JPH09246137A

JPH09246137A - Ｘ線マスクの作製方法

Info

Publication number: JPH09246137A
Application number: JP4452996A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Iba; 義久射場
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1996-03-01
Filing date: 1996-03-01
Publication date: 1997-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｘ線マスクの作製方法に関し、応力によるパ
ターン歪み、及び、マイクロローディング効果によるパ
ターン精度の低下を防止する。【解決手段】Ｘ線マスクのマスクパターンとなる吸収
体膜３の応力低減工程の後に、吸収体膜３上にエッチン
グマスクを兼ねる酸素進入防止膜５を形成したのち、酸
素進入防止膜５の応力を補正すると共に、補正後の熱処
理工程の間は酸素進入防止膜５で吸収体膜３を被覆して
おく。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＸ線マスクの作製方
法に関するものであり、特に、ストレス（応力）をなく
すことによってパターン歪みをなくしたＸ線マスクの作
製方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の微細化に伴って、紫
外線露光に代わるより波長の短い光としてＸ線を用いる
Ｘ線露光が開発されており、この様なＸ線露光に用いる
Ｘ線マスクの吸収体としてはＴａやＷ等の重金属膜が使
用されている。

【０００３】このＴａやＷ等の吸収体膜をマスク支持体
（メンブレン）上にスパッタ法によって堆積させた場
合、一般には応力を持っており、応力を持ったままでパ
ターン加工を行うと、吸収体膜が除去された部分のメン
ブレンが伸縮を起こしてパターン歪みが生ずるため、こ
の応力がパターン歪みの直接の原因となっている。

【０００４】したがって、高精度のＸ線マスクを作製す
るためには、吸収体膜の応力値を極力小さくする必要が
あるが、近年、Ｘ線マスクパターンはさらなる微細化が
要求されており、０．１μｍパターンレベルのマスクに
対する許容応力値は±１．０×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以
内となっている。

【０００５】この吸収体膜の応力値は、スパッタガス圧
やターゲット印加電力等の成膜条件を制御することによ
って小さくすることができるが、成膜時で応力値を０に
しても、室温で大気中に放置しておくと、応力値が徐々
に圧縮応力側に変動してしまう。

【０００６】図６（ａ）参照図６（ａ）は、スパッタ法で形成した厚さ６００ｎｍの
Ｔａ膜の応力の変動を示すもので、大気中に放置した場
合には、成膜時に略０であった応力値が数時間後には
１．５×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以上の圧縮応力となって
許容応力値を越えてしまうことになる。

【０００７】一方、成膜後、大気中に放置することなく
窒素雰囲気中で保管した場合には、数十時間経ったのち
にも、成膜時に略０であった応力値がほとんど変化せ
ず、したがって、Ｔａ膜の応力値の変動はＴａ膜中に大
気中の酸素が拡散して、徐々に酸化反応が進行すること
が原因であると考えられている。

【０００８】図６（ｂ）参照図６（ｂ）は、同じくスパッタ法で形成した厚さ６００
ｎｍのＴａ膜の応力変動の大気中での熱処理依存性を示
す図であり、温度が高くなるほど応力変動が顕著とな
り、例えば、２６０℃でアニールした場合には、数十分
で許容応力値の十倍を越えることになる。

【０００９】そして、実際のＸ線マスク作製工程におい
ては、シリコン基板のフレームへの接着や、フォトレジ
ストのプリベーク等の２００℃以上の熱処理工程が入る
ため、この間にＴａ膜の応力値が大きく変動してしまう
ことになる。

【００１０】従来、この様なＴａやＷ等の吸収体膜の応
力を低減するための各種の方法が提案されており、例え
ば、吸収体膜をパターニングしたのち、それ自体の応力
が０となるシリコン窒化膜等の酸素進入防止膜で被覆し
たのち、シリコン基板をバックエッチすることが提案さ
れている（必要ならば、特開平２−１３０８１４号公報
参照）。

