JPH09301933A - アミン類の製造方法 - Google Patents
アミン類の製造方法Info
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- JPH09301933A JPH09301933A JP14497096A JP14497096A JPH09301933A JP H09301933 A JPH09301933 A JP H09301933A JP 14497096 A JP14497096 A JP 14497096A JP 14497096 A JP14497096 A JP 14497096A JP H09301933 A JPH09301933 A JP H09301933A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】一般式Ｉの置換アミド類を一般式IIの化合
物及び水素化金属ホウ素から得られる還元剤で処理する
一般式IIIのアミン類の製造方法。 （Ｒ1 〜Ｒ3 は同一でも異なってもよく、それぞれ水
素、安定な置換基を有してもよいＣ１〜２０の直鎖もし
くは分岐の、又は環状のアルキル基、安定な置換基を有
してもよいＣ６〜１８のアリール基、安定な置換基を有
していてもよい原子数３〜２２の複素環基等を表し、ま
たＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形成してもよい。ただ
しＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 がすべて水素ではない。） （Ｒ4 ）2 ＳＯ4 (II) （Ｒ4 はＣ１〜３のアルキル基、フェニル基又はベンジ
ル基を表す。） （Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 は一般式Ｉと同じ。） 【効果】アミド類よりアミン類を簡便かつ高収率で工業
的に有利に製造できる。
物及び水素化金属ホウ素から得られる還元剤で処理する
一般式IIIのアミン類の製造方法。 （Ｒ1 〜Ｒ3 は同一でも異なってもよく、それぞれ水
素、安定な置換基を有してもよいＣ１〜２０の直鎖もし
くは分岐の、又は環状のアルキル基、安定な置換基を有
してもよいＣ６〜１８のアリール基、安定な置換基を有
していてもよい原子数３〜２２の複素環基等を表し、ま
たＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形成してもよい。ただ
しＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 がすべて水素ではない。） （Ｒ4 ）2 ＳＯ4 (II) （Ｒ4 はＣ１〜３のアルキル基、フェニル基又はベンジ
ル基を表す。） （Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 は一般式Ｉと同じ。） 【効果】アミド類よりアミン類を簡便かつ高収率で工業
的に有利に製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアミン類の製造方法
に関する。さらに詳しくは、置換アミド類を還元するこ
とによりアミン類を製造する方法に関する。
に関する。さらに詳しくは、置換アミド類を還元するこ
とによりアミン類を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アミン類は、医薬、農薬の中間体として
有用であり、従来は一般式（Ｉ）で示される置換アミド
類から水素化アルミニウムリチウムで還元することによ
り（H. C. Brown and N. M. Yoon, J. Am. Chem. So
c., 88, 1464 (1966)、A. C.Cope and E. Ciganek, O
rganic Syntheses, Coll. Vol. IV p339 (1963) 、R.
B. Moffett, Organic Syntheses, Coll. Vol. IV p354
(1963))、あるいはボランで還元することにより（H.
C. Brown and P. Heim, J. Org. Chem., 38, 912 (197
3)、R. D. Schuctz, G. P. Nieles, and R. L. Titus,
J. Org. Chem., 33, 1556 (1968)、H. C. Murray, L.
M. Reineke, and Tonken, J. Org. Chem. 33, 3207 (19
68)）製造されてきた。しかしこれらの方法では還元剤
の取り扱い及び保管に注意を要し、また希薄溶液で反応
が行われるため容積効率が悪く、工業的に有利な方法と
はいえない。
有用であり、従来は一般式（Ｉ）で示される置換アミド
類から水素化アルミニウムリチウムで還元することによ
り（H. C. Brown and N. M. Yoon, J. Am. Chem. So
c., 88, 1464 (1966)、A. C.Cope and E. Ciganek, O
rganic Syntheses, Coll. Vol. IV p339 (1963) 、R.
B. Moffett, Organic Syntheses, Coll. Vol. IV p354
(1963))、あるいはボランで還元することにより（H.
