JPH10209545A - 光量制御装置 - Google Patents
光量制御装置Info
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- JPH10209545A JPH10209545A JP966597A JP966597A JPH10209545A JP H10209545 A JPH10209545 A JP H10209545A JP 966597 A JP966597 A JP 966597A JP 966597 A JP966597 A JP 966597A JP H10209545 A JPH10209545 A JP H10209545A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な回路構成で複数の半導体レーザ間の光
量差をおさえ、安定して正確な光量制御を行う。 【解決手段】 光量検知器１６は半導体レーザ１２、１
４から出射されるレーザ光を検知し、検知した光量に応
じた電流を出力する。電流分配器１８は、光量検知器１
６の出力電流を増幅器２０、２２に均等に分配する。増
幅器２０、２２では分配された電流を電圧に変換し、各
半導体レーザ１２、１４の光量感度の利得に対応した抵
抗値が設定可能な可変抵抗器ＲＶ１、ＲＶ２により利得
調整を行う。従って、各半導体レーザ１２、１４の出力
特性の光量感度のばらつきを補正できる。さらに、比較
器２４、２６、Ｓ／Ｈ制御回路３０、３２及びレーザ駆
動回路３４、３６によって半導体レーザ１２、１４を駆
動する駆動電流を制御する。
量差をおさえ、安定して正確な光量制御を行う。 【解決手段】 光量検知器１６は半導体レーザ１２、１
４から出射されるレーザ光を検知し、検知した光量に応
じた電流を出力する。電流分配器１８は、光量検知器１
６の出力電流を増幅器２０、２２に均等に分配する。増
幅器２０、２２では分配された電流を電圧に変換し、各
半導体レーザ１２、１４の光量感度の利得に対応した抵
抗値が設定可能な可変抵抗器ＲＶ１、ＲＶ２により利得
調整を行う。従って、各半導体レーザ１２、１４の出力
特性の光量感度のばらつきを補正できる。さらに、比較
器２４、２６、Ｓ／Ｈ制御回路３０、３２及びレーザ駆
動回路３４、３６によって半導体レーザ１２、１４を駆
動する駆動電流を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザアレ
イに備えられた複数の半導体レーザから出射されるレー
ザ光の光量を制御する光量制御装置に関する。
イに備えられた複数の半導体レーザから出射されるレー
ザ光の光量を制御する光量制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば複写機やレーザプリン
タなどの画像記録装置では光源として半導体レーザアレ
イを用いている。この半導体レーザアレイを画像記録装
置の光源として用いることにより、複数の走査線の光記
録を同時に行うことができるため、高速印字が可能にな
るという利点を有している。しかし、半導体レーザは出
力特性を有しており、この出力特性は半導体レーザ毎に
異なる。このため、半導体レーザの出力特性にばらつき
が生じ、それぞれの半導体レーザから出射されるレーザ
光に光量差が生じるという問題を有している。
タなどの画像記録装置では光源として半導体レーザアレ
イを用いている。この半導体レーザアレイを画像記録装
置の光源として用いることにより、複数の走査線の光記
録を同時に行うことができるため、高速印字が可能にな
るという利点を有している。しかし、半導体レーザは出
力特性を有しており、この出力特性は半導体レーザ毎に
異なる。このため、半導体レーザの出力特性にばらつき
が生じ、それぞれの半導体レーザから出射されるレーザ
光に光量差が生じるという問題を有している。
【０００３】この問題を解消するため、複数の半導体レ
ーザから出射されるレーザ光の光量差をおさえるように
光量を制御する光量制御装置がある。この光量制御装置
は、図４に示されるように、半導体レーザ５２、５４か
ら出射されたレーザ光のバックビームを検知しかつ検知
したレーザ光の光量に比例した電流を出力する光量検知
器５６と、光量検知器５６の出力電流を電圧に変換しか
つ変換された電圧を誤差増幅器６０、６２に分配する増
幅器５８と、各半導体レーザ５２、５４の出力特性７
８、８０（図５参照）の光量感度のばらつきを補正する
ためにオフセット調整と利得調整を行う誤差増幅器６
０、６２と、誤差増幅器６０、６２の出力電圧と予め設
定された基準電圧６８とを比較する比較器６４、６６
と、比較器６４、６６による比較結果に基づいて各半導
体レーザ５２、５４を駆動する駆動電流を制御するＳ／
Ｈ制御回路７０、７２と、半導体レーザ５２、５４に駆
動電流を出力して各半導体レーザ５２、５４の点灯を制
御するレーザ駆動回路７４、７６から構成されている。
ーザから出射されるレーザ光の光量差をおさえるように
光量を制御する光量制御装置がある。この光量制御装置
は、図４に示されるように、半導体レーザ５２、５４か
ら出射されたレーザ光のバックビームを検知しかつ検知
したレーザ光の光量に比例した電流を出力する光量検知
器５６と、光量検知器５６の出力電流を電圧に変換しか
つ変換された電圧を誤差増幅器６０、６２に分配する増
幅器５８と、各半導体レーザ５２、５４の出力特性７
８、８０（図５参照）の光量感度のばらつきを補正する
ためにオフセット調整と利得調整を行う誤差増幅器６
０、６２と、誤差増幅器６０、６２の出力電圧と予め設
定された基準電圧６８とを比較する比較器６４、６６
と、比較器６４、６６による比較結果に基づいて各半導
体レーザ５２、５４を駆動する駆動電流を制御するＳ／
