JPH09298692A

JPH09298692A - Ｃｓｄ型固体撮像装置及びその駆動方法

Info

Publication number: JPH09298692A
Application number: JP8132755A
Authority: JP
Inventors: Toru Ishizuya; 徹石津谷
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-04-30
Filing date: 1996-04-30
Publication date: 1997-11-18

Abstract

(57)【要約】【課題】広範囲なシャッタースピードを実現する。【解決手段】選択された光電変換素子１０３で発生し
た信号電荷ＱｓｉｇをＣＳＤチャネル１０５に読み出
し、当該読み出した信号電荷Ｑｓｉｇを転送して蓄積電
極１０６により蓄積させる第１の動作（図２の１〜５）
と、選択された光電変換素子１０３で発生した不要電荷
Ｑ_RをＣＳＤチャネル１０５に読み出し、当該読み出し
た不要電荷Ｑ_Rを転送してリセットドレイン１１１に排
出させる第２の動作（図２の６〜１０）とが、１水平期
間内において、いずれかの順序で時間的に重複すること
なく行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＳＤ型固体撮像
装置及びその駆動方法に関し、特にその電子シャッター
動作の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の固体撮像装置の高集積化は著し
く、１画素の占める面積も微細化され、それに伴った高
感度化が要求されている。このような高感度化の要求を
満足するものとしてキマタ他（M. Kimata et al）によ
るＩＳＳＣＣ（インターナショナルソリッドステート
サーキットコンファレンス）の１９８５年のダイジ
ェストオブテクニカルペーパーズ（ＤＩＧＥＳＴ
ＯＦＴＥＣＨＮＩＣＡＬＰＡＰＥＲＳ）の２月号
の１００頁に開示されているような電荷掃き寄せ型固体
撮像装置（以下、「ＣＳＤ型撮像装置」という。）が開
発され、その優れた有用性が確認されている。

【０００３】この従来のＣＳＤ型固体撮像装置につい
て、図９乃至図１１を参照して説明する。図９はこの従
来のＣＳＤ型撮像装置を示すブロック図である。図１０
は、その動作の概念を説明するための図で、ＣＳＤ型固
体撮像装置の垂直方向の断面とポテンシャルを模式的に
示したものである。図１１はその動作を説明する説明図
であり、図１１（ａ）は図１０に示す動作をまとめて示
す図、図１１（ｂ）は垂直走査線に印加される画素選択
信号の時間遷移図である。

【０００４】図９において、１０３は２次元に配列され
た光電変換素子（例えば、フォトダイオード）、１０５
は光電変換素子１０３の電荷を垂直方向に転送する通路
となる垂直転送路としてのＣＳＤチャネル、１０２はＣ
ＳＤチャネル１０５に沿って設けられた複数のＣＳＤ転
送電極、１０１は光電変換素子１０３から電荷をＣＳＤ
チャネル１０５に読み出すためのトランスファーゲート
である。通常、トランスファーゲート１０１とＣＳＤ転
送電極１０２は同一電極で構成する。１０４は垂直走査
線で、全てのＣＳＤ転送電極１０２は水平方向に１本の
垂直走査線１０４で結ばれている。１０６はＣＳＤチャ
ネル１０５の一方側に転送された信号電荷を一時蓄積し
ておくための蓄積電極、１０９は蓄積電極１０６により
蓄積された信号電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤ、
１０７は蓄積電極１０６と水平ＣＣＤ１０９との間に設
けられてＣＳＤチャネル１０５における蓄積電極１０６
下から水平ＣＣＤ１０９への電荷の移動を制御する蓄積
制御ゲート、１０８は出力アンプである。

【０００５】次に、この従来のＣＳＤ型撮像装置の動作
を図１０を用いて簡単に説明する。

【０００６】まず、水平帰線期間に、あるトランスファ
ーゲート１０１がＴＧ走査回路２により選択されると、
当該トランスファーゲート１０１に対応する光電変換素
子１０３に蓄積された信号電荷Ｑｓｉｇが、対応する転
送電極１０２直下に読み出される。図１０では垂直走査
線１０４ｃが選択され、ハッチングを付した光電変換素
子１０３から信号電荷Ｑｓｉｇが読み出されている（図
１０の１）。次に、水平読出期間に前記信号電荷Ｑｓｉ
ｇはＣＳＤチャネル１０５により蓄積電極１０６側に転
送される（図１０の２〜４）。この時ＣＳＤ転送電極１
０２はＣＳＤ走査回路１により駆動され、４相のＣＣＤ
と同様の動作をしている。信号電荷Ｑｓｉｇは、このよ
うな動作を経て蓄積電極１０６下に集められ（図１０の
５）、次の水平帰線期間に蓄積制御ゲート１０７を通し
て水平ＣＣＤ１０９に転送され（図１０の６）、次の水
平読出期間に水平ＣＣＤ１０９により読み出される（す
なわち、水平方向に転送されて出力アンプ１０８から出
力される）。

【０００７】図１１（ａ）は、以上説明した動作の時間
遷移をまとめたものである。なお、図１１（ａ）におい
ては、ある水平期間（図１１（ａ）中の左側の水平期
間）において光電変換素子１０３からＣＳＤへの信号
電荷読出及びＣＳＤによる蓄積部（ＣＳＤチャネル１
０５における蓄積電極１０６に対応する部分）への信号
電荷転送が行われ、引き続く水平期間（図１１（ａ）中
の右側の水平期間）において蓄積部から水平ＣＣＤ１
０９への信号電荷転送及び水平ＣＣＤ１０９からの信
号電荷読出が行われるものとしている。しかしながら、
図１１（ａ）はある光電変換素子１０３に蓄積された信
号電荷Ｑｓｉｇに着目して示したものであり、実際に
は、各水平期間において、異なる光電変換素子１０３に
蓄積された信号電荷Ｑｓｉｇに関して前記の動作が
同時に行われるとともに前記の動作が同時に行われ
る。

【０００８】また、図１１（ｂ）は、ＴＧ走査回路２に
より垂直走査線１０４ａ〜１０４ｈに印加される画素選
択信号の時間遷移を模式的に示したものである。なお、
図１１（ｂ）では、一例として、垂直走査線１０４ａ〜
１０４ｈが全体として２５０本あるものとし、１フィー
ルドが１／６０秒、１水平期間が６３μｓであるとして
いる。また、図１１（ｂ）において、「ＴＳ」は、ＴＧ
走査回路２に印加される同期パルスを示す。

