JPH09320124A - 多層フォトレジスト原盤の現像装置 - Google Patents
多層フォトレジスト原盤の現像装置Info
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- JPH09320124A JPH09320124A JP15191996A JP15191996A JPH09320124A JP H09320124 A JPH09320124 A JP H09320124A JP 15191996 A JP15191996 A JP 15191996A JP 15191996 A JP15191996 A JP 15191996A JP H09320124 A JPH09320124 A JP H09320124A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像装置にエッチング処理機能を付加するこ
とにより，多層フォトレジスト原盤を現像することがで
きる装置を提供すること。 【解決手段】 現像液１０１を制御信号に基づいて多層
フォトレジスト原盤１１１上に供給する電磁バルブ１０
２と，純水１０３を制御信号に基づいて多層フォトレジ
スト原盤１１１上に供給する電磁バルブ１０４と，中間
層を溶解する酸１０５を制御信号に基づいて多層フォト
レジスト原盤１１１上に供給する電磁バルブ１０６と，
電磁バルブ１０２，電磁バルブ１０４，および電磁バル
ブ１０６に対し，多層フォトレジスト原盤１１１上に液
供給のための制御信号を与える制御部１０７とを備え
た。
とにより，多層フォトレジスト原盤を現像することがで
きる装置を提供すること。 【解決手段】 現像液１０１を制御信号に基づいて多層
フォトレジスト原盤１１１上に供給する電磁バルブ１０
２と，純水１０３を制御信号に基づいて多層フォトレジ
スト原盤１１１上に供給する電磁バルブ１０４と，中間
層を溶解する酸１０５を制御信号に基づいて多層フォト
レジスト原盤１１１上に供給する電磁バルブ１０６と，
電磁バルブ１０２，電磁バルブ１０４，および電磁バル
ブ１０６に対し，多層フォトレジスト原盤１１１上に液
供給のための制御信号を与える制御部１０７とを備え
た。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は，記録・書き換え可
能な情報記憶媒体（光ディスク）の製造に用いられ，フ
ォトレジスト原盤に記録情報に応じたピット，グループ
を形成するスピン現像装置で，酸などにより溶解可能な
中間層を介し，該中間層の上下にフォトレジストを塗布
・形成する多層フォトレジスト原盤の現像装置に関す
る。
能な情報記憶媒体（光ディスク）の製造に用いられ，フ
ォトレジスト原盤に記録情報に応じたピット，グループ
を形成するスピン現像装置で，酸などにより溶解可能な
中間層を介し，該中間層の上下にフォトレジストを塗布
・形成する多層フォトレジスト原盤の現像装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジスト原盤は，露光装置で露光
された後，現像が行われることにより案内溝やピットな
どが形成される。たとえば，特公平６−９５４０１号公
報に開示されているように，原盤を回転させながら現像
液や純水を滴下して案内溝やピットなどを形成するもの
が知られている。
された後，現像が行われることにより案内溝やピットな
どが形成される。たとえば，特公平６−９５４０１号公
報に開示されているように，原盤を回転させながら現像
液や純水を滴下して案内溝やピットなどを形成するもの
が知られている。
【０００３】また，ガラス基板上にフォトレジストを２
層形成し，ガラス基盤上に深さの異なる溝とピットを形
成する方法が特開平７−１６１０７７号公報に開示され
ている。
層形成し，ガラス基盤上に深さの異なる溝とピットを形
成する方法が特開平７−１６１０７７号公報に開示され
ている。
【０００４】この方法は，ガラス基盤上にフォトレジス
トを２層形成し，ガラス基盤上に深さの異なる溝とピ
ットを形成する工程について図３を用いて説明する。ガ
ラス基盤上に下層フォトレジストを形成した後，Ｙ
ｂ，Ｙ，Ｉｎなどの酸でエッチング可能な中間層をそ
の上に形成し，さらに上層フォトレジストを形成す
る。そして，このフォトレジスト原盤を光量を変えて露
光する。さらに，これをスピン現像し，次に中間層を
酸でエッチングし，再度スピン現像することにより，弱
い光量で露光された部分は下層フォトレジストが露光
されず中間層までの溝となり，強い光量で露光され
た部分は下層フォトレジストまで現像で除去されてガ