Ｈ制御回路７０、７２と、半導体レーザ５２、５４に駆
動電流を出力して各半導体レーザ５２、５４の点灯を制
御するレーザ駆動回路７４、７６から構成されている。
【０００４】このような構成の光量制御装置５０では、
光量検知器５６の出力電流を増幅器５８で電圧に変換し
て誤差増幅器６０、６２に分配した後に、光量感度のオ
フセット調整と利得調整を行って半導体レーザ５２、５
４の出力特性７８、８０のばらつきを補正し、半導体レ
ーザ５２、５４を駆動する駆動電流を制御している。こ
れによって、各半導体レーザ５２、５４から出射される
レーザ光の光量差をおさえている。
光量検知器５６の出力電流を増幅器５８で電圧に変換し
て誤差増幅器６０、６２に分配した後に、光量感度のオ
フセット調整と利得調整を行って半導体レーザ５２、５
４の出力特性７８、８０のばらつきを補正し、半導体レ
ーザ５２、５４を駆動する駆動電流を制御している。こ
れによって、各半導体レーザ５２、５４から出射される
レーザ光の光量差をおさえている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光量検
出器５６の出力電流を電圧に変換した後、誤差増幅器６
０、６２に分配して光量制御を行う場合には、各半導体
レーザ５２、５４の出力特性７８、８０の光量感度のば
らつきを補正するために反転増幅回路や差動増幅回路な
どの回路構成をとるため、オフセット調整と利得調整を
行う必要がある。このように、光量感度のオフセット調
整と利得調整を行って各半導体レーザ５２、５４の出力
特性７８、８０のばらつきを補正した場合、これらの出
力特性７８、８０を一致させることが難しく、半導体レ
ーザ５２、５４間の光量差をおさえることが困難である
という問題を有している。
出器５６の出力電流を電圧に変換した後、誤差増幅器６
０、６２に分配して光量制御を行う場合には、各半導体
レーザ５２、５４の出力特性７８、８０の光量感度のば
らつきを補正するために反転増幅回路や差動増幅回路な
どの回路構成をとるため、オフセット調整と利得調整を
行う必要がある。このように、光量感度のオフセット調
整と利得調整を行って各半導体レーザ５２、５４の出力
特性７８、８０のばらつきを補正した場合、これらの出
力特性７８、８０を一致させることが難しく、半導体レ
ーザ５２、５４間の光量差をおさえることが困難である
という問題を有している。
【０００６】また、図４のように光量検出器５６の出力
電流を電圧に変換した後に、各光量制御部に分配した回
路構成をとった場合、各半導体レーザ５２、５４の出力
特性７８、８０を完全に一致させるには多くの調整機構
が必要となるため、回路構成が複雑になると共に、複雑
な調整処理が必要になるという問題がある。
電流を電圧に変換した後に、各光量制御部に分配した回
路構成をとった場合、各半導体レーザ５２、５４の出力
特性７８、８０を完全に一致させるには多くの調整機構
が必要となるため、回路構成が複雑になると共に、複雑
な調整処理が必要になるという問題がある。
【０００７】本発明は上記事実を考慮して、簡単な回路
構成で複数の半導体レーザ間の光量差をおさえ、安定し
て正確な光量制御を行うことができる光量制御装置を提
供することを目的とする。
構成で複数の半導体レーザ間の光量差をおさえ、安定し
て正確な光量制御を行うことができる光量制御装置を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載の発明は、半導体レーザアレイに備え
られた複数の半導体レーザから出射されるレーザ光の光
量を制御する光量制御装置であって、前記複数の半導体
レーザから出射されるレーザ光の光量を検知しかつ検知
した光量に応じた電流を出力する光量検知手段と、前記
光量検知手段の出力電流を前記複数の半導体レーザの個
数に対応して均等に分配する電流分配手段と、前記電流
分配手段によって分配された電流を前記複数の半導体レ
ーザの各々の光量感度の利得に対応した電圧に変換する
変換手段と、前記変換手段の出力電圧と予め設定された
基準電圧を比較する比較手段と、前記比較手段の比較結
果に基づいて前記半導体レーザを駆動する駆動電流を制
御する電流制御手段と、を有している。
に請求項１に記載の発明は、半導体レーザアレイに備え
られた複数の半導体レーザから出射されるレーザ光の光
量を制御する光量制御装置であって、前記複数の半導体
レーザから出射されるレーザ光の光量を検知しかつ検知
した光量に応じた電流を出力する光量検知手段と、前記
光量検知手段の出力電流を前記複数の半導体レーザの個
数に対応して均等に分配する電流分配手段と、前記電流
分配手段によって分配された電流を前記複数の半導体レ
ーザの各々の光量感度の利得に対応した電圧に変換する
変換手段と、前記変換手段の出力電圧と予め設定された
基準電圧を比較する比較手段と、前記比較手段の比較結
果に基づいて前記半導体レーザを駆動する駆動電流を制
御する電流制御手段と、を有している。
【０００９】請求項１に記載の発明によれば、光量制御
装置には半導体レーザアレイに備えられた複数の半導体
レーザから出射されるレーザ光を検知しかつ検知したレ
ーザ光の光量に応じた電流を出力する光量検知手段が設
けられている。この光量検知手段は、例えばフォトダイ
オードによって構成されている。また、光量制御装置に
は電流分配手段が設けられており、光量検知手段の出力
電流を半導体レーザアレイに備えられた半導体レーザの
個数に対応して分配する。この電流分配手段によって、
光量検知手段の出力電流を均等に分配することができ
る。さらに、光量制御装置には電流を電圧に変換する変
換手段が設けられている。変換手段には、複数の半導体
レーザの各々の光量感度の利得に対応した抵抗値を設定
することができる可変抵抗器が備えられているため、こ
