JPH09255333A - 酸化物超電導複合体及びその作製方法 - Google Patents
酸化物超電導複合体及びその作製方法Info
- Publication number
- JPH09255333A JPH09255333A JP8065596A JP6559696A JPH09255333A JP H09255333 A JPH09255333 A JP H09255333A JP 8065596 A JP8065596 A JP 8065596A JP 6559696 A JP6559696 A JP 6559696A JP H09255333 A JPH09255333 A JP H09255333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- magnetic field
- bulk body
- current density
- superconducting bulk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/203—Permanent superconducting devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/775—High tc, above 30 k, superconducting material
- Y10S505/776—Containing transition metal oxide with rare earth or alkaline earth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強い磁場を発生することが可能な技術を提供
する。 【解決手段】 ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素
を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁
場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク体か
らなる酸化物超電導複合体である。また、ＲＥ-Ｂａ-Ｃ
ｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体
内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種
類以上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体で
あって、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有
する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい
臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成したもので
ある。
する。 【解決手段】 ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素
を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁
場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク体か
らなる酸化物超電導複合体である。また、ＲＥ-Ｂａ-Ｃ
ｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体
内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種
類以上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体で
あって、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有
する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい
臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成したもので
ある。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-
Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内の
ピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以
上の超電導バルク体（高温超電導バルク体）からなる酸
化物超電導複合体及びその作製方法に関し、特に、酸化
物超電導複合体を用いた磁気浮上装置、磁気シールド、
超電導マグネットなどに適用して有効な技術に関するも
のである。
Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内の
ピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以
上の超電導バルク体（高温超電導バルク体）からなる酸
化物超電導複合体及びその作製方法に関し、特に、酸化
物超電導複合体を用いた磁気浮上装置、磁気シールド、
超電導マグネットなどに適用して有効な技術に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】臨界温度が液体窒素温度を超える超電導
体の発見によって、全世界的に超電導応用が検討されて
いる。なかでも、Ｙ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導体
を代表するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは欠損量）（Ｙ１２
３）系材料の作製方法として、ＭＴＧ(Ｍelt-Ｔxture-
Ｇrowth process)法、ＭＰＭＧ(Ｍelt-Ｐowder-Ｔxture
-Ｇrowth process)法(“Melt processed high-temperat
ure superconductors" World Scientific,Editor.Masat
o Murakami、特開平５−２７９０３２号公報、特開平５
−２７９０３４号公報、特公平７−５１４６３号公報等
参照)、ＲＥ１２３の作製方法として、ＯＣＭＧ(Ｏxyge
n Ｃontrolled-Ｍelt-Ｇrowth process)法(応用物理、
第64巻、第4号、1995、368-371、特開平７−１８７６７
１号公報、特開平７−２３２９１７号公報等参照)など
が知られている。
体の発見によって、全世界的に超電導応用が検討されて
いる。なかでも、Ｙ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導体
を代表するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは欠損量）（Ｙ１２
３）系材料の作製方法として、ＭＴＧ(Ｍelt-Ｔxture-
Ｇrowth process)法、ＭＰＭＧ(Ｍelt-Ｐowder-Ｔxture
-Ｇrowth process)法(“Melt processed high-temperat
ure superconductors" World Scientific,Editor.Masat
o Murakami、特開平５−２７９０３２号公報、特開平５
−２７９０３４号公報、特公平７−５１４６３号公報等
参照)、ＲＥ１２３の作製方法として、ＯＣＭＧ(Ｏxyge
n Ｃontrolled-Ｍelt-Ｇrowth process)法(応用物理、
第64巻、第4号、1995、368-371、特開平７−１８７６７
１号公報、特開平７−２３２９１７号公報等参照)など
が知られている。
【０００３】また、溶融法でＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥ
は希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニン
グセンタに磁場を捕捉する酸化物超電導バルク体を用い
た超電導磁石が特開平７−１１１２１３号公報に開示さ
