JPH09287840A - 極低温冷凍機およびｓｑｕｉｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 極低温冷凍機の可動部材の機械的強度を保持
し、しかも磁場ノイズを大幅に低減する。 【解決手段】 ディスプレーサ１８としてチタン合金か
らなるものを採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は極低温冷凍機およ
びＳＱＵＩＤ装置に関し、さらに詳細にいえば、シリン
ダ内でのディスプレーサ（置換器）の往復動により冷媒
ガスを膨脹させて寒冷を発生させる極低温冷凍機であっ
て、発生した寒冷の一部を蓄える蓄冷器をディスプレー
サに内蔵したタイプの極低温冷凍機の改良技術、および
この極低温冷凍機を用いたＳＱＵＩＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、高圧の冷媒ガスをシリンダ内
で膨脹させて寒冷を発生させる膨脹機を有する極低温冷
凍機として、例えば特開昭５８−２１４７５８号公報な
どに記載されているように、冷媒ガスとしてのヘリウム
ガスを圧縮する圧縮機と、その圧縮されたヘリウムガス
を膨脹させる膨脹機とを高圧配管および低圧配管によっ
て閉回路に接続してなり、前記膨脹機における切換バル
ブにより前記高圧配管および低圧配管を膨脹機のシリン
ダ内に交互に連通させるとともに、この切換バルブの切
換動作に応じてシリンダ内でスラックピストンを往復動
させ、このスラックピストンによりディスプレーサを往
復駆動してヘリウムガスを膨脹させることにより、寒冷
を発生させるようにしたいわゆる改良ソルベーサイクル
のヘリウム冷凍機が知られている。また、この他、スラ
ックピストンを使用せず、ディスプレーサを直接ガス圧
によって駆動するようにしたＧ−Ｍサイクル（ギフォー
ド・マクマホン・サイクル）のものもよく知られてい
る。

【０００３】このような冷凍機においては、シリンダ内
膨脹室における冷媒ガスの断熱膨脹に伴ない、その温度
が低下して寒冷が発生する。そして、通常、膨脹機のコ
ンパクト化を図る目的で、容器内に鉛の球や銅の網など
からなる多数の金属製蓄冷材を収容してなる蓄冷器をデ
ィスプレーサに内蔵させているとともに、ディスプレー
サとして十分な機械的強度を持たせるためにステンレス
スチール、またはアルミ合金からなるものを採用してお
り、先ず、膨脹に伴なって温度降下した冷媒ガスをシリ
ンダの膨脹室から排出する排気工程で、その冷媒ガスを
ディスプレーサ内の蓄冷器を通して排出し、冷媒ガス通
過の際に蓄冷器で寒冷の一部を蓄冷する。次に、シリン
ダ内膨脹室に冷媒ガスを供給する吸気工程では、膨脹室
に至る冷媒ガスを前記蓄冷器を通して供給して、冷媒ガ
スと蓄冷器との熱交換により冷媒ガス温度を低下させ、
前記吸気工程と排気工程との繰返しによって次第に極低
温レベルの寒冷を得るようになされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ステンレス
スチールは非磁性といわれているが、加工時にわずかに
磁性を帯びることがあり、また、強磁界中でも磁化され
てしまうので、磁場検出においてノイズ源になってしま
う。これに対して、アルミ合金はステンレススチールの
ように磁化されるおそれは全くない。したがって、磁化
されることによりノイズ源になるという不都合もない。

【０００５】しかし、一般に、磁場中に配置された金属
が移動すると、該金属内に誘導起電流のループ（渦電
流）が生成し、このループの範囲が大きいほど渦電流も
増大して磁場の変動が大きくなるという現象がある。し
たがって、前記ディスプレーサの往復動に伴ない、ディ
スレーサおよびその内部の蓄冷器における蓄冷材が地磁
気などの磁場中で移動することになり、ディスプレーサ
中および蓄冷材中に渦電流が流れる。ここで、蓄冷材ど
うしの間を電気的に絶縁しておけば、隣合う蓄冷材中に
流れる渦電流の向きが互いに逆になるので、蓄冷材中に
流れる渦電流の影響を排除することができる。この結
果、ディスプレーサ中に流れる渦電流の影響が問題にな
る。