【０００９】この図１１（ｂ）より理解されるように、
図９に示す従来のＣＳＤ型固体撮像装置では、１フィー
ルド期間内に１つの垂直走査線１０４には１回だけ画素
選択信号が印加される。この時、光電変換素子１０３に
蓄えられていた信号電荷はＣＳＤへ読み出されると同時
に当該光電変換素子１０３はリセットされ、次の信号電
荷の蓄積が開始される。そして、次のフィールドで再び
画素選択信号が印加され、前述した動作が繰り返され
る。よって、光電変換素子１０３での信号電荷蓄積期間
は１フィールド期間、すなわち、通常１／６０秒となっ
ていた。

【００１０】ところで、最近のイメージセンサには１／
１０００秒程度で撮像画を「止めて見る」機能、すなわ
ち１／１０００秒の電子シャッター機能が要求されてい
るが、図９に示す従来の固体撮像装置では１枚の画面を
読み出すのに１／６０秒かかり、この間の入射光を１／
６０秒積分して出力している。これに対し前記電子シャ
ッター機能を実現した例としてはインターライン型ＣＣ
Ｄ（ＩＬＣＣＤ）センサがよく知られており、このＩＬ
ＣＣＤでは垂直帰線期間（約１ｍｓ）に光検出器を一度
空の状態にし、１ｍｓ程度の光のみの信号を光検出器に
蓄積し、その後これを垂直ＣＣＤに読み出すことにより
１／１０００秒の露光時間を実現している。

【００１１】このようにＩＬＣＣＤでは垂直ＣＣＤが１
画面分のメモリ素子と同等の動作を行うためにシャッタ
ー動作が容易となる。また、シャッター期間以外に蓄積
された不要電荷は信号電荷を蓄積している垂直帰線期間
に光電変換素子の動作と独立に垂直ＣＣＤを用いて外部
に掃き出すことができる。

【００１２】一方、前述したような図９に示す従来のＣ
ＳＤ型撮像装置では、垂直走査期間内に順次画素選択を
行うため、不要電荷の掃き出し行うことが困難になって
くる。

【００１３】そこで、不要電荷の掃き出しを容易に実現
することができるＣＳＤ型固体撮像装置が提案されるに
至っている（特開昭６３−２２６１７７号公報）。この
ＣＳＤ型固体撮像装置では、垂直方向に転送された不要
電荷を排出するドレインをＣＳＤチャネルの蓄積電極側
（すなわち、水平ＣＣＤ側）に付加し、垂直方向に２画
素以上離れた複数の光電変換素子の電荷（ある光電変換
素子の電荷が信号電荷で、残りの光電変換素子の電荷が
不要電荷）を同一水平帰線期間内に同時に同一ＣＳＤチ
ャネルに読み出し、これらの全ての電荷を蓄積電極側に
垂直に転送しつつ、不要電荷のみを前記ドレインから選
択的に排出させるとともに信号電荷のみを蓄積電極下に
蓄積させている。このＣＳＤ型固体撮像装置によれば、
このようにドレインを用いて不要電荷を排出するため、
不要電荷の掃き出しが容易となり、電子シャッター機能
を実現することができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６３−２２６１７７号公報で提案されたＣＳＤ型固体撮
像装置では、複数の光電変換素子の電荷（すなわち、信
号電荷及び不要電荷の両方）を同一水平帰線期間内に同
時に同一ＣＳＤチャネルに読み出しているため、当該光
電変換素子の間隔は理論上２画素以上離れている必要が
あり、しかも、不要電荷の信号電荷への混入を避けるた
めには同時に電荷を読み出す光電変換素子間の距離は実
際上かなりの画素数分だけ離れている必要がある。した
がって、当該光電変換素子の間隔により信号電荷蓄積期
間（シャッタースピード）が定まることから、シャッタ
ースピードの範囲が制限されてしまう。

【００１５】また、特開昭６３−２２６１７７号公報で
提案されたＣＳＤ型固体撮像装置では、垂直方向に転送
された不要電荷を排出するドレインをＣＳＤチャネルの
蓄積電極側（すなわち、水平ＣＣＤ側）に付加している
が、蓄積電極側には水平ＣＣＤが配置されることから、
水平ＣＣＤ付近の素子の集積度を上げざるを得ず、これ
らの素子の配置が困難となり当該ＣＳＤ型固体撮像装置
の設計及び製造が困難となるとともに、この付近の素子
の動作が不安定になってしまう。

【００１６】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、不要電荷の掃き出しを容易に実現することができ、
しかも、広範囲のシャッタースピードを実現することが
できるＣＳＤ型固体撮像装置及びその駆動方法を提供す
ることを目的とする。

【００１７】また、本発明は、設計及び製造が容易であ
るとともに動作の安定したＣＳＤ型固体撮像装置及びそ
の駆動方法を提供することを他の目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の態様によるＣＳＤ型固体撮像装置
は、２次元に配列された光電変換素子と、前記光電変換
素子の電荷を垂直方向に転送する垂直転送手段と、垂直
方向に転送された信号電荷を一時蓄積しておくための蓄
積電極と、前記蓄積電極により蓄積された信号電荷を水
平方向に転送する水平転送手段と、垂直方向に転送され
た不要電荷を排出する電荷排出手段と、前記光電変換素
子のうちの選択された光電変換素子で発生した信号電荷
を前記垂直転送手段に読み出し、当該読み出した信号電
荷を転送して前記蓄積電極により蓄積させる第１の動作
と、前記光電変換素子のうちの選択された光電変換素子
で発生した不要電荷を前記垂直転送手段に読み出し、当
該読み出した不要電荷を転送して前記電荷排出手段に排
出させる第２の動作とを、１水平期間内において、いず
れかの順序で時間的に重複することなく行わせる制御手
段と、を備えたものである。

