JPH09320914A - 処理システム - Google Patents
処理システムInfo
- Publication number
- JPH09320914A JPH09320914A JP13726396A JP13726396A JPH09320914A JP H09320914 A JPH09320914 A JP H09320914A JP 13726396 A JP13726396 A JP 13726396A JP 13726396 A JP13726396 A JP 13726396A JP H09320914 A JPH09320914 A JP H09320914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- cassette
- transfer
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 システム内の清浄空気量を増大させずにシス
テム内へのパーティクルの侵入を防止することができる
処理システムの提供。 【解決手段】 カセットステーション１０において、カ
セット載置台２０の上方空間とウエハ搬送アーム２２の
移動空間とは仕切り板１１によって互いに仕切られてお
り、ダウンフローの空気は両空間で別個に流れるように
なっている。仕切り板１１には複数個の開口部１１ａが
設けられている。ウエハ搬送体２２はこの開口部１１ａ
を介してウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハＷを
搬入・搬出する。
テム内へのパーティクルの侵入を防止することができる
処理システムの提供。 【解決手段】 カセットステーション１０において、カ
セット載置台２０の上方空間とウエハ搬送アーム２２の
移動空間とは仕切り板１１によって互いに仕切られてお
り、ダウンフローの空気は両空間で別個に流れるように
なっている。仕切り板１１には複数個の開口部１１ａが
設けられている。ウエハ搬送体２２はこの開口部１１ａ
を介してウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハＷを
搬入・搬出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板やＬＣ
Ｄ基板等の被処理基板を搬送・処理する処理システムに
関する。
Ｄ基板等の被処理基板を搬送・処理する処理システムに
関する。
【０００２】
【従来の技術】図１７に、半導体デバイス製造のフォト
リソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現像処理
システムの一例を示す。
リソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現像処理
システムの一例を示す。
【０００３】この処理システムは、外部・ウエハカセッ
トＣＲ・システムとの間でＸ方向、Ｚ方向およびθ方向
に移動可能なウエハ搬送体２１１により半導体ウエハを
搬入・搬出するカセットステーション２１０と、半導体
ウエハに対して塗布現像のための一連の処理を施す処理
ステーション２２０と、隣接する露光装置（図示せず）
との間で半導体ウエハを受け渡しするためのインタフェ
ース部２３０とを一体に接続した構成を有している。
トＣＲ・システムとの間でＸ方向、Ｚ方向およびθ方向
に移動可能なウエハ搬送体２１１により半導体ウエハを
搬入・搬出するカセットステーション２１０と、半導体
ウエハに対して塗布現像のための一連の処理を施す処理
ステーション２２０と、隣接する露光装置（図示せず）
との間で半導体ウエハを受け渡しするためのインタフェ
ース部２３０とを一体に接続した構成を有している。
【０００４】この処理システムは、クリーンルームに設
置されるが、さらにシステム内で垂直層流方式によって
各部の清浄度を高めている。図１７に、システム内にお
ける清浄空気の流れを示す。
置されるが、さらにシステム内で垂直層流方式によって
各部の清浄度を高めている。図１７に、システム内にお
ける清浄空気の流れを示す。
【０００５】カセットステーション２１０、処理ステー
ション２２０およびインタフェース部２３０の上方には
エア供給室２１０ａ，２２０ａ，２３０ａが設けられて
おり、各エア供給室２１０ａ，２２０ａ，２３０ａの下
面にＵＬＰＡフィルタ２１０ｂ，２２０ｂ，２３０ｂが
取り付けられている。そして、各エア供給室２１０ａ，
２２０ａ，２３０ａから供給された清浄空気は、ＵＬＰ
Ａフィルタ２１０ｂ，２２０ｂ，２３０ｂを介してダウ
ンフローで各部２１０、２２０、２３０に供給されるよ
うになっている。このダウンフローの空気は、システム
下部の適当な箇所に多数設けられている通風孔２４０
（図１７ではカセットステーション２１０の通風孔だけ
を示している。）を通って外部に排出されるようになっ
ている。
ション２２０およびインタフェース部２３０の上方には
エア供給室２１０ａ，２２０ａ，２３０ａが設けられて
おり、各エア供給室２１０ａ，２２０ａ，２３０ａの下
面にＵＬＰＡフィルタ２１０ｂ，２２０ｂ，２３０ｂが
取り付けられている。そして、各エア供給室２１０ａ，
２２０ａ，２３０ａから供給された清浄空気は、ＵＬＰ
Ａフィルタ２１０ｂ，２２０ｂ，２３０ｂを介してダウ
ンフローで各部２１０、２２０、２３０に供給されるよ
うになっている。このダウンフローの空気は、システム
下部の適当な箇所に多数設けられている通風孔２４０
（図１７ではカセットステーション２１０の通風孔だけ
を示している。）を通って外部に排出されるようになっ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の処理システ
ムにおいては、カセットステーション２１０、処理ステ
ーション２２０およびインタフェース部２３０において
それぞれ均一にダウンフローの清浄空気を流すことがで
きなかった。たとえばカセットステーション２１０にお
いては、図中左側に作業者用の開口部２１２が設けられ
ているため、この付近のダウンフローの空気の流れは弱
くなる。そのため作業者からのパーティクルが外部から
開口部２１２を介してカセットステーション２１０内へ
侵入し、清浄度を悪化させていた。この場合、各エア供
給室２１０ａ，２２０ａ，２３０ａの風量を上げること
が考えられるが、これによってもパーティクルの侵入防
止には限界がある。
ムにおいては、カセットステーション２１０、処理ステ
ーション２２０およびインタフェース部２３０において
それぞれ均一にダウンフローの清浄空気を流すことがで
きなかった。たとえばカセットステーション２１０にお
いては、図中左側に作業者用の開口部２１２が設けられ
ているため、この付近のダウンフローの空気の流れは弱
くなる。そのため作業者からのパーティクルが外部から
開口部２１２を介してカセットステーション２１０内へ
侵入し、清浄度を悪化させていた。この場合、各エア供
給室２１０ａ，２２０ａ，２３０ａの風量を上げること
が考えられるが、これによってもパーティクルの侵入防
止には限界がある。
【０００７】また、カセットステーション２１０、処理
ステーション２２０およびインタフェース部２３０の清
浄度を高めるためには、各部２１０、２２０、２３０の
ステーション間で空気の流れがなくなり、かつ各部２１
０、２２０、２３０から外部のクリーンルームに空気が
流れるように、各部２１０、２２０、２３０の気圧を調
整する必要がある。このため上記従来の処理システムに
おいては、各エア供給室２１０ａ，２２０ａ，２３０ａ
の風量を風量調整ダイアルにより調整することで、上記
の気圧を調整していた。しかしながら、クリーンルーム
内の気圧はたとえばメンテナンス時のドア解放等の様々
な要因で変動するため、処理システムの内外の差圧が変
動し、処理システム内にパーティクルが侵入することが
あった。また、同様に各部２１０、２２０、２３０の間
でも差圧を生じ、隣接部からパーティクルが侵入するこ
ともあった。
ステーション２２０およびインタフェース部２３０の清
浄度を高めるためには、各部２１０、２２０、２３０の
ステーション間で空気の流れがなくなり、かつ各部２１
０、２２０、２３０から外部のクリーンルームに空気が
流れるように、各部２１０、２２０、２３０の気圧を調
整する必要がある。このため上記従来の処理システムに
おいては、各エア供給室２１０ａ，２２０ａ，２３０ａ
の風量を風量調整ダイアルにより調整することで、上記
の気圧を調整していた。しかしながら、クリーンルーム
内の気圧はたとえばメンテナンス時のドア解放等の様々
な要因で変動するため、処理システムの内外の差圧が変
動し、処理システム内にパーティクルが侵入することが
あった。また、同様に各部２１０、２２０、２３０の間
でも差圧を生じ、隣接部からパーティクルが侵入するこ
ともあった。
【０００８】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、システム内の清浄空気量を増大させずにシステ
ム内へのパーティクルの侵入を防止することができる処
理システムを提供することを目的とする。
もので、システム内の清浄空気量を増大させずにシステ
ム内へのパーティクルの侵入を防止することができる処
理システムを提供することを目的とする。
【０００９】本発明の別の目的は、処理システムの内外
の差圧の変動が生じないようにすることで、システム内
へのパーティクルの侵入を防止することができる処理シ
ステムを提供することにある。
の差圧の変動が生じないようにすることで、システム内
へのパーティクルの侵入を防止することができる処理シ
ステムを提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、別個に清浄空気の風