ラス基板面までの深いピットとなる。
トを２層形成し，ガラス基盤上に深さの異なる溝とピ
ットを形成する工程について図３を用いて説明する。ガ
ラス基盤上に下層フォトレジストを形成した後，Ｙ
ｂ，Ｙ，Ｉｎなどの酸でエッチング可能な中間層をそ
の上に形成し，さらに上層フォトレジストを形成す
る。そして，このフォトレジスト原盤を光量を変えて露
光する。さらに，これをスピン現像し，次に中間層を
酸でエッチングし，再度スピン現像することにより，弱
い光量で露光された部分は下層フォトレジストが露光
されず中間層までの溝となり，強い光量で露光され
た部分は下層フォトレジストまで現像で除去されてガ
ラス基板面までの深いピットとなる。
【０００５】ところで，特公平６−９５４０１号公報に
開示されているような装置では，前述したような多層フ
ォトレジスト原盤を現像することができない。そこで，
従来は，まず上層フォトレジストのみをスピン現像装置
を用いて現像液，純水を滴下して現像する。そして，乾
燥後，このフォトレジストを酸に浸して中間層をエッチ
ングし，純水で酸を置換した後乾燥し，再度，前述のス
ピン現像装置で現像液，純水を滴下して下層フォトレジ
ストの現像を行っていた。
開示されているような装置では，前述したような多層フ
ォトレジスト原盤を現像することができない。そこで，
従来は，まず上層フォトレジストのみをスピン現像装置
を用いて現像液，純水を滴下して現像する。そして，乾
燥後，このフォトレジストを酸に浸して中間層をエッチ
ングし，純水で酸を置換した後乾燥し，再度，前述のス
ピン現像装置で現像液，純水を滴下して下層フォトレジ
ストの現像を行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記に
示されるような従来の技術にあっては，１つの装置で現
像液および純水を滴下して現像するのみで，中間層のエ
ッチング処理機能を備えていないため，中間層の上下に
形成されるフォトレジストの現像を行うことができない
という問題点があった。
示されるような従来の技術にあっては，１つの装置で現
像液および純水を滴下して現像するのみで，中間層のエ
ッチング処理機能を備えていないため，中間層の上下に
形成されるフォトレジストの現像を行うことができない
という問題点があった。
【０００７】また，従来の現像装置では，現像処理とエ
ッチング処理とを連続して行うことができないために，
製造工程における時間が長くかかったり，その工程にお
ける欠陥も生じやすいという問題点があった。
ッチング処理とを連続して行うことができないために，
製造工程における時間が長くかかったり，その工程にお
ける欠陥も生じやすいという問題点があった。
【０００８】また，フォトレジスト原盤を中間層を溶解
するための酸に浸す場合に，原盤の裏側の汚れが表に回
り込んで内外周差が生じるため，原盤全体を均一にエッ
チングできないという問題点があった。
するための酸に浸す場合に，原盤の裏側の汚れが表に回
り込んで内外周差が生じるため，原盤全体を均一にエッ
チングできないという問題点があった。
【０００９】さらに，フォトレジスト原盤を中間層を溶
解するための酸に浸す場合に，現像工程とエッチング工
程とが連続して行うことができず，その表面が乾き過ぎ
てフォトレジストと酸との濡れ性が低下して酸がはじき
やすくなるため，エッチングむらが発生しやすいという
問題点があった。
解するための酸に浸す場合に，現像工程とエッチング工
程とが連続して行うことができず，その表面が乾き過ぎ
てフォトレジストと酸との濡れ性が低下して酸がはじき
やすくなるため，エッチングむらが発生しやすいという
問題点があった。
【００１０】本発明は，上記に鑑みてなされたものであ
って，現像装置にエッチング処理機能を付加することに
より，多層フォトレジスト原盤を現像することができる
装置を提供することを第１の目的とする。
って，現像装置にエッチング処理機能を付加することに
より，多層フォトレジスト原盤を現像することができる
装置を提供することを第１の目的とする。
【００１１】また，現像工程からエッチング工程まで連
続して行うことにより，製造工程の時間短縮およびその
欠陥の低減を図ることを第２の目的とする。
続して行うことにより，製造工程の時間短縮およびその
欠陥の低減を図ることを第２の目的とする。
【００１２】また，フォトレジスト原盤を中間層を溶解
するための酸に浸す場合において，その内外周差をなく
し，原盤全体を均一にエッチングすることを第３の目的
とする。
するための酸に浸す場合において，その内外周差をなく
し，原盤全体を均一にエッチングすることを第３の目的
