JPH09298218A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波信号の信号伝送ラインについて、反射
・放射損失を低減する。 【解決手段】 水平方向に延在し高周波信号を伝送する
一の配線層と同一の高周波信号を伝送する他の配線層と
を垂直方向に接続する接続部を斜めに形成することによ
って、前記信号の伝送経路の垂直方向の屈曲部が鈍角を
なす構成とする。前記配線層は、例えば、半導体チッ
プ、パッケージ基板、実装基板等に形成された配線層で
あり、前記接続部は、例えば、突起電極、スルーホール
或いはビアホール等である。 【効果】 高周波信号の伝送経路の垂直方向の屈曲部が
鈍角をなす構成となっているために、伝送経路の垂直方
向の屈曲による信号の反射や放射損失による電気特性の
劣化を低減することができ、高周波領域に於ける電気特
性を３０％以上向上させることが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に、高周波信号を処理する半導体
装置に適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、民生分野を始めとする多
くの分野で使用されており、技術進歩に伴い高集積、高
速化を求める傾向が近年いっそう強くなってきている。

【０００３】このような高速化に対応して、半導体装置
の取り扱う信号はより周波数の高いものとなっている
が、このような高周波信号の領域では、周波数が高くな
るに連れて、信号は直進する性質が強くなる。このた
め、配線基板上に形成された配線パターンの直角に屈曲
して形成された部分では、信号の進行方向が配線壁面に
対して直交するために、信号の一部が該壁面によって反
射してしまい定在波を発生させる或いは該壁面から放射
してしまう等の現象が生じ、このために電気特性の劣化
が生じてしまう。

【０００４】このような劣化を低減するために、高速化
に対応した半導体装置の配線パターンでは、信号配線の
屈曲部に傾斜部を設けることによって前記の反射或いは
放射を防止する対策が講じられている。実際に用いられ
ている配線設計では、高周波信号の伝送を行うための配
線について、信号線を直角に曲げる場合は、信号線全体
を４５度の角度に２回屈曲させる方法、或いは、信号配
線の直角部分の外側の角を落す方法が一般的に用いられ
ている。この方法の有効性は、理論的にも証明されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置で
は、半導体装置の配線を平面的に屈曲させる場合にの
み、前述した対策が取られており、立体的に屈曲させる
場合には何らの対策も講じられていなかった。しかし、
今後さらに半導体装置の高速化が進むにつれて、従来の
ように平面的に対策を講じるだけでは反射や放射損失の
低減に限度があると考えられる。

【０００６】本発明の課題は、高周波信号を取り扱う半
導体装置の信号伝送ラインについて、反射・放射損失を
低減することが可能な技術を提供することにある。

【０００７】本発明の前記ならびにその他の課題と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【０００８】

【問題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。

【０００９】水平方向に延在し高周波信号を伝送する一
の配線層と、同一の高周波信号を伝送する他の配線層と
を垂直方向に接続して構成されている半導体装置におい
て、前記一の配線層と他の配線層とを垂直方向に接続す
る接続部を斜めに形成することによって前記信号の伝送
経路の垂直方向の屈曲部が鈍角をなす構成とする。

【００１０】前記配線層は、例えば、半導体チップ、パ
ッケージ基板、実装基板等に形成された配線層であり、
前記接続部は、例えば、突起電極、スルーホール或いは
ビアホール等である。

【００１１】上述した手段によれば、前記高周波信号の
伝送経路の垂直方向の屈曲部が鈍角をなす構成となって
いるために、伝送経路の垂直方向の屈曲による信号の反
射や放射損失による電気特性の劣化を低減することがで
き、高周波領域に於ける電気特性を３０％以上向上させ
ることが可能である。

【００１２】以下、本発明の実施の形態を説明する。

【００１３】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。

【００１４】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）図１に示すのは、本発明の一実施の形
態である半導体装置の要部を示す縦断面図である。

