JPH09277591A - レーザ光量制御装置および画像形成装置 - Google Patents
レーザ光量制御装置および画像形成装置Info
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- JPH09277591A JPH09277591A JP8094230A JP9423096A JPH09277591A JP H09277591 A JPH09277591 A JP H09277591A JP 8094230 A JP8094230 A JP 8094230A JP 9423096 A JP9423096 A JP 9423096A JP H09277591 A JPH09277591 A JP H09277591A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光部の熱影響を緩和する。
【解決手段】 ピンフォトディテクタ４は発光部１，２
の光量をそれぞれ検知する。その検知結果に応じて、Ｃ
ＰＵ１０は一定時間間隔で交互に発光部１，２の光量制
御を行う。
の光量をそれぞれ検知する。その検知結果に応じて、Ｃ
ＰＵ１０は一定時間間隔で交互に発光部１，２の光量制
御を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を発光す
る発光部を複数有するマルチビーム半導体を制御するレ
ーザ光量制御装置およびこの光量制御装置を使用して画
像形成を行う画像形成装置に関する。
る発光部を複数有するマルチビーム半導体を制御するレ
ーザ光量制御装置およびこの光量制御装置を使用して画
像形成を行う画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザ素子を光量制御装置により
制御する。レーザプリンタ等の画像形成装置はレーザビ
ームを発生させる複数の発光部を有するマルチビーム半
導体（レーザ素子）を使用する場合の光量調整は、１つ
の発光部の光量調整を終了してから、次の発光部の調整
を行うという方法をとっていた。
制御する。レーザプリンタ等の画像形成装置はレーザビ
ームを発生させる複数の発光部を有するマルチビーム半
導体（レーザ素子）を使用する場合の光量調整は、１つ
の発光部の光量調整を終了してから、次の発光部の調整
を行うという方法をとっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例では、後に調整を行う発光部ほど他の発光部からの熱
の影響を大きく受けることになる。一般に、半導体レー
ザ素子はその温度が上がるにしたがって、同じレーザ電
流でも出力光量が減少するため、高温状態で光量調整さ
れた発光部のレーザ電流は結果として大きくなり、特に
マルチビーム半導体のレーザ素子は他の発光部からの熱
影響を受けずに光量調整された一番初めの発光部とは、
同時発光させた場合の出力光量が異なってしまう問題が
あった。
例では、後に調整を行う発光部ほど他の発光部からの熱
の影響を大きく受けることになる。一般に、半導体レー
ザ素子はその温度が上がるにしたがって、同じレーザ電
流でも出力光量が減少するため、高温状態で光量調整さ
れた発光部のレーザ電流は結果として大きくなり、特に
マルチビーム半導体のレーザ素子は他の発光部からの熱
影響を受けずに光量調整された一番初めの発光部とは、
同時発光させた場合の出力光量が異なってしまう問題が
あった。
【０００４】そこで、本発明は、熱の影響を緩和させる
レーザ光量制御装置および画像形成装置を提供すること
を目的とする。
レーザ光量制御装置および画像形成装置を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項１の発明は、複数の発光部を有する半
導体レーザ素子と、前記各発光部の光量を検出するため
の光量検出手段と、該光量検出手段の出力を基に前記各
発光部への電流を制御する光量調整手段とを有し、前記
各発光部の光量調整を一定時間間隔で時分割的に行うこ
とを特徴とする。
るために、請求項１の発明は、複数の発光部を有する半
導体レーザ素子と、前記各発光部の光量を検出するため
の光量検出手段と、該光量検出手段の出力を基に前記各
発光部への電流を制御する光量調整手段とを有し、前記
各発光部の光量調整を一定時間間隔で時分割的に行うこ
とを特徴とする。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１に記載のレー
ザ光量制御装置において、前記時分割的に行う光量調整
時間間隔を徐々に長くすることを特徴とする。
ザ光量制御装置において、前記時分割的に行う光量調整
時間間隔を徐々に長くすることを特徴とする。
【０００７】請求項３の発明は、請求項１に記載のレー
ザ光量制御装置において、前記時分割的に行う光量調整
時間間隔を徐々に短くすることを特徴とする。
ザ光量制御装置において、前記時分割的に行う光量調整
時間間隔を徐々に短くすることを特徴とする。
【０００８】請求項４の発明は、請求項１に記載のレー
ザ光量制御装置において、前記光量調整を行っている発
光部以外の発光部へはレーザ電流を供給しないことを特
徴とする。
ザ光量制御装置において、前記光量調整を行っている発
光部以外の発光部へはレーザ電流を供給しないことを特
徴とする。
【０００９】請求項５の発明は、請求項１に記載のレー
ザ光量制御装置において、前記光量検出手段は前記各発
光部ごとに独立して、複数、存在し、前記光量調整中以
外の発光部へのレーザ電流は前調整サイクルの調整値を
保持することを特徴とする。
ザ光量制御装置において、前記光量検出手段は前記各発
光部ごとに独立して、複数、存在し、前記光量調整中以
外の発光部へのレーザ電流は前調整サイクルの調整値を
保持することを特徴とする。
【００１０】請求項６の発明は、複数の発光部を有する
半導体レーザ素子と、前記各発光部の光量を検出するた
めの光量検出手段と、該光量検出手段の出力を基に前記
各発光部への電流を制御する光量調整手段とを有し、目
標光量までの間に等間隔で複数の中間目標光量値を設
け、該中間目標光量の各々にレーザ光量が達するごとに
光量調整を行う発光部を切り換え、前記各発光部の光量
を徐々に上げることを特徴とする。
半導体レーザ素子と、前記各発光部の光量を検出するた
めの光量検出手段と、該光量検出手段の出力を基に前記
各発光部への電流を制御する光量調整手段とを有し、目
標光量までの間に等間隔で複数の中間目標光量値を設
け、該中間目標光量の各々にレーザ光量が達するごとに
光量調整を行う発光部を切り換え、前記各発光部の光量
を徐々に上げることを特徴とする。
【００１１】請求項７の発明は、請求項６に記載のレー
ザ光量制御装置において、前記中間目標光量値の間隔を
光量が上がるにしたがって徐々に長くすることを特徴と
する。
ザ光量制御装置において、前記中間目標光量値の間隔を
光量が上がるにしたがって徐々に長くすることを特徴と
する。
【００１２】請求項８の発明は、請求項６に記載のレー
ザ光量制御装置において、前記中間目標光量値の間隔を
光量が上がるにしたがって徐々に短くすることを特徴と
する。
ザ光量制御装置において、前記中間目標光量値の間隔を
光量が上がるにしたがって徐々に短くすることを特徴と
する。
【００１３】請求項９の発明は、請求項６に記載のレー
ザ光量制御装置において、前記光量調整を行っている発
光部以外の発光部へは、レーザ電流を供給しないことを
特徴とする。
ザ光量制御装置において、前記光量調整を行っている発
光部以外の発光部へは、レーザ電流を供給しないことを
特徴とする。
【００１４】請求項１０の発明は、前記光量検出手段
は、前記各発光部ごとに独立して複数、存在し、光量調
整中以外の発光部へのレーザ電流は、前調整サイクルで
の調整値を保持することを特徴とする。
