JPH093076A - 新規トリカルボニル基含有ケイ素化合物および金属表面処理剤 - Google Patents

新規トリカルボニル基含有ケイ素化合物および金属表面処理剤

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JPH093076A
JPH093076A JP7150773A JP15077395A JPH093076A JP H093076 A JPH093076 A JP H093076A JP 7150773 A JP7150773 A JP 7150773A JP 15077395 A JP15077395 A JP 15077395A JP H093076 A JPH093076 A JP H093076A
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tricarbonyl
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carbon atoms
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Katsuyuki Tsuchida
克之 土田
Masashi Kumagai
正志 熊谷
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 金属表面への接着性、防錆性に優れる金属表
面処理剤およびそれに好適なシラン化合物を提供する。 【構成】 下記一般式(1)で表わされる新規トリカル
ボニル基含有ケイ素化合物。 【化1】 〔ただし、該化合物は、エノール型も含む。また一般式
(1)においてR1は炭素数2〜10のアルキレン基、
2は炭素数1〜5のアルキル基、R3,R4は炭素数1
〜10のアルキル基であって、かつR3,R4の少なくと
もいずれかが炭素数1〜5のとき、R1は炭素数6〜1
0であり、またR1の炭素数が1〜5のとき、R3,R4
の少なくともいずれかが炭素数6〜10であり、x,
y,zはそれぞれ0または1を示す。〕

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は銅、鉄鋼およびアルミニ
ウム製品を主とする金属の防錆および金属と樹脂との接
着性の改善等を行うための表面処理剤および該表面処理
剤に好適な新規シラン化合物に関する。
【0002】
【従来の技術】各種金属に関する要求は様々である。例
えばプリント回路用の銅箔は紙−フェノール樹脂含浸基
材やガラス−エポキシ樹脂含浸基材等に加熱、加圧して
積層して、銅張積層板が形成され、これをエッチングし
て回路網を形成し、これに半導体装置等の素子を搭載す
ることにより電子機器用のボードが作られる。これらの
過程では基材との接着、加熱、酸やアルカリ液への浸
漬、レジストインクの塗布、ハンダ付け等が行われるた
め、銅箔には各種の性能が要求される。また保管時に銅
箔表面の酸化変色がないことも要求されている。これら
の要求を満たすために、黄銅層形成処理(特公昭51−
35711号公報、同54−6701号公報)やクロメ
ート処理、亜鉛または酸化亜鉛とクロム酸化物とからな
る亜鉛−クロム基混合物被覆処理等(特公昭58−70
77号公報)が行われている。しかしながら、最近、プ
リント回路が緻密化しているので、使用されるプリント
回路用銅箔に要求される特性はますます厳しくなってい
る。
【0003】又、鉄鋼製品は建築物、自動車、船舶、缶
など様々なところで使用されているが、錆びるという重
大な欠点がある。鉄製品の防錆剤には従来水溶性防錆
剤、気化性防錆剤、油性防錆剤等の各種防錆剤が使用さ
れている。一般的に水溶性防錆剤は一時的短時間の防錆
を目的とし、長期の防錆には用いられていない。また気
化性防錆剤は密閉状態で本来の防錆力を発揮するもので
ある。油性防錆剤は比較的防錆力が強く長期の防錆に耐
えるものであり、液状の防錆油、防錆添加剤や皮膜形成
剤等を揮発性有機溶剤に溶解したもの、粘着性の防錆グ
リース等がある。このように様々な防錆剤が多数開発さ
れ、それぞれの環境によって使い分けられているが、今
もなお、防錆剤の一層の充実が望まれているのが現状で
ある。又、アルミニウムまたはアルミニウム合金は軽量
であるため自動車分野において、燃費向上の観点から注
目され始めている。アルミニウム合金がパネル材として
使用される場合は、プレス成形等の加工が施された後に
塗装が行われるのが通常であり、特に自動車の外板材で
は耐食性に対する要求特性からカチオン型の電着塗装が
施されている。しかしながら、アルミニウム合金に対す
る塗装の密着性が十分に得られず、また塗装後の耐食性
も十分でないという欠点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした要請
に対応できる、すなわち金属、特には銅、鉄鋼およびア
ルミニウム製品に対して、金属表面に強く吸着し、薄膜
においても防錆作用を有し、かつ樹脂との接着性に優れ