【０００６】そして、渦電流が発生すると、特に強磁界
中では発熱の原因になってしまい、極低温冷凍機の冷却
効率を低下させることになる。前記の構成の極低温冷凍
機において、例えば、ディスプレーサとして合成樹脂か
らなるものを採用することが考えられるが、機械的強度
に問題があり、信頼性が低下してしまうので、到底採用
することができない。

【０００７】また、例えば、ＳＱＵＩＤ（超伝導量子干
渉素子；Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＱＵａｎｔ
ｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）を前
記極低温冷凍機によって極低温レベルにまで冷却しよう
とすれば、前記ディスプレーサに発生した渦電流に起因
する磁場をノイズとして検出してしまい、ＳＱＵＩＤを
用いた磁束計の磁場検出感度、精度が低下してしまうと
いう不都合がある。

【０００８】

【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、十分な機械的強度を確保し、磁化、渦電
流の影響を効果的に排除し、もしくは低減し、全体とし
て磁場ノイズを大幅に低減することができる極低温冷凍
機、およびこの極低温冷凍機を用いたＳＱＵＩＤ装置を
提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の極低温冷凍機
は、可動部材としてチタン合金からなるものを採用して
いる。ここで、チタン合金としては、Ｔｉ−６Ａｌ−４
Ｖ、Ｔｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎ、Ｔｉ−１３Ｖ−１１Ｃ
ｒ^-3Ａｌ（１９．６５Ｋにおける電気抵抗がそれぞれ
１．４６９×１０−３、１．３５４×１０^-3、１．５７
４×１０^-3μΩｍ）が例示できるが、これら以外の組成
のチタン合金であっても同様に適用することができる。

【００１０】請求項２の極低温冷凍機は、可動部材がデ
ィスプレーサであり、蓄冷器における蓄冷材どうしが少
なくとも一部において電気的に絶縁されてあるものであ
る。請求項３のＳＱＵＩＤ装置は、請求項１または請求
項２の極低温冷凍機によりＳＱＵＩＤを超伝導動作可能
な極低温にまで冷却するものである。

【００１１】

【作用】請求項１の極低温冷凍機であれば、冷凍機の作
動時、ディスプレーサがシリンダ内で往復動するのに伴
ない、該ディスプレーサに渦電流が発生する。しかし、
ディスプレーサはチタン合金からなるものであり、アル
ミ合金と同程度の非磁性を有しているとともに、アルミ
合金の１／５０（ステンレススチールの数百分の１）程
度の電気伝導率を有しているのであるから、磁化による
影響を著しく低減することができるとともに、渦電流に
よる影響をアルミ合金を採用した場合の１／５０程度に
することができる。もちろん、機械的強度は、アルミ合
金を採用した場合よりも十分に大きい。

【００１２】したがって、極低温冷凍機全体として十分
な磁場源ノイズの低減を達成することができる。請求項
２の極低温冷凍機であれば、可動部材がディスプレーサ
であり、蓄冷器における蓄冷材どうしが少なくとも一部
において電気的に絶縁されてあるので、蓄冷材に発生す
る渦電流をも大幅に低減することができ、この結果、極
低温冷凍機全体として一層の磁場源ノイズの低減を達成
することができる。

【００１３】請求項３のＳＱＵＩＤ装置であれば、請求
項１または請求項２の極低温冷凍機によりＳＱＵＩＤを
超伝導動作可能な極低温にまで冷却するので、極低温冷
凍機がＳＱＵＩＤに及ぼす磁気ノイズを大幅に低減する
ことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面によってこの発明
の実施の態様を詳細に説明する。図１はこの発明の極低
温冷凍機の一実施態様である改良ソルベーサイクルを持
つヘリウム冷凍機の要部を示す要部縦断面図である。１
は図示しない圧縮機で圧縮されたヘリウムガス（冷媒ガ
ス）を膨脹させる膨脹機であり、この膨脹機１は圧縮機
に対し高圧ガス配管（図示せず）および低圧ガス（図示
せず）によって接続されて閉回路が形成されている。

