JPH09293846A - Ｓｉｍｏｘ基板の製造方法 - Google Patents
Ｓｉｍｏｘ基板の製造方法Info
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- JPH09293846A JPH09293846A JP10752696A JP10752696A JPH09293846A JP H09293846 A JPH09293846 A JP H09293846A JP 10752696 A JP10752696 A JP 10752696A JP 10752696 A JP10752696 A JP 10752696A JP H09293846 A JPH09293846 A JP H09293846A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面シリコン層内の複合積層欠陥（ＳＦＣ）
密度を低減する。 【解決手段】 本発明では、単結晶シリコン表面に酸素
イオンを注入した後高温アニール処理を行うに際し、高
温アニール処理工程の初期に酸素分圧を高めにして熱処
理を行う酸素分圧窓工程を含むことを特徴とする。望ま
しくは、この酸素分圧窓工程の酸素分圧を０．５％より
大きくかつ１０％未満となるようにしている。
密度を低減する。 【解決手段】 本発明では、単結晶シリコン表面に酸素
イオンを注入した後高温アニール処理を行うに際し、高
温アニール処理工程の初期に酸素分圧を高めにして熱処
理を行う酸素分圧窓工程を含むことを特徴とする。望ま
しくは、この酸素分圧窓工程の酸素分圧を０．５％より
大きくかつ１０％未満となるようにしている。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、ＳＩＭＯＸ基板の製造方
法に係り、特に、ＳＩＭＯＸ基板に形成する埋めこみ酸
化膜の形成方法に関する。
法に係り、特に、ＳＩＭＯＸ基板に形成する埋めこみ酸
化膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、単結晶シリコン基板中に酸化シ
リコンなどの絶縁体を埋めこみ形成し、単結晶シリコン
基板と表面の半導体層とを絶縁分離した構造の半導体基
板はＳＯＩ（Silicon on Insulator）と呼ばれており、
種々の半導体デバイスの製造に用いられている。このＳ
ＯＩ基板の製造には、一般的に貼り合わせ法によるも
の、酸素イオンなどを表面から所定の深さに注入し酸化
膜を形成するイオン注入法によるもの、絶縁膜上に多結
晶薄膜を形成してこれを熱処理により単結晶化するも
の、成膜条件を制御して絶縁膜上に単結晶薄膜を形成す
るものなどがある。これらの方法のうちイオン注入によ
るものは、ＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxyg
en）と呼ばれており、単結晶シリコン基板中に高濃度の
酸素イオンを注入しその後の高温アニール処理でシリコ
ンと酸素とを反応させてシリコン基板内部に埋めこみ酸
化膜を形成させるようにしたものである。
リコンなどの絶縁体を埋めこみ形成し、単結晶シリコン
基板と表面の半導体層とを絶縁分離した構造の半導体基
板はＳＯＩ（Silicon on Insulator）と呼ばれており、
種々の半導体デバイスの製造に用いられている。このＳ
ＯＩ基板の製造には、一般的に貼り合わせ法によるも
の、酸素イオンなどを表面から所定の深さに注入し酸化
膜を形成するイオン注入法によるもの、絶縁膜上に多結
晶薄膜を形成してこれを熱処理により単結晶化するも
の、成膜条件を制御して絶縁膜上に単結晶薄膜を形成す
るものなどがある。これらの方法のうちイオン注入によ
るものは、ＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxyg
en）と呼ばれており、単結晶シリコン基板中に高濃度の
酸素イオンを注入しその後の高温アニール処理でシリコ
ンと酸素とを反応させてシリコン基板内部に埋めこみ酸
化膜を形成させるようにしたものである。
【０００３】ＳＩＭＯＸ基板の形成工程において、酸素
イオン注入直後では、化学的に安定なＳｉＯ2 の他に、
結合状態が不安定なＳｉ−Ｏ化合物が混在しており、境
界面が急峻な埋めこみ酸化膜を形成するには図１に示す
ように単結晶シリコン基板１にイオン注入をおこなった
後、１１００℃から１３５０℃の温度で数時間アニール
する必要がある。即ち、図２０に示すように表面単結晶
シリコン層（以下表面シリコン層と称す）３の表面から
所定の深さに、埋めこみ酸化膜２すなわち安定なＳｉＯ
2 を形成するための高温アニール処理が必要とされてい
る。
イオン注入直後では、化学的に安定なＳｉＯ2 の他に、
結合状態が不安定なＳｉ−Ｏ化合物が混在しており、境
界面が急峻な埋めこみ酸化膜を形成するには図１に示す
ように単結晶シリコン基板１にイオン注入をおこなった
後、１１００℃から１３５０℃の温度で数時間アニール
する必要がある。即ち、図２０に示すように表面単結晶
シリコン層（以下表面シリコン層と称す）３の表面から
所定の深さに、埋めこみ酸化膜２すなわち安定なＳｉＯ
2 を形成するための高温アニール処理が必要とされてい
る。
【０００４】このようなＳＩＭＯＸ基板では、酸素イオ
ンの注入によってシリコン基板表面下に形成される埋め
こみ酸化膜の組成、膜質はイオン注入量（ドーズ量）に
依存していることが知られており、界面が急峻な埋めこ
み酸化膜を形成するために、一般的に４・１０17／ｃｍ
2から２・１０18／ｃｍ2程度の酸素注入量が必要であ
る。しかしドーズ量が増すと表面単結晶シリコン層に結
晶欠陥が発生するという問題があった（ Ｓ.Nakashima
and K.Izumi,J.Mater.Res.,Vol.8,No.3,523(1993))。
ンの注入によってシリコン基板表面下に形成される埋め
こみ酸化膜の組成、膜質はイオン注入量（ドーズ量）に
依存していることが知られており、界面が急峻な埋めこ
み酸化膜を形成するために、一般的に４・１０17／ｃｍ
2から２・１０18／ｃｍ2程度の酸素注入量が必要であ
る。しかしドーズ量が増すと表面単結晶シリコン層に結
晶欠陥が発生するという問題があった（ Ｓ.Nakashima