る新規なシラン化合物およびそれに用いた新規な金属表
面処理剤を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究を進
めた結果、下記一般式(1)および(2)に示すトリカ
ルボニル基を含有するケイ素化合物が金属表面に対して
優れた防錆作用を有し、かつ金属と樹脂との接着性に優
れることを見出した。本発明はかかる知見に基づきなさ
れたものであり、その要旨は、 (1)下記一般式(1)で表わされる新規トリカルボニ
ル基含有ケイ素化合物。
【0006】
【化3】
【0007】〔ただし、該トリカルボニル基含有ケイ素
化合物は、上記一般式(1)の互変異性体であるエノー
ル形も含む。また、一般式(1)においてR1は炭素数
2〜10のアルキレン基、R2は炭素数1〜5のアルキ
ル基、R3,R4は炭素数1〜10のアルキル基であっ
て、かつR3,R4の少なくともいずれかが炭素数1〜5
のとき、R1は炭素数6〜10であり、またR1の炭素数
が1〜5のとき、R3,R4の少なくともいずれかが炭素
数6〜10であり、x,y,zはそれぞれ0または1を
示す。〕 (2)下記一般式(2)で表わされるトリカルボニル基
含有ケイ素化合物を有効成分とする金属表面処理剤にあ
る。
【0008】
【化4】
【0009】〔ただし、該トリカルボニル基含有ケイ素
化合物は、上記一般式(2)の互変異性体であるエノー
ル形も含む。また、一般式(2)においてR1は炭素数
2〜10のアルキレン基、R2は炭素数1〜5のアルキ
ル基、R3,R4はそれぞれ炭素数1〜10のアルキル
基、x,y,zはそれぞれ0または1を示す。〕 以下に本発明をさらに詳細に説明する。上記一般式
(2)におけるR1は炭素数が2〜10のアルキレン基
である。R2は炭素数が1〜5のアルキル基であるが、
特には合成の容易性やシランの加水分解のし易さの点か
らメチル基またはエチル基が好適である。R3およびR4
は炭素数が1〜10のアルキル基である。アルキル基が
長いと金属に表面処理したときにそのアルキル基が外側
に配向するため撥水性を示す。同様にR1もアルキレン
が長いと撥水性が向上する。また、アルキル基が短いと
立体障害が減少するためトリカルボニル基の金属の対す
る吸着性が増加する。
【0010】すなわち、R3およびR4は一方のアルキル
基が長く、もう一方が短いことが撥水性およびトリカル
ボニル基の金属に対する吸着性の点から好適である。ま
た、R1のアルキレン基が炭素数6〜10と長く、R3
よび/またはR4のアルキル基が炭素数1〜5と短い場
合も同様に撥水性および吸着性の点から好適である。さ
らにこの逆の関係すなわちR1のアルキレン基が炭素数
1〜5と短く、R3および/またはR4のアルキル基が炭
素数6〜10と長い場合も同様に撥水性および吸着性の
点から好ましい。このような観点から、一般式(2)に
おいてR1,R3,R4は、一般式(1)におけるR1,R
3,R4と同義である場合、すなわち、R1が炭素数2〜
10のアルキレン基、R3,R4は炭素数1〜10のアル
キル基であって、かつR3,R4の少なくともいずれかが
炭素数1〜5のとき、R1は炭素数6〜10であり、ま
たR1の炭素数が1〜5のとき、R3,R4の少なくとも
いずれかが炭素数6〜10である場合が好ましい。本発
明の上記一般式(1),(2)で表わされるトリカルボ
ニル基含有シラン化合物として、特に好ましいものを挙
げると、例えば
【0011】
【化5】
【0012】
【化6】
【0013】などがある。ただし、上記化合物はケト形
のみ記載しているが、下記に示すようにケト形とエノー
ル形の互変異性体で存在しており、エノール形について
も本特許の請求範囲に含まれる(以下、ケト形のみを記
載するが、エノール形も含まれているものとする)。
【0014】
【化7】
【0015】本発明の上記一般式(1)で表わされるト
リカルボニル基含有シラン化合物は、反応式(3)およ
び(4)または反応式(5)および(6)で表わされる
反応により合成される。すなわち、前者はジカルボニル
化合物と二重結合を有する化合物iを塩化マグネシウム
およびアミンの存在下で反応させた後〔反応式(3)参
照〕、白金存在下でトリアルコキシシランと反応させる
〔ヒドロシリル化反応、反応式(4)参照〕ことにより
製造する方法、また、後者は二重結合を有するジカルボ
ニル化合物と化合物iiを塩化マグネシウムおよびアミン
の存在下で反応させた後〔反応式(5)参照〕、白金存
在下でトリアルコキシシランと反応させる〔ヒドロシリ
ル化反応、反応式(6)参照〕ことにより製造する方法
である。
【0016】
【化8】
【0017】〔上記式中、R3,R4およびx,y,zは
前記一般式(1)におけるそれぞれの記号と同義であ
り、R5は結合手、または炭素数1〜8のアルキル基を
示す〕
【0018】
【化9】
【0019】(なお、上記式中、R5−CH2CH2−、
2はそれぞれ前記一般式(1)におけるR1,R2と同
義である。)
【0020】
【化10】
【0021】(上記式中、R3,R4およびx,y,zは
前記一般式(1)におけるそれぞれの記号と同義であ
