JPH09305948A

JPH09305948A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH09305948A
Application number: JP11512096A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Sato; 毅志佐藤
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1996-05-09
Filing date: 1996-05-09
Publication date: 1997-11-28

Abstract

(57)【要約】【課題】グライド高さが低く、ＣＳＳ耐久性が向上し
た磁気記録媒体の提供。【解決手段】基板１２上に少なくとも磁性層１４が設
けられてなる本発明の磁気記録媒体１０は、該基板１２
と該磁性層１４との間に多数の突起からなる凹凸層１９
が設けられ、該突起は低い突起と高い突起とが混在した
ものであり、且つ該低い突起の数が該高い突起の数より
も多く、該磁気記録媒体１０の表面に該凹凸層１９の該
突起に対応する凹凸が形成されていることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
するものであり、更に詳しくは、媒体の表面形状をコン
トロールすることにより、グライド高さが低く、ＣＳＳ
耐久性が向上した磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】コンピ
ュータ等の外部記憶装置として用いられている固定ディ
スク等の磁気ディスクにおいては、その電磁変換特性を
向上させるための手段の一つとして、磁気ヘッドと磁気
ディスクとの間の距離、即ちグライド高さを小さくする
方法が用いられている。従って、一般に磁気ディスクの
表面は平滑であることが好ましいといえるが、あまりに
平滑過ぎると、磁気ヘッドが磁気ディスクに貼り付く、
いわゆるヘッド吸着の現象が起き、磁気ディスクや磁気
ヘッドが損傷するおそれがある。そこで、磁気ディスク
の表面を適度な粗さにするためのテクスチャ処理が一般
に行われている。

【０００３】かかるテクスチャ処理としては、磁気ディ
スクの基板にテクスチャ処理を施す方法や、基板の上に
テクスチャ層を形成する方法が挙げられる。そして、基
板にテクスチャ処理を施す方法としては、基板の表面を
機械的又は化学的に研磨する方法や熱酸化する方法があ
る。一方、テクスチャ層を形成する方法としては、基板
上に低融点金属を真空蒸着させて凹凸形状を形成する方
法がある。

【０００４】これらのテクスチャ処理によれば、適度な
凹凸形状が磁気記録媒体の表面に形成されるものの、そ
の表面プロフィールは、図５（ａ）に示すように、ほぼ
同じ高さの突起が稠密に配置された形状である。従っ
て、該磁気記録媒体と磁気ヘッドスライダーとの接触面
積が大きく、また、該磁気記録媒体が磨耗すると、図５
（ｂ）に示すように、接触面積が一層増大し、その結果
ＣＳＳ耐久性が低下する。特に低グライド高さを実現し
ようとする場合には、粗さ全体を低減する必要が有り
〔図６（ａ）〕、それ故さらに接触面積の増大が急激に
進行し〔図６（ｂ）〕、ＣＳＳ耐久性が著しく低下し
て、耐久性の確保が極めて困難となる。

【０００５】従って、本発明の目的は、グライド高さが
低く、ＣＳＳ耐久性が向上した磁気記録媒体を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明者らは鋭意検討したところ、基板と磁性層との間
に多数の突起を有する特定の凹凸層を形成して、磁気記
録媒体の表面に該突起に対応する凹凸形状を付与するこ
とにより、磁気記録媒体の表面が磨耗した場合における
磁気ヘッドとの接触面積の急激な増大を防止し得ること
を知見した。

【０００７】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
で、基板上に少なくとも磁性層が設けられてなる磁気記
録媒体において、該基板と該磁性層との間に多数の突起
を有する凹凸層が設けられ、該突起は低い突起と高い突
起とが混在したものであり、且つ該低い突起の数が該高
い突起の数よりも多く、該磁気記録媒体の表面に該凹凸
層の該突起に対応する凹凸が形成されていることを特徴
とする磁気記録媒体を提供することにより、上記目的を
達成したものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体につ
いて、好ましい一実施形態を図面を参照して説明する。
ここで、図１は、本発明の磁気記録媒体の好ましい一実
施形態の構造を表す概略図である。

