JPH1077251A - アミン類の製造法 - Google Patents
アミン類の製造法Info
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- JPH1077251A JPH1077251A JP8255399A JP25539996A JPH1077251A JP H1077251 A JPH1077251 A JP H1077251A JP 8255399 A JP8255399 A JP 8255399A JP 25539996 A JP25539996 A JP 25539996A JP H1077251 A JPH1077251 A JP H1077251A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】一般式（Ｉ）で示される置換アミド類を一
般式（II) Ｒ4 Ｘ （II) （式中、Ｒ4 は炭素数１〜３のアルキル基又は水素原
子、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と水
素化金属ホウ素とから得られる還元剤で処理することに
よる、一般式（III)で示されるアミン類の製造法。 【効果】本発明により、置換アミド類よりアミン類を簡
便かつ高収率で工業的に有利に製造することができる。
般式（II) Ｒ4 Ｘ （II) （式中、Ｒ4 は炭素数１〜３のアルキル基又は水素原
子、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と水
素化金属ホウ素とから得られる還元剤で処理することに
よる、一般式（III)で示されるアミン類の製造法。 【効果】本発明により、置換アミド類よりアミン類を簡
便かつ高収率で工業的に有利に製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアミン類の製造法に
関する。さらに詳しくは、置換アミド類を還元すること
によりアミン類を製造する方法に関する。
関する。さらに詳しくは、置換アミド類を還元すること
によりアミン類を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アミン類は、医薬、農薬の中間体として
有用であり、従来は一般式（Ｉ）で示される置換アミド
類から水素化アルミニウムリチウムで還元することによ
り（H. C. Brown and N. M. Yoon, J. Am. Chem. So
c., 88, 1464 (1966)、A. C.Cope and E. Ciganek, O
rganic Syntheses, Coll. Vol. IV p339 (1963) 、R.
B. Moffett, Organic Syntheses, Coll. Vol. IV p354
(1963))、あるいはボランで還元することにより（H.
C. Brown and P. Heim, J. Org. Chem., 38, 912 (197
3)、R. D. Schuctz, G. P. Nieles, and R. L. Titus,
J. Org. Chem., 33, 1556 (1968)、H. C. Murray, L.
M. Reineke, and Tonken, J. Org. Chem. 33, 3207 (19
68)）製造されてきた。しかしこれらの方法では還元剤
の取り扱い及び保管に注意を要し、また希薄溶液で反応
が行われるため容積効率が悪く、工業的に有利な方法と
はいえない。
有用であり、従来は一般式（Ｉ）で示される置換アミド
類から水素化アルミニウムリチウムで還元することによ
り（H. C. Brown and N. M. Yoon, J. Am. Chem. So
c., 88, 1464 (1966)、A. C.Cope and E. Ciganek, O
rganic Syntheses, Coll. Vol. IV p339 (1963) 、R.
B. Moffett, Organic Syntheses, Coll. Vol. IV p354
(1963))、あるいはボランで還元することにより（H.
C. Brown and P. Heim, J. Org. Chem., 38, 912 (197
3)、R. D. Schuctz, G. P. Nieles, and R. L. Titus,
J. Org. Chem., 33, 1556 (1968)、H. C. Murray, L.
M. Reineke, and Tonken, J. Org. Chem. 33, 3207 (19
68)）製造されてきた。しかしこれらの方法では還元剤
の取り扱い及び保管に注意を要し、また希薄溶液で反応
が行われるため容積効率が悪く、工業的に有利な方法と
はいえない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、アミン類の工業的に有利な製造法を提供することに
ある。
は、アミン類の工業的に有利な製造法を提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の状
況に鑑み、置換アミド類の還元方法について鋭意研究し
たところ、置換アミド類を水素化ホウ素ナトリウムとヨ
ウ化メチル、あるいは水素化ホウ素ナトリウムと塩化水
素とから得られる還元剤で処理することにより簡便かつ
容易に、そして高容積効率で目的のアミン類を製造する
ことができることを見いだした。本発明はかかる事実に
基づき、さらに研究を進めて完成するに至ったものであ
る。
況に鑑み、置換アミド類の還元方法について鋭意研究し
たところ、置換アミド類を水素化ホウ素ナトリウムとヨ
ウ化メチル、あるいは水素化ホウ素ナトリウムと塩化水
素とから得られる還元剤で処理することにより簡便かつ
容易に、そして高容積効率で目的のアミン類を製造する
ことができることを見いだした。本発明はかかる事実に
基づき、さらに研究を進めて完成するに至ったものであ
る。
【０００５】即ち、本発明の要旨は、（１） 一般式
（Ｉ）
（Ｉ）
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 又はＲ3 は、同一でも
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、本反応条件下
で安定な置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直
鎖もしくは分岐の、又は環状のアルキル基、本反応条件
下で安定な置換基を有していてもよい炭素数６〜１８の
アリール基、本反応条件下で安定な置換基を有していて
もよい原子数３〜２２の複素環基、又は本反応条件下で
安定な置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラ
ルキル基を表す。またＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形
成していてもよく、かつ本反応条件下で安定な置換基を
有していてもよい。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 がすべ
て水素原子である場合を除く。）で示される置換アミド