【００１５】図中、１は、例えばＧａＡｓ等の半導体基
板主面に各種の素子を形成し１０ＧＨｚ程度の高周波を
処理する回路が構成されている半導体チップであり、２
は、半導体チップ１を気密封止する積層型セラミックの
パッケージである。パッケージ２は、多層配線の形成さ
れた基板３、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミッ
クを用い基板３の主面外周部に設けたダム枠４及び４２
アロイ等の金属板に金メッキを施したキャップ５からな
り、ダム枠４と一体となったパッケージ基板３の主面上
に接続部６によって半導体チップ１をフェイスダウンボ
ンディングした後に、ダム枠４にキャップ３を固着して
パッケージ２内部を気密封止する。

【００１６】接続部６は、パッケージ基板３の主面に形
成されたパッド７上に形成されており、高周波信号を伝
送する接続部６は金等を用いた複数のバンプ電極６ａ，
６ｂを位置をずらせて積層した構成となっており、半導
体チップ１主面に形成されたパッド８に接続されてい
る。

【００１７】ダム枠４は、ロウ材９を介して基板３の主
面上に接合されている。また、ダム枠４の上面にはキャ
ップ３が設けられている。キャップ３は、ダム枠４に形
成したメタライズ層１０にロウ材１１を介して接合され
ている。

【００１８】基板３の主面外周縁部には、４２アロイ、
コバールを用い半導体装置の外部端子を構成する複数本
のリード１２がロウ材１３を介して接続されている。

【００１９】前記セラミックパッケージの基板３は、ア
ルミナ、窒化アルミニウム等の粉末に添加剤、可塑剤、
溶剤、樹脂を混合したスラリを成形したグリーンシート
に貫通配線となるスルーホール１４を形成し、シート上
にタングステン、モリブデン等の高融点金属を含むペー
ストをスクリーン印刷して配線１５を形成したものを積
層した後に、積層品を焼成して形成され、その主面上の
配線１５の一部が前記接続の行なわれるパッド７となっ
ており、基板３主面の配線１５及びパッド７には、その
表面に金メッキが施されている。

【００２０】上記パッケージ基板１の裏面の全面にはメ
タライズ層１６が設けられており、前記スルーホール１
４を通じて接地電位となる配線１５と電気的に接続され
ている。メタライズ層１６は、タングステン等の高融点
金属の厚膜で構成されており、その表面には金のメッキ
が施され、ロウ材１７を介してパッケージ基板３と略同
一の外形寸法を有する金属ベース１８が取り付けられて
いる。金属ベース１８は、例えば銅を含むタングステン
合金で構成されており、接地電位の安定化に寄与すると
ともに、パッケージ２の強度を増し、放熱を促進する効
果がある。

【００２１】本実施の形態では、図３に拡大して示すよ
うに、半導体チップ１に形成した金バンプ電極６ａとパ
ッケージ基板３の主面に形成したバンプ電極６ｂとは、
その位置をバンプ電極の径の半分程度信号の伝送方向に
ずらせてある。この構成によって、金バンプ電極６ａ，
６ｂが接続された状態では、接続部６が傾斜をもって形
成され、伝送路が鈍角をなして屈曲した構成となる。

【００２２】このため、本発明によれば、図３に示す従
来のバンプ電極６ａ，６ｂの接続部６のように配線１５
から垂直に形成され伝送路が直角に屈曲しているものと
比較した場合に、高周波における放射損失を低減するこ
とが可能である。加えて、従来と同様の装置、部品、材
料等を流用して実施することができるので、その変更が
容易である。

【００２３】なお、接続部６を傾斜させる角度について
は、前記バンプ電極６ａ，６ｂの位置のずらせ方及びバ
ンプ電極６ａ，６ｂの高さによって適宜の角度とするこ
とができ、接続部の構成を変えることによってもその角
度を変えることができる。発明者等の実験では、接続部
を１５度程度傾けた状態から効果が顕在化し、より傾け
ることによって効果が増加するが７５度程度を越えると
その増加が小さくなる一方接続部の形成が難しくなる。
従って、接続部を１５度乃至７５度の傾斜をもって形成
し、伝送路が１０５度乃至１６５度の鈍角をなして屈曲
した構成とするのが望ましい。

