JPH09274847A - 電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法 - Google Patents
電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法Info
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Abstract
導電性膜にすることができるようにする。 【解決手段】 電極2、3間に、電子放出部を有する導
電性膜を備える電子放出素子の製造方法において、電子
放出部が形成される導電性膜を形成する際に、導電性膜
の原材料を含む液体を基板にインクジェット方式にて付
与した後、該液体の付与状態の異常を検出し、検出され
た該液体の付与状態の異常な領域に該導電性膜の原材料
を含む液体をインクジェット方式にて再び付与する。付
与状態の異常の検出は例えば、付与された液体による前
駆対膜の状態で行い、再付与は、例えば、異常な状態の
前駆対膜6を溶媒14により溶解・希釈した後に行うこ
とができる。
Description
電子放出素子、該電子放出素子が基体上に複数配置され
てなる電子源、並びにこれらを用いた画像形成装置の製
造方法に関する。
成装置としては、CRTが従来から広く用いられてき
た。
示装置が、CRTに替わって、普及してきたが、自発光
型でないため、バックライトを持たなければならない等
の問題点があり、自発光型の表示装置の開発が、望まれ
てきた。自発光型表示装置としては、最近ではプラズマ
ディスプレイが商品化され始めているが、従来ののCR
Tとは発光の原理が異なり、画像のコントラストや、発
色の良さなどでCRTと比べるとやや劣ると言わざるを
得ないのが現状である。電子放出素子を複数配列して電
子源を形成し、これを平板型画像形成装置に用いれば、
CRTと同じ品位の発光を得られることが期待され、多
くの研究開発が行なわれてきた。
子の一種である表面伝導型電子放出素子を基体上に多数
配置した電子源と、これを用いた画像形成装置に関して
いくつかの提案を行なっている。
これを用いた電子源の構成などに関しては、例えば特開
平7−235255号公報に詳しく述べられているの
で、簡単に説明する。図5(a)(b)に表面伝導型電
子放出素子の構成の一例を示す。1は基体、2、3は一
対の素子電極、4は導電性膜で、その一部に電子放出部
5を有する。該電子放出部を形成する方法としては、上
記一対の素子電極の間に電圧を印加して、上記導電性膜
の一部を変形、変質ないし破壊して高抵抗することによ
り行う方法があり、これを「通電フォーミング処理」と
称する。この方法により電子放出特性の良い電子放出部
を形成するためには、上記導電性膜は導電性微粒子によ
り構成されたものであることが好ましい。その材質とし
ては、例えばPdO微粒子が挙げられる。通電フォーミ
ング処理において印加される電圧は、パルス電圧が好ま
しく、図14(a)に示す様な波高値が一定のパルスを
印加する方法、あるいは図14(b)に示すような、波
高値が漸増するパルスを印加する方法のいずれも適用で
きる。
ジション法により直接、導電性微粒子を堆積させること
も可能であるが、導電性膜の構成元素を含む化合物(例
えば有機金属化合物)の溶液を塗布し、これを熱処理な
どによって所望の導電性膜とする方法が、真空装置を必
要とせず、製造コストが安く、大型の電子源を形成する
のに適用しやすい、等の理由から望ましい方法である。
また、上記有機金属化合物の溶液を塗布する方法として
はインクジェット装置を用いて必要な部分のみに塗布す
る方法が、導電性膜のパターニングのための余分な工程
を必要としないため、一層望ましいものである。
適当な雰囲気中で、素子電極間にパルス電圧を印加する
ことにより(これを「活性化処理」と呼ぶ)、電子放出
部とその近傍に炭素を主成分とする堆積膜が形成され、
素子に流れる電流が増大し、電子放出特性も向上する。
れる工程を行う。これは、真空容器や電子放出素子を加
熱しながら排気を続けることにより、有機物質などを十
分に除去し、電子放出素子の特性を安定化させる処理で
ある。
いた電子源の導電性膜を、インクジェット装置を用いて
形成する方法に関しては、本出願人による出願である特
開平8−273529号公報などに開示されている。
る。インクジェット装置の、インクを吐出する方式には
大きく分けて2つの種類がある。第1の方法は、ノズル
に配設されたピエゾ素子の収縮圧力により液体の液滴を
吐出する方法で、ピエゾジェット方式と呼ぶ。第2の方
法は発熱抵抗体により液体を加熱発砲させ、これにより
液滴を吐出する方法で、バブルジェット方式と呼ぶ。
一例を、図6および図7に模式的に示す。図6はピエゾ
ジェット方式によるインクジェット装置を示し、21は
ガラス製第1ノズル、22はガラス製第2ノズル、23
は円筒形ピエゾ、25、26は吐出する液体、例えば有
機金属化合物の溶液、の供給チューブ、27は電気信号
入力端子をそれぞれ示す。該電気信号入力端子に所定の
電圧を印加することにより、上記円筒形ピエゾが収縮
し、液体を液滴として吐出させるものである。
ェット装置を示すもので、31は基板、32は発熱抵抗
体、33は支持板、34は液体流路、35は第1ノズ
ル、36は第2ノズル、37はインク流路隔壁、38、
39は所定の液体を内部に有する液体室、310、31
1は液体供給口、312は天井板である。上記発熱抵抗
体が発熱して、液体が発砲し、これによりノズルから液
滴が吐出される。
の場合を示したが、これに限るものではない。
所定の位置にのみ有機金属化合物の溶液を液滴として付
与し乾燥させた後、加熱処理により該有機金属化合物を
熱分解することにより、金属あるいは金属酸化物などの
微粒子からなる導電性膜が形成される。
れる導電性膜の膜厚は、導電性膜の抵抗値や、素子電極
の間隔などにより異なるが、数nmから50nm程度が好ま
しい範囲であり、一つの素子の中での膜厚の分布が小さ
いだけではなく、一つの電子源の中に多数作成した電子
放出素子同士の間でも膜厚のバラツキが小さいことが必
要である。
通電フォーミング処理による電子放出部の形成がうまく
行かない恐れがある。また、電子源を構成する電子放出
素子同志の間での膜厚のバラツキは、電子放出特性のバ
ラツキをまねく。従って、このような膜厚分布を生じな
いように、インクジェト装置の動作条件は、予め十分な
検討を行い、均一な導電性膜形成を確実に行わなければ
ならない。
形成装置などを、大型化、高精細化するためには、電子
源に含まれる電子放出素子の数をさらに増加させること
が必要となる。しかも電子源が実際に使用できるものと
なるためには、すべての電子放出素子が良品でなければ
ならない。
て電子放出素子の導電性膜を形成する方法においては、
一つ一つの素子が不良とならないよう、インクジェット
装置の制御を確実に行うことに注意が払われるが、電子
放出素子の数が増えるに従い、多数の素子の内のいずれ
かが不良となる確率が大きくなることは避けられない。
において、不良が発生する原因には様々なものが考えら
れる。例えば、インクジェット装置を制御する電気信号
にノイズが入り、液滴の吐出が正常に行われず、導電性
膜の膜厚が設定値からずれてしまう場合、機械的振動の
ために電子源基板上で液滴の付与される位置がずれてし
まう場合、インクジェット装置の液体中に異物が混入し
て液滴の吐出が正常に行われず、導電性膜の膜厚、位
置、形状が異常となる場合、などが起こりうる。
