JPH09230378A - Liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents

Liquid crystal display device and its manufacture

Info

Publication number
JPH09230378A
JPH09230378A JP4012596A JP4012596A JPH09230378A JP H09230378 A JPH09230378 A JP H09230378A JP 4012596 A JP4012596 A JP 4012596A JP 4012596 A JP4012596 A JP 4012596A JP H09230378 A JPH09230378 A JP H09230378A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
insulating film
wiring
counter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4012596A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3199221B2 (en
Inventor
Tetsuaki Koyama
徹朗 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12572107&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH09230378(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP4012596A priority Critical patent/JP3199221B2/en
Priority to US08/806,928 priority patent/US5852485A/en
Publication of JPH09230378A publication Critical patent/JPH09230378A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3199221B2 publication Critical patent/JP3199221B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a liquid crystal display device capable of realizing highly bright display or reducing power consumption by extending a display electrode in the first direction in a display area, extending counter electrodes and a source signal wiring in the first direction, and shraddling them over display areas. SOLUTION: A plurality of display areas 2a put with display electrodes 2 and counter wirings 1 between are provide in a matrix state in an active matrix substrate 100. A gate signal wiring 3 and a source signal wiring 4 are provided through the circumference of a display area 2. The counter wiring 1 is formed in a stripe state on a insulation film between layers, and the counter wiring 1 and display electrode 2 are arranged so as to be made in parallel to each other in the longitudinal direction. The counter wiring 1 forms the peripheral part of a display area 2a, and arranged at the position where it is not superimpose with be adjacent source signal wiring 4. Further, the counter wiring 1 forms a extended stripe shape while straddling adjacent plural display areas 2a in the longitudinal direction.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(以下、TFTという)などのスイッチング素子を備
え、表示媒体として液晶等を用いた表示装置に関し、特
にアクティブマトリクス基板の構成に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device having a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) and using liquid crystal or the like as a display medium, and more particularly to a structure of an active matrix substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】ガラス等の絶縁基板の上にTFTをマト
リクス状に形成し、これをスイッチング素子として用い
るアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高画質の
フラットパネルディスプレイを実現するものとして期待
されている。従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置において広視野角化を実現する有効な手段として、液
晶に対して基板にほぼ平行な方向に電界を印可する方式
が提案されている(例えば、特開平7−36058号公
報)。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device in which TFTs are formed in a matrix on an insulating substrate such as glass and used as a switching element is expected to realize a high quality flat panel display. There is. As an effective means for achieving a wide viewing angle in a conventional active matrix type liquid crystal display device, a method of applying an electric field to a liquid crystal in a direction substantially parallel to the substrate has been proposed (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 7-36058). Issue).

【0003】図11(a)、(b)及び図12は、この
ような従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置40
0の構成を示している。図11(a)及び(b)は、ア
クティブマトリクス基板401における1画素に対応す
る部分を示し、図12は、図11(a)に示される線A
−A’に沿ったアクティブマトリクス型液晶表示装置4
00の断面を示している。
FIGS. 11A, 11B and 12 show such a conventional active matrix type liquid crystal display device 40.
0 is shown. 11A and 11B show a portion corresponding to one pixel in the active matrix substrate 401, and FIG. 12 shows a line A shown in FIG.
-A ′ active matrix liquid crystal display device 4
00 shows a cross section.

【0004】図12に示されるように、アクティブマト
リクス型液晶表示装置400は、アクティブマトリクス
基板401、対向基板402、及び両基板間に挟持され
た液晶層17を備えている。アクティブマトリクス基板
401は、ガラス基板100と、ガラス基板100上に
形成されたゲート信号線102、共通配線123、ゲー
ト絶縁膜103、ソース信号線108、半導体層10
4、絵素電極111、及び駆動電極113を有してい
る。ゲート絶縁膜103は、ゲート信号配線102及び
共通配線123を覆うように形成され、その上に、半導
体層104、ソース信号配線108、絵素電極111、
及び駆動電極113が形成される。
As shown in FIG. 12, an active matrix type liquid crystal display device 400 comprises an active matrix substrate 401, a counter substrate 402, and a liquid crystal layer 17 sandwiched between both substrates. The active matrix substrate 401 includes a glass substrate 100, a gate signal line 102 formed on the glass substrate 100, a common wiring 123, a gate insulating film 103, a source signal line 108, and a semiconductor layer 10.
4, a pixel electrode 111, and a drive electrode 113. The gate insulating film 103 is formed so as to cover the gate signal wiring 102 and the common wiring 123, and the semiconductor layer 104, the source signal wiring 108, the pixel electrode 111, and
And the drive electrode 113 is formed.