【０００９】図１に示す実施形態の磁気記録媒体１０
は、基板１２上に磁性層１４が設けられている。該基板
１２と該磁性層１４との間には、Ｔｉ又はＴｉ合金層１
５、Ａｌ−Ｍ−Ｏ系合金層１６（Ｍはカーバイド形成能
を有する金属である）及び８００℃以下で稠密六方格子
構造をとる金属材料からなる層１７が該基板１２上に順
次設けられている。該層１７の上面１８側（即ち、上記
磁気記録媒体１０の表面側）には該層１７を構成する金
属材料によって多数の突起が形成されており、その結
果、該層１５、１６及び１７の３層によって凹凸層１９
が形成されている。即ち、該凹凸層１９は、３層から構
成され且つ多数の突起を有するものである。また、該層
１７と該磁性層１４との間には体心立方構造をとる金属
材料からなる非磁性下地層２０が形成されている。更
に、該磁性層１４上には、保護層２２及び潤滑剤層２４
が順次形成されている。

【００１０】上記非磁性下地層２０、上記磁性層１４、
上記保護層２２及び上記潤滑剤層２４は、それぞれ、上
記凹凸層１９の上記突起に対応する凹凸形状を有してい
る。その結果、上記磁気記録媒体１０の表面には該凹凸
層１９の該突起に対応する同一又は類似の凹凸が形成さ
れている。該凹凸によって、該磁気記録媒体１０の表面
が磨耗した場合における磁気ヘッドとの接触面積の急激
な増大を防止することができる。尚、図１においては、
各層における凹凸形状、及び上記磁気記録媒体１０の表
面における凹凸形状は、簡便のために省略されている。
以下、上記磁気記録媒体１０を構成する各層についてそ
れぞれ説明する。

【００１１】まず、上記層１５について説明すると、該
層は、Ｔｉ又はＴｉ合金からなる層である。該Ｔｉ合金
としては、例えば、Ｔｉ−Ｓｉ、Ｔｉ−Ｃｒ、Ｔｉ−Ｔ
ａ等を用いることができる。かかる層１５は、真空蒸
着、イオンプレーティング、スパッタリング等の物理的
気相成長法（ＰＶＤ）で形成することができる。また、
かかる層１５の厚さは、５〜１５０ｎｍであることが好
ましい。

【００１２】次に、上記層１６について説明すると、該
層は、Ａｌ−Ｍ−Ｏ系合金からなる層である。ここで、
Ｍはカーバイド形成能を有する金属であり、Ｓｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ及びＶが好ましく
用いられ、特に好ましくはＳｉが用いられる。この場
合、Ｍとしては、上記金属の１種又は２種以上を用いる
ことができる。上記Ａｌ−Ｍ−Ｏ系合金における金属Ｍ
の濃度（重量基準）は、使用する金属の種類にもよる
が、１〜１０％であることが好ましい。一方、Ｏの濃度
（重量基準）は、１〜５０％であることが好ましく、１
〜３０％であることが更に好ましい。かかるＡｌ−Ｍ−
Ｏ系合金からなる層は、スパッタリング等のＰＶＤで形
成することができ、特にＡｌ−Ｍ系合金を（Ａｒ＋
Ｏ₂）ガス雰囲気下でスパッタリングして形成すること
が好ましい。スパッタリングの条件としては、Ａｒガス
の圧力は、２〜３０ｍＴｏｒｒであることが好ましく、
Ｏ₂ガスの圧力は、Ａｒガス圧力の１〜５０％であるこ
とが好ましい。また、スパッタリング時の基板温度は、
該Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系合金からなる層が稠密な凹凸形状を
形成しないような温度以下とすることが好ましく、具体
的には室温〜１５０℃であることが好ましい。上記層１
６の厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。

【００１３】次に、上記層１７について説明すると、該
層１７は、８００℃以下で稠密六方格子構造をとる金属
材料からなる。かかる金属材料としては、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｓｃ、Ｙ、Ｚｎ及びＣｄ並びにこれらの合金が好ましく
用いられ、特に好ましくはＴｉ及びＴｉ合金が用いられ
る。該Ｔｉ合金としては、上記層１５において用いられ
るＴｉ合金と同様のものを用いることができる。上記層
１７の厚さは、５〜２００ｎｍであることが好ましい。
また、上記層１７は、公知の薄膜形成手段、例えば、ス
パッタリング、真空蒸着及びイオンプレーティング等の
ＰＶＤによって形成することができる。