【００２４】次に半導体チップのバンプ電極の形成方法
について説明する。図４はバンプ電極形成位置を示す半
導体チップの底面図である。

【００２５】半導体チップ１には、回路を構成する種々
の素子が形成されているが、例えば図４に示す例では、
略中央部には半導体装置の配線形成領域１９が配置さ
れ、略外周部には容量素子２０が形成され、夫々の回路
機能に応じて、信号用、電源用或いは接地用のバンプ電
極が接続されるパッド８が形成されている。

【００２６】一方、図５はバンプ電極形成位置を示すパ
ッケージ基板の部分平面図である。基板３の主面上に
は、パッド８のそれぞれに対応してバンプ電極が接続さ
れるパッド７が配置され、夫々配線１５或いはスルーホ
ール（図示せず）に接続されている。なお図中、二点鎖
線で囲んだ領域が、半導体チップ１を搭載する領域であ
る。

【００２７】基板３のパッド７上にバンプ電極６ｂを形
成する場合には、半導体チップ１のバンプ電極６ａの形
成に用いた座標をミラー反転させた座標を用いることに
よって、半導体チップ１のバンプ電極６ａの位置が印刷
の誤差や半導体チップ１の収縮公差などによって設計座
標から誤差が生じた場合でも、座標相互を高い精度で目
標位置に一致させることができる。

【００２８】次に、本実施例のバンプ電極の形成方法の
一例を図６から図１２を用いて説明する。

【００２９】まず、図６に示すのはバンプ電極を形成す
る半導体チップ１の底面であり、バンプ電極を形成する
主面のパッド８の最上層は金の薄膜で構成されている。
本実施の形態ではボールボンディングの技術を応用して
バンプ電極を形成する。

【００３０】先ず、図７に示すように、キャピラリ２１
によって金ワイヤ２２の先端に金ボール２３を形成し、
図８に示すようにこの金ボール２３を押圧しパッド８上
に接合する。次に、図９に示すように、キャピラリ２１
を上昇させて金ワイヤ２２を部分的に露出させた状態
で、図１０に示すように、トーチ２４によって金ワイヤ
２２を金ボール２３のネックで切断する。これによっ
て、図１１に示すように、金ボール２３の上にネックの
切断によるアンカー部２５が形成されたバンプ電極６ａ
がパッド８上に形成される。図１１に示す例ではバンプ
電極６ａの金ボール２３の径は１２０μｍ、高さは７０
μｍ、アンカー部２５の径は３０μｍ、高さは３０μｍ
程度である。

【００３１】次に、このようにしてパッド８へバンプ電
極６ａが形成された状態を図１２に示す。加熱、超音波
または両者のエネルギーを用いた周知のボールボンディ
ング法によって、パッド８上に金のバンプ電極６ａを形
成する。同様にして基板３のパッド７にもバンプ電極６
ｂを形成する。

【００３２】なお、このバンプ電極形成方法では形成し
たバンプ電極６ａ，６ｂの上に連続して更に別のバンプ
電極６ｂ，６ａを形成し多重のバンプ電極を容易に形成
することができる。従って、半導体チップ１或いは基板
３の何れかに二重のバンプ電極を設け、それらを斜めに
接続した多重マイクロ金バンプ構造としてもよい。なお
図１ではバンプ電極が二重になっているがより多重のバ
ンプ電極を形成することも可能である。