【0005】図11(a)及び(b)に示されるよう
に、ソース信号線108は、ソース信号線108がゲー
ト信号線102と交差する部分に分岐108’を有して
おり、ゲート信号線102をゲート電極105、分岐部
108’をソース電極、絵素電極111をドレイン電極
として、スイッチング素子(TFT)403が構成され
る。また、駆動電極113は、絵素電極111と同一の
材料から形成される。駆動電極13は、スルーホール2
00を介して共通配線123に接続されている。
As shown in FIGS. 11A and 11B, the source signal line 108 has a branch 108 'at a portion where the source signal line 108 intersects with the gate signal line 102. A switching element (TFT) 403 is configured by using 102 as the gate electrode 105, the branch portion 108 ′ as the source electrode, and the pixel electrode 111 as the drain electrode. The drive electrode 113 is formed of the same material as the pixel electrode 111. The drive electrode 13 has a through hole 2
00 to the common wiring 123.

【0006】ソース信号線108、絵素電極111、駆
動電極113、及びスイッチング素子403を覆うよう
にして保護絶縁膜124が形成され、その上に配向膜1
16が形成される。共通配線23と絵素電極11とはゲ
ート絶縁膜3を介して交差しており、この交差部に付加
容量が形成される。
A protective insulating film 124 is formed so as to cover the source signal line 108, the pixel electrode 111, the drive electrode 113, and the switching element 403, and the alignment film 1 is formed thereon.
16 are formed. The common line 23 and the pixel electrode 11 intersect with each other through the gate insulating film 3, and an additional capacitance is formed at this intersection.

【0007】対向基板402は、基板114と、基板1
14のアクティブマトリクス基板401側に形成された
配向膜116と、外側に形成された偏向板112とを備
えている。
The counter substrate 402 includes the substrate 114 and the substrate 1.
14 includes an alignment film 116 formed on the active matrix substrate 401 side and a deflecting plate 112 formed on the outside.

【0008】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置400においては、基板面にほぼ平行な方向に形
成される電界によって液晶層117が駆動される(横電
界駆動方式)。図11(a)に示すように、電圧が印可
されない状態において、液晶分子25は、絵素電極11
1及び駆動電極113の長手方向に対して若干の角度
(0度以上15度未満)を持つように配向される。絵素
電極111及び駆動電極113間に電圧が印可される
と、図11(b)に示すように、液晶分子25は絵素電
極111から駆動電極113に向かう電界Eに沿って配
向する。
In such an active matrix type liquid crystal display device 400, the liquid crystal layer 117 is driven by an electric field formed in a direction substantially parallel to the substrate surface (horizontal electric field driving method). As shown in FIG. 11A, in the state where no voltage is applied, the liquid crystal molecules 25 are
1 and the drive electrode 113 are oriented so as to form a slight angle (0 degree or more and less than 15 degrees) with respect to the longitudinal direction. When a voltage is applied between the picture element electrode 111 and the drive electrode 113, the liquid crystal molecules 25 are aligned along the electric field E directed from the picture element electrode 111 to the drive electrode 113, as shown in FIG.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述のような横電界駆
動方式のの液晶表示装置400においては、共通配線1
23及びその駆動電極113がTFT基板側に配置され
ているため、共通配線(駆動電極)が対向基板側に配置
された従来の縦電界駆動方式の液晶表示装置に比較し
て、アクティブマトリクス基板側の電極の配線構造が複
雑になる。そのため、各配線間での寄生容量によるクロ
ストークが生じやすいという問題点があった。更に、透
過型他液晶表示装置の場合、共通配線及び駆動電極の存
在によってバックライト光の透過する開口部の面積が狭
くなるため、十分な輝度が得られなかった。
In the horizontal electric field driving type liquid crystal display device 400 as described above, the common wiring 1 is used.
23 and its driving electrode 113 are arranged on the TFT substrate side, the active matrix substrate side is compared to the conventional vertical electric field driving type liquid crystal display device in which the common wiring (driving electrode) is arranged on the counter substrate side. The wiring structure of the electrode becomes complicated. Therefore, there is a problem that crosstalk easily occurs due to the parasitic capacitance between the wirings. Further, in the case of a transmissive liquid crystal display device, sufficient brightness cannot be obtained because the area of the opening through which the backlight light is transmitted is narrowed due to the presence of the common wiring and the drive electrode.