【００１１】また、別の方法としては、吸収体膜にイオ
ン注入を行って応力を低減する工程において、イオン注
入前にＳｉＯ₂膜等を設けて透過イオン注入を行った
り、或いは、イオン注入後に吸収体膜と同じ組成の被膜
を設けることによってイオン注入後の吸収体膜の変質を
防止することも提案されている（必要ならば、特開平６
−３４９７１６号公報参照）。

【００１２】また、別の観点からは、パターンの微細化
に伴ってエッチング時間が長くなるという所謂マイクロ
ローディング効果が発生し、この様な長時間のエッチン
グ工程においては従来のフォトレジストの耐性がなくな
るという問題があり、それを解決するために、エッチン
グマスクを用いることが行われている。

【００１３】即ち、吸収体膜上にエッチングマスクとな
る中間層を設け、この中間層を通常のフォトレジストマ
スクでパターニングしてエッチングマスクを形成し、次
いで、このエッチングマスクを用いて吸収体膜をパター
ニングすることが行われている。

【００１４】例えば、Ｔａ等の吸収体膜をスパッタ法に
よって堆積させたのち、アニールすることによってＴａ
膜の応力値を低減させ、次いで、ＳｉＯ₂膜等をエッチ
ングマスクとして設けて、Ｔａ膜をパターニングし、最
後に、シリコン基板をバックエッチすることが提案され
ている（必要ならば、特開平１−１５０３２４号公報参
照）。

【００１５】また、Ｗ等の吸収体膜の成膜条件を制御す
ることによって応力値を小さくするとともに、Ａｌパタ
ーンを酸化して形成したＡｌ₂Ｏ₃パターンをエッチン
グマスクとすることによって、精度の高い吸収体膜パタ
ーンを形成し、その後、シリコン基板をバックエッチす
ることが提案されている（必要ならば、特開平２−２７
７１３号公報参照）。

【００１６】さらに、Ｗ等の吸収体膜にイオン注入して
応力値を０にしたのち、Ａｌ₂Ｏ₃膜をエッチングマス
クとして設けて、高精度の吸収体膜を形成し、その後、
シリコン基板をバックエッチすることが提案されている
（必要ならば、特開平５−９０１３８号公報参照）。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の各提案
においては、熱処理工程を伴う工程の順序、吸収体膜の
応力変化を防止するために設ける膜自体の応力、或い
は、エッチングマスク自体の応力が問題となり、最終的
に得られたＸ線マスクにおけるパターン精度は必ずしも
充分なものとは考えられないという問題がある。

【００１８】即ち、吸収体膜パターン形成後は通常は熱
処理工程が伴わないので歪みはあまり問題にならない
が、上記の第１の提案の場合には、吸収体膜パターンの
形成工程における応力変動が大きな問題となり、吸収体
パターン形成後に酸素進入防止膜を設けても所期の効果
が得られないものと考えられる。

【００１９】また、上記第２の提案においては、イオン
注入工程という特別の工程を必要とし、また、被覆膜自
体の応力は考慮されておらず、且つ、吸収体膜の応力値
の経時変化も考慮されていないものであり、さらに、上
記第１の提案を含めてマイクロローディング効果につい
ても何ら考慮されていないものである。

【００２０】また、上記第３乃至第５の提案において
は、エッチングマスク自体の応力が考慮されておらず、
特に、第４の提案の場合には、特に、酸素雰囲気中で８
００℃の酸化処理工程を伴うものであり、この様な工程
における吸収体膜の応力値の変動も無視し得ないもので
ある。

【００２１】さらに、上記第３乃至第５の提案は、吸収
体膜のパターニング工程の後にシリコン基板をバックエ
ッチする所謂バックエッチ後行型プロセスであり、この
ようなバックエッチ後行型プロセスにおいては、吸収体
膜のパターニング工程には厚いシリコン基板が存在する
ため、エッチングマスク自体の応力はそれ程問題になら
ないとしても、シリコン基板のバックエッチ後に吸収体
膜をパターニングする所謂バックエッチ先行型プロセス
においては、エッチングマスクの応力が問題となるが、
上記第３乃至第５の提案においてはこのような問題は何
ら解決されていない。

