JPH09260430A

JPH09260430A - プローブの製造方法およびそれに用いられる回路基板

Info

Publication number: JPH09260430A
Application number: JP6435696A
Authority: JP
Inventors: Yoshinari Takayama; 嘉也高山; Kazunori So; 和範宗; Kiyoshi Miyake; 清三宅; Hiroshi Yada; 寛矢田
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1996-03-21
Filing date: 1996-03-21
Publication date: 1997-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】電解めっき法で形成されたバンプ接点であり
ながら、高さのばらつきがより抑制されたバンプ接点を
有するプローブの製造方法とそれに用いられる回路基板
を提供すること。【解決手段】プローブを製造するに際し、高さを制御
すべきバンプ接点２ａが形成される貫通孔４ａの開口面
積を、もとの開口形状に対して相似的に増減することに
よって、そのバンプ接点２ａの高さを制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路などの微
細な接触対象物に対して、電気的な接触が可能なバンプ
接点を有する回路基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路などの微細な半導体素子
に対するバーンインテスト等の電気的諸特性の検査は、
シリコンウエハから切り出された段階（ダイレベル）
で、パッケージング前のチップ（ベアチップ）に対して
行われることが要求されている。また、チップサイズパ
ッケージ（ＣＳＰ）等、半導体実装においてもベアチッ
プサイズでの接合が行われつつある。上記の様にＩＣチ
ップなどにおける微細ピッチに形成された導体に対し
て、繰り返しの接触や永久的な接合を行なうものとし
て、バンプ接点を有する回路基板が知られている。以
下、このバンプ接点を有する回路基板を、繰り返しの接
触や永久的な接合などの用途にかかわらず単に「プロー
ブ」という。プローブは、検査用として、またＩＣベア
チップ実装用のフィルムキャリアとして用いられている
（特開昭６２−１８２６７２号公報参照）。

【０００３】バンプ接点は、回路基板の面状から突起す
るように形成された接点であって、ドーム状の外径を呈
するものが一般的である。また、バンプ接点は、被検査
体・被実装体に応じて複数設けられ、各バンプ接点がこ
の回路基板の特定の導電性回路と導通された構造を有し
ている。

【０００４】バンプ接点の形成方法としては、浸漬方
式、噴流方式による電解めっきによって、導電性回路を
陰極として接点材料を析出させ成長させる方法が一般的
であり、この電解めっきの工程において、バンプ接点の
高さを均一に形成するための検討が行われている。

【０００５】例えば、特開昭５７−１３１９３号公報で
は、エッジなどの凸部に電界が集中して不均一なめっき
の膜厚となる現象を回避するために、陰極を兼ねた被め
っき物と陽極との間に、じゃま板を設けて電解めっきを
施す方法が記載されている。

【０００６】また、特開平７−１０９５９９号公報で
は、噴流めっき装置において均一なめっきの膜厚を得る
ために、材料析出のために用いられる電圧を制御し、ま
た、被めっき物に対してめっき液を噴出するためのノズ
ルを複数独立させ制御する方法が記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来の電解めっきにおいて形成されるバンプ接点には、
各バンプ接点ごとに接点材料の析出の程度が均等でない
ために、バンプ接点の高さがばらつくという問題があ
る。そのばらつきの幅は、例えば、高さの中心値１０μ
ｍに対して±５μｍ程度にもなる。また、バンプ接点の
大きさは、最大外径１０μｍから１００μｍ程度と小さ
く、また、中心間ピッチも１０μｍから１００μｍ程度
と狭いため、接点材料の析出量を各バンプ接点ごとに均
等となるように制御することは困難である。

【０００８】バンプ接点の高さのばらつきが大きい場合
には、その中の高さの低いバンプ接点が、検査工程での
接触不良や、半導体実装におけるＩＣベアチップとの接
合不良の原因となる。

【０００９】本発明の目的は上記従来の問題を解決し、
電解めっき法で形成されたバンプ接点でありながら、高
さのばらつきがより抑制されたバンプ接点を有するプロ
ーブの製造方法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下の特徴を
有するものである。（１）絶縁性基板の一方の面に導電性回路を設け、該絶
縁性基板の他方の面のバンプ接点を形成すべき位置に絶
縁性基板に対する貫通孔を設けてその内部に導電性回路
を露出させ、この露出した導電性回路を陰極とし、電解
めっき法によって貫通孔内に金属を充填しさらに突起さ
せてバンプ接点を形成するに際し、高さを制御すべきバ
ンプ接点が形成される貫通孔の開口面積を、もとの開口
形状と相似形となるように増大または減少させて、前記
電解めっき法によるバンプ接点の形成を行なうことを特
徴とするプローブの製造方法。

