JPH09306955A - フィルムキャリアおよびその製造方法 - Google Patents
フィルムキャリアおよびその製造方法Info
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- JPH09306955A JPH09306955A JP12449396A JP12449396A JPH09306955A JP H09306955 A JPH09306955 A JP H09306955A JP 12449396 A JP12449396 A JP 12449396A JP 12449396 A JP12449396 A JP 12449396A JP H09306955 A JPH09306955 A JP H09306955A
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- hole
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- bonding
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】スルーホールの信頼性が高いフィルムキャリア
及び該フィルムキャリアを短い工程で、低コストで製造
することが可能なフィルムキャリアの製造方法。 【解決手段】絶縁フィルムの両面に導電性パターンが形
成され、両面の導電性パターンがスルーホールにより接
続されてなるフィルムキャリアにおいて、前記スルーホ
ール内に導電性ワイヤを埋め込む事により形成された導
電部を備えるフィルムキャリアと、一方の面に導電層が
形成された絶縁フィルムを用意する工程、スルーホール
部分の絶縁フィルムを除去する工程、絶縁層側から露出
している導電層に導電性ワイヤのボンディングを行う工
程、導電性ワイヤを供給した後、再度同じ位置にボンデ
ィングを行う工程、絶縁フィルムの他方の面に、前記ス
ルーホールを含むように導電層を形成する工程を含むフ
ィルムキャリアの製造方法。
及び該フィルムキャリアを短い工程で、低コストで製造
することが可能なフィルムキャリアの製造方法。 【解決手段】絶縁フィルムの両面に導電性パターンが形
成され、両面の導電性パターンがスルーホールにより接
続されてなるフィルムキャリアにおいて、前記スルーホ
ール内に導電性ワイヤを埋め込む事により形成された導
電部を備えるフィルムキャリアと、一方の面に導電層が
形成された絶縁フィルムを用意する工程、スルーホール
部分の絶縁フィルムを除去する工程、絶縁層側から露出
している導電層に導電性ワイヤのボンディングを行う工
程、導電性ワイヤを供給した後、再度同じ位置にボンデ
ィングを行う工程、絶縁フィルムの他方の面に、前記ス
ルーホールを含むように導電層を形成する工程を含むフ
ィルムキャリアの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁フィルムの両
面に導電性パターンが形成され、両面の導電性パターン
がスルーホールで接続されたフィルムキャリアおよびそ
の製造方法に関する。
面に導電性パターンが形成され、両面の導電性パターン
がスルーホールで接続されたフィルムキャリアおよびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁フィルムの両面に導電性パターンを
形成して成るフィルムキャリアとしては、例えば次のよ
うなものがある。
形成して成るフィルムキャリアとしては、例えば次のよ
うなものがある。
【０００３】両面に導電性パターンを形成した一般的な
ものとして、例えば図６に示した。ポリイミド等のフィ
ルム６の両面に銅等からなる導電層を形成する。形成方
法としては、フィルム上に接着剤で銅箔を接着する方
法、めっき、スパッタリング等の方法で銅層を形成する
方法がある。
ものとして、例えば図６に示した。ポリイミド等のフィ
ルム６の両面に銅等からなる導電層を形成する。形成方
法としては、フィルム上に接着剤で銅箔を接着する方
法、めっき、スパッタリング等の方法で銅層を形成する
方法がある。
【０００４】フィルム６への穴あけ方法はレーザー加工
等の方法が一般に採用される。導通部３ａは無電解めっ
き後電解めっきを施して形成される。あるいは電解めっ
きのみで形成される。配線パターン７は、導電層をエッ
チングする事により、パターニングされて形成される。
また、上述のめっき、スパッタリング等の方法で銅層を