C. Brown and P. Heim, J. Org. Chem., 38, 912 (197
3)、R. D. Schuctz, G. P. Nieles, and R. L. Titus,
J. Org. Chem., 33, 1556 (1968)、H. C. Murray, L.
M. Reineke, and Tonken, J. Org. Chem. 33, 3207 (19
68)）製造されてきた。しかしこれらの方法では還元剤
の取り扱い及び保管に注意を要し、また希薄溶液で反応
が行われるため容積効率が悪く、工業的に有利な方法と
はいえない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、アミン類の工業的に有利な製造方法を提供すること
にある。
は、アミン類の工業的に有利な製造方法を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の状
況に鑑み、置換アミド類の還元方法について鋭意研究し
たところ、置換アミド類を水素化ホウ素ナトリウムとジ
メチル硫酸から得られる還元剤で処理することにより簡
便かつ容易に、そして高容積効率で目的のアミン類を製
造することができることを見いだした。本発明はかかる
事実に基づき、さらに研究を進めて完成するに至ったも
のである。
況に鑑み、置換アミド類の還元方法について鋭意研究し
たところ、置換アミド類を水素化ホウ素ナトリウムとジ
メチル硫酸から得られる還元剤で処理することにより簡
便かつ容易に、そして高容積効率で目的のアミン類を製
造することができることを見いだした。本発明はかかる
事実に基づき、さらに研究を進めて完成するに至ったも
のである。
【０００５】即ち、本発明の要旨は、（１） 一般式
（Ｉ）
（Ｉ）
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 又はＲ3 は、同一でも
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、本反応条件下
で安定な置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直
鎖もしくは分岐の、又は環状のアルキル基、本反応条件
下で安定な置換基を有していてもよい炭素数６〜１８の
アリール基、本反応条件下で安定な置換基を有していて
もよい原子数３〜２２の複素環基、又は本反応条件下で
安定な置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラ
ルキル基を表す。またＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形
成していてもよく、かつ本反応条件下で安定な置換基を
有していてもよい。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 がすべ
て水素原子である場合を除く。）で示される置換アミド
類を一般式（II) （Ｒ4 ）2 ＳＯ4 （II) （式中、Ｒ4 は炭素数１〜３のアルキル基、フェニル
基、又はベンジル基を表す。）で示される化合物及び水
素化金属ホウ素から得られる還元剤で処理することによ
る、一般式（III)
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、本反応条件下
で安定な置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直
鎖もしくは分岐の、又は環状のアルキル基、本反応条件
下で安定な置換基を有していてもよい炭素数６〜１８の
アリール基、本反応条件下で安定な置換基を有していて
もよい原子数３〜２２の複素環基、又は本反応条件下で
安定な置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラ
ルキル基を表す。またＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形
成していてもよく、かつ本反応条件下で安定な置換基を
有していてもよい。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 がすべ
て水素原子である場合を除く。）で示される置換アミド
類を一般式（II) （Ｒ4 ）2 ＳＯ4 （II) （式中、Ｒ4 は炭素数１〜３のアルキル基、フェニル
基、又はベンジル基を表す。）で示される化合物及び水
素化金属ホウ素から得られる還元剤で処理することによ
る、一般式（III)
【０００８】
【化４】
【０００９】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は一般式
（Ｉ) におけるＲ1 、Ｒ2 及びＲ3 とそれぞれ同一の意
義を表す。）で示されるアミン類の製造方法、（２）
溶媒の存在下又は非存在下に一般式（Ｉ) で示される置
換アミド類と水素化金属ホウ素の混合物中に一般式（I
I) で示される化合物を添加することを特徴とする前記
（１）記載の製造方法、（３） 水素化金属ホウ素が水
素化ホウ素ナトリウムであり、一般式（II) で示される
化合物がジメチル硫酸である前記（１）又は（２）記載
の製造方法、（４） 還元剤で処理するときに使用する
有機溶媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換アミド類の
１〜５重量倍であることを特徴とする前記（１）〜
（３）いずれか記載の製造方法、（５） 還元剤で処理
するときに使用する有機溶媒が、テトラヒドロフランで
あることを特徴とする前記（１）〜（４）いずれか記載
の製造方法、（６） 一般式（Ｉ）で示される置換アミ
ド類のＲ1 が水素原子である（但し、Ｒ3 が水素原子で
ある場合を除く）ことを特徴とする前記（１）〜（５）
いずれか記載の製造方法、に関する。
（Ｉ) におけるＲ1 、Ｒ2 及びＲ3 とそれぞれ同一の意
義を表す。）で示されるアミン類の製造方法、（２）
溶媒の存在下又は非存在下に一般式（Ｉ) で示される置
換アミド類と水素化金属ホウ素の混合物中に一般式（I
I) で示される化合物を添加することを特徴とする前記
（１）記載の製造方法、（３） 水素化金属ホウ素が水
素化ホウ素ナトリウムであり、一般式（II) で示される
化合物がジメチル硫酸である前記（１）又は（２）記載
の製造方法、（４） 還元剤で処理するときに使用する
有機溶媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換アミド類の
１〜５重量倍であることを特徴とする前記（１）〜
（３）いずれか記載の製造方法、（５） 還元剤で処理
するときに使用する有機溶媒が、テトラヒドロフランで
あることを特徴とする前記（１）〜（４）いずれか記載
の製造方法、（６） 一般式（Ｉ）で示される置換アミ
ド類のＲ1 が水素原子である（但し、Ｒ3 が水素原子で
ある場合を除く）ことを特徴とする前記（１）〜（５）
いずれか記載の製造方法、に関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明について説明する。
本発明に使用される原料化合物は、一般式（Ｉ）で示さ
れる置換アミド類である。一般式（Ｉ）中のＲ1 、Ｒ2
又はＲ3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ本
反応条件下で安定な置換基を有していてもよい炭素数１
〜２０の直鎖もしくは分岐の、又は環状のアルキル基、
本反応条件下で安定な置換基を有していてもよい炭素数
６〜１８のアリール基、本反応条件下で安定な置換基を
有していてもよい原子数３〜２２の複素環基、又は本反
応条件下で安定な置換基を有していてもよい炭素数７〜
２０のアラルキル基を表す。またＲ1 とＲ2 は一緒にな
って環を形成していてもよく、かつ本反応条件下で安定
な置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 及び
Ｒ3 がすべて水素原子である場合を除く。
本発明に使用される原料化合物は、一般式（Ｉ）で示さ
れる置換アミド類である。一般式（Ｉ）中のＲ1 、Ｒ2
又はＲ3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ本
反応条件下で安定な置換基を有していてもよい炭素数１
〜２０の直鎖もしくは分岐の、又は環状のアルキル基、
本反応条件下で安定な置換基を有していてもよい炭素数
６〜１８のアリール基、本反応条件下で安定な置換基を
有していてもよい原子数３〜２２の複素環基、又は本反
応条件下で安定な置換基を有していてもよい炭素数７〜
２０のアラルキル基を表す。またＲ1 とＲ2 は一緒にな
って環を形成していてもよく、かつ本反応条件下で安定
な置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 及び
Ｒ3 がすべて水素原子である場合を除く。
【００１１】炭素数１〜２０のアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、
ノニル基、カプリル基、ラウリル基、パルミチル基、ス
テアリル基等が例示できる。炭素数６〜１８のアリール
基としては、フェニル基、ナフチル基等が例示できる。
原子数３〜２２の複素環基としては、アジリジル基、フ
リル基、チェニル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリ
ル基、ベンゾフリル基、オキサゾリル基、チアゾリル
基、イミダゾリル基、ピラジル基、ピリミジル基、キナ
