069号公報、特開平2−
155418号公報等に開示されているが、本発明とは
構成が異なっている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の過電圧保護回路は、DC−DCコンバータを
介して電気機器のロジック部へ電源を供給する電源回路
において、ロジック部に印加される過大電圧を検出する
過電圧検出回路と、この過電圧検出回路の出力によりロ
ジック部とDC−DCコンバータとを切り離す遮断手段
とを有する構成としてある。また、好ましくは、前記遮
断手段は、DC−DCコンバータとロジック部の間に直
列に配置されたN−ch MOS FETを有する構成
としてある。
に本発明の過電圧保護回路は、DC−DCコンバータを
介して電気機器のロジック部へ電源を供給する電源回路
において、ロジック部に印加される過大電圧を検出する
過電圧検出回路と、この過電圧検出回路の出力によりロ
ジック部とDC−DCコンバータとを切り離す遮断手段
とを有する構成としてある。また、好ましくは、前記遮
断手段は、DC−DCコンバータとロジック部の間に直
列に配置されたN−ch MOS FETを有する構成
としてある。
【0007】上記構成からなる本発明の過電圧保護回路
によれば、過電圧検出回路がロジック部に印加される過
大電圧を検知し、この過電圧検出回路の出力により遮断
手段が自動的にロジック部をDC−DCコンバータから
切り離し、降圧型DC−DCコンバータ内のFETがシ
ョックモードで故障してもロジック部には許容値を超え
る過大電圧が長時間に渡って印加されることを防止す
る。
によれば、過電圧検出回路がロジック部に印加される過
大電圧を検知し、この過電圧検出回路の出力により遮断
手段が自動的にロジック部をDC−DCコンバータから
切り離し、降圧型DC−DCコンバータ内のFETがシ
ョックモードで故障してもロジック部には許容値を超え
る過大電圧が長時間に渡って印加されることを防止す
る。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の過電圧保護回路の一実施
例を図面を参照して説明する。図1は過電圧保護回路の
回路構成図を示す。図1において、1はACアダプタ、
2はバッテリ、3はヒューズ、4は降圧型DC−DCコ
ンバータ、7は過電圧検出回路、12,13,14及び
15はトランジスタ、16及び17はN−ch MOS
FETであり、DC−DCコンバータ4にはP−ch
MOS FET5が設けられ、過電圧検出回路7には
ツェナーダイオード8及びトランジスタ9,10,11
が設けられている。
例を図面を参照して説明する。図1は過電圧保護回路の
回路構成図を示す。図1において、1はACアダプタ、
2はバッテリ、3はヒューズ、4は降圧型DC−DCコ
ンバータ、7は過電圧検出回路、12,13,14及び
15はトランジスタ、16及び17はN−ch MOS
FETであり、DC−DCコンバータ4にはP−ch
MOS FET5が設けられ、過電圧検出回路7には
ツェナーダイオード8及びトランジスタ9,10,11
が設けられている。
【0009】次に、荷電圧保護回路の動作について説明
する。降圧型DC−DCコンバータ4が正常な電圧を出
力している場合には、トランジスタ9はOFF、トラン
ジスタ10はON、トランジスタ11はONとなってお
り、昇圧回路6の出力(+12V等)がPCMCIA等
に供給される。また、トランジスタ13はON、トラン
ジスタ15はON、N−ch MOSFET17はON
となり、降圧型DC−DCコンバータ4の出力がバック
アップ用ロジック部に供給される。
する。降圧型DC−DCコンバータ4が正常な電圧を出
力している場合には、トランジスタ9はOFF、トラン
ジスタ10はON、トランジスタ11はONとなってお
り、昇圧回路6の出力(+12V等)がPCMCIA等
に供給される。また、トランジスタ13はON、トラン
ジスタ15はON、N−ch MOSFET17はON
となり、降圧型DC−DCコンバータ4の出力がバック
アップ用ロジック部に供給される。
【0010】そして、機器本体がONの場合には、トラ
ンジスタ12はON、トランジスタ14はON、N−c
h MOS FET16はONとなり、降圧型DC−D
Cコンバータ4の出力が本体駆動用ロジック部に供給さ
れる。また、機器本体がOFF又はサスペンドの場合に
は、トランジスタ12はOFF、トランジスタ14はO
FF、N−ch MOS FET16はOFFとなり、
本体駆動用ロジック部には電源が供給されず、バックア
ップ用ロジック部のみ電源が供給されることとなる。
ンジスタ12はON、トランジスタ14はON、N−c
h MOS FET16はONとなり、降圧型DC−D
Cコンバータ4の出力が本体駆動用ロジック部に供給さ
れる。また、機器本体がOFF又はサスペンドの場合に
は、トランジスタ12はOFF、トランジスタ14はO
FF、N−ch MOS FET16はOFFとなり、
本体駆動用ロジック部には電源が供給されず、バックア
ップ用ロジック部のみ電源が供給されることとなる。
【0011】しかし、降圧型DC−DCコンバータ4内
のP−ch MOS FET5がショートモードで故障
した場合、降圧型DC−DCコンバータ4の出力はAC
アダプタ1又はバッテリ2と同電圧レベル相当となり、
バックアップ用ロジック部には許容値を越える電圧が印
加されることとなる。そして、機器本体がONの場合
は、本体駆動用ロジック部にも許容値を越える電圧が印
加されることとなる。
のP−ch MOS FET5がショートモードで故障
した場合、降圧型DC−DCコンバータ4の出力はAC
アダプタ1又はバッテリ2と同電圧レベル相当となり、
バックアップ用ロジック部には許容値を越える電圧が印
加されることとなる。そして、機器本体がONの場合
は、本体駆動用ロジック部にも許容値を越える電圧が印
加されることとなる。
【0012】また、同時に過電圧検出回路7内のツェナ
ーダイオード8により過電圧が検出され、トランジスタ
9がON、トランジスタ10がOFF、トランジスタ1
1がOFFとなり、N−ch MOD FET16及び
17はOFFとなって、バックアップ用ロジック部及び
本体駆動用ロジック部は電源供給が絶たれることとな
る。このため、ロジック部に許容値を越える過大電圧が
長時間に渡って印加されることはなく、ロジック部から
の発煙、発火を回避することができる。
ーダイオード8により過電圧が検出され、トランジスタ
9がON、トランジスタ10がOFF、トランジスタ1
1がOFFとなり、N−ch MOD FET16及び
17はOFFとなって、バックアップ用ロジック部及び
本体駆動用ロジック部は電源供給が絶たれることとな
る。このため、ロジック部に許容値を越える過大電圧が
長時間に渡って印加されることはなく、ロジック部から