【００２２】したがって、本発明は、Ｘ線マスクの応力
によるパターン歪み、及び、マイクロローディング効果
によるパターン精度の低下を防止するＸ線マスクの作製
方法を提供することを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。図１（ａ）乃至（ｃ）参照（１）本発明は、支持体１上にマスク基板２を形成する
工程、マスク基板２上に吸収体膜３を形成したのち吸収
体膜３の応力を±１×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以内に低減
する工程、支持体１をマスク補強用枠４に接合する工
程、及び、支持体１をマスク補強用枠４側から除去して
マスク基板２を露出させたのち、吸収体膜３をパターニ
ングする工程を含むＸ線マスクの作製方法において、吸
収体膜３の応力低減工程の後に、吸収体膜３上に酸素進
入防止膜５を形成し、この酸素進入防止膜５の応力を補
正すると共に、補正後の熱処理工程の間は酸素進入防止
膜５で吸収体膜３を被覆しておくことを特徴とする。

【００２４】この様に、バックエッチ先行型プロセスに
おいて、吸収体膜３の応力低減工程の後に、吸収体膜３
上に酸素進入防止膜５を形成し、その後の熱処理工程の
間は酸素進入防止膜５で吸収体膜３を被覆しておくの
で、吸収体膜３のパターニング工程に伴うフォトレジス
トのプリベーク等の熱処理工程における吸収体膜３の応
力変動を大幅に低減することができる。

【００２５】また、酸素進入防止膜５の応力を補正する
工程を設けることによって、酸素進入防止膜５自体の応
力を低減することができ、マスク基板２にかかる応力を
低減し、吸収体膜３のパターニング工程に伴うマスク基
板２の伸縮を防止することができるので、パターン歪み
が少なくなる。

【００２６】（２）また、本発明は、支持体１上にマス
ク基板２を形成する工程、マスク基板２上に吸収体膜３
を形成したのち吸収体膜３の応力を±１×１０⁸ｄｙｎ
／ｃｍ²以内に低減する工程、支持体１をマスク補強用
枠４に接合する工程、及び、吸収体膜３をパターニング
したのち、支持体１をマスク補強用枠４側から除去して
マスク基板２を露出させる工程を含むＸ線マスクの作製
方法において、吸収体膜３の応力低減工程の後に、吸収
体膜３上に酸素進入防止膜５を形成し、この酸素進入防
止膜５の応力を補正すると共に、補正後の熱処理工程の
間は酸素進入防止膜５で吸収体膜３を被覆しておくこと
を特徴とする。

【００２７】この様に、バックエッチ後行型プロセスに
おいても、酸素進入防止膜５を設けることによって支持
体１をマスク補強用枠４に接合する際の熱処理工程にお
ける吸収体膜３の応力値変動を防止することができ、ま
た、酸素進入防止膜５の応力を補正する工程を設けるこ
とによって、酸素進入防止膜５自体の応力も低減するこ
とができ、マスク基板２にかかる応力を低減し、マスク
基板２の伸縮を防止することができるので、パターン歪
みが少なくなる。

【００２８】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、酸素進入防止膜５の応力補正を、その
後の熱処理工程に利用される温度以上の温度におけるア
ニール処理によって行うことを特徴とする。

【００２９】この様に、酸素進入防止膜５の応力補正
を、その後の熱処理工程に利用される温度以上の高温で
行うことによって応力値変動が飽和するので、その後の
より低温の熱処理工程において応力変動が生ずることが
ない。

【００３０】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、酸素進入防止膜５が、吸収
体膜３のパターニング工程におけるエッチングマスクと
なることを特徴とする。

【００３１】この様に、酸素進入防止膜５をエッチング
マスクとして兼用することにより、応力低減によるパタ
ーン歪みの低減と、マイクロローディング効果の防止に
よるパターン精度向上が達成される。