とする。
【００１３】さらに，フォトレジストと酸との濡れ性を
向上させ，エッチングむらの発生を防止することを第４
の目的とする。
向上させ，エッチングむらの発生を防止することを第４
の目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，請求項１に係る多層フォトレジスト原盤の現像装
置にあっては，所望のパターンが露光された多層フォト
レジスト原盤をターンテーブル上で回転させながら所定
の液を滴下し，溶解可能な中間層を介し，該中間層の上
下にフォトレジストを形成する多層フォトレジスト原盤
の現像装置において，現像液を制御信号に基づいて前記
多層フォトレジスト原盤上に供給する現像液供給手段
と，純水を制御信号に基づいて前記多層フォトレジスト
原盤上に供給する純水供給手段と，前記中間層を溶解す
る溶解液を制御信号に基づいて前記多層フォトレジスト
原盤上に供給する溶解液供給手段と，前記現像液供給手
段，前記純水供給手段，および溶解液供給手段に対し，
前記多層フォトレジスト原盤上に液供給のための制御信
号を与える制御手段と，を備えたものである。
めに，請求項１に係る多層フォトレジスト原盤の現像装
置にあっては，所望のパターンが露光された多層フォト
レジスト原盤をターンテーブル上で回転させながら所定
の液を滴下し，溶解可能な中間層を介し，該中間層の上
下にフォトレジストを形成する多層フォトレジスト原盤
の現像装置において，現像液を制御信号に基づいて前記
多層フォトレジスト原盤上に供給する現像液供給手段
と，純水を制御信号に基づいて前記多層フォトレジスト
原盤上に供給する純水供給手段と，前記中間層を溶解す
る溶解液を制御信号に基づいて前記多層フォトレジスト
原盤上に供給する溶解液供給手段と，前記現像液供給手
段，前記純水供給手段，および溶解液供給手段に対し，
前記多層フォトレジスト原盤上に液供給のための制御信
号を与える制御手段と，を備えたものである。
【００１５】すなわち，現像液および純水を供給する手
段の他に，中間層を溶解する溶解液を供給する手段を付
加したので，従来の装置ではできなかった多層フォトレ
ジスト原盤の現像が実現する。
段の他に，中間層を溶解する溶解液を供給する手段を付
加したので，従来の装置ではできなかった多層フォトレ
ジスト原盤の現像が実現する。
【００１６】また，請求項２に係る多層フォトレジスト
原盤の現像装置にあっては，前記制御手段は，現像液，
純水，中間層の溶解液，純水，現像液の順に前記多層フ
ォトレジスト原盤上へ供給するものである。
原盤の現像装置にあっては，前記制御手段は，現像液，
純水，中間層の溶解液，純水，現像液の順に前記多層フ
ォトレジスト原盤上へ供給するものである。
【００１７】すなわち，上記液供給により，上層フォト
レジスト現像，エッチング，下層フォトレジスト現像ま
での工程を１つの装置で連続して行えるので，現像工程
の短縮および工程内欠陥が低減される。
レジスト現像，エッチング，下層フォトレジスト現像ま
での工程を１つの装置で連続して行えるので，現像工程
の短縮および工程内欠陥が低減される。
【００１８】また，請求項３に係る多層フォトレジスト
原盤の現像装置にあっては，前記制御手段は，中間層の
溶解液を供給する前の純水を前記多層フォトレジスト原
盤上へ供給させた後，前記純水を半乾きにした状態で中
間層の溶解液を供給するものである。
原盤の現像装置にあっては，前記制御手段は，中間層の
溶解液を供給する前の純水を前記多層フォトレジスト原
盤上へ供給させた後，前記純水を半乾きにした状態で中
間層の溶解液を供給するものである。
【００１９】すなわち，現像，純水洗浄の後に完全に乾
燥させることなく溶解液（酸）を滴下することにより，
溶解液（酸）とフォトレジスト原盤との濡れ性が向上
し，エッチング時におけるシミ発生やエッチングむらの
発生を防止することができる。
燥させることなく溶解液（酸）を滴下することにより，
溶解液（酸）とフォトレジスト原盤との濡れ性が向上
し，エッチング時におけるシミ発生やエッチングむらの
発生を防止することができる。
【００２０】また，請求項４に係る多層フォトレジスト
原盤の現像装置にあっては，前記制御手段は，前記多層
フォトレジスト原盤上へ中間層の溶解液を供給する際
に，前記ターンテーブルの回転を停止させた状態で中間
層の溶解液を所定量供給するものである。
原盤の現像装置にあっては，前記制御手段は，前記多層
フォトレジスト原盤上へ中間層の溶解液を供給する際
に，前記ターンテーブルの回転を停止させた状態で中間
層の溶解液を所定量供給するものである。
