JPH09276858A - 紫外線ｔｏｃ分解装置 - Google Patents
紫外線ｔｏｃ分解装置Info
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- JPH09276858A JPH09276858A JP11715896A JP11715896A JPH09276858A JP H09276858 A JPH09276858 A JP H09276858A JP 11715896 A JP11715896 A JP 11715896A JP 11715896 A JP11715896 A JP 11715896A JP H09276858 A JPH09276858 A JP H09276858A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外線ＴＯＣ分解装置の水銀ランプの紫外線
波長の１８５ｎｍに対する２５４ｎｍの比率を高比率に
し、後段のイオン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加
を抑制し、シリコン基板の洗浄水等として支障を起こさ
ずに使用する。 【手段】 ＴＯＣ成分含有水を紫外線ＴＯＣ分解装置と
オン交換装置で処理するについて、水銀ランプの紫外線
の波長の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上に
２５４ｎｍを高比率にした低圧水銀ランプを紫外線ＴＯ
Ｃ分解装置内に装填し、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成
分に対して紫外線照射を行うことによって、後段のイオ
ン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加を抑制する紫外
線ＴＯＣ分解装置。
波長の１８５ｎｍに対する２５４ｎｍの比率を高比率に
し、後段のイオン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加
を抑制し、シリコン基板の洗浄水等として支障を起こさ
ずに使用する。 【手段】 ＴＯＣ成分含有水を紫外線ＴＯＣ分解装置と
オン交換装置で処理するについて、水銀ランプの紫外線
の波長の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上に
２５４ｎｍを高比率にした低圧水銀ランプを紫外線ＴＯ
Ｃ分解装置内に装填し、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成
分に対して紫外線照射を行うことによって、後段のイオ
ン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加を抑制する紫外
線ＴＯＣ分解装置。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は、たとえば、半導体製造産
業におけるシリコン基板の洗浄に使用する超純水の製造
システムに組み込む紫外線ＴＯＣ分解装置に関するもの
で、ＴＯＣ含有水に対して照射する低圧水銀ランプの１
８５ｎｍに対する２５４ｎｍの波長を高比率にすること
に特徴がある。
業におけるシリコン基板の洗浄に使用する超純水の製造
システムに組み込む紫外線ＴＯＣ分解装置に関するもの
で、ＴＯＣ含有水に対して照射する低圧水銀ランプの１
８５ｎｍに対する２５４ｎｍの波長を高比率にすること
に特徴がある。
【０００２】
【従来の技術】従来、前述した半導体製造産業における
シリコン基板の洗浄に使用する超純水の製造システムに
おいては、紫外線ＴＯＣ分解装置とイオン交換装置が組
み込まれるが、通常、紫外線ＴＯＣ分解装置のＴＯＣ成
分含有水に対して照射する低圧水銀ランプとして、１８
５ｎｍと２５４ｎｍとの比率が１：５〜１：７．８のも
のを使用することが多く、１８５ｎｍの比率が高いため
に、紫外線ＴＯＣ分解処理装置の後段に設置するイオン
交換装置の処理水の溶存酸素量が増加して、シリコン基
板の洗浄を行う際に求められる水質基準に達しない欠点
があった。
シリコン基板の洗浄に使用する超純水の製造システムに
おいては、紫外線ＴＯＣ分解装置とイオン交換装置が組
み込まれるが、通常、紫外線ＴＯＣ分解装置のＴＯＣ成
分含有水に対して照射する低圧水銀ランプとして、１８
５ｎｍと２５４ｎｍとの比率が１：５〜１：７．８のも
のを使用することが多く、１８５ｎｍの比率が高いため
に、紫外線ＴＯＣ分解処理装置の後段に設置するイオン
交換装置の処理水の溶存酸素量が増加して、シリコン基
板の洗浄を行う際に求められる水質基準に達しない欠点
があった。
【０００３】それは、紫外線ＴＯＣ分解装置のＴＯＣ含
有水に対して照射する紫外線の波長が、１８５ｎｍを主
体とするものであると、ＴＯＣ含有水中のＴＯＣ成分、
たとえば、メタノールに対して紫外線照射を行うと、メ
タノールはホルムアルデヒドを経て、メタノールに酸素
原子が二つまたはそれ以上連なった過酸化物になり、こ
の過酸化物含有水がイオン交換装置に流入して、イオン
交換樹脂に接触すると、この過酸化物より酸素分子が外
れて、イオン交換処理水の溶存酸素量が増加することに
よる。
有水に対して照射する紫外線の波長が、１８５ｎｍを主
体とするものであると、ＴＯＣ含有水中のＴＯＣ成分、
たとえば、メタノールに対して紫外線照射を行うと、メ
タノールはホルムアルデヒドを経て、メタノールに酸素
原子が二つまたはそれ以上連なった過酸化物になり、こ
の過酸化物含有水がイオン交換装置に流入して、イオン
交換樹脂に接触すると、この過酸化物より酸素分子が外
れて、イオン交換処理水の溶存酸素量が増加することに
よる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、紫外線ＴＯ
Ｃ分解装置に挿填する従来の低圧水銀ランプの紫外線の
波長のうち、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以
上、すなわち、１８５ｎｍに対する２５４ｎｍの比率を
高比率にして、ＴＯＣ含有水中のＴＯＣ成分に対して紫
外線照射を行うことによって、後段のイオン交換装置の
処理水（超純水）の溶存酸素量の増加を抑制し、この溶
存酸素量の少ない処理水（超純水）を、たとえば、半導
体製造産業におけるシリコン基板の洗浄等の高品質製品
の用水として、溶存酸素による問題を起こすことなく、
使用することに目的がある。
Ｃ分解装置に挿填する従来の低圧水銀ランプの紫外線の
波長のうち、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以
上、すなわち、１８５ｎｍに対する２５４ｎｍの比率を
高比率にして、ＴＯＣ含有水中のＴＯＣ成分に対して紫
外線照射を行うことによって、後段のイオン交換装置の
処理水（超純水）の溶存酸素量の増加を抑制し、この溶
存酸素量の少ない処理水（超純水）を、たとえば、半導
体製造産業におけるシリコン基板の洗浄等の高品質製品
の用水として、溶存酸素による問題を起こすことなく、
使用することに目的がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、紫外線ＴＯＣ
分解装置に関するものであって、ＴＯＣ成分含有水を紫
外線ＴＯＣ分解装置とイオン交換装置で処理するについ
て、紫外線の波長の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を
１：８以上に２５４ｎｍを高比率にした低圧水銀ランプ
を処理装置内に装填し、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成
分に対して紫外線照射を行うことによって、後段のイオ
ン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加を抑制すること
に特徴がある。
分解装置に関するものであって、ＴＯＣ成分含有水を紫
外線ＴＯＣ分解装置とイオン交換装置で処理するについ
て、紫外線の波長の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を
