JPH09243869A - 光モジュールの製造方法 - Google Patents
光モジュールの製造方法Info
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- JPH09243869A JPH09243869A JP8057188A JP5718896A JPH09243869A JP H09243869 A JPH09243869 A JP H09243869A JP 8057188 A JP8057188 A JP 8057188A JP 5718896 A JP5718896 A JP 5718896A JP H09243869 A JPH09243869 A JP H09243869A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光学部品間の接合を高精度でしかも簡略化して
行うことができる方法を提供する。 【解決手段】ベース基板に搭載した複数の光学素子のベ
ース基板上での相対位置を検出し光走査制御装置に記憶
する工程と、光学部品を搭載したベース基板を（ａ）エ
ポキシ基を有する化合物と、（ｂ）光酸発生剤とを必須
成分とする光硬化性溶液又は、（ｃ）アクリルもしくは
メタクリルモノマと、（ｄ）光ラジカル発生剤とを必須
成分とする光硬化性溶液のいずれかに浸漬する工程と、
相対位置検出情報に基づいてレーザ光を照射し、光硬化
性溶液を硬化させて光学素子を結ぶ光路を形成する工程
とを含む光モジュールの製造方法。
行うことができる方法を提供する。 【解決手段】ベース基板に搭載した複数の光学素子のベ
ース基板上での相対位置を検出し光走査制御装置に記憶
する工程と、光学部品を搭載したベース基板を（ａ）エ
ポキシ基を有する化合物と、（ｂ）光酸発生剤とを必須
成分とする光硬化性溶液又は、（ｃ）アクリルもしくは
メタクリルモノマと、（ｄ）光ラジカル発生剤とを必須
成分とする光硬化性溶液のいずれかに浸漬する工程と、
相対位置検出情報に基づいてレーザ光を照射し、光硬化
性溶液を硬化させて光学素子を結ぶ光路を形成する工程
とを含む光モジュールの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ走査光硬化を
用いた導波路形成による光軸調整を容易にする光モジュ
ールの製造方法に関する。
用いた導波路形成による光軸調整を容易にする光モジュ
ールの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の光通信技術の進展に伴い、家庭ま
での光ファイバ網の構築が進められようとしている。こ
のためには低価格光モジュールが必須であり、各光素子
の光学的結合を簡易に行える技術がのぞまれる。光モジ
ュールでは光ファイバのコア径が数μｍと非常に小さい
ため、光ファイバと光受発光素子との光軸調整を高精度
で行うことが非常に困難である。現状は光素子を配列す
る実装方式では光パワーをモニタしながら光素子を手作
業で３次元に微小変位させて最適位置に絞り込み固定す
る方式がとられている。そのため、製造コストが極めて
高いものとなり、光部品間の光軸調整を簡略化ならびに
低コスト化することが必要となっている。光学部品間の
光軸調整を簡単に行う方法は、特開平7−58149号公報に
金−錫はんだバンプリフローによって、金−錫はんだの
表面張力を利用して光素子を所定の位置に実装する方式
が開示されている。また、特開昭60−173508号公報には
光ファイバや光導波路基板などの部品間に光硬化性樹脂
を介在させた後、光ファイバを通じて照射した光で樹脂
を硬化し、硬化部の屈折率を高めることにより、結合用
導波路を形成して光部品間の接続を一括して行う方式が
開示されている。
での光ファイバ網の構築が進められようとしている。こ
のためには低価格光モジュールが必須であり、各光素子
の光学的結合を簡易に行える技術がのぞまれる。光モジ
ュールでは光ファイバのコア径が数μｍと非常に小さい
ため、光ファイバと光受発光素子との光軸調整を高精度
で行うことが非常に困難である。現状は光素子を配列す
る実装方式では光パワーをモニタしながら光素子を手作
業で３次元に微小変位させて最適位置に絞り込み固定す
る方式がとられている。そのため、製造コストが極めて
高いものとなり、光部品間の光軸調整を簡略化ならびに
低コスト化することが必要となっている。光学部品間の
光軸調整を簡単に行う方法は、特開平7−58149号公報に
金−錫はんだバンプリフローによって、金−錫はんだの
表面張力を利用して光素子を所定の位置に実装する方式
が開示されている。また、特開昭60−173508号公報には
光ファイバや光導波路基板などの部品間に光硬化性樹脂
を介在させた後、光ファイバを通じて照射した光で樹脂
を硬化し、硬化部の屈折率を高めることにより、結合用
導波路を形成して光部品間の接続を一括して行う方式が
開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は光素子
間の光学的結合を容易にする実装方式に基づく光モジュ
