JPH09307187A - 第二次高調波発生半導体レーザ - Google Patents
第二次高調波発生半導体レーザInfo
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- JPH09307187A JPH09307187A JP11803596A JP11803596A JPH09307187A JP H09307187 A JPH09307187 A JP H09307187A JP 11803596 A JP11803596 A JP 11803596A JP 11803596 A JP11803596 A JP 11803596A JP H09307187 A JPH09307187 A JP H09307187A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基本波のレージングの閾値電流密度や微分効
率が通常の半導体レーザと同等であるような第二次高調
波放射領域を持つ半導体レーザを提供する。 【解決手段】 有機金属気相成長法の選択成長技術を利
用し、第二次高調波放射領域１２の量子井戸活性層４の
厚さを１０nm、利得領域１１の量子井戸活性層４の厚さ
を２０nmになるように形成することにより、第二次高調
波放射領域１２の量子井戸活性層４の実効的エネルギー
バンドギャップが利得領域１１のそれよりも大きくなる
ため、利得領域１１で発生する基本波に対し、第二次高
調波放射領域１２では吸収がない。このため、基本波の
レージングの閾値電流密度が通常の半導体レーザに比べ
て大きくなることなく、基本波の微分効率が低下しない
第二次高調波発生半導体レーザが得られる。
率が通常の半導体レーザと同等であるような第二次高調
波放射領域を持つ半導体レーザを提供する。 【解決手段】 有機金属気相成長法の選択成長技術を利
用し、第二次高調波放射領域１２の量子井戸活性層４の
厚さを１０nm、利得領域１１の量子井戸活性層４の厚さ
を２０nmになるように形成することにより、第二次高調
波放射領域１２の量子井戸活性層４の実効的エネルギー
バンドギャップが利得領域１１のそれよりも大きくなる
ため、利得領域１１で発生する基本波に対し、第二次高
調波放射領域１２では吸収がない。このため、基本波の
レージングの閾値電流密度が通常の半導体レーザに比べ
て大きくなることなく、基本波の微分効率が低下しない
第二次高調波発生半導体レーザが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基本波で発振す
る半導体レーザと、その基本波の第二次高調波を発生す
る半導体素子（第二次高調波発生素子）を同一半導体基
板上に集積化した複合素子に関するものである。
る半導体レーザと、その基本波の第二次高調波を発生す
る半導体素子（第二次高調波発生素子）を同一半導体基
板上に集積化した複合素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ等の閃亜鉛鉱型化合物半導体
は、大きな非線形光学定数をもつため、第二次高調波発
生素子として有望であり、半導体レーザとのモノリシッ
ク集積化も可能である。さらに、（００１）面以外の結
晶面をもつ基板上に導波路を形成し、この導波路内にＴ
Ｅモードの基本波を往復伝搬すれば、ＴＥモード同士の
相互作用により、基板に垂直方向に第二次高調波が放射
される。このような第二次高調波発生素子と半導体レー
ザとのモノリシック集積化素子は、Ｊ.Crystal Growth
111(1991)1066 に掲載されたように、Ｒ. Ｌ. Ｗilliam
s,Ｆ. Ｃhatenoud,and Ｒ. Ｎormandinによって提案さ
れた。図２は、その予備実験として、高調波発生領域を
もつ半導体レーザが（１１１）基板上に作製された素子
構造を示す図である（Ｈ. Ｄai, Ｓ. Ｊanz,Ｒ. Ｎorma
ndin, Ｊ. Ｎielsen, Ｆ. Ｃhatenoud,and Ｒ. Ｗilli
ams,IEEE Photonic Technology Letters4(1992)820) 。
は、大きな非線形光学定数をもつため、第二次高調波発
生素子として有望であり、半導体レーザとのモノリシッ
ク集積化も可能である。さらに、（００１）面以外の結
晶面をもつ基板上に導波路を形成し、この導波路内にＴ
Ｅモードの基本波を往復伝搬すれば、ＴＥモード同士の
相互作用により、基板に垂直方向に第二次高調波が放射
される。このような第二次高調波発生素子と半導体レー
ザとのモノリシック集積化素子は、Ｊ.Crystal Growth
111(1991)1066 に掲載されたように、Ｒ. Ｌ. Ｗilliam
s,Ｆ. Ｃhatenoud,and Ｒ. Ｎormandinによって提案さ
れた。図２は、その予備実験として、高調波発生領域を
もつ半導体レーザが（１１１）基板上に作製された素子
構造を示す図である（Ｈ. Ｄai, Ｓ. Ｊanz,Ｒ. Ｎorma
ndin, Ｊ. Ｎielsen, Ｆ. Ｃhatenoud,and Ｒ. Ｗilli
ams,IEEE Photonic Technology Letters4(1992)820) 。
【０００３】以下に従来の第２次高調波発生半導体レー
ザの製造方法を図について説明する。まず、（００１）
