JPH09307399A - モノリシック表面弾性波デュプレクサおよびその製造方法 - Google Patents
モノリシック表面弾性波デュプレクサおよびその製造方法Info
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- JPH09307399A JPH09307399A JP8341112A JP34111296A JPH09307399A JP H09307399 A JPH09307399 A JP H09307399A JP 8341112 A JP8341112 A JP 8341112A JP 34111296 A JP34111296 A JP 34111296A JP H09307399 A JPH09307399 A JP H09307399A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 送信および受信フィルタとそれらを補助する
フィルタとストリップラインを表面弾性波素子で形成し
て送受信信号の分離特性を改善すると共に、単一工程に
より単一チップで小型化できるモノリシック表面弾性波
デュプレクサを提供する。 【解決手段】 モノリシック表面弾性波デュプレクサに
関し、単一圧電体基板上に送信ボンディングパッド（１
１０）、送信共振器（１２０）、マイクロストリップラ
イン（１３０）、入出力ボンディングパッド（１４
０）、バンドパスフィルタ（１５０）、受信共振器（１
６０）、受信ボンディングパッド（１７０）、グラウン
ドボンディングパッド（１８０）およびグラウンドパタ
ーン（１９０）をモノリシック表面弾性波素子の製造技
法を用いて単一工程で形成する。
フィルタとストリップラインを表面弾性波素子で形成し
て送受信信号の分離特性を改善すると共に、単一工程に
より単一チップで小型化できるモノリシック表面弾性波
デュプレクサを提供する。 【解決手段】 モノリシック表面弾性波デュプレクサに
関し、単一圧電体基板上に送信ボンディングパッド（１
１０）、送信共振器（１２０）、マイクロストリップラ
イン（１３０）、入出力ボンディングパッド（１４
０）、バンドパスフィルタ（１５０）、受信共振器（１
６０）、受信ボンディングパッド（１７０）、グラウン
ドボンディングパッド（１８０）およびグラウンドパタ
ーン（１９０）をモノリシック表面弾性波素子の製造技
法を用いて単一工程で形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、モノリシック
（MONOLITHIC）表面弾性波（SAW）デュプレクサに関
し、特に送受信用ＳＡＷフィルタ、受信信号除去用マイ
クロストリップラインおよび送信信号除去用ＳＡＷフィ
ルタを圧電基板に単一工程により単一チップで構成して
形成したモノリシック表面弾性波デュプレクサに関す
る。
（MONOLITHIC）表面弾性波（SAW）デュプレクサに関
し、特に送受信用ＳＡＷフィルタ、受信信号除去用マイ
クロストリップラインおよび送信信号除去用ＳＡＷフィ
ルタを圧電基板に単一工程により単一チップで構成して
形成したモノリシック表面弾性波デュプレクサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、無線通信装置では一つのアン
テナを送信と受信に共同に使用するために、図１に示す
通り、アンテナ（ANT）端に送信フィルタ、受信フィル
タおよび整合回路で構成されたデュプレクサ（DUP）を
使用する。アンテナ（ANT）で受信された受信信号は上
記デュプレクサ（DUP）を通じて受信装置（Rx）に入力
されてバンドパスフィルタ（BDF1）と受信増幅器（RF
A）を経てミキサ（Mixer）（1stMIX、2ndMIX）で中間周
波数（Intermidiate Frequency）に切換えられ、検波器
（DISC）で復調され、ベースバンド処理部（Baseband）
でベースバンド信号になってスピーカで出力されたり、
中央処理装置（Central Processing Unit）（CPU）でデ
ータに出力されてディスプレーに表示される。
テナを送信と受信に共同に使用するために、図１に示す
通り、アンテナ（ANT）端に送信フィルタ、受信フィル
タおよび整合回路で構成されたデュプレクサ（DUP）を
使用する。アンテナ（ANT）で受信された受信信号は上
記デュプレクサ（DUP）を通じて受信装置（Rx）に入力
されてバンドパスフィルタ（BDF1）と受信増幅器（RF
A）を経てミキサ（Mixer）（1stMIX、2ndMIX）で中間周
波数（Intermidiate Frequency）に切換えられ、検波器
（DISC）で復調され、ベースバンド処理部（Baseband）
でベースバンド信号になってスピーカで出力されたり、
中央処理装置（Central Processing Unit）（CPU）でデ
ータに出力されてディスプレーに表示される。
【０００３】さらに、マイクロホン（Microphone）やダ
イヤルパッド（Dial Pad）で入力される信号は変調部
（MOD）で変調され、ミキサ（MIX）で送信局部発振器
（TCXO）で出力される信号と混合される。ミキサ（MI
X）で出力された信号は送信増幅器（DRV）、バンドパス
フィルタ（BPF3）、電力増幅器（Power Amplifier）お
よびバンドパスフィルタ（BPF4）を通じてデュプレクサ
（DUP）に入力される。デュプレクサ（DUP）は入力され
る信号を受信装置（Rx）側に出力しないで、アンテナ
（ANT）を通じて空中に放射する（Radiate）。
イヤルパッド（Dial Pad）で入力される信号は変調部
（MOD）で変調され、ミキサ（MIX）で送信局部発振器
（TCXO）で出力される信号と混合される。ミキサ（MI
X）で出力された信号は送信増幅器（DRV）、バンドパス
フィルタ（BPF3）、電力増幅器（Power Amplifier）お
よびバンドパスフィルタ（BPF4）を通じてデュプレクサ
（DUP）に入力される。デュプレクサ（DUP）は入力され
る信号を受信装置（Rx）側に出力しないで、アンテナ
（ANT）を通じて空中に放射する（Radiate）。
【０００４】上記の通り、デュプレクサ（DUP）は送信
するときには送信出力から受信装置（Rx）を保護し、受
信するときには反響（Echo）信号を受信装置（Rx）に供
給するために基本的に受信側バンドパスフィルタ、送信
側バンドパスフィルタで構成される。
するときには送信出力から受信装置（Rx）を保護し、受
信するときには反響（Echo）信号を受信装置（Rx）に供
給するために基本的に受信側バンドパスフィルタ、送信
側バンドパスフィルタで構成される。
【０００５】携帯電話機（Portable Phone）、移動電話
機（Mobile Phone）等の移動通信装置（Mobile Communi
cation System）ではデュプレクサ（DUP）に誘電体（Di
electric）フィルタを用いるのが一般的であるが、誘電
体フィルタは体積が大きいため、経量・小型化趨勢にあ
る移動通信装置で大きな体積を占めるので、誘電体フィ
ルタを他の小さいフィルタに代替するのが小型・経量化
のための必須的な課題である。
機（Mobile Phone）等の移動通信装置（Mobile Communi
cation System）ではデュプレクサ（DUP）に誘電体（Di
electric）フィルタを用いるのが一般的であるが、誘電
体フィルタは体積が大きいため、経量・小型化趨勢にあ
る移動通信装置で大きな体積を占めるので、誘電体フィ
ルタを他の小さいフィルタに代替するのが小型・経量化
のための必須的な課題である。
【０００６】表面弾性波（SAW : Surface Acoustic Wav
e）フィルタは極めて小型に（例えば、３×３ｍｍ）製
作することができるため、誘電体フィルタを代替するフ
ィルタとして用いることができ、ＳＡＷフィルタを用い
たデュプレクサの一例が日本特許公開平６−６１１１号
公報に開示されているが、受信フィルタはＳＡＷフィル
タとして用いるけれども、送信フィルタは従来の誘電体
フィルタをそのまま用いて経量・小型化に不十分な点が
ある。
e）フィルタは極めて小型に（例えば、３×３ｍｍ）製
作することができるため、誘電体フィルタを代替するフ
ィルタとして用いることができ、ＳＡＷフィルタを用い
たデュプレクサの一例が日本特許公開平６−６１１１号
公報に開示されているが、受信フィルタはＳＡＷフィル
タとして用いるけれども、送信フィルタは従来の誘電体
フィルタをそのまま用いて経量・小型化に不十分な点が
ある。
【０００７】従来の送信フィルタおよび受信フィルタを
ＳＡＷフィルタとして代替したデュプレクサが図２に示
