JPH09289119A - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子Info
- Publication number
- JPH09289119A JPH09289119A JP8122290A JP12229096A JPH09289119A JP H09289119 A JPH09289119 A JP H09289119A JP 8122290 A JP8122290 A JP 8122290A JP 12229096 A JP12229096 A JP 12229096A JP H09289119 A JPH09289119 A JP H09289119A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- inductance element
- bobbin
- shaped core
- coil
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタンス素子の小型化を可能とし、導
体物であるコイルおよびボビンに施された端子に対する
コアの絶縁性を向上させた。 【構成】 コイル３が巻回されたボビン４に対し、抵抗
率が低い磁性材料からなるＩ型コア２が、コイル３の巻
軸方向と同じ方向よりボビン４の中空穴５に挿入され、
抵抗率が高い磁性材料からなるロ字型コア１は、コイル
の巻軸方向に対し垂直方向上方よりボビン４にセットさ
れ、Ｉ型コア２との対向はボビン４の中空穴５の外でお
こなわれる構造である。
体物であるコイルおよびボビンに施された端子に対する
コアの絶縁性を向上させた。 【構成】 コイル３が巻回されたボビン４に対し、抵抗
率が低い磁性材料からなるＩ型コア２が、コイル３の巻
軸方向と同じ方向よりボビン４の中空穴５に挿入され、
抵抗率が高い磁性材料からなるロ字型コア１は、コイル
の巻軸方向に対し垂直方向上方よりボビン４にセットさ
れ、Ｉ型コア２との対向はボビン４の中空穴５の外でお
こなわれる構造である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】民生及び産業用電子機器等に使用
するインダクタンス素子の構造に関する。
するインダクタンス素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図を使用して従来の技術を説明する。図
７は、従来のインダクタンス素子の分解斜視図である。
図８は、従来のインダクタンス素子の平面図および側面
図である。図９は、従来の他のインダクタンス素子の分
解斜視図である。図１０は、従来の他のインダクタンス
素子の側面図である。
７は、従来のインダクタンス素子の分解斜視図である。
図８は、従来のインダクタンス素子の平面図および側面
図である。図９は、従来の他のインダクタンス素子の分
解斜視図である。図１０は、従来の他のインダクタンス
素子の側面図である。
【０００３】従来のインダクタンス素子は、図７に示す
Ｅ型コア５１やＥＲ型コアがインダクタンス素子の磁心
に用いられることが多く、絶縁物からなるボビン５４に
導体であるコイル５３が巻回され、前記ボビン５４には
Ｅ型コア５１の中脚が挿入される中空穴５５を有してお
り、ボビン５４の中空穴５５の両端よりＥ型コア５１を
ボビン５４に組み込む構造である。なお、上記のインダ
クタンス素子に使用するコアの材質としては、低損失、
高透磁率、高飽和磁束密度等の特性を有すMn系フェライ
トが主に使用されており、前記特性等によりインダクタ
ンス素子としての小型化を可能としている。だだし、上
記のＭｎ系フェライトは抵抗率が０．０１〜１０Ω・ｍ
と低いため、インダクタンス素子の磁心として使用する
場合、図８のようにＥ型コア５１とボビン５４に巻回さ
れたコイル５３およびＥ型コア５１とボビン５４に埋設
あるいは圧入された端子５６の絶縁をとる必要性があ
り、その方法としては使用条件である電圧により前記導
体物からなるコイル５３および端子５６とＥ型コア５１
の配置位置を考慮したボビン５４を設計して使用電圧に