【００１９】本発明の第２の態様による駆動方法は、２
次元に配列された光電変換素子と、前記光電変換素子の
電荷を垂直方向に転送する垂直転送手段と、垂直方向に
転送された信号電荷を一時蓄積しておくための蓄積電極
と、前記蓄積電極により蓄積された信号電荷を水平方向
に転送する水平転送手段と、垂直方向に転送された不要
電荷を排出する電荷排出手段と、を備えたＣＳＤ型固体
撮像装置の駆動方法であって、前記光電変換素子のうち
の選択された光電変換素子で発生した信号電荷を前記垂
直転送手段に読み出し、当該読み出した信号電荷を転送
して前記蓄積電極により蓄積させる第１の動作と、前記
光電変換素子のうちの選択された光電変換素子で発生し
た不要電荷を前記垂直転送手段に読み出し、当該読み出
した不要電荷を転送して前記電荷排出手段に排出させる
第２の動作とを、１水平期間内において、いずれかの順
序で時間的に重複することなく行わせるものである。

【００２０】前記第１及び第２の態様によれば、１水平
期間内において、前記第１の動作及び前記第２の動作が
時間的に重複することなく行われる。すなわち、１フィ
ールド期間内に、１つの垂直走査線に対しては、少なく
とも２回の画素選択信号が印加され、１フィールド期間
（例えば、１／６０秒）のうち、不要電荷を読み出すた
めの画素選択信号の印加（この時、光電変換素子はリセ
ットされる）が行われてから、信号電荷を読み出すため
の画素選択信号の印加までの期間のみが、信号電荷蓄積
期間となる。よって、この信号電荷蓄積期間は１フィー
ルド期間（例えば、１／６０秒）より短くすることが可
能となり、シャッター動作を実現することができる。

【００２１】そして、前記第１及び第２の態様によれ
ば、前述した特開昭６３−２２６１７７号公報で提案さ
れたＣＳＤ型固体撮像装置と異なり、前記第１の動作と
前記第２の動作とは、同時に行われるのではなく、１水
平期間内において時間的に重複することなく行われる。
したがって、信号電荷への不要電荷の混入のおそれなし
に、同一水平期間内において隣接する光電変換素子を含
む任意の２つの光電変換素子から信号電荷の読み出しと
不要電荷の読み出しとを行うことが可能となるのみなら
ず、同一水平期間内において同一光電変換素子から信号
電荷の読み出しと不要電荷の読み出しとを行うことが可
能となる。このため、前記第１及び第２の態様によれ
ば、前述した特開昭６３−２２６１７７号公報で提案さ
れたＣＳＤ型固体撮像装置に比べて、広範囲のシャッタ
ースピードを実現することができる。

【００２２】本発明の第３の態様によるＣＳＤ型固体撮
像装置は、２次元に配列された光電変換素子と、前記光
電変換素子の電荷を垂直方向に転送する通路となる垂直
転送路と、前記垂直転送路に沿って設けられた複数の転
送電極と、前記垂直転送路の一方側に転送された信号電
荷を一時蓄積しておくための蓄積電極と、前記蓄積電極
により蓄積された信号電荷を水平方向に転送する水平転
送手段と、前記蓄積電極と前記水平転送手段との間に設
けられ、前記垂直転送路における前記蓄積電極に対応す
る部分から前記水平転送手段への電荷の移動を制御する
第１の蓄積制御ゲートと、前記垂直転送路の他方側に転
送された不要電荷を排出する電荷排出手段と、前記電荷
排出手段と前記電荷排出手段側の前記転送電極との間に
設けられ、前記垂直転送路における当該転送電極に対応
する部分から前記電荷排出手段への電荷の移動を制御す
る電荷排出制御ゲートと、を備えたものである。

【００２３】本発明の第４の態様によるＣＳＤ型固体撮
像装置は、前記第３の態様によるＣＳＤ型固体撮像装置
において、前記蓄積電極と前記蓄積電極側の前記転送電
極との間に設けられ、前記垂直転送路における当該転送
電極に対応する部分から前記蓄積電極に対応する部分へ
の電荷の移動を制御する第２の蓄積制御ゲートを更に備
えたものである。

【００２４】前記第３及び第４の態様によれば、垂直転
送路における蓄積電極及び水平転送手段と他方側に転送
された不要電荷を排出する電荷排出手段が用いられ、す
なわち、垂直方向に転送された不要電荷を排出する電荷
排出手段が蓄積電極及び水平転送手段と反対側に配置さ
れるので、水平転送手段付近の素子の集積度は前述した
図９に示すＣＳＤ型固体撮像装置と同程度ですみ、これ
らの素子の配置が容易となり当該ＣＳＤ型固体撮像装置
の設計及び製造が容易となるとともに、この付近の素子
の動作の安定化を図ることができる。なお、前記特開昭
６３−２２６１７７号公報で提案されたＣＳＤ型固体撮
像装置では、信号電荷及び不要電荷の両方を同一水平帰
線期間内に同時に同一ＣＳＤチャネルに読み出している
ため、信号電荷及び不要電荷を両者の混合を避けるべく
同一方向に転送せざるを得ず、したがって、ドレインを
蓄積電極と反対側に配置することは不可能であった。

【００２５】本発明の第５の態様によるＣＳＤ型固体撮
像装置は、前記第３の態様によるＣＳＤ型固体撮像装置
において、前記光電変換素子のうちの選択された光電変
換素子で発生した信号電荷を前記垂直転送手段に読み出
し、当該読み出した信号電荷を第１の垂直方向に転送し
て前記蓄積電極により蓄積させる第１の動作と、前記光
電変換素子のうちの選択された光電変換素子で発生した
不要電荷を前記垂直転送手段に読み出し、当該読み出し
た不要電荷を前記第１の垂直方向と逆方向の第２の垂直
方向に転送して前記電荷排出手段に排出させる第２の動
作とを、１水平期間内において、前記第２の動作及び前
記第１の動作の順序で時間的に重複することなく行わせ
るように、前記光電変換素子を選択するとともに、前記
複数の転送電極、前記蓄積電極、前記第１の蓄積制御ゲ
ート及び前記電荷排出制御ゲートを制御する制御手段を
更に備えたものである。

