JPH09255748A

JPH09255748A - ポリカルボジイミド誘導体の製造方法

Info

Publication number: JPH09255748A
Application number: JP9002603A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Miyoshi; 洋三好; Yasuyuki Takiguchi; 泰之滝口; Takeshi Hachiman; 健八幡; Yasuyoshi Kawamoto; 泰良河本; Akira Hayashida; 章林田
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1996-01-16
Filing date: 1997-01-10
Publication date: 1997-09-30

Abstract

(57)【要約】【課題】耐熱性および機械的特性に優れたポリカルボ
ジイミド誘導体の製造方法を提供する。【解決手段】ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪
素原子を含むアミン化合物とを反応させることを特徴と
するポリカルボジイミド誘導体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反応性官能基であ
るカルボジイミド結合を有する高分子化合物に対して、
特定の化合物を付加させて得られる、耐熱性および機械
的特性に優れた高分子材料の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ジシクロヘキシルカルボジイミド、ジイ
ソプロピルカルボジイミド、ジ−ｐ−トルオイルカルボ
ジイミド等の低分子カルボジイミドは、脱水縮合試薬と
して一般に使用されている反応性の高い試薬であり、エ
ステル合成、ペプチド合成等の分野で利用されている。
一方、複数のカルボジイミド結合を分子中にもつポリカ
ルボジイミドは、一般に適当な溶媒中でカルボジイミド
化触媒の存在下、ジイソシアネートの脱炭酸縮合により
製造される。特に芳香族系のジイソシアネートから得ら
れるものは耐熱性高分子として有用であることが開示さ
れている（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２８、２０６９
（１９６３）、米国特許第２，９４１，９６６号）。

【０００３】カルボジイミド結合は、アルコール類等の
水酸基を有する化合物と反応してイソウレア型付加体を
形成するとされている。しかしながら、カルボジイミド
結合の高い反応性にもかかわらず、この反応には過剰の
試薬、高温、長時間等の反応条件が必要であることが
「Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３４、３７０７（１９６
９）」に報告されており、それに起因して収率も低く、
完全に反応することは難しく、反応の制御も困難であっ
た。

【０００４】一方、カルボジイミド結合は、アミン類等
のアミノ基を有する化合物とは容易かつ簡便に反応して
グアニジン型付加体を形成することが知られている（Ｄ
ｉｅＭａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，６７，１（１９６
３））。しかしながら、これは、ポリカルボジイミド化
合物に対して、１個のアミノ基を有する一般的な炭化水
素を付加する方法であり、機能性材料として幅広くその
有用性が認められている有機珪素化合物の付加について
は知られていない。

【０００５】ポリカルボジイミド化合物の熱架橋に関し
ては、特開平３−２４７５０４号および特開平３−２４
７５０５号によって開示されているように、最終的にガ
ラス状炭素を与えることが知られている。また、ポリカ
ルボジイミドのカルボジイミド結合を三量化して架橋す
る方法に関しては、特開昭６１−２３５４１４号および
特開昭６１−２６８７１４号によって開示されている。
しかしながら、ポリカルボジイミド化合物を分子内に１
個のアミノ基を有する有機珪素化合物と反応させて得ら
れるポリカルボジイミド誘導体について、更に架橋およ
び無機質化する技術に関しては知られていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、カルボジイ
ミド結合を有する高分子化合物等を原料として、様々な
機能および機械的特性をもった誘導体を容易に得ようと
するものである。また、該誘導体に対してさらに処理を
加えることによって、耐熱性や機械的強度に優れる新規
な材料を得ようとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のポ
リカルボジイミド化合物の誘導体を得ることについて鋭
意検討した結果、分子内に珪素原子を含むアミン化合物
の使用が、ポリカルボジイミド化合物の付加反応を速や
かに進行させて架橋体を得ることに対して有効であるこ
とを見いだし、本発明を完成するに至った。すなわち、
請求項１に記載のポリカルボジイミド誘導体の製造方法
は、ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪素原子を含
むアミン化合物とを反応させることを特徴とする。請求
項２に記載のポリカルボジイミド誘導体の製造方法は、
請求項１に記載の製造方法であって、分子内に珪素原子
を含むアミン化合物が一般式