耐えうる絶縁距離ｃおよび絶縁距離ｄを確保する方法
や、図９および図１０に示すようにＥ型コア６１とボビ
ン６４の間に、絶縁物からなるシート６７を介在させる
ことで、図８に示したＥ型コア５１と端子５６の絶縁距
離ｄより短い絶縁距離ｅでＥ型コア６１と端子６６の絶
縁を確保したものである。
Ｅ型コア５１やＥＲ型コアがインダクタンス素子の磁心
に用いられることが多く、絶縁物からなるボビン５４に
導体であるコイル５３が巻回され、前記ボビン５４には
Ｅ型コア５１の中脚が挿入される中空穴５５を有してお
り、ボビン５４の中空穴５５の両端よりＥ型コア５１を
ボビン５４に組み込む構造である。なお、上記のインダ
クタンス素子に使用するコアの材質としては、低損失、
高透磁率、高飽和磁束密度等の特性を有すMn系フェライ
トが主に使用されており、前記特性等によりインダクタ
ンス素子としての小型化を可能としている。だだし、上
記のＭｎ系フェライトは抵抗率が０．０１〜１０Ω・ｍ
と低いため、インダクタンス素子の磁心として使用する
場合、図８のようにＥ型コア５１とボビン５４に巻回さ
れたコイル５３およびＥ型コア５１とボビン５４に埋設
あるいは圧入された端子５６の絶縁をとる必要性があ
り、その方法としては使用条件である電圧により前記導
体物からなるコイル５３および端子５６とＥ型コア５１
の配置位置を考慮したボビン５４を設計して使用電圧に
耐えうる絶縁距離ｃおよび絶縁距離ｄを確保する方法
や、図９および図１０に示すようにＥ型コア６１とボビ
ン６４の間に、絶縁物からなるシート６７を介在させる
ことで、図８に示したＥ型コア５１と端子５６の絶縁距
離ｄより短い絶縁距離ｅでＥ型コア６１と端子６６の絶
縁を確保したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｍｎ系フェライトから
なるコアを使用したインダクタンス素子は、上記のよう
な対処によりコアと導体物であるコイルおよび端子との
絶縁をとっているが、コアと前記導体物の距離を離すこ
とはインダクタンス素子としての形状を大きくするもの
であり、かつ、使用電圧により前記コアと導体物の距離
を変える必要があるため設計を複雑にするものであり、
またコイルと導体物の間に絶縁体を介在させることはイ
ンダクタンス素子の形状を大きくするとともに部品点数
を増やすことになり工数低減の妨げとなっている。本発
明は、コイルや端子の導体物とコアとの絶縁をとるにあ
たりインダクタンス素子の形状を大きくすることなく、
また、部品点数を増やすことなく導体物であるコイルと
端子に対するコアの絶縁性を向上させるものである。
なるコアを使用したインダクタンス素子は、上記のよう
な対処によりコアと導体物であるコイルおよび端子との
絶縁をとっているが、コアと前記導体物の距離を離すこ
とはインダクタンス素子としての形状を大きくするもの
であり、かつ、使用電圧により前記コアと導体物の距離
を変える必要があるため設計を複雑にするものであり、
またコイルと導体物の間に絶縁体を介在させることはイ
ンダクタンス素子の形状を大きくするとともに部品点数
を増やすことになり工数低減の妨げとなっている。本発
明は、コイルや端子の導体物とコアとの絶縁をとるにあ
たりインダクタンス素子の形状を大きくすることなく、
また、部品点数を増やすことなく導体物であるコイルと
端子に対するコアの絶縁性を向上させるものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性材料から
なるロ字型コアおよびＩ型コアと、中空穴を有しコイル
が巻回されたボビンとからなるインダクタンス素子にお
いて、前記ロ字型コアは抵抗率が高い磁性材料からな
り、一方前記Ｉ型コアは前記ロ字型コアに用いられた磁
性材料と異なり抵抗率が低い磁性材料を用いるものであ
り、前記Ｉ型コアは前記ロ字型コアと日字状に組み合わ
せられ、前記ロ字型コアは、抵抗率が高いＮｉ系フェラ
イトからなり、一方Ｉ型コアは、Ｍｎ系フェライトある
いは金属系材料のアモルファスおよび微細結晶合金、金
属粉体より構成し、また、前記抵抗率が高い磁性材料