１：８以上に２５４ｎｍを高比率にした低圧水銀ランプ
を処理装置内に装填し、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成
分に対して紫外線照射を行うことによって、後段のイオ
ン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加を抑制すること
に特徴がある。
【０００６】すなわち、本発明は、前述した紫外線ＴＯ
Ｃ分解装置において、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射
する低圧水銀ランプの石英ガラスまたは１８５ｎｍと２
５４ｎｍとを照射する低圧水銀ランプを内蔵する透過管
の石英ガラスの厚さを１ｃｍ以上にして、紫外線の波長
の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上に２５４
ｎｍを高比率にして処理槽内に装填し、ＴＯＣ成分含有
水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照射を行うことによっ
て、後段のイオン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加
を抑制することに特徴がある。
Ｃ分解装置において、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射
する低圧水銀ランプの石英ガラスまたは１８５ｎｍと２
５４ｎｍとを照射する低圧水銀ランプを内蔵する透過管
の石英ガラスの厚さを１ｃｍ以上にして、紫外線の波長
の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上に２５４
ｎｍを高比率にして処理槽内に装填し、ＴＯＣ成分含有
水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照射を行うことによっ
て、後段のイオン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加
を抑制することに特徴がある。
【０００７】また、本発明は、前述した紫外線ＴＯＣ分
解装置のうち、シリンダー型の処理筒内に、１８５ｎｍ
と２５４ｎｍを照射する低圧水銀ランプに対する２５４
ｎｍの紫外線を照射する低圧水銀ランプの割合を１０〜
８０％に挿填し、紫外線の波長の１８５ｎｍと２５４ｎ
ｍの比率を１：８以上に２５４ｎｍを高比率にして、Ｔ
ＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照射を行
うことによって、後段のイオン交換装置の処理水の溶存
酸素量の増加を抑制することに特徴がある。
解装置のうち、シリンダー型の処理筒内に、１８５ｎｍ
と２５４ｎｍを照射する低圧水銀ランプに対する２５４
ｎｍの紫外線を照射する低圧水銀ランプの割合を１０〜
８０％に挿填し、紫外線の波長の１８５ｎｍと２５４ｎ
ｍの比率を１：８以上に２５４ｎｍを高比率にして、Ｔ
ＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照射を行
うことによって、後段のイオン交換装置の処理水の溶存
酸素量の増加を抑制することに特徴がある。
【０００８】さらに、本発明は、前述のシリンダー型の
処理筒内に、１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する低圧水
銀ランプの電力に対する１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照
射する中圧または高圧水銀ランプの電力の割合を１０〜
８０％に挿填し、紫外線の波長の１８５ｎｍと２５４ｎ
ｍの比率を１：８以上に２５４ｎｍを高比率にして、Ｔ
ＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照射を行
うことによって、後段のイオン交換装置の処理水の溶存
酸素量の増加を抑制することに特徴がある。
処理筒内に、１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する低圧水
銀ランプの電力に対する１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照
射する中圧または高圧水銀ランプの電力の割合を１０〜
８０％に挿填し、紫外線の波長の１８５ｎｍと２５４ｎ
ｍの比率を１：８以上に２５４ｎｍを高比率にして、Ｔ
ＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照射を行
うことによって、後段のイオン交換装置の処理水の溶存
酸素量の増加を抑制することに特徴がある。
【０００９】さらに、本発明は、前述のシリンダー型の
処理筒内に、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低圧
水銀ランプを内蔵した透過管を複数本装填する際に、低
圧水銀ランプを内蔵した透過管の間隔を１〜５ｃｍに挿
填し、紫外線の波長として、紫外線の波長の１８５ｎｍ
と２５４ｎｍの比率を１：８に２５４ｎｍを高比率にし
て、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照
射を行うことによって、後段のイオン交換装置の処理水
の溶存酸素量の増加を抑制することに特徴がある。
処理筒内に、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低圧
水銀ランプを内蔵した透過管を複数本装填する際に、低
圧水銀ランプを内蔵した透過管の間隔を１〜５ｃｍに挿
填し、紫外線の波長として、紫外線の波長の１８５ｎｍ
と２５４ｎｍの比率を１：８に２５４ｎｍを高比率にし
て、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照
射を行うことによって、後段のイオン交換装置の処理水
の溶存酸素量の増加を抑制することに特徴がある。
【００１０】
【発明の実施の態様】以下に本発明の実施態様の一例を
ＴＯＣ成分としてメタノールを含むＴＯＣ含有水を例と
して説明すると、前述したように、超純水製造システム
においては紫外線ＴＯＣ分解装置とイオン交換装置とを
組み込むが、このＴＯＣ処理装置の処理槽内に、紫外線
波長の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上にし
た低圧水銀ランプ、すなわち、２５４ｎｍの比率を高比
率にした低圧水銀ランプを装填する。
ＴＯＣ成分としてメタノールを含むＴＯＣ含有水を例と
して説明すると、前述したように、超純水製造システム
においては紫外線ＴＯＣ分解装置とイオン交換装置とを
組み込むが、このＴＯＣ処理装置の処理槽内に、紫外線
波長の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上にし
た低圧水銀ランプ、すなわち、２５４ｎｍの比率を高比
率にした低圧水銀ランプを装填する。
【００１１】ＴＯＣ処理装置内に紫外線波長の１８５ｎ
ｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上にした低圧水銀ラン
プを装填するのは、２５４ｎｍの比率の高い紫外線をＴ
ＯＣ含有水に対して照射し、これによって生成さたＯＨ
ラジカルを相互に結合して過酸化水素を発生させ、この
過酸化水素によって一段とＯＨラジカルの生成を促進し
て、ＴＯＣ含有水中のメタノールールを蟻酸にすること
にある。そして、この蟻酸を含む紫外線処理水を後段の
イオン交換装置に流入させて、紫外線処理水中の蟻酸を
イオン交換樹脂に吸着除去させることによって、イオン
交換処理水の溶存酸素量の増加を抑制する。
ｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上にした低圧水銀ラン
プを装填するのは、２５４ｎｍの比率の高い紫外線をＴ
ＯＣ含有水に対して照射し、これによって生成さたＯＨ