面以外の結晶面、例えば（１１１）面を主面とするｎ型
ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓクラッ
ド層２、ｎ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓ／Ａｌ0.9 Ｇａ0.1
Ａｓ超格子層３、アンドープＩｎ0.22Ｇａ0.78Ａｓ量子
井戸活性層４、ｐ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓ／Ａｌ0.9 Ｇ
ａ0.1 Ａｓ超格子層５、ｐ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓクラ
ッド層６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を順次エピタキ
シャル成長させる。次に、[ １１０] 方向にのびるスト
ライプマスクを用いて、マスクされた以外の領域のｐ型
ＧａＡｓコンタクト層７およびｐ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａ
ｓクラッド層６をエッチングにより除去し、リッジ導波
路を形成する。リッジ導波路のうち、片方の約半分の表
面にｐ型オーミック電極８を形成し、この領域を基本波
の利得領域１１とする。また、残りの導波路部分の表面
には電極を形成せず、第二次高調波放射領域１２とす
る。基板１を裏面より研磨し、薄くした後、裏面全面に
ｎ型オーミック電極９を形成する。（１１０）面で劈開
し、前後の劈開面に高反射膜１０を形成してファブリペ
ロ共振器反射鏡とする。
ザの製造方法を図について説明する。まず、（００１）
面以外の結晶面、例えば（１１１）面を主面とするｎ型
ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓクラッ
ド層２、ｎ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓ／Ａｌ0.9 Ｇａ0.1
Ａｓ超格子層３、アンドープＩｎ0.22Ｇａ0.78Ａｓ量子
井戸活性層４、ｐ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓ／Ａｌ0.9 Ｇ
ａ0.1 Ａｓ超格子層５、ｐ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓクラ
ッド層６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を順次エピタキ
シャル成長させる。次に、[ １１０] 方向にのびるスト
ライプマスクを用いて、マスクされた以外の領域のｐ型
ＧａＡｓコンタクト層７およびｐ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａ
ｓクラッド層６をエッチングにより除去し、リッジ導波
路を形成する。リッジ導波路のうち、片方の約半分の表
面にｐ型オーミック電極８を形成し、この領域を基本波
の利得領域１１とする。また、残りの導波路部分の表面
には電極を形成せず、第二次高調波放射領域１２とす
る。基板１を裏面より研磨し、薄くした後、裏面全面に
ｎ型オーミック電極９を形成する。（１１０）面で劈開
し、前後の劈開面に高反射膜１０を形成してファブリペ
ロ共振器反射鏡とする。
【０００４】このようにして作製された素子に、ｎ型お
よびｐ型のオーミック電極を通して電流を流すと、利得
領域１１の量子井戸活性層４にキャリアが注入され、レ
ーザ発振が起き、ＴＥモードの基本波が導波路内を往復
伝搬する。このＴＥモードの基本波同士の衝突により、
基板面に垂直方向に伝搬する第二次高調波が発生し、導
波路の表面に電極のない第二次高調波放射領域１２より
放射される。
よびｐ型のオーミック電極を通して電流を流すと、利得
領域１１の量子井戸活性層４にキャリアが注入され、レ
ーザ発振が起き、ＴＥモードの基本波が導波路内を往復
伝搬する。このＴＥモードの基本波同士の衝突により、
基板面に垂直方向に伝搬する第二次高調波が発生し、導
波路の表面に電極のない第二次高調波放射領域１２より
放射される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の第２次高調波発生半導体レーザにおいては、基
本波の利得を発生するのは、量子井戸活性層４のうち、
キャリアの注入される領域のみであり、キャリアの注入
されない領域の量子井戸活性層４は吸収体として働くた
め、基本波のレージングの閾値電流密度が、通常の、第
二次高周波放射領域１２のない半導体レーザに比べて大
きくなってしまい、さらに基本波の微分効率が低下して
しまう等の問題点があった。
た従来の第２次高調波発生半導体レーザにおいては、基
本波の利得を発生するのは、量子井戸活性層４のうち、
キャリアの注入される領域のみであり、キャリアの注入
されない領域の量子井戸活性層４は吸収体として働くた
め、基本波のレージングの閾値電流密度が、通常の、第
二次高周波放射領域１２のない半導体レーザに比べて大
きくなってしまい、さらに基本波の微分効率が低下して
しまう等の問題点があった。
【０００６】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、キャリアの注入されない領域の量