り、R5は結合手または炭素数1〜8のアルキル基を示
す。)
【0022】
【化11】
【0023】(なお、上記式中、R5−CH2CH2−、
2はそれぞれ前記一般式(1)におけるR1,R2と同
義である。) また、上記反応式(3)〜(6)により同様にして上記
一般式(2)で表わされるトリカルボニル基含有シラン
化合物も製造することができる。上記反応式(3)に表
わされている二重結合を有する化合物iとして好ましい
のは、アクリル酸クロリド、10−ウンデセノイルクロ
リドである。また、二重結合を有するカルボン酸、例え
ばビニルアセトアセティックアシッドや4−ペンタノイ
ックアシッド等を塩化チオニル、三塩化リン、五塩化リ
ン等により酸クロリド化してもよい。上記反応式(3)
に表わされているジカルボニル化合物は2,4−ペンタ
ンジオン、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘ
プタンジオン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、
アセト酢酸n−ブチル、アセト酢酸t−ブチル、プロピ
オニル酢酸エチル、ブチリル酢酸エチル、ジメチルマロ
ネート、ジエチルマロネート等が挙げられる。上記反応
式(4)に表わされているトリアルコキシシランとして
好ましいのは、トリメトキシシラン、トリエトキシシラ
ン等である。
【0024】上記反応式(5)に表わされている化合物
iiはアセチルクロリド、プロピオニルクロリド、ブチリ
ルクロリド、t−ブチルアセチルクロリド、2−エチル
ブチリルクロリド、バレリルクロリド、イソバレリルク
ロリド、2−メチルバレリルクロリド、ヘキサノイルク
ロリド、2−エチルヘキサノイルクロリド、ヘプタノイ
ルクロリド、オクタノイルクロリド、ノナノイルクロリ
ド、デカノイルクロリド等が挙げられる。上記反応式
(5)に表わされている二重結合を有するジカルボニル
化合物はアセト酢酸アリル等が挙げられる。
【0025】上記反応式(3)および(5)の反応は文
献〔M.W.Rathke,P.J.,Cowan,
J.Org.Chem.,50,2622(1988)
またはJ.Skarzewski,Tetrahedr
on,45,4593〕に基づいて合成できる。すなわ
ち、反応溶媒にジカルボニル化合物と塩化マグネシウム
を混合して混合溶液を得、この混合溶液中にアミンおよ
び化合物iまたはiiを順次滴下する。そしてこれらを滴
下後、反応を十分行わせるために、還流することが好ま
しい。反応時間は5分〜24時間程度で十分である。反
応溶媒としては塩化メチレンまたはアセトニトリル等が
好適である。また、この反応は水分を嫌うので気相から
水分が混入しないように、乾燥した窒素、アルゴン等の
水分を含まない気体の雰囲気下で行うことが好ましい。
反応混合物はカラムクロマトグラフィー、抽出、蒸留等
の既知の手段により精製され、単離されうるが、抽出し
蒸留する方法が簡便で好ましい。また、反応式(4)お
よび(6)のヒドロシリル化反応は、二重結合を有する
トリカルボニル化合物と1〜20倍モル量のトリアルコ
キシシランを、トリカルボニル化合物に対して10-5
10-7倍モル量の塩化白金酸の存在下、室温〜150℃
で数時間反応させることにより合成される。この反応は
特には反応溶媒を必要としないが、トルエン等の溶媒を
用いてもよい。
【0026】反応混合物はカラムクロマトグラフィー、
蒸留等の既知の手段により精製され、単離されうるが、
過剰のトリアルコキシシランを濃縮により除去するのみ
でも純度よくトリカルボニル基含有シラン化合物が得ら
れる。上記トリカルボニル基含有シラン化合物を金属表
面処理剤として用いる場合、その対象金属には特に制限
はないが、銅、鉄鋼、アルミニウムおよびそれらの合金
等の表面処理剤として用いることが好適である。また、
その膜厚は金属の種類および用途によってそれぞれ異な
るが、数分子層〜数百μmが好ましい。上記トリカルボ
ニル基含有シラン化合物は、そのまま金属に塗布しても
よいが、メタノール、エタノール等のアルコール類、ア
セトン、酢酸エチル等の溶剤で0.001〜20重量%
になるように希釈し、この液に金属を浸漬させる方法ま
たはこの液を金属にシャワーする方法で塗布することが
簡便で好ましい。また、それらの希釈液に水酢酸水溶液
または塩酸等を少量添加し、1時間〜24時間程度撹拌
するとシランの加水分解が十分に進行し、シロキサン皮
膜がより厚く形成されるため、本発明の効果を十分に発
揮することができる。
【0027】
【実施例】
I.トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例1 1.アセト酢酸メチルと10−ウンデセノイルクロリド
との反応
【0028】
【化12】
【0029】温度計、還流冷却器、滴下ロートを取り付
けた500mlの四つ口フラスコを十分アルゴンで置換
した後、アセト酢酸メチル0.15mol(17.2
g)、塩化メチレン200ml、塩化マグネシウム0.