【００１５】前記膨脹機１は、前記高圧ガス配管が接続
される高圧ガス入口２および低圧ガス配管が接続される
低圧ガス出口３を有するバルブハウジング４と、該バル
ブハウジング４の下部に一体的に気密接合され、上側の
大径部５ａおよび下側の小径部５ｂからなる２段構造の
シリンダ５とを備え、前記バルブハウジング４の内部に
は前記高圧ガス入口２に連通するモータ室６と、該モー
タ室６に連通する上下方向の貫通孔７と、前記低圧ガス
出口３に補助オリフィス８を介して連通するサージボリ
ューム室９とが形成されている。

【００１６】また、前記バルブハウジング４とシリンダ
５との接続部には該シリンダ５の上側閉塞端部を構成す
るバルブステム１０が嵌装され、該バルブステム１０は
前記バルブハウジング４の貫通孔７に気密嵌合されたバ
ルブシート部１０ａと、シリンダ大径部５ａの内径より
も小計に形成され、該シリンダ大径部５ａ内上部に垂下
する垂下部１０ｂとを備えてあり、バルブシート部１０
ａの上面と貫通孔７の壁面とで囲まれる空間により、前
記高圧ガス配管にモータ室６を介して連通するバルブ室
１１が形成されている。

【００１７】また、前記バルブステム１０には、上半分
が２つの分岐流路１２ａ，１２ｂに分岐され、かつ前記
バルブ室１１をシリンダ５内に連通する第１ガス流路１
２と、一端が第１ガス流路１２に後述するロータリーバ
ルブ２４の低圧ポート２７を介して連通するとともに、
他端が前記低圧ガス出口３バルブハウジング４に形成し
た連通路１４を介して連通する第２ガス流路１３とが貫
通形成され、両ガス流路１２，１３は、バルブステム１
０上面においてバルブ室１１に対し、第２ガス流路１３
にあってはバルブステム１０中心部分に、第１ガス流路
１２の分岐流路１２ａ，１２ｂにあっては前記第２ガス
流路１３の開口部に対して対称な位置にそれぞれ開口さ
れている。

【００１８】一方、シリンダ５における大径部５ａ内の
上端部には、該シリンダ大径部５ａ内上部に駆動空間１
５を区画形成するほぼカップ形状のスラックピストン１
６がその上端内側面を前記バルブステム１０の垂下部１
０ｂに気密状に摺接せしめた状態で往復動可能に嵌合さ
れ、前記駆動空間１５は前記バルブハウジング４内のサ
ージボリューム室９にオリフィス１７を介して常時連通
している。前記スラックピストン１６は底壁１６ａを有
し、該底壁１６ａにはスラックピストン１６内外を連通
する中心孔１６ｂおよび連通孔１６ｃが貫通形成されて
いる。

【００１９】また、前記シリンダ５内にはディスプレー
サ１８が往復動可能に嵌合されている。該ディスプレー
サ１８は、シリンダ５の大径部５ａ下半部内を摺動する
密閉円筒状の大径部１８ａと、該大径部１８ａ下端に一
体形成され、シリンダ５の小径部５ｂ内を摺動する密閉
円筒状の小径部１８ｂとからなり、このディスプレーサ
１８により、前記スラックピストン１６下方のシリンダ
５内空間が上側から順に中間室１９、第１段膨脹室２０
および第２段膨脹室２１に区画されている。そして、図
示しない連通孔により、前記ディスプレーサ１８の大径
部１８ａ内の空間は前記第１段膨脹室２０に常時連通さ
れ、また小径部１８ｂ内の空間は前記第１段膨脹室２０
および第２段膨脹室２１に常時連通されている。そし
て、このディスプレーサ１８は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ、
Ｔｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎ、Ｔｉ−１３Ｖ−３Ａｌなど
のチタン合金で形成されている。

【００２０】さらに、前記ディスプレーサ１８の大径部
１８ａ上端にはその大径部１８ａ内の空間を前記中間室
１９に連通する管状の係止片２２が一体に突接され、該
係止片２２は前記スラックピストン底壁１６ａの中心孔
１６ｂを貫通してスラックピストン１６内部に所定寸法
だけ延び、その上端部にはピストン底壁１６ａに係合す
るフランジ状の係止部２２ａが一体に形成されており、
スラックピストン１６の上昇時、スラックピストン１６
が所定ストロークだけ上昇した時点でその底壁１６ａと
係止片２２の係止部２２ａとの係合により、ディスプレ
ーサ１８をスラックピストン１６によって駆動して上昇
開始させるように、つまりディスプレーサ１８を所定ス
トロークの遅れをもってスラックピストン１６に追従移
動させるようになされている。