and K.Izumi,J.Mater.Res.,Vol.8,No.3,523(1993))。
【０００５】例えば通常は、図１に示すように、１８０
ＫｅＶ、５５０℃で４・１０17／ｃｍ2 程度のイオン注
入を行い、この後、Ａｒ＋０．５％のＯ2 雰囲気中で１
３５０℃で４時間の高温アニール処理を行うようにして
いる。そして、このようにして得られたＳＩＭＯＸ基板
に対し低いドーズ量で結晶欠陥数が少なく良好な埋めこ
み酸化膜を形成するために、更にＡｒ＋５０％から１０
０％のＯ2 雰囲気中で図２１に示すように１３５０℃４
時間程度の高温酸化処理を行うＩＴＯＸ(Internal Ther
mal Ｏxidation) 工程が提案されている（特開平７ー２
６３５３８号公報）。この方法によれば、埋めこみ酸化
膜厚を厚くすることができるとともに、埋めこみ酸化膜
２中のピンホール密度を低くすることができ、更には埋
めこみ酸化膜界面の平坦度を改善することができる。
ＫｅＶ、５５０℃で４・１０17／ｃｍ2 程度のイオン注
入を行い、この後、Ａｒ＋０．５％のＯ2 雰囲気中で１
３５０℃で４時間の高温アニール処理を行うようにして
いる。そして、このようにして得られたＳＩＭＯＸ基板
に対し低いドーズ量で結晶欠陥数が少なく良好な埋めこ
み酸化膜を形成するために、更にＡｒ＋５０％から１０
０％のＯ2 雰囲気中で図２１に示すように１３５０℃４
時間程度の高温酸化処理を行うＩＴＯＸ(Internal Ther
mal Ｏxidation) 工程が提案されている（特開平７ー２
６３５３８号公報）。この方法によれば、埋めこみ酸化
膜厚を厚くすることができるとともに、埋めこみ酸化膜
２中のピンホール密度を低くすることができ、更には埋
めこみ酸化膜界面の平坦度を改善することができる。
【０００６】しかしながら、ＩＴＯＸ工程を経ても、図
２２に示すように埋めこみ酸化膜２の内部にはシリコン
島６が残留し、これが絶縁耐圧の向上を阻む大きな問題
となっている。また、通常高温アニール処理後の測定に
よれば、表面シリコン層３と埋めこみ酸化膜２との界面
に形成される欠陥には四面体形状のものとピラミッド型
のものがあり、一方表面シリコン層３内部に形成される
欠陥は四面体形状のものがあり、これらを総称して複合
積層欠陥（ＳＦＣ）５という。この表面シリコン層３内
部のＳＦＣ密度は１０8／cm2 検出されている。また、
これにさらにＩＴＯＸ工程を施した場合、ＳＦＣ密度は
２・１０7／cm2 と低減はされる。しかしながら半導体
装置の高集積化・微細化は進む一方であり、ＭＯＳデバ
イスのゲート長が０．１μｍ程度以下となり、ゲート長
がこれらの結晶欠陥の大きさと同程度となると、これら
ＳＦＣに起因するリークの発生は免れ得ないものとなっ
てくると考えられる。そこでさらなるＳＦＣ密度の低減
が望まれることになる。
２２に示すように埋めこみ酸化膜２の内部にはシリコン
島６が残留し、これが絶縁耐圧の向上を阻む大きな問題
となっている。また、通常高温アニール処理後の測定に
よれば、表面シリコン層３と埋めこみ酸化膜２との界面
に形成される欠陥には四面体形状のものとピラミッド型
のものがあり、一方表面シリコン層３内部に形成される
欠陥は四面体形状のものがあり、これらを総称して複合
積層欠陥（ＳＦＣ）５という。この表面シリコン層３内
部のＳＦＣ密度は１０8／cm2 検出されている。また、
これにさらにＩＴＯＸ工程を施した場合、ＳＦＣ密度は
２・１０7／cm2 と低減はされる。しかしながら半導体
装置の高集積化・微細化は進む一方であり、ＭＯＳデバ
イスのゲート長が０．１μｍ程度以下となり、ゲート長
がこれらの結晶欠陥の大きさと同程度となると、これら
ＳＦＣに起因するリークの発生は免れ得ないものとなっ
てくると考えられる。そこでさらなるＳＦＣ密度の低減
が望まれることになる。
【０００７】従来の方法では、ゲート長が０．１μｍ以
下のＭＯＳデバイスの形成に十分対応できるように、表
面シリコン層の結晶欠陥密度を十分に低減し、かつ信頼
性の高い埋めこみ酸化膜を得るのは極めて困難であっ
た。
下のＭＯＳデバイスの形成に十分対応できるように、表
面シリコン層の結晶欠陥密度を十分に低減し、かつ信頼
性の高い埋めこみ酸化膜を得るのは極めて困難であっ
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のＳ
ＩＭＯＸ基板の製造方法においては、ゲート長が０．１
μｍ以下のＭＯＳデバイスの形成に対応できる程度に、
ＳＦＣ密度を十分に低減することは困難であるという問
題があった。
ＩＭＯＸ基板の製造方法においては、ゲート長が０．１
μｍ以下のＭＯＳデバイスの形成に対応できる程度に、
ＳＦＣ密度を十分に低減することは困難であるという問
題があった。
【０００９】このように、表面のシリコン層内部および
埋めこみ酸化膜との界面での欠陥や埋めこみ酸化膜内部
のシリコン島を充分に低減することができないという問
題があった。
埋めこみ酸化膜との界面での欠陥や埋めこみ酸化膜内部
のシリコン島を充分に低減することができないという問
題があった。
【００１０】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、表面シリコン層内、および埋めこみ酸化膜との界面
でのＳＦＣ密度を低減することを目的とする。また本発
明の他の目的は、埋めこみ酸化膜の内部にシリコン島が
残留することなく、信頼性の高いＳＩＭＯＸ基板を提供
することにある。
で、表面シリコン層内、および埋めこみ酸化膜との界面
でのＳＦＣ密度を低減することを目的とする。また本発
明の他の目的は、埋めこみ酸化膜の内部にシリコン島が
残留することなく、信頼性の高いＳＩＭＯＸ基板を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、単結
晶シリコン表面に酸素イオンを注入した後高温アニール
処理を行うに際し、高温アニール処理工程の初期に酸素
分圧を高めにして熱処理を行う酸素分圧窓工程を含むこ
とを特徴とする。
晶シリコン表面に酸素イオンを注入した後高温アニール
処理を行うに際し、高温アニール処理工程の初期に酸素
分圧を高めにして熱処理を行う酸素分圧窓工程を含むこ
とを特徴とする。