15mol(14.1g)を入れた。0℃に冷却した
後、ピリジン0.3mol(23.4g)を加え、15
分間撹拌した。混合液中に10−ウンデセノイルクロリ
ド0.15mol(30g)を滴下し、0℃で1時間撹
拌後、2時間、50℃で撹拌した。反応混合物を0℃に
冷却し、6mol/Lの塩酸を110ml滴下した。十
分に撹拌後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を除去後、減圧蒸留により二重結合を有する
トリカルボニル化合物を得た〔沸点:123.5〜13
0.0℃/0.4mmHg、収率:81%(収量:3
3.8g)〕。得られた化合物はGCにより単成分であ
ることを確認し、1H−NMR、13C−NMR、FT−
IRにより同定した。これらの結果を図1〜3に示す。
図1〜3に示すように、下記の各シグナルが認められ
た。また、本化合物は1H−NMRの積分比より、ほと
んどエノール形で存在することが確認された。
【0030】
【化13】
【0031】 〔図1.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.3(s,3H) b:17.9(s,エノール形),3.4(s,ケト
形) c:3.8(s,3H) d:2.6〜2.7(t,2H) e:1.6(m,2H) f:1.3(m,10H) g:1.9〜2.0(m,2H) h:5.7〜5.9(m,1H) i:4.8〜5.0(m,2H) 〔図2.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:25.7 b:108.1(エノール形),48.0(ケト形) c:51.4 d:37.8 e:25.7 f:28.9〜29.8 g:33.7 h:138.9 i:114.0 jまたはl:195.6または199.0 k:167.4 〔図3.IR(cm-1)〕 νCH:2820〜3030、νC=O:1550〜172
0 2.ヒドロシリル反応
【0032】
【化14】
【0033】温度計、還流冷却器、滴下ロートを取り付
けた500mlの四つ口フラスコを十分アルゴンで置換
した後、トリメトキシシラン0.027mol(3.2
5g)と0.2%のエタノール溶液として塩化白金酸
9.0×10-7mol(0.23ml)を入れた。混合
液中に室温下で上記合成した二重結合を有するトリカル
ボニル化合物0.018mol(5.1g)を滴下し
た。滴下後、70℃、1時間加熱し、真空ポンプで1時
間濃縮することによりトリカルボニル基含有シラン化合
物Aを得た〔収率:96.6%(収量:6.9g)〕。
得られた化合物は1H−NMR、13C−NMR、FT−
IRにより同定した。これらの結果を図4〜6に示す。
図4〜6に示すように、下記の各シグナルが認められ
た。本化合物Aはケト形とエノール形で存在し、その存
在比は1H−NMRより、約29:71(ケト形:エノ
ール形)であることが確認された。
【0034】
【化15】
【0035】 〔図4.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.4(s,3H) b:18.1(s,エノール形),3.7,5.4
(s,ケト形) c:3.8(s,3H) d:2.7(t,2H) e:1.7(m,2H) f:1.2〜1.4(m,10H) g:1.2〜1.4(m,2H) h:1.2〜1.4(m,2H) i:0.6〜0.7(m,2H) j:3.6(s,9H) 〔図5.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:26.2 b:109.1(エノール形),59.1(ケト形) c:52.0 d:38.9 e:26.7 f:30.2〜30.7 g:34.2 h:23.8 i:10.3 j:50.9 kまたはm:196.9または200.4 l:167.9 〔図6.IR(cm-1)〕 νCH:2820〜3030、νC=O:1550〜172
0 νSiOCH3:1080,820 II.トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例2
【0036】
【化16】
【0037】温度計、還流冷却器、滴下ロートを取り付
けた500mlの四つ口フラスコを十分アルゴンで置換
した後、アセト酢酸アリル0.06mol(8.5
g)、塩化メチレン70ml、塩化マグネシウム0.0
6mol(5.7g)を入れた。0℃に冷却した後、ピ