の数が増加するに従って、すべての素子が良品となる場
合、即ち、歩留まりを向上させることは、非常に困難に
なる。
のコストは当然高くなる。そればかりでなく、発生する
不良品を処理する必要も生じる。近年、産業活動に伴う
廃棄物の発生を極力制御することが社会的に要請されて
おり、このような観点からも歩留まりの向上は緊急性の
高い課題となっている。そこで本発明は、電極間に、電
子放出部を有する導電性膜を備える電子放出素子、例え
ば、前述した表面伝導型電子放出素子などの製造過程に
おいて、不良の導電性膜を良好な導電性膜にすることが
でき、よって、製造の歩留まりを向上させることができ
る電子放出素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
前記電子放出素子を備える電子源の製造過程において、
部分的に発生した不良の導電性膜を部分的に修正するこ
とができ、よって、製造の歩留まりを著しく向上させら
れることができる電子源の製造方法を提供することであ
る。
前記電子放出素子を集積した電子源を用いた画像形成装
置を作成する場合に、製造の歩留まりを著しく向上させ
られることができ、画像欠陥のなく、目立った輝度のば
らつきのない画像形成装置を提供し得る画像形成装置の
製造方法を提供することである。
ため本発明の電子放出素子の製造方法は、電極間に、電
子放出部を有する導電性膜を備える電子放出素子の製造
方法であって、前記電子放出部が形成される導電性膜を
形成する工程が、該導電性膜の原材料を含む液体を基板
にインクジェット方式にて付与した後、該液体の付与状
態の異常を検出する工程と、検出された該液体の付与状
態の異常な領域に該導電性膜の原材料を含む液体をイン
クジェット方式にて再び付与する工程とを有することを
特徴とする。
極間に、電子放出部を有する導電性膜を備える電子放出
素子が基板上に複数配置された電子源の製造方法であっ
て、電子放出素子は、前記本発明の電子放出素子の製造
方法によって製造されることを特徴とする。
は、電極間に、電子放出部を有する導電性膜を備える電
子放出素子が基板上に複数配置された電子源と、該電子
源からの電子の照射により画像を形成する画像形成部材
とを有する画像形成装置の製造方法であって、電子放出
素子は、前記本発明の電子放出素子の製造方法によって
製造されることを特徴とする。
与状態の異常を検出する工程は、付与された液体を乾燥
して形成される、導電性膜の前駆体膜を検査する工程を
有する。この場合、前記前駆体膜を検査する工程は、例
えば、前駆体膜の形成位置を検査する工程、前駆体膜の
形状を検査する工程、あるは前駆体膜中の異物の有無を
検査する工程を有する。そして、前記原材料を含む液体
を再び付与する工程は、前記前駆体膜の検査結果に基づ
いて異常のある該前駆体膜にその溶剤を付与する工程、
またはさらに、付与された溶剤を加熱する工程、あるい
はさらに、この加熱領域を還元雰囲気に暴露する工程を
経た後に行うことができる。あるいは、付与した溶剤を
吸引した後に行うようにしてもよい。この溶剤として
は、前記導電性膜の原材料を含む液体に用いられている
溶媒、前駆体膜に含有される成分元素とキレート化可能
な配位子を含有する溶剤等を用いることができる。溶剤
の付与は、インクジェット方式によって行うことができ
る。
付与状態の異常を検出する工程は、付与された液体を乾
燥し加熱して形成される該導電性膜を検査する工程を有
する。この場合、前記導電性膜を検査する工程は、例え
ば、該導電性膜の抵抗値を測定する工程を有する。ま
た、前記原材料を含む液体を再び付与する工程は、前記
導電性膜の検査結果に基づいて、異常のある導電性膜を
除去し、あるいは異常のある導電性膜を還元雰囲気に暴
露した後これを除去する工程の後に行うことができる。
この導電性膜を除去する工程は、例えば、異常のある導
電性膜を吸着媒体に吸着させる工程を有する。
液体の付与状態の異常を検出する工程は、付与された液
体を乾燥し加熱して形成される該導電性膜に電子放出部
を形成後、該電子放出部を有する導電性膜を検査する工
程を有する。この場合、電子放出部を有する導電性膜を
検査する工程は、例えば、該電子放出部を有する導電性
膜に印加される電圧(Vf)とそのとき流れる電流(I
f)との関係を測定する工程、さらには前記VfとIf
の関係から(d2 If/dVf2 )のピーク値を算出す
る工程を有する。また、前記原材料を含む液体を再び付
与する工程は、前記導電性膜の検査結果に基づいて、異
常のある導電性膜を還元雰囲気に暴露した後これを除去
する工程の後に行うことができる。この導電性膜を除去
する工程は、例えば、異常のある導電性膜を吸着媒体に
吸着させる工程を有する。
ては、ピエゾ素子の変形によりノズルから液滴を吐出す
る方式や、液体を加熱し発砲させることによりノズルか
ら液滴を吐出する方式を用いることができる。
を挙げて、本発明を詳述する。
上に形成された対向する一対の素子電極と、該一対の素
子電極の両方に接続され、その一部に電子放出部を有す
る導電性膜により構成される、電子放出素子を多数集積
して構成される電子源の製造方法であって、該導電性膜
の形成プロセスが、その材質の構成元素を含む液体を、
インクジェット装置により所定の位置に液滴として付与
するステップと、これを乾燥させた後加熱処理を行うこ
とにより導電性微粒子膜とするステップを有する方法に
おいて、さらに次のステップを有する、電子源の製造方
法である。
は、インクジェット装置により、液滴を付与した後、溶
媒が蒸発して形成された、導電性微粒子膜を形成するた
めの前駆体の膜(以下「前駆体膜」と呼ぶ)、を検査す
るステップと、該検査により不良と判定された膜を除去
するステップと、再度液滴を付与するステップを含む。
図1を参照して簡単に説明する。
であり、2、3は一対の素子電極である。該一対の素子
電極間に、該両素子電極に接続されて前駆体膜6が形成
されるが、その際、前駆体膜が位置ずれして形成された
場合、前述の本発明の方法により修正がなされる。図1
において6’は、位置ずれが生じて修正が必要とされる
前駆体膜を表す。前駆体膜の前記位置ずれなどの異常を
検出するための上記検査の方法としては、例えば、光学
顕微鏡を用いた観察などの手段を挙げることができる。
その構成の一例を図1に更に示す。図1において11は
反射鏡、12は修正用の溶媒を吐出するためのインクジ
ェット装置、13は拡大のための光学系を伴う撮像装置
である。このような構成をとると、前駆体膜の不良を発
見すると同時に、修正用の溶媒を付与することができ、
また上記インクジェット装置の位置確認を検査装置によ
り兼ねることができる。この検査により、前記前駆体膜
の形成される位置のずれの他、形状の異常、膜厚の異
常、あるいは導電性物質の前駆体である金属化合物が、
大きな結晶粒となっている場合などを検出することがで
き、このような異常が発生した前駆体膜を本発明の方法
においては不良と判定する。
は、いくつかの方法が考えられる。一つには、水あるい
は有機溶剤などの溶媒をインクジェット装置によって付
与し、膜を溶解、希釈して広げる方法である。但し、溶
媒の拡がる範囲は隣接する素子の位置まで及んではいけ
ないが、隣接する素子間隔に或る程度の余裕があり、こ
れを乾燥、加熱処理したときに微粒子が分散した状態と
なり、巨視的には導電性を示さない程度まで広げること
ができる場合は、この方法が簡易である。
(a)に示すように、修正すべき前駆体膜に、溶媒の液