【００１２】すなわち、本発明の第１では、単結晶シリ
コン基板表面に酸素イオンを注入するイオン注入工程
と、イオン注入のなされた単結晶シリコン基板に対し低
濃度の酸素を含む不活性ガス雰囲気中で高温アニール処
理工程を実行することにより、前記単結晶シリコン基板
表面から所定の深さに、埋めこみ酸化膜を形成するＳＩ
ＭＯＸ基板の製造方法において、前記高温アニール処理
工程の初期に、酸素析出物の解離速度を緩和するととも
に酸素析出物の解離を阻害しない程度の解離平衡状態を
維持するように、前記酸素を含む不活性ガス中の酸素分
圧を高めにして熱処理を行う酸素分圧窓工程を含むこと
を特徴とする。
コン基板表面に酸素イオンを注入するイオン注入工程
と、イオン注入のなされた単結晶シリコン基板に対し低
濃度の酸素を含む不活性ガス雰囲気中で高温アニール処
理工程を実行することにより、前記単結晶シリコン基板
表面から所定の深さに、埋めこみ酸化膜を形成するＳＩ
ＭＯＸ基板の製造方法において、前記高温アニール処理
工程の初期に、酸素析出物の解離速度を緩和するととも
に酸素析出物の解離を阻害しない程度の解離平衡状態を
維持するように、前記酸素を含む不活性ガス中の酸素分
圧を高めにして熱処理を行う酸素分圧窓工程を含むこと
を特徴とする。
【００１３】望ましくは、前記高温アニール処理工程
は、１３００℃以上であって、単結晶シリコンの融点に
満たない温度で、単結晶シリコン基板を処理する工程で
あることを特徴とする。
は、１３００℃以上であって、単結晶シリコンの融点に
満たない温度で、単結晶シリコン基板を処理する工程で
あることを特徴とする。
【００１４】さらに望ましくは、前記酸素分圧窓工程の
酸素分圧は０．５％より大きくかつ１０％未満であるこ
とを特徴とする。
酸素分圧は０．５％より大きくかつ１０％未満であるこ
とを特徴とする。
【００１５】望ましくは、前記高温アニール処理工程
は、１３５０℃で処理する工程であって、前記酸素分圧
窓工程の酸素分圧は５％より大きく１０％未満であるこ
とを特徴とする。
は、１３５０℃で処理する工程であって、前記酸素分圧
窓工程の酸素分圧は５％より大きく１０％未満であるこ
とを特徴とする。
【００１６】本発明の第２では、前記単結晶シリコン表
面に酸素イオンを注入した後、高温アニール処理を行う
に際し、ＳＦＣ密度が１０7／cm2以下となるように、酸
素分圧を高めにして熱処理を行う酸素分圧窓工程を含む
ことを特徴とする。
面に酸素イオンを注入した後、高温アニール処理を行う
に際し、ＳＦＣ密度が１０7／cm2以下となるように、酸
素分圧を高めにして熱処理を行う酸素分圧窓工程を含む
ことを特徴とする。
【００１７】望ましくは、前記酸素分圧窓工程は、ＳＦ
Ｃ密度が１０7／cm2以下であってかつシリコン島密度が
１・１０6／cm2 以下となるように、酸素分圧を高めに
して熱処理を行う工程であることを特徴とする。
Ｃ密度が１０7／cm2以下であってかつシリコン島密度が
１・１０6／cm2 以下となるように、酸素分圧を高めに
して熱処理を行う工程であることを特徴とする。
【００１８】また望ましくは、前記高温アニール処理工
程は、１３００℃以上であって、単結晶シリコンの融点
に満たない温度で、単結晶シリコン基板を処理する工程
であることを特徴とする。
程は、１３００℃以上であって、単結晶シリコンの融点
に満たない温度で、単結晶シリコン基板を処理する工程
であることを特徴とする。
【００１９】更に望ましくは、前記酸素分圧窓工程の酸
素分圧は０．５％より大きくかつ１０％未満であること
を特徴とする。
素分圧は０．５％より大きくかつ１０％未満であること
を特徴とする。
【００２０】更に望ましくは、前記高温アニール処理工
程は、１３５０℃で処理する工程であって、前記酸素分
圧窓工程の酸素分圧は、５％より大きく１０％未満であ
ることを特徴とする。
程は、１３５０℃で処理する工程であって、前記酸素分
圧窓工程の酸素分圧は、５％より大きく１０％未満であ
ることを特徴とする。
【００２１】本発明の第３では、 前記高温アニール処
理工程の初期に前記酸素分圧を高めにして熱処理を行う
酸素分圧窓工程と、この後０．５％程度の酸素を含む不
活性ガス雰囲気中で高温アニール処理を行い、埋めこみ
酸化膜を形成する高温主アニール工程と、 ５０％から
１００％の酸素を含む不活性ガス雰囲気中で高温酸化処
理を行うＩＴＯＸ工程とを含むことを特徴とする。
理工程の初期に前記酸素分圧を高めにして熱処理を行う
酸素分圧窓工程と、この後０．５％程度の酸素を含む不
活性ガス雰囲気中で高温アニール処理を行い、埋めこみ
酸化膜を形成する高温主アニール工程と、 ５０％から
１００％の酸素を含む不活性ガス雰囲気中で高温酸化処
理を行うＩＴＯＸ工程とを含むことを特徴とする。
【００２２】ＩＴＯＸ工程は、１３５０℃程度以上で数
時間の高温酸化処理であるが、１３５０℃３〜４時間程
度であることが望ましい。
時間の高温酸化処理であるが、１３５０℃３〜４時間程
度であることが望ましい。
【００２３】望ましくは、前記酸素分圧窓工程の酸素分
圧は０．５％より大きくかつ１０％未満であることを特
徴とする。
圧は０．５％より大きくかつ１０％未満であることを特
徴とする。
【００２４】本発明者は種々の実験の結果から、酸素分
圧を高めていくと、ＳＦＣ密度は減少傾向にある一方、
酸素析出物が増大するが、両者がともに小さくなる酸素
分圧領域が存在することを発見し、高温アニール処理に
先立ち、この酸素分圧窓工程を実行することにより、表
面シリコン層中のＳＦＣ密度を大幅に低減することがで
きる。また埋めこみ酸化膜中のシリコン島密度の低いＳ
ＯＩ基板を得ることが可能となる。
圧を高めていくと、ＳＦＣ密度は減少傾向にある一方、
酸素析出物が増大するが、両者がともに小さくなる酸素
分圧領域が存在することを発見し、高温アニール処理に
先立ち、この酸素分圧窓工程を実行することにより、表
面シリコン層中のＳＦＣ密度を大幅に低減することがで
きる。また埋めこみ酸化膜中のシリコン島密度の低いＳ
ＯＩ基板を得ることが可能となる。
【００２５】ここで、酸素分圧を高めに設定するが、酸
素析出物の解離速度を緩和するとともに酸素析出物の解
離を阻害しない程度の解離平衡状態を維持するように、
設定する。また、この時の酸素分圧の上限の設定につい