リジン0.12mol(9.5g)を加え、15分間撹
拌した。混合液中にオクタノイルクロリド0.06mo
l(9.8g)を滴下し、0℃で1時間撹拌後、2時
間、50℃で撹拌した。反応混合物を0℃に冷却し、6
mol/Lの塩酸を40ml滴下した。十分に撹拌後、
有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
除去後、減圧蒸留により二重結合を有するトリカルボニ
ル化合物を得た〔沸点:102.2〜104.1℃/
0.55mmHg、収率:67%(収量:10.8
g)〕。得られた化合物はGCにより単成分であること
を確認し、1H−NMR、13C−NMR、FT−IRに
より同定した。これらの結果を図7〜9に示す。図7〜
9に示すように、下記の各シグナルが認められた。本化
合物Aはケト形とエノール形で存在し、その存在比は1
H−NMRの積分比より約10:90(ケト形:エノー
ル形)であることが確認された。
【0038】
【化17】
【0039】 〔図7.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.3(s,3H) b:17.9(s,エノール形),3.4(s,ケト
形) c:4.7(m,2H) d:5.9〜6.0(m,1H) e:5.2〜5.4(m,2H) f:2.6〜2.7(m,2H) g:1.5〜1.7(m,2H) h:1.3(m,8H) i:0.9(m,3H) 〔図8.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:25.6 b:108.1(エノール形),48.0(ケト形) c:65.5 d:131.8 e:118.9 f:37.8 g:25.8 h:29.0〜37.8 i:14.0 jまたはl:198.9または195.7 k:166.7 〔図9.IR(cm-1)〕 νCH:2820〜3030、νC=O:1550〜172
0 2.ヒドロシリル反応
【0040】
【化18】
【0041】温度計、還流冷却器、滴下ロートを取り付
けた500mlの四つ口フラスコを十分アルゴンで置換
した後、トリメトキシシラン0.017mol(2.0
g)と0.2%のエタノール溶液として塩化白金酸5.
5×10-7mol(0.14ml)を入れた。混合液中
に室温下で上記合成した二重結合を有するトリカルボニ
ル化合物0.011mol(2.95g)を滴下した。
滴下後、70℃、1時間加熱し、真空ポンプで1時間濃
縮することによりトリカルボニル基含有シラン化合物B
を得た(収率:89.9%(収量:3.86g)〕。得
られた化合物は1H−NMR、13C−NMR、FT−I
Rにより同定した。これらの結果を図10〜12に示
す。図10〜12に示すように、下記の各シグナルが認
められた。本化合物Bはケト形とエノール形で存在し、
その存在比は1H−NMRの積分比より約18:82
(ケト形:エノール形)であることが確認された。
【0042】
【化19】
【0043】 〔図10.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.1(s,3H) b:17.9(s,エノール形)、5.4,3.4
(s,ケト形) c:4.0〜4.1(m,2H) d:1.6〜1.7(m,2H) e:0.5〜0.6(m,2H) f:3.4(s,9H) g:2.5〜2.6(m,2H) h:1.1〜1.5(m,10H) i:0.8〜0.9(m,3H) 〔図11.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:26.3 b:109.4(エノール形)、100.3,59.3
(ケト形) c:67.6 d:23.2 e:6.8 f:51.0 g:38.9 h:23.4〜32.9 i:14.8 jまたはl:196.8または200.1 k:167.5 〔図12.IR(cm-1)〕 νCH:2820〜3030、νC=O:1550〜172
0 νSiOCH3:1080〜820 III.トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例3 1.アセト酢酸アリルとアセチルクロリドとの反応
【0044】
【化20】
【0045】温度計、還流冷却器、滴下ロートを取り付
けた500mlの四つ口フラスコを十分アルゴンで置換
した後、アセト酢酸アリル0.15mol(21.3
g)、塩化メチレン160ml、塩化マグネシウム0.