類を一般式（II) Ｒ4 Ｘ （II) （式中、Ｒ4 は炭素数１〜３のアルキル基又は水素原
子、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と水
素化金属ホウ素とから得られる還元剤で処理することに
よる、一般式（III)
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、本反応条件下
で安定な置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直
鎖もしくは分岐の、又は環状のアルキル基、本反応条件
下で安定な置換基を有していてもよい炭素数６〜１８の
アリール基、本反応条件下で安定な置換基を有していて
もよい原子数３〜２２の複素環基、又は本反応条件下で
安定な置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラ
ルキル基を表す。またＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形
成していてもよく、かつ本反応条件下で安定な置換基を
有していてもよい。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 がすべ
て水素原子である場合を除く。）で示される置換アミド
類を一般式（II) Ｒ4 Ｘ （II) （式中、Ｒ4 は炭素数１〜３のアルキル基又は水素原
子、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と水
素化金属ホウ素とから得られる還元剤で処理することに
よる、一般式（III)
【０００８】
【化４】
【０００９】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は一般式
（Ｉ) におけるＲ1 、Ｒ2 及びＲ3 とそれぞれ同一の意
義を表す。）で示されるアミン類の製造法、（２） 有
機溶媒の存在下又は非存在下に一般式（Ｉ) で示される
置換アミド類と水素化金属ホウ素の混合物中に一般式
（II) で示される化合物を添加することを特徴とする前
記（１）記載の製造法、（３） 水素化金属ホウ素が水
素化ホウ素ナトリウムであり、一般式（II) で示される
化合物がヨウ化メチルであること特徴とする前記（１）
又は（２）記載の製造法、（４） 水素化金属ホウ素が
水素化ホウ素ナトリウムであり、一般式（II) で示され
る化合物が塩化水素であること特徴とする前記（１）又
は（２）記載の製造法、（５） 還元剤で処理するとき
に使用する有機溶媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換
アミド類の１〜５重量倍であることを特徴とする前記
（３）記載の製造法、（６） 還元剤で処理するときに
使用する有機溶媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換ア
ミド類の８〜１２重量倍であることを特徴とする前記
（４）記載の製造法、（７） 還元剤で処理するときに
使用する有機溶媒が、テトラヒドロフランであることを
特徴とする前記（１）〜（６）いずれかに記載の製造
法、並びに（８） 一般式（Ｉ）で示される置換アミド
類のＲ1 が水素原子であることを特徴とする前記（１）
〜（７）いずれかに記載の製造法、に関する。
（Ｉ) におけるＲ1 、Ｒ2 及びＲ3 とそれぞれ同一の意
義を表す。）で示されるアミン類の製造法、（２） 有
機溶媒の存在下又は非存在下に一般式（Ｉ) で示される
置換アミド類と水素化金属ホウ素の混合物中に一般式
（II) で示される化合物を添加することを特徴とする前
記（１）記載の製造法、（３） 水素化金属ホウ素が水
素化ホウ素ナトリウムであり、一般式（II) で示される
化合物がヨウ化メチルであること特徴とする前記（１）
又は（２）記載の製造法、（４） 水素化金属ホウ素が
水素化ホウ素ナトリウムであり、一般式（II) で示され
る化合物が塩化水素であること特徴とする前記（１）又
は（２）記載の製造法、（５） 還元剤で処理するとき
に使用する有機溶媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換
アミド類の１〜５重量倍であることを特徴とする前記
（３）記載の製造法、（６） 還元剤で処理するときに
使用する有機溶媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換ア
ミド類の８〜１２重量倍であることを特徴とする前記
（４）記載の製造法、（７） 還元剤で処理するときに
使用する有機溶媒が、テトラヒドロフランであることを
特徴とする前記（１）〜（６）いずれかに記載の製造
法、並びに（８） 一般式（Ｉ）で示される置換アミド
類のＲ1 が水素原子であることを特徴とする前記（１）
〜（７）いずれかに記載の製造法、に関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明について説明する。
本発明に使用される原料化合物は、一般式（Ｉ）で示さ
れる置換アミド類である。一般式（Ｉ）中のＲ1 、Ｒ2
又はＲ3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ水
素原子、本反応条件下で安定な置換基を有していてもよ
い炭素数１〜２０の直鎖もしくは分岐の、又は環状のア
ルキル基、本反応条件下で安定な置換基を有していても
よい炭素数６〜１８のアリール基、本反応条件下で安定
な置換基を有していてもよい原子数３〜２２の複素環
基、又は本反応条件下で安定な置換基を有していてもよ
い炭素数７〜２０のアラルキル基を表す。またＲ1 とＲ
2 は一緒になって環を形成していてもよく、かつ本反応
条件下で安定な置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ
1 、Ｒ2 及びＲ3 がすべて水素原子である場合を除く。
本発明に使用される原料化合物は、一般式（Ｉ）で示さ
れる置換アミド類である。一般式（Ｉ）中のＲ1 、Ｒ2
又はＲ3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ水
素原子、本反応条件下で安定な置換基を有していてもよ
い炭素数１〜２０の直鎖もしくは分岐の、又は環状のア
ルキル基、本反応条件下で安定な置換基を有していても
よい炭素数６〜１８のアリール基、本反応条件下で安定
な置換基を有していてもよい原子数３〜２２の複素環
基、又は本反応条件下で安定な置換基を有していてもよ
い炭素数７〜２０のアラルキル基を表す。またＲ1 とＲ
2 は一緒になって環を形成していてもよく、かつ本反応
条件下で安定な置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ
1 、Ｒ2 及びＲ3 がすべて水素原子である場合を除く。
【００１１】炭素数１〜２０のアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、
ノニル基、カプリル基、ラウリル基、パルミチル基、ス
テアリル基等が例示できる。炭素数６〜１８のアリール
基としては、フェニル基、ナフチル基等が例示できる。
原子数３〜２２の複素環基としては、アジリジル基、フ