【００３３】次にこの半導体装置の組立方法を図１３乃
至図１８を用いて説明する。

【００３４】先ず、図１３に示すように、キャップ３封
止前のパッケージ２の基板３にバンプ電極６ｂを形成す
る。この状態を図１４に示す。次に、図１５に示すよう
に、バンプ電極６ａを形成した半導体チップ１をツール
２６によって真空吸着し、ミラー２７と画像解析装置２
８とを使ってパターン認識を行ない、図１６に示すよう
に、ミラー２７を９０°回転させて同様に基板３のバン
プ電極６ｂのパターン認識を行なう。このように認識し
たパターン相互の画像とを重ね合わせることによって、
半導体チップ１と基板３との位置合わせを行ない、位置
合わせ完了後に図１７に示すようにミラー２７を退避さ
せ、ツール２６をパッケージ基板３に対して下降させ
る。

【００３５】次に、図１８に示すように、半導体チップ
１のバンプ電極６ａと、これに対応する基板３のバンプ
電極６ｂとを重ね合わせ、両者を熱圧着により接合す
る。

【００３６】この後、ダム枠４の上面にキャップ５を接
合することにより、図１に示す半導体装置が完成する。

【００３７】このようにして完成した半導体装置を電子
装置の実装基板に搭載する際には、図１９に示すように
実装基板２９の一部に凹部を設け、この凹部に前記半導
体装置を収容しリード１２が実装基板２９の配線３０と
略直線状に接続するドロップイン構造とすることによっ
て、この部分での損失を防止することができる。なお、
３１はリード１２と配線３０とを接合するハンダであ
る。

【００３８】しかしながら、前記の場合とは異なり、凹
部を設けない通常の実装基板に搭載する場合にはリード
を屈曲させる必要が生じる。このような場合に、従来は
図２０に示すようにリード１２を略直角に屈曲させたガ
ルウイング形状にリード１２を折り曲げて搭載していた
が、本発明によれば図２１に示すように、半導体装置か
ら水平に引き出された一の配線層となる部分１２ａと実
装基板の配線３０と接続される他の配線層となる部分１
２ｂとを接続する接続部１２ｃに相当するリード１２
を、リード１２の切断成型工程に使用する金型の形状変
更によって、斜めに形成し、信号の伝送路の垂直方向の
屈曲部が鈍角をなす構成とするのが望ましい。これによ
って、伝送する高周波信号の反射・放射による損失を低
減させる効果が得られる。

【００３９】なお、前述したアウターリード形状を、通
常のＳＯＰ（Single Outline Package）、ＱＦＰ（Quad
Flat Package）或いはＳＯＪ（Single Outline Jleade
d Package）等のアウターリードを設けた表面実装型の
半導体装置に適用することによって、それらの半導体装
置に本発明を適用することが可能である。

【００４０】（実施の形態２）図２２は、本発明の他の
実施の形態である半導体装置の要部を示す縦断面図であ
る。前述した実施の形態では同一径のバンプ電極の位置
をずらせて設けることによって接続部を斜めに形成した
が、本実施の形態では径の異なるバンプ電極を積層する
ことによって接続部を斜めに形成する。

【００４１】即ち、半導体チップ１のパッド８に形成さ
れたバンプ電極６ａに対して、基板３のパッド７に形成
されたバンプ電極６ｂはその直径を半分程度と小さくし
た構成とする。この構成によって接続部６が全体として
斜めに構成され、伝送路が鈍角をなして屈曲することと
なる。

【００４２】また、図２３に示すように、前記の例とは
逆に半導体チップ１のパッド８に形成されたバンプ電極
６ａを、基板３のパッド７に形成されたバンプ電極６ｂ
に対して、その直径を半分程度と小さくした構成として
も、同様の効果が得られる。

【００４３】本実施の形態ではバンプ電極６ａ，６ｂの
一方が大きく形成されるために、バンプ電極６ａ，６ｂ
相互の位置合わせに誤差が生じても、確実に接合を行な
うことができる。

【００４４】（実施の形態３）図２４は、本発明の他の
実施の形態である半導体装置の要部を示す縦断面図であ
る。前述した実施の形態ではバンプ電極として金の多重
バンプ電極を用いていたが、本実施の形態ではハンダの
バンプ電極を用いている。