15mol(14.3g)を入れた。0℃に冷却した
後、ピリジン0.3mol(23.7g)を加え、15
分間撹拌した。混合液中にアセチルクロリド0.15m
ol(11.8g)を滴下し、0℃で1時間撹拌後、2
時間、50℃で撹拌した。反応混合物を0℃に冷却し、
6mol/Lの塩酸を100ml滴下した。十分に撹拌
後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶
媒を除去後、減圧蒸留により二重結合を有するトリカル
ボニル化合物を得た〔沸点:55.3〜57.5℃/
1.1mmHg、収率:56%(収量:15.5
g)〕。得られた化合物はGCにより単成分であること
を確認し、1H−NMR、13C−NMR、FT−IRに
より同定した。これらの結果を図13〜15に示す。図
13〜15に示すように、下記の各シグナルが認められ
た。本化合物は1H−NMRの積分比より、ほとんどエ
ノール形で存在することが確認された。
【0046】
【化21】
【0047】 〔図13.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.4(s,3H) b:18.0(s,エノール形),3.4(s,ケト
形) c:4.7(m,2H) d:5.9〜6.0(m,1H) e:5.3〜5.4(m,2H) f:2.4(s,3H) 〔図14.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:26.0 b:108.4(エノール形),49.0(ケト形) c:65.3 d:131.8 e:118.8 f:26.0 g:196.5 h:166.5 i:196.5 〔図15.IR(cm-1)〕 νCH:2890〜3100、νC=O:1550〜172
0 2.ヒドロシリル反応
【0048】
【化22】
【0049】温度計、還流冷却器、滴下ロートを取り付
けた500mlの四つ口フラスコを十分アルゴンで置換
した後、トリメトキシシラン0.017mol(2.0
g)と0.2%のエタノール溶液として塩化白金酸5.
5×10-7mol(0.14ml)を入れた。混合液中
に室温下で上記合成した二重結合を有するトリカルボニ
ル化合物0.011mol(2.0g)を滴下した。滴
下後、70℃、1時間加熱し、真空ポンプで1時間濃縮
することによりトリカルボニル基含有シラン化合物Cを
得た(収率:85.5%(収量:2.89g)〕。得ら
れた化合物は1H−NMR、13C−NMR、FT−IR
により同定した。これらの結果を図16〜18に示す。
図16〜18に示すように、下記の各シグナルが認めら
れた。本化合物は1H−NMRの積分比より、ほとんど
エノール形で存在することが確認された。
【0050】
【化23】
【0051】 〔図16.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.3(s,3H) b:17.9(s,1H,エノール形),3.4,5.
4(s,ケト形) c:4.0〜4.1(m,2H) d:1.6〜1.7(m,2H) e:0.6(m,2H) f:3.5(s,9H) g:2.3(m,3H) 〔図17.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:26.5 b:109.4(エノール形),59.4,101.0
(ケト形) c:67.6 d:23.3 e:6.7 f:51.0 g:26.5 h:197.9 i:167.5 j:197.9 〔図18.IR(cm-1)〕 νCH:2820〜3030、νC=O:1550〜172
0 νSiOCH3:1080〜820 IV.銅に対する防錆試験 電解銅箔(日鉱グールド・フォイル製;JTC箔:厚さ
75μm、4.5×4.5cm)の光沢面をアセトンで
脱脂し、3%の硫酸水溶液で洗浄した。この銅箔に上記
のトリカルボニル基含有シラン化合物A〜Cの6%メタ
ノール溶液をスピンコーターで塗布後、150℃、30
分間乾燥させ、0.3μmのトリカルボニル基含有シラ
ン化合物A〜Cの薄膜を作成し、これを試験片とした。
この試験片を温度80℃、湿度95%の恒温恒湿槽に2
4時間入れ、変色の程度で耐湿性を評価した。また、1
80℃、30分間熱処理し、変色の程度で耐熱性を評価
した。この結果を表1に示した。また比較としてなにも
塗布していない銅箔についても同様に評価した。その結
果を表1に併せて示した。
【0052】
【表1】
【0053】V.炭素鋼に対する防錆試験 炭素鋼(S.45C、日本テストパネル製、厚さ2.0
mm、5.5×5.5cm)を1000番のハンドペー
パーで研磨後、アセトンで5分間超音波洗浄した。この
炭素鋼表面に上記のトリカルボニル基含有シラン化合物
Aの所定濃度メタノール溶液(濃度および添加剤は表2
参照)をスピンコーター(500回転、60秒)で塗布
後、150℃、30分間乾燥させ、トリカルボニル基含
有シラン化合物Aの薄膜を作成し、これを試験片とし
た。この試験片を温度80℃、湿度95%の恒温恒湿槽
に24時間入れ、変色の程度で耐湿性を評価した。結果
を表2に示した。また3%塩化ナトリウム水溶液中に2
4時間浸漬し、変色の程度で耐塩水性を評価した。この
結果を表2に示した。また比較としてなにも塗布してい
ない炭素鋼についても同様に評価した。その結果を表2
に併せて示した。
【0054】
【表2】
