JPH09258469A - 電子写真用感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体およびその製造方法Info
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- JPH09258469A JPH09258469A JP8211026A JP21102696A JPH09258469A JP H09258469 A JPH09258469 A JP H09258469A JP 8211026 A JP8211026 A JP 8211026A JP 21102696 A JP21102696 A JP 21102696A JP H09258469 A JPH09258469 A JP H09258469A
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- titanium oxide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性基体の影響を減らすために中間層とし
て厚膜の下引層を用いても、環境、変化に対し電気特性
の変化が少なく、また繰返し使用に対しても帯電特性が
変化せず、しか残留電位が上昇することもない、環境等
の変化や使用状況により画像に不具合を生じない電子写
真感光体を提供する。 【解決手段】 下引層を構成するバインダー樹脂中に酸
化チタン微粒子、酸化ジルコニウム微粒子、酸化アルミ
ニウム微粒子及び酸化セリウム微粒子からなる群から選
ばれた少なくとも１種の金属酸化物微粒子が分散され、
該金属酸化物微粒子の表面に有機ケイ素化合物表面処理
剤が結合されている。該金属酸化物微粒子表面への有機
ケイ素化合物の結合量がＳｉ原子と金属原子の存在比率
を以てＸ線光電子分光法により分析したときに、ピーク
強度比(Si2p/Me2p(MeはTi、Zr又はAl)又はSi2p/Ce3d)が
0.15〜0.6であり、前記下引層のイオン性不純物の含有
量が1ppm以下である。
て厚膜の下引層を用いても、環境、変化に対し電気特性
の変化が少なく、また繰返し使用に対しても帯電特性が
変化せず、しか残留電位が上昇することもない、環境等
の変化や使用状況により画像に不具合を生じない電子写
真感光体を提供する。 【解決手段】 下引層を構成するバインダー樹脂中に酸
化チタン微粒子、酸化ジルコニウム微粒子、酸化アルミ
ニウム微粒子及び酸化セリウム微粒子からなる群から選
ばれた少なくとも１種の金属酸化物微粒子が分散され、
該金属酸化物微粒子の表面に有機ケイ素化合物表面処理
剤が結合されている。該金属酸化物微粒子表面への有機
ケイ素化合物の結合量がＳｉ原子と金属原子の存在比率
を以てＸ線光電子分光法により分析したときに、ピーク
強度比(Si2p/Me2p(MeはTi、Zr又はAl)又はSi2p/Ce3d)が
0.15〜0.6であり、前記下引層のイオン性不純物の含有
量が1ppm以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子写真用感光体お
よびその製造方法に関し、詳しくは、導電性基体上に少
なくとも下引層と感光層とを積層してなる電子写真用感
光体において、該下引層の改良に係る電子写真用感光体
およびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関し、詳しくは、導電性基体上に少
なくとも下引層と感光層とを積層してなる電子写真用感
光体において、該下引層の改良に係る電子写真用感光体
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真技術は高速性、高解像度性の画
像が得られることから複写機、プリンター、ファックス
の分野で広く使用されている。電子写真に用いられる感
光体は、従来セレン、セレン合金、酸化亜鉛、硫化カド
ミウムなどの無機系の光導電材料を使用したものが多か
った。
像が得られることから複写機、プリンター、ファックス
の分野で広く使用されている。電子写真に用いられる感
光体は、従来セレン、セレン合金、酸化亜鉛、硫化カド
ミウムなどの無機系の光導電材料を使用したものが多か
った。
【０００３】最近では、無公害性、成膜性、軽量性など
の利点を活かし、有機系の光導電材料を使用した感光体
の開発が盛んに進められている。中でも電荷発生層及び
電荷移動層を分離した、いわゆる機能分離型積層有機感
光体は各層をそれぞれの機能に最適な材料で形成し、組
合せることにより、感度を大幅に向上させることができ
る。また、希望する露光光の波長に応じた分光感度を設
定できるなど利点が多く、複写機、プリンター、ファッ
クスなどの電子写真装置に使用されている。
の利点を活かし、有機系の光導電材料を使用した感光体
の開発が盛んに進められている。中でも電荷発生層及び
電荷移動層を分離した、いわゆる機能分離型積層有機感
光体は各層をそれぞれの機能に最適な材料で形成し、組
合せることにより、感度を大幅に向上させることができ
る。また、希望する露光光の波長に応じた分光感度を設
定できるなど利点が多く、複写機、プリンター、ファッ
クスなどの電子写真装置に使用されている。
【０００４】現在実用化されている機能分離積層型有機
感光体の多くは導電性基体の上に電荷発生層、電荷移動
層をこの順に積層したものである。この様な感光体は電
荷発生剤をバインダーと共に有機溶媒に分散、溶解した
塗液を塗布、乾燥して、電荷発生層を形成し、引続きそ
の上に電荷移動剤をバインダーと共に有機溶媒に溶解し
た塗液を塗布、乾燥して、電荷移動層を形成して作製さ
れる。基本的には、この様な層構成で画像形成の為の感
光体としての基本性能を発揮させることができる。しか
し、実用的には欠陥のない良好な画像を得ることが重要
であり、しかも繰り返し長時間使用した時にも良好な画
質が維持されることが要求される。その為には、均質で
欠陥のない膜質の感光層を形成すること、感光体の電気
特性が優れていることが要求され、また、長期間使用し
ても膜質、電気特性が悪化せず安定していることが要求
される。
感光体の多くは導電性基体の上に電荷発生層、電荷移動
層をこの順に積層したものである。この様な感光体は電
荷発生剤をバインダーと共に有機溶媒に分散、溶解した
塗液を塗布、乾燥して、電荷発生層を形成し、引続きそ
の上に電荷移動剤をバインダーと共に有機溶媒に溶解し
た塗液を塗布、乾燥して、電荷移動層を形成して作製さ
れる。基本的には、この様な層構成で画像形成の為の感
光体としての基本性能を発揮させることができる。しか
し、実用的には欠陥のない良好な画像を得ることが重要
であり、しかも繰り返し長時間使用した時にも良好な画
質が維持されることが要求される。その為には、均質で
欠陥のない膜質の感光層を形成すること、感光体の電気
特性が優れていることが要求され、また、長期間使用し
ても膜質、電気特性が悪化せず安定していることが要求
される。
【０００５】ところで、電荷発生層は、光を吸収して電
荷キャリアを発生するが、発生した電荷キャリアは再結
合して消滅したり、トラップされたりすることなく速や
かに移動して導電性基体や電荷移動層に注入されること
が必要である。この為に、電荷発生層はできるだけ薄い
膜とすることが望ましく、現在、実用化されている感光
体においては、通常、サブミクロンオーダーの膜厚の電
荷発生層が形成されている。即ち、電荷発生層がこのよ
うな薄膜として形成されるために、導電性基体表面の汚
れ、形状や性状の不均一、粗さはそのまま電荷発生層の
成膜ムラとなって現れ、その結果得られる画像に白抜
け、黒点、濃度ムラなどの画像欠陥が発生するという問
題が生じる。導電性基体としては、一般に、アルミニウ
ム合金の引抜き円筒、またはその表面に切削研磨などを
施して平滑化した円筒が用いられるが、基体の表面粗さ
のばらつき、表面の汚れ、合金成分として含まれている
金属の析出物の量と大きさのばらつきや表面の酸化の度
合いのばらつきによる表面性状のばらつきなどにより、
その表面に形成される電荷発生層に成膜ムラが発生し、
得られる画像の品質に大きな影響を及ぼすことになる。
荷キャリアを発生するが、発生した電荷キャリアは再結
合して消滅したり、トラップされたりすることなく速や
かに移動して導電性基体や電荷移動層に注入されること
が必要である。この為に、電荷発生層はできるだけ薄い
膜とすることが望ましく、現在、実用化されている感光
体においては、通常、サブミクロンオーダーの膜厚の電
荷発生層が形成されている。即ち、電荷発生層がこのよ
うな薄膜として形成されるために、導電性基体表面の汚
れ、形状や性状の不均一、粗さはそのまま電荷発生層の
成膜ムラとなって現れ、その結果得られる画像に白抜
け、黒点、濃度ムラなどの画像欠陥が発生するという問
題が生じる。導電性基体としては、一般に、アルミニウ
ム合金の引抜き円筒、またはその表面に切削研磨などを
施して平滑化した円筒が用いられるが、基体の表面粗さ
のばらつき、表面の汚れ、合金成分として含まれている
金属の析出物の量と大きさのばらつきや表面の酸化の度
合いのばらつきによる表面性状のばらつきなどにより、
その表面に形成される電荷発生層に成膜ムラが発生し、
得られる画像の品質に大きな影響を及ぼすことになる。
【０００６】このような成膜ムラの発生を避けるため
に、また、別途要求される導電性基体から正孔の注入に
よる感光体の電荷保持特性の低下を防ぐブロッキング効
果を得るために、導電性基体の表面に低電気抵抗の樹脂
からなる中間層を設けることが行われてきた。
に、また、別途要求される導電性基体から正孔の注入に
よる感光体の電荷保持特性の低下を防ぐブロッキング効
果を得るために、導電性基体の表面に低電気抵抗の樹脂
からなる中間層を設けることが行われてきた。
【０００７】このような目的で中間層に使用される樹脂
として、以前から溶剤可溶性ポリアミド、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルブチラール、カゼインなどの樹脂
が知られている。これらの樹脂は、先の目的のうち単に
ブロッキング層としての目的のためには極薄い膜、例え
ば、０．１μｍ以下の薄膜でも充分にその機能を果たす
ことができる。しかし、他の目的、即ち、導電性基体の
表面形状、表面性状のばらつき及び表面の汚れを被覆
し、電荷発生層用塗液のぬれの不均一性を改善して成膜
ムラをなくす為には０．５μｍ以上の膜厚が必要であ
り、基体の加工条件、表面の汚染の状態にもよるが、場
合によっては１μｍ以上の膜厚が必要とされる。ところ
が、このような厚膜の樹脂層を、上述のポリビニルアル
コール、溶剤可溶性ポリアミド、カゼインなどで形成す
ると、残留電位の上昇、低温低湿下、高温高湿下の環境
における感光体の電気特性の変動が生じ、画像において
は、低温低湿下で残像（メモリーと称する）、高温高湿
下で微小黒点・微小白点が生じるという問題があった。
これは、これらの樹脂が、吸水性が大きく、しかもその
電気伝導が大部分吸水した水分が解離した水素イオン、
あるいは水酸イオンによるイオン伝導であり、樹脂層の
電気抵抗が樹脂層に含まれる水分により大きく変動する
からである。
として、以前から溶剤可溶性ポリアミド、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルブチラール、カゼインなどの樹脂
が知られている。これらの樹脂は、先の目的のうち単に
ブロッキング層としての目的のためには極薄い膜、例え
ば、０．１μｍ以下の薄膜でも充分にその機能を果たす
ことができる。しかし、他の目的、即ち、導電性基体の
表面形状、表面性状のばらつき及び表面の汚れを被覆
し、電荷発生層用塗液のぬれの不均一性を改善して成膜
ムラをなくす為には０．５μｍ以上の膜厚が必要であ
り、基体の加工条件、表面の汚染の状態にもよるが、場
合によっては１μｍ以上の膜厚が必要とされる。ところ
が、このような厚膜の樹脂層を、上述のポリビニルアル
コール、溶剤可溶性ポリアミド、カゼインなどで形成す
ると、残留電位の上昇、低温低湿下、高温高湿下の環境