形成する場合、フィルム６に対し選択的にめっき、スパ
ッタリング等を行うことにより、パターニングしてもよ
い。
等の方法が一般に採用される。導通部３ａは無電解めっ
き後電解めっきを施して形成される。あるいは電解めっ
きのみで形成される。配線パターン７は、導電層をエッ
チングする事により、パターニングされて形成される。
また、上述のめっき、スパッタリング等の方法で銅層を
形成する場合、フィルム６に対し選択的にめっき、スパ
ッタリング等を行うことにより、パターニングしてもよ
い。
【０００５】図６に示す構造の場合は、一方の面（図の
上面側）にインナーリード１２および配線パターン７を
形成し、導通部３ａを介して他方の面に形成したランド
９と接続し、ランド９上に形成したはんだバンプ８によ
り、プリント配線板との接続を行う。インナーリード１
２と、ＩＣチップ１４との接続は、はんだバンプにより
を行っている。
上面側）にインナーリード１２および配線パターン７を
形成し、導通部３ａを介して他方の面に形成したランド
９と接続し、ランド９上に形成したはんだバンプ８によ
り、プリント配線板との接続を行う。インナーリード１
２と、ＩＣチップ１４との接続は、はんだバンプにより
を行っている。
【０００６】電源パターン、ＧＮＤパターンとそれ以外
の信号の配線パターンを分離したものとして、例えば図
７に示した。図７に示す構造の場合は、電源、ＧＮＤ以
外の信号はインナーリードから図の下面側で配線を行っ
てランド９に接続している。電源パターン１０、ＧＮＤ
パターン１１は導通部を介して図の上面側に配線し、図
の上面側に形成した大きな面積のＧＮＤ、電源パターン
に接続した後、さらに導通部を介して図の下面側に配線
し、ランドに接続している。
の信号の配線パターンを分離したものとして、例えば図
７に示した。図７に示す構造の場合は、電源、ＧＮＤ以
外の信号はインナーリードから図の下面側で配線を行っ
てランド９に接続している。電源パターン１０、ＧＮＤ
パターン１１は導通部を介して図の上面側に配線し、図
の上面側に形成した大きな面積のＧＮＤ、電源パターン
に接続した後、さらに導通部を介して図の下面側に配線
し、ランドに接続している。
【０００７】配線パターンから連続的にアウターリード
を形成しているものとして、例えば図８に示した。図８
に示す構造の場合は、インナーリード１２から図の左方
向に延びるパターンは、ＧＮＤパターン１１であり、ス
ルーホール３を介して、反対面側に形成した大きな面積
のＧＮＤパターン１１に接続することにより、ＧＮＤパ
ターン１１の強化をはかっている。図６、７の場合と異
なり、配線パターンから連続的にアウターリード１３を
形成して、外部のプリント配線板等との接続リードとし
ている。
を形成しているものとして、例えば図８に示した。図８
に示す構造の場合は、インナーリード１２から図の左方
向に延びるパターンは、ＧＮＤパターン１１であり、ス
ルーホール３を介して、反対面側に形成した大きな面積
のＧＮＤパターン１１に接続することにより、ＧＮＤパ
ターン１１の強化をはかっている。図６、７の場合と異
なり、配線パターンから連続的にアウターリード１３を
形成して、外部のプリント配線板等との接続リードとし
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、フィルム
の両面の導電層を接続する場合のスルーホール（導通
部）は、上述のように無電解めっきおよび電解めっきで
形成するという方法によっている。
の両面の導電層を接続する場合のスルーホール（導通
部）は、上述のように無電解めっきおよび電解めっきで
形成するという方法によっている。
【０００９】［無電解めっきの場合］無電解めっきが他
の部分に付着すると、その部分の銅箔が厚くなり、エッ
チングが行いにくくなり、ファインパターンが形成しに
くくなる。付着しないようにするためには、マスキング
（レジスト形成等）することが考えられるが、インナー
リードの先端部分は薄い銅箔であり、剛性がないため、
レジストを形成することが困難である。なお、無電解め
っきのみでスルーホール（導通部）を形成することは、
銅層が厚く形成され、高価で長時間を要することから問
題である。
の部分に付着すると、その部分の銅箔が厚くなり、エッ
チングが行いにくくなり、ファインパターンが形成しに
くくなる。付着しないようにするためには、マスキング
（レジスト形成等）することが考えられるが、インナー