【００１１】（２）高さを制御すべきバンプ接点が形成
される貫通孔の開口面積を増大または減少させない場合
における、貫通孔の開口形状が、全て互いに合同な形状
である上記（１）記載のプローブの製造方法。

【００１２】（３）高さを制御すべきバンプ接点が形成
される貫通孔の開口面積を増大または減少させない状態
で電解めっきを行った場合に、絶縁性基板の面上の、外
周縁の領域に位置する貫通孔には高いバンプ接点が成長
し、中央の領域に位置する貫通孔には低いバンプ接点が
成長するものであって、このときの高いバンプ接点とし
て成長するものが、上記高さを制御すべきバンプ接点で
ある上記（２）記載のプローブの製造方法。

【００１３】（４）高さを制御すべきバンプ接点が形成
される貫通孔を貫通孔ａとよぶとき、この貫通孔ａの開
口面積を下式（Ｉ）を満足するように増大または減少さ
せるものである上記（２）記載のプローブの製造方法。Ｓ２＝Ｓ１×（Ｑｍ÷Ｑ１）ⁿ、（１≦ｎ≦１０）（Ｉ）ただし、Ｓ２は増大または減少させた後の貫通孔ａの開
口面積、Ｓ１は増大または減少させる前の貫通孔ａの開
口面積、Ｑｍは貫通孔ａの開口面積を増大または減少さ
せない状態で電解めっきを行った場合における、全ての
バンプ接点の各析出量の平均値、Ｑ１は貫通孔ａの開口
面積を増大または減少させない状態で電解めっきを行っ
た場合における、該貫通孔ａに成長するバンプ接点の析
出量。

【００１４】また、本発明の回路基板は、本発明のプロ
ーブの製造に有用な中間部材であって、絶縁性基板の一
方の面に導電性回路が設けられ、該絶縁性基板の他方の
面のバンプ接点を形成すべき位置に、絶縁性基板に対す
る貫通孔が設けられてその内部に導電性回路が露出し、
全ての貫通孔は互いに相似または合同の開口形状を有
し、絶縁性基板の面上の、外周縁の領域に位置する貫通
孔の開口面積が、中央の領域に位置する貫通孔の開口面
積よりも小さく、かつ、下式（II）を満足するように形
成されたものであることを特徴とする。Ｓ４＝Ｓ３×（ｑｍ÷ｑ１）ⁿ、（１≦ｎ≦１０）（II）ただし、Ｓ４は外周縁の領域に位置する貫通孔の開口面
積、Ｓ３は中央の領域に位置する貫通孔の開口面積、ｑ
ｍは、Ｓ４をＳ３と等しくした状態で電解めっきを行っ
た場合における、全てのバンプ接点の各析出量の平均
値、ｑ１はＳ４をＳ３と等しくした状態で電解めっきを
行った場合における、外周縁の領域に位置する貫通孔に
形成されるバンプ接点の析出量。

【００１５】本発明のプローブは、検査用プローブのよ
うに接触対象物に対して一時的に接触を行なうものだけ
ではなく、ベアチップを実装するフィルムキャリアのよ
うに永久的に接触させたままで用いる接続手段をも含む
ものである。

【００１６】

【作用】本発明は、絶縁性基板上に高さを制御したいバ
ンプ接点が存在する場合に、そのバンプ接点が成長する
貫通孔の開口面積を、もとの開口形状に対して相似的に
拡張または縮小することによって、成長後のバンプ接点
の高さを任意に減少または増大させるものである。例え
ば、貫通孔の開口面積を縮小した場合と、もとのままの
場合とを、成長時間・位置を含め全く同じ形成条件でバ
ンプ接点を成長させて比較した場合、貫通孔内の容積と
内部底面の陰極（導電性回路）の面積との比はいずれも
同じであるが、縮小した貫通孔の方が貫通孔の壁面によ
る遮蔽効果がより顕著となる。また、微細孔の場合には
孔内への金属イオンの供給は不足しがちになるが、それ
は縮小した貫通孔においてより顕著となる。従って、開
口面積を縮小した貫通孔の方が、成長するバンプ接点は
より低くなる。バンプ接点の高さは、絶縁性基板の表面
を基準としたバンプ接点の頂上部分の高さである。