滴14を付与し、図2(b)のように、隣接の素子に達
しない程度に溶媒の液溜まり15を広げる。溶媒が乾燥
すると、残った有機金属化合物は無視できる程度とな
り、図2(c)の様に前駆体膜が形成される前とほぼ同
様の状態になる。本発明の方法においては、以上の除去
工程の後、続いて図2(d)に示すように、再度前駆体
膜を形成する。
抵抗の関係について考察する。シート抵抗Rsは、抵抗
率ρの材質よりなる幅w、長さl、厚さtの薄膜の、長
さ方向に測定した抵抗値Rを数1式で表すときに現れる
値であり、ρとtが場所に依存せず、一定値であれば、
数2式で表されるものである。
は、Rsはtに反比例する。これは、膜厚が十分に厚い
場合は、微粒子膜を連続体膜であると近似して抵抗を計
算してもよく、また膜厚の場所による多少の変動も重大
な影響を与えないからである。
なると、微粒子の集まりであることからくる局所的な不
均一性の影響が現れ、また膜厚の場所による変動が平均
膜厚の値に比べて無視できなくなるために、上記の膜厚
に反比例する傾向を外挿した値よりも大きくなってく
る。
粒子同士が接触しない部分が増えて抵抗が急激に増加し
始め、ついには巨視的には導電性を示さなくなる。この
状態は微粒子ないし複数の微粒子が集まったクラスター
同士が互いに連結せず、孤立した状態となる。この状態
は厳密には「膜」と呼ぶべきではないが、以下では誤解
の生じない場合には便宜的に「膜」と呼ぶ場合もある。
た有機Pd化合物の水溶液を用いて形成したPdO微粒
子膜の膜厚とシート抵抗の関係を示したものである。膜
厚の調整は、有機Pd化合物の水溶液を液滴として付与
する回数、あるいは付与した液滴にさらに水の液滴を付
与して面積を広げることにより調整し、有機Pd化合物
をPdOに変化させる加熱処理は300℃、12分間と
したものである。いずれの試料においてもPdO微粒子
の平均粒径は10±2nmの範囲にあった。平均膜厚が
15mm程度より厚い場合には、膜厚tに反比例するシ
ート抵抗Rsの値が得られたが、平均膜厚が平均粒径と
同程度の10nmでは実測値(太線)が上記の傾向の外
挿値(細線)よりもやや大きくなることが観測され、さ
らに6nm程度の膜厚では、シート抵抗が急激に大きく
なり、導電性を示さなくなった。これは上記の考察の結
果と一致するものである。
の程度前駆体膜の面積を広げればよいかを考える。正常
な前駆体膜を加熱形成して得られる導電性膜の膜厚を
t、膜の面積をsとし、上記のプロセスで溶媒を付与し
て面積Sまで前駆体膜を広げるとすると、この後に加熱
処理により形成される「膜」(実際には膜を形成しない
ようにする)の平均膜厚Tは、数3式で表される。
粒径Dに比べて十分に小さくなることが必要である。具
体的には、TがDの60%よりも小さいことが望まし
い。
プで付与した溶媒が乾燥した段階で行っても良いし、一
旦加熱処理をして正常な前駆体膜を導電性膜とした後で
も良い。後者の場合、再度液滴を付与する場合に、上記
ステップで溶媒を付与して希釈して広げた前駆体膜は、
孤立した微粒子となるため、液の基板に対する濡れ方な
どが、初めの状態に近くなるため、作りなおされた素子
の特性を、初めから正常に作成された素子に、より近く
できる効果がある。また、このとき当該素子の位置を局
所的に還元性のガスに曝露し導電性の金属酸化物微粒子
を金属にすると、微粒子の凝集が一層進んで、微粒子径
が大きくなり、溶媒の付与により前駆体膜を広げる面積
が多少制限されていても巨視的な導電性をなくすことが
できる。
適当な配位子を含有させておくと、膜が溶解しやすくな
る場合がある。すなわち、前駆体膜を構成する金属化合
物の金属原子に配位しやすい配位子を持つ塩の水溶液
を、上記溶媒として用いると、前駆体膜を溶解しやすく
なる。配位子としては、キレート化可能な配位子が好ま
しく、例えば、ジアミン、アミノ酸、ジカルボン酸等が
挙げられる。
しては、上述と同様に膜を溶媒で希釈した後(図3
(a))、溶媒ごと吸引して除去する方法である。吸引
の方法としては、図3(a)〜(c)のようにロッド1
7の先端にスポンジ状の多孔質の樹脂16を取り付けて
押し当て溶媒を吸収する方法、あるいは注射針やチュー
ブ等を用いて吸引する方法が挙げられる。この様にして
前駆体膜を溶解した液を除去すると、図3(c)の様に
ほぼもとの状態となる。この後、再度前駆体膜の形成を
行えばよい。このようにすれば電子放出素子が密に形成
され、上記第1の方法を採用するためには十分に液溜ま
りを広げられない場合にも適用することができる。
クジェット装置により液滴を付与した後、加熱処理して
導電性薄膜を形成した段階で、該導電性膜を検査するス
テップと、該検査により不良と判定された導電性膜を除
去するステップと、当該箇所に改めて液滴を付与し、加
熱処理して導電性膜を形成するステップを含む。
による光学的観察方法も適用できるが、各電子放出素子
の電気抵抗を測定する方法も適用でき、膜厚の異常等に
関してはこの段階では光学的観察よりも敏感であること
が期待できる。
は導電性膜は溶媒には溶けないので、前述のような溶媒
で希釈する方法は採用できない。そのため物理的に除去
する方法を採用する。例えば先端にシリコンゴムなど柔
らかくて付着性のあるものを付けた細いロッドを、導電
性膜に押しつけて、シリコンゴムに膜を付着させて取り
除く方法等である。
対する付着力を低下させる処理を施すと、導電性膜の除
去が確実に行える。具体的には、導電性膜が導電性の金
属酸化物微粒子により構成されている場合、これを還元
して金属とすると、ガラス基板に対する付着力が小さく
なる場合がある。例えばPdO微粒子により導電性膜が
形成されている場合、水素を含有する雰囲気に曝露する
ことにより容易に金属Pdに還元することができる。こ
の還元反応は室温においても進行するが、150℃程度
に加熱すれば反応は速やかに進行する。還元性の雰囲気
に特定の素子のみを曝露するには、図8に示す二重構造
のノズルにより還元性のガスを流す方法が挙げられる。
二重構造のノズルの、内側ノズル41から還元性ガスを
放出し、外側ノズル42により吸引する。外側ノズルに
よる吸引量を内側ノズルからの放出量よりも十分に多く
すれば還元性ガスの気流43は拡散することなくノズル
先端近傍のみを流れ、局所的な還元雰囲気を実現する。
これにより除去すべき導電性膜44を局所的な還元雰囲
気に曝露することができ、基板への付着力を低下させ容
易に除去することができる。なお、還元性のガスとして
はPdO微粒子膜に対しては水素を含有する混合ガスが
好ましい。希ガスあるいは窒素ガスなどの不活性ガスで
水素濃度を1〜2%程度に希釈して用いても十分な還元
性を有し、また十分希薄なため爆発の危険もないので、
防爆のための特別な設備も必要としないのでとりわけ好
ましい。
クジェット装置により導電性膜の原料の溶液の液滴を付
与し、導電性膜を形成し、フォーミング処理を行って電
子放出部を形成した後、あるいはフォーミング処理を行
って電子放出部を形成しさらに活性化処理を行った後、
導電性膜及び電子放出部の検査を行うステップと、該検
査により不良と判定された素子の導電性膜を、再度イン
クジェット装置により液滴を付与して、形成するステッ
プを含むもので、必要に応じて、液滴を再度付与するス
テップの前に当該導電性膜を除去する工程を含む場合も
ある。
を形成した後、有機物質を含む適当な雰囲気中で、素子
電極間にパルス電圧を印加することにより、電子放出部
とその近傍に炭素を主成分とする堆積膜が形成され、素