【００２１】また、前記バルブハウジング４のバルブ室
１１内にはモータ室６に配置したバルブモータ２３によ
って回転駆動される切換バルブとしてのロータリーバル
ブ２４が配設され、該ロータリーバルブ２４の切換動作
により、高圧ガス配管つまり高圧ガス配管に連通するバ
ルブ室１１と、低圧ガス配管つまり低圧ガス配管に連通
する連通路１４とをシリンダ５内の中間室１９、第１段
膨脹室２０および第２段膨脹室２１に対し交互に連通す
るようになされている。

【００２２】すなわち、前記ロータリーバルブ２４はバ
ルブモータ２３の出力軸２３ａに回転不能かつ摺動可能
に連結されている。また、バルブ２４上面とバルブモー
タ２３との間にはスプリング２５が縮装されており、こ
のスプリング２５のばね力およびバルブ室１１に導入さ
れた高圧ヘリウムガスの圧力によりロータリーバルブ２
４下面をバルブステム１０上面に対し一定の押圧力で押
し付けるようになされている。

【００２３】一方、ロータリーバルブ２４の下面には、
その半径方向に対向する外周縁から中心方向に所定長さ
だけ切り込んでなる１対の高圧ポート２６，２６と、該
高圧ポート２６，２６に対しロータリーバルブ２４の回
転方向にほぼ９０°の角度間隔をあけて配置され、ロー
タリーバルブ２４下面の中心から外周縁近傍に向かって
直径方向に切り欠いてなる低圧ポート２７とが形成され
ている。

【００２４】そして、バルブモータ２３の駆動によりロ
ータリーバルブ２４がその下面をバルブステム１０上面
に圧接させながら回転して切換動作する際、このロータ
リーバルブ２４の切換動作に応じてスラックピストン１
６およびディスプレーサ１８をシリンダ５内で往復動さ
せ、ロータリーバルブ２４下面の高圧ポート２６，２６
の内端がそれぞれバルブステム１０上面に開口する第１
ガス流路１２に合致したときには、バルブ室１１を高圧
ポート２６，２６および第１ガス流路１２を介してシリ
ンダ５内の中間室１９、第１段膨脹室２０および第２段
膨脹室２１に連通させて、これら各室１９，０，２１に
高圧ヘリウムガスを導入充填することにより、スラック
ピストン１６および該スラックピストン１６によって駆
動されるディスプレーサ１８を上昇させる。一方、バル
ブステム１０上面に開口する第２ガス流路１３に中央に
て常時連通する低圧ポート２７の外端が前記第１ガス流
路１２に合致したときには、前記シリンダ５内の各室１
９，２０，２１を第１ガス流路１２、低圧ポート２７、
第２ガス流路１３および連通路１４を介して低圧ガス出
口３に連通させて、各室１９，２０，２１に充填されて
いるヘリウムガスを低圧ガス配管に排出することによ
り、スラックピストン１６およびディスプレーサ１８を
下降させ、このディスプレーサ１８の下降移動に伴なう
第１段膨脹室２０、第２段膨脹室２１内へのヘリウムガ
スの膨脹によって寒冷を発生するように構成されてい
る。

【００２５】さらに、前記ディスプレーサ１８の大径部
１８ａ内の空間には第１段蓄冷器１８が、また小径部１
８ｂ内の空間には第２段蓄冷器機１９がそれぞれ嵌装さ
れており、これら蓄冷器２８，２９は、Ｔｉ−６Ａｌ−
４Ｖ、Ｔｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎ、Ｔｉ−１３Ｖ−１１
Ｃｒ−３Ａｌなどのチタン合金からなる円筒状容器３０
内に蓄冷材として所定の直径を有する多数の鉛球３１，
３１，・・・（鉛のショット）を充填封入してなり、こ
れら鉛球３１，３１，・・・間の間隙がガス通路とされ
ており、このガス通路を流れるヘリウムガスの冷熱を各
鉛球３１に蓄えるようにしている。すなわち、ディスプ
レーサ１８がシリンダ５内を上昇する吸気工程にあると
きには、前の排気工程で極低温レベルに温度降下した鉛
球３１，３１，・・・を中間室１９から第１段膨脹室２
０または第２段膨脹室２１に向かう常温のヘリウムガス
と接触させて、両者の熱交換によりヘリウムガスを極低
温レベル近くまで冷却する。一方、ディスプレーサ１８
が下降する排気工程にあるときには、各膨脹室２０，２
１での膨脹により極低温レベルに温度降下したヘリウム
ガスをシリンダ５外に排出する途中で鉛球３１，３１，
・・・と接触させて、両者の熱交換により鉛球３１，３
１，・・・極低温レベル近くまで再度冷却するように構
成されている。

