JPH09232320A - バンプ電極形成方法 - Google Patents
バンプ電極形成方法Info
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- JPH09232320A JPH09232320A JP8037725A JP3772596A JPH09232320A JP H09232320 A JPH09232320 A JP H09232320A JP 8037725 A JP8037725 A JP 8037725A JP 3772596 A JP3772596 A JP 3772596A JP H09232320 A JPH09232320 A JP H09232320A
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の電極パッドの幅より小さいバン
プ電極を形成することはできなかった。 【解決手段】 形成した球状部８を金属板９により挟み
込み、変形させることにより、目的とする形状を有した
変形部１０を形成する。この場合、金属板９の温度を金
属細線７の溶融温度程度に加熱することで、球状部８を
変形させやすくすることができるとともに、後工程の半
導体素子の電極パッドに押圧した際に、電極パッド上に
接合できる状態を形成する。そして形成した変形部１０
を半導体素子１１上の電極パッド１２上に押し付け、金
属細線７とその変形部１０とを切断した後、その変形部
１０を成形治具等により平坦化成形し、バンプ電極１３
を形成する。
プ電極を形成することはできなかった。 【解決手段】 形成した球状部８を金属板９により挟み
込み、変形させることにより、目的とする形状を有した
変形部１０を形成する。この場合、金属板９の温度を金
属細線７の溶融温度程度に加熱することで、球状部８を
変形させやすくすることができるとともに、後工程の半
導体素子の電極パッドに押圧した際に、電極パッド上に
接合できる状態を形成する。そして形成した変形部１０
を半導体素子１１上の電極パッド１２上に押し付け、金
属細線７とその変形部１０とを切断した後、その変形部
１０を成形治具等により平坦化成形し、バンプ電極１３
を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の電極
パッド上に突起電極を形成するバンプ電極形成方法に関
するものである。
パッド上に突起電極を形成するバンプ電極形成方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板と半導体素子との接合におい
て、半導体素子上の電極パッド上にバンプ電極を形成
し、そのバンプ電極を介して基板の配線電極と接合す
る、いわゆるフリップチップ接合が普及している。
て、半導体素子上の電極パッド上にバンプ電極を形成
し、そのバンプ電極を介して基板の配線電極と接合す
る、いわゆるフリップチップ接合が普及している。
【０００３】従来のバンプ形成方法について、図面を参
照しながら説明する。図６〜図８は、従来のバンプ形成
方法を示す工程図である。また図９は、形成したバンプ
電極によるフリップチップ実装を示す断面図である。
照しながら説明する。図６〜図８は、従来のバンプ形成
方法を示す工程図である。また図９は、形成したバンプ
電極によるフリップチップ実装を示す断面図である。
【０００４】図６に示すように、ワイヤーボンディング
法、いわゆるネイルヘッドボンディングにより、まずキ
ャピラリの先端部に金（Ａｕ）等の溶融金属からなる金
属細線１の球状部２を加熱形成する。
法、いわゆるネイルヘッドボンディングにより、まずキ
ャピラリの先端部に金（Ａｕ）等の溶融金属からなる金
属細線１の球状部２を加熱形成する。
【０００５】次に図７に示すように、形成した球状部２
を半導体素子３上の電極パッド４上に押し付け、金属細
線１とその球状部２とを切断する。
を半導体素子３上の電極パッド４上に押し付け、金属細
線１とその球状部２とを切断する。
【０００６】そして図８に示すように、電極パッド４上
に押圧形成した球状部２を成形治具等により成形し、バ
ンプ電極５を形成する。
に押圧形成した球状部２を成形治具等により成形し、バ
ンプ電極５を形成する。
【０００７】以上のように半導体素子３上の電極パッド
４上に形成したバンプ電極５を用いて、図９に示すよう
に、回路構成された基板６にフェースダウンで接合する
ことにより、半導体素子／基板のフリップチップ実装を
形成するものである。
４上に形成したバンプ電極５を用いて、図９に示すよう
に、回路構成された基板６にフェースダウンで接合する