ラジカルを相互に結合して過酸化水素を発生させ、この
過酸化水素によって一段とＯＨラジカルの生成を促進し
て、ＴＯＣ含有水中のメタノールールを蟻酸にすること
にある。そして、この蟻酸を含む紫外線処理水を後段の
イオン交換装置に流入させて、紫外線処理水中の蟻酸を
イオン交換樹脂に吸着除去させることによって、イオン
交換処理水の溶存酸素量の増加を抑制する。
【００１２】すなわち、従来の１８５ｎｍの比率が高い
紫外線をＴＯＣ含有水に対して照射した場合のように、
ＴＯＣ含有水中のメタノールールがホルムアルデヒドを
経て、メタノールに酸素原子が二つまたはそれ以上連な
った過酸化物になり、この過酸化物含有水がイオン交換
装置に流入し、イオン交換樹脂に接触して過酸化物より
酸素分子が外れて起こる、イオン交換処理水の溶存酸素
量の増加の問題は発生しない。
紫外線をＴＯＣ含有水に対して照射した場合のように、
ＴＯＣ含有水中のメタノールールがホルムアルデヒドを
経て、メタノールに酸素原子が二つまたはそれ以上連な
った過酸化物になり、この過酸化物含有水がイオン交換
装置に流入し、イオン交換樹脂に接触して過酸化物より
酸素分子が外れて起こる、イオン交換処理水の溶存酸素
量の増加の問題は発生しない。
【００１３】一般にメタノール等のＴＯＣ成分の分解除
去に使用される従来の低圧水銀ランプの紫外線の波長の
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率は１：５〜１：７．８で
あるが、この比率を１：８以上にするには、従来の低圧
水銀ランプの石英ガラスまたは従来の低圧水銀ランプを
内蔵する透過管（保護管）の石英ガラスの厚みを変化さ
せる方法がある。たとえば、従来の低圧水銀ランプの石
英ガラスの厚みを１ｍｍにすると、１８５ｎｍと２５４
ｎｍの比率が１：８になり、石英ガラスの厚み２ｍｍに
すると、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率が１：１４にな
り、石英ガラスの厚み３ｍｍにすると、１８５ｎｍと２
５４ｎｍの比率が１：２６になり、石英ガラスの厚みが
増すにつれて、２５４ｎｍの比率は高くなる（従来の低
圧水銀ランプを内蔵する透過管の石英ガラスの厚みを変
化させる場合も同様）。
去に使用される従来の低圧水銀ランプの紫外線の波長の
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率は１：５〜１：７．８で
あるが、この比率を１：８以上にするには、従来の低圧
水銀ランプの石英ガラスまたは従来の低圧水銀ランプを
内蔵する透過管（保護管）の石英ガラスの厚みを変化さ
せる方法がある。たとえば、従来の低圧水銀ランプの石
英ガラスの厚みを１ｍｍにすると、１８５ｎｍと２５４
ｎｍの比率が１：８になり、石英ガラスの厚み２ｍｍに
すると、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率が１：１４にな
り、石英ガラスの厚み３ｍｍにすると、１８５ｎｍと２
５４ｎｍの比率が１：２６になり、石英ガラスの厚みが
増すにつれて、２５４ｎｍの比率は高くなる（従来の低
圧水銀ランプを内蔵する透過管の石英ガラスの厚みを変
化させる場合も同様）。
【００１４】さらに、紫外線ＴＯＣ分解装置のうち、シ
リンダー型の処理筒内に１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照
射する低圧水銀ランプと２５４ｎｍを照射する低圧水銀
ランプを挿填して、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を
１：８以上にすることもでき、この場合には、１８５ｎ
ｍと２５４ｎｍを照射する低圧水銀ランプに対して、２
５４ｎｍの紫外線を照射する低圧水銀ランプを１０〜８
０％の割合にするとよく、５０％前後にすると最適であ
る。
リンダー型の処理筒内に１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照
射する低圧水銀ランプと２５４ｎｍを照射する低圧水銀
ランプを挿填して、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を
１：８以上にすることもでき、この場合には、１８５ｎ
ｍと２５４ｎｍを照射する低圧水銀ランプに対して、２
５４ｎｍの紫外線を照射する低圧水銀ランプを１０〜８
０％の割合にするとよく、５０％前後にすると最適であ
る。
【００１５】さらに、前述したシリンダー型の処理筒内
に１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低圧水銀ランプ
と１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する中圧または高圧
水銀ランプを装填して、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率
を１：８以上にすることもでき、この場合には、１８５
ｎｍと２５４ｎｍを照射する低圧水銀ランプの電力に対
して、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する中圧または
高圧水銀ランプの電力の比率を１０〜８０％にするとよ
く、５０％前後にすると最適である。
に１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低圧水銀ランプ
と１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する中圧または高圧
水銀ランプを装填して、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率
を１：８以上にすることもでき、この場合には、１８５
ｎｍと２５４ｎｍを照射する低圧水銀ランプの電力に対
して、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する中圧または
高圧水銀ランプの電力の比率を１０〜８０％にするとよ
く、５０％前後にすると最適である。
【００１６】さらに、前述したシリンダー型の処理筒内
に１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低圧水銀ランプ
を内蔵した透過管を複数本挿填する際に、低圧水銀ラン
プを内蔵した透過管の間隔を１〜５ｃｍにし、紫外線の
波長の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上にす
ることもでき、従来、低圧水銀ランプのメタノール等の
ＴＯＣ成分含有水の水厚（低圧水銀ランプを複数本使用
した場合、ランプ１本当たりの断面積を求め、それを円
にしたときの半径からランプの透過管の半径を差し引い
た値）が０．５〜０．９ｃｍ前後であったのを、１ｃｍ
以上にするとよく、３ｃｍにすると最適である。
に１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低圧水銀ランプ
を内蔵した透過管を複数本挿填する際に、低圧水銀ラン
プを内蔵した透過管の間隔を１〜５ｃｍにし、紫外線の
波長の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上にす
ることもでき、従来、低圧水銀ランプのメタノール等の
ＴＯＣ成分含有水の水厚（低圧水銀ランプを複数本使用
した場合、ランプ１本当たりの断面積を求め、それを円
にしたときの半径からランプの透過管の半径を差し引い
た値）が０．５〜０．９ｃｍ前後であったのを、１ｃｍ
以上にするとよく、３ｃｍにすると最適である。
【００１７】すなわち、低圧水銀ランプのメタノール等
のＴＯＣ成分含有水の水厚を１ｃｍ以上にすると、１８
５ｎｍの紫外線の波長は水に９０％以上吸収され、２５
４ｎｍの紫外線の波長は殆ど水に吸収されないために、
低圧水銀ランプの１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率は１：
８以上になる。