の変換手段は光量感度の利得調整された電圧を出力す
る。すなわち、変換手段において光量感度の利得調整が
行われることにより、複数の半導体レーザにおける出力
特性の光量感度のばらつきを補正することができる。
装置には半導体レーザアレイに備えられた複数の半導体
レーザから出射されるレーザ光を検知しかつ検知したレ
ーザ光の光量に応じた電流を出力する光量検知手段が設
けられている。この光量検知手段は、例えばフォトダイ
オードによって構成されている。また、光量制御装置に
は電流分配手段が設けられており、光量検知手段の出力
電流を半導体レーザアレイに備えられた半導体レーザの
個数に対応して分配する。この電流分配手段によって、
光量検知手段の出力電流を均等に分配することができ
る。さらに、光量制御装置には電流を電圧に変換する変
換手段が設けられている。変換手段には、複数の半導体
レーザの各々の光量感度の利得に対応した抵抗値を設定
することができる可変抵抗器が備えられているため、こ
の変換手段は光量感度の利得調整された電圧を出力す
る。すなわち、変換手段において光量感度の利得調整が
行われることにより、複数の半導体レーザにおける出力
特性の光量感度のばらつきを補正することができる。
【００１０】変換手段の出力電圧は、比較手段によって
予め設定された基準電圧と比較される。このときの基準
電圧は、半導体レーザから出射されるレーザ光が所望の
光量となるときの電圧である。また、電流制御手段は比
較手段による比較結果に基づいて、基準電圧と変換手段
の出力が同一になるように半導体レーザを駆動する駆動
電流を制御する。例えば、変換手段の出力電圧が基準電
圧よりも低い場合には、半導体レーザを駆動する駆動電
流が増加するように制御する。一方、変換手段の出力電
圧が基準電圧よりも高い場合には、半導体レーザを駆動
する駆動電流が減少するように制御する。このように、
電流制御手段によって半導体レーザを駆動する駆動電流
を制御することにより、基準電圧と変換手段の出力が同
一となるので、半導体レーザ間における光量差をおさえ
ることができる。
予め設定された基準電圧と比較される。このときの基準
電圧は、半導体レーザから出射されるレーザ光が所望の
光量となるときの電圧である。また、電流制御手段は比
較手段による比較結果に基づいて、基準電圧と変換手段
の出力が同一になるように半導体レーザを駆動する駆動
電流を制御する。例えば、変換手段の出力電圧が基準電
圧よりも低い場合には、半導体レーザを駆動する駆動電
流が増加するように制御する。一方、変換手段の出力電
圧が基準電圧よりも高い場合には、半導体レーザを駆動
する駆動電流が減少するように制御する。このように、
電流制御手段によって半導体レーザを駆動する駆動電流
を制御することにより、基準電圧と変換手段の出力が同
一となるので、半導体レーザ間における光量差をおさえ
ることができる。
【００１１】従って、光量検知手段の出力電流を電流分
配手段によって均等に分配した後に電圧に変換し、この
とき光量感度の利得調整のみを行って各半導体レーザに
おける出力特性のばらつきを補正するので、簡単な回路
構成で各半導体レーザの光量を制御することができる。
配手段によって均等に分配した後に電圧に変換し、この
とき光量感度の利得調整のみを行って各半導体レーザに
おける出力特性のばらつきを補正するので、簡単な回路
構成で各半導体レーザの光量を制御することができる。
【００１２】請求項２に記載の発明は、前記電流分配手
段の下流側に設けられ、該電流分配手段によって分配さ
れた電流の逆流を防止する整流手段を設けることを特徴
としている。
段の下流側に設けられ、該電流分配手段によって分配さ
れた電流の逆流を防止する整流手段を設けることを特徴
としている。
【００１３】前述したように、光量制御装置に設けられ
た光量検知手段の出力電流は電流分配手段によって半導
体レーザの個数に対応して均等に分配され、変換手段に
入力されて電圧に変換される。しかし、変換手段におい
て電圧に差が生じた場合には、電流分配手段に電流が逆
流することがある。そこで、請求項２に記載の発明によ
れば、光量制御装置には電流分配手段によって分配され
た電流の逆流を防止するための整流手段が設けられてい
る。この整流手段としては、例えばダイオードなどの整
流素子があり、電流分配手段の下流側に配設される。従
って、電流分配手段の出力端子が整流手段を介して変換
手段の入力端子に接続されることにより、光量検知手段
の出力電流は常に均等に分配されると共に、正確に各半
導体レーザの光量を制御することができる。
た光量検知手段の出力電流は電流分配手段によって半導
体レーザの個数に対応して均等に分配され、変換手段に
入力されて電圧に変換される。しかし、変換手段におい
て電圧に差が生じた場合には、電流分配手段に電流が逆
流することがある。そこで、請求項２に記載の発明によ
れば、光量制御装置には電流分配手段によって分配され
た電流の逆流を防止するための整流手段が設けられてい
る。この整流手段としては、例えばダイオードなどの整
流素子があり、電流分配手段の下流側に配設される。従
って、電流分配手段の出力端子が整流手段を介して変換
手段の入力端子に接続されることにより、光量検知手段
の出力電流は常に均等に分配されると共に、正確に各半
導体レーザの光量を制御することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、本実施の形態に係る光量
制御装置１０の構成を示すブロック図である。
制御装置１０の構成を示すブロック図である。
【００１５】図１に示されるように、半導体レーザアレ
イに備えられた複数の半導体レーザ１２、１４（本実施
の形態においては２個のみ図示）は図示しない基板上に
所定間隔で配設されている。これらの半導体レーザ１