量が調整される各部の間で差圧を生じないようにするこ
とで、隣接部からのパーティクルの侵入を防止すること
ができる処理システムを提供することにある。
量が調整される各部の間で差圧を生じないようにするこ
とで、隣接部からのパーティクルの侵入を防止すること
ができる処理システムを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の処理システムは、被処理基板を搬
送・処理する複数の搬送・処理部と、前記各搬送・処理
部ごとに設けられ、清浄空気を各搬送・処理部内に送り
込むエアー供給手段と、少なくとも１つの前記搬送・処
理部に設けられ、前記エアー供給手段によって送り込ま
れた清浄空気を搬送・処理部内で仕切ると共に、仕切ら
れた各空間の間で前記被処理基板を移送するための開口
部が設けられた仕切り板とを具備する構成とした。
めに、本発明の第１の処理システムは、被処理基板を搬
送・処理する複数の搬送・処理部と、前記各搬送・処理
部ごとに設けられ、清浄空気を各搬送・処理部内に送り
込むエアー供給手段と、少なくとも１つの前記搬送・処
理部に設けられ、前記エアー供給手段によって送り込ま
れた清浄空気を搬送・処理部内で仕切ると共に、仕切ら
れた各空間の間で前記被処理基板を移送するための開口
部が設けられた仕切り板とを具備する構成とした。
【００１２】第１の発明では、上記の仕切り板を設けた
ことにより仕切られた各空間の清浄空気の流れが均一化
するので、システム内の清浄空気量を増大させずにシス
テム内へのパーティクルの侵入を防止することができ
る。
ことにより仕切られた各空間の清浄空気の流れが均一化
するので、システム内の清浄空気量を増大させずにシス
テム内へのパーティクルの侵入を防止することができ
る。
【００１３】本発明の第２の処理システムは、被処理基
板を搬送・処理する複数の搬送・処理部と、前記各搬送
・処理部ごとに設けられ、清浄空気を各搬送・処理部内
に送り込むエアー供給手段と、前記各搬送・処理部間及
び搬送・処理部と外部間の清浄空気の流れを検出するエ
アー流検出手段と、前記エアー流検出手段による検出結
果に基づき、前記各エアー供給手段による清浄空気の供
給量を制御する制御手段とを具備する構成とした。
板を搬送・処理する複数の搬送・処理部と、前記各搬送
・処理部ごとに設けられ、清浄空気を各搬送・処理部内
に送り込むエアー供給手段と、前記各搬送・処理部間及
び搬送・処理部と外部間の清浄空気の流れを検出するエ
アー流検出手段と、前記エアー流検出手段による検出結
果に基づき、前記各エアー供給手段による清浄空気の供
給量を制御する制御手段とを具備する構成とした。
【００１４】第２の発明では、搬送・処理部と外部間の
気流を検出し、この検出結果に基づき、エアー供給手段
による清浄空気の供給量を制御しているので、処理シス
テムの内外の差圧の変動が生じないようにすることがで
きる。また、各搬送・処理部間の気流を検出し、この検
出結果に基づき、各部のエアー供給手段による清浄空気
の供給量を制御しているので、各部の間で差圧を生じな
いようにすることができる。
気流を検出し、この検出結果に基づき、エアー供給手段
による清浄空気の供給量を制御しているので、処理シス
テムの内外の差圧の変動が生じないようにすることがで
きる。また、各搬送・処理部間の気流を検出し、この検
出結果に基づき、各部のエアー供給手段による清浄空気
の供給量を制御しているので、各部の間で差圧を生じな
いようにすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１６】図１〜図３は本発明の実施の形態による塗
布現像処理システムの全体構成を示す図であって、図１
は平面図、図２は正面図および図３は背面図である。
布現像処理システムの全体構成を示す図であって、図１
は平面図、図２は正面図および図３は背面図である。
【００１７】この処理システムは、複数の搬送・処理
部、たとえばカセットステーション１０と処理ステーシ
ョン１２とインタフェース部１４とを一体に接続した構
成を有している。カセットステーション１０は、たとえ
ば被処理基板として半導体ウエハＷをウエハカセットＣ
Ｒで複数枚たとえば２５枚単位で外部からシステムに搬
入しまたはシステムから搬出したり、ウエハカセットＣ
Ｒに対して半導体ウエハＷを搬入・搬出したりする。処
理ステーション１２は、たとえば塗布現像工程の中で１
枚ずつ半導体ウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種
処理ユニットを所定位置に多段配置してなるものであ
る。インタフェース部１４、たとえばこの処理ステーシ
ョン１２と隣接して設けられる露光装置（図示せず）と
の間で半導体ウエハＷを受け渡しする。
部、たとえばカセットステーション１０と処理ステーシ
ョン１２とインタフェース部１４とを一体に接続した構
成を有している。カセットステーション１０は、たとえ
ば被処理基板として半導体ウエハＷをウエハカセットＣ
Ｒで複数枚たとえば２５枚単位で外部からシステムに搬
入しまたはシステムから搬出したり、ウエハカセットＣ
Ｒに対して半導体ウエハＷを搬入・搬出したりする。処
理ステーション１２は、たとえば塗布現像工程の中で１
枚ずつ半導体ウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種
処理ユニットを所定位置に多段配置してなるものであ
る。インタフェース部１４、たとえばこの処理ステーシ
ョン１２と隣接して設けられる露光装置（図示せず）と
の間で半導体ウエハＷを受け渡しする。
【００１８】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個たとえば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞ
れのウエハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ
方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配
列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウ
エハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになって
いる。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転
可能に構成されており、後述するように処理ステーショ
ン１２側の第３の組Ｇ3 の多段ユニット部に属するアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンション
ユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになってい
る。
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個たとえば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞ
れのウエハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ
方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配
列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウ
エハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになって
いる。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転
可能に構成されており、後述するように処理ステーショ
ン１２側の第３の組Ｇ3 の多段ユニット部に属するアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンション
ユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになってい
る。
【００１９】処理ステーション１２では、図１に示すよ
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２４が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,Ｇ4,Ｇ5 の多段配置構成であり、第１お
よび第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユニットはシステム正面
（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ3 の多
段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置
され、第４の組Ｇ4 の多段ユニットはインタフェース部
１４に隣接して配置され、第５の組Ｇ5 の多段ユニット
は背部側に配置されている。
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２４が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,Ｇ4,Ｇ5 の多段配置構成であり、第１お
よび第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユニットはシステム正面
（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ3 の多