【化６】（Ｒ¹は珪素原子を含む有機基であり、Ｒ²は水素原子
または炭素数１〜６の炭化水素基である。）で示される
ことを特徴とする。

【０００８】請求項３に記載のポリカルボジイミド誘導
体の製造方法は、請求項２に記載の製造方法であって、
Ｒ¹が一般式

【化７】（Ｒ³およびＲ⁴は炭素数１〜２０の有機基であり、ｎ
は１以上の整数である。）で示される構造を含むことを
特徴とする。ここで、ｎは、好ましくは１以上１００以
下、更に好ましくは１以上５０以下の整数である。請求
項４に記載のポリカルボジイミド誘導体の製造方法は、
請求項２に記載の製造方法であって、Ｒ¹が一般式

【化８】（Ｒ⁵およびＲ⁶は炭素数１〜２０の有機基であり、ｎ
は１以上の整数である。）で示される構造を含むことを
特徴とする。ここで、ｎは、好ましくは１以上１００以
下、更に好ましくは１以上５０以下の整数である。

【０００９】請求項５に記載のポリカルボジイミド誘導
体の製造方法は、請求項２に記載の製造方法であって、
Ｒ¹が一般式

【化９】（Ｒ⁷およびＲ⁸は炭素数１〜２０の有機基であり、Ｒ
⁹およびＲ¹⁰は水素原子または炭素数１〜２０の有機基
であり、ｎは１以上の整数である。）で示される構造を
含むことを特徴とする。ここで、ｎは、好ましくは１以
上１００以下、更に好ましくは１以上５０以下の整数で
ある。請求項６に記載のポリカルボジイミド誘導体の製
造方法は、請求項２に記載の製造方法であって、Ｒ¹が
一般式

【化１０】（Ｒ¹¹およびＲ¹²は炭素数１〜２０の有機基であり、Ｒ
¹³は水素原子または炭素数１〜２０の有機基であり、ｎ
は１以上の整数である。）で示される構造を含むことを
特徴とする。ここで、ｎは、好ましくは１以上１００以
下、更に好ましくは１以上５０以下の整数である。

【００１０】請求項７に記載の熱架橋体の製造方法は、
ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪素原子を含むア
ミン化合物とを反応させて得られるグアニジン結合とカ
ルボジイミド結合を有するポリカルボジイミド架橋体
を、５０〜３００℃で加熱することによって、更にカル
ボジイミド結合の自己架橋を促進させることを特徴とす
る。請求項８に記載の架橋体の製造方法は、ポリカルボ
ジイミド化合物と分子内に珪素原子を含むアミン化合物
とを反応させて得られるグアニジン結合とカルボジイミ
ド結合を有するポリカルボジイミド架橋体に、カルボジ
イミド結合の三量化を促進する塩基性物質を添加して反
応させることによって、更にカルボジイミド結合の自己
架橋を促進させることを特徴とする。

【００１１】請求項９に記載の無機質材料の製造方法
は、ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪素原子を含
むアミン化合物とを反応させて得られるグアニジン結合
とカルボジイミド結合を有するポリカルボジイミド架橋
体を、５０〜３００℃で加熱することによって、更にカ
ルボジイミド結合の自己架橋を促進させて得た熱架橋体
を、更に５００〜３０００℃で加熱処理して無機化する
ことを特徴とする。請求項１０に記載の無機質材料の製
造方法は、ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪素原
子を含むアミン化合物とを反応させて得られるグアニジ
ン結合とカルボジイミド結合を有するポリカルボジイミ
ド架橋体に、カルボジイミド結合の三量化を促進する塩
基性物質を添加して反応させることによって、更にカル
ボジイミド結合の自己架橋を促進させて得た架橋体を、
更に５００〜３０００℃で加熱処理して無機化すること
を特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】ポリカルボジイミドは、通常トル
エン、キシレン、デカヒドロナフタレン等の炭化水素系
溶剤中、有機ジイソシアネートの加熱脱炭酸により製造
される。しかし、一般に不溶性の架橋生成物を与えるた
め、引き続く水酸基またはメルカプト基を有する化合物
の付加反応に対して好ましくない。よって、本発明者ら
が開示した特願平７−１４０１４４号の方法のように、
反応温度、反応時間等を制御して分子量を調整する方法
が好ましい。また、特開平２−２９２３１６号や特開平
４−２７９６１８号に開示されているテトラクロロエチ
レン等のハロゲン化脂肪族炭化水素系溶剤や、テトラヒ
ドロフラン等の脂環式エーテル系溶剤を用いる方法は、
安定なポリカルボジイミドの溶液として取得されるの
で、本発明に採用される出発物質として望ましい。本発
明者らが特願平７−１４０１４５号に開示したハロゲン
化芳香族炭化水素系溶剤や芳香族カルボン酸エステル系
溶剤も同様の理由により出発物質として採用される。