れている。
は希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニン
グセンタに磁場を捕捉する酸化物超電導バルク体を用い
た超電導磁石が特開平７−１１１２１３号公報に開示さ
れている。
【０００４】一般に行われている溶融法で、これら超電
導体を作製すると、希土類元素のイオン半径が大きいた
め、Ｂａサイトと容易に置換し、臨界温度が大きく低下
してしまうという問題があった。例えば、H.Uwe et a
l.：Physica C vol.153-155(1988)P.930-931に関連技術
が記載されている。
導体を作製すると、希土類元素のイオン半径が大きいた
め、Ｂａサイトと容易に置換し、臨界温度が大きく低下
してしまうという問題があった。例えば、H.Uwe et a
l.：Physica C vol.153-155(1988)P.930-931に関連技術
が記載されている。
【０００５】また、ＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ＲＥはＹ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｄｒ、δは欠損量）（ＲＥ１２３）系超電
導体において、２１１相を微細分散させることにより、
高い臨界電流が達成されているが、２１１相によるピン
止め効果には限界が有り、他のピン止め点の可能性を追
及する研究も進められている。
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｄｒ、δは欠損量）（ＲＥ１２３）系超電
導体において、２１１相を微細分散させることにより、
高い臨界電流が達成されているが、２１１相によるピン
止め効果には限界が有り、他のピン止め点の可能性を追
及する研究も進められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００７】例えば、図９に示すようなＹ１２３又はＮ
ｄ１２３系の単一の酸化物超電導バルク体では、そのＪ
ｃ−Ｂ特性は図１０に示すようなグラフとなり、酸化物
超電導バルク体内の臨界電流分布は図１１又は図１２に
示すような分布となる。そのために、酸化物超電導バル
ク体内の捕捉磁場分布は図１３又は図１４に示すような
分布となり、強い磁場が得られないという問題があっ
た。
ｄ１２３系の単一の酸化物超電導バルク体では、そのＪ
ｃ−Ｂ特性は図１０に示すようなグラフとなり、酸化物
超電導バルク体内の臨界電流分布は図１１又は図１２に
示すような分布となる。そのために、酸化物超電導バル
ク体内の捕捉磁場分布は図１３又は図１４に示すような
分布となり、強い磁場が得られないという問題があっ
た。
【０００８】本発明の目的は、強い磁場を発生すること
が可能な技術を提供することにある。
が可能な技術を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ
（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピ
ンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上
の高温超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体を提
供することにある。
（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピ
ンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上
の高温超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体を提
供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、その周辺部は低磁場
で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成
し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電
導バルク体で構成した酸化物超電導複合体を提供するこ
とにある。
で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成
し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電
導バルク体で構成した酸化物超電導複合体を提供するこ
とにある。
【００１１】本発明の他の目的は、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ
（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピ
ンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上
の高温超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体を作
製する方法を提供することにある。
（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピ
ンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上
の高温超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体を作
製する方法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、強い磁場を発生する
超電導マグネットを提供することにある。
超電導マグネットを提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、強い磁場を発生する
超電導コイル装置を提供することにある。
超電導コイル装置を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、強い磁場をシールド
することが可能な技術を提供することにある。
することが可能な技術を提供することにある。
【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願によって開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００１７】（１）ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類
元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタ
に磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク
体からなることを特徴とする酸化物超電導複合体。
元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタ
に磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク
体からなることを特徴とする酸化物超電導複合体。
【００１８】（２）ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類
元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタ
に磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク
体からなる酸化物超電導複合体であって、その周辺部は
低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で
構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する
超電導バルク体で構成したものである。
元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタ
に磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク
体からなる酸化物超電導複合体であって、その周辺部は