【００２１】すなわち，ターンテーブルを回転させなが
ら溶解液（酸）を滴下した場合に，溶解液（酸）の流れ
の影響で内外周にエッチング速度の差が生じて不均一に
なる不具合が発生するため，ターンテーブルの回転を停
止させた状態で中間層の溶解液（酸）を所定量供給する
ことにより上記不具合が解消されると共に，溶解液の使
用量を低減することができ，さらに，エッチングの不均
一さと，流れの影響による剥離も防止することができ
る。
ら溶解液（酸）を滴下した場合に，溶解液（酸）の流れ
の影響で内外周にエッチング速度の差が生じて不均一に
なる不具合が発生するため，ターンテーブルの回転を停
止させた状態で中間層の溶解液（酸）を所定量供給する
ことにより上記不具合が解消されると共に，溶解液の使
用量を低減することができ，さらに，エッチングの不均
一さと，流れの影響による剥離も防止することができ
る。
【００２２】また，請求項５に係る多層フォトレジスト
原盤の現像装置にあっては，前記多層フォトレジスト原
盤の外周近傍から排気する排気手段と，前記排気手段を
前記制御手段からの制御信号に基づいて排気動作する排
気制御手段と，をさらに備え，前記制御手段が，停止状
態の前記多層フォトレジスト原盤上へ中間層の溶解液を
供給する際に，前記溶解液の供給が開始されてから前記
溶解液の除去が行われる間，前記排気手段による排気を
停止させるものである。
原盤の現像装置にあっては，前記多層フォトレジスト原
盤の外周近傍から排気する排気手段と，前記排気手段を
前記制御手段からの制御信号に基づいて排気動作する排
気制御手段と，をさらに備え，前記制御手段が，停止状
態の前記多層フォトレジスト原盤上へ中間層の溶解液を
供給する際に，前記溶解液の供給が開始されてから前記
溶解液の除去が行われる間，前記排気手段による排気を
停止させるものである。
【００２３】すなわち，フォトレジスト原盤外周付近の
排気により，ターンテーブル回転時には現像液，純水，
溶解液が原盤上に跳ねかえって欠陥が生じることを防止
すると共に，ターンテーブル停止時（溶解液をフォトレ
ジスト原盤に滴下時）に上記排気により溶解液（酸）が
フォトレジスト原盤上から外にこぼれたり，十分な量の
溶解液（酸）をフォトレジスト原盤に滴下できないとい
った不具合が解消される。
排気により，ターンテーブル回転時には現像液，純水，
溶解液が原盤上に跳ねかえって欠陥が生じることを防止
すると共に，ターンテーブル停止時（溶解液をフォトレ
ジスト原盤に滴下時）に上記排気により溶解液（酸）が
フォトレジスト原盤上から外にこぼれたり，十分な量の
溶解液（酸）をフォトレジスト原盤に滴下できないとい
った不具合が解消される。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の多層フォトレジス
ト原盤の現像装置を添付図面を参照し，〔実施の形態
１〕，〔実施の形態２〕，〔実施の形態３〕の順で詳細
に説明する。
ト原盤の現像装置を添付図面を参照し，〔実施の形態
１〕，〔実施の形態２〕，〔実施の形態３〕の順で詳細
に説明する。
【００２５】〔実施の形態１〕 （実施の形態１の構成）図１は，実施の形態１に係る多
層フォトレジスト原盤の現像装置の構成を示す説明図で
ある。
層フォトレジスト原盤の現像装置の構成を示す説明図で
ある。
【００２６】図において，この現像装置は，現像液１０
１の吐き出しを制御する現像液供給手段としての電磁バ
ルブ１０２と，純水１０３の吐き出しを制御する純水供
給手段としての電磁バルブ１０４と，中間層の溶解液
（以下，酸という）１０５の吐き出しを制御する溶解液
供給手段としての電磁バルブ１０６と，電磁バルブ１０
２と電磁バルブ１０４・電磁バルブ１０６のＯＮ／ＯＦ
Ｆを制御する制御信号を生成する制御手段としての制御
部１０７と，電磁バルブ１０２で制御された現像液１０
１を後述する多層フォトレジスト原盤１１１に滴下する
現像液ノズル１０８と，電磁バルブ１０４で制御された
純水１０３を後述する多層フォトレジスト原盤１１１に
滴下する純水ノズル１０９と，電磁バルブ１０６で制御
された酸１０５を後述する多層フォトレジスト原盤１１
１に滴下する酸ノズル１１０と，多層フォトレジストが
形成される多層フォトレジスト原盤１１１と，多層フォ
トレジスト原盤１１１を載置しながら回転するターンテ
ーブル１１２と，ターンテーブル１１２を駆動するター
ンテーブルモータ１１３と，多層フォトレジスト原盤１
１１の端面の外周に位置し，多層フォトレジスト原盤１
１１から飛ばされた現像液などを吸い込むための外周カ
ップ１１４および内周カップ１１５と，外周カップ１１