のＴＯＣ成分含有水の水厚を１ｃｍ以上にすると、１８
５ｎｍの紫外線の波長は水に９０％以上吸収され、２５
４ｎｍの紫外線の波長は殆ど水に吸収されないために、
低圧水銀ランプの１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率は１：
８以上になる。
【００１８】本発明においては、紫外線波長の１８５ｎ
ｍと２５４ｎｍの比率が１：８未満であると、紫外線Ｔ
ＯＣ分解処理装置の後段に設置するイオン交換装置の処
理水の溶存酸素量が増加するので不適当でり、また、１
８５ｎｍに対する２５４ｎｍの比率は高いほどよいが、
１８５ｎｍの波長の紫外線が存在した方がよい場合（Ｏ
Ｈラジカルによるメタノールールの蟻酸化の促進）もあ
るので、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率が１：２０程度
の低圧水銀ランプを使用することが望ましく、１：１５
程度が最適である。
ｍと２５４ｎｍの比率が１：８未満であると、紫外線Ｔ
ＯＣ分解処理装置の後段に設置するイオン交換装置の処
理水の溶存酸素量が増加するので不適当でり、また、１
８５ｎｍに対する２５４ｎｍの比率は高いほどよいが、
１８５ｎｍの波長の紫外線が存在した方がよい場合（Ｏ
Ｈラジカルによるメタノールールの蟻酸化の促進）もあ
るので、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率が１：２０程度
の低圧水銀ランプを使用することが望ましく、１：１５
程度が最適である。
【００１９】なお、本発明においては、低圧水銀ランプ
より照射される１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を測定し
て、この比率を１：８以上する場合があるが、１８５ｎ
ｍと２５４ｎｍの基準光源が存在しないために、それぞ
れの紫外線の波長を照度計で直接測定することはできな
い。そこで、その対策としては、サリチル酸ナトリウム
の蛍光特性を利用した測定法を用いると、１８５ｎｍと
２５４ｎｍの紫外線の波長は蛍光への変換率が一定であ
るので、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を求めることが
できる。
より照射される１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を測定し
て、この比率を１：８以上する場合があるが、１８５ｎ
ｍと２５４ｎｍの基準光源が存在しないために、それぞ
れの紫外線の波長を照度計で直接測定することはできな
い。そこで、その対策としては、サリチル酸ナトリウム
の蛍光特性を利用した測定法を用いると、１８５ｎｍと
２５４ｎｍの紫外線の波長は蛍光への変換率が一定であ
るので、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を求めることが
できる。
【００２０】紫外線ＴＯＣ分解装置の後段に組み込むイ
オン交換装置としては、被処理水に含まれるＴＯＣ成分
やその他の不純物の種類や処理目的に応じて適宜選択し
て使用するが、通常の場合、カチオン交換樹脂とアニオ
ン交換樹脂を混合した混床式イオン交換装置を使用す
る。
オン交換装置としては、被処理水に含まれるＴＯＣ成分
やその他の不純物の種類や処理目的に応じて適宜選択し
て使用するが、通常の場合、カチオン交換樹脂とアニオ
ン交換樹脂を混合した混床式イオン交換装置を使用す
る。
【００２１】
【実施例１】本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置として、処
理槽（縦２４０、横１４０、高さ１５０ｍｍ）に、厚み
２．５ｍｍの石英ガラス製の透過管に６５ｗの低圧水銀
ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−２０）を内蔵さ
せて、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１９になる
ように装填した紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、この後
段に、処理搭（直径２５０、高さ１２００ｍｍ）に強酸
性陽イオン交換樹脂２．５リットルと強塩基性陰イオン
交換樹脂２．５リットルとを混合させた混床式イオン交
換搭を設置し、さらに、従来の紫外線ＴＯＣ分解装置と
して、前述の同一容量の処理槽に、厚み１ｍｍの石英ガ
ラス製の透過管に６５ｗの低圧水銀ランプ（日本フォト
サイエンス製ＡＹ−２０）を内蔵させて、１８５ｎｍと
２５４ｎｍの比率を１：６に装填した紫外線ＴＯＣ分解
装置を設置し、この後段に、前述した混床式イオン交換
搭を設置した。
理槽（縦２４０、横１４０、高さ１５０ｍｍ）に、厚み
２．５ｍｍの石英ガラス製の透過管に６５ｗの低圧水銀
ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−２０）を内蔵さ
せて、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１９になる
ように装填した紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、この後
段に、処理搭（直径２５０、高さ１２００ｍｍ）に強酸
性陽イオン交換樹脂２．５リットルと強塩基性陰イオン
交換樹脂２．５リットルとを混合させた混床式イオン交
換搭を設置し、さらに、従来の紫外線ＴＯＣ分解装置と
して、前述の同一容量の処理槽に、厚み１ｍｍの石英ガ
ラス製の透過管に６５ｗの低圧水銀ランプ（日本フォト
サイエンス製ＡＹ−２０）を内蔵させて、１８５ｎｍと
２５４ｎｍの比率を１：６に装填した紫外線ＴＯＣ分解
装置を設置し、この後段に、前述した混床式イオン交換
搭を設置した。
【００２２】そして、メタノールを２０ｐｐｂ含む純水
製造装置の二次純水を原水を、前述した本発明の紫外線
ＴＯＣ分解装置と混床式イオン交換搭および従来の紫外
線ＴＯＣ分解装置とのに混床式イオン交換搭に、それぞ
れ、５ｍ3 ／ｈｒの流量で通水して、紫外線照射処理と
イオン交換処理を行ったところ、本発明の場合、イオン
交換処理水中の溶存酸素量は３ｐｐｂであって、この処
理水でシリコン基板を奇麗に洗浄できたが、従来の場
合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は１５ｐｐｂであ
って、この処理水でシリコン基板を洗浄すると、シリコ
ン基板に若干の自然酸化膜が認められた。
製造装置の二次純水を原水を、前述した本発明の紫外線
ＴＯＣ分解装置と混床式イオン交換搭および従来の紫外
線ＴＯＣ分解装置とのに混床式イオン交換搭に、それぞ
れ、５ｍ3 ／ｈｒの流量で通水して、紫外線照射処理と
イオン交換処理を行ったところ、本発明の場合、イオン
交換処理水中の溶存酸素量は３ｐｐｂであって、この処
理水でシリコン基板を奇麗に洗浄できたが、従来の場
合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は１５ｐｐｂであ
って、この処理水でシリコン基板を洗浄すると、シリコ
ン基板に若干の自然酸化膜が認められた。
【００２３】
【実施例２】本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置として、３
４本入りのシリンダー型の処理筒（直径２５０、長さ１
５００ｍｍ）に、１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する６
５ｗの低圧水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−
６）に対して、２５４ｎｍを照射する６５ｗの低圧水銀
ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−４）を５０％に
なるように挿填して、処理筒内の被処理水に照射する紫
外線の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１６にした
紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来の紫外線
ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理筒に、前
述した１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する６５ｗの低圧
水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を１０
０％挿填して、処理筒内の被処理水に照射する紫外線の
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：７にした紫外線Ｔ
ＯＣ分解装置を設置し、これらの後段に、実施例１で述
べた混床式イオン交換搭をそれぞれ設置した。
４本入りのシリンダー型の処理筒（直径２５０、長さ１
５００ｍｍ）に、１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する６
５ｗの低圧水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−
６）に対して、２５４ｎｍを照射する６５ｗの低圧水銀
ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−４）を５０％に
なるように挿填して、処理筒内の被処理水に照射する紫
外線の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１６にした
紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来の紫外線
ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理筒に、前
述した１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する６５ｗの低圧
水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を１０
０％挿填して、処理筒内の被処理水に照射する紫外線の
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：７にした紫外線Ｔ
ＯＣ分解装置を設置し、これらの後段に、実施例１で述
べた混床式イオン交換搭をそれぞれ設置した。
【００２４】そして、実施例１で述べたメタノールを２
０ｐｐｂ含む純水製造装置の二次純水を原水を、前述し
た本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置と混床式イオン交換搭
および従来の紫外線ＴＯＣ分解装置とのに混床式イオン
交換搭に、それぞれ、５ｍ3／ｈｒの流量で通水して、
紫外線照射処理とイオン交換処理を行ったところ、本発
明の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は５ｐｐｂ
であって、この処理水でシリコン基板を奇麗に洗浄でき
たが、従来の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は
１６ｐｐｂであって、この処理水でシリコン基板を洗浄
すると、シリコン基板に若干の自然酸化膜が認められ
た。
０ｐｐｂ含む純水製造装置の二次純水を原水を、前述し
た本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置と混床式イオン交換搭
および従来の紫外線ＴＯＣ分解装置とのに混床式イオン
交換搭に、それぞれ、５ｍ3／ｈｒの流量で通水して、
紫外線照射処理とイオン交換処理を行ったところ、本発
明の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は５ｐｐｂ
であって、この処理水でシリコン基板を奇麗に洗浄でき
たが、従来の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は
１６ｐｐｂであって、この処理水でシリコン基板を洗浄
すると、シリコン基板に若干の自然酸化膜が認められ
た。
【００２５】
【実施例３】本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置として、実
施例２で述べたシリンダー型の処理筒に、１８５ｎｍと
２５４ｎｍとを照射する６５ｗの低圧水銀ランプ（日本
フォトサイエンス製ＡＹ−６）１７本と２５４ｎｍを照
射する１．２ｋｗの中圧水銀ランプ（日本フォトサイエ
ンス製ＡＶ−１１）１本とを、その電力の比率が５０％
になるように設定して挿填し、処理筒内の被処理水に照
射する紫外線の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１
６にした紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来
の紫外線ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理
槽に、前述した１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６
５ｗの低圧水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−
６）３４本挿填して処理筒内の被処理水に照射する紫外
線の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：６．５にした
紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、これらの後段に、実施
例１で述べた混床式イオン交換搭をそれぞれ設置した。
施例２で述べたシリンダー型の処理筒に、１８５ｎｍと
２５４ｎｍとを照射する６５ｗの低圧水銀ランプ（日本
フォトサイエンス製ＡＹ−６）１７本と２５４ｎｍを照
射する１．２ｋｗの中圧水銀ランプ（日本フォトサイエ
ンス製ＡＶ−１１）１本とを、その電力の比率が５０％
になるように設定して挿填し、処理筒内の被処理水に照
射する紫外線の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１
６にした紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来
の紫外線ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理
槽に、前述した１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６
５ｗの低圧水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−
６）３４本挿填して処理筒内の被処理水に照射する紫外
線の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：６．５にした
紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、これらの後段に、実施
例１で述べた混床式イオン交換搭をそれぞれ設置した。
【００２６】そして、実施例１で述べたメタノールを２
０ｐｐｂ含む純水製造装置の二次純水を原水を、前述し
た本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置と混床式イオン交換搭
および従来の紫外線ＴＯＣ分解装置とのに混床式イオン
交換搭に、それぞれ、５ｍ3／ｈｒの流量で通水して、
紫外線照射処理とイオン交換処理を行ったところ、本発
明の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は８ｐｐｂ
であって、この処理水でシリコン基板を奇麗に洗浄でき
たが、従来の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は
１５ｐｐｂであって、この処理水でシリコン基板を洗浄
すると、シリコン基板に若干の自然酸化膜が認められ