は、前記各発光部ごとに独立して複数、存在し、光量調
整中以外の発光部へのレーザ電流は、前調整サイクルで
の調整値を保持することを特徴とする。
【００１５】請求項１１の発明は、請求項１に記載のレ
ーザ光量制御装置を有し、該レーザ光量制御装置を使用
して電子写真方式の画像形成を行うことを特徴とする。
ーザ光量制御装置を有し、該レーザ光量制御装置を使用
して電子写真方式の画像形成を行うことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）図１は電子写真方式で画像形
成を行うレーザプリンタの光量制御装置（制御ユニッ
ト）およびマルチ半導体（レーザユニット）の構成を示
す。図中１はマルチビーム半導体レーザで、内部には２
つの発光部（発光部２と発光部３）と、該発光部２，３
の光量を検出するための光量検出手段たるピンフォトデ
ィテクタ４を有している。該ピンフォトディテクタ４か
らの発光部光量に応じた出力電流（Ｉｐｄ）は、抵抗５
によって電流・電圧変換されてから、オペアンプ６，３
３、出力保護抵抗９，３６、入力抵抗７，３４、帰還抵
抗８，３５、可変抵抗３７，３８によって構成された増
幅率可変な増幅回路を介して、レーザ光量調整手段たる
ＣＰＵ１０に各発光部の光量検出信号（ＰＤＩＮ１，Ｐ
ＤＩＮ２）として伝えられる。この際、アパーチャ（し
ぼり）後のレーザ光量、すなわち感光ドラム面上での光
量が所望の時に、各光量検出信号（ＰＤＩＮ１，ＰＤＩ
Ｎ２）が設定値（Ｖｐｄ）となるように各増幅回路の増
幅率が調整される。
成を行うレーザプリンタの光量制御装置（制御ユニッ
ト）およびマルチ半導体（レーザユニット）の構成を示
す。図中１はマルチビーム半導体レーザで、内部には２
つの発光部（発光部２と発光部３）と、該発光部２，３
の光量を検出するための光量検出手段たるピンフォトデ
ィテクタ４を有している。該ピンフォトディテクタ４か
らの発光部光量に応じた出力電流（Ｉｐｄ）は、抵抗５
によって電流・電圧変換されてから、オペアンプ６，３
３、出力保護抵抗９，３６、入力抵抗７，３４、帰還抵
抗８，３５、可変抵抗３７，３８によって構成された増
幅率可変な増幅回路を介して、レーザ光量調整手段たる
ＣＰＵ１０に各発光部の光量検出信号（ＰＤＩＮ１，Ｐ
ＤＩＮ２）として伝えられる。この際、アパーチャ（し
ぼり）後のレーザ光量、すなわち感光ドラム面上での光
量が所望の時に、各光量検出信号（ＰＤＩＮ１，ＰＤＩ
Ｎ２）が設定値（Ｖｐｄ）となるように各増幅回路の増
幅率が調整される。
【００１８】ＣＰＵ１０の内部には光量検出信号（ＰＤ
ＩＮ１，ＰＤＩＮ２）を取り込むためのアナログ・デジ
タル変換入力ポート（以下Ａ／Ｄポートと記す）１１を
有している。１６はデジタル・アナログ変換出力ポート
（以下Ｄ／Ａポートと記す）であり、８ビットの出力が
加算回路１１７、加算回路２１８にそれぞれ２組づつ入
力されている。加算回路１７，１８内では２入力に対し
て重み付けを変えて、粗調と微調とし、加算結果を半導
体レーザの定電流電源１９，２０に入力しており、定電
流電源１９，２０では各加算回路１７，１８からの入力
電圧に応じた電流値を差動スイッチング回路２１，２２
を介して各発光部に供給している。
ＩＮ１，ＰＤＩＮ２）を取り込むためのアナログ・デジ
タル変換入力ポート（以下Ａ／Ｄポートと記す）１１を
有している。１６はデジタル・アナログ変換出力ポート
（以下Ｄ／Ａポートと記す）であり、８ビットの出力が
加算回路１１７、加算回路２１８にそれぞれ２組づつ入
力されている。加算回路１７，１８内では２入力に対し
て重み付けを変えて、粗調と微調とし、加算結果を半導
体レーザの定電流電源１９，２０に入力しており、定電
流電源１９，２０では各加算回路１７，１８からの入力
電圧に応じた電流値を差動スイッチング回路２１，２２
を介して各発光部に供給している。
【００１９】これらにより、ＣＰＵ１０では各光量検出
信号（ＰＤＩＮ１，ＰＤＩＮ２）が目標電圧（Ｖｐｄ）
と等しくなるようにＤ／Ａポート１６の各出力を変化さ
せ、レーザ電流を制御する。２３は強制発光信号（ＵＢ
Ｌ１，ＵＢＬ２）を出力するための入出力ポート（以下
Ｉ／Ｏポートと記す）で、強制発光信号（ＵＢＬ１，Ｕ
ＢＬ２）は画像信号（ＶＤＯ１，ＶＤＯ２）とともにＡ
ＮＤ（アンド）回路２４，２５に入力されている。強制
発光信号（ＵＢＬ１，ＵＢＬ２）か画像信号（ＶＤＯ
１，ＶＤＯ２）のいずれかがＬＯＷ（ロー）レベルにな
るとＬＯＷ出力が前記差動スイッチング回路２１，２２
に入力される。定電流電源１９，２０からの電流が半導
体レーザ側に供給され、半導体レーザを発光させる。Ｃ
ＰＵ１０内部にはその他に、演算装置（以下ＡＬＵと記
す）２６、記憶手段たるＲＯＭ２７，ＲＡＭ２８Ｍ、な
らびにタイマ２９等が配設されている。
信号（ＰＤＩＮ１，ＰＤＩＮ２）が目標電圧（Ｖｐｄ）
と等しくなるようにＤ／Ａポート１６の各出力を変化さ
せ、レーザ電流を制御する。２３は強制発光信号（ＵＢ
Ｌ１，ＵＢＬ２）を出力するための入出力ポート（以下
Ｉ／Ｏポートと記す）で、強制発光信号（ＵＢＬ１，Ｕ
ＢＬ２）は画像信号（ＶＤＯ１，ＶＤＯ２）とともにＡ
ＮＤ（アンド）回路２４，２５に入力されている。強制
発光信号（ＵＢＬ１，ＵＢＬ２）か画像信号（ＶＤＯ
１，ＶＤＯ２）のいずれかがＬＯＷ（ロー）レベルにな
るとＬＯＷ出力が前記差動スイッチング回路２１，２２
に入力される。定電流電源１９，２０からの電流が半導
体レーザ側に供給され、半導体レーザを発光させる。Ｃ
ＰＵ１０内部にはその他に、演算装置（以下ＡＬＵと記
す）２６、記憶手段たるＲＯＭ２７，ＲＡＭ２８Ｍ、な
らびにタイマ２９等が配設されている。
【００２０】次に、このような構成において、実行され
る光量制御を図２のフローチャートで説明する。図２お
よび図３のレーザの光量制御（Auto Power Control：以
下ＡＰＣと記す）がＣＰＵ１０において開始されるとＣ
ＰＵ１０はＳ１０１で各発光部への粗調（Ｍ１粗，Ｍ２
粗）、微調（Ｍ１微，Ｍ２微）出力の記憶値を０（ゼ
ロ）にリセットしＳ１０２，Ｓ１０３で発光部１のＡＰ
Ｃを開始する。
る光量制御を図２のフローチャートで説明する。図２お
よび図３のレーザの光量制御（Auto Power Control：以
下ＡＰＣと記す）がＣＰＵ１０において開始されるとＣ
ＰＵ１０はＳ１０１で各発光部への粗調（Ｍ１粗，Ｍ２
粗）、微調（Ｍ１微，Ｍ２微）出力の記憶値を０（ゼ
ロ）にリセットしＳ１０２，Ｓ１０３で発光部１のＡＰ
Ｃを開始する。
【００２１】発光部１のＡＰＣ制御ではＣＰＵ１０はま
ずＡＰＣ時間をカウントするタイＭ（ＴＩＭＥＲ）を０
（ゼロ）にリセットし（Ｓ１０４）、カウントを開始す
る（Ｓ１０５）。次に粗調、微調のＤ／Ａ出力ポートの
出力値（Ｖ１粗，Ｖ１微）に記憶値を設定し（Ｓ１０
６）、発光部１にレーザ電流を供給するために強制発光
信号（ＵＢＬ１* ）をオン（ここではＵＢＬ１* はＬＯ
Ｗ ＴＲＵＥであるからＬＯＷ）に設定する（Ｓ１０
７）。
ずＡＰＣ時間をカウントするタイＭ（ＴＩＭＥＲ）を０
（ゼロ）にリセットし（Ｓ１０４）、カウントを開始す
る（Ｓ１０５）。次に粗調、微調のＤ／Ａ出力ポートの
出力値（Ｖ１粗，Ｖ１微）に記憶値を設定し（Ｓ１０
６）、発光部１にレーザ電流を供給するために強制発光
信号（ＵＢＬ１* ）をオン（ここではＵＢＬ１* はＬＯ
Ｗ ＴＲＵＥであるからＬＯＷ）に設定する（Ｓ１０
７）。
【００２２】この後、ＣＰＵ１０はレーザ光量をターゲ
ット値に上げていくための演算処理を行い粗調値（Ｖ１
粗）と微調値（Ｖ１微）を決定し（Ｓ１０８）、出力す
る（Ｓ１０９）。ピンフォトディテクタ４等の時定数を
考慮するためにＣＰＵ１０は一定時間（Ｔｐｄ）のイン
ターバルをあけ（Ｓ１１０）、光量検出信号（ＰＤＩＮ
１）の値を検出する（Ｓ１１１）。この検出値（ＰＤＩ
Ｎ１）が目標電圧（Ｖｐｄ）に達したのかの判断をする