【００４５】先ず、半導体チップ１に、ハンダのバンプ
電極６ａをウェハプロセスにてパッド８上に蒸着形成
し、パッケージ２の基板３にはハンダのバンプ電極６ｂ
を、パッド７上へスクリーン印刷法で印刷形成する。次
に図２４に示すように半導体チップ１と基板３とを位置
合わせして、この状態で加熱することによりバンプ電極
６ａ，６ｂを溶融させると、パッド７，８のハンダ濡れ
及び溶融ハンダの表面張力によってバンプ電極６ａ，６
ｂが一体化し、パッド７，８の位置のずれに応じて、高
周波信号を伝送する接続部６が傾斜した構成となる。

【００４６】なお、本実施の形態ではバンプ電極をパッ
ド７，８の何れか一方にのみ設けても実施が可能であり
バンプ電極を多重化することなしに実施することも可能
である。

【００４７】（実施の形態４）図２６に示すのは、本発
明の他の実施の形態である半導体装置の要部を示す縦断
面図である。本実施の形態ではパッケージの基板内部に
形成される垂直方向の接続部であるスルーホールを斜め
に形成する。

【００４８】セラミックパッケージは、前述の如く、グ
リーンシートと呼ばれるセラミックの元となるシートを
重ね合わせ、それを焼結することによって形成されてい
る。この積層セラミック構造のパッケージ基板につい
て、垂直方向に信号を伝送するスルーホール３２を、グ
リーンシートの層毎に位置をずらせて形成することによ
って、従来、垂直に形成されていたスルーホール３２
を、全体として傾斜させた構造とし、基板３の下面に取
り付けたピン３３から基板３主面に形成されたパッド７
までの接続部６を斜めに形成し、基板３内部を伝達する
過程での電気特性の劣化を低減できる。

【００４９】同様にして、半導体チップ内部の配線層を
相互に導通するスルーホールについても、層間絶縁膜に
形成する開口をずらせて形成することによって接続部と
なるスルーホールを斜めに形成することが可能である。

【００５０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。

【００５１】例えば前述した実施の形態ではセラミック
基板について説明したが、これに限らずガラスエポキシ
基板、ＴＡＢテープ等の場合にも同様に本発明は適用が
可能である。

【００５２】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００５３】（１）本発明によれば、水平方向に延在す
る一の配線層と他の配線層とを垂直方向に接続する接続
部を斜めに形成することができるという効果がある。

【００５４】（２）本発明によれば、上記効果（１）に
より、前記信号の伝送経路の垂直方向の屈曲部が鈍角を
なす構成とすることができるという効果がある。

【００５５】（３）本発明によれば、上記効果（２）に
より、伝送経路の垂直方向の屈曲による信号の反射を低
減することができるという効果がある。

【００５６】（４）本発明によれば、上記効果（２）に
より、伝送経路の垂直方向の屈曲による信号の放射損失
を低減することができるという効果がある。

【００５７】（５）本発明によれば、上記効果（３）
（４）により、半導体装置の高周波領域に於ける電気特
性を向上させることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置を示す
縦断面図である。

【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
を拡大して示す回路図である。

【図３】従来の半導体装置の要部を拡大して示す回路図
である。

【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の半導
体チップのバンプ電極形成位置を示す底面図である。

【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置のパッ
ケージ基板のバンプ電極形成位置を示す部分平面図であ
る。