２、１４は、レーザ駆動回路３４、３６の出力端子にそ
れぞれ接続されており、このレーザ駆動回路３４、３６
から出力される駆動電流によって光量が制御される。半
導体レーザ１２は、レーザ駆動回路３４から出力される
駆動電流により光量が制御され、前方に向かってフロン
トビームを出射すると同時に後方に向かってバックビー
ムを出射する。フロントビームは、本実施の形態に係る
光量制御装置１０が備えられた複写機やレーザプリンタ
などの画像記録装置において、走査線を光記録するため
に使用される。一方、バックビームはフロントビームと
同時に出射されるものであり、このときバックビームは
フロントビームの光量に比例しかつフロントビームより
も少ない光量で出射される。また、半導体レーザ１２と
同様に、半導体レーザ１４はレーザ駆動回路３６から出
力される駆動電流により光量が制御され、前方に向かっ
てフロントビームを出射すると同時に後方に向かってバ
ックビームを出射する。
イに備えられた複数の半導体レーザ１２、１４（本実施
の形態においては２個のみ図示）は図示しない基板上に
所定間隔で配設されている。これらの半導体レーザ１
２、１４は、レーザ駆動回路３４、３６の出力端子にそ
れぞれ接続されており、このレーザ駆動回路３４、３６
から出力される駆動電流によって光量が制御される。半
導体レーザ１２は、レーザ駆動回路３４から出力される
駆動電流により光量が制御され、前方に向かってフロン
トビームを出射すると同時に後方に向かってバックビー
ムを出射する。フロントビームは、本実施の形態に係る
光量制御装置１０が備えられた複写機やレーザプリンタ
などの画像記録装置において、走査線を光記録するため
に使用される。一方、バックビームはフロントビームと
同時に出射されるものであり、このときバックビームは
フロントビームの光量に比例しかつフロントビームより
も少ない光量で出射される。また、半導体レーザ１２と
同様に、半導体レーザ１４はレーザ駆動回路３６から出
力される駆動電流により光量が制御され、前方に向かっ
てフロントビームを出射すると同時に後方に向かってバ
ックビームを出射する。
【００１６】半導体レーザ１２、１４の近傍には、光量
検知器１６が配設されている。光量検知器１６は、例え
ばフォトダイオードによって構成されており、半導体レ
ーザ１２、１４から出射されるレーザ光のバックビーム
を検知し、検知した光量に応じた電流を出力する。光量
検知器１６の出力端子は、電流分配器１８の入力端子に
接続されている。従って、光量検知器１６の出力電流は
電流分配器１８に入力される。電流分配器１８は、入力
された光量検知器１６の出力電流を増幅器２０、２２に
均等に分配する。この増幅器２０、２２は半導体レーザ
１２、１４の個数に対応して設けられており、電流分配
器１８によって分配された電流を電圧に変換する。この
とき、増幅器２０、２２に可変抵抗器ＲＶ１、ＲＶ２
（図２参照）が備えられていることによって各半導体レ
ーザ１２、１４の出力特性４７、４９（図３参照）の光
量感度のばらつきを補正するための利得調整を行うこと
ができる。従って、増幅器２０、２２は光量感度の利得
調整された電圧を出力する。
検知器１６が配設されている。光量検知器１６は、例え
ばフォトダイオードによって構成されており、半導体レ
ーザ１２、１４から出射されるレーザ光のバックビーム
を検知し、検知した光量に応じた電流を出力する。光量
検知器１６の出力端子は、電流分配器１８の入力端子に
接続されている。従って、光量検知器１６の出力電流は
電流分配器１８に入力される。電流分配器１８は、入力
された光量検知器１６の出力電流を増幅器２０、２２に
均等に分配する。この増幅器２０、２２は半導体レーザ
１２、１４の個数に対応して設けられており、電流分配
器１８によって分配された電流を電圧に変換する。この
とき、増幅器２０、２２に可変抵抗器ＲＶ１、ＲＶ２
（図２参照）が備えられていることによって各半導体レ
ーザ１２、１４の出力特性４７、４９（図３参照）の光
量感度のばらつきを補正するための利得調整を行うこと
ができる。従って、増幅器２０、２２は光量感度の利得
調整された電圧を出力する。
【００１７】なお、電流分配器１８及び増幅器２０、２
２の詳細な回路構成については後述する。
２の詳細な回路構成については後述する。
【００１８】増幅器２０、２２の出力端子は、比較器２
４、２６の入力端子に接続されており、増幅器２０、２
２の出力電圧が比較器２４、２６に入力される。また、
比較器２４、２６には予め設定された基準電圧２８が入
力される。従って、比較器２４、２６は、増幅器２０、
２２の出力電圧と予め設定された基準電圧２８との大小
関係の比較を行い、後述するＳ／Ｈ制御回路３０、３２
がイネーブル状態であるときに高レベルまたは低レベル
の電圧を出力する。一方、Ｓ／Ｈ制御回路３０、３２が
ディスエーブル状態であるときには、半導体レーザ１
２、１４を駆動する駆動電流はそのまま保持され、後述
する電流制御は行われない。
４、２６の入力端子に接続されており、増幅器２０、２
２の出力電圧が比較器２４、２６に入力される。また、
比較器２４、２６には予め設定された基準電圧２８が入
力される。従って、比較器２４、２６は、増幅器２０、
２２の出力電圧と予め設定された基準電圧２８との大小
関係の比較を行い、後述するＳ／Ｈ制御回路３０、３２
がイネーブル状態であるときに高レベルまたは低レベル
の電圧を出力する。一方、Ｓ／Ｈ制御回路３０、３２が
ディスエーブル状態であるときには、半導体レーザ１
２、１４を駆動する駆動電流はそのまま保持され、後述
する電流制御は行われない。
【００１９】また、比較器２４、２６の出力端子は、Ｓ
／Ｈ制御回路３０、３２の入力端子に接続され、このＳ
／Ｈ制御回路３０、３２の出力端子はレーザ駆動回路３