における感光体の電気特性の変動が生じ、画像において
は、低温低湿下で残像（メモリーと称する）、高温高湿
下で微小黒点・微小白点が生じるという問題があった。
これは、これらの樹脂が、吸水性が大きく、しかもその
電気伝導が大部分吸水した水分が解離した水素イオン、
あるいは水酸イオンによるイオン伝導であり、樹脂層の
電気抵抗が樹脂層に含まれる水分により大きく変動する
からである。
【０００８】このような膜厚の層としても電気抵抗が低
く、周囲の環境の変化に対しても電気抵抗の変化が少な
くて中間層として好適な材料として、従来から種々の材
料が提案されている。例えば、溶剤可溶性ポリアミド樹
脂については、そのポリアミド樹脂の化学構造を特定す
るものとして特開平２−１９３１５２号公報、特開平３
−２８８１５７号公報、特開平４−３１８７０号公報な
どが知られており、また、ポリアミド樹脂に添加剤を加
えて環境の変化に対する電気抵抗の変化を抑制する効果
を期待するものとして、特公平２−５９４５８号公報、
特開平３−１５０５７２号公報、特開平２−５３０７０
号公報が知られている。また、ポリアミド樹脂と他の樹
脂とを混合して用いて、電気抵抗を調整し、環境の変化
による影響を弱める効果を期待するものとして、特開平
３−１４５６５２号公報、特開平３−８１７７８号公
報、特開平２−２８１２６２号公報などが知られてい
る。
く、周囲の環境の変化に対しても電気抵抗の変化が少な
くて中間層として好適な材料として、従来から種々の材
料が提案されている。例えば、溶剤可溶性ポリアミド樹
脂については、そのポリアミド樹脂の化学構造を特定す
るものとして特開平２−１９３１５２号公報、特開平３
−２８８１５７号公報、特開平４−３１８７０号公報な
どが知られており、また、ポリアミド樹脂に添加剤を加
えて環境の変化に対する電気抵抗の変化を抑制する効果
を期待するものとして、特公平２−５９４５８号公報、
特開平３−１５０５７２号公報、特開平２−５３０７０
号公報が知られている。また、ポリアミド樹脂と他の樹
脂とを混合して用いて、電気抵抗を調整し、環境の変化
による影響を弱める効果を期待するものとして、特開平
３−１４５６５２号公報、特開平３−８１７７８号公
報、特開平２−２８１２６２号公報などが知られてい
る。
【０００９】また、ポリアミド系樹脂以外の材料とし
て、セルロース誘導体を用いる例（特開平２−２３８４
５９号公報）、ポリエーテルウレタンを用いる例（特開
平２−１１５８５８号公報、特開平２−２８０１７０号
公報）、ポリビニルピロリドンを用いる例（特開平２−
１０５３４９号公報）、ポリグリコールエーテルを用い
る例（特開平２−７９８５９号公報）などが知られてお
り、さらにまた、樹脂層中の水分の量が環境の変化に依
存しないようにとの考えから架橋性の樹脂を用いること
も提案され、例えば、メラミン樹脂を用いる例（特開平
４−２２９６６号公報、特公平４−３１５７６号公報、
特公平４−３１５７７号公報）、フェノール樹脂を用い
る例（特開平３−４８２５６号公報）などが知られてい
る。
て、セルロース誘導体を用いる例（特開平２−２３８４
５９号公報）、ポリエーテルウレタンを用いる例（特開
平２−１１５８５８号公報、特開平２−２８０１７０号
公報）、ポリビニルピロリドンを用いる例（特開平２−
１０５３４９号公報）、ポリグリコールエーテルを用い
る例（特開平２−７９８５９号公報）などが知られてお
り、さらにまた、樹脂層中の水分の量が環境の変化に依
存しないようにとの考えから架橋性の樹脂を用いること
も提案され、例えば、メラミン樹脂を用いる例（特開平
４−２２９６６号公報、特公平４−３１５７６号公報、
特公平４−３１５７７号公報）、フェノール樹脂を用い
る例（特開平３−４８２５６号公報）などが知られてい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、中間層に使用
される主材料がポリアミド系樹脂である限り、温湿度の
影響を避けることはできず、また、ポリアミド系樹脂以
外の材料を用いる方法においては、樹脂層が極薄い場合
には有効であるが、数μｍのような比較的厚い膜となる
と感光体の抵抗が高くなり、残留電位上昇の原因とな
る。
される主材料がポリアミド系樹脂である限り、温湿度の
影響を避けることはできず、また、ポリアミド系樹脂以
外の材料を用いる方法においては、樹脂層が極薄い場合
には有効であるが、数μｍのような比較的厚い膜となる
と感光体の抵抗が高くなり、残留電位上昇の原因とな
る。
【００１１】本発明はこの様な実情に鑑み、導電性基体
の影響を減らすために中間層として厚膜の下引層を用い
ても、環境、変化に対し電気特性の変化が少なく、また
繰返し使用に対しても帯電特性が変化せず、しかも残留
電位が上昇することもない、環境等の変化や使用状況に
より画像に不具合を生じない電子写真感光体を提供する
ことを目的とするものである。
の影響を減らすために中間層として厚膜の下引層を用い
ても、環境、変化に対し電気特性の変化が少なく、また
繰返し使用に対しても帯電特性が変化せず、しかも残留
電位が上昇することもない、環境等の変化や使用状況に
より画像に不具合を生じない電子写真感光体を提供する
ことを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、導電性基体上に下引層と感光層とを積層
してなる電子写真用感光体において、前記下引層を構成
するバインダー樹脂中に酸化チタン微粒子、酸化ジルコ
ニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化セリウ
ム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属
酸化物微粒子が分散され、該金属酸化物微粒子が表面に
有機ケイ素化合物表面処理剤が結合されてなり、該金属
酸化物微粒子表面への有機ケイ素化合物の結合量がＳｉ
原子と金属原子の存在比率を以てＸ線光電子分光法（Ｘ
ＰＳ法）により分析したときに、結合エネルギースペク
トルにおいて金属原子の２ｐ電子（Ｍｅ２ｐ）（但し、
ＭｅはＴｉ、Ｚｒ又はＡｌを表す）又は３ｄ電子（Ｃｅ
３ｄ）（金属原子がＣｅの場合である）とＳｉ原子の２
ｐ電子（Ｓｉ２ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｍｅ
２ｐ又はＳｉ２ｐ／Ｃｅ３ｄ）が０．１５〜０．６であ
り、また、前記下引層のイオン性不純物の含有量が１ｐ
ｐｍ以下であることを特徴とするものである。
に、本発明は、導電性基体上に下引層と感光層とを積層
してなる電子写真用感光体において、前記下引層を構成
するバインダー樹脂中に酸化チタン微粒子、酸化ジルコ
ニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化セリウ
ム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属
酸化物微粒子が分散され、該金属酸化物微粒子が表面に
有機ケイ素化合物表面処理剤が結合されてなり、該金属
酸化物微粒子表面への有機ケイ素化合物の結合量がＳｉ
原子と金属原子の存在比率を以てＸ線光電子分光法（Ｘ
ＰＳ法）により分析したときに、結合エネルギースペク
トルにおいて金属原子の２ｐ電子（Ｍｅ２ｐ）（但し、
ＭｅはＴｉ、Ｚｒ又はＡｌを表す）又は３ｄ電子（Ｃｅ
３ｄ）（金属原子がＣｅの場合である）とＳｉ原子の２
ｐ電子（Ｓｉ２ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｍｅ
２ｐ又はＳｉ２ｐ／Ｃｅ３ｄ）が０．１５〜０．６であ
り、また、前記下引層のイオン性不純物の含有量が１ｐ
ｐｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１３】前記有機ケイ素化合物表面処理剤は、好ま
しくはアミノシラン化合物、さらに好ましくはγ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランである。
しくはアミノシラン化合物、さらに好ましくはγ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランである。
【００１４】前記イオン性不純物としては、ナトリウ
ム、カリウム、カルシリウム、塩素、硫酸イオン、亜硫
酸イオンおよびリン酸イオンからなる群から選ばれる少
なくとも１種を挙げることができる。
ム、カリウム、カルシリウム、塩素、硫酸イオン、亜硫
酸イオンおよびリン酸イオンからなる群から選ばれる少
なくとも１種を挙げることができる。
【００１５】前記バインダー樹脂が、好ましくはポリア
ミド樹脂、より好ましくは主成分としてポリアミド分子
中にエーテル結合を有する共重合ポリアミド、あるいは
ポリアミド分子中に、低級アルキル基を有し得る脂肪族
環または複素環を有する共重合ポリアミドである。
ミド樹脂、より好ましくは主成分としてポリアミド分子
中にエーテル結合を有する共重合ポリアミド、あるいは
ポリアミド分子中に、低級アルキル基を有し得る脂肪族
環または複素環を有する共重合ポリアミドである。
【００１６】また、本発明は、前記電子写真用感光体の
製造方法において、表面処理される酸化チタン微粒子、
酸化ジルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び
酸化セリウム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも
１種の金属酸化物微粒子と有機ケイ素化合物表面処理剤
とを混合し、この混合物に気相法による表面処理法を施
してメカノケミカル的に該金属酸化物微粒子の表面に該
有機ケイ素化合物表面処理剤を結合せしめることを特徴
とするものである。
製造方法において、表面処理される酸化チタン微粒子、
酸化ジルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び
酸化セリウム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも
１種の金属酸化物微粒子と有機ケイ素化合物表面処理剤
とを混合し、この混合物に気相法による表面処理法を施
してメカノケミカル的に該金属酸化物微粒子の表面に該
有機ケイ素化合物表面処理剤を結合せしめることを特徴
とするものである。
【００１７】酸化チタン微粒子、酸化ジルコニウム微粒
子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化セリウム微粒子か
らなる群から選ばれた少なくとも１種の金属酸化物微粒
子を含む粉体はその表面特性を改良するため、例えば、
シリコーンオイル、カップリング剤を被覆、吸着する方
法が行われているが、従来から行われている様な表面処
理方法では金属酸化物の粉末を均一に表面処理すること
ができず、未処理の２次凝集粒子の存在を除くことがで
きなかった。
子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化セリウム微粒子か
らなる群から選ばれた少なくとも１種の金属酸化物微粒
子を含む粉体はその表面特性を改良するため、例えば、
シリコーンオイル、カップリング剤を被覆、吸着する方
法が行われているが、従来から行われている様な表面処
理方法では金属酸化物の粉末を均一に表面処理すること
ができず、未処理の２次凝集粒子の存在を除くことがで
きなかった。
【００１８】このため、電子写真用感光体の下引層中に
従来一般に得られていた金属酸化物をフィラーに用いる
と、環境の変化、例えば、高温高湿（３５℃×８５ＲＨ
％）において微小黒点、微小白点が発生するという欠点
があった。
従来一般に得られていた金属酸化物をフィラーに用いる
と、環境の変化、例えば、高温高湿（３５℃×８５ＲＨ
％）において微小黒点、微小白点が発生するという欠点
があった。
【００１９】本発明者らは、かかる問題を解決し得る厚
膜可能な下引層を得るため鋭意検討した結果、微粒子酸