段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置
され、第４の組Ｇ4 の多段ユニットはインタフェース部
１４に隣接して配置され、第５の組Ｇ5 の多段ユニット
は背部側に配置されている。
【００２０】図２に示すように、第１の組Ｇ1 では、カ
ップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、たと
えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２
の組Ｇ2 でも、２台のスピンナ型処理ユニット、たとえ
ばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。レジス
ト塗布ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液が機構
的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、この
ように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応
じて上段に配置することも可能である。図３に示すよう
に、第３の組Ｇ3 では、半導体ウエハＷを載置台ＳＰに
載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットたと
えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、アドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）、
イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベーキング
ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユ
ニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順にたとえば８段に重
ねられている。第４の組Ｇ4 でも、オーブン型の処理ユ
ニット、たとえばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イク
ステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、
イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）およびポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）が下から順にたとえば８段に重ねられている。
ップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、たと
えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２
の組Ｇ2 でも、２台のスピンナ型処理ユニット、たとえ
ばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。レジス
ト塗布ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液が機構
的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、この
ように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応
じて上段に配置することも可能である。図３に示すよう
に、第３の組Ｇ3 では、半導体ウエハＷを載置台ＳＰに
載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットたと
えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、アドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）、
イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベーキング
ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユ
ニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順にたとえば８段に重
ねられている。第４の組Ｇ4 でも、オーブン型の処理ユ
ニット、たとえばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イク
ステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、
イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）およびポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）が下から順にたとえば８段に重ねられている。
【００２１】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアド
ヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、
ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができ
る。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能であ
る。
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアド
ヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、
ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができ
る。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能であ
る。
【００２２】インタフェース部１４は、奥行方向では処
理ステーション１２と同じ寸法を有するが、幅方向では
小さなサイズにつくられている。インタフェース部１４
の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置
型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部に
は周辺露光装置２８が配設され、中央部にはウエハ搬送
体２６が設けられている。このウエハ搬送体２６は、
Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺
露光装置２８にアクセスするようになっている。さら
に、ウエハ搬送体２６は、θ方向に回転可能に構成さ
れ、処理ステーション１２側の第４の組Ｇ4 の多段ユニ
ットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）に
も、および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示
せず）にもアクセスできるようになっている。
理ステーション１２と同じ寸法を有するが、幅方向では
小さなサイズにつくられている。インタフェース部１４
の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置
型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部に
は周辺露光装置２８が配設され、中央部にはウエハ搬送
体２６が設けられている。このウエハ搬送体２６は、
Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺
露光装置２８にアクセスするようになっている。さら
に、ウエハ搬送体２６は、θ方向に回転可能に構成さ
れ、処理ステーション１２側の第４の組Ｇ4 の多段ユニ
ットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）に
も、および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示
せず）にもアクセスできるようになっている。
【００２３】この処理システムは、クリーンルームに設
置されるが、さらにシステム内でも効率的な垂直層流方
式によって各部の清浄度を高めている。図４および図５
に、システム内における清浄空気の流れを示す。
置されるが、さらにシステム内でも効率的な垂直層流方
式によって各部の清浄度を高めている。図４および図５
に、システム内における清浄空気の流れを示す。
【００２４】図４および図５において、カセットステー
ション１０，処理ステーション１２およびインタフェー
ス部１４の上方にはエア供給室１２ａ，１４ａ，１６ａ
が設けられており、各エア供給室１２ａ，１４ａ，１６
ａの下面に防塵機能付きフィルタたとえばＵＬＰＡフィ
ルタ３０，３２，３４が取り付けられている。エア供給
室１２ａ，１４ａ，１６ａには、それぞれファンが設け
られており、後述するように各ファンの出力は制御可能
にされている。
ション１０，処理ステーション１２およびインタフェー
ス部１４の上方にはエア供給室１２ａ，１４ａ，１６ａ
が設けられており、各エア供給室１２ａ，１４ａ，１６
ａの下面に防塵機能付きフィルタたとえばＵＬＰＡフィ
ルタ３０，３２，３４が取り付けられている。エア供給
室１２ａ，１４ａ，１６ａには、それぞれファンが設け