４、３６の入力端子に接続されている。Ｓ／Ｈ制御回路
３０、３２は、比較器２４、２６の出力電圧に基づい
て、基準電圧２８と光量検知器１６の出力が同一になる
ようにレーザ駆動回路３４、３６から出力される駆動電
流を制御する。
／Ｈ制御回路３０、３２の入力端子に接続され、このＳ
／Ｈ制御回路３０、３２の出力端子はレーザ駆動回路３
４、３６の入力端子に接続されている。Ｓ／Ｈ制御回路
３０、３２は、比較器２４、２６の出力電圧に基づい
て、基準電圧２８と光量検知器１６の出力が同一になる
ようにレーザ駆動回路３４、３６から出力される駆動電
流を制御する。
【００２０】図２は、電流分配器１８及び増幅器２０、
２２の回路構成が示された光量制御装置１０である。
２２の回路構成が示された光量制御装置１０である。
【００２１】光量検知器１６のアノードは、電流分配器
１８に備えられたトランジスタ３８のコレクタ端子に接
続され、かつトランジスタ３８のベース端子、トランジ
スタ４０及びトランジスタ４２のベース端子に接続され
ている。また、トランジスタ３８のエミッタ端子は抵抗
Ｒ１を介して定電圧電源線１９に接続されている。さら
に、定電圧電源線１９は抵抗Ｒ２を介してトランジスタ
４０のエミッタ端子に接続され、抵抗Ｒ３を介してトラ
ンジスタ４２のエミッタ端子に接続されている。
１８に備えられたトランジスタ３８のコレクタ端子に接
続され、かつトランジスタ３８のベース端子、トランジ
スタ４０及びトランジスタ４２のベース端子に接続され
ている。また、トランジスタ３８のエミッタ端子は抵抗
Ｒ１を介して定電圧電源線１９に接続されている。さら
に、定電圧電源線１９は抵抗Ｒ２を介してトランジスタ
４０のエミッタ端子に接続され、抵抗Ｒ３を介してトラ
ンジスタ４２のエミッタ端子に接続されている。
【００２２】トランジスタ４０のコレクタ端子は、増幅
器２０に接続されており、抵抗Ｒ５を介してこの増幅器
２０に備えられたオペアンプ４４のマイナス側入力端子
に接続されていると共に、可変抵抗器ＲＶ１を介してオ
ペアンプ４４のプラス側入力端子に接続されている。可
変抵抗器ＲＶ１は、半導体レーザ１２の光量感度の利得
に対応した抵抗値を設定することができる。また、オペ
アンプ４４のプラス側入力端子は抵抗Ｒ４を介して接地
されている。一方、オペアンプ４４のマイナス側入力端
子は抵抗Ｒ６を介して比較器２４のプラス側入力端子に
接続されており、この比較器２４のプラス側入力端子に
はオペアンプ４４の出力端子が接続されている。従っ
て、オペアンプ４４の出力電圧、すなわち増幅器２０に
よって光量感度の利得調整された電圧は比較器２４に入
力される。
器２０に接続されており、抵抗Ｒ５を介してこの増幅器
２０に備えられたオペアンプ４４のマイナス側入力端子
に接続されていると共に、可変抵抗器ＲＶ１を介してオ
ペアンプ４４のプラス側入力端子に接続されている。可
変抵抗器ＲＶ１は、半導体レーザ１２の光量感度の利得
に対応した抵抗値を設定することができる。また、オペ
アンプ４４のプラス側入力端子は抵抗Ｒ４を介して接地
されている。一方、オペアンプ４４のマイナス側入力端
子は抵抗Ｒ６を介して比較器２４のプラス側入力端子に
接続されており、この比較器２４のプラス側入力端子に
はオペアンプ４４の出力端子が接続されている。従っ
て、オペアンプ４４の出力電圧、すなわち増幅器２０に
よって光量感度の利得調整された電圧は比較器２４に入
力される。
【００２３】なお、電流分配器１８に備えられたトラン
ジスタ４２のコレクタ端子は、増幅器２２に接続されて
いる。増幅器２２の構成については上述した増幅器２０
と略同様であるため、同一部分には同一符号を付し、説
明を省略する。この増幅器２２に備えられた可変抵抗器
ＲＶ２は、半導体レーザ１４の光量感度の利得に対応し
た抵抗値に設定される。
ジスタ４２のコレクタ端子は、増幅器２２に接続されて
いる。増幅器２２の構成については上述した増幅器２０
と略同様であるため、同一部分には同一符号を付し、説
明を省略する。この増幅器２２に備えられた可変抵抗器
ＲＶ２は、半導体レーザ１４の光量感度の利得に対応し
た抵抗値に設定される。
【００２４】次に、本発明の実施の形態の作用を説明す
る。半導体レーザ１２、１４からレーザ光が出射される
と、このレーザ光のバックビームを光量検知器１６が検
知する。また、この光量検知器１６は、検知したバック
ビームの光量に応じた電流を電流分配器１８に出力す
る。電流分配器１８に備えられたトランジスタ３８に
は、光量検知器１６の出力電流に比例した電流が流れ
る。また、トランジスタ４０、４２にはトランジスタ３
８を流れる電流に比例した電流が流れる。このトランジ
スタ４０、４２は、同一の抵抗値の抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ
３が接続されている。すなわち、トランジスタ４０とト
ランジスタ４２から出力される電流は同一の値である。
このように、光量検知器１６の出力電流は電流分配器１
８によって複数の増幅器２０、２２に均等に分配され
る。
る。半導体レーザ１２、１４からレーザ光が出射される
と、このレーザ光のバックビームを光量検知器１６が検
知する。また、この光量検知器１６は、検知したバック
ビームの光量に応じた電流を電流分配器１８に出力す
る。電流分配器１８に備えられたトランジスタ３８に
は、光量検知器１６の出力電流に比例した電流が流れ
る。また、トランジスタ４０、４２にはトランジスタ３
８を流れる電流に比例した電流が流れる。このトランジ
スタ４０、４２は、同一の抵抗値の抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ
３が接続されている。すなわち、トランジスタ４０とト
ランジスタ４２から出力される電流は同一の値である。