４および内周カップ１１５の隙間の空気を排気する排気
手段としての排気ファン１１６とから構成されている。
１の吐き出しを制御する現像液供給手段としての電磁バ
ルブ１０２と，純水１０３の吐き出しを制御する純水供
給手段としての電磁バルブ１０４と，中間層の溶解液
（以下，酸という）１０５の吐き出しを制御する溶解液
供給手段としての電磁バルブ１０６と，電磁バルブ１０
２と電磁バルブ１０４・電磁バルブ１０６のＯＮ／ＯＦ
Ｆを制御する制御信号を生成する制御手段としての制御
部１０７と，電磁バルブ１０２で制御された現像液１０
１を後述する多層フォトレジスト原盤１１１に滴下する
現像液ノズル１０８と，電磁バルブ１０４で制御された
純水１０３を後述する多層フォトレジスト原盤１１１に
滴下する純水ノズル１０９と，電磁バルブ１０６で制御
された酸１０５を後述する多層フォトレジスト原盤１１
１に滴下する酸ノズル１１０と，多層フォトレジストが
形成される多層フォトレジスト原盤１１１と，多層フォ
トレジスト原盤１１１を載置しながら回転するターンテ
ーブル１１２と，ターンテーブル１１２を駆動するター
ンテーブルモータ１１３と，多層フォトレジスト原盤１
１１の端面の外周に位置し，多層フォトレジスト原盤１
１１から飛ばされた現像液などを吸い込むための外周カ
ップ１１４および内周カップ１１５と，外周カップ１１
４および内周カップ１１５の隙間の空気を排気する排気
手段としての排気ファン１１６とから構成されている。
【００２７】（実施の形態１の動作）次に，以上のよう
に構成された多層フォトレジスト原盤の現像装置の動作
について説明する。あらかじめ上層フォトレジストの現
像に必要な時間ｔ１，中間層の溶解に必要な時間ｔ４，
下層フォトレジストの現像に必要な時間ｔ５を求めてお
く。
に構成された多層フォトレジスト原盤の現像装置の動作
について説明する。あらかじめ上層フォトレジストの現
像に必要な時間ｔ１，中間層の溶解に必要な時間ｔ４，
下層フォトレジストの現像に必要な時間ｔ５を求めてお
く。
【００２８】まず，ターンテーブル１１２を回転させな
がら現像液１０１をｔ１だけ吐き出すように電磁バルブ
１０２を制御する。次に，電磁バルブ１０２をＯＦＦし
て現像液１０１の吐き出しを停止し，電磁バルブ１０４
をＯＮして純水１０３を吐き出してリンスする。続い
て，酸１０５をｔ４だけ吐き出し，純水１０３でリンス
する。さらに，電磁バルブ１０４をＯＦＦして純水１０
３の吐き出しを停止し，電磁バルブ１０２をＯＮして現
像液１０１をｔ５だけ吐き出す。その後，純水１０３で
リンスして現像を完了する。
がら現像液１０１をｔ１だけ吐き出すように電磁バルブ
１０２を制御する。次に，電磁バルブ１０２をＯＦＦし
て現像液１０１の吐き出しを停止し，電磁バルブ１０４
をＯＮして純水１０３を吐き出してリンスする。続い
て，酸１０５をｔ４だけ吐き出し，純水１０３でリンス
する。さらに，電磁バルブ１０４をＯＦＦして純水１０
３の吐き出しを停止し，電磁バルブ１０２をＯＮして現
像液１０１をｔ５だけ吐き出す。その後，純水１０３で
リンスして現像を完了する。
【００２９】これにより，従来の現像装置では現像する
ことができなかった多層フォトレジストの現像が実現
し，溝とピッチとが形成される。
ことができなかった多層フォトレジストの現像が実現
し，溝とピッチとが形成される。
【００３０】〔実施の形態２〕 （実施の形態２の構成）この実施の形態２では，前述の
図１と同一構成の多層フォトレジスト原盤の現像装置を
用いるものとする。
図１と同一構成の多層フォトレジスト原盤の現像装置を
用いるものとする。
【００３１】（実施の形態２の動作）次に，以上のよう
に構成された多層フォトレジスト原盤の現像装置の動作
について説明する。酸１０５を吐き出す前に純水１０３
の供給を停止させ，その後，ターンテーブル１１２を５
０〜５００ｒｐｍで５〜２０秒回転させ，純水１０３を
半乾き状態に乾燥させる。
に構成された多層フォトレジスト原盤の現像装置の動作
について説明する。酸１０５を吐き出す前に純水１０３
の供給を停止させ，その後，ターンテーブル１１２を５
０〜５００ｒｐｍで５〜２０秒回転させ，純水１０３を
半乾き状態に乾燥させる。
【００３２】上記により，前述の実施の形態１と比較し
て，純水１０３を乾燥させることで中間層の溶解ばらつ
きによると思われるピット形状の内外周差が減少するこ
とが確認できる。また，完全に純水１０３を乾燥させた
ときに発生しやすかった溶解液のはじきに起因するシミ
発生を除去することができる。
て，純水１０３を乾燥させることで中間層の溶解ばらつ
きによると思われるピット形状の内外周差が減少するこ