た。
０ｐｐｂ含む純水製造装置の二次純水を原水を、前述し
た本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置と混床式イオン交換搭
および従来の紫外線ＴＯＣ分解装置とのに混床式イオン
交換搭に、それぞれ、５ｍ3／ｈｒの流量で通水して、
紫外線照射処理とイオン交換処理を行ったところ、本発
明の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は８ｐｐｂ
であって、この処理水でシリコン基板を奇麗に洗浄でき
たが、従来の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は
１５ｐｐｂであって、この処理水でシリコン基板を洗浄
すると、シリコン基板に若干の自然酸化膜が認められ
た。
【００２７】
【実施例４】本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置として、シ
リンダー型の処理筒（直径４８０、高さ１５００ｍｍ）
に、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６５ｗの低圧
水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を内蔵
した透過管を３４本挿填する際に、低圧水銀ランプを内
蔵した透過管の間隔、すなわち、水厚を３ｃｍにして、
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：２１になるように
した紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来の紫
外線ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理槽
に、前述した１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６５
ｗの低圧水銀ランプを内蔵した透過管を同じ本数挿填す
る際に、低圧水銀ランプを内蔵した透過管の間隔、すな
わち、水厚を１ｃｍにして、１８５ｎｍと２５４ｎｍの
比率を１：７になるようにした紫外線ＴＯＣ分解装置を
設置し、これらの後段に、実施例１で述べた混床式イオ
ン交換搭をそれぞれ設置した。
リンダー型の処理筒（直径４８０、高さ１５００ｍｍ）
に、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６５ｗの低圧
水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を内蔵
した透過管を３４本挿填する際に、低圧水銀ランプを内
蔵した透過管の間隔、すなわち、水厚を３ｃｍにして、
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：２１になるように
した紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来の紫
外線ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理槽
に、前述した１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６５
ｗの低圧水銀ランプを内蔵した透過管を同じ本数挿填す
る際に、低圧水銀ランプを内蔵した透過管の間隔、すな
わち、水厚を１ｃｍにして、１８５ｎｍと２５４ｎｍの
比率を１：７になるようにした紫外線ＴＯＣ分解装置を
設置し、これらの後段に、実施例１で述べた混床式イオ
ン交換搭をそれぞれ設置した。
【００２８】そして、実施例１で述べたメタノールを２
０ｐｐｂ含む純水製造装置の一次純水を原水を、前述し
た本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置と混床式イオン交換搭
および従来の紫外線ＴＯＣ分解装置とのに混床式イオン
交換搭に、それぞれ、５ｍ3／ｈｒの流量で通水して、
紫外線照射処理とイオン交換処理を行ったところ、本発
明の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は１０ｐｐ
ｂであって、この処理水でシリコン基板を奇麗に洗浄で
きたが、従来の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量
は１５ｐｐｂであって、この処理水でシリコン基板を洗
浄すると、シリコン基板に若干の自然酸化膜がスケール
が認められた。
０ｐｐｂ含む純水製造装置の一次純水を原水を、前述し
た本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置と混床式イオン交換搭
および従来の紫外線ＴＯＣ分解装置とのに混床式イオン
交換搭に、それぞれ、５ｍ3／ｈｒの流量で通水して、
紫外線照射処理とイオン交換処理を行ったところ、本発
明の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量は１０ｐｐ
ｂであって、この処理水でシリコン基板を奇麗に洗浄で
きたが、従来の場合、イオン交換処理水中の溶存酸素量
は１５ｐｐｂであって、この処理水でシリコン基板を洗
浄すると、シリコン基板に若干の自然酸化膜がスケール
が認められた。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によると、Ｔ
ＯＣ含有水のＴＯＣ成分を分解除去するために使用する
低圧水銀ランプの紫外線の波長のうち、１８５ｎｍに対
する２５４ｎｍの比率を高比率にすることによって、従
来の場合に問題になっていた、ＴＯＣ含有水中のＴＯＣ
成分が反応し、ホルムアルデヒドを経て、過酸化物にな
り、この過酸化物含有水がイオン交換装置に流入して、
イオン交換樹脂に接触して、この過酸化物より酸素分子
が外れて、イオン交換装置の処理水の溶存酸素量が増加
すること効果的に抑制することができる。
ＯＣ含有水のＴＯＣ成分を分解除去するために使用する
低圧水銀ランプの紫外線の波長のうち、１８５ｎｍに対
する２５４ｎｍの比率を高比率にすることによって、従
来の場合に問題になっていた、ＴＯＣ含有水中のＴＯＣ
成分が反応し、ホルムアルデヒドを経て、過酸化物にな
り、この過酸化物含有水がイオン交換装置に流入して、
イオン交換樹脂に接触して、この過酸化物より酸素分子
が外れて、イオン交換装置の処理水の溶存酸素量が増加
すること効果的に抑制することができる。
【００３０】本発明の装置の溶存酸素量の少ない処理水
（超純水）を、たとえば、半導体製造産業におけるシリ
コン基板の洗浄水として使用して、シリコン基板を奇麗
に洗浄することが可能であって、シリコン基板に自然酸
化膜を生成したり、汚染したりすることがなく、シリコ
ン基板の以外の高品質製品の用水としても溶存酸素の問
題を起こさず使用することができる。
（超純水）を、たとえば、半導体製造産業におけるシリ
コン基板の洗浄水として使用して、シリコン基板を奇麗
に洗浄することが可能であって、シリコン基板に自然酸
化膜を生成したり、汚染したりすることがなく、シリコ
ン基板の以外の高品質製品の用水としても溶存酸素の問
題を起こさず使用することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年４月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】すなわち、本発明は、前述した紫外線ＴＯ
Ｃ分解装置において、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射
する低圧水銀ランプの石英ガラスまたは１８５ｎｍと２
５４ｎｍとを照射する低圧水銀ランプを内蔵する透過管
の石英ガラスの厚さを１ｍｍ以上にして、紫外線の波長
の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上に２５４
ｎｍを高比率にして処理槽内に装填し、ＴＯＣ成分含有