【0010】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、(1)バックライ
ト光の透過する開口部を面積を広くすることにより、高
輝度の表示あるいは低消費電力を実現できる液晶表示装
置を提供し、また(2)絵素電極に対するソース信号線
の影響を抑制することにより、クロストークが低減した
高品位の表示を実現する液晶表示装置を提供することに
ある。
The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to (1) display a high-luminance display by increasing the area of an opening through which backlight light passes. Provided is a liquid crystal display device which can realize low power consumption, and (2) provides a liquid crystal display device which realizes high-quality display with reduced crosstalk by suppressing the influence of a source signal line on a pixel electrode. Especially.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、基板と、該基板上に設けられたゲート信号配線お
よびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたソ
ース信号配線と、該ゲート絶縁膜上に設けられ、該ゲー
ト信号配線と該ソース信号配線との各交差部に形成され
た薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
たドレイン電極と、該ドレイン電極に接続された接続電
極と、該接続電極の一部と該ゲート絶縁膜を介して保持
容量を形成するための共通配線と、該ゲート絶縁膜上に
形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に設けられた
液晶駆動用表示電極および対向電極と、を有するアクテ
ィブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に
対向する対向基板と、該アクティブマトリクス基板と該
対向基板に狭持された液晶層と、を備えた液晶表示装置
であって、該表示電極が表示領域内の第一の方向に伸び
ており、該対向電極および該ソース信号配線が該表示領
域内の該第1の方向に、かつ、複数の該表示領域にまた
がっていて、そのことにより上記目的が達成される。
A liquid crystal display device according to the present invention includes a substrate, a gate signal wiring and a gate insulating film provided on the substrate, and a source signal wiring provided on the gate insulating film. A thin film transistor provided on the gate insulating film and formed at each intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring, a drain electrode connected to the thin film transistor, and a connection electrode connected to the drain electrode. A common wiring for forming a storage capacitor through a part of the connection electrode and the gate insulating film, an interlayer insulating film formed on the gate insulating film, and a liquid crystal provided on the interlayer insulating film. An active matrix substrate having a drive display electrode and a counter electrode, a counter substrate facing the active matrix substrate, and a sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate. A liquid crystal layer, and the display electrode extends in a first direction in a display area, and the counter electrode and the source signal wiring are in the first direction in the display area. In the direction and across a plurality of the display areas, whereby the above-mentioned object is achieved.

【0012】ある実施の形態では、少なくとも前記表示
電極または前記対向電極のいずれか一方が、前記ソース
信号配線と重畳するように形成される。
In one embodiment, at least one of the display electrode and the counter electrode is formed so as to overlap with the source signal line.

【0013】他の実施の形態では、少なくとも前記表示
電極または前記対向電極のいずれか一方が、前記ゲート
信号配線と重畳するように形成される。
In another embodiment, at least one of the display electrode and the counter electrode is formed so as to overlap with the gate signal wiring.

【0014】本発明の液晶表示装置は、基板と、該基板
上に設けられたゲート信号配線およびゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に設けられたソース信号配線と、該ゲ
ート絶縁膜上に設けられ、該ゲート信号配線と該ソース
信号配線との各交差部に形成された薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続されたドレイン電極と、
該ドレイン電極に接続された接続電極と、該接続電極の
一部と該ゲート絶縁膜を介して保持容量を形成するため
の共通配線と、該ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁
膜と、該層間絶縁膜上に設けられた液晶駆動用表示電極
および対向電極と、を有するアクティブマトリクス基板
と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板
と、該アクティブマトリクス基板と該対向基板に狭持さ
れた液晶層と、を備えた液晶表示装置であって、該対向
電極が、該共通配線と該層間絶縁層に設けられたコンタ
クトホールを介して直接接続されており、そのことによ
り上記目的が達成される。
A liquid crystal display device according to the present invention includes a substrate, a gate signal wiring and a gate insulating film provided on the substrate,
A source signal wiring provided on the gate insulating film, a thin film transistor provided on the gate insulating film, formed at each intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring, and connected to the thin film transistor. A drain electrode,
A connection electrode connected to the drain electrode, a common wiring for forming a storage capacitor via a part of the connection electrode and the gate insulating film, and an interlayer insulating film formed on the gate insulating film, An active matrix substrate having a liquid crystal driving display electrode and a counter electrode provided on the interlayer insulating film, a counter substrate facing the active matrix substrate, and the active matrix substrate and the counter substrate sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate. A liquid crystal display device including a liquid crystal layer, wherein the counter electrode is directly connected to the common wiring through a contact hole provided in the interlayer insulating layer, whereby the above object is achieved. It

【0015】本発明の液晶表示装置は、基板と、該基板
上に設けられたゲート信号配線およびゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に設けられたソース信号配線と、該ゲ
ート絶縁膜上に設けられ、該ゲート信号配線と該ソース
信号配線との各交差部に形成された薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続されたドレイン電極と、
該ドレイン電極に接続された接続電極と、該接続電極の
一部と該ゲート絶縁膜を介して保持容量を形成するため
の共通配線と、該ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁
膜と、該層間絶縁膜上に設けられた液晶駆動用表示電極
および対向電極と、を有するアクティブマトリクス基板
と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板
と、該アクティブマトリクス基板と該対向基板に狭持さ
れた液晶層と、該アクティブマトリクス基板に対向し、
液晶駆動用対向電極を有する対向基板と、該アクティブ
マトリクス基板と該対向基板に狭持された液晶層と、を
備えており、そのことにより上記目的が達成される。
The liquid crystal display device of the present invention comprises a substrate, a gate signal line and a gate insulating film provided on the substrate,
A source signal wiring provided on the gate insulating film, a thin film transistor provided on the gate insulating film, formed at each intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring, and connected to the thin film transistor. A drain electrode,
A connection electrode connected to the drain electrode, a common wiring for forming a storage capacitor via a part of the connection electrode and the gate insulating film, and an interlayer insulating film formed on the gate insulating film, An active matrix substrate having a liquid crystal driving display electrode and a counter electrode provided on the interlayer insulating film, a counter substrate facing the active matrix substrate, and the active matrix substrate and the counter substrate sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate. Facing the liquid crystal layer and the active matrix substrate,
The liquid crystal display device includes a counter substrate having a liquid crystal driving counter electrode, a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate, and thereby the above object is achieved.

【0016】ある実施の形態では、前記表示電極が前記
ソース信号配線または前記ゲート信号配線と重畳するよ
うに形成される。
In one embodiment, the display electrode is formed so as to overlap the source signal line or the gate signal line.

【0017】他の実施の形態では、前記表示電極の長手
方向に対して、前記対向電極の長手方向が一定の角度を
もっている。
In another embodiment, the longitudinal direction of the counter electrode has a constant angle with respect to the longitudinal direction of the display electrode.

【0018】更に、他の実施の形態では、前記層間絶縁
層の厚さが1.0〜10.0μmである。
Further, in another embodiment, the thickness of the interlayer insulating layer is 1.0 to 10.0 μm.

【0019】更に、他の実施の形態では、前記層間絶縁
層の誘電率の値が1.5〜3.5である。更に、他の実
施の形態では、前記層間絶縁膜の材質が有機系の樹脂で
ある。
Further, in another embodiment, the value of the dielectric constant of the interlayer insulating layer is 1.5 to 3.5. Further, in another embodiment, the material of the interlayer insulating film is an organic resin.

【0020】更に、他の実施の形態では、表示領域の液
晶層分子が基板面に対してほぼ水平な方向に回転駆動す
ることによって、画像表示を行う。
Further, in another embodiment, image display is performed by driving the liquid crystal layer molecules in the display area to rotate in a direction substantially horizontal to the substrate surface.

【0021】本発明による液晶表示装置を製造する方法
は、基板上にゲート電極および共通配線を形成する工程
と、該基板上に、該ゲート電極および該共通配線を覆う
ようにゲート絶縁層を形成する工程と、該ゲート絶縁層
上に、ゲート信号配線、ソース信号配線および接続電極
をパターン形成する工程と、該ゲート信号配線と該ソー
ス信号配線との交差部に薄膜トランジスタを形成する工
程と、該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該接
続電極、該ソース信号配線、該ゲート信号配線および該
共通配線を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、該
層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を形
成する工程と、該層間絶縁膜の一部を貫通するコンタク
トホールによって該接続電極を介して、該薄膜トランジ
スタに接続されるドレイン電極と該表示電極とを接続す
る工程と、を包含しており、そのことにより上記目的が
達成される。
A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises a step of forming a gate electrode and a common wiring on a substrate, and a gate insulating layer formed on the substrate so as to cover the gate electrode and the common wiring. A step of forming a gate signal wiring, a source signal wiring and a connection electrode on the gate insulating layer, a step of forming a thin film transistor at the intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring, A step of forming an interlayer insulating film on the gate insulating layer so as to cover the thin film transistor, the connection electrode, the source signal wiring, the gate signal wiring and the common wiring; and a liquid crystal driving display electrode on the interlayer insulating film. And a step of forming a counter electrode, and connecting to the thin film transistor through the connection electrode by a contact hole penetrating a part of the interlayer insulating film. A step of connecting the drain electrode and the display electrodes, and includes a said object is achieved.