【００２６】本発明の第６の態様によるＣＳＤ型固体撮
像装置は、前記第４の態様によるＣＳＤ型固体撮像装置
において、前記光電変換素子のうちの選択された光電変
換素子で発生した信号電荷を前記垂直転送手段に読み出
し、当該読み出した信号電荷を第１の垂直方向に転送し
て前記蓄積電極により蓄積させる第１の動作と、前記光
電変換素子のうちの選択された光電変換素子で発生した
不要電荷を前記垂直転送手段に読み出し、当該読み出し
た不要電荷を前記第１の垂直方向と逆方向の第２の垂直
方向に転送して前記電荷排出手段に排出させる第２の動
作とを、１水平期間内において、いずれかの順序で時間
的に重複することなく行わせるように、前記光電変換素
子を選択するとともに、前記複数の転送電極、前記蓄積
電極、前記第１及び第２の蓄積制御ゲート並びに前記電
荷排出制御ゲートを制御する制御手段を更に備えたもの
である。

【００２７】本発明の第７の態様によるＣＳＤ型固体撮
像装置は、前記第５又は第６の態様によるＣＳＤ型固体
撮像装置において、前記制御手段が、前記光電変換素子
を選択する第１の走査回路と、前記複数の転送電極を走
査する第２の走査回路とを含むものである。

【００２８】前記第５乃至第７の態様によっても、前記
第１及び第２の態様と同様に、広範囲のシャッタースピ
ードを実現することができる。なお、前記第１及び第２
の態様では、必ずしも前記第５乃至第７の態様のように
垂直転送路における蓄積電極及び水平転送手段と他方側
に転送された不要電荷を排出する電荷排出手段を用いる
必要はなく、前述した特開昭６３−２２６１７７号公報
で提案されたＣＳＤ型固体撮像装置と同様に、垂直方向
に転送された不要電荷を排出する電荷排出手段は蓄積電
極及び水平転送手段の側に配置してもよい。

【００２９】本発明の第８の態様によるＣＳＤ型固体撮
像装置は、前記第１、第３乃至第７のいずれかの態様に
よるＣＳＤ型固体撮像装置において、前記光電変換素子
の信号電荷蓄積期間は一定で全素子を読み出すのに要す
る時間より短いものである。

【００３０】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）まず、本発明の第１の実施の形態によ
るＣＳＤ型固体撮像装置及びその駆動方法について、図
１乃至図３を参照して説明する。図１は本実施の形態に
よるＣＳＤ型撮像装置を示すブロック図である。図２
は、その動作の概念を説明するための図で、ＣＳＤ型固
体撮像装置の垂直方向の断面とポテンシャルを模式的に
示したものである。図３はその動作を説明する説明図で
あり、図３（ａ）は図２に示す動作をまとめて示す図、
図３（ｂ）は垂直走査線に印加される画素選択信号の時
間遷移図である。なお、図１乃至図３において、前述し
た図９乃至図１１中の要素と同一又は対応する要素には
同一符号を付し、その重複した説明は省略する。

【００３１】本実施の形態では、図１に示すように、垂
直方向に転送された不要電荷を排出する不要電荷排出手
段としてのリセットドレイン１１１が、蓄積電極１０６
と反対側に配置されている。リセットドレイン１１１と
リセットドレイン１１１側のＣＳＤ転送電極１０２との
間には、ＣＳＤチャネル１０５における当該ＣＳＤ転送
電極１０２に対応する部分からリセットドレイン１１１
への電荷の移動を制御する電荷排出制御ゲートとしての
ドレインゲート１１０が設けられている。各リセットド
レイン１１１は共通接続され、各リセットドレイン１１
１には電荷排出に必要な所定のＤＣバイアス電圧ＲＤが
印加される。

【００３２】また、蓄積電極１０６と蓄積電極１０６側
のＣＳＤ転送電極１０２との間には、ＣＳＤチャネル１
０５における当該ＣＳＤ転送電極１０２に対応する部分
から蓄積電極１０６に対応する部分への電荷の移動を制
御する蓄積制御ゲート２０７が設けられている。

【００３３】各蓄積電極１０６及び各蓄積制御ゲート１
０７，２０７はそれぞれ共通接続され、これらには、後
述する図２に示す動作を実現するための制御パルスがパ
ルス発生回路１１２から供給される。また、各ドレイン
ゲート１１０も共通接続され、各ドレインゲート１１０
には、後述する図２に示す動作を実現するための制御パ
ルスＤＧが同じくパルス発生回路１１２から供給され
る。パルス発生回路１１２は、ＣＳＤ走査回路又はＴＧ
走査回路から得られるパルス信号に基づいて、前記各制
御パルスを生成する。なお、パルス発生回路１１２等
は、光電変換素子１０３等と同一基板上に設けてもよい
し、外部回路として設けてもよい。

【００３４】次に、本実施の形態によるＣＳＤ型固体撮
像装置の動作について、図２を参照して説明する。ま
ず、時刻ｔ＝ｔ₀で例えば垂直走査線１０４ｃがＴＧ走
査回路２により選択されると、対応する図２中のハッチ
ングを付した光電変換素子（例えば、フォトダイオー
ド）１０３から信号電荷Ｑｓｉｇが、対応するＣＳＤ転
送電極１０２直下に読み出される（図２の１）。その
後、前記信号電荷Ｑｓｉｇは、ＣＳＤチャネル１０５に
より蓄積電極１０６側に転送される（図２の２〜４）。
この時、ＣＳＤ転送電極１０２はＣＳＤ走査回路１によ
り駆動され、高速転送を実現するため、ＣＳＤ走査回路
１は、垂直方向の４電極を同一相として駆動して、みか
けの転送段数を減らしている。なお、この駆動により、
実際には例えば図２の４中の斜線部に対する左側部分に
もポテンシャルの井戸が現れるが、図２では省略してい
る。同様に、例えば、後述する図２の９中の斜線部に対
する右側部分にもポテンシャルの井戸が現れるが、図２
では省略している。

【００３５】前記信号電荷Ｑｓｉｇが前記動作によって
蓄積電極１０６直下に転送された後、蓄積制御ゲート２
０７が”Ｈ”レベルから”Ｌ”レベルとされ、前記信号
電荷Ｑｓｉｇが蓄積電極１０６の下部に一時保持される
（図２の５）。