ては、酸素析出物の解離によって生成される酸素量とシ
リコン基板内に供給される酸素量との和が、表面酸化膜
および埋めこみ酸化膜の形成に消費される酸素量よりも
大きくなリ過ぎないように、かつ酸素析出物の解離を阻
害する解離平衡状態を持つ程には高めないようにする。
なおこの酸素分圧窓工程の酸素分圧は温度あるいはイ
オン注入条件などによって最適範囲はわずかにずれるこ
とがあるが、０．５％より大きくかつ１０％未満とする
のが望ましく、１０％以上になると、酸素析出物の解離
速度が小さくなりすぎ、熱処理を行っても表面シリコン
層から酸素析出物が完全に除去され得なくなる。一方
０．５％以下であると、シリコン島が増加する。
素析出物の解離速度を緩和するとともに酸素析出物の解
離を阻害しない程度の解離平衡状態を維持するように、
設定する。また、この時の酸素分圧の上限の設定につい
ては、酸素析出物の解離によって生成される酸素量とシ
リコン基板内に供給される酸素量との和が、表面酸化膜
および埋めこみ酸化膜の形成に消費される酸素量よりも
大きくなリ過ぎないように、かつ酸素析出物の解離を阻
害する解離平衡状態を持つ程には高めないようにする。
なおこの酸素分圧窓工程の酸素分圧は温度あるいはイ
オン注入条件などによって最適範囲はわずかにずれるこ
とがあるが、０．５％より大きくかつ１０％未満とする
のが望ましく、１０％以上になると、酸素析出物の解離
速度が小さくなりすぎ、熱処理を行っても表面シリコン
層から酸素析出物が完全に除去され得なくなる。一方
０．５％以下であると、シリコン島が増加する。
【００２６】かかる方法によれば、検出されるＳＦＣ密
度は３・１０6／cm2となる。この値は従来検出されてい
たＳＦＣ密度が、１０8／cm2程度であったのに対し、大
幅に減少していることがわかる。
度は３・１０6／cm2となる。この値は従来検出されてい
たＳＦＣ密度が、１０8／cm2程度であったのに対し、大
幅に減少していることがわかる。
【００２７】これは、以下に示すような理由によるもの
と考えられる。ＳＩＭＯＸ基板の形成における埋めこみ
酸化膜の形成の最終段階の熱処理工程に相当する１３５
０℃の等温アニール工程の最初の２時間は、表面シリコ
ン層に形成された酸素析出物の解離段階に相当すると考
えられる。この工程では、種々の実験結果から、酸素分
圧が０．５％である時は、酸素析出物の解離によって得
られる酸素原子の一部は、熱酸化膜の形成に消費され
る。従って埋めこみ酸化膜中にシリコン島が残留する可
能性が増える。更にこの場合、酸素析出物の解離が急速
であることによって空孔が過飽和の状態になり、ＳＦＣ
の生成される可能性が増大する。そこで熱酸化膜の形成
に消費される酸素原子量を越えるように酸素分圧が０．
５％より大きくして酸素過剰雰囲気を構成することによ
り、シリコン島の残留を低減するとともにＳＦＣ密度の
低減をはかることが可能となるものと考えられる。一方
酸素分圧１０％以上になると、酸素析出物が表面シリコ
ン層に残留する理由は、解離平衡によって、酸素析出物
の解離速度が大幅に小さくなり、表面シリコン層内にお
ける酸素析出物が、熱処理工程によって完全に除去され
なくなるためであると考えられる。
と考えられる。ＳＩＭＯＸ基板の形成における埋めこみ
酸化膜の形成の最終段階の熱処理工程に相当する１３５
０℃の等温アニール工程の最初の２時間は、表面シリコ
ン層に形成された酸素析出物の解離段階に相当すると考
えられる。この工程では、種々の実験結果から、酸素分
圧が０．５％である時は、酸素析出物の解離によって得
られる酸素原子の一部は、熱酸化膜の形成に消費され
る。従って埋めこみ酸化膜中にシリコン島が残留する可
能性が増える。更にこの場合、酸素析出物の解離が急速
であることによって空孔が過飽和の状態になり、ＳＦＣ
の生成される可能性が増大する。そこで熱酸化膜の形成
に消費される酸素原子量を越えるように酸素分圧が０．
５％より大きくして酸素過剰雰囲気を構成することによ
り、シリコン島の残留を低減するとともにＳＦＣ密度の
低減をはかることが可能となるものと考えられる。一方
酸素分圧１０％以上になると、酸素析出物が表面シリコ
ン層に残留する理由は、解離平衡によって、酸素析出物
の解離速度が大幅に小さくなり、表面シリコン層内にお
ける酸素析出物が、熱処理工程によって完全に除去され
なくなるためであると考えられる。
【００２８】これは、酸素析出物の解離によって生成さ
れる空孔が結晶欠陥生成の核となっていると考えられ、
本発明は、この空孔生成速度を小さくすることにより、
結晶欠陥が生成されるのを抑制しようとするものであ
る。そこで解離平衡を考慮し、酸素分圧を高めることに
より、酸素析出物の解離速度を小さくし、これにより、
結晶欠陥の生成を抑制する。
れる空孔が結晶欠陥生成の核となっていると考えられ、
本発明は、この空孔生成速度を小さくすることにより、
結晶欠陥が生成されるのを抑制しようとするものであ
る。そこで解離平衡を考慮し、酸素分圧を高めることに
より、酸素析出物の解離速度を小さくし、これにより、
結晶欠陥の生成を抑制する。
【００２９】前記高温アニール処理工程は、１３００℃
以上であって、単結晶シリコンの融点に満たない温度
で、単結晶シリコン基板を処理することにより、信頼性
の高いＳＩＭＯＸ基板を得ることができる。 １３００
℃未満では酸素析出物の解離速度が小さくなる。従っ
て、実用的な熱処理時間では酸素析出物は完全に除去さ
れない。
以上であって、単結晶シリコンの融点に満たない温度
で、単結晶シリコン基板を処理することにより、信頼性
の高いＳＩＭＯＸ基板を得ることができる。 １３００
℃未満では酸素析出物の解離速度が小さくなる。従っ
て、実用的な熱処理時間では酸素析出物は完全に除去さ
れない。
【００３０】また望ましくは、前記酸素分圧窓工程の酸
素分圧を０．５％より大きくかつ１０％未満とすれば、
上記温度範囲では十分にＳＦＣ密度を低減することがで
きるとともに埋めこみ酸化膜中のシリコン島密度も低減
することができる。
素分圧を０．５％より大きくかつ１０％未満とすれば、
上記温度範囲では十分にＳＦＣ密度を低減することがで
きるとともに埋めこみ酸化膜中のシリコン島密度も低減
することができる。
【００３１】また、高温アニール処理工程を、１３５０