【００１３】上記有機ジイソシアネートの具体例として
は、ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイ
ソシアネート、トリレンジイソシアネート、メチレンビ
ス（４−フェニルイソシアネート）、ナフチレンジイソ
シアネート等が挙げられる。本発明で用いられるポリカ
ルボジイミド化合物は、上記のポリカルボジイミドの製
造方法によって得られるものに限定されるものではな
く、他の方法によって得られる溶液状態の複数のカルボ
ジイミド結合を有する化合物全てが使用可能である。一
般に使用し得るポリカルボジイミドとしては、分子内に
カルボジイミド結合を２個以上有するものであり、好ま
しくは５個以上有するものがよく、高分子としての一般
的な特性を引き出すために、より好ましくは分子量が５
０００以上のものがよい。

【００１４】ポリカルボジイミドに、分子内に珪素原子
を含むアミン化合物を付加する場合には、ポリカルボジ
イミドをクロロベンゼン、テトラクロロエチレン等の適
当な溶媒に溶解した状態で、分子内に珪素原子を含むア
ミン化合物をそのままかあるいは同様の溶媒に溶解した
状態で添加すればよい。付加反応は、室温程度でも短時
間で反応し、しかも添加した分子内に珪素原子を含むア
ミン化合物はほぼ定量的に反応する。分子内に珪素原子
を含むアミン化合物としては、例えば、３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメト
キシシラン、３−アミノプロピルジエトキシメチルシラ
ン等の分子内にＳｉ−Ｏ鎖を有するアミン類や、３−ア
ミノプロピル−２，２，２−トリエトキシジメチルジシ
ラン、３−アミノプロピル−２，２，２−トリメトキシ
ジメチルジシラン、３−アミノエチル−２，２，２−ト
リエトキシジメチルジシラン等の分子内にＳｉ−Ｓｉ鎖
を有するアミン類や、３−アミノプロピルトリエチルシ
ラン、３−アミノプロピルトリメチルシラン、３−アミ
ノプロピルジメチルエトキシシラン等の分子内にＳｉ−
Ｃ鎖を有するアミン類や、ビス（エチルアミノ）ジメチ
ルシラン、ビス（エチルアミノ）ジエチルシラン、ビス
（エチルアミノ）エチルメチルシラン等の分子内にＳｉ
−Ｎ鎖を有するアミン類が挙げられる。

【００１５】珪素原子を含むアミン化合物をポリカルボ
ジイミドに付加する場合は、全てのカルボジイミド結合
に対して付加させることも可能であり、グアニジン型の
結合が形成される。珪素原子を含むアミン化合物の添加
量としては、成型加工時に問題が生じない程度までの量
が可能である。すなわち、溶液状態で成型加工する場合
は、ゲルや沈澱物が析出しない程度、粉末状で成型加工
する場合はポリマーが溶融しかつ溶融粘度が高過ぎない
程度までである。つまり、少なくともアミノ基が定量的
にポリカルボジイミド化合物中のカルボジイミド結合に
対して反応することの可能な量である、ポリカルボジイ
ミド化合物中のカルボジイミド結合に対して当量比が
１．０以下、好ましくは０．１〜１．０の任意の価で可
能である。

【００１６】また、最終的に優れた特性を有する材料と
して架橋体を得るには、ポリカルボジイミド化合物中の
カルボジイミド結合に対して当量比が０．００１以上の
価が必要である。また、珪素原子を含むアミン化合物の
量を制御することにより、グアニジン結合とカルボジイ
ミド結合の割合を任意の割合で容易に制御することがで
きる。したがって、反応させずに残しておいたカルボジ
イミド結合をその後の様々な反応に利用することも可能
である。また、数種類の異なった珪素原子を含むアミン
化合物を導入することも容易に可能である。

【００１７】反応させずに残しておいたカルボジイミド
結合は、加熱処理あるいは三量化するなどして架橋する
ことによって、より機械的強度および耐熱性の高い高分
子材料を得ることができる。カルボジイミド結合をもつ
ポリマーを加熱する場合は、５０℃以上３００℃以下、
好ましくは１００℃以上２６０℃以下の温度に加熱すれ
ばよい。５０℃未満では、自己架橋が進まず、３００℃
を超えると有機基の脱離が起こり、強度特性の劣化を引
き起こす。この際、真空中あるいは窒素、アルゴン等の
非酸化性雰囲気下で行うことが好ましいが、３００℃以
下であれば空気中での加熱も可能である。

【００１８】カルボジイミド結合の触媒による架橋は、
１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン、１，４
−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジ
アザビシクロ［５．４．０］ウンデセン等の塩基性物質
の添加による三量化反応によっても可能である。塩基性
物質の添加量は、成型加工の際に支障のないような架橋
速度が得られる程度の触媒量でよく、カルボジイミド結
合に対し０．１〜１０モル％の添加でよい。また、温度
も室温（−１０〜３０℃）で可能であるが、より反応を
短時間で行うには２００℃以下、好ましくは１００℃以
下での加熱が効果的である。これらのカルボジイミド結
合の架橋により、高機能性を持ちつつ、機械的強度およ
び耐熱性に優れた高分子材料を得ることができる。

【００１９】上記の高分子材料を、真空中あるいは窒
素、アルゴン等の非酸化性雰囲気下で一般にいわゆるガ
ラス状炭素の製造に用いられているような５００℃から
３０００℃程度までの加熱処理を行うことによって、高
耐熱性無機質材料を得ることができる。この場合、付加
する水酸基またはメルカプト基を有する化合物の種類と
量を選択することにより、様々な性質をもった新規な高
耐熱性無機質材料の製造が可能となる。

【００２０】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に
説明するが、これらにより本発明を制限するものではな
い。合成例１原料ポリカルボジイミドの合成市販の２，４−トリレンジイソシアネートを１６．２
ｇ、フェニルイソシアネートを０．２７ｇ、３−メチル
−１−フェニル−３−ホスホレン−１−オキシドを３
６．０ｍｇ、反応溶媒としてクロロベンゼンを１５０ｍ
ｌ加え、窒素雰囲気下で攪拌しながら１２０℃で３時間
加熱することによりポリカルボジイミドを得た。

【００２１】実施例１ポリカルボジイミドと３−アミノプロピルトリエトキシ
シランの反応合成例１の方法で得られたポリカルボジイミド０．４１
ｇ（カルボジイミド結合：３．１ｍｍｏｌ）を溶解した
クロロベンゼン５ｍｌの溶液に、３−アミノプロピルト
リエトキシシラン１．０３ｇ（カルボジイミド結合に対
してアミノ基１００モル％相当）を溶解したクロロベン
ゼン１５ｍｌを加え、室温で１時間攪拌した。反応液の
ＩＲスペクトルの測定により、カルボジイミド結合に由
来した２１４０ｃｍ^-1の吸収がほぼ消失し、グアニジン
型の結合に由来した３３９５ｃｍ^-1に新規の吸収が現
れ、更に１６３６ｃｍ^-1の吸収が増加したことによりグ
アニジン型の反応進行が確認できた。これにより、ポリ
カルボジイミド化合物と分子内に珪素原子を含むアミン
化合物の反応の存在が示された。