化チタン、微粒子酸化ジルコニウム、微粒子酸化アルミ
ニウム及び微粒子酸化セリウムからなる群から選ばれた
少なくとも１種の微粒子金属酸化物を気相法にて有機ケ
イ素化合物で表面処理して金属酸化物微粒子表面への有
機ケイ素化合物の結合量がＳｉ原子と金属原子の存在比
率で所定範囲内とした金属酸化物微粒子をポリアミドを
バインダー樹脂とした下引層に配合したところ、分散
性、均一性に優れ、得られた電子写真用感光体は高温、
高湿においても微小黒点、微小白点が生じないことを見
出し、前記手段の本発明を完成するに至った。
膜可能な下引層を得るため鋭意検討した結果、微粒子酸
化チタン、微粒子酸化ジルコニウム、微粒子酸化アルミ
ニウム及び微粒子酸化セリウムからなる群から選ばれた
少なくとも１種の微粒子金属酸化物を気相法にて有機ケ
イ素化合物で表面処理して金属酸化物微粒子表面への有
機ケイ素化合物の結合量がＳｉ原子と金属原子の存在比
率で所定範囲内とした金属酸化物微粒子をポリアミドを
バインダー樹脂とした下引層に配合したところ、分散
性、均一性に優れ、得られた電子写真用感光体は高温、
高湿においても微小黒点、微小白点が生じないことを見
出し、前記手段の本発明を完成するに至った。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の方法において用いる気相
法による表面処理とは、従来知られている金属酸化物の
処理法として処理剤の溶液を金属酸化物に添加したり、
処理剤と粉体をボールミル中にて粉砕処理する方法と異
なり、処理剤と粉体とをジェット気流下に衝撃力を加え
処理する方法である。具体的には、特公平６−５９３９
７に述べられている方法であり、この方法に従えば、金
属酸化物の表面は均一に処理され、粒子の造粒、凝集を
生ずることなく均一にバインダー中に分散させるができ
る。
法による表面処理とは、従来知られている金属酸化物の
処理法として処理剤の溶液を金属酸化物に添加したり、
処理剤と粉体をボールミル中にて粉砕処理する方法と異
なり、処理剤と粉体とをジェット気流下に衝撃力を加え
処理する方法である。具体的には、特公平６−５９３９
７に述べられている方法であり、この方法に従えば、金
属酸化物の表面は均一に処理され、粒子の造粒、凝集を
生ずることなく均一にバインダー中に分散させるができ
る。
【００２１】本発明の電子写真用感光体においては、特
に、下引層用のバインダー樹脂としてポリアミド樹脂を
用い、かつ金属酸化物をアミノシランで表面処理したも
のが好ましく、この中でポリアミド樹脂として、イソホ
ロン環を有するポリアミド樹脂、ピペラジン環を有する
ポリアミド樹脂、シクロヘキシル環を有するポリアミド
樹脂、ポリアルキレンエーテルポリアミドを主体とした
ポリアミド樹脂、またはこれらいずれかを架橋させ硬化
させたものが好ましい。
に、下引層用のバインダー樹脂としてポリアミド樹脂を
用い、かつ金属酸化物をアミノシランで表面処理したも
のが好ましく、この中でポリアミド樹脂として、イソホ
ロン環を有するポリアミド樹脂、ピペラジン環を有する
ポリアミド樹脂、シクロヘキシル環を有するポリアミド
樹脂、ポリアルキレンエーテルポリアミドを主体とした
ポリアミド樹脂、またはこれらいずれかを架橋させ硬化
させたものが好ましい。
【００２２】ポリアミド樹脂の架橋剤としては、尿素樹
脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシ樹
脂、イソシアナート及びこれらの混合物、共重合物を使
用することができ、これらの樹脂１００重量部に対する
金属酸化物の量は１０〜５００重量部の範囲で使用する
ことができる。
脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシ樹
脂、イソシアナート及びこれらの混合物、共重合物を使
用することができ、これらの樹脂１００重量部に対する
金属酸化物の量は１０〜５００重量部の範囲で使用する
ことができる。
【００２３】本発明において酸化チタン微粒子、酸化ジ
ルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化セ
リウム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも１種の
金属酸化物微粒子を気相法にて表面処理するために用い
る有機ケイ素化合物表面処理剤として、好ましくはアミ
ノシラン化合物を挙げることができ、具体的にはＮ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェ
ニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランなどのア
ミノシラン化合物等を挙げることができる。
ルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化セ
リウム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも１種の
金属酸化物微粒子を気相法にて表面処理するために用い
る有機ケイ素化合物表面処理剤として、好ましくはアミ
ノシラン化合物を挙げることができ、具体的にはＮ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェ
ニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランなどのア
ミノシラン化合物等を挙げることができる。
【００２４】本発明においては、かかる表面処理剤を、
処理されるべき金属酸化物と共に気相法による表面処理
に供する。具体的に両者をボールミルペンシェルミキサ
ーの様なブレンダーで混合し、引続き、ジェットミルの
様な噴流式空気粉砕機にて粉砕処理しながら、表面処理
を行う。
処理されるべき金属酸化物と共に気相法による表面処理
に供する。具体的に両者をボールミルペンシェルミキサ
ーの様なブレンダーで混合し、引続き、ジェットミルの
様な噴流式空気粉砕機にて粉砕処理しながら、表面処理
を行う。
【００２５】なお、本発明においては有機ケイ素化合物
処理される酸化チタンとしては、アナターゼ型酸化チタ
ンが比較的抵抗が低く、分散安定性が良好であるため、
好ましい。
処理される酸化チタンとしては、アナターゼ型酸化チタ
ンが比較的抵抗が低く、分散安定性が良好であるため、
好ましい。
【００２６】本発明においては、有機ケイ素化合物表面
処理剤の処理量として、酸化チタン微粒子、酸化ジルコ
ニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化セリウ
ム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属
酸化物微粒子に対し０．１〜１０重量％、好ましくは１
〜６重量％用いられる。処理された金属酸化物の表面は
ＸＰＳ法により分析でき、結合エネルギースペクトルに
おいて金属原子の２ｐ電子（Ｍｅ２ｐ）（但し、Ｍｅは
Ｔｉ、Ｚｒ又はＡｌを表す）又は３ｄ電子（Ｃｅ３ｄ）
（金属原子がＣｅの場合である）とＳｉ原子の２ｐ電子
（Ｓｉ２ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｍｅ２ｐ又
はＳｉ２ｐ／Ｃｅ３ｄ）にて規定される。本発明におい
ては、かかる比率が０．１５〜０．６であることが好ま
しい。０．１５より小さいと金属酸化物微粒子の分散性
が悪化して凝集し易くなる。一方、０．６より大きいと
金属酸化物微粒子の有機ケイ素化合物被覆率が過剰とな
り、金属酸化物の電気伝導に対する寄与が低下して下引
層の電気抵抗が大きくなるため、残留電位が上昇したり
画像にメモリーが発生し易くなる。これに対し、前記範
囲内の場合は、上述のポリアミド樹脂に対し特に分散性
が良好であり、かかる金属酸化物を含む下引層は環境の
変化に対しても安定した画質を与えることができる。
処理剤の処理量として、酸化チタン微粒子、酸化ジルコ
ニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化セリウ
ム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属
酸化物微粒子に対し０．１〜１０重量％、好ましくは１
〜６重量％用いられる。処理された金属酸化物の表面は
ＸＰＳ法により分析でき、結合エネルギースペクトルに
おいて金属原子の２ｐ電子（Ｍｅ２ｐ）（但し、Ｍｅは
Ｔｉ、Ｚｒ又はＡｌを表す）又は３ｄ電子（Ｃｅ３ｄ）
（金属原子がＣｅの場合である）とＳｉ原子の２ｐ電子
（Ｓｉ２ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｍｅ２ｐ又
はＳｉ２ｐ／Ｃｅ３ｄ）にて規定される。本発明におい
ては、かかる比率が０．１５〜０．６であることが好ま
しい。０．１５より小さいと金属酸化物微粒子の分散性
が悪化して凝集し易くなる。一方、０．６より大きいと
金属酸化物微粒子の有機ケイ素化合物被覆率が過剰とな
り、金属酸化物の電気伝導に対する寄与が低下して下引
層の電気抵抗が大きくなるため、残留電位が上昇したり
画像にメモリーが発生し易くなる。これに対し、前記範
囲内の場合は、上述のポリアミド樹脂に対し特に分散性
が良好であり、かかる金属酸化物を含む下引層は環境の
変化に対しても安定した画質を与えることができる。
【００２７】また、本発明で使用する酸化チタン、酸化
ジルコニウム、酸化アルミニウム及び酸化セリウムから
なる群から選ばれた少なくとも１種の金属酸化物はイオ
ン性の不純物を含まないことが望ましい。イオン性の不
純物は下引層中に溶出するので、特に高温高湿下で電気
抵抗の低下をもたらし、微小黒点、微小白点の発生原因
となるためである。ところで、金属酸化物は製造工程か
ら、Ｎａ+ 、Ｋ+ 、Ｃａ2+、ＳＯ4 2- 、ＳＯ3 2- 、ＰＯ
4 3- などのイオン性不純物が混入し易い。本発明におい
てはこれらのイオン性不純物の含有量は少なくともそれ
ぞれ１ｐｐｍ以下が好ましい。混入したイオン性不純物
は純水などにより金属酸化物を洗浄処理することで除去
することが可能である。
ジルコニウム、酸化アルミニウム及び酸化セリウムから
なる群から選ばれた少なくとも１種の金属酸化物はイオ
ン性の不純物を含まないことが望ましい。イオン性の不
純物は下引層中に溶出するので、特に高温高湿下で電気
抵抗の低下をもたらし、微小黒点、微小白点の発生原因
となるためである。ところで、金属酸化物は製造工程か
ら、Ｎａ+ 、Ｋ+ 、Ｃａ2+、ＳＯ4 2- 、ＳＯ3 2- 、ＰＯ
4 3- などのイオン性不純物が混入し易い。本発明におい
てはこれらのイオン性不純物の含有量は少なくともそれ
ぞれ１ｐｐｍ以下が好ましい。混入したイオン性不純物
は純水などにより金属酸化物を洗浄処理することで除去
することが可能である。
【００２８】さらに、本発明で使用する金属酸化物微粒
子は、平均粒径が電子写真機器の露光光の波長の１／２
と同程度のサイズのものが含まれていることが好まし
い。この粒径が露光光の波長の１／２に比べて小さいと
下引層が露光光に対して透明となり、入射光と基板から
の反射光が下引層内で光学的干渉を発生するからであ
る。特に、露光光にレーザー光を用いている電子写真機
器ではこれが画像上に干渉縞となって現れる。通常の電
子写真機器では露光光に可視光や半導体レーザー光を用
いているのでこのような干渉を防止するには２００〜６
００ｎｍの粒径の微粒子で光を散乱させる手段をとるこ
とができる。この場合、光を散乱させる微粒子の比率が
小さいと効果が観られないので、全微粒子のうち３０重
量％以上を前記範囲の粒径とすることが望ましい。
子は、平均粒径が電子写真機器の露光光の波長の１／２
と同程度のサイズのものが含まれていることが好まし
い。この粒径が露光光の波長の１／２に比べて小さいと
下引層が露光光に対して透明となり、入射光と基板から
の反射光が下引層内で光学的干渉を発生するからであ
る。特に、露光光にレーザー光を用いている電子写真機