子に流れる電流が増大し、電子放出特性も向上する処理
工程をいう。
微鏡により観察する方法も適用できるが、素子に印加す
る電圧(素子電圧)Vfと、素子を流れる電流(素子電
流)Ifの対応(If−Vf特性)を測定することによ
って行うこともできる。
を完了した段階で行う場合には、通常の駆動の場合と同
じ電圧の三角波パルスを印加して行うことができる。素
子の抵抗が異常に大きい場合、あるいは素子電極間がシ
ョートしているような場合は容易に発見できる。また、
リーク電流がある場合には、If−Vf特性にオーミッ
クな成分が現われるので、やはり容易に発見することが
できる。その他、様々な要因によりIf−Vf特性の閾
値電圧が所定の値からずれる場合があるが、これも発見
できる。
f自体が非常に小さいうえに、この状態で通常駆動時と
同じ電圧を印加すると電子放出部の亀裂(fissure) の幅
が広がって、電子放出特性を損なう場合もある。しかし
ながら通常は、このような問題が生ずる電圧より十分低
い閾値電圧を持つ非線形なI−V特性を有するので、該
閾値が一定の範囲にある場合に正常と判定し、それ意外
は不良と見なすことにより、有効に検査できる。
い電圧の三角波パルスを印加し、I−V特性を測定す
る。この測定で、素子電極間の短絡や、リーク電流の発
生は検出できる。さらにこのデータからIfのVfに対
する2次微分を計算し、そのピークを閾値電圧と見なし
て、上記の基準により判定する。なお、2次微分を計算
するためには、元のデータのノイズ成分を十分小さくし
ておくべきで、必要ならば繰り返し測定を行い、平均を
取ることによりノイズの少ないデータを得るようにす
る。図4(a)は、オーミックな抵抗成分を有する場合
の例で、この様な場合はリーク電流が流れているものと
考えられる。図4(b)は、正常な場合であって、If
−Vf特性とともに、(d2 If/dVf2 )−Vf特
性も表示した。2次微分の値がピークを持つ電圧Vth
を閾値と見なし、これが一定の範囲に収まることを、正
常と判定する条件とする。このように、活性化処理前に
If−Vf特性から判定を行うのは、より高級な検査装
置を必要とするが、活性化処理を2度行う不合理を避け
られるので、導電性膜の再形成を行う製品がある程度多
く出ると思われる場合には、こちらの方法を採用する方
が好ましい。
は導電成膜を除去するステップは不可欠であり、前述と
同様な手法によりこれを行う。しかしながら、フォーミ
ング処理の際の電流が過剰になるなどして電子放出部と
なるべき亀裂の幅が異常に広くなっているような場合
は、必ずしも導電性膜を除去する必要はなく、当該導電
性膜の同じ場所に、そのまま再度液滴を付与し、導電性
膜を形成してフォーミング処理を行うことができる。
のようにインクジェットにより付与する液体として導電
性膜の原料物質の化合物の溶液を用いる場合のみでな
く、適当な液体に導電性膜を構成する導電性微粒子を分
散させたものを用いる場合にも適用可能である。
理後に検査を行う場合を除き、活性化処理を画像形成装
置を組み立ててから行っても、あるいは活性化処理を行
ってから画像形成装置を組み立てても良い。前者の場
合、画像形成装置の真空容器内に、適当な有機物質のガ
スが存在するようにして素子にパルス電圧を繰り返し印
加することにより処理を行う。後者の場合は適当な真空
装置内に電子源を設置し、該真空装置内に適当な有機物
質のガスが存在するようにして、素子にパルス電圧を繰
り返し印加する。
空容器を用意する必要がないという利点がある。また、
後者では、画像形成装置の真空容器内に活性化処理のた
めの有機物質を存在させる必要がなく、安定性のために
真空容器内から有機物質を除去するのが容易である点が
利点である。以上の活性化処理においては製造の際の諸
条件を考慮して望ましい方を採用する。なお、適当な有
機物質としては、例えば、アセトン、n−ヘキサンなど
の有機物質を導入しても良いし、排気装置として、オイ
ルフリーでない装置を用いて、この装置から発生する有
機物質を利用しても良い。
検査を行う場合は、当然後者の方法を採用する。
により電子源を形成する。平板型電子線画像形成装置の
製造方法を含む。
る。 [実施例1−1]本実施例の電子源の製造方法を、図9
(a)〜(e)を用いて以下に工程を追って説明する。
O2 をスパッタリング法により0.5μm成膜して、こ
れを基板1として用いる。基板上にフォトレジスト(A
Z1370;ヘキスト社製)をスピンナーにより塗布し
てレジスト層を形成し、露光、現像を行って素子電極の
形状に対応する開口を設ける。続いてTiを5nm、P
tを50nmスパッタリング法により堆積したのち、有
機溶剤により上記レジスト層を除去、リフトオフによ
り、素子電極51、52を形成する(図9(a))。
クリーン印刷し、これを加熱焼成してY方向配線53を
形成する。なお、Y方向配線の厚みは約20μm、幅は
100μmとした(図9(b))。
印刷し、これを加熱焼成して、層間絶縁層54を形成す
る。このとき素子電極52の部分は覆わないように切り
欠き55を設ける。層間絶縁層の幅は約250μmで、
厚さはY方向配線と重なる部分で約20μm、他の部分
で約35μmとなるようにした(図9(c))。
上にAgペーストを印刷し、これを加熱焼成してX方向
配線56を形成した。なお、X方向配線の幅は約200
μm、厚さは15μmとした(図9(d))。
ンクジェット装置により、有機パラジウムのエタノール
アミン錯体の溶液を液滴として付与し、導電性膜の前駆
体となる膜57を形成する。形成されたX方向配線同士
の間隔は約350μm、Y配線同士の間隔は約270μ
m、上記前駆体膜は略円形でその直径はおよそ40μm
である。正常に形成された前駆体膜に後述する熱処理を
行うと、膜厚はおよそ15nm程度となるよう、前記液
滴の付与条件を設定した。また、後述の熱処理の条件で
は、微粒子の粒径は10nm程度となる(図9
(e))。なお、ここで使用したインクジェット装置は
図6に示したものと同じ構成を有し、2つのノズルの内
一方を上記前駆体膜の形成に用いた。
処理により、上記前駆体膜を観察し、前駆体膜の良、不
良を自動判定した。大きな結晶ができているもの、位置
がずれているもの、形状が円形から著しくずれているも
の、直径が48μm以上のものと32μm以下のものを
不良と見なし、その部分にインクジェット装置により酢
酸ブチルの液滴を付与した。この酢酸ブチル液滴の付与
には、前記工程eで使用しなかったもう一方のノズルを
使用した。該液滴は一滴が約60μm3 の体積となるよ
う吐出条件を調整し、各部分に10滴ずつ付与し、不良
の前駆体膜を溶解、希釈して配線に囲まれた領域全体に
広げ、120℃で10分間保持して溶媒を乾燥させた。
このようにすると、前駆体膜の元の面積に対して約1
3.5倍の面積に広がる。従って、これを熱処理して得
られるPdO「膜」の平均膜厚は約1nmであり、これ
は平均粒径の10nmよりも十分に小さい。従って、本
実施例においては、溶媒で広げられた前駆体膜は以降の
工程に重要な影響は及ぼさない。
体膜を除去した部分に、前記工程eと同じ条件で再度前
駆体膜を形成し、顕微鏡によりいずれも適切な前駆体膜
が形成されていることを確認した。
熱処理を施し、上記前駆体膜をPdO微粒子よりなる導
電性膜に変化させた。
源基板(その間に前記の導電性膜が形成されている一対
の素子電極が複数配置された基板)を用い、図10に模
式的に示す構成の画像形成装置を形成した。すなわち、
前記電子源基板61をフリットガラスによりリアプレー