は、抵抗率≧１×１０5Ω・ｍであるインダクタンス素
子。
なるロ字型コアおよびＩ型コアと、中空穴を有しコイル
が巻回されたボビンとからなるインダクタンス素子にお
いて、前記ロ字型コアは抵抗率が高い磁性材料からな
り、一方前記Ｉ型コアは前記ロ字型コアに用いられた磁
性材料と異なり抵抗率が低い磁性材料を用いるものであ
り、前記Ｉ型コアは前記ロ字型コアと日字状に組み合わ
せられ、前記ロ字型コアは、抵抗率が高いＮｉ系フェラ
イトからなり、一方Ｉ型コアは、Ｍｎ系フェライトある
いは金属系材料のアモルファスおよび微細結晶合金、金
属粉体より構成し、また、前記抵抗率が高い磁性材料
は、抵抗率≧１×１０5Ω・ｍであるインダクタンス素
子。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のインダクタンス素子は、
中空穴を有すボビンに巻回された導体物であるコイルの
水平方向を取り囲むように、前記ボビンに組み込むロ字
型コアに抵抗率の高い磁性材料を用いることにより、該
磁性材料は抵抗率が高くすなわち電気に対し絶縁を有す
るものであり、前記ボビンに巻回されたコイルに対して
絶縁性を有しており、前記コイルに対し抵抗率が高い磁
性材料からなるロ字型コアを、近接あるいは密着するよ
うにボビンに組み込むことができ、かつ、ボビンに埋設
あるいは圧入された導体物からなる端子に対しても前記
抵抗率が高い磁性材料からなるロ字型コアは、近接ある
いは密着することができ、インダクタンス素子としての
大きさを小さくすることができるものである。
中空穴を有すボビンに巻回された導体物であるコイルの
水平方向を取り囲むように、前記ボビンに組み込むロ字
型コアに抵抗率の高い磁性材料を用いることにより、該
磁性材料は抵抗率が高くすなわち電気に対し絶縁を有す
るものであり、前記ボビンに巻回されたコイルに対して
絶縁性を有しており、前記コイルに対し抵抗率が高い磁
性材料からなるロ字型コアを、近接あるいは密着するよ
うにボビンに組み込むことができ、かつ、ボビンに埋設
あるいは圧入された導体物からなる端子に対しても前記
抵抗率が高い磁性材料からなるロ字型コアは、近接ある
いは密着することができ、インダクタンス素子としての
大きさを小さくすることができるものである。
【０００７】また、上記ロ字型コアと組み合わせられる
Ｉ型コアは、ボビンの中空穴に挿入されロ字型コアと日
字状に組み合わせられるものであり、前記Ｉ型コアはボ
ビンに巻回されたコイルに対して、ボビンの有する樹脂
肉厚により絶縁がとられ、またボビンに埋設あるいは圧
入された端子に対して、ボビンあるいは抵抗率が高い磁
性材料からなるロ字型が介在する構造であり、Ｉ型コア
に導体物を用いても、ボビンに巻回されたコイルおよび
埋設あるいは圧入された端子に対し絶縁不良を引き起こ
すことはなく、一般に高飽和磁束密度、高透磁率、低損
失の特性を有す磁性材料は、０．０１Ω・ｍ〜１０Ω・
ｍと抵抗率が低く電気の導体物として働くが、上記に示
したように本発明による構造によりコイルおよび端子に
対しＩ型コアが絶縁不良を起こることなく、本発明によ
るＩ型コアに前記抵抗率が低い磁性材料である高飽和磁
束密度、高透磁率、低損失の特性を有すＭｎ系フェライ
トあるいは金属系材料のアモルファスおよび微細結晶合
金、金属粉体を用いれば、インダクタンス素子としての
インダクタンスの増加や発熱の低減が可能となり、上記
抵抗率が高い磁性材料と組み合わせることにより、有益
なインダクタンス素子を得ることができる。
Ｉ型コアは、ボビンの中空穴に挿入されロ字型コアと日
字状に組み合わせられるものであり、前記Ｉ型コアはボ
ビンに巻回されたコイルに対して、ボビンの有する樹脂
肉厚により絶縁がとられ、またボビンに埋設あるいは圧
入された端子に対して、ボビンあるいは抵抗率が高い磁
性材料からなるロ字型が介在する構造であり、Ｉ型コア
に導体物を用いても、ボビンに巻回されたコイルおよび
埋設あるいは圧入された端子に対し絶縁不良を引き起こ
すことはなく、一般に高飽和磁束密度、高透磁率、低損
失の特性を有す磁性材料は、０．０１Ω・ｍ〜１０Ω・