【００３２】（５）また、本発明は、上記（１）乃至
（４）のいずれかにおいて、酸素進入防止膜５が、酸化
アルミからなることを特徴とする。

【００３３】この様に、酸素進入防止膜５として酸化ア
ルミ、即ち、Ａｌ₂Ｏ₃を用いることによって、高い酸
素進入防止効果を得ることができ、また、塩素系ガスを
用いたエッチングに対する耐性が大きいので、吸収体膜
３に対する高い選択エッチング性を得ることができ、吸
収体膜３の加工性が向上する。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図２乃至図
５を参照して説明する。なお、図２及び図３は本発明の
実施の形態の製造工程を説明する図であり、また、図４
及び図５をＴａ膜及びＡｌ₂Ｏ₃膜の応力変動の各種条
件依存性を説明する図である。

【００３５】図２（ａ）参照まず、厚さ５２５μｍのシリコン基板１１の表面にＣＶ
Ｄ法によって、Ｘ線マスクのマスクメンブレンとなる厚
さ１．０〜２．５μｍ、例えば、２μｍのＳｉＣ膜１２
を成膜する。

【００３６】図２（ｂ）参照次いで、シリコン基板１１の一方の表面に堆積したＳｉ
Ｃ膜１２の表面を研磨法によって平坦化すると共に、他
方の表面に堆積したＳｉＣ膜１２を除去したのち、Ａｒ
をスパッタリングガスとし、ガス圧を５〜１５ｍＴｏｒ
ｒ、例えば、１０ｍＴｏｒｒとし、ＤＣ電力を２〜６Ｗ
／ｃｍ²、例えば３．２Ｗ／ｃｍ²印加した条件のＤＣ
スパッタ法を用いて厚さ４００〜６００ｎｍ、例えば、
６００ｎｍのＴａ膜１３を堆積させる。

【００３７】なお、この時のＴａ膜の応力は、例えば、
５×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²であり、スパッタリング条件
を制御することによって応力を小さくすることができる
が、より再現性良く応力の小さなＴａ膜を得るために
は、成膜時に引張応力を有するように成膜した後、窒素
雰囲気中或いは大気中で、２００〜４００℃で１〜３０
分間アニールすることによって圧縮応力側に移動させて
応力ができるだけ小さくなるようにすることが望まし
く、いずれにしても±１×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以内、
より好ましくは±５×１０⁷ｄｙｎ／ｃｍ²以内の応力
になるように制御する。

【００３８】図２（ｃ）参照次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、ターゲ
ットとしてＡｌターゲットを用い、また、スパッタリン
グガスとしてＯ₂とＡｒを用いたリアクティブスパッタ
法により厚さ３０〜１００ｎｍ、例えば、５０ｎｍのエ
ッチングマスクとなるＡｌ₂Ｏ₃膜１４を堆積させる。
なお、この場合のガス圧は２〜６ｍＴｏｒｒ、例えば、
４ｍＴｏｒｒであり、印加電力は０．５〜１．５Ｗ／ｃ
ｍ²、例えば０．８Ｗ／ｃｍ²である。

【００３９】図４（ａ）参照図４（ａ）はＡｌ₂Ｏ₃膜の応力のスパッタガス圧依存
性を示す図であり、ガス圧が高い方が圧縮応力が小さく
なるが、成膜速度もスパッタガス圧依存性を有してお
り、ガス圧が高いほど成膜速度が小さくなるので、スル
ープットを考慮すると２〜６ｍＴｏｒｒのガス圧が望ま
しいことになり、このガス圧において得られるＡｌ₂Ｏ
₃膜の応力は約−１．５×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²、即
ち、圧縮応力となる。

【００４０】このＡｌ₂Ｏ₃膜１４は５０ｎｍ程度と薄
いため、ある程度の応力を持つことは許されるが、吸収
体膜であるＴａ膜１３を含めたトータルの応力を±１．
０×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以内にする必要があり、その
ためには、５０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃膜１４の応力は±５．
０×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以内にする必要がある。