低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で
構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する
超電導バルク体で構成したものである。
【００１９】（３）前記（２）の酸化物超電導複合体に
おいて、前記周辺部の低磁場で大きな臨界電流密度を有
する超電導バルク体としてＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の超電導
バルク体を用い、中心部の高磁場で大きい臨界電流密度
を有する超電導バルク体として溶融法で作製したＮｄ-
Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体を用いたもので
ある。
おいて、前記周辺部の低磁場で大きな臨界電流密度を有
する超電導バルク体としてＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の超電導
バルク体を用い、中心部の高磁場で大きい臨界電流密度
を有する超電導バルク体として溶融法で作製したＮｄ-
Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体を用いたもので
ある。
【００２０】（４）前記（２）乃至（３）のいずれか１
つの酸化物超電導複合体と、該酸化物超電導複合体を励
磁する手段とを具備する酸化物超電導磁石である。
つの酸化物超電導複合体と、該酸化物超電導複合体を励
磁する手段とを具備する酸化物超電導磁石である。
【００２１】（５）Ｎｄ系超電導バルク体及びＹ系超電
導バルク体をそれぞれ所定の形状に切り出し、それらを
組み合わせて積層する酸化物超電導複合体の作製方法で
ある。
導バルク体をそれぞれ所定の形状に切り出し、それらを
組み合わせて積層する酸化物超電導複合体の作製方法で
ある。
【００２２】（６）Ｎｄ系超電導バルク体から所定の形
状に切り出した物を結晶生成核として周囲にＹ系超電導
体を結晶成長させ、その後に外形を整形する酸化物超電
導複合体の作製方法である。
状に切り出した物を結晶生成核として周囲にＹ系超電導
体を結晶成長させ、その後に外形を整形する酸化物超電
導複合体の作製方法である。
【００２３】（７）ドウナツ状の低抵抗金属板の中心部
に、高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク
体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵抗金属
を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込み、その
外円周部に低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導
バルク体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵
抗金属を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込ん
だドウナツ状の低抵抗金属板を構成し、このリングが埋
め込まれたドウナツ状の低抵抗金属板を複数枚軸方向に
積み重ねて構成したものである。
に、高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク
体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵抗金属
を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込み、その
外円周部に低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導
バルク体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵
抗金属を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込ん
だドウナツ状の低抵抗金属板を構成し、このリングが埋
め込まれたドウナツ状の低抵抗金属板を複数枚軸方向に
積み重ねて構成したものである。
【００２４】（８）前記（７）の超電導コイル装置にお
いて、前記ドウナツ状の低抵抗金属板は銅（Ｃｕ）板か
らなり、高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バ
ルク体はＮｄ１２３のバルク体からなり、低磁場で大き
な臨界電流密度を有する超電導バルク体はＹ１２３のバ
ルク体からなる。
いて、前記ドウナツ状の低抵抗金属板は銅（Ｃｕ）板か
らなり、高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バ
ルク体はＮｄ１２３のバルク体からなり、低磁場で大き
な臨界電流密度を有する超電導バルク体はＹ１２３のバ
ルク体からなる。
【００２５】前記述の手段によれば、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-
Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内の
ピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以
上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体であっ
て、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する
超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界
電流密度を有する超電導バルク体で構成したので、超電
導バルク体の周辺部及び中央部に大きな臨界電流を流す
ことができる。
Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内の
ピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以
上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体であっ
て、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する
超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界
電流密度を有する超電導バルク体で構成したので、超電
導バルク体の周辺部及び中央部に大きな臨界電流を流す
ことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてその実施形
態（実施例）を図面を参照して詳細に説明する。
態（実施例）を図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】（実施形態１）図１は本発明の実施形態１
の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図、図２は本実
施形態１の酸化物超電導複合体内部（ＨＢ１２３：ＨＹ
ＢＲＩＤ１２３）の臨界電流密度分布を示すグラフ、図
３は本実施形態１の酸化物超電導複合体の捕捉磁場分布
を示すグラフである。図１において、１はＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-δ（δは欠損量）（以下、Ｙ１２３と称する）、２
はＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは欠損量）（以下、Ｎｄ１
２３と称する）である。図２，図３中のＨＢ１２３は本
実施形態１の酸化物超電導複合体を表わす。
の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図、図２は本実
施形態１の酸化物超電導複合体内部（ＨＢ１２３：ＨＹ
ＢＲＩＤ１２３）の臨界電流密度分布を示すグラフ、図
３は本実施形態１の酸化物超電導複合体の捕捉磁場分布
を示すグラフである。図１において、１はＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-δ（δは欠損量）（以下、Ｙ１２３と称する）、２
はＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは欠損量）（以下、Ｎｄ１
２３と称する）である。図２，図３中のＨＢ１２３は本
実施形態１の酸化物超電導複合体を表わす。
【００２８】本実施形態１の酸化物超電導複合体は、Ｙ
１２３のバルク体の磁石は、臨界電流が周辺部に集中
し、Ｎｄ１２３バルク体の磁石は、臨界電流が中央部に
集中するため、この二つのバルク体を組み合わせて周辺
部と中央部の両方に臨界電流が流れるように改良したも
のであり、図１に示すように、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒ
Ｅは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニ
ングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類の超電導
バルク体からなる酸化物超電導複合体ＨＢ１２３であっ
て、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する
Ｙ１２３の超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で
大きい臨界電流密度を有するＮｄ１２３の超電導バルク
体で構成したものである。
１２３のバルク体の磁石は、臨界電流が周辺部に集中
し、Ｎｄ１２３バルク体の磁石は、臨界電流が中央部に
集中するため、この二つのバルク体を組み合わせて周辺
部と中央部の両方に臨界電流が流れるように改良したも
のであり、図１に示すように、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒ
Ｅは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニ
ングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類の超電導
バルク体からなる酸化物超電導複合体ＨＢ１２３であっ
て、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する
Ｙ１２３の超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で
大きい臨界電流密度を有するＮｄ１２３の超電導バルク
体で構成したものである。
【００２９】本実施形態１の酸化物超電導複合体は、ま
ず、前記Ｙ１２３の超電導バルク体及びＮｄ１２３の酸
化物超電導バルク体を作製し、そのバルク体から所定の
形状に切り出し、それらを組み合わせて構成する。
ず、前記Ｙ１２３の超電導バルク体及びＮｄ１２３の酸
化物超電導バルク体を作製し、そのバルク体から所定の
形状に切り出し、それらを組み合わせて構成する。
【００３０】このように構成することにより、強い磁場
を得ることができた。シミュレーションによる本実施形
態１の酸化物超電導複合体内の臨界電流密度分布を図２
に示す。これに対して、Ｙ１２３のみのバルク体内の臨
界電流密度分布は図１１に示すようになり、Ｎｄ１２３
のみのバルク体内の臨界電流密度分布は図１２に示すよ
うになった。
を得ることができた。シミュレーションによる本実施形
態１の酸化物超電導複合体内の臨界電流密度分布を図２
に示す。これに対して、Ｙ１２３のみのバルク体内の臨
界電流密度分布は図１１に示すようになり、Ｎｄ１２３
のみのバルク体内の臨界電流密度分布は図１２に示すよ
うになった。
【００３１】また、酸化物超電導バルク体の表面から１
２ｃｍ離れたところに発生する磁場の最大値はＹ１２３
のみの酸化物超電導バルク体で最大０.２３Ｔ（図１
３）、Ｎｄ１２３のみの酸化物超電導バルク体で最大
０.２７Ｔ（図１４）であったのに対し、本実施形態１
の酸化物超電導複合体においては最大０.３８Ｔ（図
３）であった。このように、本実施形態１の酸化物超電
導複合体によれば、捕捉磁場が大幅に向上していること
がわかる。
２ｃｍ離れたところに発生する磁場の最大値はＹ１２３
のみの酸化物超電導バルク体で最大０.２３Ｔ（図１
３）、Ｎｄ１２３のみの酸化物超電導バルク体で最大
０.２７Ｔ（図１４）であったのに対し、本実施形態１
の酸化物超電導複合体においては最大０.３８Ｔ（図
３）であった。このように、本実施形態１の酸化物超電
導複合体によれば、捕捉磁場が大幅に向上していること
がわかる。
【００３２】本実施形態１では、前記周辺部の低磁場で
大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体として、例
えば、Ｙ１２３の超電導バルク体を用い、中心部の高磁
場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体として
溶融法で作製したＮｄ１２３の酸化物超電導バルク体を
用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。
大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体として、例
えば、Ｙ１２３の超電導バルク体を用い、中心部の高磁
場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体として
溶融法で作製したＮｄ１２３の酸化物超電導バルク体を
用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３３】次に、前記本実施形態１の酸化物超電導複
合体の他の作製方法について説明する。
合体の他の作製方法について説明する。
【００３４】Ｎｄ１２３の酸化物超電導バルク体は、公
知のＯＣＭＧ法を用いて、元原料の混合→仮焼→溶融→
急冷→粉砕・混合→成型→半溶融→徐冷の処理手順で作
製する。前記徐冷処理においては酸素制御を行う。
知のＯＣＭＧ法を用いて、元原料の混合→仮焼→溶融→
急冷→粉砕・混合→成型→半溶融→徐冷の処理手順で作
製する。前記徐冷処理においては酸素制御を行う。
【００３５】Ｙ１２３の超電導バルク体は、公知のＭＰ
ＭＧ法を用いて、元原料の混合→仮焼→溶融→急冷→粉
砕・混合（融点を下げるため銀を添加）→成型→半溶融
→徐冷→アニールの処理手順で作製する。
ＭＧ法を用いて、元原料の混合→仮焼→溶融→急冷→粉
砕・混合（融点を下げるため銀を添加）→成型→半溶融
→徐冷→アニールの処理手順で作製する。
【００３６】この作製方法は、まず、特開平７−１８７
６７１号公報に記載されているＯＣＭＧ法に基づき、Ｎ
ｄ１２３のバルク体を作製する。すなわち、Ｎｄ2Ｏ3、
ＢａＣＯ3、ＣｕＯ粉末をＮｄ：Ｂａ：Ｃｕの比が所定
の割合、例えば１：２：３となるように混合する。これ
を９００℃で２４時間仮焼し、白金るつぼ中に入れ、１
４００℃で２０分加熱溶融後、銅製のハンマーで挟んで
急冷された板を粉砕し、１６０×１６０×２０ｍｍ3に
成型する。
６７１号公報に記載されているＯＣＭＧ法に基づき、Ｎ
ｄ１２３のバルク体を作製する。すなわち、Ｎｄ2Ｏ3、
ＢａＣＯ3、ＣｕＯ粉末をＮｄ：Ｂａ：Ｃｕの比が所定
の割合、例えば１：２：３となるように混合する。これ
を９００℃で２４時間仮焼し、白金るつぼ中に入れ、１
４００℃で２０分加熱溶融後、銅製のハンマーで挟んで
急冷された板を粉砕し、１６０×１６０×２０ｍｍ3に
成型する。
【００３７】この成型体を１１２０℃で２０分加熱後、
１０８０℃まで２０分で冷却し、その後９５０℃まで１
℃／時（ｈ）の速度で徐冷する。この際、前記成型体は
０.０１気圧の酸素分圧下で熱処理を行う。なお、Ｎｄ
１２３相の生成温度は０.０１気圧の酸素分圧下で約１
０６０℃である。
１０８０℃まで２０分で冷却し、その後９５０℃まで１
℃／時（ｈ）の速度で徐冷する。この際、前記成型体は
０.０１気圧の酸素分圧下で熱処理を行う。なお、Ｎｄ
１２３相の生成温度は０.０１気圧の酸素分圧下で約１
０６０℃である。
【００３８】次に、特願平３−６８６２７号公報、特開
平５−２７９０３２号公報等に記載されるＭＰＭＧ法に
基づき、前記作製したＮｄ１２３のバルク体の周囲にＹ
１２３のバルク体を結晶成長させ、最後に全体をアニー
ルする。
平５−２７９０３２号公報等に記載されるＭＰＭＧ法に