ｍと抵抗率が低く電気の導体物として働くが、上記に示
したように本発明による構造によりコイルおよび端子に
対しＩ型コアが絶縁不良を起こることなく、本発明によ
るＩ型コアに前記抵抗率が低い磁性材料である高飽和磁
束密度、高透磁率、低損失の特性を有すＭｎ系フェライ
トあるいは金属系材料のアモルファスおよび微細結晶合
金、金属粉体を用いれば、インダクタンス素子としての
インダクタンスの増加や発熱の低減が可能となり、上記
抵抗率が高い磁性材料と組み合わせることにより、有益
なインダクタンス素子を得ることができる。
【０００８】
【実施例】図を使用して本発明の実施例を説明する。図
１は、本発明のインダクタンス素子の実施例の分解斜視
図である。図２は、本発明のインダクタンス素子の実施
例の平面図および側面図である。図３は、本発明のイン
ダクタンス素子にかかるコア形状の実施例を示す斜視図
である。図４は、本発明のインダクタンス素子にかかる
コア形状の他の実施例の斜視図である。図５は、本発明
のインダクタンス素子にかかるコア材質の実施例を示す
斜視図である。図６は、本発明のインダクタンス素子に
かかるコア材質の他の実施例の斜視図である。
１は、本発明のインダクタンス素子の実施例の分解斜視
図である。図２は、本発明のインダクタンス素子の実施
例の平面図および側面図である。図３は、本発明のイン
ダクタンス素子にかかるコア形状の実施例を示す斜視図
である。図４は、本発明のインダクタンス素子にかかる
コア形状の他の実施例の斜視図である。図５は、本発明
のインダクタンス素子にかかるコア材質の実施例を示す
斜視図である。図６は、本発明のインダクタンス素子に
かかるコア材質の他の実施例の斜視図である。
【０００９】図１および図２において、コイル３が巻回
されたボビン４に対し、Ｍｎ系フェライトからなるＩ型
コア２は、コイル３の巻軸方向と同じ方向より、ボビン
４の中空穴５に挿入される。また、Ｎｉ系フェライトか
らなるロ字型コア１は、コイル３の巻軸方向に対し、垂
直方向上方よりコイル３の水平方向を取り囲むようにボ
ビン４にセットされ、Ｉ型コア２との対向はボビン４の
中空穴５の外でおこなわれる。前記Ｉ型コア２と導体で
あるコイル３の絶縁は、コイル３に対しＩ型コア２はボ
ビン４が有する肉厚で絶縁が保たれており、耐電圧等に
よる問題が起こることはない。また、コイル３に近接す
るロ字型コア１は抵抗率が５００ｋΩ・ｍのＮｉ系フェ
ライトよりできており、抵抗率が高いためコイル３との
絶縁距離ａが近接状態であっても耐電圧等による短絡が
起きることはない。また同様に、Ｎｉ系フェライトから
なるロ字型コア１と、ボビン４に埋設あるいは圧入され
た端子６との絶縁距離ｂが近接あるいは密着していても
電気的に導通することはなく、絶縁性を向上させたイン
ダクタンス素子である。
されたボビン４に対し、Ｍｎ系フェライトからなるＩ型
コア２は、コイル３の巻軸方向と同じ方向より、ボビン
４の中空穴５に挿入される。また、Ｎｉ系フェライトか
らなるロ字型コア１は、コイル３の巻軸方向に対し、垂
直方向上方よりコイル３の水平方向を取り囲むようにボ
ビン４にセットされ、Ｉ型コア２との対向はボビン４の
中空穴５の外でおこなわれる。前記Ｉ型コア２と導体で
あるコイル３の絶縁は、コイル３に対しＩ型コア２はボ
ビン４が有する肉厚で絶縁が保たれており、耐電圧等に
よる問題が起こることはない。また、コイル３に近接す
るロ字型コア１は抵抗率が５００ｋΩ・ｍのＮｉ系フェ
ライトよりできており、抵抗率が高いためコイル３との
絶縁距離ａが近接状態であっても耐電圧等による短絡が
起きることはない。また同様に、Ｎｉ系フェライトから
なるロ字型コア１と、ボビン４に埋設あるいは圧入され
た端子６との絶縁距離ｂが近接あるいは密着していても
電気的に導通することはなく、絶縁性を向上させたイン
ダクタンス素子である。
【００１０】図３は、本発明のインダクタンス素子に用
いるコア形状を示したもので、Ｉ型コア１２の両端は、
斜めに切欠した構造であり、前記Ｉ型コア１２に組み合
わせられるロ字型コア１１にもＩ型コア１２との対向の
ための斜めの切欠部が施され、コイルの磁心としてコア