（Ｓ１１２）。目標電圧（Ｖｐｄ）に達していない場合
でかつ発光部２のＡＰＣが完了している場合（Ｓ１１３
のＹＥＳの判定）か、ＡＰＣ時間をカウントしている前
記タイマ（ＴＩＭＥＲ）が所定時間（Ｔａ）に達してい
ない場合（Ｓ１１４のＮＯ判定）には、手順をＳ１０８
に戻しさらにレーザ光量を上げていくための演算処理を
繰り返す。発光部２のＡＰＣが完了してなく（Ｓ１１３
のＮＯ判定）、かつ前記タイマ（ＴＩＭＥＲ）が所定時
間（Ｔａ）に達した場合（Ｓ１１４のＹＥＳ判定）、も
しくは光量検出値（ＰＤＩＮ１）が目標電圧（Ｖｐｄ）
に達し（Ｓ１１２のＹＥＳ判定）、発光部１のＡＰＣが
完了したことの設定をした（Ｓ１１５）後、発光部２の
ＡＰＣが完了していない場合（Ｓ１１６のＮＯ判定）に
は、粗調、微調のＤ／Ａ出力ポートの出力値（Ｖ１粗，
Ｖ１微）を記憶値として設定する（Ｓ１１７）。次に、
粗調，微調のＤ／Ａ出力ポートの出力値（Ｖ１粗，Ｖ１
微）を０（ゼロ）にリセットし、出力する（Ｓ１１
９）。そして発光部１へのレーザ電流をカットするため
に強制発光信号（ＵＢＬ１* ）をオフする（Ｓ１２
０）。これで発光部１のＡＰＣ１サイクルが終了し、Ｃ
ＰＵ１０は次に発光部２のＡＰＣを開始する。発光部２
のＡＰＣ制御（Ｓ１２１〜Ｓ１３７）は以上説明した発
光部１のＡＰＣ制御（Ｓ１０４〜Ｓ１２０）と同様であ
る。
ット値に上げていくための演算処理を行い粗調値（Ｖ１
粗）と微調値（Ｖ１微）を決定し（Ｓ１０８）、出力す
る（Ｓ１０９）。ピンフォトディテクタ４等の時定数を
考慮するためにＣＰＵ１０は一定時間（Ｔｐｄ）のイン
ターバルをあけ（Ｓ１１０）、光量検出信号（ＰＤＩＮ
１）の値を検出する（Ｓ１１１）。この検出値（ＰＤＩ
Ｎ１）が目標電圧（Ｖｐｄ）に達したのかの判断をする
（Ｓ１１２）。目標電圧（Ｖｐｄ）に達していない場合
でかつ発光部２のＡＰＣが完了している場合（Ｓ１１３
のＹＥＳの判定）か、ＡＰＣ時間をカウントしている前
記タイマ（ＴＩＭＥＲ）が所定時間（Ｔａ）に達してい
ない場合（Ｓ１１４のＮＯ判定）には、手順をＳ１０８
に戻しさらにレーザ光量を上げていくための演算処理を
繰り返す。発光部２のＡＰＣが完了してなく（Ｓ１１３
のＮＯ判定）、かつ前記タイマ（ＴＩＭＥＲ）が所定時
間（Ｔａ）に達した場合（Ｓ１１４のＹＥＳ判定）、も
しくは光量検出値（ＰＤＩＮ１）が目標電圧（Ｖｐｄ）
に達し（Ｓ１１２のＹＥＳ判定）、発光部１のＡＰＣが
完了したことの設定をした（Ｓ１１５）後、発光部２の
ＡＰＣが完了していない場合（Ｓ１１６のＮＯ判定）に
は、粗調、微調のＤ／Ａ出力ポートの出力値（Ｖ１粗，
Ｖ１微）を記憶値として設定する（Ｓ１１７）。次に、
粗調，微調のＤ／Ａ出力ポートの出力値（Ｖ１粗，Ｖ１
微）を０（ゼロ）にリセットし、出力する（Ｓ１１
９）。そして発光部１へのレーザ電流をカットするため
に強制発光信号（ＵＢＬ１* ）をオフする（Ｓ１２
０）。これで発光部１のＡＰＣ１サイクルが終了し、Ｃ
ＰＵ１０は次に発光部２のＡＰＣを開始する。発光部２
のＡＰＣ制御（Ｓ１２１〜Ｓ１３７）は以上説明した発
光部１のＡＰＣ制御（Ｓ１０４〜Ｓ１２０）と同様であ
る。
【００２３】本制御を実行した場合の時間の経過に伴う
発光部の温度変化の様子を図４に参考のために示す。
発光部の温度変化の様子を図４に参考のために示す。
【００２４】以上説明したように、本実施例によれば図
４に示すように各発光部（発光部１，２）の光量調整を
一定時間間隔で時分割的に行うことにより、光量調整時
における他の発光部からの熱の影響を、各発光部ともほ
ぼ同程度にすることができ、発光部による出力光量の差
を減少させることができる。
４に示すように各発光部（発光部１，２）の光量調整を
一定時間間隔で時分割的に行うことにより、光量調整時
における他の発光部からの熱の影響を、各発光部ともほ
ぼ同程度にすることができ、発光部による出力光量の差
を減少させることができる。
【００２５】（実施例２）以下、実施例２を図面に基づ
いて説明する。ただしハード的なシステム構成に関して
は実施例１と同じであるため説明は省略する。
いて説明する。ただしハード的なシステム構成に関して
は実施例１と同じであるため説明は省略する。
【００２６】図５および図６は本実施例の制御内容を示
すフローチャートである。実施例１と異なる点は１サイ
クルのレーザＡＰＣ時間を徐々に長くするために、Ｓ２
０４で各発光部のＡＰＣサイクル数（ＣＹＣ１，ＣＹＣ
２）を０（ゼロ）にリセットし、ＡＰＣ開始ごとにサイ
クル数をカウントアップする（Ｓ２０５，Ｓ２２４）。
そして１サイクルのレーザＡＰＣ時間（Ｔａ）を（ＴＡ
＋ＣＹＣ１×ＴＢ，ＴＡ＋ＣＹＣ２×ＴＢ）の式によっ
て算出している（Ｓ２０６，Ｓ２２５）点である。
すフローチャートである。実施例１と異なる点は１サイ
クルのレーザＡＰＣ時間を徐々に長くするために、Ｓ２
０４で各発光部のＡＰＣサイクル数（ＣＹＣ１，ＣＹＣ
２）を０（ゼロ）にリセットし、ＡＰＣ開始ごとにサイ
クル数をカウントアップする（Ｓ２０５，Ｓ２２４）。
そして１サイクルのレーザＡＰＣ時間（Ｔａ）を（ＴＡ
＋ＣＹＣ１×ＴＢ，ＴＡ＋ＣＹＣ２×ＴＢ）の式によっ
て算出している（Ｓ２０６，Ｓ２２５）点である。
【００２７】ここでＴＡは固定定数値、ＴＢは１サイク
ルごとに増加するＡＰＣ時間であるが、定数ＴＡ，ＴＢ
は各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自体の熱容量等、ま
たレーザ光量調整の演算方法からレーザ素子、制御回
路、制御方式を含めた制御系にあわせて最適値に設定す
る。また本実施例では一次方程式によってＡＰＣ時間を
算出したが、制御系によっては別の式によって算出して
もよい。本制御によるレーザＡＰＣの温度変化を参考の
ために図７に示しておく。
ルごとに増加するＡＰＣ時間であるが、定数ＴＡ，ＴＢ
は各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自体の熱容量等、ま
たレーザ光量調整の演算方法からレーザ素子、制御回
路、制御方式を含めた制御系にあわせて最適値に設定す
る。また本実施例では一次方程式によってＡＰＣ時間を
算出したが、制御系によっては別の式によって算出して
もよい。本制御によるレーザＡＰＣの温度変化を参考の
ために図７に示しておく。
【００２８】以上説明したように、本発明によれば時分
割的に行う光量調整時間間隔を徐々に長くすることによ
り、レーザ電流の増加が大きく発熱量の増加も大きい光
量調整前半では、発光間隔を短くすることができ、これ
らにより各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自体の熱容量
が大きく、熱時定数の大きいレーザアレイを使用した場
合でも、光量調整時における他の発光部からの熱の影響
を、各発光部ともほぼ同程度にすることができ、発光部
による出力光量の差を減少させることができる。
割的に行う光量調整時間間隔を徐々に長くすることによ
り、レーザ電流の増加が大きく発熱量の増加も大きい光
量調整前半では、発光間隔を短くすることができ、これ
らにより各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自体の熱容量
が大きく、熱時定数の大きいレーザアレイを使用した場
合でも、光量調整時における他の発光部からの熱の影響
を、各発光部ともほぼ同程度にすることができ、発光部
による出力光量の差を減少させることができる。
【００２９】（実施例３）以下、実施例３を図面に基づ
いて説明する。ただしシステム構成に関しては実施例１
と同じであるため説明は省略する。図８および図９は本
実施例の制御内容を示すフローチャートである。実施例
２と異なる点は１サイクルのレーザＡＰＣ時間を徐々に
短くするために１サイクルのレーザＡＰＣ時間（Ｔａ）