子井戸活性層が吸収体として働かず、基本波のレージン
グの閾値電流密度や微分効率が通常の第二次高調波放射
領域のない半導体レーザと同等であるような第二次高調
波放射領域を持つ半導体レーザを提供するものである。
めになされたもので、キャリアの注入されない領域の量
子井戸活性層が吸収体として働かず、基本波のレージン
グの閾値電流密度や微分効率が通常の第二次高調波放射
領域のない半導体レーザと同等であるような第二次高調
波放射領域を持つ半導体レーザを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる第２次
高調波発生半導体レーザは、第１導電型を有し、（００
１）面以外の結晶面を主面とする閃亜鉛鉱型結晶構造の
半導体基板と、この半導体基板上に形成され、活性層、
第２導電型のエピタキシャル層および第２導電型の電極
を含む第１の領域と、同じ半導体基板上に形成され、第
１の領域から発せられた光に対する光導波層を含み、第
１の領域から発せられた光に対する第二次高調波を基板
に対して垂直方向に放射する第２の領域を備え、第１の
領域の活性層の層厚が第２の領域の光導波層の層厚より
も大きくなるようにしたものである。また、第１の領域
の活性層と第２の領域の光導波層が同一成長層の量子井
戸構造で構成されているものである。
高調波発生半導体レーザは、第１導電型を有し、（００
１）面以外の結晶面を主面とする閃亜鉛鉱型結晶構造の
半導体基板と、この半導体基板上に形成され、活性層、
第２導電型のエピタキシャル層および第２導電型の電極
を含む第１の領域と、同じ半導体基板上に形成され、第
１の領域から発せられた光に対する光導波層を含み、第
１の領域から発せられた光に対する第二次高調波を基板
に対して垂直方向に放射する第２の領域を備え、第１の
領域の活性層の層厚が第２の領域の光導波層の層厚より
も大きくなるようにしたものである。また、第１の領域
の活性層と第２の領域の光導波層が同一成長層の量子井
戸構造で構成されているものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１である第
二次高調波発生半導体レーザの構造を示す断面図であ
る。図において、１は（００１）面以外の結晶面、例え
ば（１１１）面を主面とする閃亜鉛鉱型結晶構造の半導
体基板で、ここではｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓクラッド層、３はｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ
／Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ超格子層、４はアンドープＩｎz
Ｇａ1-z Ａｓ量子井戸活性層、５はｐ型Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓ／Ａｌy Ｇａ1ーy Ａｓ超格子層、６はｐ型Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓクラッド層、７はｐ型ＧａＡｓコンタクト
層、８はｐ型オーミック電極、９はｎ型オーミック電
極、１０は高反射膜、１１は利得領域、１２は第二次高
調波放射領域をそれぞれ示す。ただし、本実施の形態で
は、ｘはおよそ０. ７、ｙはおよそ０. ９、ｚはおよそ
０. ２である。なお、図中、従来例との相当部分には同
一符号を付している。
二次高調波発生半導体レーザの構造を示す断面図であ
る。図において、１は（００１）面以外の結晶面、例え
ば（１１１）面を主面とする閃亜鉛鉱型結晶構造の半導
体基板で、ここではｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓクラッド層、３はｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ
／Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ超格子層、４はアンドープＩｎz
Ｇａ1-z Ａｓ量子井戸活性層、５はｐ型Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓ／Ａｌy Ｇａ1ーy Ａｓ超格子層、６はｐ型Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓクラッド層、７はｐ型ＧａＡｓコンタクト
層、８はｐ型オーミック電極、９はｎ型オーミック電
極、１０は高反射膜、１１は利得領域、１２は第二次高
調波放射領域をそれぞれ示す。ただし、本実施の形態で
は、ｘはおよそ０. ７、ｙはおよそ０. ９、ｚはおよそ
０. ２である。なお、図中、従来例との相当部分には同
一符号を付している。
【０００９】以下に、本実施の形態による第二次高調波
発生半導体レーザの製造方法を図について説明する。ま
ず、（００１）面以外の結晶面、例えば（１１１）面を
主面とするｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓクラッド層２、ｎ型Ａｌx Ｇａ1ーx Ａｓ／Ａｌ
y Ｇａ1ーy Ａｓ超格子層３、アンドープＩｎz Ｇａ1-z
Ａｓ量子井戸活性層４、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ／Ａｌ