されている。図２に示す通り、二つの分離された送信用
ＳＡＷフィルタ（１１）と受信用ＳＡＷフィルタ（２
１）および二つのマイクロストリップライン（Microstr
ip Line）（１２、２２）が一つの基板（２３）に形成
されて一つのパッケージ（package）に封じられてアン
テナ（ANT）に連結されている。マイクロストリップラ
イン（１２、２２）はノッチフィルタ（Notch Filter）
の働きをしてマイクロストリップライン（１２）はアン
テナ（ANT）から入って来る受信信号が送信部に入力さ
れるのを遮断し、マイクロストリップライン（２２）は
送信装置の電力増幅器から出力される高出力の送信信号
が受信部に戻るのを防ぐ。
ＳＡＷフィルタとして代替したデュプレクサが図２に示
されている。図２に示す通り、二つの分離された送信用
ＳＡＷフィルタ（１１）と受信用ＳＡＷフィルタ（２
１）および二つのマイクロストリップライン（Microstr
ip Line）（１２、２２）が一つの基板（２３）に形成
されて一つのパッケージ（package）に封じられてアン
テナ（ANT）に連結されている。マイクロストリップラ
イン（１２、２２）はノッチフィルタ（Notch Filter）
の働きをしてマイクロストリップライン（１２）はアン
テナ（ANT）から入って来る受信信号が送信部に入力さ
れるのを遮断し、マイクロストリップライン（２２）は
送信装置の電力増幅器から出力される高出力の送信信号
が受信部に戻るのを防ぐ。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、一つのパ
ッケージに二つのＳＡＷフィルタチップと二つのマイク
ロストリップラインを形成した表面弾性波デュプレクサ
は、マイクロストリップラインが入出力信号を分離する
フィルタとしての作用が不充分であるため、高出力の送
信信号が受信部に戻るのを遮断する効率が不充分である
のみならず、微弱な受信信号にまで影響を及ぼして信号
対雑音比が低くなって受信感度が悪く、甚しい場合には
受信が不可能になる可能性がある。
ッケージに二つのＳＡＷフィルタチップと二つのマイク
ロストリップラインを形成した表面弾性波デュプレクサ
は、マイクロストリップラインが入出力信号を分離する
フィルタとしての作用が不充分であるため、高出力の送
信信号が受信部に戻るのを遮断する効率が不充分である
のみならず、微弱な受信信号にまで影響を及ぼして信号
対雑音比が低くなって受信感度が悪く、甚しい場合には
受信が不可能になる可能性がある。
【０００９】なお、分離された多数の素子を一つのパッ
ケージ内に入れることにより原価上昇と製造工程上の複
雑性をもたらし、単一チップで形成するものに比べてサ
イズが大きくなる問題点がある。
ケージ内に入れることにより原価上昇と製造工程上の複
雑性をもたらし、単一チップで形成するものに比べてサ
イズが大きくなる問題点がある。
【００１０】本発明は、上記の如き問題点を解決するた
めのものであって、本発明の目的は、送信および受信フ
ィルタとそれらを補助するフィルタとストリップライン
を表面弾性波素子で形成して送受信信号の分離特性を改
善するモノリシック表面弾性波デュプレクサを提供する
ことである。
めのものであって、本発明の目的は、送信および受信フ
ィルタとそれらを補助するフィルタとストリップライン
を表面弾性波素子で形成して送受信信号の分離特性を改
善するモノリシック表面弾性波デュプレクサを提供する
ことである。
【００１１】本発明の別の目的は、送信および受信フィ
ルタとそれらを補助するフィルタとストリップラインを
表面弾性波素子で一つの基板に形成して単一工程により
単一チップで小型化することができるモノリシック表面
弾性波デュプレクサを提供することである。
ルタとそれらを補助するフィルタとストリップラインを
表面弾性波素子で一つの基板に形成して単一工程により
単一チップで小型化することができるモノリシック表面
弾性波デュプレクサを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の如き目的を達成す
るために本発明に係るデュプレクサは、圧電基板と、上
記圧電基板上に表面弾性波素子で形成された送信および
受信フィルタと、上記送信フィルタから出力される送信
周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナで出力する
ストリップラインと、上記アンテナで受信される信号の
うち受信帯域の信号のみを通過させて、上記送信信号を
除去して上記受信フィルタに出力し、表面弾性波素子で
形成された送信信号除去用フィルタと、上記送信フィル
タと受信フィルタの間に設置され、それらの間に伝播さ
れる表面弾性波（surface Acoustic Wave）を除去する
吸音材で構成される。
るために本発明に係るデュプレクサは、圧電基板と、上
記圧電基板上に表面弾性波素子で形成された送信および
受信フィルタと、上記送信フィルタから出力される送信
周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナで出力する
ストリップラインと、上記アンテナで受信される信号の
うち受信帯域の信号のみを通過させて、上記送信信号を
除去して上記受信フィルタに出力し、表面弾性波素子で
形成された送信信号除去用フィルタと、上記送信フィル
タと受信フィルタの間に設置され、それらの間に伝播さ
れる表面弾性波（surface Acoustic Wave）を除去する
吸音材で構成される。
【００１３】さらに、送信ボンディングパッド、送信共
振器、マイクロストリップライン、入出力ボンディング
パッド、バンドパスフィルタ、受信共振器、受信ボンデ
ィングパッド、グラウンドボンディングパッドおよびグ
ラウンドパターンを圧電体基板上に形成するためのマス
クを製作して、そのマスクを利用してモノリシック表面
弾性波素子の製造技法を用いて単一工程でモノリシック
表面弾性波デュプレクサを製造する。
振器、マイクロストリップライン、入出力ボンディング
パッド、バンドパスフィルタ、受信共振器、受信ボンデ
ィングパッド、グラウンドボンディングパッドおよびグ
ラウンドパターンを圧電体基板上に形成するためのマス
クを製作して、そのマスクを利用してモノリシック表面
弾性波素子の製造技法を用いて単一工程でモノリシック
表面弾性波デュプレクサを製造する。
【００１４】請求項１のモノリシック表面弾性波デュプ
レクサは、圧電基板と、上記圧電基板上に表面弾性波素
子で形成された送信および受信共振器と、上記圧電基板
上に形成され、上記送信共振器から出力される送信周波
数帯域の信号のみを通過させてアンテナに出力するマイ
クロストリップラインと、上記アンテナで受信される信
号のうち受信帯域の信号のみを通過させ、上記送信信号
を除去して上記受信共振器に出力し、上記圧電基板上に
表面弾性波素子で形成された送信信号除去用フィルタを
具備することを特徴としている。
レクサは、圧電基板と、上記圧電基板上に表面弾性波素
子で形成された送信および受信共振器と、上記圧電基板
上に形成され、上記送信共振器から出力される送信周波
数帯域の信号のみを通過させてアンテナに出力するマイ
クロストリップラインと、上記アンテナで受信される信
号のうち受信帯域の信号のみを通過させ、上記送信信号
を除去して上記受信共振器に出力し、上記圧電基板上に
表面弾性波素子で形成された送信信号除去用フィルタを
具備することを特徴としている。
【００１５】また、請求項２のモノリシック表面弾性波
デュプレクサは、請求項１のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記送信共振器と受信共振器間に
グラウンドパターンを具備することを特徴としている。
デュプレクサは、請求項１のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記送信共振器と受信共振器間に
グラウンドパターンを具備することを特徴としている。
【００１６】また、請求項３のモノリシック表面弾性波
デュプレクサは、請求項１のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記送信信号除去用フィルタと上
記入出力ボンディングパッドに連結されて、アンテナで
受信した受信信号が入力される入力電極と、上記受信共
振器に受信信号を出力する出力電極で構成されるバンド
パス表面弾性波フィルタであることを特徴としている。
デュプレクサは、請求項１のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記送信信号除去用フィルタと上
記入出力ボンディングパッドに連結されて、アンテナで
受信した受信信号が入力される入力電極と、上記受信共