【0022】本発明による液晶表示装置を製造する方法
は、基板上にゲート電極および共通配線を形成する工程
と、該基板上に、該ゲート電極および該共通配線を覆う
ようにゲート絶縁層を形成する工程と、該ゲート絶縁層
上に、ゲート信号配線、ソース信号配線および接続電極
をパターン形成する工程と、該ゲート信号配線と該ソー
ス信号配線との交差部に薄膜トランジスタを形成する工
程と、該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該接
続電極、該ソース信号配線、該ゲート信号配線および該
共通配線を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、該
層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極を形成する工程と、
該層間絶縁膜の一部を貫通するコンタクトホールによっ
て該接続電極を介して、該薄膜トランジスタに接続され
るドレイン電極と該表示電極とを接続する工程と、 液
晶層を介して該表示電極に対向する対向電極を形成する
工程と、を包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。
A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises a step of forming a gate electrode and a common wiring on a substrate, and a gate insulating layer formed on the substrate so as to cover the gate electrode and the common wiring. A step of forming a gate signal wiring, a source signal wiring and a connection electrode on the gate insulating layer, a step of forming a thin film transistor at the intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring, A step of forming an interlayer insulating film on the gate insulating layer so as to cover the thin film transistor, the connection electrode, the source signal wiring, the gate signal wiring and the common wiring; and a liquid crystal driving display electrode on the interlayer insulating film. A step of forming
A step of connecting the drain electrode connected to the thin film transistor to the display electrode via the connection electrode through a contact hole penetrating a part of the interlayer insulating film; and facing the display electrode via a liquid crystal layer. And a step of forming a counter electrode, whereby the above object is achieved.

【0023】本発明によれば、上記構成によって、以下
のような作用を得ることができる。
According to the present invention, with the above structure, the following actions can be obtained.

【0024】1.表示電極2が層間絶縁膜9を介して隣
接するソース信号配線4上に重畳するように形成される
ことにより、配線による透過光の遮光を防止する。
1. The display electrode 2 is formed so as to overlap with the adjacent source signal wiring 4 with the interlayer insulating film 9 interposed therebetween, thereby preventing the transmission light from being blocked by the wiring.

【0025】2.比誘電率が小さく、しかも厚膜の層間
絶縁膜9によって、下層のゲート信号配線3、およびソ
ース信号配線4、共通配線25とが絶縁されるため、浮
遊容量の発生を抑制する。
2. Since the lower-layer gate signal line 3, the source signal line 4, and the common line 25 are insulated from each other by the thick interlayer insulating film 9 having a small relative permittivity, generation of stray capacitance is suppressed.

【0026】3.表示電極2、及び対向配線1を同一材
で同一マスクで形成することにより、2つの電極間の距
離を正確に形成する。
3. By forming the display electrode 2 and the counter wiring 1 with the same material and using the same mask, the distance between the two electrodes is accurately formed.

【0027】4.対向配線1をストライプ状に対向基板
27側に配置することにより、対向配線1と周辺の配線
間に生じる寄生容量の発生防止する。
4. By arranging the counter wiring 1 in a stripe shape on the counter substrate 27 side, generation of parasitic capacitance between the counter wiring 1 and peripheral wirings is prevented.

【0028】5.対配配線1をストライプ状に対向基板
27側に配置し、且つ表示電極2の長手方向に対して、
対向配線1の長手方向を一定の角度をもたせて、表示電
極2と対向電極1間に生じる電界強度を一つの表示領域
2a内の位置に依存して異ならせる。
5. The counter wiring 1 is arranged in a stripe shape on the counter substrate 27 side, and in the longitudinal direction of the display electrode 2,
The longitudinal direction of the counter wiring 1 is made to have a constant angle, and the electric field strength generated between the display electrode 2 and the counter electrode 1 is varied depending on the position in one display region 2a.