【００３６】次に、時刻ｔ＝ｔ₁で例えば垂直走査線１
０４ｆがＴＧ走査回路２により選択される（同一垂直走
査線１０４ｃや隣接する垂直走査線１０４ｂ，１０４ｄ
を選択してもよい）と、対応する図２中のハッチングを
付した別の光電変換素子１０３から不要電荷Ｑ_Rが、対
応するＣＳＤ転送電極１０２直下に読み出される（図２
の６）。その後、前記不要電荷Ｑ_Rは、ＣＳＤチャネル
１０５により信号電荷Ｑｓｉｇと同様に転送されるが、
この時、前述した信号電荷Ｑｓｉｇの電荷転送方向とは
反対の向きに、すなわちリセットドレイン１１１側に転
送される。また、この時、不要電荷Ｑ_Rの排出を制御す
るドレインゲート１１０はパルス発生回路１１２によ
り”Ｌ”レベルから”Ｈ”レベルとされているため、不
要電荷Ｑ_Rはリセットドレイン１１１へ掃き出されて外
部に排出される（図２の７〜１０）。

【００３７】以上説明した、図２の１〜１０の動作は１
水平期間中に行われる。続く１水平期間の水平帰線期間
には、蓄積電極１０６に保持されていた信号電荷Ｑｓｉ
ｇが水平ＣＣＤ１０９へ転送される（図２の１１）。

【００３８】図３（ａ）は、以上説明した動作の時間遷
移をまとめたものである。なお、図３（ａ）において
は、ある水平期間（図３（ａ）中の左側の水平期間）に
おいて光電変換素子１０３からＣＳＤへの信号電荷読出及び
ＣＳＤによる蓄積部への信号電荷転送並びに光電変換
素子１０３からＣＳＤへの不要電荷読出及びＣＳＤによ
るリセットドレイン１１１への不要電荷転送が順次行わ
れ、引き続く水平期間（図３（ａ）中の右側の水平期
間）において蓄積部から水平ＣＣＤ１０９への信号電
荷転送及び水平ＣＣＤ１０９からの信号電荷読出が行
われるものとしている。しかしながら、図３（ａ）はあ
る光電変換素子１０３に蓄積された信号電荷Ｑｓｉｇに
着目して示したものであり、実際には、各水平期間にお
いて、異なる光電変換素子１０３に蓄積された信号電荷
Ｑｓｉｇに関して前記の動作中に前記の動作が
同時に行われる。なお、前記の動作のうちの信号電荷
読出及び前記の動作のうちの水平ＣＣＤ１０９への信
号電荷転送は、通常水平帰線期間内に行われ、その動作
時間（すなわち、垂直走査線１０４に印加される画素選
択信号の印加時間）は、水平帰線期間と同じでもよい
し、それより短い時間としてもよい。

【００３９】以上の説明からわかるように、本実施の形
態では、ＣＳＤ走査回路１、ＴＧ走査回路２及びパルス
発生回路１１２は、選択された光電変換素子１０３で発
生した信号電荷ＱｓｉｇをＣＳＤチャネル１０５に読み
出し、当該読み出した信号電荷Ｑｓｉｇを転送して蓄積
電極１０６により蓄積させる第１の動作（前記の動
作）と、選択された光電変換素子１０３で発生した不要
電荷Ｑ_RをＣＳＤチャネル１０５に読み出し、当該読み
出した不要電荷Ｑ_Rを転送してリセットドレイン１１１
に排出させる第２の動作とを、１水平期間内において、
時間的に重複することなく行わせる制御手段を構成して
いる。

【００４０】次に、図３（ｂ）を用いて、光電変換素子
１０３における信号電荷蓄積期間について説明する。図
３（ｂ）は、ＴＧ走査回路２により垂直走査線１０４ａ
〜１０４ｈに印加される画素選択信号の時間遷移を模式
的に示したものである。なお、図３（ｂ）では、一例と
して、垂直走査線１０４ａ〜１０４ｈが全体として２５
０本あるものとし、１フィールドが１／６０秒、１水平
期間が６３μｓであるとしている。また、図３（ｂ）に
おいて、「ＴＳ」は、ＴＧ走査回路２に印加される同期
パルスを示す。図３（ｂ）中の１０４ａ〜１０４ｈ及び
ｔ₀，ｔ₁は、図２に示したものと対応している。

【００４１】今、垂直走査線１０４ｆに注目すると、時
刻ｔ＝ｔ₁では、矢印Ｉの期間に垂直走査線１０４ｆに
対応する光電変換素子１０３で蓄積されていた電荷が不
要電荷として読み出されると同時に、当該光電変換素子
１０３はリセットされる。そして、時刻ｔ＝ｔ₂では、
（時刻ｔ＝ｔ₀で垂直走査線１０４ｃに対応する光電変
換素子１０３に蓄積されていた電荷が信号電荷として読
み出されるのと同様に、）垂直走査線１０４ｆに対応す
る光電変換素子１０３に矢印ＩＩの期間に蓄積された電
荷が信号電荷として読み出される。続く、矢印ＩＩＩの
期間に垂直走査線１０４ｆに対応する光電変換素子１０
３に蓄積された電荷は、時刻ｔ＝ｔ₃において、（時刻
ｔ＝ｔ₁の時と同様に、）不要電荷として読み出され
る。前述した本実施の形態の動作では、矢印ＩＩの期間
と矢印ＩＩＩの期間の合計が１フィールド期間（通常、
１／６０秒）であるのに対し、垂直走査線１０４ｆに対
応する光電変換素子１０３での信号電荷蓄積期間は矢印
ＩＩの期間のみとなるため、電子シャッター動作が実現
できる。なお、他の垂直走査線に対応する光電変換素子
１０３についても同様であり、図３からわかるように、
各光電変換素子１０３の信号電荷蓄積期間は一定で全素
子１０３を読み出すのに要する時間より短くなってい
る。

【００４２】なお、以上説明した本実施の形態によれ
ば、光電変換素子１０３における信号電荷蓄積期間、す
なわち、シャッタースピードは自由に変化させることが
できる。例えば、図２の時刻ｔ＝ｔ₀で垂直走査線１０
４ｃを選択して信号電荷を読み出して当該電荷を蓄積電
極１０６に転送した直後、時刻ｔ＝ｔ₁で再び垂直走査
線１０４ｃを選択して不要電荷を転送してリセットドレ
イン１１１から掃き出した場合は、最も低速のシャッタ
ー動作となる。この場合は、不要電荷蓄積期間が１水平
期間の約半分、すなわち、３０μｓ程度であるので、信
号電荷蓄積期間は、１／６０秒−３０μｓ≒１／６０．
１秒である。