ゾリニル基、プリニル基等が挙げられる。炭素数７〜２
０のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチ
ル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェニ
ルペンチル基、フェニルヘキシル基等が例示できる。ま
たＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形成していてもよい
が、一緒になったＲ1とＲ2 としては、不飽和結合を有
していてもよく、あるいは複素原子を有していてもよい
原子数２〜１５の二価の基であって、本反応条件下で安
定な置換基を有してもよく、また芳香環と縮合していて
もよい。例えば、かかる二価の基としてはエチレン基、
トリメチレン基、テトラメチレン基、エチルエチレン
基、プロペニレン基等が挙げられる。
チル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、
ノニル基、カプリル基、ラウリル基、パルミチル基、ス
テアリル基等が例示できる。炭素数６〜１８のアリール
基としては、フェニル基、ナフチル基等が例示できる。
原子数３〜２２の複素環基としては、アジリジル基、フ
リル基、チェニル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリ
ル基、ベンゾフリル基、オキサゾリル基、チアゾリル
基、イミダゾリル基、ピラジル基、ピリミジル基、キナ
ゾリニル基、プリニル基等が挙げられる。炭素数７〜２
０のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチ
ル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェニ
ルペンチル基、フェニルヘキシル基等が例示できる。ま
たＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形成していてもよい
が、一緒になったＲ1とＲ2 としては、不飽和結合を有
していてもよく、あるいは複素原子を有していてもよい
原子数２〜１５の二価の基であって、本反応条件下で安
定な置換基を有してもよく、また芳香環と縮合していて
もよい。例えば、かかる二価の基としてはエチレン基、
トリメチレン基、テトラメチレン基、エチルエチレン
基、プロペニレン基等が挙げられる。
【００１２】本反応条件下で安定な置換基としては、メ
チル基、エチル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐の
アルキル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、
ブロモメチル基等の置換アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基、置換基を有していてもよいフ
ェニル基、置換基を有していてもよい含窒素複素環基、
フッ素原子、クロル原子、ブロム原子等のハロゲン原
子、アミノ基、水酸基、チオール基、アルキル置換チオ
ール基、ニトロ基等が例示できる。
チル基、エチル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐の
アルキル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、
ブロモメチル基等の置換アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基、置換基を有していてもよいフ
ェニル基、置換基を有していてもよい含窒素複素環基、
フッ素原子、クロル原子、ブロム原子等のハロゲン原
子、アミノ基、水酸基、チオール基、アルキル置換チオ
ール基、ニトロ基等が例示できる。
【００１３】一般式（Ｉ）で示される置換アミド類の具
体例としては、例えば、アセトアニリド、プロピオンア
ニリド、アセトアミド、ヘキサンアミド、オクタンアミ
ド、４−メチルペンタンアミド、４−（２−ピリジル）
ペンタンアミド、４−クロルペンタンアミド、Ｎ−メチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルヘキサンアミド、Ｎ−メチ
ルオクタンアミド、Ｎ−メチルペンタンアミド、Ｎ−メ
チル−４−（２−ピリジル）ペンタンアミド、Ｎ−メチ
ル−４−クロルペンタンアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−シク
ロヘキシルアセトアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキ
シルヘキサンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルオクタンアミ
ド、Ｎ−エチル，Ｎ−（２−ピリジル）ペンチルペンタ
ンアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−（４−クロルペンチル）ペ
ンタンアミド、ベンズアミド、Ｎ−メチルベンズアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
プロピオンアミド、α−アセチルアミノナフタレン、β
−アセチルアミノナフタレン、１−アセチルアミノ−４
−ブロモナフタレン、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−
３−フェニルプロピオンアミド、Ｎ−（α−メチル−ベ
ンジル）−３−（２−クロルフェニル）プロピオンアミ
ド、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−フェニルブチ
ルアミド、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−フェニ
ルヘキサンアミド、Ｎ−（α−メチル−ｐ−メトキシベ
ンジル）−３−フェニルプロピオンアミド、Ｎ−（α−
メチル−ベンジル）−ニコチンアミド、２−メトキシ−
７−アセチルアミノテトラリン、Ｎ−（α−（３，４−
ジメトキシベンジル）−エチル）ベンズアミド、フェニ
ルエタンアミド、Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルフェニルエタンアミド、Ｎ−（２−ピ
リジル），Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、Ｎ−ピラ
ジル，Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、Ｎ−インドリ
イジイニル，Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、Ｎ−
（３−フリル），Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、Ｎ
−（２−チェニル），Ｎ−メチルフェニルエタンアミ
ド、Ｎ−（２−ピイロリル），Ｎ−メチルフェニルエタ
ンアミド、ニコチンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−フ
ラアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−８−キノリンカル
ボキサミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピロールカルボキ
サミド、１−アセチル−１，２，３，４−テトラヒドロ
キノリン、１−アセチル−ピロリジン、１−アセチル−
イミダゾリジン、１−アセチルアミノアクリジン、２−
ベンズアミドキノリン、２−（アセチルメチルアミノ）
ジベンゾフラン、３−シクロヘキサンカルボキシアミド
ジベンゾフラン等を例示できる。
体例としては、例えば、アセトアニリド、プロピオンア
ニリド、アセトアミド、ヘキサンアミド、オクタンアミ
ド、４−メチルペンタンアミド、４−（２−ピリジル）
ペンタンアミド、４−クロルペンタンアミド、Ｎ−メチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルヘキサンアミド、Ｎ−メチ
ルオクタンアミド、Ｎ−メチルペンタンアミド、Ｎ−メ
チル−４−（２−ピリジル）ペンタンアミド、Ｎ−メチ
ル−４−クロルペンタンアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−シク
ロヘキシルアセトアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキ
シルヘキサンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルオクタンアミ
ド、Ｎ−エチル，Ｎ−（２−ピリジル）ペンチルペンタ
ンアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−（４−クロルペンチル）ペ
ンタンアミド、ベンズアミド、Ｎ−メチルベンズアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
プロピオンアミド、α−アセチルアミノナフタレン、β
−アセチルアミノナフタレン、１−アセチルアミノ−４
−ブロモナフタレン、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−
３−フェニルプロピオンアミド、Ｎ−（α−メチル−ベ
ンジル）−３−（２−クロルフェニル）プロピオンアミ