の発煙、発火を回避することができる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明の過電圧保護
回路では、入力の過大電圧の印加やESD等により降圧
型DC−DCコンバータ内のFETがショートモードで
故障した場合でも、ロジック部には長時間に渡って過大
な電圧が印加されることはなく、ロジック部からの発
煙、発火を回避することができる。
回路では、入力の過大電圧の印加やESD等により降圧
型DC−DCコンバータ内のFETがショートモードで
故障した場合でも、ロジック部には長時間に渡って過大
な電圧が印加されることはなく、ロジック部からの発
煙、発火を回避することができる。
【図1】本発明の過電圧保護回路の一実施例の回路構成
図を示す。
図を示す。
【図2】従来の電源回路の回路構成図を示す。
1 ACアダプタ 2 バッテリ 3 ヒューズ 4 降圧型DC−DCコンバータ 5 P−ch MOS FET 6 昇圧回路 7 過電圧検出回路 8 ツェナーダイオード 9〜15 トランジスタ 16、17 N−ch MOS FET
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H02M 3/155 H02M 3/155 C V
Claims (2)
- 【請求項1】 DC−DCコンバータを介して電気機器
のロジック部へ電源を供給する電源回路において、 ロジック部に印加される過大電圧を検出する過電圧検出
回路と、 この過電圧検出回路の出力によりロジック部とDC−D
Cコンバータとを切り離す遮断手段とを有することを特
徴とする過電圧保護回路。 - 【請求項2】 前記遮断手段は、DC−DCコンバータ
とロジック部の間に直列に配置されたN−ch MOS
FETを有している請求項1記載の過電圧保護回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13927896A JPH09322390A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 過電圧保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13927896A JPH09322390A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 過電圧保護回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09322390A true JPH09322390A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15241568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13927896A Pending JPH09322390A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 過電圧保護回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09322390A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071374A (en) * | 1996-06-26 | 2000-06-06 | Lg Electronics Inc. | Apparatus for etching glass substrate |
JP2008017555A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Fujitsu Ltd | Pol電源保護回路 |
US7372684B2 (en) | 2004-05-31 | 2008-05-13 | Sony Corporation | Power supply device |
JP2009106050A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Rohm Co Ltd | 過電圧保護回路 |
JP2009106072A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Rohm Co Ltd | 過電圧保護回路およびそれを用いた電子機器 |
CN101540547A (zh) * | 2009-03-25 | 2009-09-23 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 一种半导体探测器制冷电源控制电路 |
CN106527526A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 无锡南理工科技发展有限公司 | 一种硅漂移探测器用温度控制电路 |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP13927896A patent/JPH09322390A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071374A (en) * | 1996-06-26 | 2000-06-06 | Lg Electronics Inc. | Apparatus for etching glass substrate |
US7372684B2 (en) | 2004-05-31 | 2008-05-13 | Sony Corporation | Power supply device |
JP2008017555A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Fujitsu Ltd | Pol電源保護回路 |
JP2009106050A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Rohm Co Ltd | 過電圧保護回路 |
JP2009106072A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Rohm Co Ltd | 過電圧保護回路およびそれを用いた電子機器 |
CN101540547A (zh) * | 2009-03-25 | 2009-09-23 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 一种半导体探测器制冷电源控制电路 |
CN106527526A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 无锡南理工科技发展有限公司 | 一种硅漂移探测器用温度控制电路 |
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