℃とし、酸素分圧窓工程の酸素分圧を５％より大きく１
０％未満とした時、ＳＦＣ密度を更に減少させることが
できる。
℃とし、酸素分圧窓工程の酸素分圧を５％より大きく１
０％未満とした時、ＳＦＣ密度を更に減少させることが
できる。
【００３２】更に、またこのような酸素分圧窓工程を実
行したものに対し、ＩＴＯＸ工程を施した場合、ＳＦＣ
密度は８・１０5／cm2程度に減少する。ちなみに酸素分
圧窓工程を実行しないでＩＴＯＸ工程を施した場合、Ｓ
ＦＣ密度は２・１０7／cm2程度であった。
行したものに対し、ＩＴＯＸ工程を施した場合、ＳＦＣ
密度は８・１０5／cm2程度に減少する。ちなみに酸素分
圧窓工程を実行しないでＩＴＯＸ工程を施した場合、Ｓ
ＦＣ密度は２・１０7／cm2程度であった。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例のＳＩＭＯＸ基板の製
造方法について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
造方法について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３４】本発明実施例は、単結晶シリコン表面に酸
素イオンを注入した後高温アニール処理を行うに際し、
高温アニール処理工程の初期に酸素分圧を高めにして熱
処理を行う酸素分圧窓工程を含むことを特徴とする。す
なわちこの工程では図１に示すように、１８０ＫｅＶ、
５５０℃で４・１０17／cm2 程度のイオン注入を行い、
この後図２に示すように、Ａｒ＋１．８％のＯ2 雰囲気
中で１３５０℃２時間の中間アニール処理を行った後Ａ
ｒ＋０．５％のＯ2 雰囲気中で１３５０℃２時間の高温
アニール処理を行うようにしている。
素イオンを注入した後高温アニール処理を行うに際し、
高温アニール処理工程の初期に酸素分圧を高めにして熱
処理を行う酸素分圧窓工程を含むことを特徴とする。す
なわちこの工程では図１に示すように、１８０ＫｅＶ、
５５０℃で４・１０17／cm2 程度のイオン注入を行い、
この後図２に示すように、Ａｒ＋１．８％のＯ2 雰囲気
中で１３５０℃２時間の中間アニール処理を行った後Ａ
ｒ＋０．５％のＯ2 雰囲気中で１３５０℃２時間の高温
アニール処理を行うようにしている。
【００３５】このようにして得られたＳＩＭＯＸ基板で
は、ＳＦＣ密度は、２・１０7／cm2程度ンとなってお
り、シリコン島も減少している。このように本発明実施
例の方法によれば、従来に比べ大幅にこれらの欠陥が減
少していることがわかる。また表面シリコン層の酸素析
出物密度も十分に低減されている。
は、ＳＦＣ密度は、２・１０7／cm2程度ンとなってお
り、シリコン島も減少している。このように本発明実施
例の方法によれば、従来に比べ大幅にこれらの欠陥が減
少していることがわかる。また表面シリコン層の酸素析
出物密度も十分に低減されている。
【００３６】次に、同様にしてイオン注入を行った単結
晶シリコン基板に対し、酸素分圧窓工程における酸素分
圧を変化させた時の状態変化を観察した。ここで、図４
は、イオン注入の高温アニール開始時の状態を示すＴＥ
Ｍ写真である。そして、中間段階すなわち酸素分圧窓工
程を開始してから０．５時間後の状態と高温アニール工
程を終了した段階(終了段階) におけるシリコン基板の
断面状態を示す ＴＥＭ写真を図５(a)、(b)から 図９
(a)、(b)に示す。ここで、各図において (a) は中間段
階、(b)は高温アニール処理を終了した段階のＴＥＭ写
真であり、図５(a)、(b)から図９(a)、(b)にはそれぞ
れ、Ｘを ０．５％、１．８％、１０％、３０％、７０
％とした時の結果を示す 。この図から明らかなよう
に、 Ｘを０．５％、１．８％としたときは、 図５(a)
及び(b)及び図６(a)及び(b) に示すように、図４に示し
た高温アニール開始時の状態に比べ表面のシリコン層内
の酸素析出物は減少しており、転位もなく良好なＳＩＭ
ＯＸ基板が形成されている。一方、図７(a)及び(b)から
図９(a)及び(b)では、酸素析出物の残留や転位が検出さ
れる。
晶シリコン基板に対し、酸素分圧窓工程における酸素分
圧を変化させた時の状態変化を観察した。ここで、図４
は、イオン注入の高温アニール開始時の状態を示すＴＥ
Ｍ写真である。そして、中間段階すなわち酸素分圧窓工
程を開始してから０．５時間後の状態と高温アニール工
程を終了した段階(終了段階) におけるシリコン基板の
断面状態を示す ＴＥＭ写真を図５(a)、(b)から 図９
(a)、(b)に示す。ここで、各図において (a) は中間段
階、(b)は高温アニール処理を終了した段階のＴＥＭ写
真であり、図５(a)、(b)から図９(a)、(b)にはそれぞ
れ、Ｘを ０．５％、１．８％、１０％、３０％、７０
％とした時の結果を示す 。この図から明らかなよう
に、 Ｘを０．５％、１．８％としたときは、 図５(a)
及び(b)及び図６(a)及び(b) に示すように、図４に示し
た高温アニール開始時の状態に比べ表面のシリコン層内
の酸素析出物は減少しており、転位もなく良好なＳＩＭ
ＯＸ基板が形成されている。一方、図７(a)及び(b)から
図９(a)及び(b)では、酸素析出物の残留や転位が検出さ
れる。
【００３７】また、図１０に酸素分圧（横軸）と、結晶
欠陥密度（縦軸）との関係を測定した結果を示す。図
中、黒丸は酸素析出物を示し、白丸はＳＦＣを示す。こ
の図からも酸素分圧（Ar+X%Ｏ2）Ｘを０．５％より大き
く１０％未満とした時、酸素析出物密度が低減し、また
ＳＦＣ密度も少なくなっていることがわかる。更にＸを
５％より大きく10％未満とした時、酸素析出物密度もＳ
ＦＣ密度も小さくなっていることがわかる。ここで熱処
理温度は１３５０℃であった。また、図１１に、この時
の埋めこみ酸化膜中のシリコン島密度を測定した結果を
示す。この図から、Ｘを０．5％から5％としたときシリ
コン島密度は十分に少なくなっている。Ｘが 5％を越え
ると、下がる傾向にあり、図には示していないが十分に
少なくなっている。
欠陥密度（縦軸）との関係を測定した結果を示す。図
中、黒丸は酸素析出物を示し、白丸はＳＦＣを示す。こ
の図からも酸素分圧（Ar+X%Ｏ2）Ｘを０．５％より大き
く１０％未満とした時、酸素析出物密度が低減し、また