【００１７】特に、絶縁性基板の一方の面に開口形状の
合同な貫通孔が多数分散する場合、通常のめっき条件で
は、電界の分布の差に起因して絶縁性基板の面上にはバ
ンプ接点がより高く形成される領域（特に、外周縁の領
域）と、より低く形成される領域（特に、中央の領域）
が現れる。このときのバンプ接点の高さは、高く形成さ
れる領域から低く形成される領域まで、位置に応じて無
段階的に変化するものとなる。このような場合に、例え
ば、高く形成されるバンプ接点を高さを制御すべきバン
プ接点として、その貫通孔の開口面積を上記式（Ｉ）の
関係を満足させながら、かつ、開口形状が相似形となる
ように縮小することによって、その貫通孔におけるバン
プ接点の成長は抑制され、低く形成されるバンプ接点の
高さに近づき、より均一なバンプ接点高さを有する接触
信頼性の高いプローブが得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明によるプローブの製造方法において、プ
ローブのバンプ接点が電解めっきによって形成される工
程を示す図である。同図は、バンプ接点の形成が完了し
た状態として示している。本発明によるプローブの製造
方法は、図１に示すように、絶縁性基板１の一方の面に
導電性回路３を設け、該絶縁性基板の他方の面のバンプ
接点を形成すべき位置に、絶縁性基板に対する貫通孔４
を設け、この貫通孔の内部底面に導電性回路３を露出さ
せる。この貫通孔内に露出した導電性回路を陰極とし、
電解めっき法によって貫通孔内に金属を析出させて充填
しさらに突起させてバンプ接点２を形成する。このと
き、前記貫通孔の形成工程において、高さを制御すべき
バンプ接点を決定し、そのバンプ接点の貫通孔の開口面
積を変更することによって、後工程の電解めっきにおい
て形成されるバンプ接点の高さを自在に制御するもので
ある。

【００１９】特に、図２（ａ）に示すように貫通孔の開
口形状が全て合同とした状態で電解めっきを施したなら
ば、上記作用の説明で述べたように、絶縁性基板の外周
縁領域側の貫通孔４ａに成長するバンプ接点２ａの方
が、中央領域側の貫通孔４ｂに成長するバンプ接点２ｂ
よりも高くなる。これに対して本発明による製造方法で
は、図２（ｂ）に例示するように、高く成長するバンプ
接点の貫通孔４ａの開口面積を、もとの開口形状と相似
形としながら減少させて、前記電解めっき法によるバン
プ接点の形成を行なう。これによって、より均一な高さ
のバンプ接点を有するプローブが得られる。

【００２０】絶縁性基板の材料としては、導電性回路、
バンプ接点を安定して支持し、実質的に電気絶縁特性を
有するものであれば特に限定されない。また、バンプ接
点を接触対象部に対して柔軟に追従させて接触させるた
めには、可撓性を有する材料が好ましい。このような材
料としては、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウ
レタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニ
トリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹
脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ
素系樹脂などの熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げ
られる。特に、ポリイミド系樹脂は、耐熱性、加熱によ
る寸法安定性および機械的強度に優れ、好ましい。絶縁
性基板の厚みは、特に限定されないが、十分な機械的強
度や可撓性を有するようにするため、２〜５００μｍ、
特に５〜１５０μｍに設定することが好ましい。

【００２１】導電性回路は、配線パターンのみならず、
電極、リードなどを包含する広い概念のことである。導
電性回路は各バンプ接点に対して個別に、または所望の
組のバンプ接点に対して共通の回路として、それらのバ
ンプ接点を形成すべき位置の直下を通過するように形成
される。

【００２２】導電性回路の材料としては、導電性を有す
る材料であれば特に限定するものではないが、公知の回
路基板における回路パターンの材料が好ましく、特に、
接触対象部のファインピッチ化にともなって配線幅が減
少することや、信号を高速にする必要があることから、
抵抗の小さい銅が好ましい。導電性回路の厚みは、特に
限定されないが、１μｍ〜２００μｍ、特に５μｍ〜８
０μｍに設定することが好ましい。