を組み合わせた際の対向性を向上させるものであり、前
記コアの対向はボビンの中空穴の外でおこなわれる構造
である。また、図４も、本発明のインダクタンス素子に
用いるコア形状を示したもので、ロ字型コア２１にはＩ
型コア２２との対向のための切欠部が施され、Ｉ型コア
２２を組み合わせる際の対向性を向上させたもので、コ
アの対向はボビンの中空穴の外でおこなわれる。
いるコア形状を示したもので、Ｉ型コア１２の両端は、
斜めに切欠した構造であり、前記Ｉ型コア１２に組み合
わせられるロ字型コア１１にもＩ型コア１２との対向の
ための斜めの切欠部が施され、コイルの磁心としてコア
を組み合わせた際の対向性を向上させるものであり、前
記コアの対向はボビンの中空穴の外でおこなわれる構造
である。また、図４も、本発明のインダクタンス素子に
用いるコア形状を示したもので、ロ字型コア２１にはＩ
型コア２２との対向のための切欠部が施され、Ｉ型コア
２２を組み合わせる際の対向性を向上させたもので、コ
アの対向はボビンの中空穴の外でおこなわれる。
【００１１】図５は、Ｉ型コア３２がアモルファスある
いは微細結晶合金の薄帯を積層固着したもので、該磁性
材料はＭｎ系フェライトに比べ飽和磁束密度が１．５倍
〜３倍、透磁率は２倍〜１０倍と高くＭｎ系フェライト
に比べさらに小型化が可能である。図６は、Ｉ型コア４
２がＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の磁性粉をＩ型に固めたもので
あり、該磁性材料は飽和磁束密度が高く、直流電流に対
して安定した透磁率を有すためチョークコイルとして最
適なインダクタンス素子となるものである。
いは微細結晶合金の薄帯を積層固着したもので、該磁性
材料はＭｎ系フェライトに比べ飽和磁束密度が１．５倍
〜３倍、透磁率は２倍〜１０倍と高くＭｎ系フェライト
に比べさらに小型化が可能である。図６は、Ｉ型コア４
２がＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の磁性粉をＩ型に固めたもので
あり、該磁性材料は飽和磁束密度が高く、直流電流に対
して安定した透磁率を有すためチョークコイルとして最
適なインダクタンス素子となるものである。
【００１２】
【発明の効果】以上説明しましたように、本発明のイン
ダクタンス素子は、コイルやボビンに施された端子の導
体物と該導体物に近接するコアとを密着に近い状態でボ
ビンにコアを組み込むことができるため、従来のインダ
クタンス素子に比べ絶縁のための距離を削減できるため
インダクタンス素子としての小型化が可能となり、ま
た、導体物であるコイルや端子に近接するコアは、抵抗
率が高く絶縁性を有するものでありインダクタンス素子
としての絶縁性を向上させ高信頼性が得られるものであ
る。
ダクタンス素子は、コイルやボビンに施された端子の導
体物と該導体物に近接するコアとを密着に近い状態でボ
ビンにコアを組み込むことができるため、従来のインダ
クタンス素子に比べ絶縁のための距離を削減できるため
インダクタンス素子としての小型化が可能となり、ま
た、導体物であるコイルや端子に近接するコアは、抵抗
率が高く絶縁性を有するものでありインダクタンス素子
としての絶縁性を向上させ高信頼性が得られるものであ
る。
【図１】本発明のインダクタンス素子の実施例の分解斜
視図
視図
【図２】本発明のインダクタンス素子の実施例の平面図
および側面図
および側面図
【図３】本発明のインダクタンス素子にかかるコア形状
の実施例を示す斜視図
の実施例を示す斜視図
【図４】本発明のインダクタンス素子にかかるコア形状
の他の実施例の斜視綱
の他の実施例の斜視綱
【図５】本発明のインダクタンス素子にかかるコア材質
の実施例を示す斜視図
の実施例を示す斜視図
【図６】本発明のインダクタンス素子にかかるコア材質
の他の実施例の斜視図
の他の実施例の斜視図
【図７】従来のインダクタンス素子の分解斜視図
【図８】従来のインダクタンス素子の平面図および側面
図
図
【図９】従来の他のインダクタンス素子の分解斜視図