ールを提供することにある。
間の光学的結合を容易にする実装方式に基づく光モジュ
ールを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、下記の技術的手段を用いる。その第１の
手段は、ベース基板に搭載した複数の光学素子のベース
基板上での相対位置を検出し光走査制御装置に記憶する
工程と、光学部品を搭載した前記ベース基板をエポキシ
基を含む化合物と、光酸発生剤とを必須成分とする光硬
化性溶液に浸漬する工程と、前記相対位置検出情報に基
づいてレーザ光を照射し、前記光硬化性溶液を硬化させ
て前記光学素子を結ぶ光路を形成する工程とを含む光モ
ジュールの製造方法である。
成するために、下記の技術的手段を用いる。その第１の
手段は、ベース基板に搭載した複数の光学素子のベース
基板上での相対位置を検出し光走査制御装置に記憶する
工程と、光学部品を搭載した前記ベース基板をエポキシ
基を含む化合物と、光酸発生剤とを必須成分とする光硬
化性溶液に浸漬する工程と、前記相対位置検出情報に基
づいてレーザ光を照射し、前記光硬化性溶液を硬化させ
て前記光学素子を結ぶ光路を形成する工程とを含む光モ
ジュールの製造方法である。
【０００５】第２の手段は、前記エポキシ基を含む化合
物が一般式化５
物が一般式化５
【０００６】
【化５】
【０００７】（ここでＡは一般式化６で表わされる）
【０００８】
【化６】
【０００９】で示されるエポキシ基を含むフッ素化合物
である光硬化性溶液を用いる光モジュールの製造方法。
である光硬化性溶液を用いる光モジュールの製造方法。
【００１０】第３の手段は、ベース基板に搭載した複数
の光学素子のベース基板上での相対位置を検出し光走査
制御装置に記憶する工程と、光学部品を搭載した前記ベ
ース基板をアクリルもしくはメタクリルモノマと、光ラ
ジカル発生剤とを必須成分とする光硬化性溶液に浸漬す
る工程と、前記相対位置検出情報に基づいてレーザ光を
照射し、前記光硬化性溶液を硬化させて前記光学素子を
結ぶ光路を形成する工程とを含む光モジュールの製造方
法である。
の光学素子のベース基板上での相対位置を検出し光走査
制御装置に記憶する工程と、光学部品を搭載した前記ベ
ース基板をアクリルもしくはメタクリルモノマと、光ラ
ジカル発生剤とを必須成分とする光硬化性溶液に浸漬す
る工程と、前記相対位置検出情報に基づいてレーザ光を
照射し、前記光硬化性溶液を硬化させて前記光学素子を
結ぶ光路を形成する工程とを含む光モジュールの製造方
法である。
【００１１】第４の手段は、前記アクリルもしくはメタ
クリルモノマが一般式化７
クリルモノマが一般式化７
【００１２】
【化７】
【００１３】（ここでＢは一般式化８で表わされる）
【００１４】
【化８】
【００１５】で示されるフッ素を含むアクリルもしくは
メタクリルモノマである光硬化性溶液を用いる光モジュ
ール光部品接合方法である。
メタクリルモノマである光硬化性溶液を用いる光モジュ
ール光部品接合方法である。
【００１６】エポキシ樹脂はレーザ照射により光酸発生
剤から発生した酸により架橋反応を起こし、光硬化性溶
液に不溶の硬化物となる。エポキシ樹脂としてビスフェ
ノールＡ，ＦまたはＳ型エポキシ樹脂，フェノールノボ
ラック型，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，ナフ
タレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂，トリヒドロキ
シフェノールメタン型多官能エポキシ樹脂あるいはそれ
らのハロゲン化物がある。基板との接着性，耐クラック
性の向上のためにはビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂
がよく、硬化物の架橋密度を増加させガラス転移温度を
高くするにはフェノールノボラック型，クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂，ナフタレン骨格を有する多官能
エポキシ樹脂，トリヒドロキシフェノールメタン型多官
能エポキシ樹脂が望ましく、これらを混合して用いても
よい。また、光通信用に1.3μｍや１.５μｍ 近くの波
長の光を用いるときには、その波長での透過率の高いフ
ッ素化エポキシ樹脂およびその化合物が望ましい。
剤から発生した酸により架橋反応を起こし、光硬化性溶
液に不溶の硬化物となる。エポキシ樹脂としてビスフェ
ノールＡ，ＦまたはＳ型エポキシ樹脂，フェノールノボ
ラック型，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，ナフ
タレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂，トリヒドロキ
シフェノールメタン型多官能エポキシ樹脂あるいはそれ
らのハロゲン化物がある。基板との接着性，耐クラック
性の向上のためにはビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂
がよく、硬化物の架橋密度を増加させガラス転移温度を