リードの先端部分は薄い銅箔であり、剛性がないため、
レジストを形成することが困難である。なお、無電解め
っきのみでスルーホール（導通部）を形成することは、
銅層が厚く形成され、高価で長時間を要することから問
題である。
【００１０】［電解めっきの場合］フィルムキャリア製
造工程（図８）で、フィルム６にスルーホール３を設け
た後の断面図を図９ａに、図９ａのスルーホール３に導
通部３ａを設けた断面図を図９ｂに示す。図９ａ、９ｂ
のように、電解めっきを施す際は、スルーホール３の底
面の銅箔を電極にして、電解めっきを行っており、フィ
ルム部６（穴の側面部）は電極がないため、底面の銅箔
（配線パターン７）から形成される銅層が核となり、ス
ルーホール３内の銅層（導通部３ａ）が形成されてい
く。そのため、スルーホール３内の銅層と、穴の側面部
との間の密着が十分でなく、隙間が発生し、クラックの
原因となったり、経時的に剥離するという不良が生じる
恐れがある。その結果、スルーホール３内（導通部３
ａ）の電気的抵抗が上昇したり、断線したりするという
不良となる恐れがある。
造工程（図８）で、フィルム６にスルーホール３を設け
た後の断面図を図９ａに、図９ａのスルーホール３に導
通部３ａを設けた断面図を図９ｂに示す。図９ａ、９ｂ
のように、電解めっきを施す際は、スルーホール３の底
面の銅箔を電極にして、電解めっきを行っており、フィ
ルム部６（穴の側面部）は電極がないため、底面の銅箔
（配線パターン７）から形成される銅層が核となり、ス
ルーホール３内の銅層（導通部３ａ）が形成されてい
く。そのため、スルーホール３内の銅層と、穴の側面部
との間の密着が十分でなく、隙間が発生し、クラックの
原因となったり、経時的に剥離するという不良が生じる
恐れがある。その結果、スルーホール３内（導通部３
ａ）の電気的抵抗が上昇したり、断線したりするという
不良となる恐れがある。
【００１１】また、スルーホール３の上部の銅箔に形成
された銅層が、導通部３ａを形成し下部に到達した時点
で、下部の銅箔にも導通し、めっきが生じてしまう。そ
れを防ぐために、下部の銅箔には、マスキング（メッキ
処理用レジストコート１６）を施しておかなければなら
ない。しかしながら、前述のようにインナーリード先端
にマスキングを施すことが困難である。また処理液に耐
性のあるマスキングを施すことは、コストの上昇にもつ
ながる。
された銅層が、導通部３ａを形成し下部に到達した時点
で、下部の銅箔にも導通し、めっきが生じてしまう。そ
れを防ぐために、下部の銅箔には、マスキング（メッキ
処理用レジストコート１６）を施しておかなければなら
ない。しかしながら、前述のようにインナーリード先端
にマスキングを施すことが困難である。また処理液に耐
性のあるマスキングを施すことは、コストの上昇にもつ
ながる。
【００１２】さらに、電解めっきの場合、スルーホール
底部の銅箔に導通をとるために、めっきリードを形成す
る必要があり、後にめっきリードを除去する工程が必要
になる。除去できない場合は、フィルムキャリアの端部
からめっきリードが露出し、電気的ショートの原因とな
るという問題点がある。
底部の銅箔に導通をとるために、めっきリードを形成す
る必要があり、後にめっきリードを除去する工程が必要
になる。除去できない場合は、フィルムキャリアの端部
からめっきリードが露出し、電気的ショートの原因とな
るという問題点がある。
【００１３】本発明は、スルーホール（導通部）の信頼
性が高い、フィルムキャリア、およびそのようなフィル
ムキャリアを短い工程で、低コストで製造することが可
能なフィルムキャリアの製造方法を提供することを目的
とする。
性が高い、フィルムキャリア、およびそのようなフィル
ムキャリアを短い工程で、低コストで製造することが可
能なフィルムキャリアの製造方法を提供することを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
絶縁フィルムの両面に導電性パターンが形成され、両面
の導電性パターンがスルーホールにより接続されてなる
フィルムキャリアにおいて、前記スルーホール内に導電
性ワイヤを埋め込む事により形成された導電部を備える
ことを特徴とするフィルムキャリアである。次に本発明
の第２の発明は、 （Ａ）一方の面に導電層が形成された絶縁フィルムを用
意する工程 （Ｂ）スルーホール部分の絶縁フィルムを除去する工程 （Ｃ）絶縁フィルム側から露出している導電層に導電性