ト62上に固定し、その後、電子源基板61の5mm上
方に、フェスプレート63(ガラス基板64の内面に蛍
光膜65とメタルバック66が形成されて構成される)
を支持枠67を介して配置し、フェースプレート63、
支持枠67、リアプレート62の接合部にフリットガラ
スを塗布し、大気中で400℃、10分間焼成すること
で封着した。図10において、68は電子放出素子、6
9、70はそれぞれX方向およびY方向の素子配線であ
る。
体のみから成るが、本実施例では蛍光体はストライプ形
状を採用し、先にブラックストライプを形成し、その間
隙部に各色蛍光体を塗布し、蛍光膜65を作製した。ブ
ラックストライプの材料として通常良く用いられている
黒鉛を主成分とする材料を用いた。ガラス基板64に蛍
光体を塗布する方法はスラリー法を用いた。
バック66が設けられる。メタルバックは、蛍光膜作製
後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理(通常フィルミン
グと呼ばれる)を行い、その後、Alを真空蒸着するこ
とで作製した。
65の導電性を高めるため、蛍光膜65の外面側に透明
電極が設けられる場合もあるが、本実施例では、メタル
バックのみで十分な導電性が得られたので省略した。
蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないた
め、十分な位置合せを行なった。なお、電子源基板の周
辺に、不図示のゲッタを設置した。
ス容器(以下「外囲器」と呼ぶ)内を排気管(図示せ
ず)を通じ真空ポンプにて10-4Pa程度の圧力まで排
気し、後述のフォーミング処理により、前記複数の導電
性膜の各々に電子放出部を形成した。即ち、フォーミン
グ処理は、図11に示すようにY方向の配線を共通電極
73に接続し、X方向の配線を1ラインづつ通電処理す
ることにより行い、前記の複数の導電性膜にそれぞれ電
子放出部を形成した。71がX方向配線、72はY方向
配線であり、このY方向配線72は共通電極73を介し
てグランドに接続されている。X方向配線、Y方向配線
の各交点に対応して、電子放出素子74が一つづつ配置
されている。75はパルス発生器で、正極はX方向配線
の一つに接続されており、負極は電流測定用抵抗76を
介してグランドに接続されている。77はパルス電流を
モニターするためのオシロスコープである。前記フォー
ミング処理に用いた電圧波形は、図14(b)に示され
るものである。
形のパルス幅とパルス間隔であり、本実施例では、T1
=1msec. 、T2=10msec. とし、三角波の波高値
(フォーミング時のピーク電圧)は0.1Vステップで
アップさせフォーミング処理を行った。またフォーミン
グ処理中は、同時に0.1Vの電圧で、フォーミング用
パルスの休止期間中に抵抗測定用パルスを挿入して、抵
抗の測定を行なった。この測定値が1素子あたり100
KΩ以上になった時フォーミング処理を終了した。
導入し、圧力を1.3×10-2Paとし、工程jと同様
にパルス電圧を印加して前述の活性化処理を行なった。
印加したパルスは波高値18Vの矩形波パルスとした。
に保持しながら10時間排気を続け、圧力を1.3×1
0-6Paまで下げ、マトリクス駆動により表示機能が正
常に働くことを確認してから、不図示の排気管をガスバ
ーナーで熱することで溶着し外囲器の封止を行った。そ
して最後に、高周波加熱によりゲッタ処理を行った。
は、画像に欠陥がなく、目立つ輝度バラツキもないもの
であった。
例1−1と比べて、複数の電子放出素子の配線方法が異
なっている。本実施例は、以下に述べるはしご型配線の
例を示すものである。本実施例においては、図16に示
すように、その間に、実施例1−1と同様の方法にて作
成された導電性膜94を有する一対の素子電極92、9
3の複数対が接続された一対の配線95a、95bを複
数ライン有する基板91を、図17のように、電子通過
口97を有するグリッド電極96を備える外囲器内に配
置し、実施例1−1と同様の方法にて画像表示装置とし
た。本実施例においても実施例1−1と同様の効果を得
ることができる。なお、図17において、図10と同じ
符号を付した部材は図10と同じ部材であることを意味
する。
上記実施例1−1と同様の製造方法に関するものであ
る。
与に用いたインクジェット装置はピエゾジェット方式の
ものであるが、この代わりに、本実施例では、バブルジ
ェット方式のものを用いた。なお、このバブルジェット
方式のインクジェット装置の構成は、図7に示したもの
と同様である。図7に示す2つのノズル35、36の内
の1つを、有機パラジウム溶液の液滴の付与に用いた。
付与した液滴は、酢酸パラジウム−モノエタノールアミ
ン(PAME)を金属含有率が2wt%となるように水
に溶解した溶液を用いた。
不良と判定した前駆体膜を溶解するために、インクジェ
ット装置により酢酸ブチルの液滴を付与したが、本実施
例ではインクジェット装置により水の液滴を付与した。
この水の液滴の付与は、2つのノズル35、36の内
の、前記有機パラジウム溶液の液滴付与で使用しなかっ
た方のノズルを使用した。
例1−1と同様に、画像に欠陥がなく、目立つ輝度バラ
ツキもないものであった。
ムを水に溶解させたものを用いても、同様に実施でき
る。
例1−1と同じ、酢酸ブチルを用いても同様の効果を得
た。また、1回に付与する液滴の量を半分にし、付与回
数を倍にして実施しても、結果は同じであった。また、
前記実施例1−2で述べたはしご型配線の電子源に対し
ても同様の方法を適用することで、同様の効果が得られ
る。
子電極のみならず、配線もフォトリソグラフィー技術に
より作成した。以下に、図12(a)〜(e)および図
10を参照して本実施例のプロセスを説明する。なお、
図13は本実施例の電子源の構造を模式的に示す平面図
であり、図12(a)〜(e)は図13のA−Aに沿っ
た断面を示したものである。なお、図13においては、
層間絶縁層、コンタクトホールなどは省略している。
0.5μmのシリコン酸化膜をスパッタ法で形成した基
板81上に真空蒸着法により、厚さ5nmのCr、厚さ
600nmのAuを順次積層し、その後、ホトレジスト
(AZ1370;ヘキスト社製)をスピンナーにより回
転塗布し、ベークし、その後、ホトマスク像を露光、現
像してY方向配線(下配線)用マスクを形成し、Au/
Cr堆積膜をウェットエッチングして所望の形状のY方
向配線(下配)線82を形成した(図12(a))。
酸化膜からなる、層間絶縁層83をRFスパッタ法によ
り堆積した(図12(b))。
膜にコンタクトホール84を形成するためのホトレジス
トパターンを作り、これをマスクとして、層間絶縁層8
3をエッチングしてコンタクトホール84を形成した。
エッチングはCF4 とH2 ガスを用いたRIE(リアクティ
ブ・イオン・エッチング(Reactive Ion Etching) )法
によった(図12(c))。
素子電極間ギャップLとなるべきパターンをホトレジス
ト(RD-2000N-41 ;日立化成社製)で形成し、真空蒸着
法により、厚さ5nmのTi、厚さ100nmのNiを
順次堆積した。ホトレジストパターンを有機溶剤で溶解
し、Ni/Ti堆積膜をリフトオフし、素子電極間隔3
μm、幅300μmの素子電極51、52を形成した
(図12(d))。
向配線(上配線)85用のホトレジストパターンを形成
した後、厚さ5nmのTi、厚さ500nmのAuを順
次真空蒸着により堆積し、リフトオフにより不要な部分