【００２２】実施例２ポリカルボジイミドと３−アミノプロピルトリエトキシ
シランの反応合成例１の方法で得られたポリカルボジイミド０．４１
ｇ（カルボジイミド結合：３．１ｍｍｏｌ）を溶解した
クロロベンゼン５ｍｌの溶液に、３−アミノプロピルト
リエトキシシラン０．５１５ｇ（カルボジイミド結合に
対してアミノ基５０モル％相当）を溶解したクロロベン
ゼン１５ｍｌを加え、室温で１時間攪拌した。反応液の
ＩＲスペクトルの測定により、カルボジイミド結合に由
来した２１３８ｃｍ^-1の吸収が減少し、グアニジン型の
結合に由来した３３９８ｃｍ^-1に新規の吸収が現れ、更
に１６３６ｃｍ^-1の吸収が増加したことにより、グアニ
ジン型の反応進行が確認できた。

【００２３】実施例３ポリカルボジイミドと３−アミノプロピルトリエトキシ
シランの反応合成例１の方法で得られたポリカルボジイミド０．４１
ｇ（カルボジイミド結合：３．１ｍｍｏｌ）を溶解した
クロロベンゼン５ｍｌの溶液に、３−アミノプロピルト
リエトキシシラン０．１０３ｇ（カルボジイミド結合に
対してアミノ基１０モル％相当）を溶解したクロロベン
ゼン１５ｍｌを加え、室温で１時間攪拌した。反応液の
ＩＲスペクトルの測定により、カルボジイミド結合の２
１４０ｃｍ^-1の吸収の他に、グアニジン型の結合に由来
した３４００ｃｍ^-1に新規の吸収が現れ、更に１６３７
ｃｍ^-1の吸収が増加したことにより、グアニジン型の反
応進行が確認できた。

【００２４】実施例４ポリカルボジイミドと３−アミノプロピル−２，２，２
−トリエトキシジメチルジシランの反応合成例１の方法で得られたポリカルボジイミド０．４１
ｇ（カルボジイミド結合：３．１ｍｍｏｌ）を溶解した
クロロベンゼン５ｍｌの溶液に、３−アミノプロピル−
２，２，２−トリエトキシジメチルジシラン０．８６５
ｇ（カルボジイミド結合に対してアミノ基１００モル％
相当）を溶解したクロロベンゼン１５ｍｌを加え、室温
で１時間攪拌した。反応液のＩＲスペクトルの測定によ
り、カルボジイミド結合に由来した２１４０ｃｍ^-1の吸
収がほぼ消失し、グアニジン型の結合に由来した３３９
５ｃｍ^-1に新規の吸収が現れ、更に１６３６ｃｍ^-1の吸
収が増加したことにより、グアニジン型の反応進行が確
認できた。

【００２５】実施例５ポリカルボジイミドと３−アミノプロピルトリエチルシ
ランの反応合成例１の方法で得られたポリカルボジイミド０．４１
ｇ（カルボジイミド結合：３．１ｍｍｏｌ）を溶解した
クロロベンゼン５ｍｌの溶液に、３−アミノプロピルト
リエチルシラン０．４９９ｇ（カルボジイミド結合に対
してアミノ基１００モル％相当）を溶解したクロロベン
ゼン１５ｍｌを加え、室温で１時間攪拌した。反応液の
ＩＲスペクトルの測定により、カルボジイミド結合に由
来した２１４０ｃｍ^-1の吸収がほぼ消失し、グアニジン
型の結合に由来した３３９５ｃｍ^-1に新規の吸収が現わ
れ、更に１６３６ｃｍ^-1の吸収が増加したことにより、
グアニジン型の反応進行が確認できた。

【００２６】実施例６ポリカルボジイミドと３−アミノプロピルシロキサンの
反応合成例１の方法で得られたポリカルボジイミド０．４１
ｇ（カルボジイミド結合：３．１ｍｍｏｌ）を溶解した
クロロベンゼン５ｍｌの溶液に、一般式