とが確認できる。また，完全に純水１０３を乾燥させた
ときに発生しやすかった溶解液のはじきに起因するシミ
発生を除去することができる。
【００３３】〔実施の形態３〕 （実施の形態３の構成）図２は，実施の形態３に係る多
層フォトレジスト原盤の現像装置の構成を示す説明図で
ある。図において，この現像装置は，前述の実施の形態
１で説明した図１に対し，制御部１０７により排気のＯ
Ｎ／ＯＦＦ制御がなされる排気制御手段としての排気弁
２０１を付加し，さらに，制御部１０７によりターンテ
ーブルモータ１１３を制御する構成とする。
層フォトレジスト原盤の現像装置の構成を示す説明図で
ある。図において，この現像装置は，前述の実施の形態
１で説明した図１に対し，制御部１０７により排気のＯ
Ｎ／ＯＦＦ制御がなされる排気制御手段としての排気弁
２０１を付加し，さらに，制御部１０７によりターンテ
ーブルモータ１１３を制御する構成とする。
【００３４】また，他の構成要素およびその機能は実施
の形態１と同様であるため，図１と同一符号を付してそ
の説明は省略する。
の形態１と同様であるため，図１と同一符号を付してそ
の説明は省略する。
【００３５】（実施の形態３の動作）次に，以上のよう
に構成された多層フォトレジスト原盤の現像装置の動作
について説明する。あらかじめ上層フォトレジストの現
像に必要な時間ｔ１，中間層の溶解に必要な時間ｔ４，
下層フォトレジストの現像に必要な時間ｔ５を求めてお
く。
に構成された多層フォトレジスト原盤の現像装置の動作
について説明する。あらかじめ上層フォトレジストの現
像に必要な時間ｔ１，中間層の溶解に必要な時間ｔ４，
下層フォトレジストの現像に必要な時間ｔ５を求めてお
く。
【００３６】まず，ターンテーブル１１２を回転させな
がら現像液１０１をｔ１だけ吐き出すように電磁バルブ
１０２を制御する。次に，電磁バルブ１０２をＯＦＦし
て現像液１０１の吐き出しを停止し，電磁バルブ１０４
をＯＮして純水１０３を吐き出してリンスする。
がら現像液１０１をｔ１だけ吐き出すように電磁バルブ
１０２を制御する。次に，電磁バルブ１０２をＯＦＦし
て現像液１０１の吐き出しを停止し，電磁バルブ１０４
をＯＮして純水１０３を吐き出してリンスする。
【００３７】次に，酸１０５を吐き出す前に純水１０５
を停止させ，その後，ターンテーブル１１２を５０〜５
００ｒｐｍで５〜２０秒回転させ，純水１０３を半乾き
状態に乾燥させる。続いて，ターンテーブル１１２およ
び排気弁２０１により排気を停止する。
を停止させ，その後，ターンテーブル１１２を５０〜５
００ｒｐｍで５〜２０秒回転させ，純水１０３を半乾き
状態に乾燥させる。続いて，ターンテーブル１１２およ
び排気弁２０１により排気を停止する。
【００３８】そして，酸１０５を，多層フォトレジスト
原盤１１１の中心より酸ノズル１１０で多層フォトレジ
スト原盤１１１から溢れないように，かつ前面に行き渡
るように滴下し，多層フォトレジスト原盤１１１上に溜
める。
原盤１１１の中心より酸ノズル１１０で多層フォトレジ
スト原盤１１１から溢れないように，かつ前面に行き渡
るように滴下し，多層フォトレジスト原盤１１１上に溜
める。
【００３９】時間ｔ４後，ターンテーブル１１２の回転
と排気を再開し，さらに純水１０３でリンスする。次
に，現像液１０１をｔ５だけ吐き出し，純水１０３でリ
ンスして現像を完了する。
と排気を再開し，さらに純水１０３でリンスする。次
に，現像液１０１をｔ５だけ吐き出し，純水１０３でリ
ンスして現像を完了する。
【００４０】これにより，従来の現像装置では現像でき
なかった多層フォトレジストの現像が実現し，溝とピッ
チとが形成される。
なかった多層フォトレジストの現像が実現し，溝とピッ
チとが形成される。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明に係る多層
フォトレジスト原盤の現像装置（請求項１）によれば，
現像液および純水を供給する手段の他に，中間層を溶解
する溶解液を供給する手段を付加したため，従来の装置
ではできなかった多層フォトレジスト原盤の現像を実現
することができる。
フォトレジスト原盤の現像装置（請求項１）によれば，
現像液および純水を供給する手段の他に，中間層を溶解
する溶解液を供給する手段を付加したため，従来の装置
ではできなかった多層フォトレジスト原盤の現像を実現
することができる。
【００４２】また，本発明に係る多層フォトレジスト原
盤の現像装置（請求項２）によれば，現像液，純水およ
び溶解液の供給により，上層フォトレジスト現像，エッ
チング，下層フォトレジスト現像までの工程を１つの装