を除去して、所望の形状の上配線85を形成した(図1
2(e))。
して液滴を付与し、前駆体の膜を形成した。なお、付与
する液体としては、有機パラジウム(ccp-4230;奥野製
薬(株)製)を用いた。
を観察し、大きな結晶のできているもの、位置がずれて
いるもの、形状が円形から著しくずれているもの、直径
が48μm以上のものと32μm以下のものを不良と見
なし、その部分にインクジェット装置により酢酸ブチル
の液滴を付与した。この際、工程eで使用しなかったも
う一方のノズルを使用した。該液滴は一滴が約60μm
3 の体積となるように吐出条件を調整し、各部分に10
滴ずつ付与し不良の前駆体膜を溶解、希釈して配線に囲
まれた領域全体に広げ、暫く放置して乾燥させ、その
後、300℃、10分間の加熱処理を行った。この処理
により、正常と判定した素子の部分では、上記前駆体膜
はPdO微粒子よりなる導電性膜に変化した。上記処理
を施した部分は、高抵抗となった。
体膜を除去した部分に、工程fと同じ条件で再度前駆体
膜を形成し、顕微鏡によりいずれも適切な前駆体膜が形
成されていることを確認した。実施例1−1の場合は再
度形成した前駆体膜は、直径が正常と判定される範囲で
はあるが、初めに正常に形成されているものより若干大
きくなることが観察された。これは有機パラジウム化合
物の膜が薄く形成されているため、初めよりも液滴が広
がりやすいためではないかと考えられる。これと比べる
と、本実施例において形成し直した前駆体膜の形状は、
最初の液滴付与により正常に形成されたドットの形状に
より近いものであった。これは、拡散させられた有機パ
ラジウム化合物が、加熱処理により凝集したPdO粒子
となり、再度付与された液滴と基板の濡れ性が、初めの
状態に近くなるためであろうと考えている。
間の熱処理を施し、上記前駆体膜をPdO微粒子よりな
る導電性膜に変化させた。
様の処理を行い、画像形成装置を作成した。この結果作
成された画像形成装置は、実施例1−1と同様に、画像
に欠陥がなく、目立つ輝度バラツキもないものであっ
た。
て、バブルジェット方式の装置を用いたことを除き、実
施例3−1と同様の方法により画像形成装置を作成した
結果、同様の効果を得ることができた。
点を除き実施例2と同様である。すなわち、前駆体膜の
直径は、実施例2の2倍の80μm、膜厚も30μmと
した。これを実施例2と同様に処理すると、十分に平均
膜厚を薄くできないので、上記と同様の結果を得ること
はできなかった。
体膜に対し、バブルジェット方式のインクジェット装置
により、溶媒を液滴として付与し、膜を溶解して広げる
が、このとき使用する溶媒としては、エチレンジアミン
テトラアセテート(EDTA)にアンモニウム塩を5w
t.%水に溶解させたものを使用した。この溶媒は、P
dイオンに配位する配位子を含み、水を用いる場合より
も速く前駆体膜を溶解できる。
ら、300℃、10分間の熱処理を行い、その後、電子
源を約150℃に保持しながら、図8に示す前述した二
重構造のノズルを用いて、不良の素子の部分を局所的に
還元雰囲気に曝露した。用いた気体は、水素H2 を窒素
N2 により希釈した混合ガスで、水素の含有率は2%と
した。なお、水素の空気中における爆発範囲の下限は4
%であり、上記混合ガスを使用するに当たっては、製造
装置周辺の排気を十分に行えば良く、特別の防爆設備は
必要としない。
がPd微粒子になり、微粒子同士が凝集して、粒径の大
きな粒子となるため、巨視的な導電性を示さないように
することができる。これ以外の工程は、前述の実施例2
と同様である。この結果作成された画像形成装置は、実
施例2と同様に、画像に欠陥がなく、目立つ輝度バラツ
キもないものであった。
ず、前述の実施例1−1の工程aから工程eまでを同様
に行った。ただし、本実施例においては形成される前駆
体膜の直径が80μmとなるよう、条件を設定した。本
実施例においては前駆体膜を溶媒で溶かした後、十分に
広げられないので、次の工程fが必要である。
れた部分に、前述の実施例4で用いたのと同じ、EDT
Aを5wt.%水に溶解した液の液滴を付与し、先端に
直径300μm、厚さ500μmのポリエステル性のス
ポンジを有するロッドを当該部分に押し当てて前駆体膜
を溶解した液を吸引した。
g以降と同様に行った。この結果作成された画像形成装
置は、実施例1−1と同様に、画像に欠陥がなく、目立
つ輝度バラツキもないものであった。
の画像形成装置を得るために電子放出素子が非常に密に
形成され、溶媒を付与して前駆体膜を溶かして広げるだ
けではリーク電流が生じてしまうような場合にも、不良
の前駆体膜を除去して、修正することができる。
ェット装置として、バブルジェット方式の装置を用いた
ことを除き、前述の実施例5−1と同様の方法で画像形
成装置の作成を行った。その結果、実施例5−1と同様
の効果を得ることができた。
次の点を除き、前述の実施例5−1と同様である。前述
の実施例5−1の工程fにおいて、不良と判定されて部
分に溶媒を付与した後、注射針により前駆体を溶解した
液を吸引した。該注射針はシリコンチューブにより排気
装置に接続されている。本実施例の方法によれば、装置
は実施例5−1の方法よりやや大がかりとなるが、スポ
ンジを交換せずに連続的に製造を続けることができ、量
産により適している。なお、前記実施例1−2で述べた
はしご型配線の電子源に対しても同様の方法を適用する
ことで、同様の効果が得られる。
ェット装置として、バブルジェット方式の装置を用いた
ことを除き、前述の実施例6−1と同様の方法で画像形
成装置の作成を行った。その結果、実施例6−1と同様
の効果を得ることができた。
電極をオフセット印刷により、また、配線をスクリーン
印刷により形成するものである。
O2 をスパッタリング法により0.5μm成膜して、こ
れを基板1として用い、この上に、Ptレジネートペー
ストを用いてオフセット印刷により素子電極51、52
を形成した。電極間隙は50μmとした(図9(a)参
照)。次に、実施例1−1の工程b〜工程dと同様の工
程による処理を行った。
に、PAMEを水に溶解した液を、バブルジェット方式
のインクジェット装置により、液滴として付与して、導
電性膜の前駆体膜を形成した。該前駆体膜は直径100
μmの円形となるよう、条件を調整した。続いて、30
0℃、10分間加熱処理を行い、PdO微粒子よりなる
導電性膜を形成した。
値から20%以上抵抗値のずれたものを不良と判定し
た。そして、先端に直径200μm、厚さ500μmの
シリコンゴムを付けたロッドを、当該素子部に押し当て
て引き上げ、不良と判定された導電性微粒子膜を上記シ
リコンゴムに吸着させ、除去した。
去した部分に、工程eと同様にして、再度導電性膜を形
成した。
同様の工程を経て、画像形成装置を作成した。このよう
にして作成された画像形成装置は、画像に欠陥がなく、
目立つ輝度のバラツキもないものであった。
点を除き、前述の実施例7と同様である。前述の実施例
7の工程fにおいて、不良と判定した導電性膜につい
て、先ず前述の実施例4で行ったのと同様の方法で、当
該導電性膜を還元し、次いで前述の実施例7と同様にシ
リコンゴムを押し当てて吸着、除去した。ここで、前記
還元の意義は次の点にある。すなわち、前記導電性膜の
還元を行いPdO微粒子をPdとすることにより、導電
性膜のガラス基体に対する密着強度が低下する。従っ
て、シリコンゴムを押し当てることにより、より確実に
膜を除去することができる。