振器に受信信号を出力する出力電極で構成されるバンド
パス表面弾性波フィルタであることを特徴としている。
【００１７】また、請求項４のモノリシック表面弾性波
デュプレクサは、請求項１のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記マイクロストリップライン
は、送信周波数の信号がよく通過されるフィルタ役割を
する幾何学的構造で形成されることを特徴としている。
デュプレクサは、請求項１のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記マイクロストリップライン
は、送信周波数の信号がよく通過されるフィルタ役割を
する幾何学的構造で形成されることを特徴としている。
【００１８】また、請求項５のモノリシック表面弾性波
デュプレクサは、請求項２のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記グラウンドパターン上に吸音
手段を設置することを特徴としている。
デュプレクサは、請求項２のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記グラウンドパターン上に吸音
手段を設置することを特徴としている。
【００１９】また、請求項６のモノリシック表面弾性波
デュプレクサは、請求項５のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記吸音手段は、ポリマー系の合
成樹脂であることを特徴としている。
デュプレクサは、請求項５のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記吸音手段は、ポリマー系の合
成樹脂であることを特徴としている。
【００２０】また、請求項７のモノリシック表面弾性波
デュプレクサは、請求項６のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記ポリマー系の合成樹脂は、厚
さが２０μｍ〜３０μｍに上記グラウンドパターンに塗
ることを特徴としている。
デュプレクサは、請求項６のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記ポリマー系の合成樹脂は、厚
さが２０μｍ〜３０μｍに上記グラウンドパターンに塗
ることを特徴としている。
【００２１】また、請求項８のモノリシック表面弾性波
デュプレクサは、請求項６のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記合成樹脂が上記送信共振器お
よび受信共振器の反射電極領域およびアクティブ領域を
侵犯しない範囲内で塗布されることを特徴としている。
デュプレクサは、請求項６のモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサにおいて、上記合成樹脂が上記送信共振器お
よび受信共振器の反射電極領域およびアクティブ領域を
侵犯しない範囲内で塗布されることを特徴としている。
【００２２】また、請求項９のモノリシック表面弾性波
デュプレクサは、圧電基板と、上記圧電基板上に表面弾
性波素子で形成された送信および受信共振器と、上記圧
電基板上に形成され、上記送信共振器から出力される送
信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナに出力す
るマイクロストリップラインと、上記アンテナで受信さ
れる信号のうち受信帯域の信号のみを通過させ、上記送
信信号を除去して上記受信共振器に出力し、上記圧電基
板上に表面弾性波素子で形成された送信信号除去用フィ
ルタと、上記送信共振器と受信共振器間に設置されて、
それら間に伝播される表面弾性波を除去する吸音手段を
具備することを特徴としている。
デュプレクサは、圧電基板と、上記圧電基板上に表面弾
性波素子で形成された送信および受信共振器と、上記圧
電基板上に形成され、上記送信共振器から出力される送
信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナに出力す
るマイクロストリップラインと、上記アンテナで受信さ
れる信号のうち受信帯域の信号のみを通過させ、上記送
信信号を除去して上記受信共振器に出力し、上記圧電基
板上に表面弾性波素子で形成された送信信号除去用フィ
ルタと、上記送信共振器と受信共振器間に設置されて、
それら間に伝播される表面弾性波を除去する吸音手段を
具備することを特徴としている。
【００２３】また、請求項１０のモノリシック表面弾性
波デュプレクサは、請求項９のモノリシック表面弾性波
デュプレクサにおいて、上記送信および受信共振器は、
反射電極対と、上記反射電極対間に形成される入力電極
および出力電極で構成されることを特徴としている。
波デュプレクサは、請求項９のモノリシック表面弾性波
デュプレクサにおいて、上記送信および受信共振器は、
反射電極対と、上記反射電極対間に形成される入力電極
および出力電極で構成されることを特徴としている。
【００２４】また、請求項１１のモノリシック表面弾性
波デュプレクサは、請求項９のモノリシック表面弾性波
デュプレクサにおいて、上記マイクロストリップライン
は、送信周波数の信号がよく通過されるフィルタ役割を
する幾何学的構造で形成されることを特徴としている。
波デュプレクサは、請求項９のモノリシック表面弾性波
デュプレクサにおいて、上記マイクロストリップライン
は、送信周波数の信号がよく通過されるフィルタ役割を
する幾何学的構造で形成されることを特徴としている。
【００２５】また、請求項１２のモノリシック表面弾性
波デュプレクサは、請求項９のモノリシック表面弾性波
デュプレクサにおいて、上記吸音手段は、ポリマー系の
合成樹脂であることを特徴としている。
波デュプレクサは、請求項９のモノリシック表面弾性波
デュプレクサにおいて、上記吸音手段は、ポリマー系の
合成樹脂であることを特徴としている。
【００２６】また、請求項１３のモノリシック表面弾性
波デュプレクサは、請求項１２のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、上記ポリマー系の合成樹脂
は、厚さが２０μｍ〜３０μｍに上記グラウンドパター
ンに塗ることを特徴としている。
波デュプレクサは、請求項１２のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、上記ポリマー系の合成樹脂
は、厚さが２０μｍ〜３０μｍに上記グラウンドパター
ンに塗ることを特徴としている。
【００２７】また、請求項１４のモノリシック表面弾性
波デュプレクサは、請求項１２のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、上記合成樹脂が上記送信共振
器および受信共振器の反射電極領域およびアクティブ領
域を侵犯しない範囲内で塗布されることを特徴としてい
る。
波デュプレクサは、請求項１２のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、上記合成樹脂が上記送信共振
器および受信共振器の反射電極領域およびアクティブ領
域を侵犯しない範囲内で塗布されることを特徴としてい
る。
【００２８】また、請求項１５のモノリシック表面弾性
波デュプレクサは、圧電基板と、上記圧電基板上に表面
弾性波素子で形成された送信および受信共振器と、上記
圧電基板上に形成され、上記送信共振器から出力される
送信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナに出力
するマイクロストリップラインと、上記アンテナで受信
される信号のうち受信帯域の信号のみを通過させ、上記
送信信号を除去して上記受信共振器に出力し、上記圧電
基板上に表面弾性波素子で形成された送信信号除去用フ
ィルタと、上記送信共振器と受信共振器間に設置され
て、それら間に伝播される表面弾性波を除去する溝（Gr
ooving）を具備することを特徴としている。
波デュプレクサは、圧電基板と、上記圧電基板上に表面
弾性波素子で形成された送信および受信共振器と、上記
圧電基板上に形成され、上記送信共振器から出力される
送信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナに出力
するマイクロストリップラインと、上記アンテナで受信
される信号のうち受信帯域の信号のみを通過させ、上記
送信信号を除去して上記受信共振器に出力し、上記圧電
基板上に表面弾性波素子で形成された送信信号除去用フ
ィルタと、上記送信共振器と受信共振器間に設置され