ＳＦＣ密度も少なくなっていることがわかる。更にＸを
５％より大きく10％未満とした時、酸素析出物密度もＳ
ＦＣ密度も小さくなっていることがわかる。ここで熱処
理温度は１３５０℃であった。また、図１１に、この時
の埋めこみ酸化膜中のシリコン島密度を測定した結果を
示す。この図から、Ｘを０．5％から5％としたときシリ
コン島密度は十分に少なくなっている。Ｘが 5％を越え
ると、下がる傾向にあり、図には示していないが十分に
少なくなっている。
【００３８】更に図１２は中間段階すなわちAr+X%Ｏ2で
１３５０℃、３０分の酸素分圧窓工程を行った後、酸素
含有量と、析出物密度及び析出物の平均粒径との関係を
測定した結果を示す。また 図1３は高温アニール工程終
了後すなわち終了段階の酸素析出物密度及び酸素析出物
の平均粒径との関係を測定した結果を示す。
１３５０℃、３０分の酸素分圧窓工程を行った後、酸素
含有量と、析出物密度及び析出物の平均粒径との関係を
測定した結果を示す。また 図1３は高温アニール工程終
了後すなわち終了段階の酸素析出物密度及び酸素析出物
の平均粒径との関係を測定した結果を示す。
【００３９】また図１４乃至図１６は、それぞれ各段階
における表面シリコン層中に残留する酸素析出物の密
度、酸素析出物の平均粒径、及び酸素濃度を示す図であ
る。これらの結果から酸素（Ar+X%Ｏ2）Ｘを０．５％よ
り大きく１０．０％未満とした時、析出物密度も析出物
の平均粒径も酸素濃度も終了段階で十分に小さくなって
いることがわかる。
における表面シリコン層中に残留する酸素析出物の密
度、酸素析出物の平均粒径、及び酸素濃度を示す図であ
る。これらの結果から酸素（Ar+X%Ｏ2）Ｘを０．５％よ
り大きく１０．０％未満とした時、析出物密度も析出物
の平均粒径も酸素濃度も終了段階で十分に小さくなって
いることがわかる。
【００４０】また、図１７に、酸素分圧（Ar+X%Ｏ2）Ｘ
を０．５％、１０％及び７０％とした時のイオン注入表
面からの深さ（横軸）と酸素濃度（縦軸）との関係を測
定した結果を示す。この結果からも、Ｘを０．５％、１
０％とした場合、酸素濃度が急峻に変化し、良好な埋め
こみ酸化膜が形成されている事がわかる。
を０．５％、１０％及び７０％とした時のイオン注入表
面からの深さ（横軸）と酸素濃度（縦軸）との関係を測
定した結果を示す。この結果からも、Ｘを０．５％、１
０％とした場合、酸素濃度が急峻に変化し、良好な埋め
こみ酸化膜が形成されている事がわかる。
【００４１】次に図１８にその高温アニール工程にＩＴ
ＯＸ工程を加えた熱処理工程のプロファイルを示すよう
に、このようにして得られたＳＩＭＯＸ基板の一部に対
して更にＡｒ＋５０％から１００％のＯ2 雰囲気中で１
３５０℃３時間程度の高温酸化処理を行ういわゆるＩＴ
ＯＸ工程をおこなった場合その前後のＳＦＣ密度の変化
を図１９に示す。この結果からも、ＩＴＯＸ工程によっ
て何れも大幅に低減されることがわかる。 なお、高温
アニール工程における温度あるいは時間、また、高温ア
ニール工程の初期段階における温度あるいは時間最適酸
素分圧はイオン注入条件あるいは他の条件によっていく
らかは変動することがある。
ＯＸ工程を加えた熱処理工程のプロファイルを示すよう
に、このようにして得られたＳＩＭＯＸ基板の一部に対
して更にＡｒ＋５０％から１００％のＯ2 雰囲気中で１
３５０℃３時間程度の高温酸化処理を行ういわゆるＩＴ
ＯＸ工程をおこなった場合その前後のＳＦＣ密度の変化
を図１９に示す。この結果からも、ＩＴＯＸ工程によっ
て何れも大幅に低減されることがわかる。 なお、高温
アニール工程における温度あるいは時間、また、高温ア
ニール工程の初期段階における温度あるいは時間最適酸
素分圧はイオン注入条件あるいは他の条件によっていく
らかは変動することがある。
【００４２】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、高温アニール処理に先立ち、酸素分圧窓工程を実行
することにより、ＳＦＣ及びシリコン島の少ないＳＩＭ
ＯＸ基板を得ることが可能となる。
ば、高温アニール処理に先立ち、酸素分圧窓工程を実行
することにより、ＳＦＣ及びシリコン島の少ないＳＩＭ
ＯＸ基板を得ることが可能となる。
【図１】本発明実施例のＳＩＭＯＸ基板の製造方法で用
いられるイオン注入工程を説明する図
いられるイオン注入工程を説明する図
【図２】本発明実施例の高温アニール工程のプロファイ
ルを示す図
ルを示す図
【図３】本発明実施例及び比較例の高温アニール工程の
プロファイルを示す図
プロファイルを示す図
【図４】本発明実施例のＳＩＭＯＸ基板の製造方法にお
ける高温アニール開始時の結晶構造を示すＴＥＭ写真
ける高温アニール開始時の結晶構造を示すＴＥＭ写真
【図５】本発明実施例のＳＩＭＯＸ基板の製造方法にお
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
【図６】本発明実施例のＳＩＭＯＸ基板の製造方法にお
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
【図７】本発明実施例のＳＩＭＯＸ基板の製造方法にお
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
【図８】本発明実施例のＳＩＭＯＸ基板の製造方法にお
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
【図９】本発明実施例のＳＩＭＯＸ基板の製造方法にお
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
ける中間段階(a) 及び終了段階(b)の結晶構造を示すＴ
ＥＭ写真
【図１０】酸素分圧(横軸)と、結晶欠陥密度(縦軸)との
関係を測定した結果を示す図
関係を測定した結果を示す図
【図１１】酸素分圧（横軸）と、埋めこみ酸化膜中のシ
リコン島密度（縦軸）との関係を測定した結果を示す図
リコン島密度（縦軸）との関係を測定した結果を示す図
【図１２】中間段階の、酸素分圧と、析出物密度及び析
出物の平均粒径との関係を測定した結果を示す図
出物の平均粒径との関係を測定した結果を示す図
【図１３】終了段階の析出物密度および析出物の平均粒