y Ｇａ1ーy Ａｓ超格子層５、ｐ型Ａｌx Ｇａ1ーx Ａｓク
ラッド層６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を順次エピタ
キシャル成長させる。この時、第二次高調波放射領域１
２の層厚を、利得領域１１の層厚に比べ薄くなるように
成長させる。例えば、アンドープＩｎz Ｇａ1-z Ａｓ量
子井戸活性層４は、利得領域１１では２０nmであるのに
対し、第二次高調波放射領域１２では１０nmとなるよう
に形成する。
発生半導体レーザの製造方法を図について説明する。ま
ず、（００１）面以外の結晶面、例えば（１１１）面を
主面とするｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓクラッド層２、ｎ型Ａｌx Ｇａ1ーx Ａｓ／Ａｌ
y Ｇａ1ーy Ａｓ超格子層３、アンドープＩｎz Ｇａ1-z
Ａｓ量子井戸活性層４、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ／Ａｌ
y Ｇａ1ーy Ａｓ超格子層５、ｐ型Ａｌx Ｇａ1ーx Ａｓク
ラッド層６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を順次エピタ
キシャル成長させる。この時、第二次高調波放射領域１
２の層厚を、利得領域１１の層厚に比べ薄くなるように
成長させる。例えば、アンドープＩｎz Ｇａ1-z Ａｓ量
子井戸活性層４は、利得領域１１では２０nmであるのに
対し、第二次高調波放射領域１２では１０nmとなるよう
に形成する。
【００１０】このように、同一ウエハ内で同一成長層の
膜厚を変化させることは、例えば、Ｅlectronics Ｌet
ters Ｖol.27(1991)2138 および応用物理第64巻p.660
(1995) に述べられているように、有機金属気相成長法
を用いた選択成長技術を利用して可能である。すなわ
ち、結晶成長に先立ち、ストライプ形状の一対の選択成
長マスクを適当な間隔を持たせて基板表面のある領域に
形成する。これに有機金属気相成長法によって成長を行
うと、マスク上には結晶は成長せず、マスクのない領域
にのみ選択的に成長が起きるが、マスクの周辺ではマス
ク上に飛来した有機金属成長種をも取り込んで成長が進
行するので、マスク周辺での成長層厚は、マスクに遠い
他の部分よりも厚くなる。特に、一対のストライプマス
クに挟まれた間隙の領域では、成長できないマスク領域
からの有機金属成長種の寄与に比べ、成長するマスク間
隙の面積が狭いため、成長層の厚さは著しく増大する。
この成長層が量子井戸構造であった場合、井戸層の層厚
によって量子閉じ込めエネルギーの大きさが異なるた
め、層厚の変化は量子準位エネルギーの変化すなわち等
価的なバンドギャップエネルギーの変化に変換される。
なお、上記のような技術を用いた時の混晶の組成も利得
領域１１と第二次高調波放射領域１２とで若干異なる
が、本実施の形態においてはｘはおよそ０. ７、ｙはお
よそ０. ９、ｚはおよそ０. ２であるものとする。
膜厚を変化させることは、例えば、Ｅlectronics Ｌet
ters Ｖol.27(1991)2138 および応用物理第64巻p.660
(1995) に述べられているように、有機金属気相成長法
を用いた選択成長技術を利用して可能である。すなわ
ち、結晶成長に先立ち、ストライプ形状の一対の選択成
長マスクを適当な間隔を持たせて基板表面のある領域に
形成する。これに有機金属気相成長法によって成長を行
うと、マスク上には結晶は成長せず、マスクのない領域
にのみ選択的に成長が起きるが、マスクの周辺ではマス
ク上に飛来した有機金属成長種をも取り込んで成長が進
行するので、マスク周辺での成長層厚は、マスクに遠い
他の部分よりも厚くなる。特に、一対のストライプマス
クに挟まれた間隙の領域では、成長できないマスク領域
からの有機金属成長種の寄与に比べ、成長するマスク間
隙の面積が狭いため、成長層の厚さは著しく増大する。
この成長層が量子井戸構造であった場合、井戸層の層厚
によって量子閉じ込めエネルギーの大きさが異なるた
め、層厚の変化は量子準位エネルギーの変化すなわち等
価的なバンドギャップエネルギーの変化に変換される。
なお、上記のような技術を用いた時の混晶の組成も利得
領域１１と第二次高調波放射領域１２とで若干異なる
が、本実施の形態においてはｘはおよそ０. ７、ｙはお
よそ０. ９、ｚはおよそ０. ２であるものとする。
【００１１】以上のような方法でエピタキシャル成長を
行った後、[ １１０] 方向にのびるストライプマスクを
用いて、マスクされた以外の領域のｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層７およびｐ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓクラッド層６
をエッチングにより除去し、リッジ導波路を形成する。
リッジ導波路のうち、片方の約半分の表面、すなわち層
厚の厚い部分にｐ型オーミック電極８を形成し、この領
域を基本波の利得領域１１とする。また、残りの導波路
部分の表面には電極を形成せず、第二次高調波放射領域
１２とする。基板１を裏面より研磨し、薄くした後、裏