られており、後述するように各ファンの出力は制御可能
にされている。
【００２５】図５に示すように、本処理システムの外部
または背後に空調器３６が設置されており、この空調器
３６より配管３８を通って空気が各エア供給室１２ａ，
１４ａ，１６ａに導入され、各エア供給室のＵＬＰＡフ
ィルタ３０，３２，３４より清浄な空気がダウンフロー
で各部１０，１２，１４に供給されるようになってい
る。このダウンフローの空気は、システム下部の適当な
箇所に多数設けられている通風孔４０を通って底部の排
気口４２に集められ、この排気口４２から配管４４を通
って空調器３６に回収されるようになっている。
または背後に空調器３６が設置されており、この空調器
３６より配管３８を通って空気が各エア供給室１２ａ，
１４ａ，１６ａに導入され、各エア供給室のＵＬＰＡフ
ィルタ３０，３２，３４より清浄な空気がダウンフロー
で各部１０，１２，１４に供給されるようになってい
る。このダウンフローの空気は、システム下部の適当な
箇所に多数設けられている通風孔４０を通って底部の排
気口４２に集められ、この排気口４２から配管４４を通
って空調器３６に回収されるようになっている。
【００２６】図４および図５に示すように、処理ステー
ション１２では、第１および第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユ
ニットの中で下段に配置されているレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ），（ＣＯＴ）の天井面にＵＬＰＡフィルタ
４６が設けられており、空調器３６からの空気は配管３
８より分岐した配管４８を通ってフィルタ４６まで送ら
れるようになっている。この配管４８の途中に温度・湿
度調整器（図示せず）が設けられ、レジスト塗布工程に
適した所定の温度および湿度の清浄空気がレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ），（ＣＯＴ）に供給されるようにな
っている。そして、フィルタ４６の吹き出し側付近に温
度・湿度センサ５０が設けられており、そのセンサ出力
が該温度・湿度調整器の制御部に与えられ、フィードバ
ック方式で清浄空気の温度および湿度が正確に制御され
るようになっている。
ション１２では、第１および第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユ
ニットの中で下段に配置されているレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ），（ＣＯＴ）の天井面にＵＬＰＡフィルタ
４６が設けられており、空調器３６からの空気は配管３
８より分岐した配管４８を通ってフィルタ４６まで送ら
れるようになっている。この配管４８の途中に温度・湿
度調整器（図示せず）が設けられ、レジスト塗布工程に
適した所定の温度および湿度の清浄空気がレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ），（ＣＯＴ）に供給されるようにな
っている。そして、フィルタ４６の吹き出し側付近に温
度・湿度センサ５０が設けられており、そのセンサ出力
が該温度・湿度調整器の制御部に与えられ、フィードバ
ック方式で清浄空気の温度および湿度が正確に制御され
るようになっている。
【００２７】図４において、各スピンナ型処理ユニット
（ＣＯＴ），（ＤＥＶ）の主ウエハ搬送機構２４に面す
る側壁には、ウエハおよび搬送アームが出入りするため
の開口部ＤＲが設けられている。各開口部ＤＲには、各
ユニットからパーティクルまたはコンタミネーションが
主ウエハ搬送機構２４側に入り込まないようにするた
め、シャッタ（図示せず）が取り付けられている。
（ＣＯＴ），（ＤＥＶ）の主ウエハ搬送機構２４に面す
る側壁には、ウエハおよび搬送アームが出入りするため
の開口部ＤＲが設けられている。各開口部ＤＲには、各
ユニットからパーティクルまたはコンタミネーションが
主ウエハ搬送機構２４側に入り込まないようにするた
め、シャッタ（図示せず）が取り付けられている。
【００２８】なお、図１に示すように、処理ステーショ
ン１２において、第１および第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユ
ニット（スピンナ型処理ユニット）に隣接する第３およ
び第４の組Ｇ3,Ｇ4 の多段ユニット（オーブン型処理ユ
ニット）の側壁の中にはそれぞれダクト５２，５４が垂
直方向に縦断して設けられている。これらのダクト５
２，５４には上記のダウンフローの清浄空気または特別
に温度調整された空気が流されるようになっている。こ
のダクト構造によって、第３および第４の組Ｇ3,Ｇ4 の
オーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１
および第２の組Ｇ1,Ｇ2 のスピンナ型処理ユニットへは
及ばないようになっている。
ン１２において、第１および第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユ
ニット（スピンナ型処理ユニット）に隣接する第３およ
び第４の組Ｇ3,Ｇ4 の多段ユニット（オーブン型処理ユ
ニット）の側壁の中にはそれぞれダクト５２，５４が垂
直方向に縦断して設けられている。これらのダクト５
２，５４には上記のダウンフローの清浄空気または特別
に温度調整された空気が流されるようになっている。こ
のダクト構造によって、第３および第４の組Ｇ3,Ｇ4 の
オーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１
および第２の組Ｇ1,Ｇ2 のスピンナ型処理ユニットへは
及ばないようになっている。
【００２９】また、この処理システムでは、主ウエハ搬
送機構２４の背部側にも点線で示すように第５の組Ｇ5
の多段ユニット配置できるようになっている。この第５
の組Ｇ5 の多段ユニットは、案内レール５６に沿って主
ウエハ搬送機構２４から見て側方へシフトできるように
なっている。したがって、第５の組Ｇ5 の多段ユニット
を設けた場合でも、スライドすることにより空間部が確
保されるので、主ウエハ搬送機構２４に対して背後から
メンテナンス作業が容易に行えるようになっている。
送機構２４の背部側にも点線で示すように第５の組Ｇ5
の多段ユニット配置できるようになっている。この第５
の組Ｇ5 の多段ユニットは、案内レール５６に沿って主
ウエハ搬送機構２４から見て側方へシフトできるように
なっている。したがって、第５の組Ｇ5 の多段ユニット
を設けた場合でも、スライドすることにより空間部が確
保されるので、主ウエハ搬送機構２４に対して背後から
メンテナンス作業が容易に行えるようになっている。
【００３０】図４に示すように、カセットステーション
１０において、カセット載置台２０の上方空間とウエハ
搬送アーム２２の移動空間とは仕切り板１１によって互
いに仕切られており、ダウンフローの空気は両空間で別
個に流れるようになっている。 図６は図４のＡ方向か
ら見た側面図であり、仕切り板１１には複数個たとえば
４個の開口部１１ａが設けられている。開口部１１ａは
所定の大きさたとえばウエハカセットＣＲの収納面とほ
ぼ同じ大きさとされており、ウエハ搬送体２２はこの開
口部１１ａを介してウエハカセットＣＲに対して半導体
ウエハＷを搬入・搬出する。
１０において、カセット載置台２０の上方空間とウエハ
搬送アーム２２の移動空間とは仕切り板１１によって互
いに仕切られており、ダウンフローの空気は両空間で別
個に流れるようになっている。 図６は図４のＡ方向か
ら見た側面図であり、仕切り板１１には複数個たとえば
４個の開口部１１ａが設けられている。開口部１１ａは
所定の大きさたとえばウエハカセットＣＲの収納面とほ
ぼ同じ大きさとされており、ウエハ搬送体２２はこの開
口部１１ａを介してウエハカセットＣＲに対して半導体
ウエハＷを搬入・搬出する。
【００３１】図７および図８にこのような仕切り板１１
を設けた場合と設けない場合のパーティクルの測定結果
を示す。
を設けた場合と設けない場合のパーティクルの測定結果
を示す。
【００３２】図７（ａ）は仕切り板１１を設けない場合
の図４の位置におけるパーティクルの数を示してい
る。図７（ｂ）は仕切り板１１を設けた場合の図４，
，の位置におけるパーティクルの数を示している。
図７の風量の欄の左側の数値はカセットステーション１
０の風量を示し、風量の欄の右側の数値は処理ステーシ
ョン１２の風量を示している。風量の欄の数値はエア供
給室１２ａ，１４ａのファンの目盛りを示し、この数値
が大きいほどファンの出力が大きいことを示している。
ただし、いずれの場合においてもカセットステーション
１０と処理ステーション１２との間に差圧は生じていな
い。
の図４の位置におけるパーティクルの数を示してい
る。図７（ｂ）は仕切り板１１を設けた場合の図４，
，の位置におけるパーティクルの数を示している。
図７の風量の欄の左側の数値はカセットステーション１
０の風量を示し、風量の欄の右側の数値は処理ステーシ
ョン１２の風量を示している。風量の欄の数値はエア供
給室１２ａ，１４ａのファンの目盛りを示し、この数値
が大きいほどファンの出力が大きいことを示している。
ただし、いずれの場合においてもカセットステーション
１０と処理ステーション１２との間に差圧は生じていな
い。
【００３３】図８において「差圧」はシステムの外（カ
セットステーション１０の左側）とカセットステーショ
ン１０内との差圧を示している。「◆」は仕切り板１１
を設けない場合の図４の位置におけるパーティクルの
数を示し、「□」は仕切り板１１を設けた場合の図４
の位置におけるパーティクルの数を示している。