器ではこれが画像上に干渉縞となって現れる。通常の電
子写真機器では露光光に可視光や半導体レーザー光を用
いているのでこのような干渉を防止するには２００〜６
００ｎｍの粒径の微粒子で光を散乱させる手段をとるこ
とができる。この場合、光を散乱させる微粒子の比率が
小さいと効果が観られないので、全微粒子のうち３０重
量％以上を前記範囲の粒径とすることが望ましい。
【００２９】下引層の膜厚は、０．１μｍ〜２０μｍ、
好ましくは０．１μｍ〜１０μｍの範囲で使用されるの
が最も効果的である。次に、この様な下引層の上に感光
層が設けられるが感光層は、積層型及び分散型のいずれ
であってもよいが、積層型の場合に特に本発明の効果が
顕著である。
好ましくは０．１μｍ〜１０μｍの範囲で使用されるの
が最も効果的である。次に、この様な下引層の上に感光
層が設けられるが感光層は、積層型及び分散型のいずれ
であってもよいが、積層型の場合に特に本発明の効果が
顕著である。
【００３０】積層型感光体の場合、その電荷発生層に使
用される電荷発生材料としては、例えばセレニウム及び
その合金、硫化カドミウム、その他の無機系光導電材
料、フタロシアニン顔料、アゾ顔料、キナクリドン顔
料、インジゴ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、ア
ントアントロン顔料、ベンズイミダゾール顔料などの有
機顔料等各種光導電材料が使用でき、これらの微粒子を
例えばポリエステル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、
ポリアクリル酸エステル樹脂、ポリメタクリル酸エステ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセトアセ
タール樹脂、ポリビニルプロピオナール樹脂、ポリビニ
ルブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、セルロースエステル樹脂、セルロースエー
テル樹脂などの各種バインダー樹脂で粘着した形で使用
される。この場合の使用比率はバインダー樹脂１００重
量部に対して３０〜５００重量部の範囲で電荷発生材料
が使用され、その膜厚は通常０．１５μｍ〜０．６μｍ
が好適である。
用される電荷発生材料としては、例えばセレニウム及び
その合金、硫化カドミウム、その他の無機系光導電材
料、フタロシアニン顔料、アゾ顔料、キナクリドン顔
料、インジゴ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、ア
ントアントロン顔料、ベンズイミダゾール顔料などの有
機顔料等各種光導電材料が使用でき、これらの微粒子を
例えばポリエステル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、
ポリアクリル酸エステル樹脂、ポリメタクリル酸エステ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセトアセ
タール樹脂、ポリビニルプロピオナール樹脂、ポリビニ
ルブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、セルロースエステル樹脂、セルロースエー
テル樹脂などの各種バインダー樹脂で粘着した形で使用
される。この場合の使用比率はバインダー樹脂１００重
量部に対して３０〜５００重量部の範囲で電荷発生材料
が使用され、その膜厚は通常０．１５μｍ〜０．６μｍ
が好適である。
【００３１】また、電荷移動層としては、エナミン系化
合物、スチリル系化合物、ヒドラゾン系化合物、アミン
系化合物、ブタジエン系化合物をこれらと相溶性のある
樹脂、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリル酸エステル樹脂、
ポリメタクリル酸エステル樹脂などと共に溶液とし、乾
燥膜厚１０〜４０μｍの厚さで塗布する。電荷移動層は
必要に応じ、酸化防止剤、紫外線吸収剤、レベリング剤
などの各種添加剤を含ませることもできる。
合物、スチリル系化合物、ヒドラゾン系化合物、アミン
系化合物、ブタジエン系化合物をこれらと相溶性のある
樹脂、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリル酸エステル樹脂、
ポリメタクリル酸エステル樹脂などと共に溶液とし、乾
燥膜厚１０〜４０μｍの厚さで塗布する。電荷移動層は
必要に応じ、酸化防止剤、紫外線吸収剤、レベリング剤
などの各種添加剤を含ませることもできる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により詳細
に説明するが、本発明がこれらの実施例により限定され
ないことはいうまでもない。
に説明するが、本発明がこれらの実施例により限定され
ないことはいうまでもない。
【００３３】実施例Ａ１〜Ａ１３，比較例Ａ１〜Ａ１３ 比較例Ａ１ ポリアミド樹脂（アミランＣＭ８０００、東レ（株）
製）のメタノール溶液に酸化チタン微粒子（Ｐ２５、日
本エアロジル（株）製、粒径２５ｎｍ）を、純水で洗浄
処理し充分乾燥させたのち、分散させて得た塗液をアル
ミの円筒状基体の上に浸漬塗工法により塗工し、乾燥す
ることにより、下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μ
ｍであった。
製）のメタノール溶液に酸化チタン微粒子（Ｐ２５、日
本エアロジル（株）製、粒径２５ｎｍ）を、純水で洗浄
処理し充分乾燥させたのち、分散させて得た塗液をアル
ミの円筒状基体の上に浸漬塗工法により塗工し、乾燥す
ることにより、下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μ
ｍであった。
【００３４】この時用いた酸化チタン微粒子のＸＰＳ分
析による結合エネルギースペクトルにおいてＴｉ原子の
２ｐ電子（Ｔｉ２ｐ）とＳｉ原子の２ｐ電子（Ｓｉ２
ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０
３であった。この試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強
度はノイズレベルであり、実質的にピーク強度比（Ｓｉ
２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０とみなせた。また、イオン性不純
物をイオンクロマトグラフィー法により分析すると、い
ずれの不純物も１ｐｐｍ以下であった。ここで、ＸＰＳ
分析は、（株）島津製作所製のＥＳＣＡ−１０００を用
い、Ｘ線源の加速電圧１０ｋＶ、電源２０ｍＡ、ターゲ
ットＭｇ、分析用のＸ線Ｍｇ−Ｋα線の条件にて分析を
行った。
析による結合エネルギースペクトルにおいてＴｉ原子の
２ｐ電子（Ｔｉ２ｐ）とＳｉ原子の２ｐ電子（Ｓｉ２
ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０
３であった。この試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強
度はノイズレベルであり、実質的にピーク強度比（Ｓｉ
２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０とみなせた。また、イオン性不純
物をイオンクロマトグラフィー法により分析すると、い
ずれの不純物も１ｐｐｍ以下であった。ここで、ＸＰＳ
分析は、（株）島津製作所製のＥＳＣＡ−１０００を用
い、Ｘ線源の加速電圧１０ｋＶ、電源２０ｍＡ、ターゲ
ットＭｇ、分析用のＸ線Ｍｇ−Ｋα線の条件にて分析を
行った。
【００３５】次に、Ｘ型無金属フタロシアニンを１重量
部、塩化ビニル共重合樹脂（ＭＲ１１０、日本ゼオン
（株）製）を１重量部およびジクロロメタン１００重量
部に分散、溶解させた塗液を作製し、上記下引層上に塗
工し乾燥することにより、電荷発生層を形成した。乾燥
後の膜厚は０．２μｍであった。
部、塩化ビニル共重合樹脂（ＭＲ１１０、日本ゼオン
（株）製）を１重量部およびジクロロメタン１００重量
部に分散、溶解させた塗液を作製し、上記下引層上に塗
工し乾燥することにより、電荷発生層を形成した。乾燥
後の膜厚は０．２μｍであった。
【００３６】次に、ヒドラゾン化合物ＣＴＣ−１９１
（亜南香料（株）製）１重量部およびポリカーボネート
樹脂（パンライトＬ１２２５、帝人化成（株）製）１重
量部をジクロロメタン１０重量部に溶解し、この溶液を
上記電荷発生層上に塗布し、乾燥することにより、電荷
輸送層を形成した。乾燥後の膜厚は２０μｍであった。
以上のようにして、電子写真用感光体を作製した。
（亜南香料（株）製）１重量部およびポリカーボネート
樹脂（パンライトＬ１２２５、帝人化成（株）製）１重
量部をジクロロメタン１０重量部に溶解し、この溶液を
上記電荷発生層上に塗布し、乾燥することにより、電荷
輸送層を形成した。乾燥後の膜厚は２０μｍであった。
以上のようにして、電子写真用感光体を作製した。
【００３７】実施例Ａ１ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、粒径２５
ｎｍのＰ２５（日本エアロジル（株）製）を１００重量
部の表面にγ−アミノプロピルトリエトキシシランを５
重量部、気相法によりメカノケミカル的に表面処理して
結合させたものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後
用いて、下引層を形成した。下引層以外は比較例１と同
様の方法で電子写真感光体を作製した。この時用いたア
ミノシラン処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結
合エネルギースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子と
Ｓｉ原子の２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ
２ｐ）は０．２５であった。また、イオン性不純物をイ
オンクロマトグラフィー法により分析するといずれの不
純物も１ｐｐｍ以下であった。
ｎｍのＰ２５（日本エアロジル（株）製）を１００重量
部の表面にγ−アミノプロピルトリエトキシシランを５
重量部、気相法によりメカノケミカル的に表面処理して
結合させたものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後
用いて、下引層を形成した。下引層以外は比較例１と同
様の方法で電子写真感光体を作製した。この時用いたア
ミノシラン処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結
合エネルギースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子と
Ｓｉ原子の２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ
２ｐ）は０．２５であった。また、イオン性不純物をイ
オンクロマトグラフィー法により分析するといずれの不
純物も１ｐｐｍ以下であった。
【００３８】実施例Ａ２ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例１と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例１と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００３９】比較例Ａ２ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例１と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例１と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００４０】比較例Ａ３ 平均重合度１３のポリエチレングリコールをシアノエチ