【００４３】一方、図２の時刻ｔ＝ｔ₀で垂直走査線１
０４ｃを選択して信号電荷を読み出し電荷を転送した
後、時刻ｔ＝ｔ₁で垂直走査線１０４ｄを選択して不要
電荷を掃き出した場合は、最も高速のシャッター動作と
なる。この場合は、信号蓄積期間が１水平期間の約半
分、すなわち３０μｓ≒１／３００００秒である。この
ように、本実施の形態では、不要電荷を読み出すための
垂直走査線の選択は、任意に行うことができる。

【００４４】それゆえ、本実施の形態によれば、１／３
００００〜１／６０．１秒という、非常に広い範囲の信
号電荷蓄積期間（シャッタースピード）を達成すること
ができる。この時、この間のシャッタースピードとして
は、１水平期間（＝６３μｓ）刻みに任意に設定するこ
とができる。これは、外部回路で設定することができ、
図２では、ＴＳ（ＴＧ走査回路２の同期パルス）クロッ
クを用いてシフトレジスタで構成されるＴＧ走査回路２
の動作を制御している。

【００４５】なお、本実施の形態においては、ＣＳＤの
高速転送のためには非常に速い周波数のクロックが必要
となるが、本実施の形態では図２に示すように垂直４つ
のＣＳＤ転送電極１０２を一相分として駆動しているた
め、その駆動周波数は１／４程度となり、ＣＳＤ走査回
路１の回路構成も容易となる。

【００４６】さらに、ＣＳＤの駆動周波数を下げる場合
は、ｎ個の電極１０２を同相として駆動することによ
り、駆動周波数は１／ｎとなる。この時、実効的なゲー
ト長がｎ倍になるため、転送効率の低下が考えられる
が、これを改善するためにはゲート酸化膜厚あるいは不
純物注入等の手段により転送方向に向かって完全転送が
できるようチャネルポテンシャルを制御しておけばよ
い。

【００４７】また、本実施の形態では、垂直方向に転送
された不要電荷を排出するリセットドレイン１１１が蓄
積電極１０６と反対側に配置されているので、水平ＣＣ
Ｄ１０９付近の素子の集積度は前述した図９に示すＣＳ
Ｄ型固体撮像装置と同程度ですみ、これらの素子の配置
が容易となり当該ＣＳＤ型固体撮像装置の設計及び製造
が容易となるとともに、この付近の素子の動作の安定化
を図ることができる。

【００４８】（実施の形態２）ところで、前述した第１
の実施の形態では、図２及び図３（ａ）に示すように、
各水平期間内において、前記の信号電荷読出及び信号
電荷転送の動作及び前記の不要電荷読出及び不要電荷
転送の動作の順序で行われていたが、逆に、前記の動
作及び前記の動作の順序で行われるようにしてもよ
い。この場合には、必ずしも蓄積制御ゲート２０７を設
けておかなくてもよい。蓄積制御ゲート２０７は、前記
第１の実施の形態のように各水平期間内において前記
の動作及び前記の動作の順で行われる場合に、前記
の動作により蓄積電極１０６下に蓄積した信号電荷に対
してＣＳＤチャネル１０５に読み出した不要電荷が混入
するのを阻止するために設けられたものであるため、不
要電荷がＣＳＤチャネル１０５に読み出されるときに蓄
積電極１０６下に信号電荷が蓄積されていなければ、蓄
積制御ゲート２０７がなくても、そのような混入が生じ
ないからである。

【００４９】このように、前述した第１の実施の形態
を、蓄積制御ゲート２０７を取り除き、各水平期間にお
いて前記の動作及び前記の動作の順序で行われるよ
うに変形した、本実施の形態の第２の実施の形態による
ＣＳＤ型固体撮像装置及びその駆動方法について、図４
乃至図６を参照して説明する。

【００５０】図４は本実施の形態によるＣＳＤ型撮像装
置を示すブロック図である。図５は、その動作の概念を
説明するための図で、ＣＳＤ型固体撮像装置の垂直方向
の断面とポテンシャルを模式的に示したものである。図
６は図５に示す動作をまとめて示す図である。なお、図
４乃至図６において、前述した図１乃至図３中の要素と
同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複し
た説明は省略する。

【００５１】本実施の形態が前記第１の実施の形態と異
なる所は、図４に示すように図１中の蓄積制御ゲート２
０７が除去されている点と、ＣＳＤ走査回路１、ＴＧ走
査回路２及びパルス発生回路１１２が以下に説明する動
作を行わせるように構成されている点のみである。

【００５２】次に、本実施の形態によるＣＳＤ型固体撮
像装置の動作について、図５を参照して説明する。ま
ず、例えば垂直走査線１０４ｆがＴＧ走査回路２により
選択されると、対応する図５中のハッチングを付した光
電変換素子１０３から不要電荷Ｑ_Rが、対応するＣＳＤ
転送電極１０２直下に読み出される（図５の１）。その
後、前記不要電荷Ｑ_Rは、ＣＳＤチャネル１０５により
リセットドレイン１１１側に転送される（図５の２〜
５）。この時、ＣＳＤ転送電極１０２はＣＳＤ走査回路
１により駆動され、高速転送を実現するため、ＣＳＤ走
査回路１は、垂直方向の４電極を同一相として駆動し
て、みかけの転送段数を減らしている。なお、この駆動
により、実際には例えば図５の４中の斜線部に対する右
側部分にもポテンシャルの井戸が現れるが、図５では省
略している。同様に、例えば、後述する図５の９中の斜
線部に対する左側部分にもポテンシャルの井戸が現れる
が、図５では省略している。また、この駆動時には、不
要電荷Ｑ_Rの排出を制御するドレインゲート１１０はパ
ルス発生回路１１２により”Ｈ”レベルとされているた
め、不要電荷Ｑ_Rはリセットドレイン１１１へ掃き出さ
れて外部に排出される（図５の３〜５）。