セットステーション１０の左側）とカセットステーショ
ン１０内との差圧を示している。「◆」は仕切り板１１
を設けない場合の図４の位置におけるパーティクルの
数を示し、「□」は仕切り板１１を設けた場合の図４
の位置におけるパーティクルの数を示している。
【００３４】図７の測定結果から仕切り板１１を設けた
方がカセットステーション１０内のパーティクルの数が
減少することが分かる。特にカセットステーション１０
の風量を大きくしていくと、カセットステーション１０
内のパーティクルが皆無になることが分かる。
方がカセットステーション１０内のパーティクルの数が
減少することが分かる。特にカセットステーション１０
の風量を大きくしていくと、カセットステーション１０
内のパーティクルが皆無になることが分かる。
【００３５】同様に図８の測定結果から仕切り板１１を
設けた方がカセットステーション１０内のパーティクル
の数が減少することが分かる。特に仕切り板１１を設け
ると、システムの外（クリーンルーム内）とカセットス
テーション１０内との差圧が小さくても、パーティクル
の数が非常に少なくなる。このことは、つまり仕切り板
１１を設けることにより、カセットステーション１０内
の清浄空気量を増大させずにカセットステーション１０
内へのパーティクルの侵入を防止できることが分かる。
設けた方がカセットステーション１０内のパーティクル
の数が減少することが分かる。特に仕切り板１１を設け
ると、システムの外（クリーンルーム内）とカセットス
テーション１０内との差圧が小さくても、パーティクル
の数が非常に少なくなる。このことは、つまり仕切り板
１１を設けることにより、カセットステーション１０内
の清浄空気量を増大させずにカセットステーション１０
内へのパーティクルの侵入を防止できることが分かる。
【００３６】なお、図９に示すように、カセットステー
ション１０においてウエハカセットＣＲをＺ方向に上下
させる駆動機構３５を設ければ、仕切り板１１の開口部
１１ａを半導体ウエハＷの縦断面とほぼ同じ大きさとす
るだけで、ウエハ搬送体２２がこの開口部１１ａを介し
てウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハＷを搬入・
搬出することが可能となる。これにより、カセット載置
台２０の上方空間とウエハ搬送アーム２２の移動空間と
を図６の場合よりもさらに遮断することが可能となり、
カセットステーション１０内の清浄空気の風量をさらに
減らしてパーティクルの侵入を防止することができる。
ション１０においてウエハカセットＣＲをＺ方向に上下
させる駆動機構３５を設ければ、仕切り板１１の開口部
１１ａを半導体ウエハＷの縦断面とほぼ同じ大きさとす
るだけで、ウエハ搬送体２２がこの開口部１１ａを介し
てウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハＷを搬入・
搬出することが可能となる。これにより、カセット載置
台２０の上方空間とウエハ搬送アーム２２の移動空間と
を図６の場合よりもさらに遮断することが可能となり、
カセットステーション１０内の清浄空気の風量をさらに
減らしてパーティクルの侵入を防止することができる。
【００３７】また、このような仕切り板はカセットステ
ーション１０ばかりでなく、処理ステーション１２やイ
ンタフェース部１４に設けても同様の効果を得ることが
できる。
ーション１０ばかりでなく、処理ステーション１２やイ
ンタフェース部１４に設けても同様の効果を得ることが
できる。
【００３８】図１０および図１１にインタフェース部１
４にこのような仕切り板を設けた例を示す。図１０は平
面図、図１１は図１０のＡから見た背面図である。
４にこのような仕切り板を設けた例を示す。図１０は平
面図、図１１は図１０のＡから見た背面図である。
【００３９】図１０に示すように、インタフェース部１
４において、ウエハ搬送体２６の移動空間と両カセット
ＣＲ，ＢＲの上方空間とが仕切り板２９によって互いに
仕切られており、ダウンフローの空気は両空間で別個に
流れるようになっている。
４において、ウエハ搬送体２６の移動空間と両カセット
ＣＲ，ＢＲの上方空間とが仕切り板２９によって互いに
仕切られており、ダウンフローの空気は両空間で別個に
流れるようになっている。
【００４０】図１１に示すように、仕切り板２９には開
口部２９ａが設けられている。開口部２９ａは所定の大
きさたとえばウエハカセットＣＲの収納面とほぼ同じ大
きさとされており、ウエハ搬送体２６はこの開口部２９
ａを介してウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハＷ
を搬入・搬出する。図示を省略しているが仕切り板２９
にはカセットＢＲに対する開口部も設けられている。
口部２９ａが設けられている。開口部２９ａは所定の大
きさたとえばウエハカセットＣＲの収納面とほぼ同じ大
きさとされており、ウエハ搬送体２６はこの開口部２９
ａを介してウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハＷ
を搬入・搬出する。図示を省略しているが仕切り板２９
にはカセットＢＲに対する開口部も設けられている。
【００４１】この場合も上記と同様に、仕切り板２９を
設けることにより、インタフェース部１４内の清浄空気
量を増大させずにインタフェース部１４内へのパーティ
クルの侵入を防止できる。
設けることにより、インタフェース部１４内の清浄空気
量を増大させずにインタフェース部１４内へのパーティ
クルの侵入を防止できる。
【００４２】図１２および図１３にインタフェース部１
４にさらに別の仕切り板を設けた例を示す。図１２は平
面図、図１３は図１２のＡから見た背面図である。
４にさらに別の仕切り板を設けた例を示す。図１２は平
面図、図１３は図１２のＡから見た背面図である。
【００４３】図１２に示すように、インタフェース部１
４において、当該インタフェース部１４の空間とこれに
隣接する別の処理システムたとえば露光装置（図示せ
ず）の空間とが仕切り板３１によって互いに仕切られて
いる。
４において、当該インタフェース部１４の空間とこれに
隣接する別の処理システムたとえば露光装置（図示せ
ず）の空間とが仕切り板３１によって互いに仕切られて
いる。
【００４４】図１３に示すように、仕切り板３１には開
口部３１ａが設けられている。開口部３１ａは所定の大
きさたとえば半導体ウエハＷの縦断面とほぼ同じ大きさ
とされており、ウエハ搬送体２６はこの開口部３１ａを
介して隣接する別の処理システムとの間で半導体ウエハ
Ｗを受け渡す。
口部３１ａが設けられている。開口部３１ａは所定の大
きさたとえば半導体ウエハＷの縦断面とほぼ同じ大きさ
とされており、ウエハ搬送体２６はこの開口部３１ａを
介して隣接する別の処理システムとの間で半導体ウエハ
Ｗを受け渡す。
【００４５】この場合においても、仕切り板３１を設け
ることにより、インタフェース部１４内の清浄空気量を
増大させずにインタフェース部１４内へのパーティクル
の侵入を防止できる。
ることにより、インタフェース部１４内の清浄空気量を
増大させずにインタフェース部１４内へのパーティクル
の侵入を防止できる。
【００４６】また、この処理システムは、カセットステ
ーション１０と処理ステーション１２とインタフェース
部１４との間およびこれら各部とシステム外側との間で
の差圧を管理することによって、各部へのパーティクル
の侵入を防止している。
ーション１０と処理ステーション１２とインタフェース
部１４との間およびこれら各部とシステム外側との間で
の差圧を管理することによって、各部へのパーティクル
の侵入を防止している。
【００４７】図４に示すように、カセットステーション
１０と処理ステーション１２とインタフェース部１４と
システム外側の所定の位置としてたとえばカセットステ
ーション１０においては仕切り板１１の両側、処理ステ
ーション１２およびインタフェース部１４においてはこ
れらを仕切る壁の両側、システム外側においてはカセッ
トステーション１０の入側およびインタフェース部１４
の出側の上部壁面に、それぞれ気流検出手段としてたと
えば圧力検出手段、より具体的にはたとえば圧力センサ
３３ａ〜３３ｆが配置されている。インタフェース部１
４の出側の上部壁面に配置された圧力センサ３３ｆは、
たとえばインタフェース部１４に隣接する別の処理シス
テムたとえば露光装置（図示せず）の圧を検出する。し
かし、圧力センサ３３ａと同様に単にシステム外側の圧
を検出するものであっても構わない。
１０と処理ステーション１２とインタフェース部１４と
システム外側の所定の位置としてたとえばカセットステ
ーション１０においては仕切り板１１の両側、処理ステ
ーション１２およびインタフェース部１４においてはこ
れらを仕切る壁の両側、システム外側においてはカセッ
トステーション１０の入側およびインタフェース部１４
の出側の上部壁面に、それぞれ気流検出手段としてたと
えば圧力検出手段、より具体的にはたとえば圧力センサ
３３ａ〜３３ｆが配置されている。インタフェース部１
４の出側の上部壁面に配置された圧力センサ３３ｆは、
たとえばインタフェース部１４に隣接する別の処理シス
テムたとえば露光装置（図示せず）の圧を検出する。し
かし、圧力センサ３３ａと同様に単にシステム外側の圧
を検出するものであっても構わない。
【００４８】各圧力センサ３３ａ〜３３ｆは、半導体ウ
エハＷが移送される位置に近い位置に配置するのが好ま
しい。その方がより正確に差圧の管理が行えるからであ
る。しかし、天井等の適当な位置に配置することも可能
である。
エハＷが移送される位置に近い位置に配置するのが好ま
しい。その方がより正確に差圧の管理が行えるからであ
る。しかし、天井等の適当な位置に配置することも可能
である。