を（ＴＡ−ＣＹＣ１×ＴＢ，ＴＡ−ＣＹＣ２×ＴＢ）の
式によって算出している（Ｓ３０１，Ｓ３０２）点であ
る。
いて説明する。ただしシステム構成に関しては実施例１
と同じであるため説明は省略する。図８および図９は本
実施例の制御内容を示すフローチャートである。実施例
２と異なる点は１サイクルのレーザＡＰＣ時間を徐々に
短くするために１サイクルのレーザＡＰＣ時間（Ｔａ）
を（ＴＡ−ＣＹＣ１×ＴＢ，ＴＡ−ＣＹＣ２×ＴＢ）の
式によって算出している（Ｓ３０１，Ｓ３０２）点であ
る。
【００３０】ここでＴＡは固定定数値、ＴＢは１サイク
ルごとに減少するＡＰＣ時間であるが、定数ＴＡ，ＴＢ
はレーザ素子と外部環境間の熱抵抗やレーザ素子自体の
熱容量等、またレーザ光量調整の演算方式からレーザ素
子、制御回路、制御方式を含めた制御系に合わせて最適
値に設定する。
ルごとに減少するＡＰＣ時間であるが、定数ＴＡ，ＴＢ
はレーザ素子と外部環境間の熱抵抗やレーザ素子自体の
熱容量等、またレーザ光量調整の演算方式からレーザ素
子、制御回路、制御方式を含めた制御系に合わせて最適
値に設定する。
【００３１】また本実施例では一次方程式によってＡＰ
Ｃ時間を算出したが、制御系によっては別の式によって
算出してもよい。本制御によるレーザＡＰＣの温度変化
を参考のために図１０に示す。
Ｃ時間を算出したが、制御系によっては別の式によって
算出してもよい。本制御によるレーザＡＰＣの温度変化
を参考のために図１０に示す。
【００３２】以上説明したように、本発明によれば時分
割的に行う光量調整時間間隔を徐々に短くすることによ
り、レーザ電流が大きく発熱量も大きい光量調整後半で
は、発光時間を短くすることができ、これらにより、熱
容量の小さいレーザ素子や、レーザ素子と外部環境との
熱抵抗が小さいレーザアレイを使用した場合でも、光量
調整ときにおける他の発光部からの熱の影響を、各発光
部ともほぼ同程度にすることができ、発光部による出力
光量の差を減少させることができる。
割的に行う光量調整時間間隔を徐々に短くすることによ
り、レーザ電流が大きく発熱量も大きい光量調整後半で
は、発光時間を短くすることができ、これらにより、熱
容量の小さいレーザ素子や、レーザ素子と外部環境との
熱抵抗が小さいレーザアレイを使用した場合でも、光量
調整ときにおける他の発光部からの熱の影響を、各発光
部ともほぼ同程度にすることができ、発光部による出力
光量の差を減少させることができる。
【００３３】（実施例４）以下、実施例４を図面に基づ
いて説明する。ただし構成図に関しては実施例１と同じ
であるため説明は省略する。図１１および図１２は本実
施例の制御内容を示すフローチャートである。まず、レ
ーザの光量制御が開始されると（Ｓ４０１）、各発光部
への粗調（Ｍ１粗，Ｍ２粗）、微調（Ｍ１微，Ｍ２微）
出力の記憶値と各発光部のＡＰＣサイクル数（ＣＹＣ
１，ＣＹＣ２）を０（ゼロ）にリセットし（Ｓ４０２，
Ｓ４０３，Ｓ４０４）、発光部１のＡＰＣを開始する。
発光部１のＡＰＣ制御ではまずＡＰＣサイクル数をカウ
ントアップし（Ｓ４０５）、中間目標光量値（Ｖａ）を
（Ｖｐｄ×ＣＹＣ１÷１０）の式によって算出する（Ｓ
４０６）。
いて説明する。ただし構成図に関しては実施例１と同じ
であるため説明は省略する。図１１および図１２は本実
施例の制御内容を示すフローチャートである。まず、レ
ーザの光量制御が開始されると（Ｓ４０１）、各発光部
への粗調（Ｍ１粗，Ｍ２粗）、微調（Ｍ１微，Ｍ２微）
出力の記憶値と各発光部のＡＰＣサイクル数（ＣＹＣ
１，ＣＹＣ２）を０（ゼロ）にリセットし（Ｓ４０２，
Ｓ４０３，Ｓ４０４）、発光部１のＡＰＣを開始する。
発光部１のＡＰＣ制御ではまずＡＰＣサイクル数をカウ
ントアップし（Ｓ４０５）、中間目標光量値（Ｖａ）を
（Ｖｐｄ×ＣＹＣ１÷１０）の式によって算出する（Ｓ
４０６）。
【００３４】ここでＣｐｄは光量検出信号の最終目標光
量値であり、ＡＰＣの１サイクルでは光量検出信号を最
終目標光量値の１０分の１ずつ上げてゆく。ＡＰＣは各
発光部とも最大１０サイクル行うことになるが制御系に
よっては１０サイクル以外のサイクル数に設定してもよ
い。
量値であり、ＡＰＣの１サイクルでは光量検出信号を最
終目標光量値の１０分の１ずつ上げてゆく。ＡＰＣは各
発光部とも最大１０サイクル行うことになるが制御系に
よっては１０サイクル以外のサイクル数に設定してもよ
い。
【００３５】次に粗調，微調のＤ／Ａ出力ポートの出力
値（Ｖ１粗，Ｖ１微）に記憶値を設定（Ｓ４０７）し、
発光部１にレーザ電流を供給するために強制発光信号
（ＵＢＬ１* ）をオン（Ｓ４０８）した後、レーザ光量
をターゲット値に上げていくための演算処理を行い粗調
値（Ｖ１粗）と微調値（Ｖ１微）を決定し（Ｓ４０
９）、出力する（Ｓ４１０）。
値（Ｖ１粗，Ｖ１微）に記憶値を設定（Ｓ４０７）し、
発光部１にレーザ電流を供給するために強制発光信号
（ＵＢＬ１* ）をオン（Ｓ４０８）した後、レーザ光量
をターゲット値に上げていくための演算処理を行い粗調
値（Ｖ１粗）と微調値（Ｖ１微）を決定し（Ｓ４０
９）、出力する（Ｓ４１０）。
【００３６】ピンフォトディテクタ４等の時定数を考慮
するために一定時間（Ｔｐｄ）のインターバルをあけ
（Ｓ４１１）、光量検出信号（ＰＤＩＮ１）の値を検出
する（Ｓ４１２）。この検出値（ＰＤＩＮ１）が目標電
圧（Ｖｐｄ）に達したかの判断をし（Ｓ４１３）、達し
ていない場合でかつ発光部２のＡＰＣが完了している場
合（Ｓ４１４）か、光量検出信号（ＰＤＩＮ１）が中間
目標光量（Ｖａ）に達していない場合（Ｓ４１５）に
は、さらにレーザ光量を上げていくための演算処理（Ｓ
４０９）を繰り返す。
するために一定時間（Ｔｐｄ）のインターバルをあけ
（Ｓ４１１）、光量検出信号（ＰＤＩＮ１）の値を検出
する（Ｓ４１２）。この検出値（ＰＤＩＮ１）が目標電
圧（Ｖｐｄ）に達したかの判断をし（Ｓ４１３）、達し
ていない場合でかつ発光部２のＡＰＣが完了している場
合（Ｓ４１４）か、光量検出信号（ＰＤＩＮ１）が中間
目標光量（Ｖａ）に達していない場合（Ｓ４１５）に
は、さらにレーザ光量を上げていくための演算処理（Ｓ
４０９）を繰り返す。
【００３７】発光部２のＡＰＣが完了してなく（Ｓ４１
４）、かつ光量検出信号（ＰＤＩＮ１）が中間目標光量
値（Ｖａ）に達した場合（Ｓ４１５）、もしくは光量検
出値（ＰＤＩＮ１）が目標電圧（Ｖｐｄ）に達し（Ｓ４
１３）、発光部１のＡＰＣが完了したことの設定をした
（Ｓ４１６）後、発光部２のＡＰＣが完了していない場
合（Ｓ４１７）には、粗調，微調のＤ／Ａ出力ポートの
出力値（Ｖ１粗，Ｖ１微）を記憶値として設定し（Ｓ４
１８）、粗調，微調のＤ／Ａ出力ポートの出力値（Ｖ１
粗，Ｖ１微）を０（ゼロ）にリセット（Ｓ４１９）、出
力する（Ｓ４２０）。
４）、かつ光量検出信号（ＰＤＩＮ１）が中間目標光量
値（Ｖａ）に達した場合（Ｓ４１５）、もしくは光量検
出値（ＰＤＩＮ１）が目標電圧（Ｖｐｄ）に達し（Ｓ４
１３）、発光部１のＡＰＣが完了したことの設定をした
（Ｓ４１６）後、発光部２のＡＰＣが完了していない場
合（Ｓ４１７）には、粗調，微調のＤ／Ａ出力ポートの
出力値（Ｖ１粗，Ｖ１微）を記憶値として設定し（Ｓ４
１８）、粗調，微調のＤ／Ａ出力ポートの出力値（Ｖ１
粗，Ｖ１微）を０（ゼロ）にリセット（Ｓ４１９）、出
力する（Ｓ４２０）。
【００３８】そして発光部１へのレーザ電流をカットす
るために強制発光信号（ＵＢＬ１*）をオフする（Ｓ４
２１）。これで発光部１のＡＰＣ１サイクルが終了し、
次に発光部２のＡＰＣを開始する。発光部２のＡＰＣ制
御（Ｓ４２２〜Ｓ４３８）は以上説明した発光部１のＡ
ＰＣ制御（Ｓ４０５〜Ｓ４２１）と同様である。本制御
によるレーザＡＰＣの温度変更を図１３に示しておく。
るために強制発光信号（ＵＢＬ１*）をオフする（Ｓ４
２１）。これで発光部１のＡＰＣ１サイクルが終了し、