【００２６】そして、図２に示すように、前記円筒状容
器３０内に、ベークライト、ウレタンコーティング銅線
製のメッシュ、ポリイミドアミドコーティング銅線製の
メッシュ、テトロン製のメッシュなど、通気性および非
導電性を有する複数枚の仕切り部材３２を円筒状容器３
０の中心軸を基準として回転対称位置に配置するととも
に、円筒状容器３０の中心軸と直交するように所定間隔
ごとに配置して円筒状容器３０内を複数に区画し、各区
画に直径０．１ｍｍ程度の鉛球３１，３１，・・・を充
填封入している。ただし、回転対称位置に配置された仕
切り部材３２または所定間隔ごとに既位置された仕切り
部材の何れかを省略することも可能である。

【００２７】次いで、この実施態様の作用を説明する。
ただし、冷凍機の作用は例えば特開平２−８５６５２号
公報などに示されているように従来公知であるから詳細
な説明を省略し、ディスプレーサ１８および蓄冷器にお
いて発生する渦電流、磁場のみについて以下に説明す
る。前記のようにディスプレーサ１８がシリンダ５内で
往復動するのに伴ない、該ディスプレーサ１８に内蔵さ
れた蓄冷器２８，２９における鉛球３１，３１，・・・
（蓄冷材）が地磁気などの磁場中で移動するので、ディ
スプレーサ１８、円筒状容器３０、および鉛球３１，３
１，・・・に渦電流が発生する。ここで、ディスプレー
サ１８および円筒状容器３０は共にＴｉ−６Ａｌ−４
Ｖ、Ｔｉ−５Ａｌ−２．５Ｓｎ、Ｔｉ−１３Ｖ−１１Ｃ
ｒ−３Ａｌなどのチタン合金からなり、電気伝導率がア
ルミ合金の１／５０程度であるから、発生する渦電流を
大幅に低減することができる。これらに対して鉛球３１
は電気伝導率が大きいのでかなり大きな渦電流が流れ
る。そして、各鉛球３１に発生した渦電流は隣の鉛球３
１に流れる。しかし、この実施態様では、円筒状容器３
０の中心軸を基準とする回転対称位置に配置された仕切
り部材３２および円筒状容器３０の中心軸と直交するよ
うに所定間隔ごとに配置された仕切り部材３２が通気性
および非導電性を有しているのであるから、各鉛球３１
に発生した渦電流が隣の鉛球３１に流れる現象をこれら
の仕切り部材３２により遮断することができ、各区画の
最も外周縁を流れる渦電流を小さくすることができる。
すなわち、各区画の半径は円筒状容器３０の半径よりも
小さいので、半径の減少に比例して渦電流も減少する。
そして、渦電流により発生される磁場は半径の４乗に比
例するのであるから、ディスプレーサ１８の往復動によ
り発生する磁場は著しく減少する。具体的には、仕切り
部材３２により円筒状容器３０を４つに区画した場合に
は、各区画の半径がほぼ１／４になるので、各区画にお
ける渦電流により発生する磁場が１／１６になり、４つ
の区画の全ての渦電流により発生する磁場は１／１６×
４＝１／４になる。また、渦電流による発熱は渦電流の
２乗に比例するのであるから、全体としての発熱も減少
する。

【００２８】この結果、ディスプレーサをアルミ合金で
形成した場合に極低温冷凍機に起因する磁場ノイズが３
０ｐＴ程度であったのに対して、この実施態様を採用す
ることにより、極低温冷凍機に起因する磁場ノイズを５
ｐＴ以下に低減することができた。また、仕切り部材３
２として伝熱性および蓄冷性をも有するものを採用すれ
ば、蓄冷器２８，２９の蓄冷能力を確保することができ
る。ここで、前記した仕切り部材３２は伝熱性および蓄
冷性をも有しているので、蓄冷器２８，２９の蓄冷能力
を確保できる。