【００４９】図１４に示すように、各圧力センサ３３ａ
〜３３ｆは、制御手段としてたとえば制御系３９に接続
されている。制御系３９は、たとえばマイコンによって
構成することが可能である。制御系３９は、エアー供給
手段としてたとえばエア供給室１２ａ，１４ａ，１６ａ
の各ファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂに接続されており、
各圧力センサ３３ａ〜３３ｆにより検出された差圧に基
づき各ファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂの出力を制御す
る。たとえば、制御系３９は、カセットステーション１
０と処理ステーション１２とインタフェース部１４との
間で気流が生じなくなり、かつこれら各部からシステム
外側に気流が生じるように、エア供給室１２ａ，１４
ａ，１６ａのファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂによる清浄
空気の供給量を制御する。より具体的には、たとえばカ
セットステーション１０のカセット載置台２０の上方空
間の圧をＰC/S1、カセットステーション１０のウエハ搬
送アーム２２の移動空間の圧をＰC/S2、処理ステーショ
ン１２の圧をＰP/S 、インタフェース部１４の圧をＰ
I/F 、システム外側のカセットステーション１０の入側
の圧をＰOUT1、システム外側のインタフェース部１４の
出側の上部壁面の圧をＰOU T2としたとき、制御系３９
は、 ＰC/S1＝ＰC/S2＝ＰP/S ＝ＰI/F かつ ＰC/S1，ＰC/S2，ＰP/S ，ＰI/F ＞ＰOUT1，ＰOUT2 となるように、各ファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂの出力
を制御する。
〜３３ｆは、制御手段としてたとえば制御系３９に接続
されている。制御系３９は、たとえばマイコンによって
構成することが可能である。制御系３９は、エアー供給
手段としてたとえばエア供給室１２ａ，１４ａ，１６ａ
の各ファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂに接続されており、
各圧力センサ３３ａ〜３３ｆにより検出された差圧に基
づき各ファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂの出力を制御す
る。たとえば、制御系３９は、カセットステーション１
０と処理ステーション１２とインタフェース部１４との
間で気流が生じなくなり、かつこれら各部からシステム
外側に気流が生じるように、エア供給室１２ａ，１４
ａ，１６ａのファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂによる清浄
空気の供給量を制御する。より具体的には、たとえばカ
セットステーション１０のカセット載置台２０の上方空
間の圧をＰC/S1、カセットステーション１０のウエハ搬
送アーム２２の移動空間の圧をＰC/S2、処理ステーショ
ン１２の圧をＰP/S 、インタフェース部１４の圧をＰ
I/F 、システム外側のカセットステーション１０の入側
の圧をＰOUT1、システム外側のインタフェース部１４の
出側の上部壁面の圧をＰOU T2としたとき、制御系３９
は、 ＰC/S1＝ＰC/S2＝ＰP/S ＝ＰI/F かつ ＰC/S1，ＰC/S2，ＰP/S ，ＰI/F ＞ＰOUT1，ＰOUT2 となるように、各ファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂの出力
を制御する。
【００５０】したがって、たとえばメンテナンス時シス
テムのドア解放等によりＰC/S1またはＰC/S2またはＰ
P/S またはＰI/F が下降すると、各ファン１２ｂ，１４
ｂ，１６ｂの出力を上げて上記の条件を保つような制御
が行われる。よって、処理システムの内外の差圧の変動
が生じないので、システム内へのパーティクルの侵入を
防止することができる。
テムのドア解放等によりＰC/S1またはＰC/S2またはＰ
P/S またはＰI/F が下降すると、各ファン１２ｂ，１４
ｂ，１６ｂの出力を上げて上記の条件を保つような制御
が行われる。よって、処理システムの内外の差圧の変動
が生じないので、システム内へのパーティクルの侵入を
防止することができる。
【００５１】また、たとえばインタフェース部１４の圧
ＰI/F が上昇すると、カセットステーション１０および
処理ステーション１２のファン１２ｂ，１４ｂの出力を
上げて上記の条件を保つような制御が行われる。よっ
て、カセットステーション１０と処理ステーション１２
とインタフェース部１４の間で差圧が生じないので、隣
接部からのパーティクルの侵入を防止することができ
る。
ＰI/F が上昇すると、カセットステーション１０および
処理ステーション１２のファン１２ｂ，１４ｂの出力を
上げて上記の条件を保つような制御が行われる。よっ
て、カセットステーション１０と処理ステーション１２
とインタフェース部１４の間で差圧が生じないので、隣
接部からのパーティクルの侵入を防止することができ
る。
【００５２】図１５および図１６は気流検出手段として
風向計を用いた例を示している。
風向計を用いた例を示している。
【００５３】図１５に示すように、たとえばシステム外
側のカセットステーション１０の入側とカセットステー
ション１０との間、カセットステーション１０の仕切り
板１１の位置、カセットステーション１０と処理ステー
ション１２との間、処理ステーション１２とインタフェ
ース部１４との間、インタフェース部１４とシステム外
側のインタフェース部１４の出側との間には、気流検出
手段として風向計３７ａ〜３７ｅが配置される。各風向
計３７ａ〜３７ｅは半導体ウエハＷが移送される位置に
近い位置に配置するのが好ましい。その方がより正確に
差圧の管理が行えるからである。しかし、壁部上部等の
適当な位置に配置することも可能である。 風向計３７
ａ〜３７ｅは、図１６に示すように、制御系３９に接続
され、上記の圧力センサを配置した場合と同様の制御が
行われる。この場合にも、圧力センサを配置した場合と
同様の効果を得ることができるが、さらに気流検出手段
の数を減らすことができるので、部品点数を削減できる
と共にシステム内の配線を減らすことができる。
側のカセットステーション１０の入側とカセットステー
ション１０との間、カセットステーション１０の仕切り
板１１の位置、カセットステーション１０と処理ステー
ション１２との間、処理ステーション１２とインタフェ
ース部１４との間、インタフェース部１４とシステム外
側のインタフェース部１４の出側との間には、気流検出
手段として風向計３７ａ〜３７ｅが配置される。各風向
計３７ａ〜３７ｅは半導体ウエハＷが移送される位置に
近い位置に配置するのが好ましい。その方がより正確に
差圧の管理が行えるからである。しかし、壁部上部等の
適当な位置に配置することも可能である。 風向計３７
ａ〜３７ｅは、図１６に示すように、制御系３９に接続
され、上記の圧力センサを配置した場合と同様の制御が
行われる。この場合にも、圧力センサを配置した場合と
同様の効果を得ることができるが、さらに気流検出手段
の数を減らすことができるので、部品点数を削減できる
と共にシステム内の配線を減らすことができる。
【００５４】上記した実施の形態における処理システム
内の各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可能で
ある。
内の各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可能で
ある。
【００５５】たとえば、上記の例では、カセットステー
ション１０およびインタフェース部１４に仕切り板を設
けた例を示したが、処理ステーション１２に設けてもよ
く、さらにこの処理システムが独立して清浄空気が供給
される上記以外の搬送・処理部を持つならばそれに仕切
り板を設けるようにしても構わない。
ション１０およびインタフェース部１４に仕切り板を設
けた例を示したが、処理ステーション１２に設けてもよ
く、さらにこの処理システムが独立して清浄空気が供給
される上記以外の搬送・処理部を持つならばそれに仕切
り板を設けるようにしても構わない。
【００５６】上記の例では、各エアー供給手段による清
浄空気の供給量の制御をエア供給室１２ａ，１４ａ，１
６ａのファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂの出力を制御する
ことにより行っていたが、かかる清浄空気の供給量の制
御はたとえば図５に示した空調器３６の出力を制御する
と共に配管３８と各エア供給室１２ａ，１４ａ，１６ａ
との間にそれぞれ自動圧力調整弁を設けこれらを制御す
ることによっても行うことができる。
浄空気の供給量の制御をエア供給室１２ａ，１４ａ，１
６ａのファン１２ｂ，１４ｂ，１６ｂの出力を制御する
ことにより行っていたが、かかる清浄空気の供給量の制
御はたとえば図５に示した空調器３６の出力を制御する
と共に配管３８と各エア供給室１２ａ，１４ａ，１６ａ
との間にそれぞれ自動圧力調整弁を設けこれらを制御す
ることによっても行うことができる。
【００５７】上記した例は半導体デバイス製造のフォト
リソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現像処理
システムに係るものであったが、本発明は他の処理シス
テムにも適用可能であり、被処理基板も半導体ウエハに
限るものでなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、
フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等でも可
能である。
リソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現像処理
システムに係るものであったが、本発明は他の処理シス
テムにも適用可能であり、被処理基板も半導体ウエハに
限るものでなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、
フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等でも可
能である。
【００５８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の第１の処
理システムでは、被処理基板を搬送・処理する複数の搬
送・処理部と、前記各搬送・処理部ごとに設けられ、清
浄空気を各搬送・処理部内に送り込むエアー供給手段
と、少なくとも１つの前記搬送・処理部に設けられ、前
記エアー供給手段によって送り込まれた清浄空気を搬送
・処理部内で仕切ると共に、仕切られた各空間の間で前
記被処理基板を移送するための開口部が設けられた仕切
り板とを具備する構成としたので、システム内の清浄空
気量を増大させずにシステム内へのパーティクルの侵入
を防止することができる。
理システムでは、被処理基板を搬送・処理する複数の搬
送・処理部と、前記各搬送・処理部ごとに設けられ、清
浄空気を各搬送・処理部内に送り込むエアー供給手段
と、少なくとも１つの前記搬送・処理部に設けられ、前
記エアー供給手段によって送り込まれた清浄空気を搬送
・処理部内で仕切ると共に、仕切られた各空間の間で前
記被処理基板を移送するための開口部が設けられた仕切
り板とを具備する構成としたので、システム内の清浄空
気量を増大させずにシステム内へのパーティクルの侵入
を防止することができる。
【００５９】本発明の第２の処理システムでは、被処理
基板を搬送・処理する複数の搬送・処理部と、前記各搬
送・処理部ごとに設けられ、清浄空気を各搬送・処理部
内に送り込むエアー供給手段と、前記各搬送・処理部間
及び搬送・処理部と外部間の清浄空気の流れを検出する
エアー流検出手段と、前記エアー流検出手段による検出
結果に基づき、前記各エアー供給手段による清浄空気の
供給量を制御する制御手段とを具備する構成としたの
で、処理システムの内外の差圧の変動が生じないように
することで、システム内へのパーティクルの侵入を防止
することができ、また別個に清浄空気の風量が調整され
る各部の間で差圧を生じないようにすることで、隣接部
からのパーティクルの侵入を防止することができる。
基板を搬送・処理する複数の搬送・処理部と、前記各搬
送・処理部ごとに設けられ、清浄空気を各搬送・処理部
内に送り込むエアー供給手段と、前記各搬送・処理部間
及び搬送・処理部と外部間の清浄空気の流れを検出する
エアー流検出手段と、前記エアー流検出手段による検出
結果に基づき、前記各エアー供給手段による清浄空気の
供給量を制御する制御手段とを具備する構成としたの
で、処理システムの内外の差圧の変動が生じないように
することで、システム内へのパーティクルの侵入を防止
することができ、また別個に清浄空気の風量が調整され
る各部の間で差圧を生じないようにすることで、隣接部
からのパーティクルの侵入を防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態によるレジスト塗布現像処
理システムの全体構成を示す平面図である。
理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態によるレジスト塗布現像処理システ
ムの全体構成を示す側面図である。
ムの全体構成を示す側面図である。
【図３】実施の形態によるレジスト塗布現像処理システ
ムの全体構成を示す背面図である。
ムの全体構成を示す背面図である。
【図４】実施の形態の処理システムにおける清浄空気の
流れを示す略背面図である。
流れを示す略背面図である。
【図５】実施の形態の処理システムにおける清浄空気の
流れを示す略側面図である。
流れを示す略側面図である。
【図６】実施の形態の処理システムのカセットステーシ
ョンにおける仕切り板の構成を示す略側面図である。
ョンにおける仕切り板の構成を示す略側面図である。
【図７】実施の形態の処理システムにおいて仕切り板を
設けた場合と設けない場合のパーティクルの測定結果を
示す図である。
設けた場合と設けない場合のパーティクルの測定結果を
示す図である。
【図８】実施の形態の処理システムにおいて仕切り板を
設けた場合と設けない場合のパーティクルの測定結果を
示す図である。
設けた場合と設けない場合のパーティクルの測定結果を
示す図である。
【図９】実施の形態の処理システムのカセットステーシ
ョンにおける他の仕切り板の構成を示す略側面図であ
る。
ョンにおける他の仕切り板の構成を示す略側面図であ
る。
【図１０】実施の形態の処理システムのインタフェース
部における仕切り板の構成を示す略平面図である。
部における仕切り板の構成を示す略平面図である。
【図１１】実施の形態の処理システムのインタフェース
部における仕切り板の構成を示す略側面図である。
部における仕切り板の構成を示す略側面図である。
【図１２】実施の形態の処理システムのインタフェース
部における他の仕切り板の構成を示す略平面図である。
部における他の仕切り板の構成を示す略平面図である。
【図１３】実施の形態の処理システムのインタフェース
部における他の仕切り板の構成を示す略背面図である。
部における他の仕切り板の構成を示す略背面図である。
【図１４】実施の形態の処理システムの各部とシステム
外側との間での差圧を管理するシステム構成を示すブロ
ック図である。
外側との間での差圧を管理するシステム構成を示すブロ
ック図である。
【図１５】実施の形態の処理システムの各部とシステム
外側との間での差圧を管理する他のシステム構成を示す
略正面図である。
外側との間での差圧を管理する他のシステム構成を示す
略正面図である。
【図１６】実施の形態の処理システムの各部とシステム
外側との間での差圧を管理する他のシステム構成を示す
ブロック図である。
外側との間での差圧を管理する他のシステム構成を示す
ブロック図である。
【図１７】半導体デバイス製造のフォトリソグラフィー
工程に使用される従来のレジスト塗布現像処理システム
の一例を示す略正面図である。
工程に使用される従来のレジスト塗布現像処理システム
の一例を示す略正面図である。
１０ カセットステーション １１ 仕切り板 １１ａ 開口部 １２ａ，１４ａ，１６ａ エア供給室 １２ｂ，１４ｂ，１６ｂ ファン １２ 処理ステーション １４ インタフェース部 ２２ ウエハ搬送体 ３３ａ〜３３ｆ 圧力センサ ３７ａ〜３７ｅ 風向計 ３９ 制御系 ＣＲ ウエハカセット Ｗ 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ ５６９Ｄ
Claims (9)
- 【請求項１】 被処理基板を搬送・処理する複数の搬送
・処理部と、 前記各搬送・処理部ごとに設けられ、清浄空気を各搬送
・処理部内に送り込むエアー供給手段と、 少なくとも１つの前記搬送・処理部に設けられ、前記エ
アー供給手段によって送り込まれた清浄空気を搬送・処
理部内で仕切ると共に、仕切られた各空間の間で前記被
処理基板を移送するための開口部が設けられた仕切り板
とを具備することを特徴とする処理システム。 - 【請求項２】 請求項１記載の処理システムにおいて、 前記仕切り板で仕切られた一方の空間には前記被処理基
板を垂直方向に多段に収納するカセットが配置され、他
方の空間には垂直方向に移動可能であって、前記被処理
基板を前記カセットから取り出しまたは前記カセットへ
収納する被処理基板搬送手段が配置され、前記仕切り板
に設けられた開口部が前記カセットの収納面とほぼ同じ
大きさであることを特徴とする処理システム。 - 【請求項３】 請求項１記載の処理システムにおいて、 前記仕切り板で仕切られた一方の空間には前記被処理基
板を垂直方向に多段に収納すると共に、垂直方向に移動
可能なカセットが配置され、他方の空間には前記被処理
基板を前記カセットから取り出しまたは前記カセットへ
収納する被処理基板搬送手段が配置され、前記仕切り板
に設けられた開口部が前記被処理基板の縦断面とほぼ同
じ大きさであることを特徴とする処理システム。 - 【請求項４】 被処理基板を多段に収納するカセット
と、前記被処理基板を前記カセットから取り出して搬送
する被処理基板搬送手段と、清浄空気を部内に送り込む
第１のエアー供給手段とを有する搬送部と、 前記被処理基板搬送手段を介して前記被処理基板を受け
取り、受け取った被処理基板に所定の処理を行う処理手
段と、清浄空気を部内に送り込む第２のエアー供給手段
とを有する処理部とを備えた処理システムにおいて、 前記搬送部に前記第１のエアー供給手段によって送り込
まれた清浄空気をカセット側と被処理基板搬送手段側と
に仕切る仕切り板が設けられ、この仕切り板に前記被処
理基板搬送手段が前記カセットから被処理基板を取り出
すための開口部が設けられたことを特徴とする処理シス
テム。 - 【請求項５】 被処理基板に所定の処理を行う処理手段
と、清浄空気を部内に送り込む第１のエアー供給手段と
を有する処理部と、 前記被処理基板を多段に収納するカセットと、前記処理
部より被処理基板を取り出して前記カセットに収納する
と共に、前記カセットより被処理基板を取り出して別の
処理システムに搬送する被処理基板搬送手段と、清浄空
気を部内に送り込む第２のエアー供給手段とを有するイ
ンターフェース部とを備えた処理システムにおいて、 前記インターフェース部に前記第２のエアー供給手段に