次に発光部２のＡＰＣを開始する。発光部２のＡＰＣ制
御（Ｓ４２２〜Ｓ４３８）は以上説明した発光部１のＡ
ＰＣ制御（Ｓ４０５〜Ｓ４２１）と同様である。本制御
によるレーザＡＰＣの温度変更を図１３に示しておく。
【００３９】以上説明したように、本発明によれば目標
光量までの間に等間隔で複数の中間目標光量を設け、中
間目標光量値にレーザ光量が達するごとに調整を行う発
光部を切り換えることにより、同調整サイクルでの各発
光部の消費電力は等しくない、光量調整時における他の
発光部からの熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度にす
ることができ、発光部による出力光量の差を減少させる
ことができる。
光量までの間に等間隔で複数の中間目標光量を設け、中
間目標光量値にレーザ光量が達するごとに調整を行う発
光部を切り換えることにより、同調整サイクルでの各発
光部の消費電力は等しくない、光量調整時における他の
発光部からの熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度にす
ることができ、発光部による出力光量の差を減少させる
ことができる。
【００４０】（実施例５）以下、実施例５を図面に基づ
いて説明する。ただしシステム構成に関しては実施例１
と同じであるため説明は省略する。
いて説明する。ただしシステム構成に関しては実施例１
と同じであるため説明は省略する。
【００４１】図１４および図１５は本実施例の制御内容
を示すフローチャートである。実施例４と異なる点は中
間目標光量値（Ｖａ）の間隔を光量が上がるにしたがっ
て徐々に長くするために、中間目標光量値（Ｖａ）の算
出を（Ｖｐｄ×ＣＹＣ１＾２÷１００，Ｖｐｄ×ＣＹＣ
１＾２÷１００）の式によって行っている（Ｓ５０１，
Ｓ５０２）点である。
を示すフローチャートである。実施例４と異なる点は中
間目標光量値（Ｖａ）の間隔を光量が上がるにしたがっ
て徐々に長くするために、中間目標光量値（Ｖａ）の算
出を（Ｖｐｄ×ＣＹＣ１＾２÷１００，Ｖｐｄ×ＣＹＣ
１＾２÷１００）の式によって行っている（Ｓ５０１，
Ｓ５０２）点である。
【００４２】ここで本実施例ではトータルサイクル数を
１０サイクルに設定しているが、制御系によっては１０
サイクル以外のサイクル数に設定してもよい。また本実
施例では二次方程式によってＡＰＣ時間を算出したが、
制御系によっては別の式によて算出してもよい。本制御
によるレーザＡＰＣの温度変化を図１６に示す。
１０サイクルに設定しているが、制御系によっては１０
サイクル以外のサイクル数に設定してもよい。また本実
施例では二次方程式によってＡＰＣ時間を算出したが、
制御系によっては別の式によて算出してもよい。本制御
によるレーザＡＰＣの温度変化を図１６に示す。
【００４３】以上説明したように、本発明によれば中間
目標光量値の間隔を光量が上がるにしたがって徐々に長
くすることにより、各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自
体の熱容量が大きく、熱時定数の大きいレーザアレイを
使用した場合でも、光量調整時における他の発光部から
の熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度にすることがで
き、発光部による出力光量の差を減少させることができ
る。
目標光量値の間隔を光量が上がるにしたがって徐々に長
くすることにより、各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自
体の熱容量が大きく、熱時定数の大きいレーザアレイを
使用した場合でも、光量調整時における他の発光部から
の熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度にすることがで
き、発光部による出力光量の差を減少させることができ
る。
【００４４】（実施例６）以下、実施例６を図面に基づ
いて説明する。ただしシステム構成に関しては実施例１
と同じであるため説明は省略する。図１７および図１８
は本実施例の制御内容を示すフローチャートである。実
施例４と異なる点は中間目標光量値（Ｖａ）の間隔を光
量が上がるにしたがって徐々に短くするために、中間目
標光量値（Ｖａ）の算出を（Ｖｐｄ×（ＣＹＣ１÷１
０）＾０．５，Ｖｐｄ×（ＣＹＣ２÷１０）＾０．５）
の式によって行っている（Ｓ６０１，Ｓ６０２）点であ
る。
いて説明する。ただしシステム構成に関しては実施例１
と同じであるため説明は省略する。図１７および図１８
は本実施例の制御内容を示すフローチャートである。実
施例４と異なる点は中間目標光量値（Ｖａ）の間隔を光
量が上がるにしたがって徐々に短くするために、中間目
標光量値（Ｖａ）の算出を（Ｖｐｄ×（ＣＹＣ１÷１
０）＾０．５，Ｖｐｄ×（ＣＹＣ２÷１０）＾０．５）
の式によって行っている（Ｓ６０１，Ｓ６０２）点であ
る。
【００４５】ここで本実施例ではトータサイクル数を１
０サイクルに設定しているが、制御系によっては１０サ
イクル以外のサイクル数に設定しもよい。また本実施例
では平方根によってＡＰＣ時間を算出したが、制御系に
よっては別の式によって算出してもよい。本制御による
レーザＡＰＣの温度変化を図１９に示す。
０サイクルに設定しているが、制御系によっては１０サ
イクル以外のサイクル数に設定しもよい。また本実施例
では平方根によってＡＰＣ時間を算出したが、制御系に
よっては別の式によって算出してもよい。本制御による
レーザＡＰＣの温度変化を図１９に示す。
【００４６】以上説明したように、本発明によれば中間
目標光量値の間隔を光量が上がるにしたがって徐々に短
くすることにより、熱容量の小さいレーザ素子や、レー
ザ素子と外部環境との熱抵抗が小さいレーザアレイを使
用した場合でも、光量調整時における他の発光部からの
熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度にすることがで
き、発光部による出力光量の差を減少させることができ
る。
目標光量値の間隔を光量が上がるにしたがって徐々に短
くすることにより、熱容量の小さいレーザ素子や、レー
ザ素子と外部環境との熱抵抗が小さいレーザアレイを使
用した場合でも、光量調整時における他の発光部からの
熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度にすることがで
き、発光部による出力光量の差を減少させることができ
る。
【００４７】（実施例７）以下、実施例７を図面に基づ
いて説明する。図２０は本実施例の構成を示す。実施例
４と異なる点はマルチビーム半導体レーザ１の内部にさ
らにピンフォトディテクタ５０を新たに設け、発光部１
２の光量検出はピンフォトディテクタ４、発光部２３の
光量検出はピンフォトディテクタ５０で独立に行われて
いる点である。抵抗５１はピンフォトディテクタ５０か
らの出力電流（Ｉｐｄ２）を電流・電圧変換するための
ものである。
いて説明する。図２０は本実施例の構成を示す。実施例
４と異なる点はマルチビーム半導体レーザ１の内部にさ
らにピンフォトディテクタ５０を新たに設け、発光部１
２の光量検出はピンフォトディテクタ４、発光部２３の
光量検出はピンフォトディテクタ５０で独立に行われて
いる点である。抵抗５１はピンフォトディテクタ５０か
らの出力電流（Ｉｐｄ２）を電流・電圧変換するための
ものである。
【００４８】図２１および図２２は本実施例の制御内容
を示すフローチャートである。実施例４と異なる点は発
光部１、発光部２とも各サイクル終了ごとにレーザ発光
を停止せず（図１６でのＳ４１９，Ｓ４２０，Ｓ４２
１，Ｓ４３６，Ｓ４３７，Ｓ４３８の処理を削除）。各
発光部ともＡＰＣを完了した時点で粗調、微調のＤ／Ａ