7の工程aから工程eまでを行った後、以下の工程を引
き続き行った。
程eまでを行って作成した電子源基板を、真空チャンバ
ー内に設置し、圧力が1.3×10-4Pa以下になるま
で排気した。使用した排気装置は、メインポンプとして
イオンポンプ、補助ポンプとしてスクロールポンプを用
いた超高真空用の装置である。続いて、前述の実施例1
−1の工程jと同様の方法で、フォーミング処理を行
い、各導電性膜に電子放出部を形成した。
セトンを導入し、圧力を1.3×10-2Paとし、前述
の実施例1−1の工程kと同様にして、活性化処理を行
った。
加熱しながら、10時間排気を続け、チャンバー内の圧
力を、1.3×10-6Pa以下まで下げた。続けて、各
素子に順次波高値18Vの三角波パルスを印加し、素子
電流Ifと、素子電圧Vfの対応を測定した。
非線形な特性を示し、閾値以下ではIfは極めて小さ
く、V=18VにおいてはIf=1.4〜1.7mA程
度を示した。しかしながら同様に作成した多数の素子を
調べると、一部には、大きなオーミックな抵抗成分を示
したり、逆にVf=18VでもほとんどIfが現れない
素子が見られた。このような素子は不良と判定した。ま
た、Vf=18VでIfが1.2mAに達しない素子も
不良と判定した。
ら取り出し、不良と判定した素子について、前述の実施
例8と同様に、当該導電性膜の還元と除去を行った後、
上記工程を繰り返して不良のない電子源を形成した。
同様に、外囲器を形成し、次いで同じく実施例1−1の
工程lと同様に外囲器内を排気、排気管を封着し、最後
にゲッタ処理を行って、画像形成装置を形成した。以上
のようにして作成された画像形成装置は、画像に欠陥が
なく、目立った輝度のバラツキもないものであった。
述の実施例7の工程aから工程e、続いて前述の実施例
9の工程fと同様の工程を行った後、以降、以下の工程
を行うものである。
hと同様に、各素子に順次三角波パルスを印加してIf
−Vfの対応を測定した。ただし三角波パルスの波高値
は12Vとした。このとき、各素子に対して、100回
パルスを印加して測定し、その平均値をとることで、ノ
イズの影響を回避した。このデータから、IfのVfに
対する2次微分を算出し、そのピークでのVfの値を閾
値Vthと見なし、Vth=10.0±1.0の範囲に
入る素子を正常とし、他の素子は不良とした。殆どの素
子は正常であったが、同様に作成した多数の電子源の中
には、不良の素子を含むものもあった。
り出し、不良と判定した導電性膜を顕微鏡で観察した。
この内のいくつかは、電子放出部となるべき亀裂(fiss
ure )の幅が非常に大きく開いたものがあった。このよ
うになったものは、Ifの対応の測定において、殆どI
fが検出されなかった。このような不良素子に対して
は、導電性膜を除去することはせず、そのまま新たに導
電性膜を重ねて形成した。それ以外の不良の素子では、
電子放出部が完全に形成されず、導電性膜の一部が繋が
ったままになっていたり、電子放出部に異物が付着して
いたり、電子放出部の一部のみが大きく開いている状態
が観察された。これらについては、実施例8と同様の方
法で、導電性膜を除去した後、新たに導電性膜を形成
し、上記の工程を繰り返して不良のない電子源を形成し
た。
して、外囲器を形成した。
同様に、外囲器内にアセトンを導入し、活性化処理を行
った。
囲器内を排気して高真空とし、排気管の封着、ゲッタ処
理を行い、画像形成装置を作成した。以上のようにして
作成された画像形成装置は、画像に欠陥がなく、目立っ
た輝度のバラツキもないものであった。
って、電極間に、電子放出部を有する導電性膜を備える
電子放出素子、例えば、前述した表面伝導型電子放出素
子などの製造過程において、不良の導電性膜を良好な導
電性膜に修正することができるので、製造の歩留まりを
向上させることができる。特に、複数の電子放出素子を
備える電子源の製造過程にあっては、部分的に発生した
不良の導電性膜を部分的に修正することができ、多数の
電子放出素子を集積した電子源を形成し、さらにこの電
子源を用いた画像形成装置を作成する場合には、製造の
歩留まりを著しく向上させることができ、画像欠陥のな
く、目立った輝度のばらつきのない画像形成装置を提供
することができる。
材料を含む液体の付与状態の異常を検出する手段および
その様子を示す図である。
度前駆体膜を形成する工程の一例を説明するための模式
図である。
工程の別の例を説明するための模式図である。
流を伴う場合のIf−Vf特性を示す模式図であり、
(b)は、正常にフォーミングされた素子のIf−Vf
特性を示す模式図である。
である。
構成を示す模式図である。
構成を示す模式図である。
構成を示す模式図である。
明するための模式図である。
置の構成の一例を示す模式的な斜視図である。
の模式図である。
源の配線を形成する方法を説明する模式的な断面図であ
る。
図である。
の波形を説明するための模式図である。
の一例を示す図である。
式図である。
成を示す模式図である。
5:電子放出部、6:前駆体膜、6’:修正が必要とさ
れる前駆体膜、11:反射鏡、12:インクジェット装
置、13:撮像装置、14:液滴、15:液溜まり、1
6:多孔質の樹脂、17:ロッド、21:ガラス製第1
ノズル、22:ガラス製第2ノズル、23:円筒形ピエ
ゾ、25,26:吐出する液体、27:電気信号入力端
子、31:基板、32:発熱抵抗体、33:支持板、3
4:液体流路、35:第1ノズル、36:第2ノズル、
37:インク流路隔壁、38,39:液体室、41:内
側ノズル、42:外側ノズル、43:還元性ガスの気
流、44:導電性膜、51,52:素子電極、53:Y
方向配線、54:層間絶縁層、55:切り欠き、56:
X方向配線、57:前駆体膜、61:電子源基板、6
2:リアプレート、63:フェスプレート、64:ガラ
ス基板、65:蛍光膜、66:メタルバック、67:支
持枠、68:電子放出素子、69:X方向素子配線、7
0:Y方向素子配線、71:X方向配線、72:Y方向
配線、73:共通電極、74:電子放出素子、75:パ
ルス発生器、76:電流測定用抵抗、77:オシロスコ
ープ、81:基板、82:Y方向配線、83:層間絶縁
層、84:コンタクトホール、85:上配線、91:基
板、92、93:素子電極、94:導電性膜、95a,
95b:配線、96:グリッド電極、97:電子通過
口、310,311:液体供給口、312:天井板。
Claims (26)
- 【請求項1】 電極間に、電子放出部を有する導電性膜
を備える電子放出素子の製造方法であって、前記電子放
出部が形成される導電性膜を形成する工程が、該導電性
膜の原材料を含む液体を基板にインクジェット方式にて
付与した後、該液体の付与状態の異常を検出する工程
と、検出された該液体の付与状態の異常な領域に該導電
性膜の原材料を含む液体をインクジェット方式にて再び
付与する工程とを有することを特徴とする電子放出素子
の製造方法。 - 【請求項2】 前記液体の付与状態の異常を検出する工
程は、付与された液体を乾燥して形成される、該導電性
膜の前駆体膜を検査する工程を有する請求項1に記載の
電子放出素子の製造方法。 - 【請求項3】 前記前駆体膜を検査する工程は、前駆体
膜の形成位置を検査する工程を有する請求項2に記載の
電子放出素子の製造方法。 - 【請求項4】 前記前駆体膜を検査する工程は、前駆体
膜の形状を検査する工程を有する請求項2に記載の電子
放出素子の製造方法。 - 【請求項5】 前記前駆体膜を検査する工程は、前駆体