よって送り込まれた清浄空気をカセット側または別の処
理システム側と被処理基板搬送手段側とに仕切る仕切り
板が設けられ、この仕切り板に被処理基板を移送するた
めの開口部が設けられたことを特徴とする処理システ
ム。 - 【請求項６】 被処理基板を搬送・処理する複数の搬送
・処理部と、 前記各搬送・処理部ごとに設けられ、清浄空気を各搬送
・処理部内に送り込むエアー供給手段と、 前記各搬送・処理部間及び搬送・処理部と外部間の気流
を検出する気流検出手段と、 前記気流検出手段による検出結果に基づき、前記各エア
ー供給手段による清浄空気の供給量を制御する制御手段
とを具備することを特徴とする処理システム。 - 【請求項７】 請求項６記載の処理システムにおいて、 前記気流検出手段が、前記各搬送・処理部及び外部に圧
力検出手段を配置し、前記各部の圧力差に基づき各部間
の気流を検出するものであることを特徴とする処理シス
テム。 - 【請求項８】 請求項６記載の処理システムにおいて、 前記気流検出手段が、前記各搬送・処理部間及び搬送・
処理部と外部間に風向検出手段を配置し、前記各部間の
風向に基づき各部間の気流を検出するものであることを
特徴とする処理システム。 - 【請求項９】 請求項６、７または８記載の処理システ
ムにおいて、 前記制御手段が、前記各搬送・処理部間で気流が生じな
くなり、かつ搬送・処理部から外部に気流が生じるよう
に、前記各エアー供給手段による清浄空気の供給量を制
御することを特徴とする処理システム。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13726396A JP3416397B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 処理システム |
| TW086106920A TW333658B (en) | 1996-05-30 | 1997-05-22 | The substrate processing method and substrate processing system |
| EP03024189A EP1400760A1 (en) | 1996-05-30 | 1997-05-26 | Substrate treating system and substrate treating method |
| EP97108447A EP0810634A3 (en) | 1996-05-30 | 1997-05-26 | Substrate treating system and substrate treating method |
| EP03024266A EP1385195A3 (en) | 1996-05-30 | 1997-05-26 | Substrate treating system |
| SG1997001757A SG55323A1 (en) | 1996-05-30 | 1997-05-28 | Substrate treating system and substrate treating method |
| US08/864,937 US5876280A (en) | 1996-05-30 | 1997-05-29 | Substrate treating system and substrate treating method |
| KR1019970022123A KR970077124A (ko) | 1996-05-30 | 1997-05-30 | 기판처리시스템 및 기판처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13726396A JP3416397B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320914A true JPH09320914A (ja) | 1997-12-12 |
| JP3416397B2 JP3416397B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=15194586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13726396A Expired - Fee Related JP3416397B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 処理システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3416397B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100978128B1 (ko) * | 2008-06-17 | 2010-08-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 |
| JP2012204645A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 蓋体開閉装置 |
-
1996
- 1996-05-30 JP JP13726396A patent/JP3416397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100978128B1 (ko) * | 2008-06-17 | 2010-08-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 |
| JP2012204645A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 蓋体開閉装置 |
| US9082807B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-07-14 | Tokyo Electron Limited | Lid opening and closing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3416397B2 (ja) | 2003-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100386130B1 (ko) | 처리 장치 및 처리 시스템과 기판 반송장치 및 기판 반송방법 | |
| US5876280A (en) | Substrate treating system and substrate treating method | |
| US5261167A (en) | Vertical heat treating apparatus | |
| US5261935A (en) | Clean air apparatus | |
| US5219464A (en) | Clean air apparatus | |
| US5828572A (en) | Processing System and semiconductor device production method using the same including air conditioning control in operational zones | |
| KR100636009B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR19980042217A (ko) | 처리장치 | |
| JP3225344B2 (ja) | 処理装置 | |
| KR100427163B1 (ko) | 처리시스템 | |
| US6215545B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US6319322B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR100602108B1 (ko) | 처리시스템 | |
| US6399518B1 (en) | Resist coating and developing processing apparatus | |
| US6287025B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP3774277B2 (ja) | 被処理基板の搬送方法及び処理システム | |
| JP3416397B2 (ja) | 処理システム | |
| JPH10144763A (ja) | 処理装置 | |
| JP3342803B2 (ja) | 処理装置及び基板搬送方法 | |
| JP2003218015A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH10125763A (ja) | 処理装置 | |
| JP3254148B2 (ja) | 処理装置 | |
| KR101985754B1 (ko) | 공조 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 | |
| JP2004274068A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3456925B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030325 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150404 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |