JPH0923106A - コプレーナガイド伝送線路 - Google Patents
コプレーナガイド伝送線路Info
- Publication number
- JPH0923106A JPH0923106A JP7173756A JP17375695A JPH0923106A JP H0923106 A JPH0923106 A JP H0923106A JP 7173756 A JP7173756 A JP 7173756A JP 17375695 A JP17375695 A JP 17375695A JP H0923106 A JPH0923106 A JP H0923106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- guide transmission
- coplanar guide
- notch
- dielectric substrate
- Prior art date
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- Granted
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- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体基板の基板端においても高次伝搬モー
ドによる高周波性能の劣化が生じることが無く、ミリ波
帯まで使用可能なコプレーナガイド伝送線路を提供する
こと。 【解決手段】 １はアルミナ等で形成された誘電体基
板、２は中心導体、３は接地導体、４はビアホール、５
は基板裏面の接地導体である。上記中心導体２，接地導
体３および接地導体５は、通常、タングステン，金など
により形成されている。さらに、中心導体２と接地導体
３が縁まで達した基板端の側面部分に、その内周面に導
体を形成した切り欠き６を形成する。これにより、外部
との接続により最も伝搬モードの不連続の起き易い基板
端の部分において、該高次伝搬モードの発生を抑圧する
ので、高周波性能の良好なコプレーナガイド伝送線路を
実現できる。
ドによる高周波性能の劣化が生じることが無く、ミリ波
帯まで使用可能なコプレーナガイド伝送線路を提供する
こと。 【解決手段】 １はアルミナ等で形成された誘電体基
板、２は中心導体、３は接地導体、４はビアホール、５
は基板裏面の接地導体である。上記中心導体２，接地導
体３および接地導体５は、通常、タングステン，金など
により形成されている。さらに、中心導体２と接地導体
３が縁まで達した基板端の側面部分に、その内周面に導
体を形成した切り欠き６を形成する。これにより、外部
との接続により最も伝搬モードの不連続の起き易い基板
端の部分において、該高次伝搬モードの発生を抑圧する
ので、高周波性能の良好なコプレーナガイド伝送線路を
実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ミリ波帯で動作
するＩＣチップ間の接続や、ＩＣチップとパッケージの
同軸コネクタとの接続などに使用されるコプレーナガイ
ド伝送線路に関する。
するＩＣチップ間の接続や、ＩＣチップとパッケージの
同軸コネクタとの接続などに使用されるコプレーナガイ
ド伝送線路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のコプレーナガイド伝送線路
の構成例を示す説明図である。図３（ａ）は上記コプレ
ーナガイド伝送線路の上面図であり、図３（ｂ）は同コ
プレーナガイド伝送線路の側面図である。この図におい
て、１はアルミナ等で形成された誘電体基板、２は中心
導体、３は接地導体、４はビアホール、５は基板裏面の
接地導体である。また、上記中心導体２，接地導体３お
よび接地導体５は、通常、タングステン，金などにより
形成されている。一般に、コプレーナガイド伝送線路で
は、基板裏面の接地導体と基板表面の接地導体との間に
高次伝搬モードが発生すると、該伝送線路の高周波性能
が劣化する。このため、図３に示す従来のコプレーナガ
イド伝送線路では、ビアホール４により両面の接地導体
（接地導体３と接地導体５）を接続して、上記高次伝搬
モードが生ずるのを抑圧する構造をとっている。
の構成例を示す説明図である。図３（ａ）は上記コプレ
ーナガイド伝送線路の上面図であり、図３（ｂ）は同コ
プレーナガイド伝送線路の側面図である。この図におい
て、１はアルミナ等で形成された誘電体基板、２は中心
導体、３は接地導体、４はビアホール、５は基板裏面の
接地導体である。また、上記中心導体２，接地導体３お
よび接地導体５は、通常、タングステン，金などにより
形成されている。一般に、コプレーナガイド伝送線路で
は、基板裏面の接地導体と基板表面の接地導体との間に
高次伝搬モードが発生すると、該伝送線路の高周波性能
が劣化する。このため、図３に示す従来のコプレーナガ
イド伝送線路では、ビアホール４により両面の接地導体
（接地導体３と接地導体５）を接続して、上記高次伝搬
モードが生ずるのを抑圧する構造をとっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来のコプレーナガイド伝送線路においては、誘電体基板
の端から該端に一番近いビアホールまでの距離（図３に
示す距離Ｌ）として、通常０．５ｍｍ以上とる必要があ
った。この制限条件は、ビアホールの形成工程における
製造精度（ビアホールの穴開け位置精度、アルミナ基板
の焼結時の収縮膨張によるビアホール位置のズレ等）に
起因するものである。
来のコプレーナガイド伝送線路においては、誘電体基板
の端から該端に一番近いビアホールまでの距離（図３に
示す距離Ｌ）として、通常０．５ｍｍ以上とる必要があ
った。この制限条件は、ビアホールの形成工程における
製造精度（ビアホールの穴開け位置精度、アルミナ基板
の焼結時の収縮膨張によるビアホール位置のズレ等）に
起因するものである。
【０００４】このため、従来のコプレーナガイド伝送線
路では、外部との接続により最も伝搬モードの不連続の
起き易い基板端の部分において、該基板端から一定距離
（距離Ｌ）にわたって、ビアホールの無い部分が存在し
ていた。これにより、従来のコプレーナガイド伝送線路
は、高次伝搬モードによる高周波性能の劣化が生じる、
という欠点を有していた。
路では、外部との接続により最も伝搬モードの不連続の
起き易い基板端の部分において、該基板端から一定距離
（距離Ｌ）にわたって、ビアホールの無い部分が存在し
ていた。これにより、従来のコプレーナガイド伝送線路
は、高次伝搬モードによる高周波性能の劣化が生じる、
という欠点を有していた。
【０００５】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、誘電体基板の基板端においても高次伝搬モー
ドによる高周波性能の劣化が生じることが無く、ミリ波
帯まで使用可能なコプレーナガイド伝送線路を提供する
ことを目的とする。
たもので、誘電体基板の基板端においても高次伝搬モー
ドによる高周波性能の劣化が生じることが無く、ミリ波
帯まで使用可能なコプレーナガイド伝送線路を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
誘電体基板の同一平面上に中心導体と接地導体とが形成
され、さらに、該誘電体基板の裏面にも接地導体が形成
されたコプレーナガイド伝送線路において、前記中心導
体と前記接地導体とが縁まで達した前記誘電体基板の基
板端の側面に、その内周面に導体を形成した切り欠きを
形成したことを特徴としている。
誘電体基板の同一平面上に中心導体と接地導体とが形成
され、さらに、該誘電体基板の裏面にも接地導体が形成
されたコプレーナガイド伝送線路において、前記中心導
体と前記接地導体とが縁まで達した前記誘電体基板の基
板端の側面に、その内周面に導体を形成した切り欠きを
形成したことを特徴としている。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載のコ
プレーナガイド伝送線路において、前記切り欠きは、前
記誘電体基板の焼結前に、該切り欠きの断面の倍に相当
する断面を有し、かつ、その内側面をメタライズした穴
を形成し、該誘電体基板の焼結後に、該穴を半分に切断
することにより形成されることを特徴としている。
プレーナガイド伝送線路において、前記切り欠きは、前
記誘電体基板の焼結前に、該切り欠きの断面の倍に相当
する断面を有し、かつ、その内側面をメタライズした穴
を形成し、該誘電体基板の焼結後に、該穴を半分に切断
することにより形成されることを特徴としている。
【０００８】請求項３記載の発明は、請求項１記載のコ
プレーナガイド伝送線路において、前記切り欠きは、前
記誘電体基板の焼結時に、レーザー加工により切り欠き
を形成した後、その内周面をメタライズすることにより
形成されることを特徴としている。
プレーナガイド伝送線路において、前記切り欠きは、前
記誘電体基板の焼結時に、レーザー加工により切り欠き
を形成した後、その内周面をメタライズすることにより
形成されることを特徴としている。
【０００９】
§１．本発明の特徴と従来技術との差異 本発明は、コプレーナガイド伝送線路において、中心導
体と接地導体が縁まで達した基板端の側面部分に、その
内周面に導体を形成した切り欠きを形成したことを最も
主要な特徴とする。これにより、本発明は、外部との接
続により最も伝搬モードの不連続の起き易いコプレーナ
ガイド伝送線路の基板端の部分において、該高次伝搬モ
ードの発生を抑圧し、高周波性能の良好なコプレーナガ
イド伝送線路を実現できる点で従来の技術と比較して大
きな差異を有する。
体と接地導体が縁まで達した基板端の側面部分に、その
内周面に導体を形成した切り欠きを形成したことを最も
主要な特徴とする。これにより、本発明は、外部との接
続により最も伝搬モードの不連続の起き易いコプレーナ
ガイド伝送線路の基板端の部分において、該高次伝搬モ
ードの発生を抑圧し、高周波性能の良好なコプレーナガ
イド伝送線路を実現できる点で従来の技術と比較して大
きな差異を有する。
【００１０】§２．実施形態 以下、図面を参照して、この発明の実施形態について説
明する。図１は、この発明の一実施形態によるコプレー
ナガイド伝送線路の構成を示す説明図である。図１
（ａ）は上記コプレーナガイド伝送線路の上面図であ
り、図１（ｂ）は同コプレーナガイド伝送線路の側面図
である。この図において、図３の各部に対応する部分に
は同一の符号を付け、その説明を省略する。この図に示
すコプレーナガイド伝送線路が、図３に示す従来のもの
と異なる点は、中心導体２と接地導体３が縁まで達した
基板端の側面部分に、その内周面に導体を形成した切り
欠き６を形成した点である。
明する。図１は、この発明の一実施形態によるコプレー
ナガイド伝送線路の構成を示す説明図である。図１
（ａ）は上記コプレーナガイド伝送線路の上面図であ
り、図１（ｂ）は同コプレーナガイド伝送線路の側面図
である。この図において、図３の各部に対応する部分に
は同一の符号を付け、その説明を省略する。この図に示
すコプレーナガイド伝送線路が、図３に示す従来のもの
と異なる点は、中心導体２と接地導体３が縁まで達した
基板端の側面部分に、その内周面に導体を形成した切り
欠き６を形成した点である。
【００１１】上記切り欠き６の形成方法としては、誘電
体基板１の焼結前に、形成したい切り欠きの断面の倍に
相当する断面を有し、かつ、その内側面をメタライズし
た穴を形成し、焼結後、該穴の中心を通る線で誘電体基
板１を切断する方法や、誘電体基板１の焼結時に、レー
ザー加工で切り欠きを形成した後、該切り欠きをメタラ
イズする方法などが考えられる。
体基板１の焼結前に、形成したい切り欠きの断面の倍に
相当する断面を有し、かつ、その内側面をメタライズし
た穴を形成し、焼結後、該穴の中心を通る線で誘電体基
板１を切断する方法や、誘電体基板１の焼結時に、レー
ザー加工で切り欠きを形成した後、該切り欠きをメタラ
イズする方法などが考えられる。
【００１２】本実施形態では、上記切り欠き６により、
コプレーナガイド伝送線路の基板端の部分で、裏面の接
地導体５と表面の接地導体３とが電気的に接続されるの
で、図３に示す従来の構造に比べ、外部との接続により
最も伝搬モードの不連続の起き易い基板端の部分で、高
次伝搬モードの発生を抑圧し、高周波性能の良好なコプ
レーナガイド伝送線路を実現できる。さらに、本実施形
態では、切り欠き６を設けることによって、基板端から
該基板端に一番近いビアホールまでの有効距離を実質的
に短くすることができる。
コプレーナガイド伝送線路の基板端の部分で、裏面の接
地導体５と表面の接地導体３とが電気的に接続されるの
で、図３に示す従来の構造に比べ、外部との接続により
最も伝搬モードの不連続の起き易い基板端の部分で、高
次伝搬モードの発生を抑圧し、高周波性能の良好なコプ
レーナガイド伝送線路を実現できる。さらに、本実施形
態では、切り欠き６を設けることによって、基板端から
該基板端に一番近いビアホールまでの有効距離を実質的
に短くすることができる。
【００１３】§３．実施例 図２は、従来のコプレーナガイド伝送線路の周波数性能
と本実施形態による特性インピーダンス５０Ωのコプレ
ーナガイド伝送線路の周波数性能とを、Ｓパラメータに
より比較したものである。この図において、図２（ａ）
は従来のコプレーナガイド伝送線路の周波数性能を示
し、同図（ｂ）は本実施形態によるコプレーナガイド伝
送線路の周波数性能を示している。また、この図におい
て、Ｓ21は伝送特性、Ｓ11は反射性能を示している。
と本実施形態による特性インピーダンス５０Ωのコプレ
ーナガイド伝送線路の周波数性能とを、Ｓパラメータに
より比較したものである。この図において、図２（ａ）
は従来のコプレーナガイド伝送線路の周波数性能を示
し、同図（ｂ）は本実施形態によるコプレーナガイド伝
送線路の周波数性能を示している。また、この図におい
て、Ｓ21は伝送特性、Ｓ11は反射性能を示している。
【００１４】図２（ａ）から、従来のコプレーナガイド
伝送線路では、４５ＧＨｚ付近で高次伝搬モードの発生
により特性が劣化し、Ｓ11は−５ｄＢ以上、Ｓ21は−
２．５ｄＢ以下となる。これにより、基本波モードの信
号の反射と減衰が生じ、コプレーナガイド伝送線路とし
て機能していないことがわかる。一方、図２（ｂ）によ
ると、本実施形態によるコプレーナガイド伝送線路で
は、このような現象は起きず、５０ＧＨｚまで良好な伝
送特性が得られていることがわかる。
伝送線路では、４５ＧＨｚ付近で高次伝搬モードの発生
により特性が劣化し、Ｓ11は−５ｄＢ以上、Ｓ21は−
２．５ｄＢ以下となる。これにより、基本波モードの信
号の反射と減衰が生じ、コプレーナガイド伝送線路とし
て機能していないことがわかる。一方、図２（ｂ）によ
ると、本実施形態によるコプレーナガイド伝送線路で
は、このような現象は起きず、５０ＧＨｚまで良好な伝
送特性が得られていることがわかる。
【００１５】以上、この発明の実施形態を図面を参照し
て詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
て詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ミリ波帯まで使用可能なコプレーナガイド伝送線路
を実現できるため、ミリ波帯で動作するＩＣモジュール
の内部でのＩＣチップ間の接続やＩＣチップとコネクタ
との接続部の特性劣化を抑止でき、特性の良好なミリ波
帯モジュールを提供することが可能となる。
ば、ミリ波帯まで使用可能なコプレーナガイド伝送線路
を実現できるため、ミリ波帯で動作するＩＣモジュール
の内部でのＩＣチップ間の接続やＩＣチップとコネクタ
との接続部の特性劣化を抑止でき、特性の良好なミリ波
帯モジュールを提供することが可能となる。
【図１】この発明の一実施形態によるコプレーナガイド
伝送線路の構成を示す説明図である。
伝送線路の構成を示す説明図である。
【図２】従来のコプレーナガイド伝送線路および本実施
形態によるコプレーナガイド伝送線路のＳパラメータの
周波数依存性を示すグラフである。
形態によるコプレーナガイド伝送線路のＳパラメータの
周波数依存性を示すグラフである。
【図３】従来のコプレーナガイド伝送線路の構成例を示
す説明図である。
す説明図である。
１……誘導体基板、 ２……中心導体、 ３……接地導
体、４……ビアホール、 ５……裏面の接地導体、６…
…内周面に導体を形成した切り欠き
体、４……ビアホール、 ５……裏面の接地導体、６…
…内周面に導体を形成した切り欠き
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体基板の同一平面上に中心導体と接
地導体とが形成され、さらに、該誘電体基板の裏面にも
接地導体が形成されたコプレーナガイド伝送線路におい
て、 前記中心導体と前記接地導体とが縁まで達した前記誘電
体基板の基板端の側面に、その内周面に導体を形成した
切り欠きを形成したことを特徴とするコプレーナガイド
伝送線路。 - 【請求項２】 請求項１記載のコプレーナガイド伝送線
路において、 前記切り欠きは、前記誘電体基板の焼結前に、該切り欠
きの断面の倍に相当する断面を有し、かつ、その内側面
をメタライズした穴を形成し、該誘電体基板の焼結後
に、該穴を半分に切断することにより形成されることを
特徴とするコプレーナガイド伝送線路。 - 【請求項３】 請求項１記載のコプレーナガイド伝送線
路において、 前記切り欠きは、前記誘電体基板の焼結時に、レーザー
加工により切り欠きを形成した後、その内周面をメタラ
イズすることにより形成されることを特徴とするコプレ
ーナガイド伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17375695A JP3298604B2 (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | コプレーナガイド伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17375695A JP3298604B2 (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | コプレーナガイド伝送線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0923106A true JPH0923106A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3298604B2 JP3298604B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=15966562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17375695A Expired - Lifetime JP3298604B2 (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | コプレーナガイド伝送線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3298604B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518864B1 (en) | 1999-03-15 | 2003-02-11 | Nec Corporation | Coplanar transmission line |
| US6774748B1 (en) | 1999-11-15 | 2004-08-10 | Nec Corporation | RF package with multi-layer substrate having coplanar feed through and connection interface |
| JP2009531923A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ミリ波用途のための導波管−平面伝送線路変換器を構築し、パッケージするための装置及び方法 |
| JP2009212727A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Anritsu Corp | レーダ用アンテナ |
| CN108550969A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-09-18 | 深圳市深大唯同科技有限公司 | 一种可调谐介质集成射频传输线、耦合器及馈电网络 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17375695A patent/JP3298604B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518864B1 (en) | 1999-03-15 | 2003-02-11 | Nec Corporation | Coplanar transmission line |
| US6774748B1 (en) | 1999-11-15 | 2004-08-10 | Nec Corporation | RF package with multi-layer substrate having coplanar feed through and connection interface |
| JP2009531923A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ミリ波用途のための導波管−平面伝送線路変換器を構築し、パッケージするための装置及び方法 |
| JP2009212727A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Anritsu Corp | レーダ用アンテナ |
| CN108550969A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-09-18 | 深圳市深大唯同科技有限公司 | 一种可调谐介质集成射频传输线、耦合器及馈电网络 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3298604B2 (ja) | 2002-07-02 |
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