このように、光量検知器１６の出力電流は電流分配器１
８によって複数の増幅器２０、２２に均等に分配され
る。
【００２５】ここで、半導体レーザ１２における光量制
御について説明する。増幅器２０では、電流分配器１８
によって分配された電流を電圧に変換して出力する。こ
のとき、増幅器２０に備えられた可変抵抗器ＲＶ１を半
導体レーザ１２の光量感度の利得に対応した抵抗値に設
定することにより、利得調整を行う。すなわち、半導体
レーザアレイに備えられた各半導体レーザ１２、１４に
対応して光量感度の利得調整を行うことによって、出力
特性４７、４９（図３参照）のばらつきを補正すること
ができる。
御について説明する。増幅器２０では、電流分配器１８
によって分配された電流を電圧に変換して出力する。こ
のとき、増幅器２０に備えられた可変抵抗器ＲＶ１を半
導体レーザ１２の光量感度の利得に対応した抵抗値に設
定することにより、利得調整を行う。すなわち、半導体
レーザアレイに備えられた各半導体レーザ１２、１４に
対応して光量感度の利得調整を行うことによって、出力
特性４７、４９（図３参照）のばらつきを補正すること
ができる。
【００２６】比較器２４には、前述した増幅器２０の出
力電圧（光量感度の利得調整された電圧）と予め設定さ
れた基準電圧２８が入力され、これらの電圧の大小関係
を比較する。
力電圧（光量感度の利得調整された電圧）と予め設定さ
れた基準電圧２８が入力され、これらの電圧の大小関係
を比較する。
【００２７】タイミング信号Ｔ１によって、比較器２４
に接続されたＳ／Ｈ制御回路３０がイネーブル状態にな
ったとき、比較器２４は高レベルまたは低レベルの電圧
を出力する。この出力電圧によって、Ｓ／Ｈ制御回路３
０に備えられた図示しないアップダウンカウンタのカウ
ントモードが制御される。例えば、増幅器２０の出力電
圧が基準電圧２８より低いときには、比較器２８の出力
電圧が低レベルになり、アップダウンカウンタはアップ
カウンタとして動作する。これに対して、増幅器２０の
出力電圧が基準電圧２８より高いときには、比較器２４
の出力電圧は高レベルになり、アップダウンカウンタは
ダウンカウンタとして動作する。このように、比較器２
８の出力電圧に基づいてアップダウンカウンタ動作を行
い、基準電圧２８と増幅器２０の出力が同一になるよう
にレーザ駆動回路３４から出力される半導体レーザ１２
を駆動する駆動電流を制御する。
に接続されたＳ／Ｈ制御回路３０がイネーブル状態にな
ったとき、比較器２４は高レベルまたは低レベルの電圧
を出力する。この出力電圧によって、Ｓ／Ｈ制御回路３
０に備えられた図示しないアップダウンカウンタのカウ
ントモードが制御される。例えば、増幅器２０の出力電
圧が基準電圧２８より低いときには、比較器２８の出力
電圧が低レベルになり、アップダウンカウンタはアップ
カウンタとして動作する。これに対して、増幅器２０の
出力電圧が基準電圧２８より高いときには、比較器２４
の出力電圧は高レベルになり、アップダウンカウンタは
ダウンカウンタとして動作する。このように、比較器２
８の出力電圧に基づいてアップダウンカウンタ動作を行
い、基準電圧２８と増幅器２０の出力が同一になるよう
にレーザ駆動回路３４から出力される半導体レーザ１２
を駆動する駆動電流を制御する。
【００２８】一方、タイミング信号Ｔ１によってＳ／Ｈ
制御回路３０がディスエーブル状態になったときには、
半導体レーザ１２を駆動する駆動電流はそのまま保持さ
れ、前述した電流制御は行われない。
制御回路３０がディスエーブル状態になったときには、
半導体レーザ１２を駆動する駆動電流はそのまま保持さ
れ、前述した電流制御は行われない。
【００２９】以上のように、光量検知器１６の出力電流
を電流分配器１８によって均等に分配してから電圧に変
換し、このとき各半導体レーザ１２、１４の各々の光量
感度の利得に対応する抵抗値に設定することができる可
変抵抗器ＲＶ１、ＲＶ２によって利得調整を行うことに
より各半導体レーザ１２、１４の出力特性４７、４９の
光量感度のばらつきを補正することができる。従って、
簡単な回路構成で半導体レーザアレイに備えられた複数
の半導体レーザ１２、１４から出射されるレーザ光の光
量差をおさえ、安定して正確な光量制御を行うことがで
きる。
を電流分配器１８によって均等に分配してから電圧に変
換し、このとき各半導体レーザ１２、１４の各々の光量
感度の利得に対応する抵抗値に設定することができる可
変抵抗器ＲＶ１、ＲＶ２によって利得調整を行うことに
より各半導体レーザ１２、１４の出力特性４７、４９の
光量感度のばらつきを補正することができる。従って、
簡単な回路構成で半導体レーザアレイに備えられた複数
の半導体レーザ１２、１４から出射されるレーザ光の光
量差をおさえ、安定して正確な光量制御を行うことがで
きる。
【００３０】なお、本実施の形態においては半導体レー
ザ１２における光量制御について説明したが、半導体レ
ーザ１４の光量制御についても同様である。但し、Ｓ／
Ｈ制御回路３２の動作はタイミング信号Ｔ２によって制
御される。
ザ１２における光量制御について説明したが、半導体レ
ーザ１４の光量制御についても同様である。但し、Ｓ／
Ｈ制御回路３２の動作はタイミング信号Ｔ２によって制
御される。
【００３１】また、電流分配器１８の出力端子を整流素
子であるダイオード４６、４８（図２参照）を介して増
幅器２０、２２の入力端子と接続してもよい。このよう
に、電流分配器１８をダイオード４６、４８を介して増
幅器２０、２２に接続することによって、増幅器２０、
２２において電圧に差が生じたときに電流分配器１８に
電流が逆流するのを防止することができる。
子であるダイオード４６、４８（図２参照）を介して増
幅器２０、２２の入力端子と接続してもよい。このよう