【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置のバン
プ電極形成方法を示す斜視図である。

【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置のバン
プ電極形成方法を示す図である。

【図８】本発明の一実施の形態である半導体装置のバン
プ電極形成方法を示す図である。

【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置のバン
プ電極形成方法を示す図である。

【図１０】本発明の一実施の形態である半導体装置のバ
ンプ電極形成方法を示す図である。

【図１１】本発明の一実施の形態である半導体装置のバ
ンプ電極形成方法を示す図である。

【図１２】本発明の一実施の形態である半導体装置のバ
ンプ電極形成方法を示す斜視図である。

【図１３】本発明の一実施の形態である半導体装置の組
立方法を示す縦断面図である。

【図１４】本発明の一実施の形態である半導体装置の組
立方法を示す縦断面図である。

【図１５】本発明の一実施の形態である半導体装置の組
立方法を示す図である。

【図１６】本発明の一実施の形態である半導体装置の組
立方法を示す図である。

【図１７】本発明の一実施の形態である半導体装置の組
立方法を示す図である。

【図１８】本発明の一実施の形態である半導体装置の組
立方法を示す縦断面図である。

【図１９】本発明の一実施の形態である半導体装置の実
装状態を示す部分縦断面図である。

【図２０】本発明の一実施の形態である半導体装置の従
来の実装状態を示す部分縦断面図である。

【図２１】本発明の一実施の形態である半導体装置の他
の実装状態を示す部分縦断面図である。

【図２２】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部を示す縦断面図である。

【図２３】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部を示す縦断面図である。

【図２４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部を示す縦断面図である。

【図２５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部を示す縦断面図である。

【図２６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１…半導体チップ、２…パッケージ、３…基板、４…ダ
ム枠、５…キャップ、６…接続部、６ａ，６ｂ…バンプ
電極、７，８…パッド、９，１１，１３，１７…ロウ
材、１２…リード、１４，３２…スルーホール、１５…
配線、１６…メタライズ層、１８…金属ベース、１９…
配線形成領域、２０…容量素子、２１…キャピラリ、２
２…金ワイヤ、２３…金ボール、２４…トーチ、２５…
アンカー部、２６…ツール、２７…ミラー、２８…画像
解析装置、２９…実装基板、３０…配線、３１…ハン
ダ、３３…ピン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鎌田 千代士 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水平方向に延在する一の配線層と水平方
   向に延在する他の配線層とを垂直方向に接続して構成さ
   れた高周波信号を伝送する伝送経路を有する半導体装置
   において、 前記一の配線層と他の配線層とを垂直方向に接続する接
   続部を斜めに形成することによって、前記接続部による
   信号伝送経路の垂直方向の屈曲部が鈍角をなすことを特
   徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記一の配線層が半導体チップ、パッケ
   ージ基板、実装基板の何れかに形成された配線層であ
   り、前記他の配線層が半導体チップ、パッケージ基板、
   実装基板の何れかに形成された配線層であることを特徴
   とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記接続部が突起電極、スルーホール或
   いはビアホールの何れかであることを特徴とする請求項
   １又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記突起電極が多段であることを特徴と
   する請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の半導体
   装置。
5. 【請求項５】 前記鈍角が１０５度乃至１６５度である
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に
   記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 水平方向に延在する一の配線層と同一の
   信号を伝送する他の配線層とを垂直方向に接続して構成
   された高周波信号を伝送する伝送経路を有する半導体装
   置の製造方法において、 前記一の配線層を形成する工程と、 前記他の配線層を形成する工程と、 前記一の配線層と他の配線層とを垂直方向に接続する接
   続部を斜めに形成する工程とを有し、前記信号の伝送経
   路の屈曲部が鈍角をなすことを特徴とする半導体装置の
   製造方法。
7. 【請求項７】 前記一の配線層が半導体チップ、パッケ
   ージ基板、実装基板の何れかに形成された配線層であ
   り、前記他の配線層が半導体チップ、パッケージ基板、
   実装基板の何れかに形成された配線層であることを特徴
   とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記接続部が突起電極、スルーホール或
   いはビアホールの何れかであることを特徴とする請求項
   ６又は請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記突起電極が多段であることを特徴と
   する請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の半導体
   装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記鈍角が１０５度乃至１６５度であ
    ることを特徴とする請求項６乃至請求項９の何れか一項
    に記載の半導体装置の製造方法。