リル基、チェニル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリ
ル基、ベンゾフリル基、オキサゾリル基、チアゾリル
基、イミダゾリル基、ピラジル基、ピリミジル基、キナ
ゾリニル基、プリニル基等が挙げられる。炭素数７〜２
０のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチ
ル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェニ
ルペンチル基、フェニルヘキシル基等が例示できる。ま
たＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形成していてもよい
が、一緒になったＲ1とＲ2 としては、不飽和結合を有
していてもよく、あるいは複素原子を有していてもよい
原子数２〜１５の二価の基であって、本反応条件下で安
定な置換基を有してもよく、また芳香環と縮合していて
もよい。例えば、かかる二価の基としてはエチレン基、
トリメチレン基、テトラメチレン基、エチルエチレン
基、プロペニレン基等が挙げられる。なお、Ｒ1 は水素
原子であることが好ましい。
チル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、
ノニル基、カプリル基、ラウリル基、パルミチル基、ス
テアリル基等が例示できる。炭素数６〜１８のアリール
基としては、フェニル基、ナフチル基等が例示できる。
原子数３〜２２の複素環基としては、アジリジル基、フ
リル基、チェニル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリ
ル基、ベンゾフリル基、オキサゾリル基、チアゾリル
基、イミダゾリル基、ピラジル基、ピリミジル基、キナ
ゾリニル基、プリニル基等が挙げられる。炭素数７〜２
０のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチ
ル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェニ
ルペンチル基、フェニルヘキシル基等が例示できる。ま
たＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形成していてもよい
が、一緒になったＲ1とＲ2 としては、不飽和結合を有
していてもよく、あるいは複素原子を有していてもよい
原子数２〜１５の二価の基であって、本反応条件下で安
定な置換基を有してもよく、また芳香環と縮合していて
もよい。例えば、かかる二価の基としてはエチレン基、
トリメチレン基、テトラメチレン基、エチルエチレン
基、プロペニレン基等が挙げられる。なお、Ｒ1 は水素
原子であることが好ましい。
【００１２】本反応条件下で安定な置換基としては、メ
チル基、エチル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐の
アルキル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、
ブロモメチル基等の置換アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基、置換基を有していてもよいフ
ェニル基、置換基を有していてもよい含窒素複素環基、
フッ素原子、クロル原子、ブロム原子等のハロゲン原
子、アミノ基、水酸基、チオール基、アルキル置換チオ
ール基、ニトロ基等が例示できる。
チル基、エチル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐の
アルキル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、
ブロモメチル基等の置換アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基、置換基を有していてもよいフ
ェニル基、置換基を有していてもよい含窒素複素環基、
フッ素原子、クロル原子、ブロム原子等のハロゲン原
子、アミノ基、水酸基、チオール基、アルキル置換チオ
ール基、ニトロ基等が例示できる。
【００１３】一般式（Ｉ）で示される置換アミド類の具
体例としては、例えば、アセトアニリド、プロピオンア
ニリド、アセトアミド、ヘキサンアミド、オクタンアミ
ド、４−メチルペンタンアミド、４−（２−ピリジル）
ペンタンアミド、４−クロロペンタンアミド、Ｎ−メチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルヘキサンアミド、Ｎ−メチ
ルオクタンアミド、Ｎ−メチルペンタンアミド、Ｎ−メ
チル−４−（２−ピリジル）ペンタンアミド、Ｎ−メチ
ル−４−クロロペンタンアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−シク
ロヘキシルアセトアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキ
シルヘキサンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルオクタンアミ
ド、Ｎ−エチル，Ｎ−（２−ピリジル）ペンチルペンタ
ンアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−（４−クロロペンチル）ペ
ンタンアミド、ベンズアミド、Ｎ−メチルベンズアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミド、Ｎ−ベンジルベン
ズアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、α−ア
セチルアミノナフタレン、β−アセチルアミノナフタレ
ン、１−アセチルアミノ−４−ブロモナフタレン、Ｎ−
（α−メチル−ベンジル）−３−フェニルプロピオンア
ミド、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−（２−クロ
ロフェニル）プロピオンアミド、Ｎ−（α−メチル−ベ
ンジル）−３−フェニルブチルアミド、Ｎ−（α−メチ
ル−ベンジル）−３−フェニルヘキサンアミド、Ｎ−
（α−メチル−３−メトキシベンジル）−３−フェニル
プロピオンアミド、Ｎ−（α−メチル−３−メトキシベ
ンジル）−３−（２−クロロフェニル）プロピオンアミ
ド、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−ニコチンアミド、
２−メトキシ−７−アセチルアミノテトラリン、Ｎ−
（α−（３，４−ジメトキシベンジル）−エチル）ベン
ズアミド、フェニルアセトアミド、Ｎ−メチルフェニル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルフェニルアセトアミ
ド、Ｎ−（２−ピリジル），Ｎ−メチルフェニルアセト
アミド、Ｎ−ピラジル，Ｎ−メチルフェニルアセトアミ
ド、Ｎ−インドリイジイニル，Ｎ−メチルフェニルアセ
トアミド、Ｎ−（３−フリル），Ｎ−メチルフェニルア
セトアミド、Ｎ−（２−チェニル），Ｎ−メチルフェニ
ルアセトアミド、Ｎ−（２−ピイロリル），Ｎ−メチル