【図１０】従来の他のインダクタンス素子の側面図
１ ロ字型コア ２ Ｉ型コア ３ コイル ４ ボビン ５ 中空穴 ６ 端子 １１ ロ字型コア １２ Ｉ型コア ２１ ロ字型コア ２２ Ｉ型コア ３１ ロ字型コア ３２ Ｉ型コア ４１ ロ字型コア ４２ Ｉ型コア ５１ Ｅ型コア ５３ コイル ５４ ボビン ５５ 中空穴 ５６ 端子 ６１ Ｅ型コア ６３ コイル ６４ ボビン ６５ 中空穴 ６６ 端子 ６７ シート
Claims (3)
- 【請求項１】磁性材料からなるロ字型コアおよびＩ型コ
アと、中空穴を有しコイルが巻回されたボビンとからな
るインダクタンス素子において、前記ロ字型コアは抵抗
率が高い磁性材料からなり、一方前記Ｉ型コアは前記ロ
字型コアに用いられた磁性材料と異なり抵抗率が低い磁
性材料を用いるものであり、前記Ｉ型コアは前記ロ字型
コアと日字状に組み合わせられることを特徴とするイン
ダクタンス素子。 - 【請求項２】ロ字型コアは、抵抗率が高いＮｉ系フェラ
イトからなり、一方Ｉ型コアは、Ｍｎ系フェライトある
いは金属系材料のアモルファスおよび微細結晶合金、金
属粉体より構成されることを特徴とする請求項１のイン
ダクタンス素子。 - 【請求項３】抵抗率が高い磁性材料は、抵抗率≧１×１
０5Ω・ｍであることを特徴とする請求項１および請求
項２のインダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8122290A JPH09289119A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8122290A JPH09289119A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289119A true JPH09289119A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14832303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8122290A Pending JPH09289119A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289119A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260183A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Robert Bosch Gmbh | エネルギー蓄積およびエネルギー変換装置 |
| CN102163489A (zh) * | 2011-01-25 | 2011-08-24 | 清流县鑫磁线圈制品有限公司 | 一种串联集成电感器件 |
| WO2017047740A1 (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Ntn株式会社 | 磁性素子 |
| JP2017059811A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Ntn株式会社 | 磁性素子 |
| CN108053971A (zh) * | 2018-01-04 | 2018-05-18 | 深圳盈通电子科技实业有限公司 | 一种滤波电感结构及其制造方法 |
| JP2019087557A (ja) * | 2017-11-01 | 2019-06-06 | トヨタ自動車株式会社 | リアクトル |
| JP2021197504A (ja) * | 2020-06-17 | 2021-12-27 | 愛三工業株式会社 | リアクトル |
-
1996
- 1996-04-19 JP JP8122290A patent/JPH09289119A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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