【化１１】で示される平均組成式の３−アミノプロピルシロキサン
２．４７ｇ（カルボジイミド結合に対してアミノ基１０
０モル％相当）を溶解したクロロベンゼン１５ｍｌを加
え、室温で１時間攪拌した。反応液のＩＲスペクトルの
測定により、カルボジイミド結合に由来した２１４０ｃ
ｍ^-1の吸収がほぼ消失し、グアニジン型の結合に由来し
た３３９５ｃｍ^-1に新規の吸収が現われ、更に１６３６
ｃｍ^-1の吸収が増加したことにより、グアニジン型の反
応進行が確認できた。

【００２７】実施例７グアニジン結合とカルボジイミド結合とを有するポリマ
ーの熱架橋実施例３の方法で得られたポリカルボジイミド誘導体の
クロロベンゼン溶液をガラス板上にキャストした。これ
を風乾、さらに真空乾燥により溶媒を除去し、ポリカル
ボジイミド架橋のフィルムを得た。このフィルムを真空
中、１８５℃で５分間加熱処理することにより、厚さ４
８μｍのフィルムを得た。得られたフィルムの引張強度
を測定したところ、未処理のフィルムは２４ｋｇｆ／ｃ
ｍ²、加熱処理後のフィルムは各々２８０ｋｇｆ／ｃｍ
²であり、加熱処理による架橋により大幅に強度が向上
した。

【００２８】実施例８グアニジン結合とカルボジイミド結合とを有するポリマ
ーの塩基性物質による架橋実施例３の方法で得られたポリカルボジイミド誘導体の
クロロベンゼン溶液に、１，８−ジアザビシクロ［５．
４．０］ウンデセンをカルボジイミド結合に対して１モ
ル％加えた後、ガラス板上にキャストした。これを風
乾、真空乾燥、さらに８０℃で１時間加熱することによ
り、イソウレア結合とカルボジイミド結合を有するポリ
マーをカルボジイミド結合の三量化反応により架橋した
厚さ５２μｍのフィルムを得た。得られたフィルムの引
張強度を測定したところ、未処理のフィルムは２４ｋｇ
ｆ／ｃｍ²、塩基性物質を添加して架橋したフィルムは
２２０ｋｇｆ／ｃｍ²であり、架橋により大幅に強度が
向上した。

【００２９】実施例９架橋ポリマーの無機化実施例６の方法で得られたグアニジン結合とカルボジイ
ミド結合とを有するポリマーの熱架橋フィルムを、真空
中、２５０℃で５時間加熱した。次に２５０℃から３０
０℃までを１５分、３００℃から５００℃までを６０
分、５００℃から１０００℃までを９０分の速度で段階
的に昇温し、最終的に１０００℃で３０分間維持し、厚
さ８０μｍの無機質フィルムを得た。この無機質フィル
ムをＳＥＭで表面観察したところ、表面は極めて平滑で
あり、気泡等の欠陥もほとんど観察されなかった。引張
強度は７５０ｋｇｆ／ｃｍ²であり、強靭な無機質フィ
ルムであった。

【００３０】

【発明の効果】ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪
素原子を含むアミン化合物とを反応させることによっ
て、ポリカルボジイミド化合物の誘導体を容易に得るこ
とができる。また、分子内に珪素原子を含むアミン化合
物の添加量を調節するだけで、任意にグアニジン結合と
カルボジイミド結合の割合を制御できるので、グアニジ
ン結合とカルボジイミド結合とを有するポリマーも容易
に取得可能である。