【００５３】次に、例えば垂直走査線１０４ｃがＴＧ走
査回路２により選択される（同一垂直走査線１０４ｆや
隣接する垂直走査線１０４ｅ，１０４ｇを選択してもよ
い）と、対応する図２中のハッチングを付した別の光電
変換素子１０３から信号電荷Ｑｓｉｇが、対応するＣＳ
Ｄ転送電極１０２直下に読み出される（図５の６）。そ
の後、前記信号電荷Ｑｓｉｇは、ＣＳＤチャネル１０５
により不要電荷Ｑ_Rと同様に転送されるが、この時、前
述した不要電荷Ｑ_Rの電荷転送方向とは反対の向きに、
すなわち蓄積電極１０６側に転送され（図５の７〜
９）、前記信号電荷Ｑｓｉｇが蓄積電極１０６の下部に
一時保持される（図５の１０）。

【００５４】以上説明した、図５の１〜１０の動作は１
水平期間中に行われる。続く１水平期間の水平帰線期間
には、蓄積電極１０６に保持されていた信号電荷Ｑｓｉ
ｇが水平ＣＣＤ１０９へ転送される（図５の１１）。

【００５５】図６は以上説明した動作の時間遷移をまと
めたものである。なお、図６においては、ある水平期間
（図６中の左側の水平期間）において光電変換素子１
０３からＣＳＤへの不要電荷読出及びＣＳＤによるリセ
ットドレイン１１１への不要電荷転送並びに光電変換
素子１０３からＣＳＤへの信号電荷読出及びＣＳＤによ
る蓄積部への信号電荷転送が順次行われ、引き続く水平
期間（図６中の右側の水平期間）において蓄積部から
水平ＣＣＤ１０９への信号電荷転送及び水平ＣＣＤ１
０９からの信号電荷読出が行われるものとしている。し
かしながら、図６（ａ）はある光電変換素子１０３に蓄
積された信号電荷Ｑｓｉｇに着目して示したものであ
り、実際には、各水平期間において、異なる光電変換素
子１０３に蓄積された信号電荷Ｑｓｉｇに関して前記
の動作中に前記の動作が同時に行われる。

【００５６】本実施の形態においても、前記第１の実施
の形態と同様の利点が得られる。

【００５７】（実施の形態３）次に、本発明の第３の実
施の形態によるＣＳＤ型固体撮像装置及びその駆動方法
について、図７及び図８を参照して説明する。図７は本
実施の形態によるＣＳＤ型撮像装置を示すブロック図で
ある。図８は、その動作の概念を説明するための図で、
ＣＳＤ型固体撮像装置の垂直方向の断面とポテンシャル
を模式的に示したものである。なお、図７及び図８にお
いて、前述した図１乃至図３中の要素と同一又は対応す
る要素には同一符号を付し、その重複した説明は省略す
る。

【００５８】本実施の形態が図１乃至図３に示す前記第
１の実施の形態と異なる所は、図７に示すように、蓄積
制御ゲート２０７に代えてＣＳＤ転送電極１０２が１つ
追加されている点と、ドレインゲート１１０及びリセッ
トドレイン１１１がこの追加されたＣＳＤ転送電極１０
２付近（すなわち、蓄積電極１０６側）に配置されてい
る点と、ＣＳＤ走査回路１、ＴＧ走査回路２及びパルス
発生回路１１２が以下に説明する動作を行わせるように
構成されている点のみである。

【００５９】次に、本実施の形態によるＣＳＤ型固体撮
像装置の動作について、図８を参照して説明する。ま
ず、例えば垂直走査線１０４ｆがＴＧ走査回路２により
選択されると、対応する図８中のハッチングを付した光
電変換素子１０３から不要電荷Ｑ_Rが、対応するＣＳＤ
転送電極１０２直下に読み出される（図８の１）。その
後、前記不要電荷Ｑ_Rは、ＣＳＤチャネル１０５により
蓄積電極１０６側（すなわち、リセットドレイン１１１
側）に転送され、この時ドレインゲート１１０が”Ｈ”
レベルとされてドレインゲート１１０を介してリセット
ドレイン１１１から排出される（図８の２〜４）。な
お、電荷の転送はＣＳＤ転送電極１０２がＣＳＤ走査回
路１により駆動されることにより行われ、本実施の形態
では、ＣＳＤ走査回路１は、垂直方向の２電極を同一相
として駆動している。

【００６０】前記不要電荷Ｑ_Rが前記動作によって排出
された後、ドレインゲート１１０が”Ｈ”レベルから”
Ｌ”レベルとされるとともに、例えば垂直走査線１０４
ｃがＴＧ走査回路２により選択される（同一垂直走査線
１０４ｆや隣接する垂直走査線１０４ｅ，１０４ｇを選
択してもよい）と、対応する図８中のハッチングを付し
た別の光電変換素子１０３から信号電荷Ｑｓｉｇが、対
応するＣＳＤ転送電極１０２直下に読み出される（図８
の５）。その後、前記信号電荷Ｑｓｉｇは、ＣＳＤチャ
ネル１０５により不要電荷Ｑ_Rと同様に同じ向き（すな
わち、蓄積電極１０６側）に転送され（図８の６〜
９）、蓄積電極１０６の下部に一時保持される。

【００６１】以上説明した、図８の１〜９の動作は１水
平期間中に行われる。続く１水平期間の水平帰線期間に
は、蓄積電極１０６に保持されていた信号電荷Ｑｓｉｇ
が水平ＣＣＤ１０９へ転送される（図８の１０）。

【００６２】以上説明した動作の時間遷移をまとめる
と、前述した第２の実施の形態の動作を示す図６と同様
となる。

【００６３】本実施の形態においても、前記第１の実施
の形態と同様に、非常に広い範囲の信号電荷蓄積期間
（シャッタースピード）を達成することができる。

【００６４】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるもの
ではない。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非常に広い範囲のシャッター動作を実現することができ
る効果が得られる。

【００６６】また、本発明によれば、設計及び製造が容
易であるとともに動作の安定したＣＳＤ型固体撮像装置
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態によるＣＳＤ型固体
撮像装置を示すブロック図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態によるＣＳＤ型固体
撮像装置の動作の概念を示す説明図である。

【図３】図２に示す動作をまとめて示す図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態によるＣＳＤ型固体
撮像装置を示すブロック図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態によるＣＳＤ型固体
撮像装置の動作の概念を示す説明図である。

【図６】図５に示す動作をまとめて示す図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態によるＣＳＤ型固体
撮像装置を示すブロック図である。