基づき、前記作製したＮｄ１２３のバルク体の周囲にＹ
１２３のバルク体を結晶成長させ、最後に全体をアニー
ルする。
【００３９】すなわち、Ｙ2Ｏ3、ＢａＣＯ3、ＣｕＯ粉
末をＹ：Ｂａ：Ｃｕの比が１.８：２.４：３.４となる
ようにそれぞれ混合する。これを９００℃で２４時間仮
焼し、白金るつぼ中に入れ、１４００℃で２０分加熱溶
融後、銅製のハンマーで挟んで急冷された板を粉砕した
後、Ａｇ2Ｏ粉を粉砕粉に対して１０重量％添加し、さ
らに十分混合する。
末をＹ：Ｂａ：Ｃｕの比が１.８：２.４：３.４となる
ようにそれぞれ混合する。これを９００℃で２４時間仮
焼し、白金るつぼ中に入れ、１４００℃で２０分加熱溶
融後、銅製のハンマーで挟んで急冷された板を粉砕した
後、Ａｇ2Ｏ粉を粉砕粉に対して１０重量％添加し、さ
らに十分混合する。
【００４０】それを前記作製したＮｄ１２３のバルク体
の周囲に配置して、全体で２００×２００×２０ｍｍ3
の形状になるように成型する。さらに１０４０℃で３０
分間加熱し、９８０℃まで１０分間で冷却する。その後
９００℃まで１℃／ｈの割合で徐冷し、その後炉冷す
る。
の周囲に配置して、全体で２００×２００×２０ｍｍ3
の形状になるように成型する。さらに１０４０℃で３０
分間加熱し、９８０℃まで１０分間で冷却する。その後
９００℃まで１℃／ｈの割合で徐冷し、その後炉冷す
る。
【００４１】最後に１気圧の酸素気流中で５００℃〜６
００℃で所定の時間加熱後炉冷することによって酸化物
超電導複合体を作製する。
００℃で所定の時間加熱後炉冷することによって酸化物
超電導複合体を作製する。
【００４２】なお、前記Ｙ１２３相の生成温度は、本
来、大気中で約１０００℃であるが、Ａｇを添加するこ
とにより、融点が４０℃程度低下（１０００℃→９６０
℃）している。一方Ｎｄ１２３相の生成温度は大気中で
１０９０℃であり、この熱処理では変化しない。
来、大気中で約１０００℃であるが、Ａｇを添加するこ
とにより、融点が４０℃程度低下（１０００℃→９６０
℃）している。一方Ｎｄ１２３相の生成温度は大気中で
１０９０℃であり、この熱処理では変化しない。
【００４３】（実施形態２）図４は本発明の実施形態２
の酸化物超電導複合体を説明するための、３種類の超電
導体Ｎｄ１２３、Ｓｍ１２３、Ｙ１２３の臨界電流密度
の磁場依存性を示すグラフであり、図５は本発明の実施
形態２の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図であ
る。図５において、１はＹ１２３、２はＮｄ１２３、３
はＳｍ１２３である。なお、図４と前述の図１０は同じ
酸化物超電導体のＪｃ−Ｂ特性を示すグラフであるが、
その作製条件によって、少し異なっている。
の酸化物超電導複合体を説明するための、３種類の超電
導体Ｎｄ１２３、Ｓｍ１２３、Ｙ１２３の臨界電流密度
の磁場依存性を示すグラフであり、図５は本発明の実施
形態２の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図であ
る。図５において、１はＹ１２３、２はＮｄ１２３、３
はＳｍ１２３である。なお、図４と前述の図１０は同じ
酸化物超電導体のＪｃ−Ｂ特性を示すグラフであるが、
その作製条件によって、少し異なっている。
【００４４】本発明の実施形態２の酸化物超電導複合体
は、図５に示すように、高磁場がかかる領域（超電導複
合体の中心部）にＮｄ１２３を、その中間磁場がかかる
領域にＳｍ１２３を、低い磁場の複合体外縁部にＹ１２
３を配置したものである。このように構成することによ
り、本発明の応用範囲を拡大することができる。
は、図５に示すように、高磁場がかかる領域（超電導複
合体の中心部）にＮｄ１２３を、その中間磁場がかかる
領域にＳｍ１２３を、低い磁場の複合体外縁部にＹ１２
３を配置したものである。このように構成することによ
り、本発明の応用範囲を拡大することができる。
【００４５】（実施形態３）図６は本発明の実施形態３
の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図であり、１は
Ｙ１２３、２はＮｄ１２３である。
の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図であり、１は
Ｙ１２３、２はＮｄ１２３である。
【００４６】本発明の実施形態３の酸化物超電導複合体
は、図６に示すように、高磁場がかかる領域（超電導複
合体の中心部）にＮｄ１２３を配置し、Ｎｄ１２３の低
い磁場の領域となる両表面部にＹ１２３を配置し、Ｎｄ
１２３をＹ１２３でサンドイッチ状に挟持したものであ
る。このように構成することにより、本発明の応用範囲
を拡大することができる。
は、図６に示すように、高磁場がかかる領域（超電導複
合体の中心部）にＮｄ１２３を配置し、Ｎｄ１２３の低
い磁場の領域となる両表面部にＹ１２３を配置し、Ｎｄ
１２３をＹ１２３でサンドイッチ状に挟持したものであ
る。このように構成することにより、本発明の応用範囲
を拡大することができる。
【００４７】（実施形態４）本発明の実施形態４は、前
記実施形態１又は２の酸化物超電導複合体を超電導マグ
ネットに適用した実施例である。
記実施形態１又は２の酸化物超電導複合体を超電導マグ
ネットに適用した実施例である。
【００４８】すなわち、前記実施形態１又は２の酸化物
超電導複合体を、その超電導バルク体の超電導状態に転
移する温度（臨界温度）以上の状態で超電導磁石、電磁
コイル装置等の磁場発生装置によって印加された磁場中
に置く。この磁場中で酸化物超電導複合体のバルク体を
液体窒素あるいは縮凍機等の冷却手段で臨界温度以下ま
で冷却する。その後、周囲の印加磁場を消磁する。これ
により磁場を酸化物超電導複合体内のピン止め点に捕捉
し、強磁場の超電導マグネットが実現できる。
超電導複合体を、その超電導バルク体の超電導状態に転
移する温度（臨界温度）以上の状態で超電導磁石、電磁
コイル装置等の磁場発生装置によって印加された磁場中
に置く。この磁場中で酸化物超電導複合体のバルク体を
液体窒素あるいは縮凍機等の冷却手段で臨界温度以下ま
で冷却する。その後、周囲の印加磁場を消磁する。これ
により磁場を酸化物超電導複合体内のピン止め点に捕捉
し、強磁場の超電導マグネットが実現できる。
【００４９】（実施形態５）本発明の実施形態５は、前
記実施形態３と同様に実施形態１又は２の酸化物超電導
複合体を超電導マグネットに適用した他の実施例であ
る。
記実施形態３と同様に実施形態１又は２の酸化物超電導
複合体を超電導マグネットに適用した他の実施例であ
る。
【００５０】すなわち、前記実施形態１又は２の酸化物
超電導複合体のバルク体を、あらかじめ液体窒素あるい
は冷凍機等の冷却手段で臨界温度以下まで冷却してお
き、その後、磁場発生装置によって前記酸化物超電導複
合体のバルク体を置いている空間に、瞬間的（パルス
的）に酸化物超電導複合体のバルク体が着磁する磁場よ
り強い磁場させる。これにより、磁場を酸化物超電導複
合体のバルク体内のピン止め点に捕捉し、強磁場の超電
導マグネットが実現できる。
超電導複合体のバルク体を、あらかじめ液体窒素あるい
は冷凍機等の冷却手段で臨界温度以下まで冷却してお
き、その後、磁場発生装置によって前記酸化物超電導複
合体のバルク体を置いている空間に、瞬間的（パルス
的）に酸化物超電導複合体のバルク体が着磁する磁場よ
り強い磁場させる。これにより、磁場を酸化物超電導複
合体のバルク体内のピン止め点に捕捉し、強磁場の超電
導マグネットが実現できる。
【００５１】（実施形態６）図７は本発明の実施形態６
の超電導コイル装置の外観構成を示す斜視図であり、図
８は図７のＡ−Ａ線で切った断面図である。図７及び図
８において、１１はＹ１２３のバルク体からなるリン
グ、１２はＮｄ１２３のバルク体からなるリング、１３
はドウナツ状の銅（Ｃｕ）板、１４は空胴である。
の超電導コイル装置の外観構成を示す斜視図であり、図
８は図７のＡ−Ａ線で切った断面図である。図７及び図
８において、１１はＹ１２３のバルク体からなるリン
グ、１２はＮｄ１２３のバルク体からなるリング、１３
はドウナツ状の銅（Ｃｕ）板、１４は空胴である。
【００５２】本実施形態６の超電導コイル装置は、図７
及び図８に示すように、ドウナツ状の銅板の中心部に
は、Ｎｄ１２３のバルク体からなるリング１２を、外円