膜中の異物の有無を検査する工程を有する請求項2に記
載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項6】 前記原材料を含む液体を再び付与する工
程は、前記前駆体膜の検査結果に基づいて異常のある該
前駆体膜にその溶剤を付与する工程の後に行われる請求
項2〜5のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項7】 前記原材料を含む液体を再び付与する工
程は、前記前駆体膜の検査結果に基づいて異常のある該
前駆体膜にその溶剤を付与しこれを加熱する工程の後に
行われる請求項2〜5のいずれかに記載の電子放出素子
の製造方法。 - 【請求項8】 前記原材料を含む液体を再び付与する工
程は、前記前駆体膜の検査結果に基づいて異常のある該
前駆体膜にその溶剤を付与しこれを加熱し、更に、該付
与、加熱領域を還元雰囲気に暴露する工程の後に行われ
る請求項2〜5のいずれかに記載の電子放出素子の製造
方法。 - 【請求項9】 前記原材料を含む液体を再び付与する工
程は、前記前駆体膜の検査結果に基づいて異常のある該
前駆体膜にその溶剤を付与しこれを吸引する工程の後に
行われる請求項2〜5のいずれかに記載の電子放出素子
の製造方法。 - 【請求項10】 前記異常のある前駆体膜に付与される
溶剤は、前記導電性膜の原材料を含む液体に用いられて
いる溶媒である請求項6〜9のいずれかに記載の電子放
出素子の製造方法。 - 【請求項11】 前記異常のある前駆体膜に付与される
溶剤は、前駆体膜に含有される成分元素とキレート化可
能な配位子を含有する溶剤である請求項6〜9のいずれ
かに記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項12】 前記前駆体の溶剤の付与は、インクジ
ェット方式にて行われる請求項6〜9のいずれかに記載
の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項13】 前記液体の付与状態の異常を検出する
工程は、付与された液体を乾燥し加熱して形成される該
導電性膜を検査する工程を有する請求項1に記載の電子
放出素子の製造方法。 - 【請求項14】 前記導電性膜を検査する工程は、該導
電性膜の抵抗値を測定する工程を有する請求項13に記
載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項15】 前記原材料を含む液体を再び付与する
工程は、前記導電性膜の検査結果に基づいて異常のある
導電性膜を除去する工程の後に行われる請求項13また
は14に記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項16】 前記原材料を含む液体を再び付与する
工程は、前記導電性膜の検査結果に基づいて異常のある
該導電性膜を還元雰囲気に暴露した後これを除去する工
程の後に行われる請求項13または14に記載の電子放
出素子の製造方法。 - 【請求項17】 前記異常のある導電性膜を除去する工
程は、該異常のある導電性膜を吸着媒体に吸着させる工
程を有する請求項15または16に記載の電子放出素子
の製造方法。 - 【請求項18】 前記液体の付与状態の異常を検出する
工程は、付与された液体を乾燥し加熱して形成される該
導電性膜に電子放出部を形成後、該電子放出部を有する
導電性膜を検査する工程を有する請求項1に記載の電子
放出素子の製造方法。 - 【請求項19】 前記電子放出部を有する導電性膜を検
査する工程は、該電子放出部を有する導電性膜に印加さ
れる電圧(Vf)とそのとき流れる電流(If)との関
係を測定する工程を有する請求項18に記載の電子放出
素子の製造方法。 - 【請求項20】 前記電子放出部を有する導電性膜を検
査する工程は、該電子放出部を有する導電性膜に印加さ
れる電圧(Vf)とそのとき流れる電流(If)との関
係を測定し、前記VfとIfの関係から(d2 If/d
Vf2 )のピーク値を算出する工程を有する請求項18
に記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項21】 前記原材料を含む液体を再び付与する
工程は、前記電子放出部を有する導電性膜の検査結果に
基づいて異常のある該導電性膜を還元雰囲気に暴露した
後これを除去する工程の後に行われる請求項18〜20
のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項22】 前記異常のある、電子放出部を有する
導電性膜を除去する工程は、該異常のある、電子放出部
を有する導電性膜を吸着媒体に吸着させる工程を有する
請求項21に記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項23】 前記インクジェット方式は、ピエゾ素
子の変形によりノズルから液滴を吐出する方式である請
求項1〜22のいずれかに記載の電子放出素子の製造方
法。 - 【請求項24】 前記インクジェット方式は、液体を加
熱し発砲させることによりノズルから液滴を吐出する方
式である請求項1〜22のいずれかに記載の電子放出素
子の製造方法。 - 【請求項25】 電極間に、電子放出部を有する導電性
膜を備える電子放出素子が基板上に複数配置された電子
源の製造方法であって、前記電子放出素子が請求項1〜
24のいずれかに記載の方法にて製造されることを特徴
とする電子源の製造方法。 - 【請求項26】 電極間に、電子放出部を有する導電性
膜を備える電子放出素子が基板上に複数配置された電子
源と、該電子源からの電子の照射により画像を形成する
画像形成部材とを有する画像形成装置の製造方法であっ
て、前記電子放出素子が請求項1〜24のいずれかに記
載の方法にて製造されることを特徴とする画像形成装置
の製造方法。
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JP2005251739A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-09-15 | Toray Ind Inc | リペア方法およびリペア治具 |
JP2008000726A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Canon Inc | 機能性膜の製造方法 |
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-
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EP1130617A1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device and method of manufacture thereof |
KR100472686B1 (ko) * | 1998-10-14 | 2005-03-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | 화상 형성 장치의 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해제조된 화상 형성 장치 |
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