ル化して還元して得られた下記構造、 H2N(CH2)3(OCH2CH2)13O(CH2)3NH2 で表されるジアミンのアジピン酸塩１００重量部とε−
カプロラクタム４２重量部とを共縮重合し、相対粘度
２．２の共重合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析の結
果、次の構造を有することが判った。 −[[CO(CH2)5NH]8-[CO(CH2)4CONH(CH2)3(OCH2CH2)13O(C
H2)3NH]2]n- 尚、ポリアミドの相対粘度は、ポリアミド１ｇを９８％
硫酸１００ｍｌ中に溶解し、２５℃にて測定した。
ル化して還元して得られた下記構造、 H2N(CH2)3(OCH2CH2)13O(CH2)3NH2 で表されるジアミンのアジピン酸塩１００重量部とε−
カプロラクタム４２重量部とを共縮重合し、相対粘度
２．２の共重合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析の結
果、次の構造を有することが判った。 −[[CO(CH2)5NH]8-[CO(CH2)4CONH(CH2)3(OCH2CH2)13O(C
H2)3NH]2]n- 尚、ポリアミドの相対粘度は、ポリアミド１ｇを９８％
硫酸１００ｍｌ中に溶解し、２５℃にて測定した。
【００４１】このポリエーテルポリアミド樹脂のメタノ
ール溶液に酸化チタン微粒子（Ｐ２５、日本エアロジル
（株）製、粒径２５ｎｍ）を、純水で洗浄処理し充分乾
燥させたのち、分散させて得た塗液をアルミの円筒状基
体の上に浸漬塗工法により塗工し乾燥することにより、
下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μｍであった。
ール溶液に酸化チタン微粒子（Ｐ２５、日本エアロジル
（株）製、粒径２５ｎｍ）を、純水で洗浄処理し充分乾
燥させたのち、分散させて得た塗液をアルミの円筒状基
体の上に浸漬塗工法により塗工し乾燥することにより、
下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μｍであった。
【００４２】下引層以外は比較例１と同様の方法で電子
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比（Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０３であった。この
試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベル
であり、実質的にピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）
は０とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマ
トグラフィー法により分析するといずれも１ｐｐｍ以下
であった。
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比（Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０３であった。この
試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベル
であり、実質的にピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）
は０とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマ
トグラフィー法により分析するといずれも１ｐｐｍ以下
であった。
【００４３】実施例Ａ３ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例３と同様の方法で電
子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処
理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギー
スペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２
ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．
２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマト
グラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐ
ｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例３と同様の方法で電
子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処
理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギー
スペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２
ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．
２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマト
グラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐ
ｍ以下であった。
【００４４】実施例Ａ４ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例３と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例３と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００４５】比較例Ａ４ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例３と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例３と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００４６】比較例Ａ５ イソホロンジアミンのアジピン酸塩１００重量部とε−
カプロラクタム１１重量部とを重縮合し、相対粘度２．
０の共重合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析の結果、
次の構造を有することが判った。 このポリアミド樹脂のメタノール溶液に酸化チタン微粒
子（Ｐ２５、日本エアロジル（株）製）を、純水で洗浄
処理し充分乾燥させたのち、分散させて得た塗液をアル
ミの円筒状基体の上に浸漬塗工法により塗工し、乾燥す
ることにより、下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μ
ｍであった。
カプロラクタム１１重量部とを重縮合し、相対粘度２．
０の共重合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析の結果、
次の構造を有することが判った。 このポリアミド樹脂のメタノール溶液に酸化チタン微粒
子（Ｐ２５、日本エアロジル（株）製）を、純水で洗浄
処理し充分乾燥させたのち、分散させて得た塗液をアル
ミの円筒状基体の上に浸漬塗工法により塗工し、乾燥す
ることにより、下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μ
ｍであった。
【００４７】下引層以外は比較例１と同様の方法で電子
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比（Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０３であった。この
試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベル
であり、実質的にピーク強度比Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐは０
とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比（Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０３であった。この
試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベル
であり、実質的にピーク強度比Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐは０
とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
【００４８】実施例Ａ５ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例５と同様の方法で電
子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処
理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギー
スペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２
ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．
２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマト
グラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐ
ｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例５と同様の方法で電
子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処
理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギー
スペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２
ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．
２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマト
グラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐ
ｍ以下であった。
【００４９】実施例Ａ６ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例５と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例５と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００５０】比較例Ａ６ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例５と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例５と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００５１】比較例Ａ７ ２−アミノエチルピペラジンのアジピン酸塩とε−カプ
ロラクタムの混合物を重縮合し、相対粘度２．５の共重
合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析の結果、共重合体