【0055】VI.アルミニウムに対する防錆試験 アルミ板(A5052P、日本テストパネル製、厚さ
2.0mm、5.5×5.5cm)をアセトンで5分間
超音波洗浄し、5%Na2CO3水溶液に30分間浸漬後
水洗した。このアルミ板表面に上記のトリカルボニル基
含有シラン化合物A〜Cの2%メタノール溶液をスピン
コーター(500回転、60秒)で塗布後、150℃、
30分間乾燥させ、トリカルボニル基含有シラン化合物
の薄膜を作成し、これを試験片とした。この試験片を沸
騰水に1時間浸漬し、変色の程度で耐湿性を評価した。
この結果を表3に示した。また比較としてなにも塗布し
ていないアルミニウムについても同様に評価した。その
結果を表3に併せて示した。
【0056】
【表3】
【0057】また、トリカルボニル基含有シラン化合物
A〜Cの0.1%メタノール溶液を上記と同様の方法で
アルミ板に表面処理した後、エポキシ樹脂(エピコート
828:100部、LX2S:60部、メタノール:1
00部)をスピンコーターにより塗布し、70℃、3時
間熱処理し、厚さ20μmのエポキシ樹脂被膜を作成し
た。この試験片を5%食塩水に2日間浸漬後、碁盤目試
験を行い樹脂との接着性を評価した。その結果を表4に
示した。また、比較としてなにも塗布していないアルミ
ニウムについても同様に評価した。その結果を表4に併
せて示した。
【0058】
【表4】
【0059】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のトリカル
ボニル基含有シラン化合物は金属表面処理剤、特に銅、
鉄鋼、アルミニウムの表面処理剤として有用なもので、
耐熱性、防錆および樹脂との接着性に優れるという効果
を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例1
で得られた中間体の1H−NMR、
【図2】同13C−NMR、
【図3】同FT−IR、
【図4】トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例1
で得られた同化合物の1H−NMR、
【図5】同13C−NMR、
【図6】同FT−IR、
【図7】トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例2
で得られた中間体の1H−NMR、
【図8】同13C−NMR、
【図9】同FT−IR、
【図10】トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例
2で得られた同化合物の1H−NMR、
【図11】同13C−NMR、
【図12】同FT−IR、
【図13】トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例
3で得られた中間体の1H−NMR、
【図14】同13C−NMR、
【図15】同FT−IR、
【図16】トリカルボニル基含有シラン化合物の合成例
3で得られた同化合物の1H−NMR、
【図17】同13C−NMR、
【図18】同FT−IR。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成7年9月12日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】
【化5】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【化6】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】反応混合物はカラムクロマトグラフィー、
蒸留等の既知の手段により精製され、単離されうるが、
過剰のトリアルコキシシランを濃縮により除去するのみ
でも純度よくトリカルボニル基含有シラン化合物が得ら
れる。上記トリカルボニル基含有シラン化合物を金属表
面処理剤として用いる場合、その対象金属には特に制限
はないが、銅、鉄鋼、アルミニウムおよびそれらの合金
等の表面処理剤として用いることが好適である。また、
その膜厚は金属の種類および用途によってそれぞれ異な
るが、数分子層〜数百μmが好ましい。上記トリカルボ
ニル基含有シラン化合物は、そのまま金属に塗布しても
よいが、メタノール、エタノール等のアルコール類、ア
セトン、酢酸エチル等の溶剤で0.001〜20重量%
になるように希釈し、この液に金属を浸漬させる方法ま
たはこの液を金属にシャワーする方法で塗布することが
簡便で好ましい。また、それらの希釈液に水、酢酸水溶
液または塩酸等を少量添加し、1時間〜24時間程度撹
拌するとシランの加水分解が十分に進行し、シロキサン
皮膜がより厚く形成されるため、本発明の効果を十分に
発揮することができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】変更
【補正内容】
【0031】 〔図1.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.3(s,3H) b:17.9(s,エノール形),3.4(s,ケト