て、それら間に伝播される表面弾性波を除去する溝（Gr
ooving）を具備することを特徴としている。
【００２９】また、請求項１６のモノリシック表面弾性
波デュプレクサの製造方法は、請求項１５に記載のモノ
リシック表面弾性波デュプレクサの上記溝をアルゴン
（Ar）イオンビームガン（Ion Beam Gun）を用いて形成
することを特徴としている。
波デュプレクサの製造方法は、請求項１５に記載のモノ
リシック表面弾性波デュプレクサの上記溝をアルゴン
（Ar）イオンビームガン（Ion Beam Gun）を用いて形成
することを特徴としている。
【００３０】また、請求項１７のモノリシック表面弾性
波デュプレクサは、多数の送信ボンディングパッドを具
備する送信ボンディングパッド部と、表面弾性波素子で
構成され、それぞれ周波数特性が異なる多数の送信用共
振器を含む送信用共振器部と、表面弾性波素子で構成さ
れ、それぞれ周波数特性が異なる多数のマイクロストリ
ップラインを含むマイクロストリップライン部と、上記
多数のマイクロストリップラインと連結されてその信号
をアンテナに伝達し、上記アンテナで受信された信号を
出力する入出力ボンディングパッドと、表面弾性波素子
で構成され、上記入出力ボンディングパッドから出力さ
れる信号を受けて受信周波数帯域の信号のみを通過させ
るバンドパスフィルタと、上記バンドパスフィルタから
出力される受信信号をそれぞれ受けてその周波数特性に
合う信号を出力する多数の受信共振器を含む受信共振器
部と、上記受信共振器部の各受信共振器にそれぞれ連結
されて受信部の増幅器に出力する多数の受信ボンディン
グパッドを含む受信ボンディングパッド部とを一つの圧
電基板に形成したことを特徴としている。
波デュプレクサは、多数の送信ボンディングパッドを具
備する送信ボンディングパッド部と、表面弾性波素子で
構成され、それぞれ周波数特性が異なる多数の送信用共
振器を含む送信用共振器部と、表面弾性波素子で構成さ
れ、それぞれ周波数特性が異なる多数のマイクロストリ
ップラインを含むマイクロストリップライン部と、上記
多数のマイクロストリップラインと連結されてその信号
をアンテナに伝達し、上記アンテナで受信された信号を
出力する入出力ボンディングパッドと、表面弾性波素子
で構成され、上記入出力ボンディングパッドから出力さ
れる信号を受けて受信周波数帯域の信号のみを通過させ
るバンドパスフィルタと、上記バンドパスフィルタから
出力される受信信号をそれぞれ受けてその周波数特性に
合う信号を出力する多数の受信共振器を含む受信共振器
部と、上記受信共振器部の各受信共振器にそれぞれ連結
されて受信部の増幅器に出力する多数の受信ボンディン
グパッドを含む受信ボンディングパッド部とを一つの圧
電基板に形成したことを特徴としている。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の一実施の形態を詳細に説明する。
発明の一実施の形態を詳細に説明する。
【００３２】図３は本発明によるモノリシック表面弾性
波デュプレクサの構成を示すブロック図である。
波デュプレクサの構成を示すブロック図である。
【００３３】本発明によるモノリシック表面弾性波デュ
プレクサは、圧電基板（１００）と、上記圧電基板（１
００）上に表面弾性波素子で形成された送信および受信
共振器（１２０、１６０）と、上記圧電基板（１００）
上に形成され、上記送信共振器（１２０）から出力され
る送信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナ（AN
T）で出力するマスクロストリップライン（１３０）
と、上記アンテナ（ANT）で受信される信号のうち受信
帯域の信号のみを通過させ、上記送信信号を除去して上
記受信共振器（１６０）に出力し、上記圧電基板（１０
０）上に表面弾性波素子で形成された送信信号除去用バ
ンドパスフィルタ（１５０）で構成される。
プレクサは、圧電基板（１００）と、上記圧電基板（１
００）上に表面弾性波素子で形成された送信および受信
共振器（１２０、１６０）と、上記圧電基板（１００）
上に形成され、上記送信共振器（１２０）から出力され
る送信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナ（AN
T）で出力するマスクロストリップライン（１３０）
と、上記アンテナ（ANT）で受信される信号のうち受信
帯域の信号のみを通過させ、上記送信信号を除去して上
記受信共振器（１６０）に出力し、上記圧電基板（１０
０）上に表面弾性波素子で形成された送信信号除去用バ
ンドパスフィルタ（１５０）で構成される。
【００３４】図４に本発明によるモノリシック表面弾性
波デュプレクサの一例を例示する。本発明に係るモノリ
シック表面弾性波デュプレクサは圧電基板（１００）に
形成され、圧電基板（１００）は水晶（ｃｒｙｓｔａ
ｌ）、LiTaO3、LiNbO3等のような圧電体で製作される。
送信ボンディングパッド（Bonding Pad）（１１０）に
は送信用電力増幅器（Power Amplifier）から出力され
る送信信号が入力される。送信共振器（１２０）は、上
記圧電基板（１００）上に表面弾性波素子で形成された
反射電極（１２３、１２４）および入力電極（Input Tr
ansducer Array）（１２１）と出力電極（Output Trans
ducer Array）（１２２）で構成され、送信共振器（１
２０）の入力電極（１２１）は送信ボンディングパッド
（１１０）に連結される。マイクロストリップライン
（１３０）は上記送信共振器（１２０）の出力電極（１
２２）から出力される送信周波数帯域の信号のみを通過
させ、入出力ボンディングパッド（１４０）を通じてア
ンテナ（ANT）に出力する。上記アンテナ（ANT）で受信
される信号は、入出力ボンディングパッド（１４０）を
通じて表面弾性波素子で形成されるバンドパスフィルタ
（１５０）の入力電極（１５１）に入力され、受信周波
数帯域の信号のみが通過され、上記送信信号が除去さ
れ、出力電極（１５２）から上記受信共振器（１６０）
に出力される。受信共振器（１６０）はバンドパスフィ
ルタ（１５０）から出力される受信信号を入力電極（１
６１）で受けて受信周波数帯域の信号のみを通過させ、
出力電極（１６２）から受信ボンディングパッド（１７
０）を通じて受信増幅器に出力する。上記送信共振器
（１２０）と受信共振器（１６０）の間にグラウンドパ
ターン（Ground Patern）（１９０）が形成され、グラ
ウンドボンディングパッド（１８０）が左側辺近所に形
成され、移動通信装置のグラウンドに連結されてグラウ
ンドを提供する。吸音材（２００）が送信共振器（１２
０）と受信共振器（１６０）およびバンドパスフィルタ
（１５０）の間に設置されて、それらの間に伝播される
表面弾性波（surface Acoustic Waves）を除去する。
波デュプレクサの一例を例示する。本発明に係るモノリ
シック表面弾性波デュプレクサは圧電基板（１００）に
形成され、圧電基板（１００）は水晶（ｃｒｙｓｔａ
ｌ）、LiTaO3、LiNbO3等のような圧電体で製作される。
送信ボンディングパッド（Bonding Pad）（１１０）に
は送信用電力増幅器（Power Amplifier）から出力され
る送信信号が入力される。送信共振器（１２０）は、上
記圧電基板（１００）上に表面弾性波素子で形成された
反射電極（１２３、１２４）および入力電極（Input Tr
ansducer Array）（１２１）と出力電極（Output Trans
ducer Array）（１２２）で構成され、送信共振器（１
２０）の入力電極（１２１）は送信ボンディングパッド
（１１０）に連結される。マイクロストリップライン
（１３０）は上記送信共振器（１２０）の出力電極（１
２２）から出力される送信周波数帯域の信号のみを通過
させ、入出力ボンディングパッド（１４０）を通じてア
ンテナ（ANT）に出力する。上記アンテナ（ANT）で受信
される信号は、入出力ボンディングパッド（１４０）を
通じて表面弾性波素子で形成されるバンドパスフィルタ
（１５０）の入力電極（１５１）に入力され、受信周波
数帯域の信号のみが通過され、上記送信信号が除去さ
れ、出力電極（１５２）から上記受信共振器（１６０）
に出力される。受信共振器（１６０）はバンドパスフィ
ルタ（１５０）から出力される受信信号を入力電極（１
６１）で受けて受信周波数帯域の信号のみを通過させ、
出力電極（１６２）から受信ボンディングパッド（１７
０）を通じて受信増幅器に出力する。上記送信共振器
（１２０）と受信共振器（１６０）の間にグラウンドパ
ターン（Ground Patern）（１９０）が形成され、グラ
ウンドボンディングパッド（１８０）が左側辺近所に形
成され、移動通信装置のグラウンドに連結されてグラウ
ンドを提供する。吸音材（２００）が送信共振器（１２
０）と受信共振器（１６０）およびバンドパスフィルタ
（１５０）の間に設置されて、それらの間に伝播される
表面弾性波（surface Acoustic Waves）を除去する。
【００３５】表面弾性波素子で形成される送信共振器
（１２０）を図５に示す。図５からみられる通り、送信
共振器（１２０）は、反射電極（Reflector Array）対
（１２３、１２４）と入力電極（Input Transducer Arr
ay）（１２２）および出力電極（Output Transducer Ar
ray）（１２２）で構成される。送信電力増幅器（図示
せず）から出力された送信波信号（f1）は送信ボンディ
ング（１１０）を通じて入力電極（１２１）に入力さ
れ、入力された信号は入力電極（１２１）で表面弾性波
に切換えられて上記反射電極間で反射を重ねて飽和状態
に至り出力電極（１２２）を通じて図４に示すマイクロ
ストリップライン（１３０）に入力される。
（１２０）を図５に示す。図５からみられる通り、送信
共振器（１２０）は、反射電極（Reflector Array）対
（１２３、１２４）と入力電極（Input Transducer Arr
ay）（１２２）および出力電極（Output Transducer Ar
ray）（１２２）で構成される。送信電力増幅器（図示
せず）から出力された送信波信号（f1）は送信ボンディ
ング（１１０）を通じて入力電極（１２１）に入力さ
れ、入力された信号は入力電極（１２１）で表面弾性波
に切換えられて上記反射電極間で反射を重ねて飽和状態
に至り出力電極（１２２）を通じて図４に示すマイクロ
ストリップライン（１３０）に入力される。
【００３６】図４に示すマイクロストリップライン（１
３０）はその幾何学的構造によりインダクタンス（Indu
ctance）成分とキャパシタンス（Capacitance）成分を
有するようになってＬＣフィルタの役割をし、本発明に
おいては上記マイクロストリップライン（１３０）を送
信周波数の信号がよく通過されるフィルタ役割をするよ
うその幾何学的構造を形成する。マイクロストリップラ
イン（１３０）を通過した送信信号は入出力ボンディン
グパッド（１４０）からアンテナ（ANT）を通じて空中
に放射される。
３０）はその幾何学的構造によりインダクタンス（Indu
ctance）成分とキャパシタンス（Capacitance）成分を
有するようになってＬＣフィルタの役割をし、本発明に
おいては上記マイクロストリップライン（１３０）を送
信周波数の信号がよく通過されるフィルタ役割をするよ
うその幾何学的構造を形成する。マイクロストリップラ
イン（１３０）を通過した送信信号は入出力ボンディン
グパッド（１４０）からアンテナ（ANT）を通じて空中
に放射される。
【００３７】一方、入出力ボンディングパッド（１４
０）にはアンテナ（ANT）で受信した受信信号を受信装
置に伝送するためにバンドパスフィルタ（１５０）と受
信共振器（１６０）が連結される。したがって、上記バ
ンドパスフィルタ（１５０）が従来の通りマイクロスト
リップラインで形成されると、その周波数特性が送信信
号を完全に除去する程度でないため、前述した通り、高
出力の送信信号が受信部に戻るのを遮断する効率が不充
分であるので、微弱な受信信号にまで影響を及ぼして受
信感度が悪くなって受信が不可能になる可能性がある。
０）にはアンテナ（ANT）で受信した受信信号を受信装
置に伝送するためにバンドパスフィルタ（１５０）と受
信共振器（１６０）が連結される。したがって、上記バ
ンドパスフィルタ（１５０）が従来の通りマイクロスト
リップラインで形成されると、その周波数特性が送信信
号を完全に除去する程度でないため、前述した通り、高
出力の送信信号が受信部に戻るのを遮断する効率が不充
分であるので、微弱な受信信号にまで影響を及ぼして受
信感度が悪くなって受信が不可能になる可能性がある。
【００３８】しかし、本発明においては、図４に示す通
り、バンドパスフィルタ（１５０）を表面弾性波素子に
より入力電極（Input Transducer Array）（１５１）と
出力電極（Output Transducer Array）（１５２）で構
成する。入力電極（１５１）は入出力ボンディングパッ
ド（１４０）に連結されて、アンテナ（ANT）で受信し
た受信信号が入力されて入力電極（１５１）で表面弾性
波に切換えられ、出力電極（１５２）で電気的受信信号
に切換えられて受信共振器（１６０）に入力されるよう
に構成する。
り、バンドパスフィルタ（１５０）を表面弾性波素子に
より入力電極（Input Transducer Array）（１５１）と
出力電極（Output Transducer Array）（１５２）で構
成する。入力電極（１５１）は入出力ボンディングパッ
ド（１４０）に連結されて、アンテナ（ANT）で受信し
た受信信号が入力されて入力電極（１５１）で表面弾性
波に切換えられ、出力電極（１５２）で電気的受信信号
に切換えられて受信共振器（１６０）に入力されるよう
に構成する。
【００３９】表面弾性波素子で形成される受信共振器
（１６０）は図５に示された送信共振器（１２０）のよ
うな構成を有し、図４からみられる通り、反射電極対
（１６３、１６４）と入力電極（１６１）および出力電
極（１６２）で構成される。バンドパスフィルタ（１５
０）の出力電極（１５２）から出力された受信波信号
（f2）は入力電極（１６１）に入力され、入力された信
号は入力電極（１６１）で表面弾性波に切換えられて上
記反射電極（１６３、１６４）間で反射を重ねて飽和状
態に至り出力電極（１６２）を通じて受信ボンディング
パッド（１７０）を通じて受信部の低雑音増幅器（図示
せず）に入力される。
（１６０）は図５に示された送信共振器（１２０）のよ
うな構成を有し、図４からみられる通り、反射電極対
（１６３、１６４）と入力電極（１６１）および出力電
極（１６２）で構成される。バンドパスフィルタ（１５
０）の出力電極（１５２）から出力された受信波信号
（f2）は入力電極（１６１）に入力され、入力された信
号は入力電極（１６１）で表面弾性波に切換えられて上
記反射電極（１６３、１６４）間で反射を重ねて飽和状
態に至り出力電極（１６２）を通じて受信ボンディング
パッド（１７０）を通じて受信部の低雑音増幅器（図示
せず）に入力される。
【００４０】以上説明した本発明に係るモノリシック表
面弾性波デュプレクサは、単一圧電体基板（１００）上
に送信ボンディングパッド（１１０）、送信共振器（１
２０）、マイクロストリップライン（１３０）、入出力
ボンディングパッド（１４０）、バンドパスフィルタ
（１５０）、受信共振器（１６０）、受信ボンディング
パッド（１７０）、グラウンドボンディングパッド（１
８０）およびグラウンドパターン（１９０）をモノリシ
ック表面弾性波素子の製造技法を用いて単一工程で形成
する。
面弾性波デュプレクサは、単一圧電体基板（１００）上
に送信ボンディングパッド（１１０）、送信共振器（１
２０）、マイクロストリップライン（１３０）、入出力
ボンディングパッド（１４０）、バンドパスフィルタ
（１５０）、受信共振器（１６０）、受信ボンディング
パッド（１７０）、グラウンドボンディングパッド（１
８０）およびグラウンドパターン（１９０）をモノリシ
ック表面弾性波素子の製造技法を用いて単一工程で形成
する。
【００４１】モノリシック表面弾性波デュプレクサの製
造工程は、マスク製作工程とそのマスクを利用してモノ
リシック表面弾性波デュプレクサを製造する生産工程で
構成されるが、先ず、モノリシック表面弾性波デュプレ
クサのマスクを次の通り製作する。
造工程は、マスク製作工程とそのマスクを利用してモノ
リシック表面弾性波デュプレクサを製造する生産工程で
構成されるが、先ず、モノリシック表面弾性波デュプレ
クサのマスクを次の通り製作する。
【００４２】図６、図７および図８に本発明によるモノ
リシック表面弾性波デュプレクサのマスク製作工程を示
す。図６はマスク製作工程手順を示すフローチャート、
図７はマスク製作工程手順を示す工程図である。
リシック表面弾性波デュプレクサのマスク製作工程を示
す。図６はマスク製作工程手順を示すフローチャート、
図７はマスク製作工程手順を示す工程図である。
【００４３】ステップＳ４０１でマスク用ガラス（Glas
s）（４１）にクローム（Chrome）膜（４２）を被覆す
る（図７参照）。ステップＳ４０２で上記クローム膜
（４２）上に電子ビーム（Electron Beam）用感光剤
（４３）を塗る（図７参照）。ステップＳ４０３で電
子ビーム投射装置（Electron Beam Projector）でマス
クパターンに沿って電子ビームを投射する（図７参
照）。ステップＳ４０４で感光された感光剤とその部分
のクローム膜を溶出してマスク（４４）を完成する（図
７参照）。
s）（４１）にクローム（Chrome）膜（４２）を被覆す
る（図７参照）。ステップＳ４０２で上記クローム膜
（４２）上に電子ビーム（Electron Beam）用感光剤
（４３）を塗る（図７参照）。ステップＳ４０３で電
子ビーム投射装置（Electron Beam Projector）でマス
クパターンに沿って電子ビームを投射する（図７参
照）。ステップＳ４０４で感光された感光剤とその部分
のクローム膜を溶出してマスク（４４）を完成する（図
７参照）。
【００４４】図８に完成されたモノリシック表面弾性波
デュプレクサのマスクを示す。
デュプレクサのマスクを示す。
【００４５】送信ボンディングパッド（１１０）を形成
するための送信ボンディングパッドパターン（４１０）
が左上側角に形成される。送信共振器（１２０）を形成
するための送信共振器パターン（４２０）が上記送信ボ
ンディングパッドパターン（４１０）に連結されて形成
され、その出力電力パターンがマイクロストリップライ
ン（１３０）を形成するためのマイクロストリップライ
ンパターン（４３０）に連結される。入出力ボンディン
グパッド（１４０）を形成するための入出力ボンディン
グパッドパターン（４４０）が右上側角に形成される。
バンドパスフィルタ（１５０）のパターン（４５０）が
入出力ボンディングパッドパターン（４４０）に連結さ
れてマイクロストリップラインパターン（４３０）の下
側に形成される。受信共振器（１６０）を形成するため
の受信共振器パターン（４６０）がバンドパスフィルタ
のパターン（４５０）に連結されてその左側に形成され
る。受信ボンディングパッドパターン（４７０）が受信
共振器パターン（４６０）に連結されて左下側角に形成
される。グラウンドボンディングパッド（１８０）を形
成するためのグラウンドボンディングパッドパターン
（４８０）が左側辺の中間に形成され、送信共振器パタ
ーン（４２０）とマイクロストリップラインパターン
（４３０）を上側に、受信共振器パターン（４６０）と
バンドパスフィルタのパターン（４５０）を下側に形成
して、その間にグラウンド電極（１９０）を形成するた
めのグラウンド電極パターン（４９０）が形成される。
このような配置と構造はまた別の機能や必要によって変
更が可能である。
するための送信ボンディングパッドパターン（４１０）
が左上側角に形成される。送信共振器（１２０）を形成
するための送信共振器パターン（４２０）が上記送信ボ
ンディングパッドパターン（４１０）に連結されて形成
され、その出力電力パターンがマイクロストリップライ
ン（１３０）を形成するためのマイクロストリップライ
ンパターン（４３０）に連結される。入出力ボンディン
グパッド（１４０）を形成するための入出力ボンディン
グパッドパターン（４４０）が右上側角に形成される。
バンドパスフィルタ（１５０）のパターン（４５０）が
入出力ボンディングパッドパターン（４４０）に連結さ
れてマイクロストリップラインパターン（４３０）の下
側に形成される。受信共振器（１６０）を形成するため
の受信共振器パターン（４６０）がバンドパスフィルタ
のパターン（４５０）に連結されてその左側に形成され
る。受信ボンディングパッドパターン（４７０）が受信
共振器パターン（４６０）に連結されて左下側角に形成
される。グラウンドボンディングパッド（１８０）を形
成するためのグラウンドボンディングパッドパターン
（４８０）が左側辺の中間に形成され、送信共振器パタ
ーン（４２０）とマイクロストリップラインパターン
（４３０）を上側に、受信共振器パターン（４６０）と
バンドパスフィルタのパターン（４５０）を下側に形成
して、その間にグラウンド電極（１９０）を形成するた
めのグラウンド電極パターン（４９０）が形成される。
このような配置と構造はまた別の機能や必要によって変
更が可能である。
【００４６】上記の通り製作されたマスク（４４）を利
用して次の通り本発明によるモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサを製造する。
用して次の通り本発明によるモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサを製造する。
【００４７】図９に本発明に係るモノリシック表面弾性
波デュプレクサを製造する工程を示すフローチャートを
示す。図１０は本発明に係るモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサを製造する工程図を示す。
波デュプレクサを製造する工程を示すフローチャートを
示す。図１０は本発明に係るモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサを製造する工程図を示す。
【００４８】ステップＳ５０１で水晶圧電体ウェハ（Pi
ezoelectric Crystal Wafer）（５１）を洗浄して投入
する（図１０参照）。ステップＳ５０２で上記ウェハ
（５１）上に金属膜（５２）を被覆する（図１０参
照）。ステップＳ５０３で上記金属膜（５２）上に感光
剤（５３）を被覆し固める（図１０参照）。ステップ
Ｓ５０４で上記ウェハ（５１）の感光剤（５３）上にマ
スク（４４）を被せて紫外線（Ultraviolet Light）を
照らし、紫外線に照らされた部分の性質が変化して現象
液によく溶けるようにする（図１０参照）。ステップ
Ｓ５０５で現象液を用いて感光剤（５３）のうち紫外線
に照らされた部分を溶出する（図１０参照）。ステッ
プＳ５０６で酸を用いて感光剤（５３）が被覆されてい
ない金属を溶出する（図１０参照）。ステップＳ５０
７で金属（５２）の上に残留している感光剤（５３）を
完全に除去する（図１０参照）。ステップＳ５０８で
溝（Grooving）（５５）を形成し（例えば、アルゴン
（Ar）イオンビームガン（IonBeam Gun）を用いて形
成）、次に吸音材（Absorber）（５６）を上記グラウン
ドパターン上に塗る。吸音材（５６）は粘っこいポリマ
ー系の接着剤であり、塗った後に加熱したり紫外線を照
らしたりして固める。そして、塗布する厚さは２０μｍ
〜３０μｍが適当である。上記合成樹脂を塗布する幅は
形成された送信共振器および受信共振器の反射電極領域
およびアクティブ領域を侵犯しない範囲で塗布し、塗布
される面積が広いなければならないため、精密な作業を
必要とする所には用いることができなく、このような場
合、溝（５５）のみを形成することもできる。なお、溝
（５５）のみを形成すれば表面弾性波を除去する効率が
低下するため、高効率を必要とする所には吸音材（５
６）を用いたり溝（５５）と吸音材（５６）を共に用い
ることができる（図１０参照）。ステップＳ５０９で
プローブで試験をし、ステップＳ５１０でウェハ（５
１）を切断してチップに分離するダイシング(Dicing)と
不良チップを除去するソーティング(Sorting)後に組立
てる。
ezoelectric Crystal Wafer）（５１）を洗浄して投入
する（図１０参照）。ステップＳ５０２で上記ウェハ
（５１）上に金属膜（５２）を被覆する（図１０参
照）。ステップＳ５０３で上記金属膜（５２）上に感光
剤（５３）を被覆し固める（図１０参照）。ステップ
Ｓ５０４で上記ウェハ（５１）の感光剤（５３）上にマ
スク（４４）を被せて紫外線（Ultraviolet Light）を
照らし、紫外線に照らされた部分の性質が変化して現象
液によく溶けるようにする（図１０参照）。ステップ
Ｓ５０５で現象液を用いて感光剤（５３）のうち紫外線
に照らされた部分を溶出する（図１０参照）。ステッ
プＳ５０６で酸を用いて感光剤（５３）が被覆されてい
ない金属を溶出する（図１０参照）。ステップＳ５０
７で金属（５２）の上に残留している感光剤（５３）を
完全に除去する（図１０参照）。ステップＳ５０８で
溝（Grooving）（５５）を形成し（例えば、アルゴン
（Ar）イオンビームガン（IonBeam Gun）を用いて形
成）、次に吸音材（Absorber）（５６）を上記グラウン
ドパターン上に塗る。吸音材（５６）は粘っこいポリマ
ー系の接着剤であり、塗った後に加熱したり紫外線を照
らしたりして固める。そして、塗布する厚さは２０μｍ
〜３０μｍが適当である。上記合成樹脂を塗布する幅は
形成された送信共振器および受信共振器の反射電極領域
およびアクティブ領域を侵犯しない範囲で塗布し、塗布
される面積が広いなければならないため、精密な作業を
必要とする所には用いることができなく、このような場
合、溝（５５）のみを形成することもできる。なお、溝