【００２９】前記実施態様では、円筒状容器３０内に多
数の鉛球３１，３１，・・・を充填封入してなる蓄冷器
２８，２９を採用してが、鉛球以外の蓄冷材を内蔵した
蓄冷器を採用することもできる。例えば、図３に示すよ
うに、多数の銅網３３，３３，・・・（メッシュ）を多
段に積層してなる蓄冷器を採用する場合には、円筒状容
器３０内を前記実施態様に示すように区画すべく複数の
仕切り部材３２を配置し、仕切り部材３２により区画さ
れた各空間に多数の銅網３３，３３，・・・を多段に積
層すればよく、渦電流、渦電流に起因する発生磁場、渦
電流に起因する発熱を抑制することができる。この結
果、この極低温冷凍機を用いてＳＱＵＩＤを超伝導動作
可能な極低温にまで冷却して、ＳＱＵＩＤを動作させる
場合に、極低温冷凍機がＳＱＵＩＤに及ぼす磁気ノイズ
を大幅に低減することができ、例えば、著しく高感度の
微弱磁場検出を達成できる。

【００３０】また、この発明は、改良ソルベーサイクル
をもちヘリウム冷凍機に限らず、ヘリウムガス以外の冷
媒ガスを使用するもの、改良ソルベーサイクル以外のサ
イクルをもつものに対しても適用できるのはもちろんで
ある。また、前記の実施態様においては、ディスプレー
サ１８をチタン合金からなるものとしているが、ディス
プレーサ１８を収容するシリンダをもチタン合金からな
るものとすることも可能である。

【００３１】

【発明の効果】請求項１の発明は、磁化による影響を皆
無にすることができるとともに、渦電流による影響をア
ルミ合金を採用した場合の１／５０程度にすることがで
き、しかも、機械的強度を、アルミ合金を採用した場合
よりも十分に大きくでき、ひいては、極低温冷凍機全体
として十分な磁場源ノイズの低減を達成することができ
るという特有の効果を奏する。

【００３２】請求項２の発明は、蓄冷材に発生する渦電
流をも大幅に低減することができ、ひいては、極低温冷
凍機全体として一層の磁場源ノイズの低減を達成するこ
とができるという特有の効果を奏する。請求項３の発明
は、極低温冷凍機がＳＱＵＩＤに及ぼす磁気ノイズを大
幅に低減することができるという特有の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の極低温冷凍機の一実施態様である改
良ソルベーサイクルを持つヘリウム冷凍機の要部を示す
要部縦断面図である。

【図２】蓄冷器の構成の一例を概略的に示す斜視図であ
る。

【図３】蓄冷器の構成の他の例を概略的に示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

５ シリンダ １８ ディスプレーサ ２０ 第１段膨脹室 ２１ 第２段膨脹室 ２８ 第１段蓄冷器 ２９ 第２段蓄冷器 ３０ 円筒状容器 ３１ 鉛球 ３２ 仕切り部材

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリンダ（５）と、該シリンダ（５）内
   に往復動可能に嵌装され、かつシリンダ（５）内に膨脹
   室（２０）（２１）を区画形成するディスプレーサ（１
   ８）とを備え、該ディスプレーサ（１８）の往復動によ
   り、圧縮機から供給された冷媒ガスを前記膨脹室（２
   ０）（２１）内で膨脹させて温度降下させるとともに、
   この温度降下した冷媒ガスをディスプレーサ（１８）に
   内蔵した蓄冷器（２８）（２９）を通過させることによ
   って蓄冷するようにした極低温冷凍機において、 可動部材（１８）としてチタン合金からなるものを採用
   していることを特徴とする極低温冷凍機。
2. 【請求項２】 前記可動部材（１８）がディスプレーサ
   （１８）であり、蓄冷器（２８）（２９）における蓄冷
   材どうしが少なくとも一部において電気的に絶縁されて
   ある請求項１に記載の極低温冷凍機。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２の極低温冷凍機
   によりＳＱＵＩＤを超伝導動作可能な極低温にまで冷却
   することを特徴とするＳＱＵＩＤ装置。