高くするにはフェノールノボラック型，クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂，ナフタレン骨格を有する多官能
エポキシ樹脂，トリヒドロキシフェノールメタン型多官
能エポキシ樹脂が望ましく、これらを混合して用いても
よい。また、光通信用に1.3μｍや１.５μｍ 近くの波
長の光を用いるときには、その波長での透過率の高いフ
ッ素化エポキシ樹脂およびその化合物が望ましい。
【００１７】光酸発生剤はレーザの波長により、選択す
ることができる。例えばＨｅ−Ｃｄレーザの３２５ｎ
ｍ，Ａｒレーザの３５２ｎｍと３６４ｎｍを用いること
ができる。光酸発生剤は、トリアリールスルホニウム塩
やジアリールヨードニウム塩に代表されるオニウム塩，
ハロゲン化物，アルキルスルホン酸エステル，アリール
スルホン酸エステル，イミノスルホン酸エステル，ニト
ロベンジルスルホン酸エステル，α−ヒドロキシメチル
ベンゾインスルホン酸エステル，Ｎ−ヒドロキシイミド
スルホン酸エステル，α−スルホニルオキシケトン，ジ
スルホニルジアゾメタン，ジスルホンなどがある。光酸
発生剤は単独でも露光波長に合わせて増感剤と併用して
も良い。
ることができる。例えばＨｅ−Ｃｄレーザの３２５ｎ
ｍ，Ａｒレーザの３５２ｎｍと３６４ｎｍを用いること
ができる。光酸発生剤は、トリアリールスルホニウム塩
やジアリールヨードニウム塩に代表されるオニウム塩，
ハロゲン化物，アルキルスルホン酸エステル，アリール
スルホン酸エステル，イミノスルホン酸エステル，ニト
ロベンジルスルホン酸エステル，α−ヒドロキシメチル
ベンゾインスルホン酸エステル，Ｎ−ヒドロキシイミド
スルホン酸エステル，α−スルホニルオキシケトン，ジ
スルホニルジアゾメタン，ジスルホンなどがある。光酸
発生剤は単独でも露光波長に合わせて増感剤と併用して
も良い。
【００１８】アクリル樹脂は光ラジカル発生剤からのラ
ジカルにより重合し、光硬光性溶液に不溶の硬化物とな
る。そのような光重合性モノマとしてヘキサンジオール
ジアクリレート，ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト，ジエチレングリコールジアクリレート，ビスフェノ
ールＡ−ジグリシジルエーテルジアクリラート，ジアリ
ルイソフタラート，トリアリルシアヌラートなどがあ
る。また、光通信用に１.３μｍや１.５μｍ近くの波長
の光を用いるときには、その波長での透過率の高いフッ
素化アクリル樹脂およびその化合物が望ましい。
ジカルにより重合し、光硬光性溶液に不溶の硬化物とな
る。そのような光重合性モノマとしてヘキサンジオール
ジアクリレート，ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト，ジエチレングリコールジアクリレート，ビスフェノ
ールＡ−ジグリシジルエーテルジアクリラート，ジアリ
ルイソフタラート，トリアリルシアヌラートなどがあ
る。また、光通信用に１.３μｍや１.５μｍ近くの波長
の光を用いるときには、その波長での透過率の高いフッ
素化アクリル樹脂およびその化合物が望ましい。
【００１９】
（実施例１）エポキシ基を含む化合物として２，２−ビ
ス(４−グリシジルオキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パンを３０重量部、光酸発生剤としてジフェニルヨード
ニウムトリフレート１重量部とからなる光硬化性溶液を
作製した。基板上に半導体レーザ，受光素子，光ファイ
バを数μｍ程度の精度で大まかに固定し、光硬化液を浸
す前に各素子上にあらかじめ刻印されたマーカを検出し
て、前記各光学素子の高さ，位置情報を半導体レーザ制
御装置に取り込む。次いで例えば最も低い位置にあった
半導体レーザの発光面と前記光硬化性溶液面に合わせて
基板全体を溶液に浸し、半導体レーザと光学的に結合す
べき光導波路面との位置関係に基づき、アルゴンレーザ
光の走査と光導波路基板の上昇下降とを行った。光硬化
性溶液のレーザ光照射部が硬化し、半導体レーザと光導
波路基板を光学的に結合することができた。順次各素子
と光導波路面あるいはファイバとの光学的結合を上記の
光硬化により行った。その結果、モジュールの半導体レ
ーザを発振させ、モジュール中で接続した１０ｍのファ
イバの端でレーザの光を検出することができた。
ス(４−グリシジルオキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パンを３０重量部、光酸発生剤としてジフェニルヨード
ニウムトリフレート１重量部とからなる光硬化性溶液を
作製した。基板上に半導体レーザ，受光素子，光ファイ
バを数μｍ程度の精度で大まかに固定し、光硬化液を浸
す前に各素子上にあらかじめ刻印されたマーカを検出し
て、前記各光学素子の高さ，位置情報を半導体レーザ制
御装置に取り込む。次いで例えば最も低い位置にあった
半導体レーザの発光面と前記光硬化性溶液面に合わせて
基板全体を溶液に浸し、半導体レーザと光学的に結合す