の重量比が１００／１７であることが判った。このポリ
アミド樹脂のメタノール溶液に酸化チタン微粒子（Ｐ２
５、日本エアロジル（株）製）を、純水で洗浄処理し充
分乾燥させたのち、分散させて得た塗液をアルミの円筒
状基体の上に浸漬塗工法により塗工し、乾燥することに
より、下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μｍであっ
た。
ロラクタムの混合物を重縮合し、相対粘度２．５の共重
合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析の結果、共重合体
の重量比が１００／１７であることが判った。このポリ
アミド樹脂のメタノール溶液に酸化チタン微粒子（Ｐ２
５、日本エアロジル（株）製）を、純水で洗浄処理し充
分乾燥させたのち、分散させて得た塗液をアルミの円筒
状基体の上に浸漬塗工法により塗工し、乾燥することに
より、下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μｍであっ
た。
【００５２】下引層以外は比較例１と同様の方法で電子
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比（Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０３であった。この
試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベル
であり、実質的にピーク強度比Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐは０
とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比（Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０３であった。この
試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベル
であり、実質的にピーク強度比Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐは０
とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
【００５３】実施例Ａ７ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例７と同様の方法で電
子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処
理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギー
スペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２
ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．
２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマト
グラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐ
ｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例７と同様の方法で電
子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処
理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギー
スペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２
ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．
２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマト
グラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐ
ｍ以下であった。
【００５４】実施例Ａ８ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例７と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例７と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００５５】比較例Ａ８ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例７と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例７と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００５６】比較例Ａ９ １，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのアジピ
ン酸塩とε−カプロラクタムの混合物を重縮合し、相対
粘度１．８の共重合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析
の結果、共重合体の重量比が１００／２０であることが
判った。このポリアミド樹脂のメタノール溶液に酸化チ
タン微粒子（Ｐ２５、日本エアロジル（株）製）を、純
水で洗浄処理し充分乾燥させたのち、分散させて得た塗
液をアルミの円筒状基体の上に浸漬塗工法により塗工
し、乾燥することにより、下引層を形成した。乾燥後の
膜厚は３μｍであった。
ン酸塩とε−カプロラクタムの混合物を重縮合し、相対
粘度１．８の共重合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析
の結果、共重合体の重量比が１００／２０であることが
判った。このポリアミド樹脂のメタノール溶液に酸化チ
タン微粒子（Ｐ２５、日本エアロジル（株）製）を、純
水で洗浄処理し充分乾燥させたのち、分散させて得た塗
液をアルミの円筒状基体の上に浸漬塗工法により塗工
し、乾燥することにより、下引層を形成した。乾燥後の
膜厚は３μｍであった。
【００５７】下引層以外は比較例１と同様の方法で電子
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比（Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０３であった。この
試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベル
であり、実質的にピーク強度比Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐは０
とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比（Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．０３であった。この
試料のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベル
であり、実質的にピーク強度比Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐは０
とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
【００５８】実施例Ａ９ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例９と同様の方法で電
子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処
理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギー
スペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２
ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．
２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマト
グラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐ
ｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例９と同様の方法で電
子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処
理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギー
スペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２
ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．
２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマト
グラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐ
ｍ以下であった。
【００５９】実施例Ａ１０ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例９と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例９と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００６０】比較例Ａ１０ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例９と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例９と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００６１】比較例Ａ１１ ４，４−ジアミノジヘキシルメタンのアジピン酸塩とε
−カプロラクタムの混合物を重縮合し、相対粘度２．４
の共重合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析の結果、共
重合体の重量比が７０／３０であることが判った。この
ポリアミド樹脂のメタノール溶液に酸化チタン微粒子
（Ｐ２５、日本エアロジル（株）製）を、純水で洗浄処
理し充分乾燥させたのち、分散させて得た塗液をアルミ
の円筒状基体の上に浸漬塗工法により塗工し、乾燥する
ことにより、下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μｍ
であった。
−カプロラクタムの混合物を重縮合し、相対粘度２．４
の共重合ポリアミドを得、ＮＭＲによる分析の結果、共
重合体の重量比が７０／３０であることが判った。この
ポリアミド樹脂のメタノール溶液に酸化チタン微粒子
（Ｐ２５、日本エアロジル（株）製）を、純水で洗浄処
理し充分乾燥させたのち、分散させて得た塗液をアルミ
の円筒状基体の上に浸漬塗工法により塗工し、乾燥する
ことにより、下引層を形成した。乾燥後の膜厚は３μｍ
であった。
【００６２】下引層以外は比較例１と同様の方法で電子
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐは０．０３であった。この試料
のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベルであ
り、実質的にピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０
とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
写真感光体を作製した。この時用いた酸化チタン微粒子
のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルにおいて
Ｔｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピーク強
度比Ｓｉ２Ｐ／Ｔｉ２ｐは０．０３であった。この試料
のＳｉ原子の２ｐ電子のピーク強度はノイズレベルであ
り、実質的にピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０
とみなせた。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
【００６３】実施例Ａ１１ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例１１と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下引
層を形成した。下引層以外は比較例１１と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン
処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギ
ースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の
２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．２５であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００６４】実施例Ａ１２ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例１１と同様の方法
で電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラ
ン処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネル
ギースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子
の２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１０重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例１１と同様の方法
で電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラ
ン処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネル
ギースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子
の２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．４８であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００６５】比較例Ａ１２ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例１１と同様の方法
で電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラ
ン処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネル
ギースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子
の２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを１５重量部、気
相法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させた
ものを、純水で洗浄処理し充分乾燥させた後用いて、下
引層を形成した。下引層以外は比較例１１と同様の方法
で電子写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラ
ン処理酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネル
ギースペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子
の２ｐ電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は
０．６４であった。また、イオン性不純物をイオンクロ
マトグラフィー法により分析するといずれの不純物も１
ｐｐｍ以下であった。
【００６６】比較例Ａ１３ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理をせずそのまま用いて、下引層を
形成した以外は比較例１と同様の方法で電子写真感光体
を作製した。この時用いたアミノシラン処理酸化チタン
微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルに
おいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピ
ーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．２６であっ
た。また、イオン性不純物をイオンクロマトグラフィー
法により分析すると、Ｎａ+ が２ｐｐｍ検出された。そ
の他のイオンはいずれの不純物も１ｐｐｍ以下であっ
た。
（日本エアロジル（株）製）を１００重量部の表面にγ
−アミノプロピルトリエトキシシランを５重量部、気相
法によりメカノケミカル的に表面処理して結合させたも
のを、純水で洗浄処理をせずそのまま用いて、下引層を
形成した以外は比較例１と同様の方法で電子写真感光体
を作製した。この時用いたアミノシラン処理酸化チタン
微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギースペクトルに
おいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ電子とのピ
ーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．２６であっ
た。また、イオン性不純物をイオンクロマトグラフィー
法により分析すると、Ｎａ+ が２ｐｐｍ検出された。そ
の他のイオンはいずれの不純物も１ｐｐｍ以下であっ
た。
【００６７】実施例Ａ１３ 下引層に分散させる酸化チタン微粒子として、Ｐ２５
（日本エアロジル（株）製）を５０重量部及びＴＡＦ−
３００Ｊを５０重量部（富士チタン工業（株）製；粒径
３００ｎｍ）の表面にγ−アミノプロピルトリエトキシ
シランを５重量部、気相法によりメカノケミカル的に表
面処理して結合させたものを、純水で洗浄処理し充分乾
燥させた後用いて、下引層を形成した。
（日本エアロジル（株）製）を５０重量部及びＴＡＦ−
３００Ｊを５０重量部（富士チタン工業（株）製；粒径
３００ｎｍ）の表面にγ−アミノプロピルトリエトキシ
シランを５重量部、気相法によりメカノケミカル的に表
面処理して結合させたものを、純水で洗浄処理し充分乾
燥させた後用いて、下引層を形成した。
【００６８】下引層以外は比較例１と同様の方法で電子
写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処理
酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギース
ペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ
電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．２
５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
写真感光体を作製した。この時用いたアミノシラン処理
酸化チタン微粒子のＸＰＳ分析による結合エネルギース
ペクトルにおいてＴｉ原子の２ｐ電子とＳｉ原子の２ｐ
電子とのピーク強度比（Ｓｉ２ｐ／Ｔｉ２ｐ）は０．２
５であった。また、イオン性不純物をイオンクロマトグ
ラフィー法により分析するといずれの不純物も１ｐｐｍ
以下であった。
【００６９】このようにして得られた電子写真感光体を
市販のレーザービームプリンターに装填して、３５℃湿
度８５％の高温高湿環境中及び５℃湿度３０％の低温低
湿環境中で画像出しを行い、それぞれ微小黒点とメモリ
ーの評価を行った。評価基準は下記の通りである。 ○ 良好 × 問題がある ×× 非常に問題がある
市販のレーザービームプリンターに装填して、３５℃湿
度８５％の高温高湿環境中及び５℃湿度３０％の低温低
湿環境中で画像出しを行い、それぞれ微小黒点とメモリ
ーの評価を行った。評価基準は下記の通りである。 ○ 良好 × 問題がある ×× 非常に問題がある
【００７０】また、２２℃湿度５０％の常温常湿環境で
ハーフトーンパターンの画像出しを行い、画像上に干渉
縞が発生しているか評価した。評価基準は次の通りであ
る。 ○ 干渉縞なし × 干渉縞あり
ハーフトーンパターンの画像出しを行い、画像上に干渉
縞が発生しているか評価した。評価基準は次の通りであ
る。 ○ 干渉縞なし × 干渉縞あり
【００７１】
【表１】
【００７２】実施例Ｂ１〜Ｂ１３，比較例Ｂ１〜Ｂ１３ 実施例Ｂ１〜Ｂ１３及び比較例Ｂ１〜Ｂ１３は、夫々対
応する実施例Ａ１〜Ａ１３及び比較例Ａ１〜Ａ１３にお
いて、酸化チタンを使用している代わりに、酸化ジルコ
ニウム（下記註参照）を使用し、他の原材料、試験の操
作、測定方法及び評価方法は同様にして試験を行い、下
記の表２に示す結果を得た。 〔註〕酸化ジルコニウムは、実施例Ｂ１３以外は試作品
（日本エアロジル（株）製、粒径３０ｎｍ）を使用し、
実施例Ｂ１３では、上記試作品酸化ジルコニウム５０重
量部に他の酸化ジルコニウム（FZ-05、不二見研磨材工
業（株）製、粒径５００ｎｍ）５０重量部を配合して使
用した。
応する実施例Ａ１〜Ａ１３及び比較例Ａ１〜Ａ１３にお
いて、酸化チタンを使用している代わりに、酸化ジルコ
ニウム（下記註参照）を使用し、他の原材料、試験の操
作、測定方法及び評価方法は同様にして試験を行い、下
記の表２に示す結果を得た。 〔註〕酸化ジルコニウムは、実施例Ｂ１３以外は試作品
（日本エアロジル（株）製、粒径３０ｎｍ）を使用し、
実施例Ｂ１３では、上記試作品酸化ジルコニウム５０重
量部に他の酸化ジルコニウム（FZ-05、不二見研磨材工
業（株）製、粒径５００ｎｍ）５０重量部を配合して使
用した。
【００７３】
【表２】
【００７４】実施例Ｃ１〜Ｃ１３，比較例Ｃ１〜Ｃ１３ 実施例Ｃ１〜Ｃ１３及び比較例Ｃ１〜Ｃ１３は、夫々対
応する実施例Ａ１〜Ａ１３及び比較例Ａ１〜Ａ１３にお
いて、酸化チタンを使用している代わりに、酸化アルミ
ニウム（下記註参照）を使用し、他の原材料、試験の操
作、測定方法及び評価方法は同様にして試験を行い、下
記の表３に示す結果を得た。 〔註〕酸化アルミニウムは、実施例Ｃ１３以外はAlumin
ium Oxide C（日本エアロジル（株）製、粒径１３ｎ
ｍ）を使用し、実施例Ｃ１３では、上記AluminiumOxide
Cの酸化アルミニウム５０重量部に他の酸化アルミニウ
ム（FS A-D-20、不二見研磨材工業（株）製、粒径５０
０ｎｍ）５０重量部を配合して使用した。
応する実施例Ａ１〜Ａ１３及び比較例Ａ１〜Ａ１３にお
いて、酸化チタンを使用している代わりに、酸化アルミ
ニウム（下記註参照）を使用し、他の原材料、試験の操
作、測定方法及び評価方法は同様にして試験を行い、下
記の表３に示す結果を得た。 〔註〕酸化アルミニウムは、実施例Ｃ１３以外はAlumin
ium Oxide C（日本エアロジル（株）製、粒径１３ｎ
ｍ）を使用し、実施例Ｃ１３では、上記AluminiumOxide
Cの酸化アルミニウム５０重量部に他の酸化アルミニウ
ム（FS A-D-20、不二見研磨材工業（株）製、粒径５０
０ｎｍ）５０重量部を配合して使用した。
【００７５】
【表３】
【００７６】実施例Ｄ１〜Ｄ１３，比較例Ｄ１〜Ｄ１３ 実施例Ｄ１〜Ｄ１２及び比較例Ｄ１〜Ｄ１３は、夫々対
応する実施例Ａ１〜Ａ１２及び比較例Ａ１〜Ａ１３にお
いて、酸化チタンを使用している代わりに、酸化セリウ
ム（ＦＲ、不二見研磨材工業（株）製、粒径５００ｎ
ｍ）を使用し、他の原材料、試験の操作、測定方法及び
評価方法は同様にして試験を行い、下記の表４に示す結
果を得た。
応する実施例Ａ１〜Ａ１２及び比較例Ａ１〜Ａ１３にお
いて、酸化チタンを使用している代わりに、酸化セリウ
ム（ＦＲ、不二見研磨材工業（株）製、粒径５００ｎ
ｍ）を使用し、他の原材料、試験の操作、測定方法及び
評価方法は同様にして試験を行い、下記の表４に示す結
果を得た。
【００７７】
【表４】
【００７８】
【発明の効果】以上のように本発明に従い、酸化チタン
微粒子、酸化ジルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微
粒子及び酸化セリウム微粒子からなる群から選ばれた少
なくとも１種の金属酸化物微粒子につき、気相法により
有機ケイ素化合物処理した金属酸化物微粒子表面への有
機ケイ素化合物の結合量が金属酸化物微粒子のＸＰＳ分
析による結合エネルギースペクトルにおいて金属原子の
２ｐ電子（Ｍｅ２ｐ）又は、３ｄ電子（Ｃｅ３ｄ）とＳ
ｉ原子の２ｐ電子（Ｓｉ２ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ
２ｐ／Ｍｅ２ｐ又はＳｉ２ｐ／Ｃｅ３ｄ）が０．１５〜
０．６であるものを下引層に分散させ、かつ該下引層の
イオン性不純物の含有量を１ｐｐｍ以下とした電子写真
用感光体は、下引層の分散性が向上し、高温高湿環境で
も微小黒点の発生がなく、低温低湿環境でもメモリーの
発生がない。また、粒径が２００〜６００ｎｍのものを
含むことで干渉縞の発生を抑えることができる。
微粒子、酸化ジルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微
粒子及び酸化セリウム微粒子からなる群から選ばれた少
なくとも１種の金属酸化物微粒子につき、気相法により
有機ケイ素化合物処理した金属酸化物微粒子表面への有
機ケイ素化合物の結合量が金属酸化物微粒子のＸＰＳ分
析による結合エネルギースペクトルにおいて金属原子の
２ｐ電子（Ｍｅ２ｐ）又は、３ｄ電子（Ｃｅ３ｄ）とＳ
ｉ原子の２ｐ電子（Ｓｉ２ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ
２ｐ／Ｍｅ２ｐ又はＳｉ２ｐ／Ｃｅ３ｄ）が０．１５〜
０．６であるものを下引層に分散させ、かつ該下引層の
イオン性不純物の含有量を１ｐｐｍ以下とした電子写真
用感光体は、下引層の分散性が向上し、高温高湿環境で
も微小黒点の発生がなく、低温低湿環境でもメモリーの
発生がない。また、粒径が２００〜６００ｎｍのものを
含むことで干渉縞の発生を抑えることができる。
Claims (9)
- 【請求項１】 導電性基体上に少なくとも下引層と感光
層とを積層してなる電子写真用感光体において、 前記下引層を構成するバインダー樹脂中に酸化チタン微
粒子、酸化ジルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒
子及び酸化セリウム微粒子からなる群から選ばれた少な
くとも１種の金属酸化物微粒子が分散され、該金属酸化
物微粒子の表面に有機ケイ素化合物表面処理剤が結合さ
れてなり、 該金属酸化物微粒子表面への有機ケイ素化合物の結合量
がＳｉ原子と金属原子の存在比率を以てＸ線光電子分光
法（ＸＰＳ法）により分析したときに、結合エネルギー
スペクトルにおいて金属原子の２ｐ電子（Ｍｅ２ｐ）
（但し、ＭｅはＴｉ、Ｚｒ又はＡｌを表す）又は３ｄ電
子（Ｃｅ３ｄ）（金属原子がＣｅの場合である）とＳｉ
原子の２ｐ電子（Ｓｉ２ｐ）とのピーク強度比（Ｓｉ２
ｐ／Ｍｅ２ｐ又はＳｉ２ｐ／Ｃｅ３ｄ）が０．１５〜
０．６であり、 前記下引層のイオン性不純物の含有量が１ｐｐｍ以下で
あることを特徴とする電子写真用感光体。 - 【請求項２】 前記有機ケイ素化合物表面処理剤がアミ
ノシラン化合物である請求項１記載の電子写真用感光
体。 - 【請求項３】 前記アミノシラン化合物がγ−アミノプ
ロピルトリエトキシシランである請求項２記載の電子写
真用感光体。 - 【請求項４】 前記イオン性不純物がナトリウム、カリ
ウム、カルシウム、塩素、硫酸イオン、亜硫酸イオンお
よびリン酸イオンからなる群から選ばれる少なくとも１
種である請求項１〜３のうちいずれか一項記載の電子写
真用感光体。 - 【請求項５】 前記バインダー樹脂がポリアミド樹脂で
ある請求項１〜４のうちいずれか一項記載の電子写真用
感光体。 - 【請求項６】 前記バインダー樹脂が主成分としてポリ
アミド分子中に、エーテル結合を有する共重合ポリアミ
ドである請求項５記載の電子写真用感光体。 - 【請求項７】 前記バインダー樹脂が主成分としてポリ
アミド分子中に、置換基を有し得る脂肪族環または複素
環を有する共重合ポリアミドである請求項５記載の電子
写真用感光体。 - 【請求項８】 前記下引層に分散した酸化チタン微粒
子、酸化ジルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子
及び酸化セリウム微粒子からなる群から選ばれた少なく
とも１種の金属酸化物微粒子のうち粒径が２００〜６０
０ｎｍのものが３０重量％以上含まれている請求項１〜
７のうちいずれか一項記載の電子写真用感光体。 - 【請求項９】 請求項１記載の電子写真用感光体の製造
方法において、表面処理される酸化チタン微粒子、酸化
ジルコニウム微粒子、酸化アルミニウム微粒子及び酸化
セリウム微粒子からなる群から選ばれた少なくとも１種
の金属酸化物微粒子と有機ケイ素化合物表面処理剤とを
混合し、この混合物に気相法による表面処理を施してメ
カノケミカル的に該金属酸化物微粒子の表面に該有機ケ
イ素化合物表面処理剤を結合せしめることを特徴とする
電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08211026A JP3139381B2 (ja) | 1996-01-18 | 1996-08-09 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
| US08/779,454 US5972550A (en) | 1996-01-18 | 1997-01-07 | Electrophotographic photoconductor and method of manufacturing same |
| DE19701183A DE19701183A1 (de) | 1996-01-18 | 1997-01-15 | Elektrofotografischer Fotoleiter und Verfahren zur Herstellung desselben |
| KR1019970001685A KR100496799B1 (ko) | 1996-01-18 | 1997-01-18 | 전자사진용감광체및그제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-23416 | 1996-01-18 | ||
| JP2341696 | 1996-01-18 | ||
| JP08211026A JP3139381B2 (ja) | 1996-01-18 | 1996-08-09 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09258469A true JPH09258469A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3139381B2 JP3139381B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=26360770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08211026A Expired - Fee Related JP3139381B2 (ja) | 1996-01-18 | 1996-08-09 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5972550A (ja) |
| JP (1) | JP3139381B2 (ja) |
| KR (1) | KR100496799B1 (ja) |
| DE (1) | DE19701183A1 (ja) |
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| JP2019090925A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | コニカミノルタ株式会社 | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、電子写真画像形成方法及び電子写真画像形成装置 |
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| US6355390B1 (en) * | 1999-08-06 | 2002-03-12 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, production process thereof, electrophotographic image forming method and apparatus, and process cartridge |
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| JP4456954B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-04-28 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
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| WO2016012925A1 (en) * | 2014-07-20 | 2016-01-28 | Sabic Global Technologies B.V. | Methods for determining low sulfate concentrations in synthetic urea samples, produced in a manufacturing process and containing high levels of impurities |
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| JPH0415657A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5972550A (en) | 1999-10-26 |
| DE19701183A1 (de) | 1997-07-24 |
| KR19980018009A (ko) | 1998-06-05 |
| KR100496799B1 (ko) | 2006-01-12 |
| JP3139381B2 (ja) | 2001-02-26 |
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