【００３１】さらに、カルボジイミド結合と分子内に珪
素原子を含むアミン化合物の反応性を利用することによ
り、様々な機能性、例えばゴム弾性、光応答性等をもつ
化合物を容易に高分子中に導入することができるので、
高機能材料の製造の分野でも幅広く応用できる。これら
の高機能材料は、例えば、半導体封止材料や高密度光記
録材料等の分野で用いることができる。さらに、該付加
体に残存するカルボジイミド結合を更に架橋することに
より、機械的強度、熱的性質等に優れた新規な機能材料
を得ることができる。これらの新規な機能材料は、例え
ば耐熱性絶縁材料や液晶配向材料等の分野で用いること
ができる。さらにはそれらを加熱、焼成することによ
り、高耐熱性、強靭性を有する無機質材料を得ることが
できる。これらの無機質材料は、ハードディスク基板、
電池電極材料等の分野で用いることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者八幡健神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号信越化学工業株式会社コーポレートリサーチセンター内 (72)発明者河本泰良神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号信越化学工業株式会社コーポレートリサーチセンター内 (72)発明者林田章神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号信越化学工業株式会社コーポレートリサーチセンター内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪
素原子を含むアミン化合物とを反応させることを特徴と
するポリカルボジイミド誘導体の製造方法。
【請求項２】分子内に珪素原子を含むアミン化合物が
一般式【化１】（Ｒ¹は珪素原子を含む有機基であり、Ｒ²は水素原子
または炭素数１〜６の炭化水素基である。）で示される
ことを特徴とする請求項１に記載のポリカルボジイミド
誘導体の製造方法。
【請求項３】Ｒ¹が一般式【化２】（Ｒ³およびＲ⁴はＣ１〜Ｃ２０の有機基であり、ｎは
１以上の整数である。）で示される構造を含むことを特
徴とする請求項２に記載のポリカルボジイミド誘導体の
製造方法。
【請求項４】Ｒ¹が一般式【化３】（Ｒ⁵およびＲ⁶は炭素数１〜２０の有機基であり、ｎ
は１以上の整数である。）で示される構造を含むことを
特徴とする請求項２に記載のポリカルボジイミド誘導体
の製造方法。
【請求項５】Ｒ¹が一般式【化４】（Ｒ⁷およびＲ⁸は炭素数１〜２０の有機基であり、Ｒ
⁹およびＲ¹⁰は水素原子または炭素数１〜２０の有機基
であり、ｎは１以上の整数である。）で示される構造を
含むことを特徴とする請求項２に記載のポリカルボジイ
ミド誘導体の製造方法。
【請求項６】Ｒ¹が一般式【化５】（Ｒ¹¹およびＲ¹²は炭素数１〜２０の有機基であり、Ｒ
¹³は水素原子または炭素数１〜２０の有機基であり、ｎ
は１以上の整数である。）で示される構造を含むことを
特徴とする請求項２に記載のポリカルボジイミド誘導体
の製造方法。
【請求項７】ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪
素原子を含むアミン化合物とを反応させて得られるグア
ニジン結合とカルボジイミド結合を有するポリカルボジ
イミド架橋体を、５０〜３００℃で加熱することによっ
て、更にカルボジイミド結合の自己架橋を促進させるこ
とを特徴とする熱架橋体の製造方法。
【請求項８】ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪
素原子を含むアミン化合物とを反応させて得られるグア
ニジン結合とカルボジイミド結合を有するポリカルボジ
イミド架橋体に、カルボジイミド結合の三量化を促進す
る塩基性物質を添加して反応させることによって、更に
カルボジイミド結合の自己架橋を促進させることを特徴
とする架橋体の製造方法。
【請求項９】ポリカルボジイミド化合物と分子内に珪
素原子を含むアミン化合物とを反応させて得られるグア
ニジン結合とカルボジイミド結合を有するポリカルボジ
イミド架橋体を、５０〜３００℃で加熱することによっ
て、更にカルボジイミド結合の自己架橋を促進させて得
た熱架橋体を、更に５００〜３０００℃で加熱処理して
無機化することを特徴とする無機質材料の製造方法。
【請求項１０】ポリカルボジイミド化合物と分子内に
珪素原子を含むアミン化合物とを反応させて得られるグ
アニジン結合とカルボジイミド結合を有するポリカルボ
ジイミド架橋体に、カルボジイミド結合の三量化を促進
する塩基性物質を添加して反応させることによって、更
にカルボジイミド結合の自己架橋を促進させて得た架橋
体を、更に５００〜３０００℃で加熱処理して無機化す
ることを特徴とする無機質材料の製造方法。