ポートの出力値を０（ゼロ）にリセット（Ｓ７０１，Ｓ
７０４）および出力（Ｓ７０２，Ｓ７０５）し、発光部
へのレーザ電流をカットするために強制発光信号をオフ
する（Ｓ７０３，Ｓ７０６）。本制御によるレーザＡＰ
Ｃの温度変化を図２３に示す。
を示すフローチャートである。実施例４と異なる点は発
光部１、発光部２とも各サイクル終了ごとにレーザ発光
を停止せず（図１６でのＳ４１９，Ｓ４２０，Ｓ４２
１，Ｓ４３６，Ｓ４３７，Ｓ４３８の処理を削除）。各
発光部ともＡＰＣを完了した時点で粗調、微調のＤ／Ａ
ポートの出力値を０（ゼロ）にリセット（Ｓ７０１，Ｓ
７０４）および出力（Ｓ７０２，Ｓ７０５）し、発光部
へのレーザ電流をカットするために強制発光信号をオフ
する（Ｓ７０３，Ｓ７０６）。本制御によるレーザＡＰ
Ｃの温度変化を図２３に示す。
【００４９】以上説明したように、本発明によれば各発
光部ごとに独立した光量検出手段を有し、光量調整中以
外の発光部へのレーザ電流は、前調整サイクルでの調整
値を保持することにより、非調整時における発光部温度
の低下を無くし、各発光部間の温度差を小さくすること
ができる。このため、光量調整時における他の発光部か
らの熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度にすることが
でき、発光部による出力光量の差を減少させることがで
きる。
光部ごとに独立した光量検出手段を有し、光量調整中以
外の発光部へのレーザ電流は、前調整サイクルでの調整
値を保持することにより、非調整時における発光部温度
の低下を無くし、各発光部間の温度差を小さくすること
ができる。このため、光量調整時における他の発光部か
らの熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度にすることが
でき、発光部による出力光量の差を減少させることがで
きる。
【００５０】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、各発光部の光
量調整を一定時間間隔で時分割的に行うことにより、光
量調整時における他の発光部からの熱の影響を、各発光
部ともほぼ同程度にすることができ、発光部による出力
光量の差を減少させることができる。
量調整を一定時間間隔で時分割的に行うことにより、光
量調整時における他の発光部からの熱の影響を、各発光
部ともほぼ同程度にすることができ、発光部による出力
光量の差を減少させることができる。
【００５１】請求項２の発明によれば、時分割的に行う
光量調整時間間隔を徐々に長くすることにより、図２４
（この場合は発光部が２つのレーザアレイの例であ
る。）に示すように、レーザ電流の増加が大きく発熱量
の増加も大きい光量調整前半では、図２５のように発光
間隔を短くすることができる。このため、同サイクルで
の各発光部の温度差が小さくできる。一方、光量調整後
半では発光時間が長くても、レーザ電流の増加が小さく
発熱量の増加が小さいために、同サイクルでの各発光部
の温度差は図２６に示すように小さくなる。これらによ
り、各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自体の熱容量が大
きく、熱時定数の大きいレーザアレイを使用した場合で
も、光量調整時における他の発光部からの熱の影響を、
各発光部ともほぼ同程度にすることができ、発光部によ
る出力光量の差を減少させることができる。
光量調整時間間隔を徐々に長くすることにより、図２４
（この場合は発光部が２つのレーザアレイの例であ
る。）に示すように、レーザ電流の増加が大きく発熱量
の増加も大きい光量調整前半では、図２５のように発光
間隔を短くすることができる。このため、同サイクルで
の各発光部の温度差が小さくできる。一方、光量調整後
半では発光時間が長くても、レーザ電流の増加が小さく
発熱量の増加が小さいために、同サイクルでの各発光部
の温度差は図２６に示すように小さくなる。これらによ
り、各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自体の熱容量が大
きく、熱時定数の大きいレーザアレイを使用した場合で
も、光量調整時における他の発光部からの熱の影響を、
各発光部ともほぼ同程度にすることができ、発光部によ
る出力光量の差を減少させることができる。
【００５２】請求項３の発明によれば、時分割的に行う
光量調整時間間隔を徐々に短くすることにより、図２７
に示すように（この場合は発光部が２つのレーザアレイ
の例である。）に示すように、レーザ電流が大きく発熱
量も大きい光量調整後半では、図２８に示すように発光
間隔を短くすることができる。このため、光量調整後半
での１サイクル内温度振幅が小さくでき、１サイクル内
の平均温度のばらつきを抑えることができる。一方、光
量調整前半では発光間隔が長くても、レーザ電流の小さ
く発熱量も小さいために、１サイクル内での温度振幅は
図２９に示すように小さい。これらにより、熱容量の小
さいレーザ素子や、レーザ素子と外部環境との熱抵抗が
小さいレーザアレイを使用した場合でも、光量調整時に
おける他の発光部からの熱の影響を、各発光部ともほぼ
同程度にすることができ、発光部による出力光量の差を
減少させることができる。
光量調整時間間隔を徐々に短くすることにより、図２７
に示すように（この場合は発光部が２つのレーザアレイ
の例である。）に示すように、レーザ電流が大きく発熱
量も大きい光量調整後半では、図２８に示すように発光
間隔を短くすることができる。このため、光量調整後半
での１サイクル内温度振幅が小さくでき、１サイクル内
の平均温度のばらつきを抑えることができる。一方、光
量調整前半では発光間隔が長くても、レーザ電流の小さ
く発熱量も小さいために、１サイクル内での温度振幅は
図２９に示すように小さい。これらにより、熱容量の小
さいレーザ素子や、レーザ素子と外部環境との熱抵抗が
小さいレーザアレイを使用した場合でも、光量調整時に
おける他の発光部からの熱の影響を、各発光部ともほぼ
同程度にすることができ、発光部による出力光量の差を
減少させることができる。
【００５３】請求項４，９の発明によれば、光量調整を
行っている発光部以外の発光部へは、レーザ電流を供給
しないようにすることにより、光量検出手段が各発光部
に対して共通である場合にでも、光量制御による熱影響
を緩和することができる。
行っている発光部以外の発光部へは、レーザ電流を供給
しないようにすることにより、光量検出手段が各発光部
に対して共通である場合にでも、光量制御による熱影響
を緩和することができる。
【００５４】請求項５，１０の発明によれば、各発光部
ごとに独立した光量検出手段を有し、光量調整中以外の
発光部へのレーザ電流は、前調整サイクルでの調整値を
保持することにより、従来の制御による各発光部の温度
差（図３０参照）に比べて（この場合は発光部が２つの
レーザアレイの例である。）に示すように、非調整時に
おける発光部温度の低下を無くし、各発光部間の温度差
を小さくすることができる（図３１参照）。このため、
光量調整時における他の発光部からの熱の影響を、各発
光部ともほぼ同程度にすることができ、発光部による出
力光量の差を減少させることができる。
ごとに独立した光量検出手段を有し、光量調整中以外の
発光部へのレーザ電流は、前調整サイクルでの調整値を
保持することにより、従来の制御による各発光部の温度
差（図３０参照）に比べて（この場合は発光部が２つの
レーザアレイの例である。）に示すように、非調整時に
おける発光部温度の低下を無くし、各発光部間の温度差
を小さくすることができる（図３１参照）。このため、
光量調整時における他の発光部からの熱の影響を、各発
光部ともほぼ同程度にすることができ、発光部による出
力光量の差を減少させることができる。
【００５５】請求項６の発明によれば、目標光量までの
間に等間隔で複数の中間目標光量を設け、中間目標光量
値にレーザ光量が達するごとに調整を行う発光部を切り
換えることにより、同調整サイクルでの各発光部の消費
電力は等しくなり、光量調整時における他の発光部から
の熱影響を、各発光部ともほぼ同程度にすることがで
き、発光部による出力光量の差を減少させることができ
る。
間に等間隔で複数の中間目標光量を設け、中間目標光量
値にレーザ光量が達するごとに調整を行う発光部を切り
換えることにより、同調整サイクルでの各発光部の消費
電力は等しくなり、光量調整時における他の発光部から
の熱影響を、各発光部ともほぼ同程度にすることがで
き、発光部による出力光量の差を減少させることができ
る。
【００５６】請求項７の発明によれば、中間目標光量値
の間隔を光量が上がるにしたがって徐々に長くすること
により、各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自体の熱容量
が大きく、熱時定数の大きいレーザアレイを使用した場
合でも、光量調整時における他の発光部からの熱の影響
を、各発光部ともほぼ同程度にすることができ、発光部
による出力光量の差を減少させることができる。
の間隔を光量が上がるにしたがって徐々に長くすること
により、各発光部間の熱抵抗やレーザ素子自体の熱容量
が大きく、熱時定数の大きいレーザアレイを使用した場
合でも、光量調整時における他の発光部からの熱の影響
を、各発光部ともほぼ同程度にすることができ、発光部
による出力光量の差を減少させることができる。
【００５７】請求項８の発明によれば、中間目標光量値
の間隔を光量が上がるにしたがって徐々に短くすること
により、請求項３と同様の効果から、熱容量の小さいレ
ーザ素子や、レーザ素子と外部環境との熱抵抗が小さい
レーザアレイを使用した場合でも、光量調整時における
他の発光部からの熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度
にすることができ、発光部による出力光量の差を減少さ
せることができる。
の間隔を光量が上がるにしたがって徐々に短くすること
により、請求項３と同様の効果から、熱容量の小さいレ
ーザ素子や、レーザ素子と外部環境との熱抵抗が小さい
レーザアレイを使用した場合でも、光量調整時における
他の発光部からの熱の影響を、各発光部ともほぼ同程度
にすることができ、発光部による出力光量の差を減少さ
せることができる。
【００５８】請求項１１の発明によれは、半導体レーザ
素子の各発光部の熱影響を緩和できるので、従来よりも
画質を向上させることができる。
素子の各発光部の熱影響を緩和できるので、従来よりも
画質を向上させることができる。
【図１】実施例１の回路構成を示す回路図である。
【図２】実施例１の光量制御手順を示すフローチャート
である。
である。
【図３】実施例１の光量制御手順を示すフローチャート
である。
である。
【図４】実施例１の発光温度変化を示す特性図である。
【図５】実施例２の光量制御手順を示すフローチャート
である。
である。
【図６】実施例２の光量制御手順を示すフローチャート
である。
である。
【図７】実施例２の発光温度変化を示す特性図である。
【図８】実施例３の光量制御手順を示すフローチャート
である。
である。
【図９】実施例３の光量制御手順を示すフローチャート
である。
である。
【図１０】実施例３の発光温度変化を示す特性図であ
る。
る。
【図１１】実施例４の光量制御手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図１２】実施例４の光量制御手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図１３】実施例４の発光温度変化を示す特性図であ
る。
る。
【図１４】実施例５の光量制御手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図１５】実施例５の光量制御手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図１６】実施例５の発光温度変化を示す特性図であ
る。
る。
【図１７】実施例６の光量制御手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図１８】実施例６の光量制御手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図１９】実施例６の発光温度変化を示す特性図であ
る。
る。
【図２０】実施例７の回路構成を示す回路図である。
【図２１】実施例７の光量制御手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図２２】実施例７の光量制御手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図２３】実施例７の発光温度変化を示す特性図であ
る。
る。
【図２４】発明の効果を説明するための特性図である。
【図２５】発明の効果を説明するための特性図である。
【図２６】発明の効果を説明するための特性図である。
【図２７】発明の効果を説明するための特性図である。
【図２８】発明の効果を説明するための特性図である。
【図２９】発明の効果を説明するための特性図である。
【図３０】発明の効果を説明するための特性図である。
【図３１】発明の効果を説明するための特性図である。
１ マルチビーム半導体レーザ ２ 発光部１ ３ 発光部２ ４ ピンフォトディテクタ １０ ＣＰＵ ５０ ピンフォトディテクタ
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の発光部を有する半導体レーザ素子
と、 前記各発光部の光量を検出するための光量検出手段と、 該光量検出手段の出力を基に前記各発光部への電流を制
御する光量調整手段とを有し、前記各発光部の光量調整
を一定時間間隔で時分割的に行うことを特徴とするレー
ザ光量制御装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレーザ光量制御装置に
おいて、前記時分割的に行う光量調整時間間隔を徐々に
長くすることを特徴とするレーザ光量制御装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のレーザ光量制御装置に
おいて、前記時分割的に行う光量調整時間間隔を徐々に
短くすることを特徴とするレーザ光量制御装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載のレーザ光量制御装置に
おいて、前記光量調整を行っている発光部以外の発光部
へはレーザ電流を供給しないことを特徴とするレーザ光
量制御装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載のレーザ光量制御装置に
おいて、前記光量検出手段は前記各発光部ごとに独立し
て、複数、存在し、前記光量調整中以外の発光部へのレ
ーザ電流は前調整サイクルの調整値を保持することを特
徴とするレーザ光量制御装置。 - 【請求項６】 複数の発光部を有する半導体レーザ素子
と、 前記各発光部の光量を検出するための光量検出手段と、 該光量検出手段の出力を基に前記各発光部への電流を制
御する光量調整手段とを有し、目標光量までの間に等間
隔で複数の中間目標光量値を設け、該中間目標光量の各
々にレーザ光量が達するごとに光量調整を行う発光部を
切り換え、前記各発光部の光量を徐々に上げることを特
徴とするレーザ光量制御装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載のレーザ光量制御装置に
おいて、前記中間目標光量値の間隔を光量が上がるにし
たがって徐々に長くすることを特徴とするレーザ光量制
御装置。 - 【請求項８】 請求項６に記載のレーザ光量制御装置に
おいて、前記中間目標光量値の間隔を光量が上がるにし
たがって徐々に短くすることを特徴とするレーザ光量制
御装置。 - 【請求項９】 請求項６に記載のレーザ光量制御装置に
おいて、前記光量調整を行っている発光部以外の発光部
へは、レーザ電流を供給しないことを特徴とするレーザ
光量制御装置。 - 【請求項１０】 前記光量検出手段は、前記各発光部ご
とに独立して複数、存在し、光量調整中以外の発光部へ
のレーザ電流は、前調整サイクルでの調整値を保持する
ことを特徴とするレーザ光量制御装置。 - 【請求項１１】 請求項１に記載のレーザ光量制御装置
を有し、該レーザ光量制御装置を使用して電子写真方式
の画像形成を行うことを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094230A JPH09277591A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | レーザ光量制御装置および画像形成装置 |
| US08/838,154 US5965868A (en) | 1996-04-16 | 1997-04-15 | Laser light quantity control device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094230A JPH09277591A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | レーザ光量制御装置および画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09277591A true JPH09277591A (ja) | 1997-10-28 |
Family
ID=14104516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8094230A Pending JPH09277591A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | レーザ光量制御装置および画像形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5965868A (ja) |
| JP (1) | JPH09277591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218720A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 光量制御装置、光書き込み装置及び画像形成装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8493370B2 (en) * | 2001-08-29 | 2013-07-23 | Palm, Inc. | Dynamic brightness range for portable computer displays based on ambient conditions |
| US7548708B2 (en) * | 2005-04-01 | 2009-06-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Power supply unit in image forming apparatus |
| JP5016853B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2012-09-05 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置及びレーザ光量補正方法 |
| WO2011156951A1 (en) * | 2010-06-13 | 2011-12-22 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | Method for reducing a number of input terminals of an automatic power control circuit, and associated automatic power control circuit |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01105268A (ja) * | 1986-04-05 | 1989-04-21 | Ricoh Co Ltd | 情報記録用光ビ−ムの出力安定化方法及び装置 |
| EP0285447B1 (en) * | 1987-04-02 | 1994-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image recording apparatus |
| JPH03202807A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Toshiba Corp | レーザ発振器の光量制御装置 |
| JP3296882B2 (ja) * | 1993-05-26 | 2002-07-02 | 株式会社リコー | 輝度制御回路装置 |
| US5600126A (en) * | 1995-06-20 | 1997-02-04 | Xerox Corporation | Method and apparatus for controlling the power output of multiple laser diodes |
| US5659414A (en) * | 1995-06-20 | 1997-08-19 | Xerox Corporation | Means for controlling the power output of laser diodes in a ROS system |
| JP3394371B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2003-04-07 | 松下電器産業株式会社 | 絶縁伝送装置 |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP8094230A patent/JPH09277591A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-15 US US08/838,154 patent/US5965868A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218720A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 光量制御装置、光書き込み装置及び画像形成装置 |
| US8076626B2 (en) | 2007-03-05 | 2011-12-13 | Ricoh Company, Ltd. | Light amount control, optical writing, and image forming apparatuses having a plurality of drive-current setting units |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5965868A (en) | 1999-10-12 |
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