【００４１】したがって、次に、Ａｌ₂Ｏ₃膜１４の応
力を低減するために、大気雰囲気中で３００℃の温度に
おいて３０分間アニールを行って引張応力側に移動さ
せ、１．５×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²であった圧縮応力を
３．０×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以内の引張応力にする。

【００４２】図４（ｂ）参照図４（ｂ）は、アニールによる応力の変動を示すもの
で、温度が高いほど応力の変動が大きく、且つ、約３０
分程度で応力の変化量は飽和するので、応力補正のため
のアニール処理は２５０℃以上で、３０分以上、より好
適には３００℃±２０℃で３０〜６０分のアニール処理
が望ましく、また、一度所定温度でアニール処理を行っ
た場合には、その後の工程において所定温度以下の熱処
理を行っても応力変動は起こらないことになる。

【００４３】図５参照図５は、Ａｌ₂Ｏ₃膜１４を設けた場合のＴａ膜１３の
応力変動を示す図であり、Ａｌ₂Ｏ₃膜１４を設けたの
ち大気雰囲気中で３００℃の温度でアニール処理を行っ
ても、Ｔａ膜１３の応力はほとんど変化しないのに対し
て、Ａｌ₂Ｏ₃膜１４を設けない場合には、図６（ｂ）
において説明したように急速に圧縮応力が大きくなる。

【００４４】したがって、Ａｌ₂Ｏ₃膜１４を設けたの
ち、フォトレジストのプリベーク等の熱処理工程を行っ
てもＴａ膜の応力値はほとんど変動しないことになり、
このことは、ＳＩＭＳ（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎ
ＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によるＡｌ₂Ｏ
₃膜で覆ったＴａ膜中の酸素分析において、アニールに
よる酸素進入が見られなかったことからも確認される。

【００４５】図３（ｄ）参照次いで、Ａｌ₂Ｏ₃膜１４等を設けたシリコン基板１１
をＳｉＣからなるフレーム１５に接着し、このフレーム
１５をマスクとしてＫＯＨ等を用いたウェット・エッチ
ングによってシリコン基板１１をバックエッチして、メ
ンブレンとなるＳｉＣ膜１２を露出させると共に、残存
するシリコン基板１１を支持枠１６とする。

【００４６】図３（ｅ）参照次いで、フォトレジストを塗布して２００℃でプリベー
クして、電子線露光を行ったのち現像してフォトレジス
トマスク１７を形成し、このフォトレジストマスク１７
をマスクとして、ＢＣｌ₃をエッチングガスとしたドラ
イ・エッチングエッチによってＡｌ₂Ｏ₃膜１４をパタ
ーニングする。

【００４７】図３（ｆ）参照次いで、フォトレジストマスク１７をアッシング処理に
よって除去したのち、Ａｌ₂Ｏ₃膜パターン（図示せ
ず）をマスクとして、Ｃｌ₂，ＣＨＣｌ₃，ＢＣｌ₃の
混合ガスをエッチングガスとしたドライ・エッチングに
よってＴａ膜１３をパターニングすることによってＴａ
膜パターン１８を形成して、Ｔａ膜パターン１８を吸収
体パターンとしたＸ線マスクが完成する。

【００４８】なお、Ｔａ膜１３のパターニング工程にお
いて、Ａｌ₂Ｏ₃膜１４はＣｌ₂ガスに対するエッチン
グ耐性が大きく、ＴａとＡｌ₂Ｏ₃の選択比は５０程度
となるので、マイクロローディング効果によるフォトレ
ジストマスクの劣化の影響を受けず、高精度のＴａ膜パ
ターン１８を形成することができる。

【００４９】また、この実施の形態においては、Ｔａ膜
１３自体の応力をできるかぎり小さくすると共に、その
上に応力補正をしたＡｌ₂Ｏ₃膜１４を酸素進入防止膜
兼エッチングマスクとして設けているので、その後の熱
処理工程においてもＴａ膜１３の応力値が大きくならな
いので、Ｔａ膜１３をパターニングしてもその下のメン
ブレンとなるＳｉＣ膜１２が伸縮することがなく、パタ
ーニングに伴うパターン歪みもなくなる。