形) c:3.8(s,3H) d:2.6〜2.7(t,2H) e:1.6(m,2H) f:1.3(m,10H) g:1.9〜2.0(m,2H) h:5.7〜5.9(m,1H) i:4.8〜5.0(m,2H) 〔図2.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:25.7 b:108.1(エノール形),48.0(ケト形) c:51.4 d:37.8 e:25.7 f:28.9〜29.8 g:33.7 h:138.9 i:114.0 jまたはl:195.6または199.0 k:167.4 〔図3.IR(cm-1)〕 νCH:2820〜3030、νC=O:1550〜172
0 2.ヒドロシリル反応
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0039
【補正方法】変更
【補正内容】
【0039】 〔図7.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.3(s,3H) b:17.9(s,エノール形),3.4(s,ケト
形) c:4.7(m,2H) d:5.9〜6.0(m,1H) e:5.2〜5.4(m,2H) f:2.6〜2.7(m,2H) g:1.5〜1.7(m,2H) h:1.3(m,8H) i:0.9(m,3H) 〔図8.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:25.6 b:108.1(エノール形),48.0(ケト形) c:65.5 d:131.8 e:118.9 f:37.8 g:25.8 h:29.0〜37.8 i:14.0 jまたはl:198.9または195.7 k:166.7 〔図9.IR(cm-1)〕 νCH:2820〜3030、νC=O:1550〜172
0 2.ヒドロシリル反応
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0047
【補正方法】変更
【補正内容】
【0047】 〔図13.1H−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:2.4(s,3H) b:18.0(s,エノール形),3.4(s,ケト
形) c:4.7(m,2H) d:5.9〜6.0(m,1H) e:5.3〜5.4(m,2H) f:2.4(s,3H) 〔図14.13C−NMR(CDCl3,δppm)〕 a:26.0 b:108.4(エノール形),49.0(ケト形) c:65.3 d:131.8 e:118.8 f:26.0 g:196.5 h:166.5 i:196.5 〔図15.IR(cm-1)〕 νCH:2890〜3100、νC=O:1550〜172
0 2.ヒドロシリル反応
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0053
【補正方法】変更
【補正内容】
【0053】V.炭素鋼に対する防錆試験 炭素鋼(S.45C、日本テストパネル製、厚さ2.0
mm、5.5×5.5cm)を1000番のンドペー
パーで研磨後、アセトンで5分間超音波洗浄した。この
炭素鋼表面に上記のトリカルボニル基含有シラン化合物
Aの所定濃度メタノール溶液(濃度および添加剤は表2
参照)をスピンコーター(500回転、60秒)で塗布
後、150℃、30分間乾燥させ、トリカルボニル基含
有シラン化合物Aの薄膜を作成し、これを試験片とし
た。この試験片を温度80℃、湿度95%の恒温恒湿槽
に24時間入れ、変色の程度で耐湿性を評価した。結果
を表2に示した。また3%塩化ナトリウム水溶液中に2
4時間浸漬し、変色の程度で耐塩水性を評価した。この
結果を表2に示した。また比較としてなにも塗布してい
ない炭素鋼についても同様に評価した。その結果を表2
に併せて示した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/38 6921−4E H05K 3/38 B

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1)で表わされる新規トリ
    カルボニル基含有ケイ素化合物。 【化1】 〔ただし、該トリカルボニル基含有ケイ素化合物は、上
    記一般式(1)の互変異性体であるエノール形も含む。
    また、一般式(1)においてR1は炭素数2〜10のア
    ルキレン基、R2は炭素数1〜5のアルキル基、R3,R
    4は炭素数1〜10のアルキル基であって、かつR3,R
    4の少なくともいずれかが炭素数1〜5のとき、R1は炭
    素数6〜10であり、またR1の炭素数が1〜5のと
    き、R3,R4の少なくともいずれかが炭素数6〜10で
    あり、x,y,zはそれぞれ0または1を示す。〕
  2. 【請求項2】 下記一般式(2)で表わされるトリカル
    ボニル基含有ケイ素化合物を有効成分とする金属表面処
    理剤。 【化2】 〔ただし、該トリカルボニル基含有ケイ素化合物は、上
    記一般式(2)の互変異性体であるエノール形も含む。
    また、一般式(2)においてR1は炭素数2〜10のア
    ルキレン基、R2は炭素数1〜5のアルキル基、R3,R
    4はそれぞれ炭素数1〜10のアルキル基、x,y,z
    はそれぞれ0または1を示す。〕
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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