JPH09259080A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH09259080A JPH09259080A JP8062900A JP6290096A JPH09259080A JP H09259080 A JPH09259080 A JP H09259080A JP 8062900 A JP8062900 A JP 8062900A JP 6290096 A JP6290096 A JP 6290096A JP H09259080 A JPH09259080 A JP H09259080A
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- semiconductor device
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Abstract
な構成で実現し得るレイテンシー設定手段を備えた半導
体装置を提供する。 【解決手段】受信側の半導体装置からのデータの転送要
求に基づいて、送信側の半導体装置から該当するデータ
がバスを介してバスクロックに基づいて受信側の半導体
装置に転送される。半導体装置には、データの転送要求
から該当する有効データが受信側の半導体装置に転送さ
れるまでの転送時間に基づく転送基準値φを出力する基
準値設定回路1と、転送基準値φに対応したバスクロッ
ク数を算出してレイテンシーRとして出力するカウンタ
回路4とが備えられる。
Description
号に基づいて出力信号をバスに出力するパイプライン動
作を行う半導体装置に関するものである。
信側の半導体装置間でバスを介してデータを転送するた
めに、所定のクロック信号に基づいてバスを介して信号
を転送するパイプライン動作を行うことにより、信号の
転送速度を向上させるようにしたものがある。このよう
な半導体装置では、信号を確実に転送しながら、転送速
度をさらに向上させることが必要となっている。
DRAMとの間でバスを介したパイプライン動作でデー
タの転送を行う場合には、転送動作の基準クロックであ
るバスクロックに基づいてデータが順次転送される。
ータの転送までに所定のバスクロック数(以下レイテン
シーという)を経た後にデータの転送が開始される。こ
のレイテンシーは、データを受信する装置が応答可能な
レイテンシー以上に設定する必要がある。
ータが転送されるおそれがあり、レイテンシーが必要以
上に大きい場合には、転送速度が低下する。このような
レイテンシーは、MPU及びSDRAMとバスとを含む
システムを設計する場合に、MPU及びSDRAMの規
格と、供給されるバスクロックの周波数とに基づいて、
最適なレイテンシーが設定される。
等から構成されるシステムの性能を最大限に発揮させる
ためには、レイテンシーを最適に設定する必要がある。
ロックとは異なる周波数のバスクロックでシステムを駆
動する必要が生じたり、また同一のシステムでも使用状
態に応じてバスクロックの周波数を変更して使用するこ
ともある。
設定されたレイテンシーでは、最適なレイテンシーとは
ならず、システムの性能を最大限に発揮させることがで
きないばかりか、正確な転送を行うことができないこと
もある。
周波数に応じてレイテンシーの再設定を可能とするよう
なレイテンシー設定手段をシステムに備える必要がある
が、このような設定手段をシステムに備えると、そのシ
ステムが複雑化するという問題点がある。
て、レイテンシー設定手段で最適なレイテンシーの再設
定を行うことは、極めて煩雑であった。この発明の目的
は、最適なレイテンシーの設定を容易に、かつ簡易な構
成で実現し得るレイテンシー設定手段を備えた半導体装
置を提供することにある。
明図である。すなわち、受信側の半導体装置からのデー
タの転送要求に基づいて、送信側の半導体装置から該当
するデータがバスを介してバスクロックに基づいて前記
受信側の半導体装置に転送される。前記半導体装置に
は、データの転送要求から該当する有効データが前記受
信側の半導体装置に転送されるまでの転送時間に基づく
転送基準値φを出力する基準値設定回路1と、前記転送
基準値φに対応したバスクロック数を算出してレイテン
シーRとして出力するカウンタ回路4とが備えられる。
記転送時間に基づくパルス幅のパルス信号を出力するパ
ルス発生器で構成され、前記カウンタ回路は、前記パル
ス信号の入力に基づいてバスクロックのクロック数をカ
ウントするカウンタと、前記カウンタから出力されるカ
ウント値を前記パルス信号の終端に基づいてラッチして
出力するレジスタとから構成される。
記バスクロックが入力されるチャージポンプと、前記チ
ャージポンプの出力電圧が前記転送時間に基づく電圧値
を越えたとき、判定信号を出力する比較器とから構成さ
れ、前記カウンタ回路は、前記バスクロックの入力に基
づいて該バスクロックのクロック数をカウントするカウ
ンタと、前記比較器の判定信号に基づいて、前記カウン
タから出力されるカウント値をラッチして出力するレジ
スタとから構成される。
記バスクロックの周波数の変化に基づいて動作する。請
求項5では、前記基準値設定回路は、電源の投入に基づ
いて動作する。
補償機能を備えた定電圧回路の出力信号を電源として動
作する。 (作用)請求項1では、転送基準値に対応したバスクロ
ック数がレイテンシーとして出力されるため、バスクロ
ックの周波数が変化すれば、レイテンシーが自動的に変
化する。
のパルス信号に基づいてバスクロックのクロック数がカ
ウントされ、そのカウント値に基づいてレイテンシーが
設定される。
いて、カウンタでバスクロック数がカウントされるとと
もに、チャージポンプの出力電圧が上昇し、その出力電
圧が、転送時間に基づく所定電圧に達したとき、比較器
から出力される出力信号に基づいてカウンタのカウント
値がレイテンシーとして設定される。
化したとき、基準値設定回路から転送基準値が出力され
る。請求項5では、電源が投入されると、基準値設定回
路から転送基準値が出力される。
度補償された定電圧電源で安定したパルス幅の出力信号
が生成される。
イテンシー設定回路を示す。転送動作の基準クロックで
あるバスクロックBCは、パルス発生器1及びカウンタ
2に入力される。
器1は、例えば電源の投入時に、前記バスクロックBC
の立ち上がりに基づいて、データを送受信する半導体装
置の最小転送周期に等しいパルス信号φ0 を、カウンタ
回路を構成する前記カウンタ2及びレジスタ3に出力す
る。
立ち上がってから立ち下がるまでの間、前記バスクロッ
クBCをカウントし、そのカウント値Nをレジスタ3に
出力する。
立ち下がりに基づいて、前記カウンタ2から出力される
カウント値Nを格納して、レイテンシーRとして前記半
導体装置に出力する。
示す。定電圧回路5は、電源Vccの供給に基づいて定電
圧の出力信号VPUL を生成して出力するものであり、電
源VccがPチャネルMOSトランジスタTr1,Tr2のソ
ースに供給される。
互いに接続されるとともに、同トランジスタTr1のドレ
インに接続される。前記トランジスタTr2のドレイン
は、NチャネルMOSトランジスタTr3,Tr4のゲート
及び同トランジスタTr4のドレインに接続され、前記ト
ランジスタTr3のドレインは、前記トランジスタTr1の
ドレインに接続される。
1を介してPNPトランジスタTr5のエミッタに接続さ
れる。前記トランジスタTr4のソースは、抵抗R2を介
してPNPトランジスタTr6のエミッタに接続される。
コレクタは、グランドGNDに接続される。このように
構成された定電圧源は、トランジスタTr1〜Tr4による
カレントミラー回路により、トランジスタTr1,Tr3,
Tr5と、同Tr2,Tr4,Tr6に同一値の定電流が流れる
ように動作し、抵抗R1,R2により、各トランジスタ
Tr1〜Tr6の温度特性が補償される。
は、電源Vccの供給に基づいて、温度補償された定電圧
として出力される。前記定電圧回路5の出力信号VPUL
は、インバータ回路6a〜6f及びNAND回路7に電
源として供給され、同インバータ回路6a〜6f及びN
AND回路7は、前記出力信号VPUL を高電位側電源と
し、グランドGNDを低電位側電源として動作する。
続され、初段のインバータ回路6aの入力端子及び前記
NAND回路7の一方の入力端子であるノードN1に
は、前記バスクロックBCが転送ゲートとして動作する
NチャネルMOSトランジスタTr7を介して入力され
る。
は、前記インバータ回路6eの出力信号が入力され、そ
のNAND回路7の出力信号がインバータ回路6fを介
して前記パルス信号φ0 として出力される。
入力され、そのNOR回路8aの出力信号φCLはNチャ
ネルMOSトランジスタTr8のゲートに入力される。前
記トランジスタTr8のドレインは、前記インバータ回路
6aの入力端子に入力され、ソースはグランドGNDに
接続される。
タ回路6gを介してNOR回路8bに入力され、そのN
OR回路8bの出力信号φTRは、前記トランジスタTr7
のゲート、前記NOR回路8a及びNOR回路8cに入
力される。
器1が起動されるときHレベルとなるスタータ信号φST
がインバータ回路6hを介して入力され、そのNOR回
路8cの出力信号は、前記NOR回路8bに入力され
る。
作を図5に従って説明する。スタータ信号φSTがLレベ
ルで、バスクロックBCがLレベルに固定されている
と、NOR回路8bの出力信号φTRはHレベルとなり、
NOR回路8aの出力信号φCLはLレベルとなる。
ともに、トランジスタTr8はオフされる。ノードN1は
Lレベルとなるため、NAND回路7の出力信号はHレ
ベルとなり、パルス信号φ0 はLレベルとなる。
ルに立ち上がり、次いでバスクロックBCがHレベルに
立ち上がると、ノードN1がHレベルとなり、NAND
回路7の出力信号がLレベルとなって、パルス信号φ0
がHレベルに立ち上がる。
インバータ回路6gの動作遅延時間後に、NOR回路8
bの出力信号φTRはLレベルとなり、トランジスタTr7
はオフされる。このとき、トランジスタTr8はHレベル
のパルス信号φ0 によりオフ状態に維持される。
遅延時間tD 後にNAND回路7の出力信号はHレベル
となり、パルス信号φ0 はLレベルとなる。すると、N
OR回路8aの入力信号はともにLレベルとなるため、
出力信号φCLはHレベルとなり、トランジスタTr8がオ
ンされてノードN1はLレベルにリセットされる。
生器1では、スタータ信号φSTがHレベルとなった状態
で、バスクロックBCがHレベルに立ち上がると、イン
バータ回路6a〜6eの動作遅延時間tD に相当するパ
ルス幅でHレベルとなるパルス信号φ0 が生成される。
ータ回路6a〜6f及びNAND回路7に電源として供
給されるので、電源電圧及び周囲温度の変動に関わら
ず、安定したパルス幅のパルス信号φ0 を生成すること
ができる。
路では、図3に示すように、バスクロック信号BCが入
力されると、カウンタ2ではパルス発生器1から出力さ
れるパルス信号φ0 の立ち上がりに基づいてバスクロッ
ク信号BCがカウントされ、そのカウント値Nがレジス
タ3に出力される。
き、カウント値Nが「3」であれば、そのカウント値が
レジスタ3に格納されて、レイテンシーRとして出力さ
れる。すると、このバスクロックBCの周波数に対する
前記半導体装置のレイテンシーRは「3」となり、この
レイテンシーRはパルス信号φ0 のパルス幅に対応する
バスクロックBCのパルス数となるため、最適なレイテ
ンシーとなる。
回路では、次に示す作用効果を得ることができる。 (イ)バスクロックBCの周波数に応じたレイテンシー
Rを極めて容易に設定して出力することができる。 (ロ)一定のパルス幅のパルス信号φ0 を出力するパル
ス発生器1と、カウンタ2と、レジスタ3とから、簡易
なレイテンシー設定回路を構成することができる。 (ハ)バスクロックBCの周波数を変更しても、常に最
適なレイテンシーRを設定して出力することができる。 (ニ)パルス発生器1からパルス信号φ0 を常時出力す
るように構成すれば、常時最適なレイテンシーRを設定
して出力することができる。 (ホ)バスクロックBCの周波数を変更したときに、パ
ルス発生器1からパルス信号φ0 を出力するように構成
すれば、変更したバスクロックBCの周波数に対し、最
適なレイテンシーRを設定して出力することができる。 (ヘ)パルス発生器1は、温度補償機能を備えた定電圧
回路5により電源Vcc及び周囲温度の変化に関わらず、
安定したパルス幅のパルス信号φ0 を生成することがで
きる。
のパルス幅を、データを送受信する半導体装置の最小転
送周期に等しいパルス幅としたが、最小転送周期に比例
したパルス幅としてもよい。
前記比例係数の逆数を乗算した値をレイテンシーとする
必要がある。なお、前記パルス発生器1をチャージポン
プと比較器に置換し、そのチャージポンプにバスクロッ
クBCを入力し、そのチャージポンプの出力電圧がレイ
テンシーを設定するための所定のレベルに達したとき比
較器から出力される信号に基づいて、前記カウンタ2の
カウント値Nをレジスタ3に格納して、レイテンシーR
を設定するようにしてもよい。
波数に応じた最適なレイテンシーRを設定して出力する
ことができる。
レイテンシーの設定を容易に、かつ簡易な構成で実現し
得るレイテンシー設定手段を備えた半導体装置を提供す
ることができる。
である。
である。
Claims (6)
- 【請求項1】 受信側の半導体装置からのデータの転送
要求に基づいて、送信側の半導体装置から該当するデー
タをバスを介してバスクロックに基づいて前記受信側の
半導体装置に転送する半導体装置であって、 データの転送要求から該当する有効データが前記受信側
の半導体装置に転送されるまでの転送時間に基づく転送
基準値を出力する基準値設定回路と、 前記転送基準値に対応したバスクロック数を算出してレ
イテンシーとして出力するカウンタ回路とを備えたこと
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記基準値設定回路は、 前記転送時間に基づくパルス幅のパルス信号を出力する
パルス発生器で構成し、 前記カウンタ回路は、 前記パルス信号の入力に基づいてバスクロックのクロッ
ク数をカウントするカウンタと、 前記カウンタから出力されるカウント値を前記パルス信
号の終端に基づいてラッチして出力するレジスタとから
構成したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記基準値設定回路は、 前記バスクロックが入力されるチャージポンプと、 前記チャージポンプの出力電圧が前記転送時間に基づく
電圧値を越えたとき、判定信号を出力する比較器とから
構成し、 前記カウンタ回路は、 前記バスクロックの入力に基づいて該バスクロックのク
ロック数をカウントするカウンタと、 前記比較器の判定信号に基づいて、前記カウンタから出
力されるカウント値をラッチして出力するレジスタとか
ら構成したことを特徴とする請求項1記載の半導体装
置。 - 【請求項4】 前記基準値設定回路は、前記バスクロッ
クの周波数の変化に基づいて動作することを特徴とする
請求項2乃至3のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項5】 前記基準値設定回路は、電源の投入に基
づいて動作することを特徴とする請求項2乃至3のいず
れかに記載の半導体装置。 - 【請求項6】 前記パルス発生器は、温度補償機能を備
えた定電圧回路の出力信号を電源として動作することを
特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8062900A JPH09259080A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8062900A JPH09259080A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09259080A true JPH09259080A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13213598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8062900A Pending JPH09259080A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09259080A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005222581A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
JP2006190441A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Hynix Semiconductor Inc | 同期式半導体装置用のレイテンシ制御装置及びレイテンシ制御方法 |
US7802039B2 (en) | 2007-07-17 | 2010-09-21 | Nec Electronics Corporation | Memory controller, bus system, integrated circuit, and control method of integrated circuit including controlling flow of data to and from memory |
-
1996
- 1996-03-19 JP JP8062900A patent/JPH09259080A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005222581A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
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KR101120838B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2012-06-27 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 휴대 단말기에 탑재하기 적합한 반도체 기억 장치 |
JP2006190441A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Hynix Semiconductor Inc | 同期式半導体装置用のレイテンシ制御装置及びレイテンシ制御方法 |
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A977 | Report on retrieval |
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A02 | Decision of refusal |
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