置で連続して行えるため，現像工程の短縮および工程内
欠陥を低減することができる。
盤の現像装置（請求項２）によれば，現像液，純水およ
び溶解液の供給により，上層フォトレジスト現像，エッ
チング，下層フォトレジスト現像までの工程を１つの装
置で連続して行えるため，現像工程の短縮および工程内
欠陥を低減することができる。
【００４３】また，本発明に係る多層フォトレジスト原
盤の現像装置（請求項３）によれば，現像，純水洗浄の
後に完全に乾燥させることなく溶解液（酸）を滴下する
ため，溶解液（酸）とフォトレジスト原盤との濡れ性が
向上し，エッチング時におけるシミ発生やエッチングむ
らの発生を防止することができる。
盤の現像装置（請求項３）によれば，現像，純水洗浄の
後に完全に乾燥させることなく溶解液（酸）を滴下する
ため，溶解液（酸）とフォトレジスト原盤との濡れ性が
向上し，エッチング時におけるシミ発生やエッチングむ
らの発生を防止することができる。
【００４４】また，本発明に係る多層フォトレジスト原
盤の現像装置（請求項４）によれば，ターンテーブルを
回転させながら溶解液（酸）を滴下した場合に，溶解液
（酸）の流れの影響で内外周にエッチング速度の差が生
じて不均一になる不具合が発生するが，ターンテーブル
の回転を停止させた状態で中間層の溶解液（酸）を所定
量供給するため，上記不具合が解消されると共に，溶解
液の使用量を低減することができ，さらに，エッチング
の不均一さと，流れの影響による剥離も防止することが
できる。
盤の現像装置（請求項４）によれば，ターンテーブルを
回転させながら溶解液（酸）を滴下した場合に，溶解液
（酸）の流れの影響で内外周にエッチング速度の差が生
じて不均一になる不具合が発生するが，ターンテーブル
の回転を停止させた状態で中間層の溶解液（酸）を所定
量供給するため，上記不具合が解消されると共に，溶解
液の使用量を低減することができ，さらに，エッチング
の不均一さと，流れの影響による剥離も防止することが
できる。
【００４５】また，本発明に係る多層フォトレジスト原
盤の現像装置（請求項５）によれば，フォトレジスト原
盤外周付近の排気を行うため，ターンテーブル回転時に
は現像液，純水，溶解液が原盤上に跳ねかえって欠陥が
生じることを防止できると共に，ターンテーブル停止時
（溶解液をフォトレジスト原盤に滴下時）に上記排気に
より溶解液（酸）がフォトレジスト原盤上から外にこぼ
れたり，十分な量の溶解液（酸）をフォトレジスト原盤
に滴下できないといった不具合を解消することができ
る。
盤の現像装置（請求項５）によれば，フォトレジスト原
盤外周付近の排気を行うため，ターンテーブル回転時に
は現像液，純水，溶解液が原盤上に跳ねかえって欠陥が
生じることを防止できると共に，ターンテーブル停止時
（溶解液をフォトレジスト原盤に滴下時）に上記排気に
より溶解液（酸）がフォトレジスト原盤上から外にこぼ
れたり，十分な量の溶解液（酸）をフォトレジスト原盤
に滴下できないといった不具合を解消することができ
る。
【図１】実施の形態１に係る多層フォトレジスト原盤の
現像装置の構成を示す説明図である。
現像装置の構成を示す説明図である。
【図２】実施の形態３に係る多層フォトレジスト原盤の
現像装置の構成を示す説明図である。
現像装置の構成を示す説明図である。
【図３】多層フォトレジスト原盤の製造過程を示す説明
図である。
図である。
１０１ 現像液 １０２，１０４，１０６ 電磁バルブ １０３ 純水 １０５ 酸 １０７ 制御部 １１１ 多層フォトレジスト原盤 １１２ ターンテーブル １１４ 外周カップ １１５ 内周カップ １１６ 排気ファン ２０１ 排気弁
Claims (5)
- 【請求項１】 所望のパターンが露光された多層フォト
レジスト原盤をターンテーブル上で回転させながら所定
の液を滴下し，溶解可能な中間層を介し，該中間層の上
下にフォトレジストを形成する多層フォトレジスト原盤
の現像装置において，現像液を制御信号に基づいて前記
多層フォトレジスト原盤上に供給する現像液供給手段
と，純水を制御信号に基づいて前記多層フォトレジスト
原盤上に供給する純水供給手段と，前記中間層を溶解す
る溶解液を制御信号に基づいて前記多層フォトレジスト
原盤上に供給する溶解液供給手段と，前記現像液供給手
段，前記純水供給手段，および溶解液供給手段に対し，
前記多層フォトレジスト原盤上に液供給のための制御信
号を与える制御手段と，を備えたことを特徴とする多層
フォトレジスト原盤の現像装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は，現像液，純水，中間層