周部にはＹ１２３のバルク体からなるリング１１をそれ
ぞれ所定の間隔をおいて円周方向に複数個埋め込んだド
ウナツ状の銅板を作製する。このリング１１及び１２が
埋め込まれたドウナツ状の銅板を複数枚軸方向に積み重
ねて構成したものである。
及び図８に示すように、ドウナツ状の銅板の中心部に
は、Ｎｄ１２３のバルク体からなるリング１２を、外円
周部にはＹ１２３のバルク体からなるリング１１をそれ
ぞれ所定の間隔をおいて円周方向に複数個埋め込んだド
ウナツ状の銅板を作製する。このリング１１及び１２が
埋め込まれたドウナツ状の銅板を複数枚軸方向に積み重
ねて構成したものである。
【００５３】また、ドウナツ状の銅板にリング状の溝を
複数個設け、この溝の中にＹ１２３及びＮｄ１２３のバ
ルク体を埋め込んだ構成にし、このＹ１２３及びＮｄ１
２３のバルク体を配置した各銅板を積層してもよい。な
お、前記実施形態（実施例）では、ＲＥとして、Ｙ，Ｎ
ｄを用いたが、他の希土類元素であってもよいことはも
ちろんである。
複数個設け、この溝の中にＹ１２３及びＮｄ１２３のバ
ルク体を埋め込んだ構成にし、このＹ１２３及びＮｄ１
２３のバルク体を配置した各銅板を積層してもよい。な
お、前記実施形態（実施例）では、ＲＥとして、Ｙ，Ｎ
ｄを用いたが、他の希土類元素であってもよいことはも
ちろんである。
【００５４】本実施形態６の超電導コイル装置の着磁方
法は、前述した実施形態４もしくは実施形態５の超電導
マグネットと同様にして行う。
法は、前述した実施形態４もしくは実施形態５の超電導
マグネットと同様にして行う。
【００５５】このように構成することにより、例えば、
計測装置等に使用される強い均一磁場を容易に得ること
ができる。
計測装置等に使用される強い均一磁場を容易に得ること
ができる。
【００５６】以上の説明からわかるように、本発明の酸
化物超電導複合体は、例えば、磁気浮上式列車の車載超
電導磁石、磁気浮上搬送機、超電導磁気浮上式カタパル
ト、高層建築物用超電導エレベータ、超電導電磁推進船
用磁石、超電導モータ、超電導発電機、磁気分離装置、
磁気ベアリング、電力貯蔵用フライホイール、粒子加速
器用磁石、医療用ＮＭＲ−ＣＴの磁石等に適用できるこ
とは勿論である。
化物超電導複合体は、例えば、磁気浮上式列車の車載超
電導磁石、磁気浮上搬送機、超電導磁気浮上式カタパル
ト、高層建築物用超電導エレベータ、超電導電磁推進船
用磁石、超電導モータ、超電導発電機、磁気分離装置、
磁気ベアリング、電力貯蔵用フライホイール、粒子加速
器用磁石、医療用ＮＭＲ−ＣＴの磁石等に適用できるこ
とは勿論である。
【００５７】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
【００５８】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００５９】（１）その周辺部は低磁場で大きな臨界電
流密度を有する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁
場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成
するので、強い磁場を発生することができる。
流密度を有する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁
場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成
するので、強い磁場を発生することができる。
【００６０】（２）強い磁場をシールドすることができ
る。
る。
【００６１】（３）強い磁場を発生する超電導マグネッ
トが実現できる。
トが実現できる。
【００６２】（４）強い磁場を発生する円筒状超電導コ
イル装置が実現できるので、その円筒内に強い均一磁場
を発生させることができる。
イル装置が実現できるので、その円筒内に強い均一磁場
を発生させることができる。
【図１】本発明の実施形態１の酸化物超電導複合体の構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態１の酸化物超電導複合体内部（ＨＢ
１２３）の臨界電流密度分布を示すグラフである。
１２３）の臨界電流密度分布を示すグラフである。
【図３】本実施形態１の酸化物超電導複合体の捕捉磁場
分布を示すグラフである。
分布を示すグラフである。
【図４】本発明の実施形態２の酸化物超電導複合体を説
明するための、３種類の超電導体Ｎｄ１２３、Ｓｍ１２
３、Ｙ１２３の臨界電流密度の磁場依存性を示すグラフ
である。
明するための、３種類の超電導体Ｎｄ１２３、Ｓｍ１２
３、Ｙ１２３の臨界電流密度の磁場依存性を示すグラフ
である。
【図５】本発明の実施形態２の酸化物超電導複合体の構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施形態３の酸化物超電導複合体の構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施形態６の超電導コイル装置の外観
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線で切った断面図である。
【図９】従来の酸化物超電導複合体のバルク体の問題点
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１０】従来の酸化物超電導体のＪｃ-Ｂ特性を示す
グラフである。
グラフである。
【図１１】Ｙ１２３のみのバルク体内部の臨界電流密度
分布を示すグラフである。
分布を示すグラフである。
【図１２】Ｎｄ１２３のみのバルク体内部の臨界電流密
度分布を示すグラフである。
度分布を示すグラフである。
【図１３】Ｙ１２３のみのバルク体の捕捉磁場分布を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１４】Ｎｄ１２３のみのバルク体の捕捉磁場分布を
示すグラフである。
示すグラフである。
１…Ｙ１２３、２…Ｎｄ１２３、ＨＢ１２３…本発明の
酸化物超電導複合体、３…Ｓｍ１２３、１１…Ｙ１２３
のバルク体からなるリング、１２…Ｎｄ１２３のバルク
体からなるリング、１３…ドウナツ状の銅（Ｃｕ）板、
１４…空胴。
酸化物超電導複合体、３…Ｓｍ１２３、１１…Ｙ１２３
のバルク体からなるリング、１２…Ｎｄ１２３のバルク
体からなるリング、１３…ドウナツ状の銅（Ｃｕ）板、
１４…空胴。
フロントページの続き (72)発明者 坂井 直道 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 劉 相任 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 藤本 浩之 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 村上 雅人 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素
を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁
場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク体か
らなることを特徴とする酸化物超電導複合体。 - 【請求項２】 ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素
を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁
場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク体か
らなる酸化物超電導複合体であって、その周辺部は低磁
場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成
し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電
導バルク体で構成したことを特徴とする酸化物超電導複
合体。 - 【請求項３】 請求項２に記載される酸化物超電導複合
体において、前記周辺部の低磁場で大きな臨界電流密度
を有する超電導バルク体としてＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の超
電導バルク体を用い、中心部の高磁場で大きい臨界電流
密度を有する超電導バルク体として溶融法で作製したＮ
ｄ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体を用いたこ
とを特徴とする酸化物超電導複合体。 - 【請求項４】 請求項２乃至３のいずれか１項に記載さ
れる酸化物超電導複合体と、該酸化物超電導複合体を励
磁する手段とを具備することを特徴とする酸化物超電導
磁石。 - 【請求項５】 Ｎｄ系超電導バルク体及びＹ系超電導バ
ルク体をそれぞれ所定の形状に切り出し、それらを組み
合わせることを特徴とする酸化物超電導複合体の作製方
法。 - 【請求項６】 Ｎｄ系超電導バルク体から所定の形状に
切り出した物を結晶生成核として周囲にＹ系超電導体を
結晶成長させ、その後に外形を整形することを特徴とす
る酸化物超電導複合体の作製方法。 - 【請求項７】 ドウナツ状の低抵抗金属板の中心部に、
高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体か
らなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵抗金属を介
在させて円周方向に少なくとも１個埋め込み、その外円
周部に低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バル
ク体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵抗金
属を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込んだド
ウナツ状の低抵抗金属板を構成し、このリングが埋め込
まれたドウナツ状の低抵抗金属板を複数枚軸方向に積み
重ねて構成したことを特徴とする超電導コイル装置。 - 【請求項８】 前記請求項７に記載される超電導コイル
装置において、前記ドウナツ状の低抵抗金属板は銅（Ｃ
ｕ）板からなり、高磁場で大きい臨界電流密度を有する
超電導バルク体はＮｄ１２３のバルク体からなり、低磁
場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体はＹ１
２３のバルク体からなることを特徴とする超電導コイル
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06559696A JP3962107B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 酸化物超電導複合体及びその作製方法並びに酸化物超電導磁石及び超電導コイル装置 |
| US08/825,700 US5920246A (en) | 1996-03-22 | 1997-03-19 | Superconductive composite materials |
| DE69710113T DE69710113T2 (de) | 1996-03-22 | 1997-03-21 | Supraleitendes Materialgemisch |
| EP97301920A EP0797261B1 (en) | 1996-03-22 | 1997-03-21 | Superconductive composite material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06559696A JP3962107B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 酸化物超電導複合体及びその作製方法並びに酸化物超電導磁石及び超電導コイル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09255333A true JPH09255333A (ja) | 1997-09-30 |
| JP3962107B2 JP3962107B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=13291569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06559696A Expired - Fee Related JP3962107B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 酸化物超電導複合体及びその作製方法並びに酸化物超電導磁石及び超電導コイル装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5920246A (ja) |
| EP (1) | EP0797261B1 (ja) |
| JP (1) | JP3962107B2 (ja) |
| DE (1) | DE69710113T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129158A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 磁場発生装置及び核磁気共鳴装置 |
| WO2007148571A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Kyushu Institute Of Technology | バルク超電導体のパルス着磁法 |
| JP2008034692A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 超電導体、超電導磁場発生素子、超電導磁場発生装置および核磁気共鳴装置 |
| JP2014165382A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 超電導バルク磁石 |
| WO2014189043A1 (ja) | 2013-05-22 | 2014-11-27 | 新日鐵住金株式会社 | 酸化物超電導バルクマグネット |
| US8948829B2 (en) | 2009-12-08 | 2015-02-03 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Oxide superconducting bulk magnet member |
| WO2017057634A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 新日鐵住金株式会社 | 酸化物超電導バルクマグネット |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2344040A1 (en) * | 1998-09-14 | 2000-04-20 | William Larry Hults | Superconducting structure including mixed rare earth barium-copper compositions |
| KR100529602B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2005-11-17 | 한국산업기술대학교 | 희토류원소계 초전도 산화물을 이용하는 유기금속증착용 전구용액 제조방법 및 유기금속증착법에 의한 박막형 초전도체 제조방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4190817A (en) * | 1977-02-09 | 1980-02-26 | Mario Rabinowitz | Persistent current superconducting method and apparatus |
| NL8801162A (nl) * | 1988-05-04 | 1989-12-01 | Philips Nv | Supergeleidend magneetstelsel met supergeleidende cylinders. |
| WO1992018992A1 (en) * | 1991-04-10 | 1992-10-29 | Roy Weinstein | Magnetic field replicator and method |