水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照射を行うことによっ
て、後段のイオン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加
を抑制することに特徴がある。
Ｃ分解装置において、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射
する低圧水銀ランプの石英ガラスまたは１８５ｎｍと２
５４ｎｍとを照射する低圧水銀ランプを内蔵する透過管
の石英ガラスの厚さを１ｍｍ以上にして、紫外線の波長
の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８以上に２５４
ｎｍを高比率にして処理槽内に装填し、ＴＯＣ成分含有
水中のＴＯＣ成分に対して紫外線照射を行うことによっ
て、後段のイオン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加
を抑制することに特徴がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】本発明においては、紫外線波長の１８５ｎ
ｍと２５４ｎｍの比率が１：８未満であると、紫外線Ｔ
ＯＣ分解処理装置の後段に設置するイオン交換装置の処
理水の溶存酸素量が増加するので不適当でり、また、１
８５ｎｍに対する２５４ｎｍの比率は高いほどよいが、
１８５ｎｍの波長の紫外線が存在した方がよい場合（Ｏ
Ｈラジカルによるメタノールールの蟻酸化の促進）もあ
るので、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率が１：１５程度
の低圧水銀ランプを使用することが望ましく、１：２０
程度が最適である。
ｍと２５４ｎｍの比率が１：８未満であると、紫外線Ｔ
ＯＣ分解処理装置の後段に設置するイオン交換装置の処
理水の溶存酸素量が増加するので不適当でり、また、１
８５ｎｍに対する２５４ｎｍの比率は高いほどよいが、
１８５ｎｍの波長の紫外線が存在した方がよい場合（Ｏ
Ｈラジカルによるメタノールールの蟻酸化の促進）もあ
るので、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率が１：１５程度
の低圧水銀ランプを使用することが望ましく、１：２０
程度が最適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【実施例１】本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置として、処
理筒（直径２４０ｍｍ、長さ１５００ｍｍ）に、厚み
２．５ｍｍの石英ガラス製の透過管に６５ｗの低圧水銀
ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−２０）を３４本
内蔵させて、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１９
になるように装填した紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、
この後段に、処理搭（直径２５０ｍｍ、高さ１２００ｍ
ｍ）に強酸性陽イオン交換樹脂２．５リットルと強塩基
性陰イオン交換樹脂２．５リットルとを混合させた混床
式イオン交換搭を設置し、さらに、従来の紫外線ＴＯＣ
分解装置として、前述の同一容量の処理筒に、厚み１ｍ
ｍの石英ガラス製の透過管に６５ｗの低圧水銀ランプ
（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を内蔵させて、１
８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８に装填した紫外線
ＴＯＣ分解装置を設置し、この後段に、前述した混床式
イオン交換搭を設置した。
理筒（直径２４０ｍｍ、長さ１５００ｍｍ）に、厚み
２．５ｍｍの石英ガラス製の透過管に６５ｗの低圧水銀
ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−２０）を３４本
内蔵させて、１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１９
になるように装填した紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、
この後段に、処理搭（直径２５０ｍｍ、高さ１２００ｍ
ｍ）に強酸性陽イオン交換樹脂２．５リットルと強塩基
性陰イオン交換樹脂２．５リットルとを混合させた混床
式イオン交換搭を設置し、さらに、従来の紫外線ＴＯＣ
分解装置として、前述の同一容量の処理筒に、厚み１ｍ
ｍの石英ガラス製の透過管に６５ｗの低圧水銀ランプ
（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を内蔵させて、１
８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８に装填した紫外線
ＴＯＣ分解装置を設置し、この後段に、前述した混床式
イオン交換搭を設置した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】
【実施例２】本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置として、３
４本入りのシリンダー型の処理筒（直径２５０、長さ１
５００ｍｍ）に、１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する６
５ｗの低圧水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−
６）に対して、２５４ｎｍを照射する６５ｗの低圧水銀
ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−４）を５０％に
なるように挿填して、処理筒内の被処理水に照射する紫
外線の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１６にした
紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来の紫外線
ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理筒に、前
述した１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する６５ｗの低圧
水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を１０
０％挿填して、処理筒内の被処理水に照射する紫外線の
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８にした紫外線Ｔ
ＯＣ分解装置を設置し、これらの後段に、実施例１で述
べた混床式イオン交換搭をそれぞれ設置した。
４本入りのシリンダー型の処理筒（直径２５０、長さ１
５００ｍｍ）に、１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する６
５ｗの低圧水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−
６）に対して、２５４ｎｍを照射する６５ｗの低圧水銀
ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−４）を５０％に
なるように挿填して、処理筒内の被処理水に照射する紫
外線の１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：１６にした
紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来の紫外線
ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理筒に、前
述した１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する６５ｗの低圧