の溶解液，純水，現像液の順に前記多層フォトレジスト
原盤上へ供給することを特徴とする請求項１に記載の多
層フォトレジスト原盤の現像装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は，中間層の溶解液を供給
する前の純水を前記多層フォトレジスト原盤上へ供給さ
せた後，前記純水を半乾きにした状態で中間層の溶解液
を供給することを特徴とする請求項１または２に記載の
多層フォトレジスト原盤の現像装置。 - 【請求項４】 前記制御手段は，前記多層フォトレジス
ト原盤上へ中間層の溶解液を供給する際に，前記ターン
テーブルの回転を停止させた状態で中間層の溶解液を所
定量供給することを特徴とする請求項１または２に記載
の多層フォトレジスト原盤の現像装置。 - 【請求項５】 前記多層フォトレジスト原盤の外周近傍
から排気する排気手段と，前記排気手段を前記制御手段
からの制御信号に基づいて排気動作する排気制御手段
と，をさらに備え，前記制御手段が，停止状態の前記多
層フォトレジスト原盤上へ中間層の溶解液を供給する際
に，前記溶解液の供給が開始されてから前記溶解液の除
去が行われる間，前記排気手段による排気を停止させる
ことを特徴とする請求項４に記載の多層フォトレジスト
原盤の現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15191996A JPH09320124A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 多層フォトレジスト原盤の現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15191996A JPH09320124A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 多層フォトレジスト原盤の現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320124A true JPH09320124A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15529075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15191996A Pending JPH09320124A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 多層フォトレジスト原盤の現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320124A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6721238B2 (en) | 2000-11-29 | 2004-04-13 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers capable of reducing reproducing laser power |
| CN111621816A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-04 | 大连理工大学 | 一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法 |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP15191996A patent/JPH09320124A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6721238B2 (en) | 2000-11-29 | 2004-04-13 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers capable of reducing reproducing laser power |
| CN111621816A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-04 | 大连理工大学 | 一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法 |
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