ド、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−フェニルブチ
ルアミド、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−フェニ
ルヘキサンアミド、Ｎ−（α−メチル−ｐ−メトキシベ
ンジル）−３−フェニルプロピオンアミド、Ｎ−（α−
メチル−ベンジル）−ニコチンアミド、２−メトキシ−
７−アセチルアミノテトラリン、Ｎ−（α−（３，４−
ジメトキシベンジル）−エチル）ベンズアミド、フェニ
ルエタンアミド、Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルフェニルエタンアミド、Ｎ−（２−ピ
リジル），Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、Ｎ−ピラ
ジル，Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、Ｎ−インドリ
イジイニル，Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、Ｎ−
（３−フリル），Ｎ−メチルフェニルエタンアミド、Ｎ
−（２−チェニル），Ｎ−メチルフェニルエタンアミ
ド、Ｎ−（２−ピイロリル），Ｎ−メチルフェニルエタ
ンアミド、ニコチンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−フ
ラアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−８−キノリンカル
ボキサミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピロールカルボキ
サミド、１−アセチル−１，２，３，４−テトラヒドロ
キノリン、１−アセチル−ピロリジン、１−アセチル−
イミダゾリジン、１−アセチルアミノアクリジン、２−
ベンズアミドキノリン、２−（アセチルメチルアミノ）
ジベンゾフラン、３−シクロヘキサンカルボキシアミド
ジベンゾフラン等を例示できる。
【００１４】本発明の反応は、原料化合物である置換ア
ミド類を水素化金属ホウ素と一般式（II) で示される化
合物とから得られる還元剤で処理することにより行われ
る。
ミド類を水素化金属ホウ素と一般式（II) で示される化
合物とから得られる還元剤で処理することにより行われ
る。
【００１５】本発明に用いられる水素化金属ホウ素とし
ては、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素亜鉛、水
素化ホウ素カリウム、シアン化水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウム、水素化二ホウ素ナトリウム
等が挙げられるが、水素化ホウ素ナトリウムが特に好ま
しい。水素化金属ホウ素の使用量は、原料化合物である
一般式（Ｉ）の置換アミド類の１〜５モル倍、好ましく
は１．５〜３モル倍である。アミド基以外に、チオール
基、水酸基、アミノ基、窒素原子を含む複素環基を含む
場合は、チオール基、水酸基、アミノ基に対して等モ
ル、窒素原子を含む複素環基に対しては該窒素原子と等
モルの水素化金属ホウ素を増量することが好ましい。
ては、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素亜鉛、水
素化ホウ素カリウム、シアン化水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウム、水素化二ホウ素ナトリウム
等が挙げられるが、水素化ホウ素ナトリウムが特に好ま
しい。水素化金属ホウ素の使用量は、原料化合物である
一般式（Ｉ）の置換アミド類の１〜５モル倍、好ましく
は１．５〜３モル倍である。アミド基以外に、チオール
基、水酸基、アミノ基、窒素原子を含む複素環基を含む
場合は、チオール基、水酸基、アミノ基に対して等モ
ル、窒素原子を含む複素環基に対しては該窒素原子と等
モルの水素化金属ホウ素を増量することが好ましい。
【００１６】一般式（II) で示される化合物としては、
式中のＲ4 がメチル基、エチル基、プロピル基、フェニ
ル基、又はベンジル基である場合に対応して、それぞれ
ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ジプロピル硫酸、ジフェ
ニル硫酸、ジベンジル硫酸等が例示できる。中でも、ジ
メチル硫酸が特に好ましい。一般式（II) で示される化
合物の使用量は、水素化金属ホウ素と本発明の還元剤を
形成するのに必要な量を超える部分は反応溶媒として働
くので、通常水素化金属ホウ素と等モル又はそれ以上で
ある。
式中のＲ4 がメチル基、エチル基、プロピル基、フェニ
ル基、又はベンジル基である場合に対応して、それぞれ
ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ジプロピル硫酸、ジフェ
ニル硫酸、ジベンジル硫酸等が例示できる。中でも、ジ
メチル硫酸が特に好ましい。一般式（II) で示される化
合物の使用量は、水素化金属ホウ素と本発明の還元剤を
形成するのに必要な量を超える部分は反応溶媒として働
くので、通常水素化金属ホウ素と等モル又はそれ以上で
ある。
【００１７】本発明の反応は、水素化金属ホウ素と一般
式（II) で示される化合物とを先ず反応させて、これに
原料化合物を添加して還元する方法をとることもできる
が、有機溶媒の存在又は非存在下に水素化金属ホウ素と
原料化合物の混合物中に一般式（II) で示される化合物
を滴下することにより反応させることが好ましい。かか
る有機溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジオキソラン等が使用できるが、テトラヒドロフラ
ンが特に好ましい。また、これらの溶媒とハロゲン化炭
化水素、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素等の溶媒との
混合溶媒も使用できる。有機溶媒の添加量は、原料化合
物である一般式（Ｉ）の置換アミド類の１〜５重量倍が
好ましい。有機溶媒を大量に使用すると、容積効率が低
下するからである。
式（II) で示される化合物とを先ず反応させて、これに
原料化合物を添加して還元する方法をとることもできる
が、有機溶媒の存在又は非存在下に水素化金属ホウ素と
原料化合物の混合物中に一般式（II) で示される化合物
を滴下することにより反応させることが好ましい。かか
る有機溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジオキソラン等が使用できるが、テトラヒドロフラ
ンが特に好ましい。また、これらの溶媒とハロゲン化炭
化水素、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素等の溶媒との
混合溶媒も使用できる。有機溶媒の添加量は、原料化合
物である一般式（Ｉ）の置換アミド類の１〜５重量倍が
好ましい。有機溶媒を大量に使用すると、容積効率が低
下するからである。
【００１８】本発明の反応の温度は、通常０〜７０℃、
好ましくは４０〜６０℃、さらに好ましくは５０〜５５
℃である。反応時間は、反応温度にもよるが、通常一般
式（II) で示される化合物を滴下した後１〜１０時間、
好ましくは１〜４時間である。
好ましくは４０〜６０℃、さらに好ましくは５０〜５５
℃である。反応時間は、反応温度にもよるが、通常一般
式（II) で示される化合物を滴下した後１〜１０時間、
好ましくは１〜４時間である。
【００１９】反応終了後、反応液から目的のアミン類を
回収するには、通常の方法が適用できる。例えば、反応
終了後、反応液に希塩酸を添加して過剰の還元剤を分解
し、室温まで冷却した後水酸化ナトリウム水溶液で中和
し、トルエン等の有機溶媒で目的の生成物を抽出する。
ついで水洗・乾燥した後溶媒を留去して、目的のアミン
類を得ることができる。
回収するには、通常の方法が適用できる。例えば、反応
終了後、反応液に希塩酸を添加して過剰の還元剤を分解
し、室温まで冷却した後水酸化ナトリウム水溶液で中和
し、トルエン等の有機溶媒で目的の生成物を抽出する。
ついで水洗・乾燥した後溶媒を留去して、目的のアミン
類を得ることができる。
【００２０】本発明の製造方法で得られる一般式(III)
で示されるアミン類としては、具体的には、例えば、Ｎ
−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、エチルアミ
ン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、４−メチルペン
チルアミン、４−（２−ピリジル）ペンチルアミン、４
−クロルペンチルアミン、Ｎ−メチルエチルアミン、Ｎ
−メチルヘキシルアミン、Ｎ−メチルオクチルアミン、
Ｎ−メチルペンチルアミン、Ｎ−メチル−４−（２−ピ
リジル）ペンチルアミン、Ｎ−メチル−４−クロルペン
チルアミン、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキシルエチルア
ミン、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキシルヘキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルオクチルアミン、Ｎ−エチル，Ｎ
−（２−ピリジル）ペンチルペンチルアミン、Ｎ−エチ
ル，Ｎ−（２−クロルペンチル）ペンチルアミン、ベン
ジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピルアミ
ン、α−（Ｎ−エチル）アミノナフタレン、β−（Ｎ−
エチル）アミノナフタレン、１−（Ｎ−エチル）−４−
ブロモアミノナフタレン、Ｎ−（α−メチル−ベンジ
ル）−３−フェニルプロピルアミン、Ｎ−（α−メチル
−ベンジル）−３−（２−クロルフェニル）プロピルア
ミン、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−フェニルブ
チルアミン、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−フェ
ニルヘキシルアミン、Ｎ−（α−メチル−ｐ−メトキシ
ベンジル）−３−フェニルプロピルアミン、Ｎ−（α−
メチルベンジル）−ニコチニルアミン、Ｎ−エチル−２
−メトキシテトラミン、Ｎ−（α−（３，４−ジメトキ
シベンジル）−エチル）ベンジルアミン、フェニルエチ
ルアミン、Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルフェニルエチルアミン、Ｎ−（２−ピリジ
ル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−ピラジ
ル，Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−インドイジ
イニル，Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−（３−
フリル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−（２
−チェニル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−
（２−ピイロリル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミ
ン、３−ピリジルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルフリ
ルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−アミノメチル
フラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノメチルピロー
ル、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−８−アミノメチルキノリ
ン、Ｎ−エチル−１，２，３，４−テトラヒドロキノリ
ン、Ｎ−エチル−ピロリジン、Ｎ−エチル−イミダゾリ
ジン、Ｎ−エチル−１−アミノアクリジン、Ｎ−ベンジ
ル−２−アミノキノリン、Ｎ−エチル，Ｎ−メチル−３
−ジベンゾフラン、Ｎ−シクロヘキシルメチル−３−ジ
ベンゾフラン等を例示できる。
で示されるアミン類としては、具体的には、例えば、Ｎ
−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、エチルアミ
ン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、４−メチルペン
チルアミン、４−（２−ピリジル）ペンチルアミン、４
−クロルペンチルアミン、Ｎ−メチルエチルアミン、Ｎ
−メチルヘキシルアミン、Ｎ−メチルオクチルアミン、
Ｎ−メチルペンチルアミン、Ｎ−メチル−４−（２−ピ
リジル）ペンチルアミン、Ｎ−メチル−４−クロルペン
チルアミン、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキシルエチルア
ミン、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキシルヘキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルオクチルアミン、Ｎ−エチル，Ｎ
−（２−ピリジル）ペンチルペンチルアミン、Ｎ−エチ
ル，Ｎ−（２−クロルペンチル）ペンチルアミン、ベン
ジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピルアミ
ン、α−（Ｎ−エチル）アミノナフタレン、β−（Ｎ−
エチル）アミノナフタレン、１−（Ｎ−エチル）−４−
ブロモアミノナフタレン、Ｎ−（α−メチル−ベンジ
ル）−３−フェニルプロピルアミン、Ｎ−（α−メチル
−ベンジル）−３−（２−クロルフェニル）プロピルア
ミン、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−フェニルブ
チルアミン、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−フェ
ニルヘキシルアミン、Ｎ−（α−メチル−ｐ−メトキシ
ベンジル）−３−フェニルプロピルアミン、Ｎ−（α−
メチルベンジル）−ニコチニルアミン、Ｎ−エチル−２
−メトキシテトラミン、Ｎ−（α−（３，４−ジメトキ
シベンジル）−エチル）ベンジルアミン、フェニルエチ
ルアミン、Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルフェニルエチルアミン、Ｎ−（２−ピリジ
ル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−ピラジ
ル，Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−インドイジ
イニル，Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−（３−
フリル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−（２
−チェニル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、Ｎ−
（２−ピイロリル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミ
ン、３−ピリジルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルフリ
ルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−アミノメチル
フラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノメチルピロー
ル、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−８−アミノメチルキノリ
ン、Ｎ−エチル−１，２，３，４−テトラヒドロキノリ
ン、Ｎ−エチル−ピロリジン、Ｎ−エチル−イミダゾリ
ジン、Ｎ−エチル−１−アミノアクリジン、Ｎ−ベンジ
ル−２−アミノキノリン、Ｎ−エチル，Ｎ−メチル−３
−ジベンゾフラン、Ｎ−シクロヘキシルメチル−３−ジ
ベンゾフラン等を例示できる。
【００２１】本発明の製造方法によって得られるアミン
類は医薬、農薬の中間体として有用である。
類は医薬、農薬の中間体として有用である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定さ
れるものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定さ
れるものではない。
【００２３】実施例１ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた３００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム２．３４
ｇ（６１．９ミリモル）、アセトアニリド２．７６ｇ
（２０．４ミリモル）及びテトラヒドロフラン３０ｇを
仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素で置
換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シールを
実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチル硫
酸７．７４ｇ（６１．４ミリモル）を７０分間かけて滴
下した。引続き同温度で３時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム２．３４
ｇ（６１．９ミリモル）、アセトアニリド２．７６ｇ
（２０．４ミリモル）及びテトラヒドロフラン３０ｇを
仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素で置
換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シールを
実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチル硫
酸７．７４ｇ（６１．４ミリモル）を７０分間かけて滴
下した。引続き同温度で３時間保温した。
【００２４】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液３０
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して２．３５ｇのＮ−エチルアニリンを得た。収
率は９５％であった。
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して２．３５ｇのＮ−エチルアニリンを得た。収
率は９５％であった。