水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を１０
０％挿填して、処理筒内の被処理水に照射する紫外線の
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：８にした紫外線Ｔ
ＯＣ分解装置を設置し、これらの後段に、実施例１で述
べた混床式イオン交換搭をそれぞれ設置した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】
【実施例４】本発明の紫外線ＴＯＣ分解装置として、シ
リンダー型の処理筒（直径４８０、高さ１５００ｍｍ）
に、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６５ｗの低圧
水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を内蔵
した透過管を３４本挿填する際に、低圧水銀ランプを内
蔵した透過管の間隔、すなわち、水厚を３ｃｍにして、
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：２１になるように
した紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来の紫
外線ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理槽
に、前述した１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６５
ｗの低圧水銀ランプを内蔵した透過管を同じ本数挿填す
る際に、低圧水銀ランプを内蔵した透過管の間隔、すな
わち、水厚を１ｃｍにして、１８５ｎｍと２５４ｎｍの
比率を１：８になるようにした紫外線ＴＯＣ分解装置を
設置し、これらの後段に、実施例１で述べた混床式イオ
ン交換搭をそれぞれ設置した。
リンダー型の処理筒（直径４８０、高さ１５００ｍｍ）
に、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６５ｗの低圧
水銀ランプ（日本フォトサイエンス製ＡＹ−６）を内蔵
した透過管を３４本挿填する際に、低圧水銀ランプを内
蔵した透過管の間隔、すなわち、水厚を３ｃｍにして、
１８５ｎｍと２５４ｎｍの比率を１：２１になるように
した紫外線ＴＯＣ分解装置を設置し、さらに、従来の紫
外線ＴＯＣ分解装置として、前述の同一容量の処理槽
に、前述した１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する６５
ｗの低圧水銀ランプを内蔵した透過管を同じ本数挿填す
る際に、低圧水銀ランプを内蔵した透過管の間隔、すな
わち、水厚を１ｃｍにして、１８５ｎｍと２５４ｎｍの
比率を１：８になるようにした紫外線ＴＯＣ分解装置を
設置し、これらの後段に、実施例１で述べた混床式イオ
ン交換搭をそれぞれ設置した。
Claims (6)
- 【請求項１】 ＴＯＣ成分含有水を紫外線ＴＯＣ分解装
置とイオン交換装置で処理するについて、前段の紫外線
ＴＯＣ分解装置内に１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線波
長の比率を１：８以上に２５４ｎｍを高比率にした低圧
水銀ランプを装填して、ＴＯＣ成分含有水中のＴＯＣ成
分に対して紫外線照射を行うことによって、後段のイオ
ン交換装置の処理水の溶存酸素量の増加を抑制する紫外
線ＴＯＣ分解装置。 - 【請求項２】 １８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低
圧水銀ランプの石英ガラスの厚さを１ｃｍ以上にした請
求項１記載の紫外線ＴＯＣ分解装置。 - 【請求項３】 １８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低
圧水銀ランプを内蔵する透過管の石英ガラスの厚さを１
ｃｍ以上にした請求項１記載の紫外線ＴＯＣ分解装置。 - 【請求項４】 紫外線ＴＯＣ分解装置のシリンダー型の
処理筒内に、１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する低圧水
銀ランプに対する２５４ｎｍの紫外線を照射する低圧水
銀ランプの割合を１０〜８０％に装填する請求項１記載
の紫外線ＴＯＣ分解装置。 - 【請求項５】 紫外線ＴＯＣ分解装置のシリンダー型の
処理筒内に、１８５ｎｍと２５４ｎｍを照射する低圧水
銀ランプの電力に対する１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照
射する中圧または高圧水銀ランプの電力の割合を１０〜
８０％に装填する請求項１記載の紫外線ＴＯＣ分解装
置。 - 【請求項６】 紫外線ＴＯＣ分解装置のシリンダー型の
処理筒内に、１８５ｎｍと２５４ｎｍとを照射する低圧
水銀ランプを内蔵した透過管を複数本装填するについ
て、低圧水銀ランプを内蔵した透過管の間隔を１〜５ｃ
ｍにした請求項１記載の紫外線ＴＯＣ分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11715896A JPH09276858A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 紫外線ｔｏｃ分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11715896A JPH09276858A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 紫外線ｔｏｃ分解装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09276858A true JPH09276858A (ja) | 1997-10-28 |
Family
ID=14704896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11715896A Pending JPH09276858A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 紫外線ｔｏｃ分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09276858A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059453A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Photoscience Japan Corp | 紫外線による液体処理装置及び方法 |
| JP2012525247A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | ロワラ | 水中の生体異物を除去するための浄化方法および装置 |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP11715896A patent/JPH09276858A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059453A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Photoscience Japan Corp | 紫外線による液体処理装置及び方法 |
| JP2012525247A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | ロワラ | 水中の生体異物を除去するための浄化方法および装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060627 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061031 |