ことにより、半導体素子／基板のフリップチップ実装を
形成するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように半導体素子３上の電極パッド４上に金属細線１の
球状部２を押圧して、バンプ電極５を形成した場合、球
状部２の大きさを制御することは非常に困難であり、電
極パッド４の幅より小さいバンプ電極５を形成すること
はできなかった。すなわち、球状部２を押圧してバンプ
電極を形成するため、球状部２が拡がり、電極パッド４
の幅より小さくすることはできず、今後、微細化の方向
にある半導体素子の電極パッド間隔に対応できないとい
う課題があった。
ように半導体素子３上の電極パッド４上に金属細線１の
球状部２を押圧して、バンプ電極５を形成した場合、球
状部２の大きさを制御することは非常に困難であり、電
極パッド４の幅より小さいバンプ電極５を形成すること
はできなかった。すなわち、球状部２を押圧してバンプ
電極を形成するため、球状部２が拡がり、電極パッド４
の幅より小さくすることはできず、今後、微細化の方向
にある半導体素子の電極パッド間隔に対応できないとい
う課題があった。
【０００９】本発明はこのような従来の課題を解決する
もので、バンプ電極の大きさを制御して、半導体素子の
微細化に対応することができるバンプ電極形成方法を提
供することを目的とする。
もので、バンプ電極の大きさを制御して、半導体素子の
微細化に対応することができるバンプ電極形成方法を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】従来のような課題を解決
するために、本発明のバンプ電極形成方法は、金属細線
の先端部に球状部を形成する工程と、その球状部を治具
により成形して、球状部を所望の形状に変形させて、変
形部を形成する工程と、形成した変形部を半導体素子上
の電極パッド上に押し付け、金属細線と変形部とを切断
する工程とを有するものである。そして球状部を所望の
形状に変形させる治具を金属細線の溶融温度よりも低い
温度に加熱し、球状部を変形させやすくするものであ
り、また一例としては、球状部を平板型に変形させるも
のである。
するために、本発明のバンプ電極形成方法は、金属細線
の先端部に球状部を形成する工程と、その球状部を治具
により成形して、球状部を所望の形状に変形させて、変
形部を形成する工程と、形成した変形部を半導体素子上
の電極パッド上に押し付け、金属細線と変形部とを切断
する工程とを有するものである。そして球状部を所望の
形状に変形させる治具を金属細線の溶融温度よりも低い
温度に加熱し、球状部を変形させやすくするものであ
り、また一例としては、球状部を平板型に変形させるも
のである。
【００１１】
【発明の実施の形態】前記手段により、球状部を半導体
素子上の電極パッド上に押圧形成する前に、球状部を治
具により成形して、球状部を所望の形状に変形させて、
変形部を形成するので、電極パッドの幅以下にバンプ電
極を形成することができ、電極パッドからバンプ電極が
はみ出すことはなく、基板と半導体素子とを接合した場
合の接合の安定性を確保することができる。また半導体
素子の電極パッドの配置が緻密化した場合でも対応する
ことができる。
素子上の電極パッド上に押圧形成する前に、球状部を治
具により成形して、球状部を所望の形状に変形させて、
変形部を形成するので、電極パッドの幅以下にバンプ電
極を形成することができ、電極パッドからバンプ電極が
はみ出すことはなく、基板と半導体素子とを接合した場
合の接合の安定性を確保することができる。また半導体
素子の電極パッドの配置が緻密化した場合でも対応する
ことができる。
【００１２】以下、本発明の一実施形態について図面を
参照しながら説明する。図１〜図４は、本実施形態のバ
ンプ電極形成方法を示す工程図である。図５は、形成し
たバンプ電極によるフリップチップ実装を示す断面図で
ある。
参照しながら説明する。図１〜図４は、本実施形態のバ
ンプ電極形成方法を示す工程図である。図５は、形成し
たバンプ電極によるフリップチップ実装を示す断面図で
ある。
【００１３】図１に示すように、ワイヤーボンディング
法、いわゆるネイルヘッドボンディングにより、まずキ
ャピラリの先端部に金（Ａｕ）等の溶融金属からなる金
属細線７の球状部８（ボール）を加熱形成する。
法、いわゆるネイルヘッドボンディングにより、まずキ
ャピラリの先端部に金（Ａｕ）等の溶融金属からなる金
属細線７の球状部８（ボール）を加熱形成する。
【００１４】次に図２に示すように、形成した球状部８
を金属板９により挟み込み、変形させることにより、目
的とする形状を有した変形部１０を形成する。この場
合、金属板９の温度を金属細線７の溶融温度程度に加熱
することで、球状部８を変形させやすくすることができ
るとともに、後工程の半導体素子の電極パッドに押圧し
た際に、電極パッド上に接合できる状態を形成する。た
だし、ここで金属板９の加熱温度を金属細線７の溶融温
度以上にすると、球状部８が再度、溶融してしまい、金
属板９で変形させても元の球状にもどってしまうので、
温度設定には注意を要し、金属細線７の溶融温度よりも
低い温度に設定する。なお、変形部１０の形状は、平板
型としており、半導体素子上の電極パッドに変形部１０
を押圧してバンプ電極とした場合に、そのバンプ電極の
拡がりを抑制できる形状としている。
を金属板９により挟み込み、変形させることにより、目
的とする形状を有した変形部１０を形成する。この場
合、金属板９の温度を金属細線７の溶融温度程度に加熱
することで、球状部８を変形させやすくすることができ
るとともに、後工程の半導体素子の電極パッドに押圧し
た際に、電極パッド上に接合できる状態を形成する。た
だし、ここで金属板９の加熱温度を金属細線７の溶融温
度以上にすると、球状部８が再度、溶融してしまい、金
属板９で変形させても元の球状にもどってしまうので、
温度設定には注意を要し、金属細線７の溶融温度よりも
低い温度に設定する。なお、変形部１０の形状は、平板
型としており、半導体素子上の電極パッドに変形部１０
を押圧してバンプ電極とした場合に、そのバンプ電極の
拡がりを抑制できる形状としている。
【００１５】次に図３に示すように、形成した変形部１
０を半導体素子１１上の電極パッド１２上に押し付け、
金属細線７とその変形部１０とを切断する。
０を半導体素子１１上の電極パッド１２上に押し付け、
金属細線７とその変形部１０とを切断する。
【００１６】そして図４に示すように、電極パッド１２
上に押圧形成した変形部１０を成形治具等により平坦化
成形し、バンプ電極１３を形成する。
上に押圧形成した変形部１０を成形治具等により平坦化
成形し、バンプ電極１３を形成する。
【００１７】以上のように半導体素子１１上の電極パッ
ド１２上に形成したバンプ電極１３を用いて、図５に示
すように、回路構成された基板１４にフェースダウンで
接合することにより、半導体素子／基板のフリップチッ
プ実装を形成する。
ド１２上に形成したバンプ電極１３を用いて、図５に示
すように、回路構成された基板１４にフェースダウンで
接合することにより、半導体素子／基板のフリップチッ
プ実装を形成する。
【００１８】本実施形態で示したバンプ電極形成方法に
おいて、金属板９により球状部８を変形させる場合、そ
の変形形状は、図示したような平板型でなくとも、くさ
び型、角錐型等の形状にしてもよく、形状の変更は金属
板９の形状を変えることで可能であり、半導体素子上の
ボンディングパッド形状、配置、大きさ等に合わせて、
適宜設定することができる。また金属板９の表面には、
金属細線７の材料との離型性を向上させるため、別材料
を形成することが望ましく、その材料は金属細線７の材
料により適宜設定する。
おいて、金属板９により球状部８を変形させる場合、そ
の変形形状は、図示したような平板型でなくとも、くさ
び型、角錐型等の形状にしてもよく、形状の変更は金属
板９の形状を変えることで可能であり、半導体素子上の
ボンディングパッド形状、配置、大きさ等に合わせて、
適宜設定することができる。また金属板９の表面には、
金属細線７の材料との離型性を向上させるため、別材料
を形成することが望ましく、その材料は金属細線７の材
料により適宜設定する。
【００１９】以上、本実施形態に示したように、金属細
線７の先端部に形成した球状部８を電極パッド１２に押
圧形成する前に、球状部８を変形させることにより、電
極パッド１２の幅以下にバンプ電極を形成することがで
きる。
線７の先端部に形成した球状部８を電極パッド１２に押
圧形成する前に、球状部８を変形させることにより、電
極パッド１２の幅以下にバンプ電極を形成することがで
きる。
【００２０】
【発明の効果】以上、本発明は金属細線の先端部に形成
した球状部を電極パッドに押圧形成する前に、金属板等
により球状部を変形させることにより、電極パッドの幅
以下にバンプ電極を形成することができ、電極パッドか
らバンプ電極がはみ出すことはなく、基板と半導体素子
とを接合した場合の接合の安定性を確保することができ
る。また半導体素子の電極パッドの配置が緻密化した場
合でも対応することができ、フリップチップ実装の小型
化に対応できるという効果を奏する。
した球状部を電極パッドに押圧形成する前に、金属板等
により球状部を変形させることにより、電極パッドの幅
以下にバンプ電極を形成することができ、電極パッドか
らバンプ電極がはみ出すことはなく、基板と半導体素子
とを接合した場合の接合の安定性を確保することができ
る。また半導体素子の電極パッドの配置が緻密化した場
合でも対応することができ、フリップチップ実装の小型
化に対応できるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施形態のバンプ電極形成方法を示
す工程図
す工程図
【図２】本発明の一実施形態のバンプ電極形成方法を示
す工程図
す工程図
【図３】本発明の一実施形態のバンプ電極形成方法を示
す工程図
す工程図
【図４】本発明の一実施形態のバンプ電極形成方法を示
す工程図
す工程図
【図５】本発明の一実施形態のフリップチップ実装を示
す断面図
す断面図
【図６】従来のバンプ電極形成方法を示す工程図
【図７】従来のバンプ電極形成方法を示す工程図
【図８】従来のバンプ電極形成方法を示す工程図
【図９】従来のフリップチップ実装を示す断面図
１，７ 金属細線 ２，８ 球状部 ３，１１ 半導体素子 ４，１２ 電極パッド ５，１３ バンプ電極 ６，１４ 基板 ９ 金属板 １０ 変形部
Claims (4)
- 【請求項１】金属細線の先端部に球状部を形成する工程
と、前記球状部を治具により成形して、前記球状部を所
望の形状に変形させて、変形部を形成する工程と、前記
変形部を半導体素子上の電極パッド上に押し付け、前記
金属細線と前記変形部とを切断する工程とよりなること
を特徴とするバンプ電極形成方法。 - 【請求項２】金属細線の先端部に球状部を形成する工程
と、前記球状部を治具により挟み込んで成形し、前記球
状部を所望の形状に変形させて、変形部を形成する工程
と、前記変形部を半導体素子上の電極パッド上に押し付
け、前記金属細線と前記変形部とを切断する工程と、前
記電極パッド上に押圧形成した変形部の上部を成形治具
により平坦成形する工程とよりなることを特徴とするバ
ンプ電極形成方法。 - 【請求項３】球状部を所望の形状に変形させる治具を金
属細線の溶融温度よりも低い温度に加熱し、前記球状部
を変形させやすくすることを特徴とする請求項１または
請求項２記載のバンプ電極形成方法。 - 【請求項４】球状部を平板型に変形させることを特徴と
する請求項１または請求項２記載のバンプ電極形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8037725A JPH09232320A (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | バンプ電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8037725A JPH09232320A (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | バンプ電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232320A true JPH09232320A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12505486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8037725A Pending JPH09232320A (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | バンプ電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086324A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ形成方法及び装置 |
-
1996
- 1996-02-26 JP JP8037725A patent/JPH09232320A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086324A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ形成方法及び装置 |
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