フェニルアセトアミド、ニコチンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チル−２−フラアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−８−
キノリンカルボキサミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピロ
ールカルボキサミド、１−アセチル−１，２，３，４−
テトラヒドロキノリン、１−アセチル−ピロリジン、１
−アセチル−イミダゾリジン、１−アセチルアミノアク
リジン、２−ベンズアミドキノリン、２−（アセチルメ
チルアミノ）ジベンゾフラン、３−シクロヘキサンカル
ボキシアミドジベンゾフラン等を例示できる。
体例としては、例えば、アセトアニリド、プロピオンア
ニリド、アセトアミド、ヘキサンアミド、オクタンアミ
ド、４−メチルペンタンアミド、４−（２−ピリジル）
ペンタンアミド、４−クロロペンタンアミド、Ｎ−メチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルヘキサンアミド、Ｎ−メチ
ルオクタンアミド、Ｎ−メチルペンタンアミド、Ｎ−メ
チル−４−（２−ピリジル）ペンタンアミド、Ｎ−メチ
ル−４−クロロペンタンアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−シク
ロヘキシルアセトアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキ
シルヘキサンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルオクタンアミ
ド、Ｎ−エチル，Ｎ−（２−ピリジル）ペンチルペンタ
ンアミド、Ｎ−エチル，Ｎ−（４−クロロペンチル）ペ
ンタンアミド、ベンズアミド、Ｎ−メチルベンズアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミド、Ｎ−ベンジルベン
ズアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、α−ア
セチルアミノナフタレン、β−アセチルアミノナフタレ
ン、１−アセチルアミノ−４−ブロモナフタレン、Ｎ−
（α−メチル−ベンジル）−３−フェニルプロピオンア
ミド、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−（２−クロ
ロフェニル）プロピオンアミド、Ｎ−（α−メチル−ベ
ンジル）−３−フェニルブチルアミド、Ｎ−（α−メチ
ル−ベンジル）−３−フェニルヘキサンアミド、Ｎ−
（α−メチル−３−メトキシベンジル）−３−フェニル
プロピオンアミド、Ｎ−（α−メチル−３−メトキシベ
ンジル）−３−（２−クロロフェニル）プロピオンアミ
ド、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−ニコチンアミド、
２−メトキシ−７−アセチルアミノテトラリン、Ｎ−
（α−（３，４−ジメトキシベンジル）−エチル）ベン
ズアミド、フェニルアセトアミド、Ｎ−メチルフェニル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルフェニルアセトアミ
ド、Ｎ−（２−ピリジル），Ｎ−メチルフェニルアセト
アミド、Ｎ−ピラジル，Ｎ−メチルフェニルアセトアミ
ド、Ｎ−インドリイジイニル，Ｎ−メチルフェニルアセ
トアミド、Ｎ−（３−フリル），Ｎ−メチルフェニルア
セトアミド、Ｎ−（２−チェニル），Ｎ−メチルフェニ
ルアセトアミド、Ｎ−（２−ピイロリル），Ｎ−メチル
フェニルアセトアミド、ニコチンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チル−２−フラアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−８−
キノリンカルボキサミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピロ
ールカルボキサミド、１−アセチル−１，２，３，４−
テトラヒドロキノリン、１−アセチル−ピロリジン、１
−アセチル−イミダゾリジン、１−アセチルアミノアク
リジン、２−ベンズアミドキノリン、２−（アセチルメ
チルアミノ）ジベンゾフラン、３−シクロヘキサンカル
ボキシアミドジベンゾフラン等を例示できる。
【００１４】本発明の反応は、原料化合物である置換ア
ミド類を水素化金属ホウ素と一般式（II) で示される化
合物とから得られる還元剤で処理することにより行われ
る。
ミド類を水素化金属ホウ素と一般式（II) で示される化
合物とから得られる還元剤で処理することにより行われ
る。
【００１５】本発明に用いられる水素化金属ホウ素とし
ては、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素亜鉛、水
素化ホウ素カリウム、シアン化水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウム、水素化二ホウ素ナトリウム
等が挙げられるが、水素化ホウ素ナトリウムが特に好ま
しい。水素化金属ホウ素の使用量は、原料化合物である
一般式（Ｉ）の置換アミド類の１〜５モル倍、好ましく
は１．５〜３モル倍である。アミド基以外に、チオール
基、水酸基、アミノ基、窒素原子を含む複素環基を含む
場合は、チオール基、水酸基、アミノ基に対して等モ
ル、窒素原子を含む複素環基に対しては該窒素原子と等
モルの水素化金属ホウ素を増量することが好ましい。
ては、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素亜鉛、水
素化ホウ素カリウム、シアン化水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウム、水素化二ホウ素ナトリウム
等が挙げられるが、水素化ホウ素ナトリウムが特に好ま
しい。水素化金属ホウ素の使用量は、原料化合物である
一般式（Ｉ）の置換アミド類の１〜５モル倍、好ましく
は１．５〜３モル倍である。アミド基以外に、チオール
基、水酸基、アミノ基、窒素原子を含む複素環基を含む
場合は、チオール基、水酸基、アミノ基に対して等モ
ル、窒素原子を含む複素環基に対しては該窒素原子と等
モルの水素化金属ホウ素を増量することが好ましい。
【００１６】一般式（II) 中のＲ4 は炭素数１〜３のア
ルキル基又は水素原子、Ｘはハロゲン原子を表す。炭素
数１〜３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基が、ハロゲン原子として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が例示できる。
従って一般式（II) の化合物としては、ヨウ化メチル、
臭化メチル、ヨウ化エチル、臭化プロピル、塩化水素等
が例示でき、中でも、ヨウ化メチル、塩化水素等が特に
好ましい。一般式（II) で示される化合物の使用量は、
水素化金属ホウ素と本発明の還元剤を形成するのに必要
な量を超える部分は反応溶媒として働くので、通常水素
化金属ホウ素と等モル又はそれ以上である。
ルキル基又は水素原子、Ｘはハロゲン原子を表す。炭素