径との関係を測定した結果を示す図
径との関係を測定した結果を示す図
【図１４】各段階における表面シリコン層中に残留する
酸素析出物の密度を測定した結果を示す図
酸素析出物の密度を測定した結果を示す図
【図１５】各段階における表面シリコン層中に残留する
酸素析出物の平均粒径を測定した結果を示す図
酸素析出物の平均粒径を測定した結果を示す図
【図１６】各段階における表面シリコン層中に残留する
酸素濃度（縦軸）を測定した結果を示す図
酸素濃度（縦軸）を測定した結果を示す図
【図１７】酸素分圧を変化したときのイオン注入表面か
らの深さ（横軸）と酸素濃度（縦軸）との関係を測定し
た結果を示す図
らの深さ（横軸）と酸素濃度（縦軸）との関係を測定し
た結果を示す図
【図１８】高温アニール工程後にＩＴＯＸ工程を行う場
合の熱処理工程を示す説明図
合の熱処理工程を示す説明図
【図１９】ＩＴＯＸ工程をおこなった場合その前後のＳ
ＦＣ密度の変化を示す説明図
ＦＣ密度の変化を示す説明図
【図２０】従来のＳＩＭＯＸ基板の製造工程における高
温アニール工程を示す説明図
温アニール工程を示す説明図
【図２１】従来のＳＩＭＯＸ基板の製造工程におけるＩ
ＴＯＸ工程を行う場合の熱処理工程を示す説明図
ＴＯＸ工程を行う場合の熱処理工程を示す説明図
【図２２】従来のＳＩＭＯＸ基板における欠陥を示す説
明図
明図
１ 単結晶シリコン基板 ２ 埋めこみ酸化膜 ３ 表面シリコン層 ４ 酸化シリコン膜 ５ ＳＦＣ ６ シリコン島
フロントページの続き (72)発明者 中嶋 定夫 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 片山 達彦 神奈川県平塚市四之宮2612番地 コマツ電 子金属株式会社内 (72)発明者 今井 正人 神奈川県平塚市四之宮2612番地 コマツ電 子金属株式会社内 (72)発明者 宮村 佳児 神奈川県平塚市四之宮2612番地 コマツ電 子金属株式会社内 (72)発明者 タイムラーズ ムチェドゥリゼ 神奈川県平塚市四之宮2612番地 コマツ電 子金属株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 単結晶シリコン基板表面に酸素イオンを
注入するイオン注入工程と、イオン注入のなされた単結
晶シリコン基板に対し低濃度の酸素を含む不活性ガス雰
囲気中で高温アニール処理工程を実行することにより、
前記単結晶シリコン基板表面から所定の深さに、埋めこ
み酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ基板（Separation by Im
planted Oxygen ）の製造方法において、 前記高温アニール処理工程の初期に、酸素析出物の解離
速度を緩和するとともに酸素析出物の解離を阻害しない
程度の解離平衡状態を維持するように、前記酸素を含む
不活性ガス中の酸素分圧を高めにして熱処理を行う酸素
分圧窓工程を含むことを特徴とするＳＩＭＯＸ基板の製
造方法。 - 【請求項２】 前記高温アニール処理工程は、１３００
℃以上であって、単結晶シリコンの融点に満たない温度
で、単結晶シリコン基板を処理する工程であることを特
徴とする請求項１記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記酸素分圧窓工程の酸素分圧は０．５
％より大きく１０％未満であることを特徴とする請求項
１記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項４】前記高温アニール処理工程は、１３５０℃
で処理する工程であって、前記酸素分圧窓工程の酸素分
圧は５％より大きくかつ１０％未満であることを特徴と
する請求項２記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項５】 単結晶シリコン基板表面に酸素イオンを
注入するイオン注入工程と、イオン注入のなされた単結
晶シリコン基板に対し低濃度の酸素を含む不活性ガス雰
囲気中で高温アニール処理工程を実行することにより、
前記単結晶シリコン基板表面から所定の深さに、埋めこ
み酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ基板の製造方法におい
て、 前記単結晶シリコン表面に酸素イオンを注入した後高温
アニール処理を行うに際し、埋めこみ酸化膜上部に位置
する表面単結晶シリコン層中のＳＦＣ（複合積層欠陥）
密度が１０7／cm2以下となるように、酸素分圧を高めに
して熱処理を行う酸素分圧窓工程を含むことを特徴とす
るＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記酸素分圧窓工程は、ＳＦＣ密度が１
０7／cm2以下であってかつシリコン島密度が１・１０6
／cm2 以下となるように、酸素分圧を高めにして熱処
理を行う工程であることを特徴とする請求項５記載のＳ
ＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記高温アニール処理工程は、１３００
℃以上であって、単結晶シリコンの融点に満たない温度
で、単結晶シリコン基板を処理する工程であることを特
徴とする請求項５記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記酸素分圧窓工程の酸素分圧は０．５
％より大きく１０％未満であることを特徴とする請求項
５記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記高温アニール処理工程は、１３５０
℃で処理する工程であって、前記酸素分圧窓工程の酸素
分圧は５％より大きくかつ１０％未満であることを特徴
とする請求項５記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項１０】単結晶シリコン基板表面に酸素イオンを
注入するイオン注入工程と、イオン注入のなされた単結
晶シリコン基板に対し低濃度の酸素を含む不活性ガス雰
囲気中で高温アニール処理工程を実行することにより、
前記単結晶シリコン基板表面から所定の深さに、埋めこ
み酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ基板の製造方法におい
て、 前記高温アニール処理工程の初期に前記酸素分圧を高め
にして熱処理を行う酸素分圧窓工程と、 この後０．５％程度の酸素を含む不活性ガス雰囲気中で
高温アニール処理を行い、埋めこみ酸化膜を形成する高
温主アニール工程と、 ５０％から１００％の酸素を含む不活性ガス雰囲気中で
高温酸化処理を行うＩＴＯＸ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）工程とを含むことを
特徴とするＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記酸素分圧窓工程の酸素分圧は、
０．５％より大きく、かつ１０％未満であることを特徴
とする請求項１０記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10752696A JP3995286B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | Ｓｉｍｏｘ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10752696A JP3995286B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | Ｓｉｍｏｘ基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293846A true JPH09293846A (ja) | 1997-11-11 |
| JP3995286B2 JP3995286B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=14461436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10752696A Expired - Fee Related JP3995286B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | Ｓｉｍｏｘ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3995286B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000013214A1 (fr) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Nec Corporation | Substrat soi et procede de fabrication correspondant |
| US6767801B2 (en) * | 2000-03-10 | 2004-07-27 | Nippon Steel Corporation | Simox substrate and method for production thereof |
| EP1786023A1 (en) * | 2004-07-20 | 2007-05-16 | SUMCO Corporation | Simox substrate manufacturing method |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP10752696A patent/JP3995286B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000013214A1 (fr) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Nec Corporation | Substrat soi et procede de fabrication correspondant |
| EP1120819A1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-08-01 | NEC Corporation | Soi substrate and method for manufacturing the same |
| US6548379B1 (en) | 1998-08-31 | 2003-04-15 | Nec Corporation | SOI substrate and method for manufacturing the same |
| EP1120819A4 (en) * | 1998-08-31 | 2006-05-10 | Nec Corp | SOI SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
| US6767801B2 (en) * | 2000-03-10 | 2004-07-27 | Nippon Steel Corporation | Simox substrate and method for production thereof |
| EP1786023A1 (en) * | 2004-07-20 | 2007-05-16 | SUMCO Corporation | Simox substrate manufacturing method |
| EP1786023A4 (en) * | 2004-07-20 | 2008-08-13 | Sumco Corp | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A SIMOX SUBSTRATE |
| US7560363B2 (en) | 2004-07-20 | 2009-07-14 | Sumco Corporation | Manufacturing method for SIMOX substrate |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3995286B2 (ja) | 2007-10-24 |
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