面全面にｎ型オーミック電極９を形成する。（１１０）
面で劈開し、前後の劈開面に高反射膜１０を形成する。
行った後、[ １１０] 方向にのびるストライプマスクを
用いて、マスクされた以外の領域のｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層７およびｐ型Ａｌ0.66Ｇａ0.34Ａｓクラッド層６
をエッチングにより除去し、リッジ導波路を形成する。
リッジ導波路のうち、片方の約半分の表面、すなわち層
厚の厚い部分にｐ型オーミック電極８を形成し、この領
域を基本波の利得領域１１とする。また、残りの導波路
部分の表面には電極を形成せず、第二次高調波放射領域
１２とする。基板１を裏面より研磨し、薄くした後、裏
面全面にｎ型オーミック電極９を形成する。（１１０）
面で劈開し、前後の劈開面に高反射膜１０を形成する。
【００１２】このようにして作製された素子に、ｎ型お
よびｐ型のオーミック電極８、９を通して電流を流す
と、利得領域１１の量子井戸活性層４にキャリアが注入
され、レーザ発振が起き、ＴＥモードの基本波が導波路
内を往復伝搬する。このＴＥモードの基本波同士の衝突
により、基板面に垂直方向に伝搬する第二次高調波が発
生し、導波路の表面に電極のない第二次高調波放射領域
１２より放射される。本実施の形態による第二次高調波
発生半導体レーザにおいては、第二次高調波放射領域１
２の量子井戸活性層４の厚さを利得領域１１のそれより
も薄く形成したので、第二次高調波放射領域１２の量子
井戸活性層４の実効的エネルギーバンドギャップが利得
領域１１の実効的エネルギーバンドギャップよりも大き
くなるため、利得領域１１で発生する基本波に対し、第
二次高調波放射領域１２では吸収がない。このため従来
提案されていた素子構造で生じていた、基本波のレージ
ングの閾値電流密度が通常の半導体レーザに比べて大き
くなる問題や、基本波の微分効率が低下してしまう等の
問題点が解消される。
よびｐ型のオーミック電極８、９を通して電流を流す
と、利得領域１１の量子井戸活性層４にキャリアが注入
され、レーザ発振が起き、ＴＥモードの基本波が導波路
内を往復伝搬する。このＴＥモードの基本波同士の衝突
により、基板面に垂直方向に伝搬する第二次高調波が発
生し、導波路の表面に電極のない第二次高調波放射領域
１２より放射される。本実施の形態による第二次高調波
発生半導体レーザにおいては、第二次高調波放射領域１
２の量子井戸活性層４の厚さを利得領域１１のそれより
も薄く形成したので、第二次高調波放射領域１２の量子
井戸活性層４の実効的エネルギーバンドギャップが利得
領域１１の実効的エネルギーバンドギャップよりも大き
くなるため、利得領域１１で発生する基本波に対し、第
二次高調波放射領域１２では吸収がない。このため従来
提案されていた素子構造で生じていた、基本波のレージ
ングの閾値電流密度が通常の半導体レーザに比べて大き
くなる問題や、基本波の微分効率が低下してしまう等の
問題点が解消される。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、第２
の領域の光導波層の量子井戸層厚を第１の領域の活性層
の量子井戸層厚よりも薄く形成したので、第２の領域の
光導波層の実効的エネルギーバンドギャップが第１の領
域の実効的エネルギーバンドギャップよりも大きくなる
ため、第１の領域で発生する基本波に対し、第２の領域
では吸収がないので、基本波の発振に関する閾値電流密
度の増大や微分効率の低下がない第二次高調波発生半導
体レーザを得ることができる。
の領域の光導波層の量子井戸層厚を第１の領域の活性層
の量子井戸層厚よりも薄く形成したので、第２の領域の
光導波層の実効的エネルギーバンドギャップが第１の領
域の実効的エネルギーバンドギャップよりも大きくなる
ため、第１の領域で発生する基本波に対し、第２の領域
では吸収がないので、基本波の発振に関する閾値電流密
度の増大や微分効率の低下がない第二次高調波発生半導
体レーザを得ることができる。
【図１】 この発明の実施の形態１である第二次高調波
発生半導体レーザの構造を示す断面図である。
発生半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図２】 従来の第二次高調波発生半導体レーザの構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ ｎ形ＧａＡｓ基板、２ ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓク
ラッド層、３ ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ／Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓ超格子層、４ アンドープＩｎz Ｇａ1-z Ａｓ
量子井戸活性層、５ ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ／Ａｌy
Ｇａ1ーy Ａｓ超格子層、６ ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓク
ラッド層、７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、８ ｐ型オ
ーミック電極、９ ｎ型オーミック電極、１０ 高反射
膜、１１ 利得領域、１２ 第二次高調波放射領域。
ラッド層、３ ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ／Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓ超格子層、４ アンドープＩｎz Ｇａ1-z Ａｓ
量子井戸活性層、５ ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ／Ａｌy
Ｇａ1ーy Ａｓ超格子層、６ ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓク
ラッド層、７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、８ ｐ型オ
ーミック電極、９ ｎ型オーミック電極、１０ 高反射
膜、１１ 利得領域、１２ 第二次高調波放射領域。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１導電型を有し、（００１）面以外の
結晶面を主面とする閃亜鉛鉱型結晶構造の半導体基板、 この半導体基板上に形成され、活性層、第２導電型のエ
ピタキシャル層および第２導電型の電極を含む第１の領
域、 上記半導体基板上に形成され、上記第１の領域から発せ
られた光に対する光導波層を含み、上記第１の領域から
発せられた光に対する第二次高調波を基板に対して垂直
方向に放射する第２の領域を備え、上記第１の領域の活
性層の層厚が上記第２の領域の光導波層の層厚よりも大
きいことを特徴とする第二次高調波発生半導体レーザ。 - 【請求項２】 第１の領域の活性層と第２の領域の光導
波層が同一成長層の量子井戸構造で構成されていること
を特徴とする請求項１記載の第二次高調波発生半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11803596A JPH09307187A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 第二次高調波発生半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11803596A JPH09307187A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 第二次高調波発生半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307187A true JPH09307187A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14726441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11803596A Pending JPH09307187A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 第二次高調波発生半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09307187A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100552080B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2006-02-20 | 노바 케미컬즈 (인터내셔널) 소시에테 아노님 | 용액 에틸렌 중합용 혼합 티타늄-바나듐 촉매 |
| WO2008085273A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-07-17 | Coherent, Inc. | Frequency-doubled edge-emitting semiconductor lasers |
-
1996
- 1996-05-13 JP JP11803596A patent/JPH09307187A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100552080B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2006-02-20 | 노바 케미컬즈 (인터내셔널) 소시에테 아노님 | 용액 에틸렌 중합용 혼합 티타늄-바나듐 촉매 |
| WO2008085273A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-07-17 | Coherent, Inc. | Frequency-doubled edge-emitting semiconductor lasers |
| US7433374B2 (en) | 2006-12-21 | 2008-10-07 | Coherent, Inc. | Frequency-doubled edge-emitting semiconductor lasers |
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