数１〜３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基が、ハロゲン原子として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が例示できる。
従って一般式（II) の化合物としては、ヨウ化メチル、
臭化メチル、ヨウ化エチル、臭化プロピル、塩化水素等
が例示でき、中でも、ヨウ化メチル、塩化水素等が特に
好ましい。一般式（II) で示される化合物の使用量は、
水素化金属ホウ素と本発明の還元剤を形成するのに必要
な量を超える部分は反応溶媒として働くので、通常水素
化金属ホウ素と等モル又はそれ以上である。
【００１７】本発明の反応は、水素化金属ホウ素と一般
式（II) で示される化合物とを先ず反応させて、これに
原料化合物を添加して還元する方法をとることもできる
が、有機溶媒の存在又は非存在下に、水素化金属ホウ素
と原料化合物である一般式（Ｉ）の置換アミド類との混
合物中に一般式（II) で示される化合物を添加すること
により反応させることが好ましい。これは、後者の方法
をとることにより、反応が逐次的に進行し、従来法と比
較して高容積効率でアミン類を製造することができるた
めである。還元剤で処理するときに使用する有機溶媒と
しては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラ
ン等が使用できるが、テトラヒドロフランが特に好まし
い。また、これらの溶媒とハロゲン化炭化水素、芳香族
炭化水素、脂肪族炭化水素等の溶媒との混合溶媒も使用
できる。また、有機溶媒の使用量は、一般式（II) で示
される化合物がヨウ化メチルの場合は、原料化合物であ
る一般式（Ｉ）の置換アミド類の１〜５重量倍が好まし
く、また一般式（II) で示される化合物が塩化水素であ
る場合は、原料化合物である一般式（Ｉ）の置換アミド
類の８〜１２重量倍が好ましい。有機溶媒を大量に使用
すると、容積効率が低下するからである。
式（II) で示される化合物とを先ず反応させて、これに
原料化合物を添加して還元する方法をとることもできる
が、有機溶媒の存在又は非存在下に、水素化金属ホウ素
と原料化合物である一般式（Ｉ）の置換アミド類との混
合物中に一般式（II) で示される化合物を添加すること
により反応させることが好ましい。これは、後者の方法
をとることにより、反応が逐次的に進行し、従来法と比
較して高容積効率でアミン類を製造することができるた
めである。還元剤で処理するときに使用する有機溶媒と
しては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラ
ン等が使用できるが、テトラヒドロフランが特に好まし
い。また、これらの溶媒とハロゲン化炭化水素、芳香族
炭化水素、脂肪族炭化水素等の溶媒との混合溶媒も使用
できる。また、有機溶媒の使用量は、一般式（II) で示
される化合物がヨウ化メチルの場合は、原料化合物であ
る一般式（Ｉ）の置換アミド類の１〜５重量倍が好まし
く、また一般式（II) で示される化合物が塩化水素であ
る場合は、原料化合物である一般式（Ｉ）の置換アミド
類の８〜１２重量倍が好ましい。有機溶媒を大量に使用
すると、容積効率が低下するからである。
【００１８】本発明の反応の温度は、通常０〜７０℃、
好ましくは４０〜６０℃、さらに好ましくは５０〜５５
℃である。反応時間は、反応温度にもよるが、通常一般
式（II) で示される化合物を滴下した後１〜１０時間、
好ましくは１〜４時間である。
好ましくは４０〜６０℃、さらに好ましくは５０〜５５
℃である。反応時間は、反応温度にもよるが、通常一般
式（II) で示される化合物を滴下した後１〜１０時間、
好ましくは１〜４時間である。
【００１９】反応終了後、反応液から目的のアミン類を
回収するには、通常の方法が適用できる。例えば、反応
終了後、反応液に希塩酸を添加して過剰の還元剤を分解
し、室温まで冷却した後水酸化ナトリウム水溶液で中和
し、トルエン等の有機溶媒で目的の生成物を抽出する。
ついで水洗・乾燥した後溶媒を留去して、目的のアミン
類を得ることができる。
回収するには、通常の方法が適用できる。例えば、反応
終了後、反応液に希塩酸を添加して過剰の還元剤を分解
し、室温まで冷却した後水酸化ナトリウム水溶液で中和
し、トルエン等の有機溶媒で目的の生成物を抽出する。
ついで水洗・乾燥した後溶媒を留去して、目的のアミン
類を得ることができる。
【００２０】本発明の製造法で得られる一般式(III) で
示されるアミン類としては、具体的には、例えば、Ｎ−
エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、エチルアミ
ン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、４−メチルペン
チルアミン、４−（２−ピリジル）ペンチルアミン、４
−クロロペンチルアミン、Ｎ−メチルエチルアミン、Ｎ
−メチルヘキシルアミン、Ｎ−メチルオクチルアミン、
Ｎ−メチルペンチルアミン、Ｎ−メチル−４−（２−ピ
リジル）ペンチルアミン、Ｎ−メチル−４−クロロペン
チルアミン、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキシルエチルア
ミン、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキシルヘキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルオクチルアミン、Ｎ−エチル，Ｎ
−（２−ピリジル）ペンチルペンチルアミン、Ｎ−エチ
ル，Ｎ−（２−クロロペンチル）ペンチルアミン、ベン
ジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルプロピルアミン、α−（Ｎ−エチル）アミ
ノナフタレン、β−（Ｎ−エチル）アミノナフタレン、
１−（Ｎ−エチル）−４−ブロモアミノナフタレン、Ｎ
−（α−メチル−ベンジル）−３−フェニルプロピルア
ミン、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−（２−クロ
ロフェニル）プロピルアミン、Ｎ−（α−メチル−ベン
ジル）−３−フェニルブチルアミン、Ｎ−（α−メチル
−ベンジル）−３−フェニルヘキシルアミン、Ｎ−（α
−メチル−３−メトキシベンジル）−３−フェニルプロ
ピルアミン、Ｎ−（α−メチル−３−メトキシベンジ
ル）−３−（２−クロロフェニル）−１−プロピルアミ
ン、Ｎ−（α−メチルベンジル）−ニコチニルアミン、
Ｎ−エチル−２−メトキシテトラミン、Ｎ−（α−
（３，４−ジメトキシベンジル）−エチル）ベンジルア
ミン、フェニルエチルアミン、Ｎ−メチルフェニルエチ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルフェニルエチルアミン、Ｎ
−（２−ピリジル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミ
ン、Ｎ−ピラジル，Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、
Ｎ−インドイジイニル，Ｎ−メチルフェニルエチルアミ
ン、Ｎ−（３−フリル），Ｎ−メチルフェニルエチルア
ミン、Ｎ−（２−チェニル），Ｎ−メチルフェニルエチ