ワイヤのボンディングを行う工程 （Ｄ）導電性ワイヤを供給した後、再度同じ位置にボン
ディングを行う工程 （Ｅ）絶縁フィルムの他方の面に、前記スルーホールを
含むように導電層を形成する工程 を含むフィルムキャリアの製造方法である。次に本発明
の第３の発明は、 （Ａ）第一の面に導電層が形成され、第二の面に少なく
ともスルーホール部の導電層が除去された導電層が形成
された絶縁フィルムを用意する工程 （Ｂ）前記スルーホール部分の絶縁フィルムを除去する
工程 （Ｃ）前記第二の面側から露出している第一の面に形成
された導電層に導電性ワイヤのボンディングを行う工程 （Ｄ）導電性ワイヤを供給した後、前記第二の面に形成
された導電層にボンディングを行う工程 を含むフィルムキャリアの製造方法である。
絶縁フィルムの両面に導電性パターンが形成され、両面
の導電性パターンがスルーホールにより接続されてなる
フィルムキャリアにおいて、前記スルーホール内に導電
性ワイヤを埋め込む事により形成された導電部を備える
ことを特徴とするフィルムキャリアである。次に本発明
の第２の発明は、 （Ａ）一方の面に導電層が形成された絶縁フィルムを用
意する工程 （Ｂ）スルーホール部分の絶縁フィルムを除去する工程 （Ｃ）絶縁フィルム側から露出している導電層に導電性
ワイヤのボンディングを行う工程 （Ｄ）導電性ワイヤを供給した後、再度同じ位置にボン
ディングを行う工程 （Ｅ）絶縁フィルムの他方の面に、前記スルーホールを
含むように導電層を形成する工程 を含むフィルムキャリアの製造方法である。次に本発明
の第３の発明は、 （Ａ）第一の面に導電層が形成され、第二の面に少なく
ともスルーホール部の導電層が除去された導電層が形成
された絶縁フィルムを用意する工程 （Ｂ）前記スルーホール部分の絶縁フィルムを除去する
工程 （Ｃ）前記第二の面側から露出している第一の面に形成
された導電層に導電性ワイヤのボンディングを行う工程 （Ｄ）導電性ワイヤを供給した後、前記第二の面に形成
された導電層にボンディングを行う工程 を含むフィルムキャリアの製造方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】フィルムの厚さとしては、３０μ
ｍ〜１００μｍ程度のフィルムが採用される。材質は、
ポリイミド、ポリエステル、エポキシ等の熱硬化性樹脂
を用いることが出来る。銅シートの厚さは、５μｍ〜３
０μｍ程度である。フィルムの両端に銅シートを形成す
る方法としては、めっき、蒸着等の方法が採用される。
フィルムへの穴あけ手段としては、レーザー加工が主流
であるがフィルムのエッチング等も考えられる。
ｍ〜１００μｍ程度のフィルムが採用される。材質は、
ポリイミド、ポリエステル、エポキシ等の熱硬化性樹脂
を用いることが出来る。銅シートの厚さは、５μｍ〜３
０μｍ程度である。フィルムの両端に銅シートを形成す
る方法としては、めっき、蒸着等の方法が採用される。
フィルムへの穴あけ手段としては、レーザー加工が主流
であるがフィルムのエッチング等も考えられる。
【００１６】フィルムの穴を先に開け銅箔を後に形成す
る場合は、穴開け手段としてドリル加工、パンチング
（打ち抜き）も考えられる。しかしドリル加工、パンチ
ングの場合は小さい径のバイアの加工、特に１００μｍ
以下の穴径の加工は、精度の面からも治具の面からも難
しい。
る場合は、穴開け手段としてドリル加工、パンチング
（打ち抜き）も考えられる。しかしドリル加工、パンチ
ングの場合は小さい径のバイアの加工、特に１００μｍ
以下の穴径の加工は、精度の面からも治具の面からも難
しい。
【００１７】ワイヤの材質としては、金、銅、アルミ等
が採用される。又、ワイヤーの太さは、直径１０μｍか
ら５０μｍ程度のものが適用可能である。このようにし
て、スルーホール内の導電物質を導電性ワイヤで形成
し、銅層の間の電気的導通をはかっている。
が採用される。又、ワイヤーの太さは、直径１０μｍか
ら５０μｍ程度のものが適用可能である。このようにし
て、スルーホール内の導電物質を導電性ワイヤで形成
し、銅層の間の電気的導通をはかっている。
【００１８】
【実施例】以下に具体的実施例を説明する。図１のよう
に、厚さ７５μｍのポリイミドフィルム１に、５０μｍ
の穴径でエキシマレーザーによって穴あけされた箇所
（スルーホール３）にボンディングワイヤ４でボンディ
ング（図２）する。ボンディングワイヤ４を切断せずに
供給した後、さらに同じ箇所に二度目のボンディング