べき光導波路面との位置関係に基づき、アルゴンレーザ
光の走査と光導波路基板の上昇下降とを行った。光硬化
性溶液のレーザ光照射部が硬化し、半導体レーザと光導
波路基板を光学的に結合することができた。順次各素子
と光導波路面あるいはファイバとの光学的結合を上記の
光硬化により行った。その結果、モジュールの半導体レ
ーザを発振させ、モジュール中で接続した１０ｍのファ
イバの端でレーザの光を検出することができた。
【００２０】（実施例２）実施例１の２，２−ビス（４
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりに４，４′−ビス（グリシジルオキシ）オクタ
フルオロビフェニルを用い実施例１と同様の検討を行っ
た。その結果、レーザを発振させ、１０ｍのファイバの
端でレーザの光を検出することができ、光学的結合を確
認することができた。
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりに４，４′−ビス（グリシジルオキシ）オクタ
フルオロビフェニルを用い実施例１と同様の検討を行っ
た。その結果、レーザを発振させ、１０ｍのファイバの
端でレーザの光を検出することができ、光学的結合を確
認することができた。
【００２１】（実施例３）実施例１の２，２−ビス（４
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりに１，３−ビス（４−グリシジルフェニル）テ
トラフルオロベンゼンを用い実施例１と同様の検討を行
った。その結果、レーザを発振させ、１０ｍのファイバ
の端でレーザの光を検出することができ、光学的結合を
確認することができた。
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりに１，３−ビス（４−グリシジルフェニル）テ
トラフルオロベンゼンを用い実施例１と同様の検討を行
った。その結果、レーザを発振させ、１０ｍのファイバ
の端でレーザの光を検出することができ、光学的結合を
確認することができた。
【００２２】（実施例４）実施例１の２，２−ビス（４
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりに１，６−ビス（４−グリシジルフェニル）−
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロヘキ
サンを用い実施例１と同様の検討を行った。その結果、
レーザを発振させ、１０ｍのファイバの端でレーザの光
を検出することができ、光学的結合を確認することがで
きた。
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりに１，６−ビス（４−グリシジルフェニル）−
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロヘキ
サンを用い実施例１と同様の検討を行った。その結果、
レーザを発振させ、１０ｍのファイバの端でレーザの光
を検出することができ、光学的結合を確認することがで
きた。
【００２３】（実施例５）実施例１のジフェニルヨード
ニウムトリフレートの代わりに２−（３，４，５−トリ
メトキシスチリル）−４，６−（トリクロロメチル）−
１，３，５−トリアジンを用い実施例１と同様の検討を
行った。その結果、レーザを発振させ、１０ｍのファイ
バの端でレーザの光を検出することができ、光学的結合
を確認することができた。
ニウムトリフレートの代わりに２−（３，４，５−トリ
メトキシスチリル）−４，６−（トリクロロメチル）−
１，３，５−トリアジンを用い実施例１と同様の検討を
行った。その結果、レーザを発振させ、１０ｍのファイ
バの端でレーザの光を検出することができ、光学的結合
を確認することができた。
【００２４】（実施例６）実施例１のジフェニルヨード
ニウムトリフレートの代わりに２−（４−メトキシナフ
チル）−４，６−（トリクロロメチル）−１，３，５−
トリアジンを用い実施例１と同様の検討を行った。その
結果、レーザを発振させ、１０ｍのファイバの端でレー
ザの光を検出することができ、光学的結合を確認するこ
とができた。
ニウムトリフレートの代わりに２−（４−メトキシナフ
チル）−４，６−（トリクロロメチル）−１，３，５−
トリアジンを用い実施例１と同様の検討を行った。その
結果、レーザを発振させ、１０ｍのファイバの端でレー
ザの光を検出することができ、光学的結合を確認するこ
とができた。
【００２５】（実施例７）実施例１のジフェニルヨード
ニウムトリフレートの代わりにＮ−トリフオロメチルス
ルホニルオキシナフタルイミドを用い実施例１と同様の
検討を行った。その結果、レーザを発振させ、１０ｍの
ファイバの端でレーザの光を検出することができ、光学
的結合を確認することができた。
ニウムトリフレートの代わりにＮ−トリフオロメチルス
ルホニルオキシナフタルイミドを用い実施例１と同様の
検討を行った。その結果、レーザを発振させ、１０ｍの
ファイバの端でレーザの光を検出することができ、光学
的結合を確認することができた。
【００２６】（実施例８）実施例１の２，２−ビス（４
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりにエポキシ当量１８９ｇ／eqのビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂（油化シェル製Ｅｐ８２８）を用い実
施例１と同様の検討を行った。その結果、レーザを発振
させ、１０ｍのファイバの端でレーザの光を検出するこ
とができ、光学的結合を確認することができた。
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりにエポキシ当量１８９ｇ／eqのビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂（油化シェル製Ｅｐ８２８）を用い実
施例１と同様の検討を行った。その結果、レーザを発振
させ、１０ｍのファイバの端でレーザの光を検出するこ
とができ、光学的結合を確認することができた。
【００２７】（実施例９）実施例１の２，２−ビス（４
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりにヘキサフルオロイソプロピリデンジフェノー
ルジアクリレート，ジフェニルヨードニウムトリフレー
トの代わりにtert−ブチルアントラキノンを用い実施例
１と同様の検討を行った。その結果、レーザを発振さ
せ、１０ｍのファイバの端でレーザの光を検出すること
ができ、光学的結合を確認することができた。
−グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
の代わりにヘキサフルオロイソプロピリデンジフェノー
ルジアクリレート，ジフェニルヨードニウムトリフレー
トの代わりにtert−ブチルアントラキノンを用い実施例
１と同様の検討を行った。その結果、レーザを発振さ
せ、１０ｍのファイバの端でレーザの光を検出すること
ができ、光学的結合を確認することができた。
【００２８】（実施例１０）実施例９のヘキサフルオロ
イソプロピリデンジフェノールジアクリレートの代わり
にオクタフルオロビフェノールジアクリレートを用い実
施例１と同様の検討を行った。その結果、レーザを発振
させ、１０ｍのファイバの端でレーザの光を検出するこ
とができ、光学的結合を確認することができた。
イソプロピリデンジフェノールジアクリレートの代わり
にオクタフルオロビフェノールジアクリレートを用い実
施例１と同様の検討を行った。その結果、レーザを発振
させ、１０ｍのファイバの端でレーザの光を検出するこ
とができ、光学的結合を確認することができた。
【００２９】（実施例１１）実施例９のヘキサフルオロ
イソプロピリデンジフェノールジアクリレートの代わり
にオクタフルオロ−１，６−ヘキサンジオールジアクリ
レートを用い実施例１と同様の検討を行った。その結
果、レーザを発振させ、１０ｍのファイバの端でレーザ
の光を検出することができ、光学的結合を確認すること
ができた。
イソプロピリデンジフェノールジアクリレートの代わり
にオクタフルオロ−１，６−ヘキサンジオールジアクリ
レートを用い実施例１と同様の検討を行った。その結
果、レーザを発振させ、１０ｍのファイバの端でレーザ
の光を検出することができ、光学的結合を確認すること
ができた。
【００３０】（実施例１２）実施例９のヘキサフルオロ
イソプロピリデンジフェノールジアクリレートの代わり
にテトラフルオロレゾルシンジアクリレートを用い実施
例１と同様の検討を行った。その結果、レーザを発振さ
せ、１０ｍのファイバの端でレーザの光を検出すること
ができ、光学的結合を確認することができた。
イソプロピリデンジフェノールジアクリレートの代わり
にテトラフルオロレゾルシンジアクリレートを用い実施
例１と同様の検討を行った。その結果、レーザを発振さ
せ、１０ｍのファイバの端でレーザの光を検出すること
ができ、光学的結合を確認することができた。
【００３１】（実施例１３）実施例９のヘキサフルオロ
イソプロピリデンジフェノールジアクリレートの代わり
にヘキサンジオールジアクリラートを用い実施例１と同
様の検討を行った。その結果、レーザを発振させ、１０
ｍのファイバの端でレーザの光を検出することができ、
光学的結合を確認することができた。
イソプロピリデンジフェノールジアクリレートの代わり
にヘキサンジオールジアクリラートを用い実施例１と同
様の検討を行った。その結果、レーザを発振させ、１０
ｍのファイバの端でレーザの光を検出することができ、
光学的結合を確認することができた。
【００３２】（比較例１）ジフェニルヨードニウムトリ
フレート添加しないこと以外は実施例１と同様の組成で
検討を行った。その結果、硬化が不十分で導波路形成は
できなかった。
フレート添加しないこと以外は実施例１と同様の組成で
検討を行った。その結果、硬化が不十分で導波路形成は
できなかった。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば光素子間の接合を高精度
でしかも容易に行うことができる。
でしかも容易に行うことができる。
【図１】本発明における光硬化による光部品接合法の説
明図。
明図。
１…レーザビーム、２…半導体レーザダイオード、３…
光硬化性溶液、４…光硬化により形成した導波路、５…
導波路、６…基板。
光硬化性溶液、４…光硬化により形成した導波路、５…
導波路、６…基板。
Claims (4)
- 【請求項１】ベース基板に搭載した複数の光学素子のベ
ース基板上での相対位置を検出し光走査制御装置に記憶
する工程と、光学部品を搭載した前記ベース基板をエポ
キシ基を含む化合物と、光酸発生剤とを必須成分とする
光硬化性溶液に浸漬する工程と、前記相対位置検出情報
に基づいてレーザ光を照射し、前記光硬化性溶液を硬化
させて前記光学素子を結ぶ光路を形成する工程とを含む
ことを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 【請求項２】前記エポキシ基を含む化合物が一般式化１ 【化１】 （ここでＡは一般式化２で表わされる） 【化２】 で示されるエポキシ基を含むフッ素化合物である光硬化
性溶液を用いる請求項１に記載の光モジュールの製造方
法。 - 【請求項３】ベース基板に搭載した複数の光学素子のベ
ース基板上での相対位置を検出し光走査制御装置に記憶
する工程と、光学部品を搭載した前記ベース基板をアク
リルもしくはメタクリルモノマと、光ラジカル発生剤と
を必須成分とする光硬化性溶液に浸漬する工程と、前記
相対位置検出情報に基づいてレーザ光を照射し、前記光
硬化性溶液を硬化させて前記光学素子を結ぶ光路を形す
る工程とを含むことを特徴とする光モジュールの製造方
法。 - 【請求項４】前記アクリルもしくはメタクリルモノマが
一般式化３ 【化３】 （ここでＸは水素，メチル、またはハロゲン、Ｂは一般
式化４で表わされる） 【化４】 で示されるフッ素を含むアクリルもしくはメタクリルモ
ノマである光硬化性溶液を用いる請求項３に記載の光モ
ジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8057188A JPH09243869A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 光モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8057188A JPH09243869A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 光モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09243869A true JPH09243869A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13048525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8057188A Pending JPH09243869A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 光モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09243869A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003315608A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 光部品接合部の光伝送路の結合方法 |
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-
1996
- 1996-03-14 JP JP8057188A patent/JPH09243869A/ja active Pending
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| US11143966B2 (en) | 2016-08-05 | 2021-10-12 | Karlsruhe Institute Of Technology | Method and device for lithographically producing a target structure on a non-planar initial structure |
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| US11686999B2 (en) * | 2017-12-05 | 2023-06-27 | Osram Oled Gmbh | Method for producing a radiation-emitting component, and radiation-emitting component |
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