【００２３】導電性回路を絶縁性基板の一方の面に形成
する方法は、絶縁性基板に無電解めっき、スパッタリン
グ等で形成する方法、銅箔等の導電性回路にワニス状態
の絶縁性基板を塗工しキュアして形成する方法、それぞ
れフィルム状の導電性回路と絶縁性基板とを接着剤を介
して張り合わせる方法などがある。

【００２４】導電性回路は、さらに絶縁性皮膜によって
被覆されてもよい。即ち、導電性回路が、絶縁性基板と
絶縁性皮膜の層とによって挟まれた態様である。絶縁性
皮膜の材料としては、電気絶縁特性を有するものであれ
ばどのようなものであってもよい。この絶縁性皮膜をそ
のまま製品とする場合は、絶縁性基板と同等の材料とす
ることが好ましく、これによって絶縁性基板と絶縁性皮
膜との線膨張率が等しくなり温度変化によってカールす
るなどの問題がなくなる。また、この絶縁性皮膜を電解
めっきのための一次的なレジスト膜とするならば、公知
のレジスト膜材料を用いてよく、電解めっき後容易に剥
離しやすく、しかも電解めっき時の電流漏れのないもの
が好ましい。特に、耐熱性の塩化ビニルレジストは電流
漏れもなく可塑剤を調整することで機械的に剥離ができ
るので好ましい。導電性回路と絶縁性皮膜の積層方法
も、導電性回路と絶縁性基板の場合と同様であるが、塩
化ビニル性のレジストをスクリーン印刷で施すこともで
きる。

【００２５】絶縁性基板に対する貫通孔の形成方法とし
ては、パンチングなどの機械的穿孔方法、フォトリソグ
ラフィー加工、プラズマ加工、化学エッチング加工、レ
ーザー加工などが挙げられるが、ファインピッチ化に対
応するためには微細加工が可能なレーザー加工が好まし
く、特に紫外域に発振波長を有する紫外レーザーを用い
た穿孔加工を用いることが望ましい。貫通孔の開口形
状、即ち、貫通孔の長手軸に垂直な断面の形状は限定さ
れないが、円形が好ましい。貫通孔の孔径は、φ５μｍ
〜φ２００μｍ、特にφ８μｍ〜φ１００μｍ程度が好
ましい。これらの範囲から、絶縁性基板上に設けられる
全ての貫通孔の孔径を同じ値とするように選択・決定
し、さらに、高さを制御すべきバンプ接点の貫通孔だけ
を数値変更することが好ましい。

【００２６】バンプ接点の高さを均一にする場合、絶縁
性基板の外周縁のバンプ接点を高さ制御の対象とし中央
部のバンプ接点の高さに近づくように貫通孔を縮小し低
くする態様や、その逆に、中央部のバンプ接点を高さ制
御の対象とし外周縁のバンプ接点の高さに近づくように
貫通孔を拡大し高くする態様など、いずれであってもよ
い。しかし、貫通孔を拡大すれば狭ピッチのバンプ接点
がショートしやすくなるということや、過剰成長するバ
ンプ接点の発生領域が基板面全域に占める割合が小さい
ことから、外周縁のバンプ接点の方を高さ制御の対象と
することが好ましい。

【００２７】貫通孔の開口形状を全て合同とした上で、
さらに、高さを制御すべきバンプ接点の貫通孔の開口面
積を変更する場合には、もとの開口形状と相似形である
ことを維持しながら、上記式（Ｉ）を満足するように開
口面積を変更する。上記式（Ｉ）におけるバンプ接点の
析出量は、貫通孔内の充填に要した析出量と突起部分の
析出量との和である。上記式（Ｉ）を満足させるために
は、予め開口面積を変更しない状態でプローブを製作
し、全てのバンプ接点の成長状態を調査し、そのデータ
を参照することが好ましい。上記式（Ｉ）におけるｎの
値は、１≦ｎ≦１０が好ましい。ｎの値が１未満であれ
ば調整効果がない。またｎの値が１０を越えると、開口
面積の過剰な縮小によって、これに成長するバンプ接点
の高さは、逆に平均高さより低くなる。

【００２８】高さを制御するバンプ接点は、複数選択し
てもよい。例えば、絶縁性基板上全体にマトリクス状に
バンプ接点を配置する場合、低いバンプ接点を、基板面
上の中央に位置するバンプ接点とし、高いバンプ接点
を、このマトリクスの外側を囲んで位置するバンプ接点
としてもよい。

【００２９】電解めっき法における電流効率は、９０％
以上とすることが好ましい。９０％未満だと金属の析出
と伴にガスの発生も多く、良好なバンプ接点が形成され
にくいからである。

【００３０】めっき液に光沢剤を含むワット液（浴）、
スルファミン酸液（浴）を使用する場合、Ｃｕ不純物は
５ｐｐｍ以下にするのが好ましい。５ｐｐｍを越えると
変形が生じ好ましくない。

【００３１】バンプ接点の材料としては、電解めっき法
によって析出できる金属であれば特に限定されず、公知
の金属接点材料が使用できるが、例えば金、銀、銅、白
金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウ
ム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金
属、またはこれらを成分とする各種合金、例えば、半
田、ニッケル−錫、金−コバルトなどが挙げられる。

【００３２】また、個々のバンプ接点の構造としては、
銅、ニッケルなど、良導体であって安価な金属材料を用
いてコアとなるバンプ接点を形成した後、該バンプ接点
の表面には用途に応じて、高硬度の金属や材料的に安定
な金属の皮膜（表層）を設けてもよい。このような金属
としては種々の貴金属が挙げられる。例えば、半導体素
子との接合には化学的に安定し接触信頼性の高い金など
を、またバーンイン等の電気検査には硬度の高いロジウ
ムやルテニウム等を用いることが好ましい。

【００３３】バンプ接点の高さは特に限定されるもので
はないが、１μｍ〜１００μｍとするのが好ましい。た
だし、この値はバンプ接点の高さの呼び寸法であって、
同一の絶縁性基板上に形成されるバンプ接点の高さは、
どのような呼び寸法であっても、高さのばらつきは、ゼ
ロであることが理想である。実使用上においては、バン
プ接点の高さのばらつきは、±２μｍ程度以内であれば
よいが、用途に応じてばらつきの公差範囲に緩急を自由
に設定すればよい。

【００３４】絶縁性基板には用途に応じてさらに絶縁体
層を積層することもできる。例えば、もとの表層の絶縁
性基板にＩＣベアチップなどの半導体素子を実装する場
合、この半導体素子とともに実装面全体に絶縁体層を積
層することによって、半導体素子を封止する態様であ
る。この絶縁体層に用いられる材料としては、エポキシ
系樹脂、シリコーン系樹脂などの公知のものが使用可能
である。

【００３５】次に、本発明のプローブ用回路基板を説明
する。本発明のプローブ用回路基板は、バンプ接点が形
成される前の段階の中間部材であって、貫通孔に特徴を
有する。図３はその一例を示す模式図であって、絶縁性
基板１の一方の面に導電性回路３が設けられ、該絶縁性
基板１の他方の面のバンプ接点を形成すべき位置に、絶
縁性基板に対する貫通孔が設けられ、その内部底面に裏
面の導電性回路が露出している。貫通孔は、従来のプロ
ーブであれば全て合同の開口形状となるように同一孔径
をもって形成されるが、本発明では、絶縁性基板の面上
の外周縁の領域に位置する貫通孔４ａの開口形状が、中
央の領域に位置する貫通孔４ｂの開口形状に対して、相
似的に縮小され、かつその開口面積が上記式（II）を満
足するように形成されている。このようにして、導電性
回路を有する絶縁性基板に貫通孔が設けられた構造が、
本発明のプローブ用回路基板の基本構造である。同図の
例では、導電性回路全体がさらに絶縁性皮膜６によって
被覆されたものを本発明のプローブ用回路基板としてい
る。

【００３６】本発明のプローブ用回路基板では、上記式
（II）に示すように、高さを制御すべきバンプ接点の貫
通孔ａ（図３では貫通孔４ａ）の開口面積Ｓ４を決定す
るに際して、該貫通孔ａの開口面積が、中央の領域に位
置する貫通孔（図３では貫通孔４ｂ）の開口面積と同一
である状態においてバンプ接点を形成した場合を開口面
積Ｓ４決定の参照としているが、これは全ての貫通孔の
開口形状が合同であった場合のバンプ接点の状態を参照
するものであり、上記式（II）と上記式（Ｉ）とは同義
である。即ち、本発明のプローブ用回路基板は、本発明
のプローブの製造方法によって形成されるプローブの中
間工程において得られる中間部材に等しい。

【００３７】この回路基板を用いることによって、一般
的なめっき条件、めっき装置を用いた電解めっき法によ
っても、高さの均一なバンプ接点を形成し得る。この回
路基板を形成するための絶縁性基板、導電性回路、貫通
孔、バンプ接点については、上記説明のとおりである。

【００３８】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に示
す。実施例１〔回路基板の形成１〕厚さ３５μｍの銅箔に、ポリイミ
ド前駆体溶液を乾燥後の厚みが２５μｍとなるように塗
工し、乾燥、硬化させ、銅箔と、ポリイミドフィルム
（絶縁性基板）との２層フィルムを作製した。次に、銅
箔の表面に回路パターン状にレジスト層を形成した後、
フォト工程を用いて平行に並んだ直線回路パターンを有
する導電性回路を形成した。製品部分の回路パターン
は、幅を１００μｍ、スペースを５０μｍとした。

【００３９】〔回路基板の形成２〕ポリイミドフィルム
に対して、導電性回路が形成された面の裏面から、バン
プ接点を形成すべき位置に、発振波長２４８μｍのＫｒ
Ｆエキシマレーザー光をマスクを通して照射してドライ
エッチングを施し、開口形状円形の貫通孔を同一直線上
に２００ケ形成した。各貫通孔の内部底面には、各々個
別の導電性回路が露出している。

【００４０】この１列の貫通孔のうち、両端に位置する
貫通孔、および両端から各２番目に位置する貫通孔、計
４つを高さを制御すべき貫通孔とし、予めダミー貫通孔
を設けないで製作したプローブを参照し、かつ上記式
（Ｉ）を参照してこれら貫通孔の開口面積を決定した。
各貫通孔の内径は、両端に位置するものを５５μｍと
し、両端から各２番目に位置するものを５７μｍとし
た。これら以外の中央までの貫通孔の直径は全て６０μ
ｍとして本発明の回路基板の基本構造を得た。

【００４１】〔回路基板の形成３〕さらに貫通孔に酸素
プラズマを施し、ポリイミドと反対側の導電性回路に耐
熱性塩化ビニルのレジストを厚さ５０μｍとなるように
スクリーン印刷によって付与した。

【００４２】〔バンプ接点の形成〕ＵＶ照射した後、上
記回路基板の貫通孔内に露出した銅箔を過硫酸ナトリウ
ム系のソフトエッチング液を用いて４０ｋＨｚの超音波
をかけ処理し、電気伝導度２μｍＳ／ｃｍ以下の水で洗
浄した後、図１に示すように、電解めっき（ニッケルめ
っき）工程において、アノード７を正極とし、プローブ
の導電性回路３を負極とし、貫通孔内に接点材料として
ニッケルを析出させて充填し、さらに絶縁性基板の表面
から突起するように成長させてバンプ接点２を形成し、
本発明のプローブを得た。めっき条件は下記に示す通り
である。めっき液は、エアーによって攪拌し、ヒーター
によって温度コントロールした（図示せず）。

【００４３】〔めっき条件〕めっき液の成分は、めっき
液１リットル中の成分として、硫酸ニッケル；３００
ｇ、塩化ニッケル；６５ｇ、ほう酸；４５ｇ、添加剤
（荏原ユージライト社製）♯６１０；１５ｍｌ、♯６
３；２０ｍｌ、♯６２；５ｍｌとした。また、電解めっ
きを行なう場合の操作条件としては、めっき液量；１０
リットル、めっき温度；６０℃±０．５℃、電流密度
４．５Ａ／ｄｍ²、めっき時間４５（ｍｉｎ）、エアー
攪拌；０．１ｍ³／ｍ²−ｍｉｎとした。

【００４４】本実施例で得られたプローブの２００ケの
バンプ接点の高さを調べたところ、片方の端部から中央
までのものを示すと、端部から順に２０．５μｍ、２
０．４μｍ、となり、以下中央の１００ケまで２０±
０．３μｍとなった。このプローブをＩＣベアチップの
検査用プローブとして用いたところ、バンプ接点の高さ
のばらつきによる接触不良は起こらなかった。