に、電流分配器１８をダイオード４６、４８を介して増
幅器２０、２２に接続することによって、増幅器２０、
２２において電圧に差が生じたときに電流分配器１８に
電流が逆流するのを防止することができる。
【００３２】さらに、電流分配器１８は本実施の形態で
示した回路構成に限定されるものではなく、光量検出器
１６の出力電流が各増幅器２０、２２に均等に分配され
る回路構成であればよい。
示した回路構成に限定されるものではなく、光量検出器
１６の出力電流が各増幅器２０、２２に均等に分配され
る回路構成であればよい。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
量検出手段の出力電流を電流分配手段によって均等に分
配した後に電圧に変換し、このとき可変抵抗器によって
光量感度の利得調整を行って各半導体レーザの出力特性
のばらつきを補正するので、簡単な回路構成で安定して
正確な光量制御を行うことができる、という優れた効果
を有する。
量検出手段の出力電流を電流分配手段によって均等に分
配した後に電圧に変換し、このとき可変抵抗器によって
光量感度の利得調整を行って各半導体レーザの出力特性
のばらつきを補正するので、簡単な回路構成で安定して
正確な光量制御を行うことができる、という優れた効果
を有する。
【図１】本実施の形態に係る光量制御装置の構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】本発明の形態に係る光量制御装置の電流分配器
及び増幅器の回路構成を示す詳細図である。
及び増幅器の回路構成を示す詳細図である。
【図３】本発明の形態に係る光量制御装置における半導
体レーザの出力特性を示すグラフである。
体レーザの出力特性を示すグラフである。
【図４】従来の光量制御装置の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図５】従来の光量制御装置における半導体レーザの出
力特性を示すグラフである。
力特性を示すグラフである。
１０ 光量制御装置 １２、１４ 半導体レーザ １６ 光量検知器（光量検知手段） １８ 電流分配器（電流分配手段） ２０、２２ 増幅器（変換手段） ２４、２６ 比較器（比較手段） ３０、３２ Ｓ／Ｈ制御回路（電流制御手段） ３４、３６ レーザ駆動回路（電流制御手段） ４６、４８ ダイオード（整流手段）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザアレイに備えられた複数の
半導体レーザから出射されるレーザ光の光量を制御する
光量制御装置であって、 前記複数の半導体レーザから出射されるレーザ光の光量
を検知しかつ検知した光量に応じた電流を出力する光量
検知手段と、 前記光量検知手段の出力電流を前記複数の半導体レーザ
の個数に対応して均等に分配する電流分配手段と、 前記電流分配手段によって分配された電流を前記複数の
半導体レーザの各々の光量感度の利得に対応した電圧に
変換する変換手段と、 前記変換手段の出力電圧と予め設定された基準電圧を比
較する比較手段と、 前記比較手段の比較結果に基づいて前記半導体レーザを
駆動する駆動電流を制御する電流制御手段と、 を有する光量制御装置。 - 【請求項２】 前記電流分配手段の下流側に設けられ、
該電流分配手段によって分配された電流の逆流を防止す
る整流手段を設けることを特徴とする請求項１記載の光
量制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP966597A JP3677915B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 光量制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP966597A JP3677915B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 光量制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209545A true JPH10209545A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3677915B2 JP3677915B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=11726521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP966597A Expired - Fee Related JP3677915B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 光量制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3677915B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1005121A2 (en) * | 1998-11-25 | 2000-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser driving apparatus, driving method thereof, and image-forming apparatus using it |
| JP2001085786A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | レーザパワー制御装置、光学ヘッド及び光記録再生装置 |