（図３）をおこい、ボンディングワイヤ４を切断するこ
とにより、導通部３ａを形成した。そして、銅を蒸着す
ることによって、銅層２（上面）を形成（図４）した。
なお、図５に示すように両面に銅層２を形成し、上述の
図２と同様にボンディングを行い、ボンディングワイヤ
４を切断せずに供給した後、同じ箇所に二度目のボンデ
ィングを行わずに、上面の銅層（銅パターン５）に二度
目のボンディングい、ボンディングワイヤ４を切断する
という方法をとってもよい。
に、厚さ７５μｍのポリイミドフィルム１に、５０μｍ
の穴径でエキシマレーザーによって穴あけされた箇所
（スルーホール３）にボンディングワイヤ４でボンディ
ング（図２）する。ボンディングワイヤ４を切断せずに
供給した後、さらに同じ箇所に二度目のボンディング
（図３）をおこい、ボンディングワイヤ４を切断するこ
とにより、導通部３ａを形成した。そして、銅を蒸着す
ることによって、銅層２（上面）を形成（図４）した。
なお、図５に示すように両面に銅層２を形成し、上述の
図２と同様にボンディングを行い、ボンディングワイヤ
４を切断せずに供給した後、同じ箇所に二度目のボンデ
ィングを行わずに、上面の銅層（銅パターン５）に二度
目のボンディングい、ボンディングワイヤ４を切断する
という方法をとってもよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、スルーホール内の導電
物質が、導電性ワイヤからなるため、簡易な工程で、低
コストで、スルーホールの信頼性が高い、フィルムキャ
リアを提供することができる。
物質が、導電性ワイヤからなるため、簡易な工程で、低
コストで、スルーホールの信頼性が高い、フィルムキャ
リアを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の、スルーホール３を設けた後の工程
図。
図。
【図２】本発明の、第一回目のボンディング工程図。
【図３】本発明の、第二回目のボンディング終了後の工
程図。
程図。
【図４】本発明の、導通部を形成し、銅層を設けた後の
工程図。
工程図。
【図５】本発明の、二回目のボンディングを銅層上に施
した工程図。
した工程図。
【図６】両面に導電性パターンを形成した、従来のフィ
ルムキャリア断面図。
ルムキャリア断面図。
【図７】電源、ＧＮＤパターンと信号の配線パターンを
分離した、従来のフィルムキャリア断面図。
分離した、従来のフィルムキャリア断面図。
【図８】配線パターンから連続的にアウターリードを形
成した、従来のフィルムキャリア断面図。
成した、従来のフィルムキャリア断面図。
【図９】(a)は従来のフィルムキャリア断面図（スルー
ホール内のめっき前）。(b)は従来のフィルムキャリア
断面図（スルーホール内のめっき後）。
ホール内のめっき前）。(b)は従来のフィルムキャリア
断面図（スルーホール内のめっき後）。
１…ポリイミドフィルム ２…銅シート ３…スルーホ
ール ３ａ…導通部 ４…ボンディングワイヤー ５…銅パターン ６…フィ
ルム ７…配線パターン ８…ハンダバンプ ９…ランド １
０…電源パターン １１…グランドパターン １２…インナーリード １３
…アウターリード １４…ＩＣチップ １５…接着剤 １６…メッキ処理用
レジストコート
ール ３ａ…導通部 ４…ボンディングワイヤー ５…銅パターン ６…フィ
ルム ７…配線パターン ８…ハンダバンプ ９…ランド １
０…電源パターン １１…グランドパターン １２…インナーリード １３
…アウターリード １４…ＩＣチップ １５…接着剤 １６…メッキ処理用
レジストコート
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁フィルムの両面に導電性パターンが形
成され、両面の導電性パターンがスルーホールにより接
続されてなるフィルムキャリアにおいて、 前記スルーホール内に導電性ワイヤを埋め込む事により
形成された導電部を備えることを特徴とするフィルムキ
ャリア。 - 【請求項２】（Ａ）一方の面に導電層が形成された絶縁
フィルムを用意する工程 （Ｂ）スルーホール部分の絶縁フィルムを除去する工程 （Ｃ）絶縁フィルム側から露出している導電層に導電性
ワイヤのボンディングを行う工程 （Ｄ）導電性ワイヤを供給した後、再度同じ位置にボン
ディングを行う工程 （Ｅ）絶縁フィルムの他方の面に、前記スルーホールを