【００１４】以上の層１５、１６及び１７の３層が、上
記基板１２上に順次形成されることにより、該層１７の
上面１８側に（即ち、上記磁気記録媒体１０の表面
側）、低い突起と高い突起とが混在した多数の突起が形
成され、これら３層によって凹凸層１９が構成される。
そして、該層１５、１６及び１７のうちの何れか一層で
も欠けると、該突起が全く形成されないか、又は低い突
起のみが形成されるので、磁気記録媒体の表面が磨耗し
た場合における磁気ヘッドとの接触面積の急激な増大を
効果的に防止することが容易でなくなる。

【００１５】次に、図１に示す実施形態の磁気記録媒体
１０における上記基板１２及び上記磁性層１４について
説明すると、該基板１２としては、磁性及び非磁性の基
板の何れをも用いることができるが、一般には非磁性基
板が用いられる。該非磁性基板としては、例えば、Ａｌ
基板、ＮｉＰめっきＡｌ合金基板、強化ガラス基板、結
晶化ガラス基板、セラミックス基板、Ｓｉ合金基板、Ｔ
ｉ基板、Ｔｉ合金基板、プラスチック基板、カーボン基
板、及びこれらの複合材料から成る基板等が使用でき
る。特に、カーボン基板、就中ガラス状カーボン基板
は、小径／薄板化に有利であり、耐熱性に優れ、しかも
導電性も有しているので、本発明において好ましく用い
られる。

【００１６】一方、上記磁性層１４について説明する
と、該磁性層１４としては、例えば、スパッタリング等
のＰＶＤにより形成された金属薄膜型の磁性層を挙げる
ことができる。該金属薄膜型の磁性膜を形成する材料と
しては、例えばＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＣｒＸ（但
し、Ｘ＝Ｃｒを除く）、ＣｏＣｒＰｔＸ（但し、Ｘ＝Ｃ
ｒ及びＰｔを除く）、ＣｏＳｍ、ＣｏＳｍＸ（但し、Ｘ
＝Ｓｍを除く）、ＣｏＮｉＸ（但し、Ｘ＝Ｎｉを除く）
及びＣｏＷＸ（但し、Ｘ＝Ｗを除く）（ここで、Ｘは、
Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌｉ、Ｓｉ、
Ｂ、Ｃａ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ａｇ、Ｓｂ及びＨｆ等からなる群より選ばれる１種又は
２種以上の金属を示す）等で表されるＣｏを主成分とす
るＣｏ系の磁性合金等を好ましく挙げることができる。
使用に際しては、これらを単独で又は２種以上組み合わ
せて用いることができる。上記磁性層１４の厚さは２０
〜５０ｎｍであることが好ましい。

【００１７】また、上記非磁性下地層２０について説明
すると、該非磁性下地層２０は、体心立方構造をとる金
属材料からなる。かかる金属材料としては、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ及びＴａ並びにこれらの合金が好まし
く用いられ、特に好ましくはＣｒ又はＣｒを含む二元合
金が用いられる。該Ｃｒを含む二元合金の例としては、
ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＮｂ、ＣｒＳｉ、Ｃ
ｒＣｏ及びＣｒＴａ等を挙げるこができる。該非磁性下
地層２０の厚さは、５〜１５０ｎｍであることが好まし
い。尚、該非磁性下地層２０は、スパッタリング等のＰ
ＶＤを用いて形成することができる。

【００１８】また、図１に示す実施形態の磁気記録媒体
１０において、上記磁性層１４上に順次設けられる保護
層２２及び潤滑剤層２４としては、通常の磁気記録媒体
において用いられるものを特に制限無く用いることがで
きる。例えば、上記保護層２２としては、耐磨耗性の点
から硬度の高い材料が用いられ、具体的にはＡｌ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の金属
の酸化物、窒化物、炭化物や、ダイヤモンドライクカー
ボン等のカーボンが好ましく用いられる。一方、上記潤
滑剤層２４は、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を
塗布する方法や、フッ化炭素系化合物と酸素とを気相重
合（特に光ＣＶＤ）する方法（例えば、特願平６−２８
６９４０号記載の方法等）により形成することができ
る。

【００１９】図１に示す実施形態の磁気記録媒体１０に
おいては、上述の通り、上記層１５、１６及び１７の３
層から構成され且つ多数の突起を有する凹凸層１９を形
成することにより、該磁気記録媒体１０の表面に適度な
凹凸形状が付与される。尚、該凹凸層１９には、その全
面に亘って上記突起が実質的に形成されているが、本発
明の効果を損なわない限度において該突起が形成されて
いない部分が存在していてもよい。該凹凸層１９におけ
る該突起は、図２及び図３に示すように、低い突起３０
と高い突起３１とが混在したものであり、且つ該低い突
起の数が該高い突起の数よりも多くなっている。その結
果、該凹凸層１９の該突起に対応する凹凸が形成された
磁気記録媒体１０の表面においては、該表面が磨耗した
場合であっても図４に示すように磁気ヘッドとの接触面
積が急激に増大しないので、該磁気記録媒体１０のＣＳ
Ｓ特性を向上させることができる。尚、該低い突起３０
と該高い突起３１とは、磁気記録媒体１０の面内方向に
おいて、互いにほぼ均一に分布している。また、該低い
突起３０と該高い突起３１とは、バイモーダル（bimoda
l ）的に分布している。尚、本明細書において、「低い
突起」及び「高い突起」とは、図３に示すように、その
頂点が該凹凸層１９の中心線３２よりも上に位置するも
のをいう。従って、該凹凸層１９には、図３に示すよう
に、該低い突起及び該高い突起以外に、該中心線３２よ
りも下に位置する突起も存在している。

【００２０】図１に示すように、上記凹凸層１９は、上
記磁気記録媒体１０の面内方向において連続した層とな
っていることが好ましい。該凹凸層１９が連続した層と
なっていることによって、上記磁気記録媒体１０の表面
が磨耗した場合における磁気ヘッドとの接触面積の急激
な増大を一層効果的に防止でき、磁気記録媒体のＣＳＳ
特性を一層向上させ得るので好ましい。

【００２１】図３に示すように、上記凹凸層１９におい
ては、上記低い突起３０は、その高さが該凹凸層１９の
中心線３２を基準として５０Åよりも低く（即ち、該中
心線３２からの高さが５０Å未満）、且つ上記高い突起
３１は、その高さが該凹凸層１９の中心線３２を基準と
して５０Å以上であることが好ましい。また、該凹凸層
１９においては、該高い突起３１の存在密度が２×１０
⁴個／ｍｍ²以下であることが好ましい。該凹凸層１９
が、かかる構造を有することによっても、上記磁気記録
媒体１０の表面が磨耗した場合における磁気ヘッドとの
接触面積の急激な増大を一層効果的に防止でき、磁気記
録媒体のＣＳＳ特性を一層向上させ得るので好ましい。
上記低い突起３０の高さは、上記中心線３２を基準とし
て２０Å以上５０Å未満であることが更に好ましく、２
５〜４５Åであることが一層好ましい。また、上記高い
突起３１の高さは、上記中心線３２を基準として５０〜
３００Åであることが更に好ましく、６０〜２５０Åで
あることが一層好ましい。更に、該高い突起３１の存在
密度は１８０００〜１０００個／ｍｍ²であることが更
に好ましく、１５０００〜３０００個／ｍｍ²であるこ
とが一層好ましい。上記低い突起３０の存在密度と上記
高い突起３１の存在密度との比（前者：後者）は１０
０：１〜５：１であることが好ましく、７５：１〜１
５：１であることが更に好ましい。上記低い突起３０及
び上記高い突起３１の高さ並びにこれらの突起の存在密
度は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）観察によって測定する
ことができる。また、本明細書において「中心線」と
は、ＪＩＳＢ０６０１表面粗さに定義されるものを
いう。

【００２２】上記凹凸層１９における上記突起３０、３
１は、該突起３０、３１を、上記中心線３２沿って磁気
記録媒体の面内方向に切断した場合の断面形状を円近似
したときの直径が平均値で０．７５μｍ以下であること
が好ましく、０．７０〜０．１５μｍであることが更に
好ましく、０．６５〜０．２５μｍであることが一層好
ましい。該直径を０．７５μｍ以下とすることによっ
て、上記磁気記録媒体１０の表面が磨耗した場合におけ
る磁気ヘッドとの接触面積の急激な増大を一層効果的に
防止でき、磁気記録媒体のＣＳＳ特性を一層向上させ得
るので好ましい。該直径は、ＡＦＭ観察によって測定す
ることができる。

【００２３】本発明の磁気記録媒体は、例えば、磁気ド
ラム、磁気テープ、磁気カード及び磁気ディスク等とし
て有用であり、特に固定ディスク等の磁気ディスクとし
て有用である。

【００２４】以上、本発明の磁気記録媒体を、その好ま
しい一実施形態に基づいて説明したが、本発明の磁気記
録媒体は、かかる実施形態に限定されるものではなく、
種々の変更形態が可能である。例えば、図１において、
上記非磁性下地層２０と磁性層１４との間に、両者の密
着性を向上させたり、該磁性層１４の磁気特性を向上さ
せる目的で、１層又は複数の下地層やアモルファス層を
設けてもよい。また、上記基板１２と上記層１５との間
に、両者の密着性を向上させたり、該基板１２の表面状
態を調整する目的で、１層又は複数のベース層を設けて
もよい。また、上記凹凸層１９は、磁気記録媒体の面内
方向において不連続な層であってもよい。また、上記凹
凸層１９は、単一の層から形成されていてもよい。尚、
上記の説明以外に特に詳述しなかった点については、従
来の磁気記録媒体に関する説明が適宜適用される。

【００２５】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は、かかる実施例に限定されるものでは
ない。

【００２６】〔実施例１〕図１に示す磁気ディスクを下
記の手順により作製した。即ち、密度１．５ｇ／ｃｍ³
のガラス状カーボン製のディスク状基板（サイズ１．８
インチ、厚さ２５ミル）を研磨し、中心線平均粗さＲａ
を０．８ｎｍにした。この基板上に、Ａｒガス雰囲気
（圧力３ｍＴｏｒｒ）中でのＤＣマグネトロンスパッタ
リングにより（基板温度２００℃）、厚さ５０ｎｍのＴ
ｉ層（層１５）を形成した。この層の上に、Ａｌ−Ｓｉ
（１０ｗｔ％）ターゲットを用いたＡｒ＋Ｏ₂（１０
％）の混合ガス雰囲気（圧力３ｍＴｏｒｒ）中でのＤＣ
マグネトロンスパッタリングにより（基板温度１００
℃）、厚さ１００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｏ系合金からなる
層（層１６）を形成した。次いで、この層の上に、Ａｒ
ガス雰囲気（圧力３ｍＴｏｒｒ）中でのＤＣマグネトロ
ンスパッタリングにより（基板温度２００℃）、厚さ５
０ｎｍのＴｉ層（層１７）を設けた。このとき、基板側
に−１００Ｖのバイアス電圧を印加してスパッタリング
を行った。これにより、Ｔｉ層／Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ層／Ｔ
ｉ層から構成され且つ多数の突起を有する凹凸層を形成
した。引き続き、該Ｔｉ層上に厚さ５０ｎｍのＣｒ層
（層２０）を設け、更に該Ｃｒ層上に、Ａｒガス雰囲気
（圧力３ｍＴｏｒｒ）中でのＤＣマグネトロンスパッタ
リングにより（基板温度２００℃）厚さ３５ｎｍのＣｏ
ＣｒＴａ系磁性層、及び厚さ２０ｎｍのガラス状カーボ
ン保護層を順次設けた。該保護層上に、アウジモント社
製フォンブリンＡＭ２００１をディップコーティングし
て厚さ２ｎｍの潤滑剤層を設け、磁気ディスクを得た。

【００２７】得られた磁気ディスクについて、凹凸層の
突起の高さ、高い突起の存在密度及び突起を円近似した
ときの直径、並びに磁気ディスクのＣＳＳ耐久性を下記
の方法により測定した。その結果を表２に示す。

【００２８】＜凹凸層の突起の高さ、高い突起の存在密
度及び突起を円近似したときの直径＞原子間力顕微鏡
（ＤＩ社製「ＮａｎｏＳｃｏｐｅIII 」）を用い、タ
ッピングＡＦＭモードで測定した。

【００２９】＜ＣＳＳ耐久性＞ヤマハ社製の薄膜ヘッド
（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ製スライダヘッド）を用い、ヘッ
ド荷重３．５ｇ、ヘッド浮上量２．８μインチ、４５０
０ｒｐｍで５秒間駆動、５秒間停止のサイクルを繰り返
して行い、５００００サイクル後の静摩擦係数（μｓ）
が０．６未満のものを“○”、０．６〜０．８のものを
△、０．８以上のものを“×”とした。

【００３０】〔実施例２及び比較例１〜４〕表１に示す
条件にて実施例１と同様の操作により磁気ディスクを作
製した。得られた磁気ディスクについて実施例１と同様
の測定を行った。その結果を表２に示す。

【００３１】

【表１】

【００３２】

【表２】

【００３３】表２に示す結果から明らかなように、基板
と磁性層との間に多数の突起を有する凹凸層が設けられ
ている本発明の磁気ディスク（実施例１及び２）は、比
較例１〜４の磁気ディスクに比して、ＣＳＳ耐久性に優
れていることが分かる。

【００３４】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、磁気記
録媒体の表面が磨耗した場合における磁気ヘッドとの接
触面積の急激な増大が防止され、磁気記録媒体のグライ
ド高さが低くなり、ＣＳＳ耐久性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の好ましい一実施形態の
構造を表す概略図である。

【図２】凹凸層の表面の原子間力顕微鏡像である。

【図３】凹凸層の原子間力顕微鏡像の断面プロフィール
である。

【図４】本発明の磁気記録媒体の表面が磨耗した場合に
おける該表面の要部を拡大して示す模式図である。

【図５】従来の磁気記録媒体の表面プロフィールを示す
模式図である。

【図６】従来の磁気記録媒体の別の表面プロフィールを
示す模式図である。

【符号の説明】

１０磁気記録媒体１２基板１４磁性層１５Ｔｉ又はＴｉ合金層１６Ａｌ−Ｍ−Ｏ層１７８００℃以下で稠密六方格子構造をとる金属材料
からなる層１９凹凸層２０非磁性下地層２２保護層２４潤滑剤層３０低い突起３１高い突起３２中心線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも磁性層が設けられて
なる磁気記録媒体において、該基板と該磁性層との間に多数の突起を有する凹凸層が
設けられ、該突起は低い突起と高い突起とが混在したものであり、
且つ該低い突起の数が該高い突起の数よりも多く、該磁気記録媒体の表面に該凹凸層の該突起に対応する凹
凸が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記凹凸層が磁気記録媒体の面内方向に
おいて連続した層である、請求項１記載の磁気記録媒
体。
【請求項３】上記低い突起は、その高さが上記凹凸層
の中心線を基準として５０Åよりも低く、上記高い突起
は、その高さが該凹凸層の中心線を基準として５０Å以
上であり、且つ該高い突起の存在密度が２×１０⁴個／
ｍｍ²以下である、請求項１又は２記載の磁気記録媒
体。
【請求項４】上記突起は、該突起を上記中心線に沿っ
て磁気記録媒体の面内方向に切断した場合の断面形状を
円近似したときの直径が平均値で０．７５μｍ以下であ
る、請求項１〜３の何れかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】上記凹凸層が、上記基板上に順次設けた
Ｔｉ又はＴｉ合金層、Ａｌ−Ｍ−Ｏ系合金層（Ｍはカー
バイト形成能有する金属）及び８００℃以下で稠密六方
格子構造をとる金属材料からなる層から構成されてお
り、上記突起が、８００℃以下で稠密六方格子構造をと
る該金属材料からなる層の上面側に形成されている、請
求項１〜４の何れかに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】上記Ａｌ−Ｍ−Ｏ系合金中のＭが、Ｓ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ又はＶであ
り、酸素の濃度が１〜５０％である、請求項１〜５の何
れかに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】上記基板がカーボン基板である、請求項
１〜６の何れかに記載の磁気記録媒体。