（５５）のみを形成すれば表面弾性波を除去する効率が
低下するため、高効率を必要とする所には吸音材（５
６）を用いたり溝（５５）と吸音材（５６）を共に用い
ることができる（図１０参照）。ステップＳ５０９で
プローブで試験をし、ステップＳ５１０でウェハ（５
１）を切断してチップに分離するダイシング(Dicing)と
不良チップを除去するソーティング(Sorting)後に組立
てる。
【００４９】以上の通り、送信用ＳＡＷフィルタと受信
用ＳＡＷフィルタをそれぞれ一つずつ一つのチップに形
成したが、本発明によるモノリシック表面弾性波デュプ
レクサはこれに限定されず、送信用ＳＡＷフィルタと受
信用ＳＡＷフィルタを個数に拘わらず多数個を用いるこ
とができる。なお、送信用ＳＡＷフィルタと受信用ＳＡ
Ｗフィルタの数が同数である必要はなく、周波数特性を
満たす範囲内で送信用ＳＡＷフィルタと受信用ＳＡＷフ
ィルタの個数を選択して用いることができる。図１１に
多数の送信用ＳＡＷフィルタと受信用ＳＡＷフィルタを
含み多チャンネル用として用いることができるモノリシ
ックＳＡＷフィルタの一例を示す。
用ＳＡＷフィルタをそれぞれ一つずつ一つのチップに形
成したが、本発明によるモノリシック表面弾性波デュプ
レクサはこれに限定されず、送信用ＳＡＷフィルタと受
信用ＳＡＷフィルタを個数に拘わらず多数個を用いるこ
とができる。なお、送信用ＳＡＷフィルタと受信用ＳＡ
Ｗフィルタの数が同数である必要はなく、周波数特性を
満たす範囲内で送信用ＳＡＷフィルタと受信用ＳＡＷフ
ィルタの個数を選択して用いることができる。図１１に
多数の送信用ＳＡＷフィルタと受信用ＳＡＷフィルタを
含み多チャンネル用として用いることができるモノリシ
ックＳＡＷフィルタの一例を示す。
【００５０】多数の送信ボンディングパッド（６１１、
６１１、....）を具備する送信ボンディングパッド部
（６１０）と、表面弾性波素子で構成されそれぞれ周波
数特性が異なる多数の送信用共振器（６２１、６２
１、....）を含む送信用共振器部（６２０）と、表面弾
性波素子で構成されそれぞれ周波数特性が異なる多数の
マイクロストリップライン（６３１、６３１、....）を
含むマイクロストリップライン部（６３０）と、上記多
数のマイクロストリップライン（６３１、６３
１、....）と連結されてその信号をアンテナ（ANT）に
伝達し、上記アンテナ（ANT）で受信された信号を出力
する入出力ボンディングパッド（６４０）と、表面弾性
波素子で構成され上記入出力ボンディングパッド（６４
０）から出力される信号を受けて受信周波数帯域の信号
のみを通過させる帯域通過フィルタ（６５０）と、上記
バンドパスフィルタ（６５０）から出力される受信信号
をそれぞれ受けて、その周波数特性に合う信号を出力す
る多数の受信共振器（６６１、６６１、....）を含む受
信共振器部（６６０）と、上記受信共振器部（６６０）
の各受信共振器（６６１、６６１、....）にそれぞれ連
結されて受信部の増幅器に出力する多数の受信ボンディ
ングパッド（６７１、６７１、....）を含む受信ボンデ
ィングパッド部（６７０）で構成される。
６１１、....）を具備する送信ボンディングパッド部
（６１０）と、表面弾性波素子で構成されそれぞれ周波
数特性が異なる多数の送信用共振器（６２１、６２
１、....）を含む送信用共振器部（６２０）と、表面弾
性波素子で構成されそれぞれ周波数特性が異なる多数の
マイクロストリップライン（６３１、６３１、....）を
含むマイクロストリップライン部（６３０）と、上記多
数のマイクロストリップライン（６３１、６３
１、....）と連結されてその信号をアンテナ（ANT）に
伝達し、上記アンテナ（ANT）で受信された信号を出力
する入出力ボンディングパッド（６４０）と、表面弾性
波素子で構成され上記入出力ボンディングパッド（６４
０）から出力される信号を受けて受信周波数帯域の信号
のみを通過させる帯域通過フィルタ（６５０）と、上記
バンドパスフィルタ（６５０）から出力される受信信号
をそれぞれ受けて、その周波数特性に合う信号を出力す
る多数の受信共振器（６６１、６６１、....）を含む受
信共振器部（６６０）と、上記受信共振器部（６６０）
の各受信共振器（６６１、６６１、....）にそれぞれ連
結されて受信部の増幅器に出力する多数の受信ボンディ
ングパッド（６７１、６７１、....）を含む受信ボンデ
ィングパッド部（６７０）で構成される。
【００５１】各送信ボンディングパッド（６１１）は対
応する電力増幅器の出力信号を受けて送信共振器（６２
１）に出力される。送信共振器（６２１）はその周波数
特性に合う特定チャンネルの周波数のみを出力し、その
出力は対応するマイクロストリップライン（６３１）を
通じて入出力ボンディングパッド（６４０）に印加され
てアンテナ（ANT）を通じて空中に放射される。したが
って、多数のチャンネルの信号を送信可能である。
応する電力増幅器の出力信号を受けて送信共振器（６２
１）に出力される。送信共振器（６２１）はその周波数
特性に合う特定チャンネルの周波数のみを出力し、その
出力は対応するマイクロストリップライン（６３１）を
通じて入出力ボンディングパッド（６４０）に印加され
てアンテナ（ANT）を通じて空中に放射される。したが
って、多数のチャンネルの信号を送信可能である。
【００５２】上記アンテナ（ANT）で受信された信号
は、入出力ボンディングパッド（６４０）を通じてバン
ドパスフィルタ（６５０）に入力されて受信共振器部
（６６０）に入力される。受信共振器部（６６０）には
その周波数特性が異なる多数の受信共振器（６６１、６
６１、....）が含まれているため、その特性に合う受信
信号が対応する受信ボンディングパッド（６７１）を通
じて受信部に入力される。
は、入出力ボンディングパッド（６４０）を通じてバン
ドパスフィルタ（６５０）に入力されて受信共振器部
（６６０）に入力される。受信共振器部（６６０）には
その周波数特性が異なる多数の受信共振器（６６１、６
６１、....）が含まれているため、その特性に合う受信
信号が対応する受信ボンディングパッド（６７１）を通
じて受信部に入力される。
【００５３】以上説明した通り、本発明によれば送信フ
ィルタと受信フィルタおよびバンドパスフィルタ等で構
成されるデュプレクサを単一基板上に単一チップで形成
することにより単一製造工程によりデュプレクサを生産
可能であるため、製造工程が単純化され、それにしたが
って不良発生率が減り、原価が節減されるのみならず、
単一チップに多数の素子を形成することができるため、
装置が小型化され、送受信周波数分離特性が向上され
る。
ィルタと受信フィルタおよびバンドパスフィルタ等で構
成されるデュプレクサを単一基板上に単一チップで形成
することにより単一製造工程によりデュプレクサを生産
可能であるため、製造工程が単純化され、それにしたが
って不良発生率が減り、原価が節減されるのみならず、
単一チップに多数の素子を形成することができるため、
装置が小型化され、送受信周波数分離特性が向上され
る。
【図１】 図１は一般的な個人携帯通信装置の構成を示
すブロック図。
すブロック図。
【図２】 図２は従来の送信フィルタおよび受信フィル
タをＳＡＷフィルタで代替したデュプレクサ。
タをＳＡＷフィルタで代替したデュプレクサ。
【図３】 図３は本発明に係るモノリシック表面弾性波
デュプレクサの構成を示すブロック図。
デュプレクサの構成を示すブロック図。
【図４】 図４は本発明に係るモノリシック表面弾性波
デュプレクサの一例を示す図。
デュプレクサの一例を示す図。
【図５】 図５は本発明に係る表面弾性波素子で形成さ
れる送信共振器を示す図。
れる送信共振器を示す図。
【図６】 図６はマスク製作工程手順を示すフローチャ
ート。
ート。
【図７】 図７はマスク製作工程手順を示す工程図。
【図８】 図８は製作完了したマスクの構造図。
【図９】 図９は本発明に係るモノリシック表面弾性波
デュプレクサを製造する工程を示すフローチャート。
デュプレクサを製造する工程を示すフローチャート。
【図１０】 図１０は本発明に係るモノリシック表面弾
性波デュプレクサを製造する工程図。
性波デュプレクサを製造する工程図。
【図１１】 図１１は多数の送信用ＳＡＷフィルタと受
信用ＳＡＷフィルタを含み多チャンネル用として用いら
れるモノリシックフィルタの一例を示す図。
信用ＳＡＷフィルタを含み多チャンネル用として用いら
れるモノリシックフィルタの一例を示す図。
１１０…送信ボンディングパッド １２０…送信共振器 １２１…入力電極 １２２…出力電極 １２３、１２４…反射電極 １３０…マイクロストリップライン １４０…入出力ボンディングパッド １５０…バンドパスフィルタ １６０…受信共振器 １６１…入力電極 １６２…出力電極 １６３、１６４…反射電極 １７０…受信ボンディングパッド １８０…グラウンドボンディングパッド １９０…グラウンドパターン ２００…吸音材