【００４５】比較例本比較例では、全ての貫通孔の開口形状を内径６０μｍ
の円形としたこと以外は、上記実施例１と全く同様にプ
ローブを形成した。２００ケのバンプ接点の高さは、片
方の端部から中央までのものを示すと、端部から順に２
４μｍ、２２μｍ、２０μｍとなり以下中央の１００ケ
まで２０±０．３μｍとなり、両端部のバンプ接点が顕
著に高いものであった。このプローブを上記実施例１の
場合と同様に、ＩＣベアチップの検査用プローブとして
用いたところ、端部の最も高いバンプ接点のために、端
部から２番目、３番目、４番目のバンプ接点において接
触不良が起こった。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
および回路基板によって、特別な条件を付与しない従来
と同様の電解めっき法を用いても、高さのばらつきの少
ないバンプ接点が容易に形成でき、接触信頼性の高いプ
ローブが提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプローブの製造方法において、プ
ローブのバンプ接点を電解めっきによって形成する工程
を示す図である。

【図２】本発明によるプローブの製造方法において、貫
通孔の開口面積を変更することによる作用を示す図であ
る。

【図３】本発明による回路基板の一例を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１絶縁性基板２バンプ接点３導電性回路４ａ高さを制御すべきバンプ接点が成長する貫通孔４ｂ低いバンプ接点が成長する貫通孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者矢田寛大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板の一方の面に導電性回路を設
け、該絶縁性基板の他方の面のバンプ接点を形成すべき
位置に絶縁性基板に対する貫通孔を設けてその内部に導
電性回路を露出させ、この露出した導電性回路を陰極と
し、電解めっき法によって貫通孔内に金属を充填しさら
に突起させてバンプ接点を形成するに際し、高さを制御
すべきバンプ接点が形成される貫通孔の開口面積を、も
との開口形状と相似形となるように増大または減少させ
て、前記電解めっき法によるバンプ接点の形成を行なう
ことを特徴とするプローブの製造方法。
【請求項２】高さを制御すべきバンプ接点が形成され
る貫通孔の開口面積を増大または減少させない場合にお
ける、貫通孔の開口形状が、全て互いに合同な形状であ
る請求項１記載のプローブの製造方法。
【請求項３】高さを制御すべきバンプ接点が形成され
る貫通孔の開口面積を増大または減少させない状態で電
解めっきを行った場合に、絶縁性基板の面上の外周縁の
領域に位置する貫通孔には高いバンプ接点が成長し、中
央の領域に位置する貫通孔には低いバンプ接点が成長す
るものであって、このときの高いバンプ接点として成長
するものが、上記高さを制御すべきバンプ接点である請
求項２記載のプローブの製造方法。
【請求項４】高さを制御すべきバンプ接点が形成され
る貫通孔を貫通孔ａとよぶとき、この貫通孔ａの開口面
積を下式（Ｉ）を満足するように増大または減少させる
ものである請求項２記載のプローブの製造方法。Ｓ２＝Ｓ１×（Ｑｍ÷Ｑ１）ⁿ、（１≦ｎ≦１０）（Ｉ）ただし、Ｓ２は増大または減少させた後の貫通孔ａの開
口面積、Ｓ１は増大または減少させる前の貫通孔ａの開
口面積、Ｑｍは貫通孔ａの開口面積を増大または減少さ
せない状態で電解めっきを行った場合における、全ての
バンプ接点の各析出量の平均値、Ｑ１は貫通孔ａの開口
面積を増大または減少させない状態で電解めっきを行っ
た場合における、該貫通孔ａに成長するバンプ接点の析
出量。
【請求項５】絶縁性基板の一方の面に導電性回路が設
けられ、該絶縁性基板の他方の面のバンプ接点を形成す
べき位置に、絶縁性基板に対する貫通孔が設けられてそ
の内部に導電性回路が露出し、全ての貫通孔は互いに相
似または合同の開口形状を有し、絶縁性基板の面上の、
外周縁の領域に位置する貫通孔の開口面積が、中央の領
域に位置する貫通孔の開口面積よりも小さく、かつ、下
式（II）を満足するように形成されたものであることを
特徴とするプローブ用回路基板。Ｓ４＝Ｓ３×（ｑｍ÷ｑ１）ⁿ、（１≦ｎ≦１０）（II）ただし、Ｓ４は外周縁の領域に位置する貫通孔の開口面
積、Ｓ３は中央の領域に位置する貫通孔の開口面積、ｑ
ｍは、Ｓ４をＳ３と等しくした状態で電解めっきを行っ
た場合における、全てのバンプ接点の各析出量の平均
値、ｑ１はＳ４をＳ３と等しくした状態で電解めっきを
行った場合における、外周縁の領域に位置する貫通孔に
形成されるバンプ接点の析出量。