| WO2001059897A1 (fr) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de commande de laser, tete optique et processeur d'information optique |
| US6377381B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light beam deflection scanner |
| WO2004003900A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Thomson Licensing S.A. | Intrinsically safe pick-up for reproduction or recording devices for different optical recording media |
| US6812948B1 (en) | 1998-12-15 | 2004-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light beam scanning apparatus and image forming apparatus |
| US8786653B2 (en) | 2012-09-12 | 2014-07-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light quantity control device, exposure device, and image forming apparatus |
-
1997
- 1997-01-22 JP JP966597A patent/JP3677915B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1005121A2 (en) * | 1998-11-25 | 2000-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser driving apparatus, driving method thereof, and image-forming apparatus using it |
| EP1005121A3 (en) * | 1998-11-25 | 2002-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser driving apparatus, driving method thereof, and image-forming apparatus using it |
| US6560256B1 (en) | 1998-11-25 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser driving apparatus, driving method thereof, and image-forming apparatus using it |
| US6812948B1 (en) | 1998-12-15 | 2004-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light beam scanning apparatus and image forming apparatus |
| US6377381B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light beam deflection scanner |
| JP2001085786A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | レーザパワー制御装置、光学ヘッド及び光記録再生装置 |
| WO2001059897A1 (fr) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de commande de laser, tete optique et processeur d'information optique |
| US6643303B2 (en) | 2000-02-10 | 2003-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser drive device, optical head, and optical information processor |
| WO2004003900A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Thomson Licensing S.A. | Intrinsically safe pick-up for reproduction or recording devices for different optical recording media |
| US8786653B2 (en) | 2012-09-12 | 2014-07-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light quantity control device, exposure device, and image forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3677915B2 (ja) | 2005-08-03 |
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