【００５０】なお、上記の実施の形態の説明において
は、所謂バックエッチ先行型プロセスで説明している
が、バックエッチ先行型プロセスに限られるものではな
く、バックエッチ後行型プロセスに適用しても、応力補
正を行ったＡｌ₂Ｏ₃膜を設けることによってＴａ膜の
応力変動を抑制することができ、それによって、パター
ン歪みを抑制することができる。

【００５１】また、上記の実施の形態においては、吸収
体膜としてＴａ膜を用いているが、Ｔａの代わりにＷ膜
を用いても良いものであり、Ｗ膜を用いた場合にも、成
膜条件を制御することによって応力を低減することがで
き、さらに、アニール処理を施すことによって応力を調
整することができる。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、応力を小さくした吸収
体膜上に、応力補正したエッチングマスクを兼ねる酸素
進入防止膜を設けたので、マスク作製工程における熱プ
ロセスにおいても吸収体膜の応力値が一定に保たれ、且
つ、マイクロローディング効果の影響を受けないので、
無歪みで高精度のＸ線マスクを作製することが可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の実施の形態の途中までの製造工程の説
明図である。

【図３】本発明の実施の形態の図２以降の製造工程の説
明図である。

【図４】Ａｌ₂Ｏ₃膜の応力の成膜条件及び熱処理条件
依存性の説明図である。

【図５】Ｔａ膜の応力のＡｌ₂Ｏ₃膜コーティング効果
の説明図である。

【図６】Ｔａ膜の応力の経時変化の説明図である。

【符号の説明】１支持体２マスク基板３吸収体膜４マスク補強用枠５酸素進入防止膜６フォトレジストパターン７吸収体膜パターン１１シリコン基板１２ＳｉＣ膜１３Ｔａ膜１４Ａｌ₂Ｏ₃膜１５フレーム１６支持枠１７フォトレジストパターン１８Ｔａ膜パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上にマスク基板を形成する工程、
前記マスク基板上に吸収体膜を形成したのち前記吸収体
膜の応力を±１×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以内に低減する
工程、前記支持体をマスク補強用枠に接合する工程、及
び、前記支持体を前記マスク補強用枠側から除去して前
記マスク基板を露出させたのち、前記吸収体膜をパター
ニングする工程を含むＸ線マスクの作製方法において、
前記吸収体膜の応力低減工程の後に、前記吸収体膜上に
酸素進入防止膜を形成し、前記酸素進入防止膜の応力を
補正すると共に、該補正後の熱処理工程の間は前記酸素
進入防止膜で前記吸収体膜を被覆しておくことを特徴と
するＸ線マスクの作製方法。
【請求項２】支持体上にマスク基板を形成する工程、
前記マスク基板上に吸収体膜を形成したのち前記吸収体
膜の応力を±１×１０⁸ｄｙｎ／ｃｍ²以内に低減する
工程、前記支持体をマスク補強用枠に接合する工程、及
び、前記吸収体膜をパターニングしたのち、前記支持体
を前記マスク補強用枠側から除去して前記マスク基板を
露出させる工程を含むＸ線マスクの作製方法において、
前記吸収体膜の応力低減工程の後に、前記吸収体膜上に
酸素進入防止膜を形成し、前記酸素進入防止膜の応力を
補正すると共に、該補正後の熱処理工程の間は前記酸素
進入防止膜で前記吸収体膜を被覆しておくことを特徴と
するＸ線マスクの作製方法。
【請求項３】上記酸素進入防止膜の応力補正を、該補
正後の熱処理工程に利用される温度以上の温度における
アニール処理によって行うことを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のＸ線マスクの作製方法。
【請求項４】上記酸素進入防止膜が、上記吸収体膜の
パターニング工程におけるエッチングマスクとなること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ
線マスクの作製方法。
【請求項５】上記酸素進入防止膜が、酸化アルミから
なることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に
記載のＸ線マスクの作製方法。