【００２５】実施例２ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた３００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム４．６８
ｇ（１２３．８ミリモル）、Ｎ−（α−メチルベンジ
ル）−３−フェニルプロパンアミド１０．７１ｇ（４１
ミリモル）及びテトラヒドロフラン５０ｇを仕込み、５
０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素で置換し、以後
コンデンサー上部より反応中は窒素シールを実施した。
系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチル硫酸１５．５
ｇ（１２３．８ミリモル）を７０分間かけて滴下した。
引続き同温度で３時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム４．６８
ｇ（１２３．８ミリモル）、Ｎ−（α−メチルベンジ
ル）−３−フェニルプロパンアミド１０．７１ｇ（４１
ミリモル）及びテトラヒドロフラン５０ｇを仕込み、５
０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素で置換し、以後
コンデンサー上部より反応中は窒素シールを実施した。
系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチル硫酸１５．５
ｇ（１２３．８ミリモル）を７０分間かけて滴下した。
引続き同温度で３時間保温した。
【００２６】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液３０
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して９．４３ｇのＮ−（α−メチルベンジル）−
３−フェニルプロピルアミンを得た。収率は９３％であ
った。
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して９．４３ｇのＮ−（α−メチルベンジル）−
３−フェニルプロピルアミンを得た。収率は９３％であ
った。
【００２７】実施例３ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた３００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム４．６８
ｇ（１２３．８ミリモル）、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズア
ミド６．１２ｇ（４１ミリモル）及びテトラヒドロフラ
ン５０ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内
を窒素で置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒
素シールを実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながら
ジメチル硫酸１５．５ｇ（１２３．８ミリモル）を７０
分間かけて滴下した。引続き同温度で３時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム４．６８
ｇ（１２３．８ミリモル）、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズア
ミド６．１２ｇ（４１ミリモル）及びテトラヒドロフラ
ン５０ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内
を窒素で置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒
素シールを実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながら
ジメチル硫酸１５．５ｇ（１２３．８ミリモル）を７０
分間かけて滴下した。引続き同温度で３時間保温した。
【００２８】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液３０
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して４．８８ｇのＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミ
ンを得た。収率は８８％であった。
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して４．８８ｇのＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミ
ンを得た。収率は８８％であった。
【００２９】実施例４ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた１００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム０．２９
ｇ（７．７ミリモル）及びテトラヒドロフラン１７．５
ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素
で置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シー
ルを実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチ
ル硫酸０．９７ｇ（７．７ミリモル）を１時間かけて滴
下した。次に、Ｎ−（α−メチルベンジル）−３−（ｏ
−クロルフェニル）プロピオンアミド０．５５３ｇ
（１．９２ミリモル）を３２ｇのテトラヒドロフランに
溶解して５０〜５５℃で１時間かけて滴下し、引続き同
温度で２時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム０．２９
ｇ（７．７ミリモル）及びテトラヒドロフラン１７．５
ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素
で置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シー
ルを実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチ
ル硫酸０．９７ｇ（７．７ミリモル）を１時間かけて滴
下した。次に、Ｎ−（α−メチルベンジル）−３−（ｏ
−クロルフェニル）プロピオンアミド０．５５３ｇ
（１．９２ミリモル）を３２ｇのテトラヒドロフランに
溶解して５０〜５５℃で１時間かけて滴下し、引続き同
温度で２時間保温した。
【００３０】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液５ｍ
ｌを初期の発泡に注意しながら滴下した。この混合物か
ら減圧下に５０℃でテトラヒドロフランを留去した。次
にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナトリウム水溶液５０
ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層を分液し、ついで
１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、水５０ｇで洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過・濃縮して０．
４８４ｇのＮ−（α−メチルベンジル）−３−（ｏ−ク
ロルフェニル）プロピルアミンを得た。収率は９２％で
あった。
ｌを初期の発泡に注意しながら滴下した。この混合物か
ら減圧下に５０℃でテトラヒドロフランを留去した。次
にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナトリウム水溶液５０
ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層を分液し、ついで
１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、水５０ｇで洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過・濃縮して０．
４８４ｇのＮ−（α−メチルベンジル）−３−（ｏ−ク
ロルフェニル）プロピルアミンを得た。収率は９２％で
あった。
【００３１】実施例５ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた１００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム０．２９
ｇ（７．７ミリモル）及びテトラヒドロフラン１７．５
ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素
で置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シー
ルを実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチ
ル硫酸０．９７ｇ（７．７ミリモル）を１時間かけて滴
下した。次に、Ｎ−（α−メチル−ｐ−メトキシベンジ
ル）−３−フェニルプロピオンアミド０．５４４ｇ
（１．９２ミリモル）を３２ｇのテトラヒドロフランに
溶解して５０〜５５℃で１時間かけて滴下し、引続き同
温度で２時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム０．２９
ｇ（７．７ミリモル）及びテトラヒドロフラン１７．５
ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素
で置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シー
ルを実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチ
ル硫酸０．９７ｇ（７．７ミリモル）を１時間かけて滴
下した。次に、Ｎ−（α−メチル−ｐ−メトキシベンジ
ル）−３−フェニルプロピオンアミド０．５４４ｇ
（１．９２ミリモル）を３２ｇのテトラヒドロフランに
溶解して５０〜５５℃で１時間かけて滴下し、引続き同
温度で２時間保温した。
【００３２】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液３０
ｍｌを初期の発泡に注意しながら滴下した。この混合物
から減圧下に５０℃でテトラヒドロフランを留去した。
次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナトリウム水溶液５
０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層を分液し、つい
で１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、水５０ｇで洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過・濃縮して０．
４８１ｇのＮ−（α−メチル−ｐ−メトキシベンジル）
−３−フェニルプロピルアミンを得た。収率は９３％で
あった。
ｍｌを初期の発泡に注意しながら滴下した。この混合物
から減圧下に５０℃でテトラヒドロフランを留去した。
次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナトリウム水溶液５
０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層を分液し、つい
で１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、水５０ｇで洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過・濃縮して０．
４８１ｇのＮ−（α−メチル−ｐ−メトキシベンジル）
−３−フェニルプロピルアミンを得た。収率は９３％で
あった。
【００３３】実施例６ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた３００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム３．１０
ｇ（８２ミリモル）、Ｎ−（α−メチルベンジル）−ニ
コチンアミド４．６４ｇ（２０．５ミリモル）及びテト
ラヒドロフラン５０ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。
フラスコ系内を窒素で置換し、以後コンデンサー上部よ
り反応中は窒素シールを実施した。系内を５０〜５５℃
に保ちながらジメチル硫酸１０．３４ｇ（８２ミリモ
ル）を７０分間かけて滴下した。引続き同温度で３時間
保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム３．１０
ｇ（８２ミリモル）、Ｎ−（α−メチルベンジル）−ニ
コチンアミド４．６４ｇ（２０．５ミリモル）及びテト
ラヒドロフラン５０ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。
フラスコ系内を窒素で置換し、以後コンデンサー上部よ
り反応中は窒素シールを実施した。系内を５０〜５５℃
に保ちながらジメチル硫酸１０．３４ｇ（８２ミリモ
ル）を７０分間かけて滴下した。引続き同温度で３時間
保温した。
【００３４】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液３０
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して３．６１ｇのＮ−（α−メチルベンジル）−
ニコチニルアミンを得た。収率は８３％であった。
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して３．６１ｇのＮ−（α−メチルベンジル）−
ニコチニルアミンを得た。収率は８３％であった。
【００３５】実施例７ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた３００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム２．３４
ｇ（６１．９ミリモル）、２−メトキシ−７−アセチル
アミノテトラリン４．４７ｇ（２０．５ミリモル）及び
テトラヒドロフラン５０ｇを仕込み、５０℃まで昇温し
た。フラスコ系内を窒素で置換し、以後コンデンサー上
部より反応中は窒素シールを実施した。系内を５０〜５
５℃に保ちながらジメチル硫酸７．７４ｇ（６１．４ミ
リモル）を７０分間かけて滴下した。引続き同温度で３
時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム２．３４
ｇ（６１．９ミリモル）、２−メトキシ−７−アセチル
アミノテトラリン４．４７ｇ（２０．５ミリモル）及び
テトラヒドロフラン５０ｇを仕込み、５０℃まで昇温し
た。フラスコ系内を窒素で置換し、以後コンデンサー上
部より反応中は窒素シールを実施した。系内を５０〜５
５℃に保ちながらジメチル硫酸７．７４ｇ（６１．４ミ
リモル）を７０分間かけて滴下した。引続き同温度で３
時間保温した。
【００３６】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液３０
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して３．７０ｇのＮ−エチル−２−メトキシテト
ラミンを得た。収率は８８％であった。
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して３．７０ｇのＮ−エチル−２−メトキシテト
ラミンを得た。収率は８８％であった。
【００３７】実施例８ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた３００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム２．３４
ｇ（６１．９ミリモル）、Ｎ−（α−（３，４−ジメト
キシベンジル）エチル）−ベンズアミド６．１４ｇ（２
０．５ミリモル）及びテトラヒドロフラン６０ｇを仕込
み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素で置換
し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シールを実
施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチル硫酸
７．７４ｇ（６１．４ミリモル）を７０分間かけて滴下
した。引続き同温度で３時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム２．３４
ｇ（６１．９ミリモル）、Ｎ−（α−（３，４−ジメト
キシベンジル）エチル）−ベンズアミド６．１４ｇ（２
０．５ミリモル）及びテトラヒドロフラン６０ｇを仕込
み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素で置換
し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シールを実
施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチル硫酸
７．７４ｇ（６１．４ミリモル）を７０分間かけて滴下
した。引続き同温度で３時間保温した。
【００３８】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液３０
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して５．３２ｇのＮ−（α−（３，４−ジメトキ
シベンジル）エチル）−ベンジルアミンを得た。収率は
９１％であった。
ｍｌを初期の発泡に注意しながら１０分間かけて滴下し
た。この混合物から減圧下に５０℃でテトラヒドロフラ
ンを留去した。次にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層
を分液し、ついで１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、
水５０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過
・濃縮して５．３２ｇのＮ−（α−（３，４−ジメトキ
シベンジル）エチル）−ベンジルアミンを得た。収率は
９１％であった。
【００３９】実施例９ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた１００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム０．２９
ｇ（７．７ミリモル）及びテトラヒドロフラン１７．５
ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素
で置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シー
ルを実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチ
ル硫酸０．９７ｇ（７．７ミリモル）を１時間かけて滴
下した。次に、ベンズアミド０．２３４ｇ（１．９２ミ
リモル）を４０ｇのテトラヒドロフランに溶解して５０
〜５５℃で１時間かけて滴下し、引続き同温度で２時間
保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム０．２９
ｇ（７．７ミリモル）及びテトラヒドロフラン１７．５
ｇを仕込み、５０℃まで昇温した。フラスコ系内を窒素
で置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シー
ルを実施した。系内を５０〜５５℃に保ちながらジメチ
ル硫酸０．９７ｇ（７．７ミリモル）を１時間かけて滴
下した。次に、ベンズアミド０．２３４ｇ（１．９２ミ
リモル）を４０ｇのテトラヒドロフランに溶解して５０
〜５５℃で１時間かけて滴下し、引続き同温度で２時間
保温した。
【００４０】５℃まで冷却した後、７％塩酸水溶液５ｍ
ｌを初期の発泡に注意しながら滴下した。この混合物か
ら減圧下に５０℃でテトラヒドロフランを留去した。次
にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナトリウム水溶液５０
ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層を分液し、ついで
１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、水５０ｇで洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過・濃縮して０．
１８５ｇのベンジルアミンを得た。収率は９０％であっ
た。
ｌを初期の発泡に注意しながら滴下した。この混合物か
ら減圧下に５０℃でテトラヒドロフランを留去した。次
にトルエン５０ｇ、２０％水酸化ナトリウム水溶液５０
ｇを加えて撹拌・静置後、トルエン層を分液し、ついで
１％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇ、水５０ｇで洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過・濃縮して０．
１８５ｇのベンジルアミンを得た。収率は９０％であっ
た。
【００４１】
【発明の効果】本発明により、アミド類よりアミン類を
簡便かつ高収率で工業的に有利に製造することができ
る。
簡便かつ高収率で工業的に有利に製造することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 213/02 7457−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 213/02 217/58 7457−4Ｈ 217/58 217/60 7457−4Ｈ 217/60 217/94 7457−4Ｈ 217/94 Ｃ０７Ｄ 213/38 Ｃ０７Ｄ 213/38
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 又はＲ3 は、同一でも異なっていて
もよく、それぞれ水素原子、本反応条件下で安定な置換
基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖もしくは分
岐の、又は環状のアルキル基、本反応条件下で安定な置
換基を有していてもよい炭素数６〜１８のアリール基、
本反応条件下で安定な置換基を有していてもよい原子数
３〜２２の複素環基、又は本反応条件下で安定な置換基
を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基を表
す。またＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形成していても
よく、かつ本反応条件下で安定な置換基を有していても
よい。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 がすべて水素原子で
ある場合を除く。）で示される置換アミド類を一般式
（II) （Ｒ4 ）2 ＳＯ4 （II) （式中、Ｒ4 は炭素数１〜３のアルキル基、フェニル
基、又はベンジル基を表す。）で示される化合物及び水
素化金属ホウ素から得られる還元剤で処理することによ
る、一般式（III) 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は一般式（Ｉ) におけるＲ
1 、Ｒ2 及びＲ3 とそれぞれ同一の意義を表す。）で示
されるアミン類の製造方法。 - 【請求項２】 溶媒の存在下又は非存在下に一般式
（Ｉ) で示される置換アミド類と水素化金属ホウ素の混
合物中に一般式（II) で示される化合物を添加すること
を特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 水素化金属ホウ素が水素化ホウ素ナトリ
ウムであり、一般式（II) で示される化合物がジメチル
硫酸である請求項１又は請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】 還元剤で処理するときに使用する有機溶
媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換アミド類の１〜５
重量倍であることを特徴とする請求項１〜請求項３いず
れか１項に記載の製造方法。 - 【請求項５】 還元剤で処理するときに使用する有機溶
媒が、テトラヒドロフランであることを特徴とする請求
項１〜請求項４いずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項６】 一般式（Ｉ）で示される置換アミド類の
Ｒ1 が水素原子である（但し、Ｒ3 が水素原子である場
合を除く）ことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれ
か１項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14497096A JPH09301933A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | アミン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14497096A JPH09301933A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | アミン類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09301933A true JPH09301933A (ja) | 1997-11-25 |
Family
ID=15374439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14497096A Pending JPH09301933A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | アミン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09301933A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013173743A (ja) * | 2005-11-24 | 2013-09-05 | Dompe Pha R Ma Spa | （ｒ）−アリールアルキルアミノ誘導体類と、それらを含有する薬剤組成物 |
| CN113321605A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-08-31 | 浙江倍合德制药有限公司 | 一种1-甲基-3-吡咯烷醇的制备方法 |
| CN113426482A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-09-24 | 北京理工大学 | 三乙基硼氢化钠的应用方法及有机胺化合物与其制备方法 |
-
1996
- 1996-05-14 JP JP14497096A patent/JPH09301933A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013173743A (ja) * | 2005-11-24 | 2013-09-05 | Dompe Pha R Ma Spa | （ｒ）−アリールアルキルアミノ誘導体類と、それらを含有する薬剤組成物 |
| CN113321605A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-08-31 | 浙江倍合德制药有限公司 | 一种1-甲基-3-吡咯烷醇的制备方法 |
| CN113426482A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-09-24 | 北京理工大学 | 三乙基硼氢化钠的应用方法及有机胺化合物与其制备方法 |
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