含むように導電層を形成する工程 を含むフィルムキャリアの製造方法。 - 【請求項３】（Ａ）第一の面に導電層が形成され、第二
の面に少なくともスルーホール部の導電層が除去された
導電層が形成された絶縁フィルムを用意する工程 （Ｂ）前記スルーホール部分の絶縁フィルムを除去する
工程 （Ｃ）前記第二の面側から、露出している第一の面に形
成された導電層に導電性ワイヤのボンディングを行う工
程 （Ｄ）導電性ワイヤを供給した後、前記第二の面に形成
された導電層にボンディングを行う工程 を含むフィルムキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12449396A JPH09306955A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | フィルムキャリアおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12449396A JPH09306955A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | フィルムキャリアおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306955A true JPH09306955A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14886871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12449396A Pending JPH09306955A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | フィルムキャリアおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008546174A (ja) * | 2005-05-19 | 2008-12-18 | マイクロン テクノロジー， インク． | 導電性相互接続体を用いて半導体装置を製造するための裏面処理方法及びそのシステム |
| US9013044B2 (en) | 2005-12-07 | 2015-04-21 | Micron Technology, Inc. | Through wire interconnect (TWI) for semiconductor components having wire in via and bonded connection with substrate contact |
| US9018751B2 (en) | 2006-04-24 | 2015-04-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor module system having encapsulated through wire interconnect (TWI) |
-
1996
- 1996-05-20 JP JP12449396A patent/JPH09306955A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008546174A (ja) * | 2005-05-19 | 2008-12-18 | マイクロン テクノロジー， インク． | 導電性相互接続体を用いて半導体装置を製造するための裏面処理方法及びそのシステム |
| US9013044B2 (en) | 2005-12-07 | 2015-04-21 | Micron Technology, Inc. | Through wire interconnect (TWI) for semiconductor components having wire in via and bonded connection with substrate contact |
| US9018751B2 (en) | 2006-04-24 | 2015-04-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor module system having encapsulated through wire interconnect (TWI) |
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