Claims (17)
- 【請求項１】 圧電基板と、上記圧電基板上に表面弾性
波素子で形成された送信および受信共振器と、 上記圧電基板上に形成され、上記送信共振器から出力さ
れる送信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナに
出力するマイクロストリップラインと、 上記アンテナで受信される信号のうち受信帯域の信号の
みを通過させ、上記送信信号を除去して上記受信共振器
に出力し、上記圧電基板上に表面弾性波素子で形成され
た送信信号除去用フィルタを具備することを特徴とする
モノリシック表面弾性波デュプレクサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、 上記送信共振器と受信共振器間にグラウンドパターンを
具備することを特徴とするモノリシック表面弾性波デュ
プレクサ。 - 【請求項３】 請求項１に記載のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、 上記送信信号除去用フィルタと上記入出力ボンディング
パッドに連結されて、アンテナで受信した受信信号が入
力される入力電極と、上記受信共振器に受信信号を出力
する出力電極で構成されるバンドパス表面弾性波フィル
タであることを特徴とするモノリシック表面弾性波デュ
プレクサ。 - 【請求項４】 請求項１に記載のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、 上記マイクロストリップラインは、送信周波数の信号が
よく通過されるフィルタ役割をする幾何学的構造で形成
されることを特徴とするモノリシック表面弾性波デュプ
レクサ。 - 【請求項５】 請求項２に記載のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、 上記グラウンドパターン上に吸音手段を設置することを
特徴とするモノリシック表面弾性波デュプレクサ。 - 【請求項６】 請求項５に記載のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、 上記吸音手段は、ポリマー系の合成樹脂であることを特
徴とするモノリシック表面弾性波デュプレクサ。 - 【請求項７】 請求項６に記載のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、 上記ポリマー系の合成樹脂は、厚さが２０μｍ〜３０μ
ｍに上記グラウンドパターンに塗ることを特徴とするモ
ノリシック表面弾性波デュプレクサ。 - 【請求項８】 請求項６に記載のモノリシック表面弾性
波デュプレクサにおいて、 上記合成樹脂が上記送信共振器および受信共振器の反射
電極領域およびアクティブ領域を侵犯しない範囲内で塗
布されることを特徴とするモノリシック表面弾性波デュ
プレクサ。 - 【請求項９】 圧電基板と、 上記圧電基板上に表面弾性波素子で形成された送信およ
び受信共振器と、 上記圧電基板上に形成され、上記送信共振器から出力さ
れる送信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナに
出力するマイクロストリップラインと、 上記アンテナで受信される信号のうち受信帯域の信号の
みを通過させ、上記送信信号を除去して上記受信共振器
に出力し、上記圧電基板上に表面弾性波素子で形成され
た送信信号除去用フィルタと、 上記送信共振器と受信共振器間に設置されて、それら間
に伝播される表面弾性波を除去する吸音手段を具備する
ことを特徴とするモノリシック表面弾性波デュプレク
サ。 - 【請求項１０】 請求項９に記載のモノリシック表面弾
性波デュプレクサにおいて、 上記送信および受信共振器は、反射電極対と、上記反射
電極対間に形成される入力電極および出力電極で構成さ
れることを特徴とするモノリシック表面弾性波デュプレ
クサ。 - 【請求項１１】 請求項９に記載のモノリシック表面弾
性波デュプレクサにおいて、 上記マイクロストリップラインは、送信周波数の信号が
よく通過されるフィルタ役割をする幾何学的構造で形成
されることを特徴とするモノリシック表面弾性波デュプ
レクサ。 - 【請求項１２】 請求項９に記載のモノリシック表面弾
性波デュプレクサにおいて、 上記吸音手段は、ポリマー系の合成樹脂であることを特
徴とするモノリシック表面弾性波デュプレクサ。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載のモノリシック表面
弾性波デュプレクサにおいて、 上記ポリマー系の合成樹脂は、厚さが２０μｍ〜３０μ
ｍに上記グラウンドパターンに塗ることを特徴とするモ
ノリシック表面弾性波デュプレクサ。 - 【請求項１４】 請求項１２に記載のモノリシック表面
弾性波デュプレクサにおいて、 上記合成樹脂が上記送信共振器および受信共振器の反射
電極領域およびアクティブ領域を侵犯しない範囲内で塗
布されることを特徴とするモノリシック表面弾性波デュ
プレクサ。 - 【請求項１５】 圧電基板と、 上記圧電基板上に表面弾性波素子で形成された送信およ
び受信共振器と、 上記圧電基板上に形成され、上記送信共振器から出力さ
れる送信周波数帯域の信号のみを通過させてアンテナに
出力するマイクロストリップラインと、 上記アンテナで受信される信号のうち受信帯域の信号の
みを通過させ、上記送信信号を除去して上記受信共振器
に出力し、上記圧電基板上に表面弾性波素子で形成され
た送信信号除去用フィルタと、 上記送信共振器と受信共振器間に設置されて、それら間
に伝播される表面弾性波を除去する溝（Grooving）を具
備することを特徴とするモノリシック表面弾性波デュプ
レクサ。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載のモノリシック表面
弾性波デュプレクサの上記溝をアルゴン（Ar）イオンビ
ームガン（Ion Beam Gun）を用いて形成することを特徴
とするモノリシック表面弾性波デュプレクサの製造方
法。 - 【請求項１７】 多数の送信ボンディングパッドを具備
する送信ボンディングパッド部と、 表面弾性波素子で構成され、それぞれ周波数特性が異な
る多数の送信用共振器を含む送信用共振器部と、 表面弾性波素子で構成され、それぞれ周波数特性が異な
る多数のマイクロストリップラインを含むマイクロスト
リップライン部と、 上記多数のマイクロストリップラインと連結されてその
信号をアンテナに伝達し、上記アンテナで受信された信
号を出力する入出力ボンディングパッドと、表面弾性波
素子で構成され、上記入出力ボンディングパッドから出
力される信号を受けて受信周波数帯域の信号のみを通過
させるバンドパスフィルタと、 上記バンドパスフィルタから出力される受信信号をそれ
ぞれ受けてその周波数特性に合う信号を出力する多数の
受信共振器を含む受信共振器部と、 上記受信共振器部の各受信共振器にそれぞれ連結されて
受信部の増幅器に出力する多数の受信ボンディングパッ
ドを含む受信ボンディングパッド部とを一つの圧電基板
に形成したことを特徴とするモノリシック表面弾性波デ
ュプレクサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015427A KR100213372B1 (ko) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 모노리틱 쏘 듀플렉서 |
| KR1996-15427 | 1996-05-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307399A true JPH09307399A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=19458292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8341112A Pending JPH09307399A (ja) | 1996-05-10 | 1996-12-20 | モノリシック表面弾性波デュプレクサおよびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR100213372B1 (ja) |
| CN (1) | CN1165431A (ja) |
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