| EP0660423B1 (en) * | 1993-12-27 | 2000-02-23 | International Superconductivity Technology Center | Superconductor and method of producing same |
| US5444425A (en) * | 1994-02-28 | 1995-08-22 | The Regents Of The University Of Colorado | Flux-trapped superconducting magnets and method of manufacture |
| JP3207058B2 (ja) * | 1994-11-07 | 2001-09-10 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 超電導体薄膜及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP06559696A patent/JP3962107B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-19 US US08/825,700 patent/US5920246A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-21 DE DE69710113T patent/DE69710113T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-21 EP EP97301920A patent/EP0797261B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129158A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 磁場発生装置及び核磁気共鳴装置 |
| WO2007148571A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Kyushu Institute Of Technology | バルク超電導体のパルス着磁法 |
| JPWO2007148571A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2009-11-19 | 国立大学法人九州工業大学 | バルク超電導体のパルス着磁法 |
| JP4769301B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2011-09-07 | 国立大学法人九州工業大学 | バルク超電導体のパルス着磁法 |
| JP2008034692A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 超電導体、超電導磁場発生素子、超電導磁場発生装置および核磁気共鳴装置 |
| US8948829B2 (en) | 2009-12-08 | 2015-02-03 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Oxide superconducting bulk magnet member |
| JP2014165382A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 超電導バルク磁石 |
| WO2014189043A1 (ja) | 2013-05-22 | 2014-11-27 | 新日鐵住金株式会社 | 酸化物超電導バルクマグネット |
| WO2017057634A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 新日鐵住金株式会社 | 酸化物超電導バルクマグネット |
| JPWO2017057634A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2018-08-09 | 新日鐵住金株式会社 | 酸化物超電導バルクマグネット |
| US10748691B2 (en) | 2015-10-02 | 2020-08-18 | Nippon Steel Corporation | Oxide superconducting bulk magnet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0797261A1 (en) | 1997-09-24 |
| DE69710113T2 (de) | 2002-09-26 |
| EP0797261B1 (en) | 2002-01-30 |
| JP3962107B2 (ja) | 2007-08-22 |
| US5920246A (en) | 1999-07-06 |
| DE69710113D1 (de) | 2002-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3962107B2 (ja) | 酸化物超電導複合体及びその作製方法並びに酸化物超電導磁石及び超電導コイル装置 | |
| JP4113113B2 (ja) | 酸化物超電導体の接合方法及び酸化物超電導体接合体 | |
| JPH08697B2 (ja) | 酸化物超電導体およびその製造方法 | |
| CA2024806C (en) | Method of producing ceramics-type superconductor wire | |
| JP2018035015A (ja) | 超電導バルク接合体および超電導バルク接合体の製造方法 | |
| JP5098802B2 (ja) | バルク酸化物超伝導材料及びその製造方法 | |
| JPH0782939B2 (ja) | 酸化物超電導体を用いたマグネット及びその製造方法 | |
| JP3283691B2 (ja) | 高ダンピング酸化物超伝導材料およびその製造方法 | |
| JP3221719B2 (ja) | 超電導多孔板 | |
| JP2828396B2 (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JP3709532B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH0950718A (ja) | 希土類系酸化物超電導材料およびその製造方法 | |
| JP3709531B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH05270828A (ja) | 希土類系超電導体 | |
| JP2966119B2 (ja) | 酸化物超電導体の製法 | |
| JP2914799B2 (ja) | 酸化物超電導バルク材の製造方法 | |
| JPH07187671A (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JPH0421505A (ja) | セラミックス超電導体およびその製造方法 | |
| JP2019176086A (ja) | 酸化物超電導バルク体およびその製造方法 | |
| JPH0524829A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH0816014B2 (ja) | 酸化物超電導バルク材料の製造方法 | |
| JPH01151299A (ja) | 板状シールド材の製造方法 | |
| JPH0456102A (ja) | 酸化物超電導磁石およびその製造方法 | |
| JPH04170316A (ja) | 酸化物超伝導材料の製造方法 | |
| JPH06275431A (ja) | 電流リード用酸化物超電導導体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070501 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070518 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |