JPH09232727A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

配線基板の製造方法

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JPH09232727A
JPH09232727A JP3608096A JP3608096A JPH09232727A JP H09232727 A JPH09232727 A JP H09232727A JP 3608096 A JP3608096 A JP 3608096A JP 3608096 A JP3608096 A JP 3608096A JP H09232727 A JPH09232727 A JP H09232727A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】配線導体を有する絶縁基体に外力印加によって
欠けや割れが発生する。 【解決手段】熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを
混合した絶縁基体１となる前駆体シート１１ａ、１１
ｂ、１１ｃを準備する工程と、前記前駆体シート１１
ａ、１１ｂ、１１ｃに、熱硬化性樹脂前駆体と表面が融
点３００℃以下の低融点金属で被覆された銅粉末もしく
は銀粉末とを混合した配線導体２となる金属ペースト１
２を所定パターンに印刷する工程と、前記金属ペースト
１２が印刷された前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃ
を熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末を低融点金属で接合
させるとともに、前記前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１
１ｃの熱硬化性樹脂前駆体と金属ペースト１２の熱硬化
性樹脂前駆体とを熱硬化させる工程と、から成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路
基板等に用いられる配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にか
けて導出されたタングステン、モリブデン等の高融点金
属粉末から成る配線導体とから構成されており、前記絶
縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材
等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の
各電極を例えばボンディングワイヤ等の電気的接続手段
を介して配線導体に電気的に接続し、しかる後、前記絶
縁基体の上面に、金属やセラミックス等から成る蓋体を
絶縁基体の凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ材
等の封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半導
体素子を気密に収容することによって製品としての半導
体装置となり、配線導体の絶縁基体下面に導出した部位
を外部電気回路基板の配線導体に接続することによって
半導体素子の各電極が外部電気回路基板に電気的に接続
されることとなる。
【０００３】尚、前記配線基板は一般に、セラミックグ
リーンシート積層法によって製作されており、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用してシート
状とすることによって複数のセラミックグリーンシート
を得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペー
ストを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミッ
クグリーンシートを所定の順に上下に積層して生セラミ
ック成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元
雰囲気中約１６００℃の高温で焼成することによって製
作される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、セラミック生成形体を焼成す
る際、セラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
し、得られる配線基板に反り等の変形や寸法のばらつき
が発生し、その結果、半導体素子の各電極と配線導体と
を、或いは配線導体と外部電気回路基板の配線導体とを
正確、且つ確実に電気的に接続することが困難であると
いう欠点を有していた。
【０００５】また得られる配線基板は、絶縁基体を構成
する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスが硬く
て脆い性質を有するため、搬送工程や半導体装置製作の
自動ライン等において配線基板同士が、あるいは配線基
板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝突す
ると絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生し、その
結果、半導体素子を気密に収容することができず、半導
体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなるという欠点も有していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の絶縁基体に所定
パターンの配線導体を被着させた配線基板の製造方法
は、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合した
絶縁基体となる前駆体シートを準備する工程と、前記前
駆体シートに、熱硬化性樹脂前駆体と表面が融点３００
℃以下の低融点金属で被覆された銅粉末もしくは銀粉末
とを混合した配線導体となる金属ペーストを所定パター
ンに印刷する工程と、前記金属ペーストが印刷された前
駆体シートを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末を低融点
金属で接合させるとともに、前記前駆体シートの熱硬化
性樹脂前駆体と金属ペーストの熱硬化性樹脂前駆体とを
熱硬化させて一体化させる工程と、から成ることを特徴
とするものである。
【０００７】また、本発明の製造方法は、前記金属ペー
ストの熱硬化性樹脂前駆体が導電性であることを特徴と
するものである。
【０００８】更に、本発明の製造方法は、前記金属ペー
スト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キレート剤、オ
キシジカルボン酸またはアミノジカルボン酸及びそれら
の金属塩のうちの少なくとも１種が含有されていること
を特徴とするものである。
【０００９】また更に、本発明の製造方法は、前記金属
ペースト中に無溶剤型希釈剤が含有されていることを特
徴とするものである。
【００１０】本発明の配線基板の製造方法によれば、配
線導体が被着される絶縁基体を熱硬化性樹脂前駆体と無
機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを熱硬化さ
せることによって形成しており、絶縁基体を得る際に焼
成工程がないことから焼成に伴う不均一な収縮による変
形や寸法のばらつきが発生することはない。
【００１１】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末
を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面に被着している低融
点金属で接合させることによって配線導体を形成してお
り、銅粉末もしくは銀粉末間の接合が低融点金属で確実
となり、その結果、配線導体の電気抵抗を低抵抗となす
ことができる。
【００１２】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペーストに使用される熱硬化性樹脂前駆体を導
電性としておくと銅粉末もしくは銀粉末を低融点金属で
接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させ
て配線導体となす際、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接
続がより確実となり、配線導体の電気抵抗をより低抵抗
となすことができる。
【００１３】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペースト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも１種を含有さ
せておくと金属ペーストを熱処理して配線導体となす
際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆している低融点
金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結果、銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
【００１４】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペースト中に無溶剤型希釈剤を含有させておく
と、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末を
低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体
を熱硬化させて配線導体となす際、熱硬化性樹脂前駆体
の粘度が下がり、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆し
ている低融点金属の溶融、流動が容易となって銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
【００１５】更に、本発明の製造方法によって得られる
配線基板は、絶縁基体が無機絶縁物粉末を靱性に優れる
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されているこ
とから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作
自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠け
や割れ、クラック等が発生することはない。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明の製造方法によって製作さ
れる配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合の一実施例を示し、１は絶縁
基体、２は配線導体である。
【００１８】前記絶縁基体１は、三枚の絶縁基板１ａ、
１ｂ、１ｃを積層することによって形成されており、そ
の上面中央部に半導体素子を収容するための凹部１ｄを
有し、該凹部１ｄの底面には半導体素子３が樹脂等の接
着剤を介して接着固定される。
【００１９】前記絶縁基体１を構成する絶縁基板１ａ、
１ｂ、１ｃは、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、ゼオラ
イト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂，ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂で結
合することによって形成されており、絶縁基体１を構成
する三枚の絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃはその各々が無機
絶縁物粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂で結合すること
によって形成されていることから絶縁基体１に外力が印
加されても該外力によって絶縁基体１に欠けや割れ、ク
ラック等が発生することはない。
【００２０】尚、前記無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で
結合して成る絶縁基体１を構成する三枚の絶縁基板１
ａ、１ｂ、１ｃは、無機絶縁物粉末の含有量が６０重量
％未満であると絶縁基体１の熱膨張係数が半導体素子３
の熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子３が作
動時に熱を発し、該熱が半導体素子３と絶縁基体１の両
者に印加されると、両者間に両者の熱膨張係数の相違に
起因する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によ
って半導体素子３が絶縁基体１から剥離したり、半導体
素子３に割れや欠け等が発生する危険性がある。また９
５重量％を越えると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完
全に結合させることができず、所定の絶縁基板１ａ、１
ｂ、１ｃを得ることが困難となる。従って、前記絶縁基
体１を構成する絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃは、その各々
の内部に含有される無機絶縁物粉末の量を６０乃至９５
重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００２１】また前記絶縁基体１は、その凹部１ｄ周辺
から下面にかけて配線導体２が被着形成されており、該
配線導体２は銅もしくは銀粉末を融点が３００℃以下の
低融点金属、例えば半田で接合させたものを熱硬化性樹
脂を介し絶縁基体１に接着させて形成されている。
【００２２】前記配線導体２は、内部に収容する半導体
素子３の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用
を為し、絶縁基体１の凹部１ｄ周辺に位置する部位には
半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ４を介して
電気的に接続され、また絶縁基体１の下面に導出された
部位は外部電気回路に電気的に接続される。
【００２３】前記配線導体２はまた銅粉末もしくは銀粉
末を融点が３００℃以下の低融点金属で接合することに
よって形成されており、銅粉末もしくは銀粉末間の電気
的接続を確実として配線導体２の電気抵抗を低抵抗とな
すことができる。
【００２４】尚、前記配線導体２は、その露出する表面
にニッケル、金等の耐食性に優れ、かつ良導電性の金属
をメッキ法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに層着
させておくと配線導体２の酸化腐食を有効に防止するこ
とができるとともに配線導体２とボンディングワイヤ４
とを強固に電気的に接続させることができる。従って前
記配線導体２は、その露出する表面にニッケルや金等の
耐食性に優れ、且つ良導電性の金属をメッキ法により
１．０乃至２０．０μｍの厚みに層着させておくことが
好ましい。
【００２５】かくして本発明の配線基板によれば、絶縁
基体１の凹部１ｄ底面に半導体素子３を樹脂等の接着剤
を介して接着固定するとともに半導体素子３の各電極を
ボンディングワイヤ４を介して配線導体２に電気的に接
続し、最後に前記絶縁基体１の上面に蓋体５を樹脂等か
ら成る封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体５と
から成る容器内部に半導体素子３を気密に収容すること
により製品としての半導体装置が完成する。
【００２６】次に前記半導体素子収納用パッケージに使
用される配線基板の製造方法について図２に基づき説明
する。
【００２７】先ず、図２（ａ）に示すように三枚の前駆
体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃを準備する。
【００２８】前記三枚の前駆体シート１１ａ、１１ｂ、
１１ｃは、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニ
ウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、ゼオライト等の無
機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂，ポリフ
ェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂前駆体で結合す
ることによって形成されており、例えば、粒径が０．１
μｍ〜１００μｍ程度の酸化珪素粉末にビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシ
ジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミ
ン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤
等の硬化剤を添加混合してペースト状となし、しかる
後、このペーストをシート状になすとともに約２５〜１
００℃の温度で１〜６０分間加熱し、半硬化させること
によって製作される。
【００２９】次に図２（ｂ）に示すように前記三枚の前
駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃのうち二枚の前駆体
シート１１ａ、１１ｂに半導体素子３を収容する凹部１
ｄとなる開口Ａ、Ａ’を、二枚の前駆体シート１１ｂ、
１１ｃに配線導体２を引き回すための貫通孔Ｂ、Ｂ’を
各々形成する。
【００３０】前記開口Ａ、Ａ’及び貫通孔Ｂ、Ｂ’は、
前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃに従来周知のパン
チング加工法を施し、前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１
１ｃの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成
される。
【００３１】次に図２（ｃ）に示すように、前記前駆体
シート１１ｂ、１１ｃの上下面及び貫通孔Ｂ、Ｂ’内に
配線導体２となる金属ペースト１２を従来周知のスクリ
ーン印刷法及び充填法を採用して所定パターンに印刷塗
布する。
【００３２】前記配線導体２となる金属ペースト１２と
しては、例えば、粒径が０．１〜２０μｍ程度の表面が
融点３００℃以下の低融点金属で被覆されている銅粉末
もしくは銀粉末と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、
ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミゾ
ール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合
し、ペースト状となしたものが使用される。
【００３３】尚、前記金属ペースト１２の銅粉末もしく
は銀粉末の表面を被覆する融点３００℃以下の低融点金
属としては、例えば錫ー鉛から成る半田が使用されてお
り、且つ前記金属ペースト１２に含有される表面が融点
３００℃以下の低融点金属で被覆されている銅粉末もし
くは銀粉末は、その平均粒径が０．１μｍ未満となると
銅粉末もしくは銀粉末が凝集して均一な分散が得られな
くなり、また５０μｍを越えると配線導体２の幅を一般
的に要求される５０μｍ〜２００μｍの範囲に印刷形成
するのが困難となる傾向にある。従って、前記金属ペー
スト１２に含有される表面が融点３００℃以下の低融点
金属で被覆されている銅粉末もしくは銀粉末はその平均
粒径を０．１μｍ乃至５０μｍの範囲としておくことが
好ましい。
【００３４】そして最後に前記三枚の半硬化された前駆
体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃを上下に積層するとと
もにこれを約３００℃の温度で約１０秒〜２４時間加熱
し、前駆体シート１１ｂ、１１ｃに所定パターンに印刷
塗布された金属ペースト１２の銅粉末もしくは銀粉末の
表面を被覆している低融点金属を溶融させ、該溶融した
低融点金属で銅粉末もしくは銀粉末を接合させるととも
に前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃの熱硬化性樹脂
前駆体と金属ペースト１２の熱硬化性樹脂前駆体とを完
全に熱硬化させ、一体化させることによって図１に示す
ような絶縁基体１に配線導体２を被着させた配線基板が
完成する。この場合、熱処理温度が３００℃であること
から前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃの熱硬化性樹
脂を熱分解させることなく低融点金属を溶融させ、銅粉
末もしくは銀粉末を低融点金属で接合させることができ
る。また前記前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び
金属ペースト１２は、熱硬化時に収縮することは殆どな
く、従って、得られる配線基板に変形や寸法のばらつき
が発生することも有効に防止されて半導体素子と配線導
体とを正確に接続することが可能となる。
【００３５】更に金属ペースト１２を熱処理することに
よって形成される配線導体２は融点が３００℃以下の低
融点金属で銅粉末もしくは銀粉末間を接合していること
から銅粉末もしくは銀粉末間の電気的接続が確実とな
り、配線導体２の電気抵抗を低抵抗となすことができ
る。
【００３６】また更に、前記配線導体２となる金属ペー
スト１２はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やノボラッ
ク型エポキシ樹脂等に替えて導電性ポリピロール樹脂や
ポリパラフェニレン樹脂、ポリアニリン樹脂等の導電性
樹脂を使用すると、金属ペースト１２を熱処理し、銅粉
末もしくは銀粉末間を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面
を被覆している融点が３００℃以下の低融点金属で接合
するとともに熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させて配線導
体２となす際、低融点金属による銅粉末もしくは銀粉末
間の接合に一部不完全なところがあったとしてもその不
完全な部分は導電性の樹脂による電気的接続で補充さ
れ、その結果、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接続がよ
り確実となり、配線導体２の電気抵抗をより低抵抗とな
すことができる。
【００３７】更にまた、前記配線導体２となる金属ペー
スト１２はその内部に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも１種を含有さ
せておくと金属ペースト１２を熱処理して配線導体２と
形成する際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆してい
る低融点金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結
果、銅粉末もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合
が良好となり、配線導体２の電気抵抗を低抵抗となすこ
とができる。尚、この場合、脂肪酸またはその金属塩、
金属キレート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカ
ルボン酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも１種は
その含有量が金属ペースト１２の全重量に対し１．０重
量％を越えると、該脂肪酸またはその金属塩、金属キレ
ート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン酸
及びそれらの金属塩が配線導体２中に大量に残留して配
線導体２の電気抵抗が高いものとなる危険性があり、ま
た０．０１重量％未満となると低融点金属の溶融、流れ
出しを速く起こすことができず、銅粉末もしくは銀粉末
間の低融点金属を介しての接合を良好とすることが困難
となる危険性がある。
【００３８】従って、金属ペースト１２中に含有される
脂肪酸またはその金属塩、金属キレート剤、オキシジカ
ルボン酸またはアミノジカルボン酸及びそれらの金属塩
のうちの少なくとも１種はその含有量が金属ペースト１
２の全重量に対し０．０１重量％乃至１．０重量％の範
囲としておくことが好ましい。
【００３９】前記配線導体２となる金属ペースト１２は
またその内部に無溶剤型希釈剤、具体的にはＯートルイ
ジンやアニリン等のグリシジルアミンを含有させておく
と、金属ペースト１２を熱処理し、銅粉末もしくは銀粉
末を低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前
駆体を熱硬化させて配線導体２となす際、熱硬化性樹脂
前駆体の粘度を下げ、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被
覆している低融点金属の溶融、流動を容易として銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介しての接合が良好と
なり、配線導体２の電気抵抗を低抵抗となすことができ
る。この無溶剤型希釈剤は金属ペースト１２の全重量に
対し１０重量％を越えると配線導体２の強度が低いもの
となるとともに配線導体２と絶縁基板１ｂ、１ｃとの密
着性が悪いものとなり、配線導体２が絶縁基板１ｂ、１
ｃから剥離してしまう危険性があり、また０．１重量％
未満となると、金属ペースト１２の粘度を十分に低下さ
せることができず、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆
している低融点金属の溶融、流動を容易として銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介しての接合を良好とす
ることが困難となる危険性がある。従って、金属ペース
ト１２中に含有される無溶剤型希釈剤は金属ペースト１
２の全重量に対し０．１重量％乃至１０重量％の範囲と
しておくことが好ましい。
【００４０】また前記配線導体２となる金属ペースト１
２は銅粉末もしくは銀粉末と、融点が３００℃以下の低
融点金属の合計重量が金属ペースト１２の全重量に対
し、７０重量％未満となると銅粉末もしくは銀粉末と低
融点金属との接合が不完全となる危険性があり、また９
５重量％を越えると熱硬化性樹脂で配線導体２を絶縁基
体１に強固に接着させるのが困難となるとともに配線導
体２が脆弱となる傾向にある。従って、前記金属ペース
ト１２に含有される銅粉末もしくは銀粉末と、低融点金
属の合計重量は金属ペースト１２の全重量に対し７０重
量％乃至９５重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４１】更に前記金属ペースト１２に含有される銅
粉末もしくは銀粉末と、融点が３００℃以下の低融点金
属は、銅粉末もしくは銀粉末の量が該銅粉末もしくは銀
粉末と融点が３００℃以下の低融点金属の合計重量に対
し２０重量％未満となると銅粉末もしくは銀粉末に対し
て低融点金属が多くなり、低融点金属同士が溶融し合っ
て銅粉末もしくは銀粉末を取り込んだ一体化が困難とな
って配線導体２の電気抵抗値が高くなる傾向にあり、ま
た８０重量％を越えると銅粉末もしくは銀粉末を接合さ
せる低融点金属の量が相対的に少なくなり、銅粉末もし
くは銀粉末を完全に接合させることができず配線導体２
の電気抵抗値が高くなってしまう傾向にある。従って、
前記配線導体２となる金属ぺースト１２に含有される銅
粉末もしくは銀粉末は、該銅粉末もしくは銀粉末と融点
が３００℃以下の低融点金属の合計重量に対し２０重量
％乃至８０重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４２】尚、本発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例で
は、本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合を例に採って説明し
たが、例えば混成集積回路等他の用途に使用される配線
基板に適用してもよい。
【００４３】また、上述の実施例では、三枚の前駆体シ
ートを積層することによって配線基板を製作したが、一
枚や二枚、あるいは四枚以上の前駆体シートを使用して
配線基板を製作してもよい。
【００４４】
【発明の効果】本発明の配線基板の製造方法によれば、
配線導体が被着される絶縁基体を熱硬化性樹脂前駆体と
無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを熱硬化
させることによって形成しており、絶縁基体を得る際に
焼成工程がないことから焼成に伴う不均一な収縮による
変形や寸法のばらつきが発生することはない。
【００４５】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末
を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面に被着している低融
点金属で接合させることによって配線導体を形成してお
り、銅粉末もしくは銀粉末間の接合が低融点金属で確実
となり、その結果、配線導体の電気抵抗を低抵抗となす
ことができる。
【００４６】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペーストに使用される熱硬化性樹脂前駆体を導
電性としておくと銅粉末もしくは銀粉末を低融点金属で
接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させ
て配線導体となす際、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接
続がより確実となり、配線導体の電気抵抗をより低抵抗
となすことができる。
【００４７】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペースト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも１種を含有さ
せておくと金属ペーストを熱処理して配線導体となす
際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆している低融点
金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結果、銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
【００４８】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペースト中に無溶剤型希釈剤を含有させておく
と、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末を
低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体
を熱硬化させて配線導体となす際、熱硬化性樹脂前駆体
の粘度が下がり、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆し
ている低融点金属の溶融、流動が容易となって銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
【００４９】更に、本発明の製造方法によって得られる
配線基板は、絶縁基体が無機絶縁物粉末を靱性に優れる
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されているこ
とから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作
自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠け
や割れ、クラック等が発生することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法によって製作される配線基板
を半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施
例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板の製造方法を説明するための
図である。
【符号の説明】
１・・・絶縁基体 ２・・・配線導体 １１・・・前駆体シート １２・・・金属ペースト
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを
    混合した絶縁基体となる前駆体シートを準備する工程
    と、前記前駆体シートに、熱硬化性樹脂前駆体と表面が
    融点３００℃以下の低融点金属で被覆された銅粉末もし
    くは銀粉末とを混合した配線導体となる金属ペーストを
    所定パターンに印刷する工程と、前記金属ペーストが印
    刷された前駆体シートを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉
    末を低融点金属で接合させるとともに、前記前駆体シー
    トの熱硬化性樹脂前駆体と金属ペーストの熱硬化性樹脂
    前駆体とを熱硬化させて一体化させる工程と、から成る
    絶縁基体に所定パターンの配線導体を被着させた配線基
    板の製造方法。
  2. 【請求項２】前記金属ペーストの熱硬化性樹脂前駆体が
    導電性であることを特徴とする請求項１に記載の配線基
    板の製造方法。
  3. 【請求項３】前記金属ペースト中に脂肪酸またはその金
    属塩、金属キレート剤、オキシジカルボン酸またはアミ
    ノジカルボン酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも
    １種が含有されていることを特徴とする請求項１もしく
    は請求項２に記載の配線基板の製造方法。
  4. 【請求項４】前記金属ペースト中に無溶剤型希釈剤が含
    有されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３に
    記載の配線基板の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166590A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 配線の製造方法とそれに用いる導電性インク
JP2009147121A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Mitsubishi Paper Mills Ltd 導電性部材の製造方法および導電性部材
WO2021193736A1 (ja) * 2020-03-26 2021-09-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166590A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 配線の製造方法とそれに用いる導電性インク
JP2009147121A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Mitsubishi Paper Mills Ltd 導電性部材の製造方法および導電性部材
WO2021193736A1 (ja) * 2020-03-26 2021-09-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト
JP2021158112A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト
CN115175777A (zh) * 2020-03-26 2022-10-11 同和电子科技有限公司 银粉和其制造方法、以及导电性糊剂
US11819914B2 (en) 2020-03-26 2023-11-21 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Silver powder, method for producing the same, and conductive paste

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