【図８】本発明の第３の実施の形態によるＣＳＤ型固体
撮像装置の動作の概念を示す説明図である。

【図９】従来のＣＳＤ型固体撮像装置を示すブロック図
である。

【図１０】図９に示す従来のＣＳＤ型固体撮像装置の動
作の概念を示す説明図である。

【図１１】図１０に示す動作をまとめて示す図である。

【符号の説明】１ＣＳＤ走査回路２ＴＧ走査回路１０１トランスファーゲート１０２ＣＳＤ転送電極１０３光電変換素子１０４垂直走査線１０５ＣＳＤチャネル１０６蓄積電極１０７，２０７蓄積制御ゲート１０８出力アンプ１０９水平ＣＣＤ１１０ドレインゲート１１１リセットドレイン１１２パルス発生回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２次元に配列された光電変換素子と、前記光電変換素子の電荷を垂直方向に転送する垂直転送
手段と、垂直方向に転送された信号電荷を一時蓄積しておくため
の蓄積電極と、前記蓄積電極により蓄積された信号電荷を水平方向に転
送する水平転送手段と、垂直方向に転送された不要電荷を排出する電荷排出手段
と、前記光電変換素子のうちの選択された光電変換素子で発
生した信号電荷を前記垂直転送手段に読み出し、当該読
み出した信号電荷を転送して前記蓄積電極により蓄積さ
せる第１の動作と、前記光電変換素子のうちの選択され
た光電変換素子で発生した不要電荷を前記垂直転送手段
に読み出し、当該読み出した不要電荷を転送して前記電
荷排出手段に排出させる第２の動作とを、１水平期間内
において、いずれかの順序で時間的に重複することなく
行わせる制御手段と、を備えたことを特徴とするＣＳＤ型固体撮像装置。
【請求項２】２次元に配列された光電変換素子と、前
記光電変換素子の電荷を垂直方向に転送する垂直転送手
段と、垂直方向に転送された信号電荷を一時蓄積してお
くための蓄積電極と、前記蓄積電極により蓄積された信
号電荷を水平方向に転送する水平転送手段と、垂直方向
に転送された不要電荷を排出する電荷排出手段と、を備
えたＣＳＤ型固体撮像装置の駆動方法であって、前記光電変換素子のうちの選択された光電変換素子で発
生した信号電荷を前記垂直転送手段に読み出し、当該読
み出した信号電荷を転送して前記蓄積電極により蓄積さ
せる第１の動作と、前記光電変換素子のうちの選択され
た光電変換素子で発生した不要電荷を前記垂直転送手段
に読み出し、当該読み出した不要電荷を転送して前記電
荷排出手段に排出させる第２の動作とを、１水平期間内
において、いずれかの順序で時間的に重複することなく
行わせることを特徴とするＣＳＤ型固体撮像装置の駆動
方法。
【請求項３】２次元に配列された光電変換素子と、前記光電変換素子の電荷を垂直方向に転送する通路とな
る垂直転送路と、前記垂直転送路に沿って設けられた複数の転送電極と、前記垂直転送路の一方側に転送された信号電荷を一時蓄
積しておくための蓄積電極と、前記蓄積電極により蓄積された信号電荷を水平方向に転
送する水平転送手段と、前記蓄積電極と前記水平転送手段との間に設けられ、前
記垂直転送路における前記蓄積電極に対応する部分から
前記水平転送手段への電荷の移動を制御する第１の蓄積
制御ゲートと、前記垂直転送路の他方側に転送された不要電荷を排出す
る電荷排出手段と、前記電荷排出手段と前記電荷排出手段側の前記転送電極
との間に設けられ、前記垂直転送路における当該転送電
極に対応する部分から前記電荷排出手段への電荷の移動
を制御する電荷排出制御ゲートと、を備えたことを特徴とするＣＳＤ型固体撮像装置。
【請求項４】前記蓄積電極と前記蓄積電極側の前記転
送電極との間に設けられ、前記垂直転送路における当該
転送電極に対応する部分から前記蓄積電極に対応する部
分への電荷の移動を制御する第２の蓄積制御ゲートを更
に備えたことを特徴とする請求項３記載のＣＳＤ型固体
撮像装置。
【請求項５】前記光電変換素子のうちの選択された光
電変換素子で発生した信号電荷を前記垂直転送手段に読
み出し、当該読み出した信号電荷を第１の垂直方向に転
送して前記蓄積電極により蓄積させる第１の動作と、前
記光電変換素子のうちの選択された光電変換素子で発生
した不要電荷を前記垂直転送手段に読み出し、当該読み
出した不要電荷を前記第１の垂直方向と逆方向の第２の
垂直方向に転送して前記電荷排出手段に排出させる第２
の動作とを、１水平期間内において、前記第２の動作及
び前記第１の動作の順序で時間的に重複することなく行
わせるように、前記光電変換素子を選択するとともに、
前記複数の転送電極、前記蓄積電極、前記第１の蓄積制
御ゲート及び前記電荷排出制御ゲートを制御する制御手
段を更に備えたことを特徴とする請求項３記載のＣＳＤ
型固体撮像装置。
【請求項６】前記光電変換素子のうちの選択された光
電変換素子で発生した信号電荷を前記垂直転送手段に読
み出し、当該読み出した信号電荷を第１の垂直方向に転
送して前記蓄積電極により蓄積させる第１の動作と、前
記光電変換素子のうちの選択された光電変換素子で発生
した不要電荷を前記垂直転送手段に読み出し、当該読み
出した不要電荷を前記第１の垂直方向と逆方向の第２の
垂直方向に転送して前記電荷排出手段に排出させる第２
の動作とを、１水平期間内において、いずれかの順序で
時間的に重複することなく行わせるように、前記光電変
換素子を選択するとともに、前記複数の転送電極、前記
蓄積電極、前記第１及び第２の蓄積制御ゲート並びに前
記電荷排出制御ゲートを制御する制御手段を更に備えた
ことを特徴とする請求項４記載のＣＳＤ型固体撮像装
置。
【請求項７】前記制御手段は、前記光電変換素子を選
択する第１の走査回路と、前記複数の転送電極を走査す
る第２の走査回路とを含むことを特徴とする請求項５又
は６記載のＣＳＤ型固体撮像装置。
【請求項８】前記光電変換素子の信号電荷蓄積期間は
一定で全素子を読み出すのに要する時間より短いことを
特徴とする請求項１、３〜７のいずれかに記載のＣＳＤ
型固体撮像装置。