ルアミン、Ｎ−（２−ピイロリル），Ｎ−メチルフェニ
ルエチルアミン、３−ピリジルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−
ジエチルフリルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−
アミノメチルフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノメ
チルピロール、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−８−アミノメ
チルキノリン、Ｎ−エチル−１，２，３，４−テトラヒ
ドロキノリン、Ｎ−エチル−ピロリジン、Ｎ−エチル−
イミダゾリジン、Ｎ−エチル−１−アミノアクリジン、
Ｎ−ベンジル−２−アミノキノリン、Ｎ−エチル，Ｎ−
メチル−３−ジベンゾフラン、Ｎ−シクロヘキシルメチ
ル−３−ジベンゾフラン等を例示できる。
示されるアミン類としては、具体的には、例えば、Ｎ−
エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、エチルアミ
ン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、４−メチルペン
チルアミン、４−（２−ピリジル）ペンチルアミン、４
−クロロペンチルアミン、Ｎ−メチルエチルアミン、Ｎ
−メチルヘキシルアミン、Ｎ−メチルオクチルアミン、
Ｎ−メチルペンチルアミン、Ｎ−メチル−４−（２−ピ
リジル）ペンチルアミン、Ｎ−メチル−４−クロロペン
チルアミン、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキシルエチルア
ミン、Ｎ−エチル，Ｎ−シクロヘキシルヘキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルオクチルアミン、Ｎ−エチル，Ｎ
−（２−ピリジル）ペンチルペンチルアミン、Ｎ−エチ
ル，Ｎ−（２−クロロペンチル）ペンチルアミン、ベン
ジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルプロピルアミン、α−（Ｎ−エチル）アミ
ノナフタレン、β−（Ｎ−エチル）アミノナフタレン、
１−（Ｎ−エチル）−４−ブロモアミノナフタレン、Ｎ
−（α−メチル−ベンジル）−３−フェニルプロピルア
ミン、Ｎ−（α−メチル−ベンジル）−３−（２−クロ
ロフェニル）プロピルアミン、Ｎ−（α−メチル−ベン
ジル）−３−フェニルブチルアミン、Ｎ−（α−メチル
−ベンジル）−３−フェニルヘキシルアミン、Ｎ−（α
−メチル−３−メトキシベンジル）−３−フェニルプロ
ピルアミン、Ｎ−（α−メチル−３−メトキシベンジ
ル）−３−（２−クロロフェニル）−１−プロピルアミ
ン、Ｎ−（α−メチルベンジル）−ニコチニルアミン、
Ｎ−エチル−２−メトキシテトラミン、Ｎ−（α−
（３，４−ジメトキシベンジル）−エチル）ベンジルア
ミン、フェニルエチルアミン、Ｎ−メチルフェニルエチ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルフェニルエチルアミン、Ｎ
−（２−ピリジル），Ｎ−メチルフェニルエチルアミ
ン、Ｎ−ピラジル，Ｎ−メチルフェニルエチルアミン、
Ｎ−インドイジイニル，Ｎ−メチルフェニルエチルアミ
ン、Ｎ−（３−フリル），Ｎ−メチルフェニルエチルア
ミン、Ｎ−（２−チェニル），Ｎ−メチルフェニルエチ
ルアミン、Ｎ−（２−ピイロリル），Ｎ−メチルフェニ
ルエチルアミン、３−ピリジルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−
ジエチルフリルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−
アミノメチルフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノメ
チルピロール、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−８−アミノメ
チルキノリン、Ｎ−エチル−１，２，３，４−テトラヒ
ドロキノリン、Ｎ−エチル−ピロリジン、Ｎ−エチル−
イミダゾリジン、Ｎ−エチル−１−アミノアクリジン、
Ｎ−ベンジル−２−アミノキノリン、Ｎ−エチル，Ｎ−
メチル−３−ジベンゾフラン、Ｎ−シクロヘキシルメチ
ル−３−ジベンゾフラン等を例示できる。
【００２１】本発明の製造法によって得られるアミン類
は医薬、農薬の中間体として有用である。
は医薬、農薬の中間体として有用である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定さ
れるものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定さ
れるものではない。
【００２３】実施例１ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた１００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム１．３６
ｇ（３６ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−（α−メチル−３−
メトキシベンジル）−３−（２−クロロフェニル）プロ
ピオンアミド３．８１ｇ（１２ミリモル）及びテトラヒ
ドロフラン１４．０ｇを仕込み、フラスコ系内を窒素で
置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シール
を実施した。室温でヨウ化メチル５．１１ｇ（３６ミリ
モル）をテトラヒドロフラン５．０ｇに溶解して２０分
間かけて滴下した。５５〜６０℃で４時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム１．３６
ｇ（３６ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−（α−メチル−３−
メトキシベンジル）−３−（２−クロロフェニル）プロ
ピオンアミド３．８１ｇ（１２ミリモル）及びテトラヒ
ドロフラン１４．０ｇを仕込み、フラスコ系内を窒素で
置換し、以後コンデンサー上部より反応中は窒素シール
を実施した。室温でヨウ化メチル５．１１ｇ（３６ミリ
モル）をテトラヒドロフラン５．０ｇに溶解して２０分
間かけて滴下した。５５〜６０℃で４時間保温した。
【００２４】５℃まで冷却した後、水２０ｇを初期の発
泡に注意しながら滴下し、さらに５％塩酸３０ｇを加え
た。この混合物に水４６ｇ、トルエン９３ｇ、１０％水
酸化ナトリウム水溶液４６ｇを加えて攪拌、静置した
後、トルエン層を分液した。ついで水３３ｇで洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過し、濃縮して３．４
１ｇの（Ｒ）−Ｎ−（α−メチル−３−メトキシベンジ
ル）−３−（２−クロロフェニル）−１−プロピルアミ
ンを得た。収率は９４％であった。
泡に注意しながら滴下し、さらに５％塩酸３０ｇを加え
た。この混合物に水４６ｇ、トルエン９３ｇ、１０％水
酸化ナトリウム水溶液４６ｇを加えて攪拌、静置した
後、トルエン層を分液した。ついで水３３ｇで洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過し、濃縮して３．４
１ｇの（Ｒ）−Ｎ−（α−メチル−３−メトキシベンジ
ル）−３−（２−クロロフェニル）−１−プロピルアミ
ンを得た。収率は９４％であった。
【００２５】物性値は、以下のとおりであった。
【００２６】実施例２ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた１００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム１．３６
ｇ（３６ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−（α−メチル−３−
メトキシベンジル）−３−フェニルプロピオンアミド
３．３８ｇ（１２ミリモル）及びテトラヒドロフラン１
１．４ｇを仕込み、フラスコ系内を窒素で置換し、以後
コンデンサー上部より反応中は窒素シールを実施した。
室温でヨウ化メチル５．１１ｇ（３６ミリモル）のテト
ラヒドロフラン（５．０ｇ）溶液を３０分かけて滴下
し、５５〜６０℃で３時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム１．３６
ｇ（３６ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−（α−メチル−３−
メトキシベンジル）−３−フェニルプロピオンアミド
３．３８ｇ（１２ミリモル）及びテトラヒドロフラン１
１．４ｇを仕込み、フラスコ系内を窒素で置換し、以後
コンデンサー上部より反応中は窒素シールを実施した。
室温でヨウ化メチル５．１１ｇ（３６ミリモル）のテト
ラヒドロフラン（５．０ｇ）溶液を３０分かけて滴下
し、５５〜６０℃で３時間保温した。
【００２７】５℃まで冷却した後、水２０ｇを初期の発
泡に注意しながら滴下し、さらに５％塩酸３０ｇを加え
た。この混合物に水４６ｇ、トルエン９３ｇ、１０％水
酸化ナトリウム水溶液４６ｇを加えて攪拌し静置した
後、トルエン層を分液した。ついで、水３３ｇで洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過・濃縮して
３．１ｇの（Ｒ）−Ｎ−（α−メチル−３−メトキシベ
ンジル）−３−フェニルプロピルアミンを得た。収率は
９６％であった。
泡に注意しながら滴下し、さらに５％塩酸３０ｇを加え
た。この混合物に水４６ｇ、トルエン９３ｇ、１０％水
酸化ナトリウム水溶液４６ｇを加えて攪拌し静置した
後、トルエン層を分液した。ついで、水３３ｇで洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過・濃縮して
３．１ｇの（Ｒ）−Ｎ−（α−メチル−３−メトキシベ
ンジル）−３−フェニルプロピルアミンを得た。収率は
９６％であった。
【００２８】物性値は、以下のとおりであった。 1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ，２７０．０５ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：１．３３（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ） １．５４（ｂｒ ｓ，１Ｈ） １．７８（ｔｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ、７．３Ｈｚ） ２．４３−２．７０（ｍ，４Ｈ） ３．７２（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ） ３．８１（ｓ，３Ｈ） ６．７６−６．９０（ｍ，３Ｈ） ７．１３−７．２９（ｍ，６Ｈ）
【００２９】実施例３ 温度計、攪拌機、コンデンサーを取り付けた３００ｍｌ
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム５．４６
ｇ（１４４ミリモル）、Ｎ−ベンジルベンズアミド１
０．１６ｇ（４８ミリモル）及びテトラヒドロフラン４
０．８ｇを仕込み、フラスコ系内を窒素で置換し、以後
コンデンサー上部より反応中は窒素シールを実施した。
室温でヨウ化メチル２０．４３ｇ（１４４ミリモル）の
テトラヒドロフラン（１０ｇ）溶液を室温で３０分間か
けて滴下した後、５５〜６０℃で４時間保温した。
の四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリウム５．４６
ｇ（１４４ミリモル）、Ｎ−ベンジルベンズアミド１
０．１６ｇ（４８ミリモル）及びテトラヒドロフラン４
０．８ｇを仕込み、フラスコ系内を窒素で置換し、以後
コンデンサー上部より反応中は窒素シールを実施した。
室温でヨウ化メチル２０．４３ｇ（１４４ミリモル）の
テトラヒドロフラン（１０ｇ）溶液を室温で３０分間か
けて滴下した後、５５〜６０℃で４時間保温した。
【００３０】５℃まで冷却した後、水８０ｇを初期の発
泡に注意しながら滴下し、さらに５％塩酸水溶液１２０
ｇを加えた。この混合物に水１８４ｇ、トルエン３７２
ｇ、１０％水酸化ナトリウム水溶液を加えて攪拌・静置
した後、トルエン層を分液した。ついで、水１３２ｇで
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過・濃縮し
て９．４ｇのＮ，Ｎ−ジベンジルアミンを得た。収率は
９９％であった。
泡に注意しながら滴下し、さらに５％塩酸水溶液１２０
ｇを加えた。この混合物に水１８４ｇ、トルエン３７２
ｇ、１０％水酸化ナトリウム水溶液を加えて攪拌・静置
した後、トルエン層を分液した。ついで、水１３２ｇで
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過・濃縮し
て９．４ｇのＮ，Ｎ−ジベンジルアミンを得た。収率は
９９％であった。
【００３１】物性値は、以下のとおりであった。 1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ，２７０．０５ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：１．８６（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ） ２．２３（ｔｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ、７．７Ｈｚ） ２．６７（ｍ，４Ｈ） ３．８７（ｓ，３Ｈ） ４．１５（ｂｒ ｄ，１Ｈ） ６．８９−７．６５（ｍ，８Ｈ） ９．８３（ｂｒ ｓ，１Ｈ） １０．２４（ｂｒ ｓ，１Ｈ）
【００３２】実施例４ 温度計、攪拌機、コンデンサー、ガス導入管を取り付け
た３００ｍｌの四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリ
ウム１．７９ｇ（４７．１ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−
（α−メチル−３−メトキシベンジル）−３−（２−ク
ロロフェニル）−プロピオンアミド５．００ｇ（１５．
７ミリモル）及びテトラヒドロフラン５０ｇを仕込み、
フラスコ系内を窒素で置換し、以後コンデンサー上部よ
り反応中は窒素シールを実施した。次に塩化水素ガス
（４７．１ミリモル）を４８℃で１６５分間かけて吹き
込み、さらに５５℃に昇温して４時間保温した。
た３００ｍｌの四つ口フラスコに、水素化ホウ素ナトリ
ウム１．７９ｇ（４７．１ミリモル）、（Ｒ）−Ｎ−
（α−メチル−３−メトキシベンジル）−３−（２−ク
ロロフェニル）−プロピオンアミド５．００ｇ（１５．
７ミリモル）及びテトラヒドロフラン５０ｇを仕込み、
フラスコ系内を窒素で置換し、以後コンデンサー上部よ
り反応中は窒素シールを実施した。次に塩化水素ガス
（４７．１ミリモル）を４８℃で１６５分間かけて吹き
込み、さらに５５℃に昇温して４時間保温した。
【００３３】５℃まで冷却した後、５％塩酸水溶液２０
ｍｌを初期の発泡に注意しながら滴下した。この混合物
に水４０ｇ、トルエン３５ｇ、１０％水酸化ナトリウム
水溶液１５ｍｌを加えて攪拌・静置した後、トルエン層
を分液した。ついで水４０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した後、濾過・濃縮して４．７ｇの（Ｒ）−Ｎ
−（α−メチル−３−メトキシベンジル）−３−（２−
クロロフェニル）−１−プロピルアミンを得た。収率は
９８％であった。
ｍｌを初期の発泡に注意しながら滴下した。この混合物
に水４０ｇ、トルエン３５ｇ、１０％水酸化ナトリウム
水溶液１５ｍｌを加えて攪拌・静置した後、トルエン層
を分液した。ついで水４０ｇで洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した後、濾過・濃縮して４．７ｇの（Ｒ）−Ｎ
−（α−メチル−３−メトキシベンジル）−３−（２−
クロロフェニル）−１−プロピルアミンを得た。収率は
９８％であった。
【００３４】
【発明の効果】本発明により、置換アミド類よりアミン
類を簡便かつ高収率で工業的に有利に製造することがで
きる。
類を簡便かつ高収率で工業的に有利に製造することがで
きる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 213/38 Ｃ０７Ｄ 213/38 // Ｃ０７Ｄ 207/335 207/335 213/82 213/82 215/08 215/08 215/38 215/38 215/48 215/48 219/02 219/02 233/02 233/02 239/26 239/26 295/18 295/18 Ｚ 307/64 307/64 307/91 307/91 333/36 333/36 (72)発明者 米谷 徳郎 大阪市西淀川区歌島３丁目１番21号 住化 ファインケム株式会社総合研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 又はＲ3 は、同一でも異なっていて
もよく、それぞれ水素原子、本反応条件下で安定な置換
基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖もしくは分
岐の、又は環状のアルキル基、本反応条件下で安定な置
換基を有していてもよい炭素数６〜１８のアリール基、
本反応条件下で安定な置換基を有していてもよい原子数
３〜２２の複素環基、又は本反応条件下で安定な置換基
を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基を表
す。またＲ1 とＲ2 は一緒になって環を形成していても
よく、かつ本反応条件下で安定な置換基を有していても
よい。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 がすべて水素原子で
ある場合を除く。）で示される置換アミド類を一般式
（II) Ｒ4 Ｘ （II) （式中、Ｒ4 は炭素数１〜３のアルキル基又は水素原
子、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と水
素化金属ホウ素とから得られる還元剤で処理することに
よる、一般式（III) 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は一般式（Ｉ) におけるＲ
1 、Ｒ2 及びＲ3 とそれぞれ同一の意義を表す。）で示
されるアミン類の製造法。 - 【請求項２】 有機溶媒の存在下又は非存在下に一般式
（Ｉ) で示される置換アミド類と水素化金属ホウ素の混
合物中に一般式（II) で示される化合物を添加すること
を特徴とする請求項１記載の製造法。 - 【請求項３】 水素化金属ホウ素が水素化ホウ素ナトリ
ウムであり、一般式（II) で示される化合物がヨウ化メ
チルであること特徴とする請求項１又は請求項２記載の
製造法。 - 【請求項４】 水素化金属ホウ素が水素化ホウ素ナトリ
ウムであり、一般式（II) で示される化合物が塩化水素
であること特徴とする請求項１又は請求項２記載の製造
法。 - 【請求項５】 還元剤で処理するときに使用する有機溶
媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換アミド類の１〜５
重量倍であることを特徴とする請求項３記載の製造法。 - 【請求項６】 還元剤で処理するときに使用する有機溶
媒の量が一般式（Ｉ) で示される置換アミド類の８〜１
２重量倍であることを特徴とする請求項４記載の製造
法。 - 【請求項７】 還元剤で処理するときに使用する有機溶
媒が、テトラヒドロフランであることを特徴とする請求
項１〜請求項６いずれか１項に記載の製造法。 - 【請求項８】 一般式（Ｉ）で示される置換アミド類の
Ｒ1 が水素原子であることを特徴とする請求項１〜請求
項７いずれか１項に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8255399A JPH1077251A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | アミン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8255399A JPH1077251A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | アミン類の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1077251A true JPH1077251A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=17278231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8255399A Pending JPH1077251A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | アミン類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1077251A (ja) |
-
1996
- 1996-09-04 JP JP8255399A patent/JPH1077251A/ja active Pending
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