【0029】6.対向配線1を共通配線25に直接接続
することにより、TFTに接続された接続配線6をなく
す。
6. By directly connecting the counter wiring 1 to the common wiring 25, the connection wiring 6 connected to the TFT is eliminated.

【0030】7.対向配線1を、対向配線1を挟む2つ
の表示電極2の中問位置に配置することにより、対向配
線1と表示電極2の間の寄生容量の発生を防止する。
[7] By arranging the counter wiring 1 at an intermediate position between the two display electrodes 2 that sandwich the counter wiring 1, generation of parasitic capacitance between the counter wiring 1 and the display electrode 2 is prevented.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

(実施形態1)図1は、本発明の実施形態1の透過型液
晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素
部分の構成を示す平面図である。また、図2と図3はそ
れぞれ、図1に示される線B−B’とA−A’の断面図
である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view showing the configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmissive liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. 2 and 3 are cross-sectional views taken along the lines BB 'and AA' shown in FIG. 1, respectively.

【0032】図1に示すように、アクティブマトリクス
基板100には、表示電極2、及び対向配線1に挟まれ
た複数の表示領域2aがマトリクス状に設けられてい
る。また、これら表示領域2aの周囲を通って互いに直
交差するように、走査配線としてのゲート信号配線3と
信号配線としてのソース信号配線4が設けられている。
なお、これらの信号配線のうち、ゲート信号配線3の一
部が上記の対向配線1の一部とオーバーラップしてい
る。また、ゲート信号配線3とソース信号配線4の交差
部には、スイッチング素子として機能する薄膜トランジ
スタ(以下、TFT22という)が設けられ、TFT2
2のドレイン電極12は接続電極6aを介して、最終的
に表示電極2に接続されている。TFT22のゲート電
極5には、ゲート信号配線3が接続されており、ゲート
電極5に入力される信号によってTFT22が駆動制御
される。TFT22のソース電極11には、ソース信号
配線4が接続されており、これによりTFT22のソー
ス電極11にデータ信号が入力される。ここで、TFT
22のドレイン電極12は、コンタクトホール7によっ
て接続電極6aを介して表示電極2と接続される。さら
に、図3に示すように、接続配線6aと共通配線25a
のそれぞれを、電極としてゲート絶縁膜15で挟むこと
により付加容量が形成されている。
As shown in FIG. 1, the active matrix substrate 100 is provided with a plurality of display regions 2a sandwiched between the display electrodes 2 and the counter wiring 1 in a matrix. Further, a gate signal wiring 3 as a scanning wiring and a source signal wiring 4 as a signal wiring are provided so as to pass through the periphery of these display areas 2a and be orthogonal to each other.
Among these signal wirings, a part of the gate signal wiring 3 overlaps with a part of the counter wiring 1 described above. Further, a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT 22) that functions as a switching element is provided at the intersection of the gate signal wiring 3 and the source signal wiring 4, and the TFT 2
The second drain electrode 12 is finally connected to the display electrode 2 via the connection electrode 6a. The gate signal line 3 is connected to the gate electrode 5 of the TFT 22, and the TFT 22 is driven and controlled by the signal input to the gate electrode 5. The source signal wiring 4 is connected to the source electrode 11 of the TFT 22, so that a data signal is input to the source electrode 11 of the TFT 22. Where TFT
The drain electrode 12 of 22 is connected to the display electrode 2 by the contact hole 7 through the connection electrode 6a. Further, as shown in FIG. 3, the connection wiring 6a and the common wiring 25a
Each of them is sandwiched between the gate insulating films 15 as electrodes to form additional capacitance.

【0033】以下、図2および図3を参照しながら、本
実施形態1に示された液晶表示装置の構成を更に詳しく
説明する。
The configuration of the liquid crystal display device according to the first embodiment will be described in more detail below with reference to FIGS. 2 and 3.

【0034】まず、図2のTFT22については、下側
透明絶縁性基板20上に、図1のゲート信号配線3に接
続されたゲート電極5と、ゲート電極5を覆ってゲート
絶縁膜15が設けられている。ゲート絶縁膜上には、ゲ
ート電極5と重畳するように半導体層14が形成され、
半導体層14の中央部にチャネル保護層13が設けられ
ている。チャネル保護層13の両端部および半導体層1
4の一部を覆い、チャネル保護層13上で分断された状
態で、ソース電極11およびドレイン電極12となるn
+−a−Si層が設けられている。なお、ゲート信号配
線3および共通配線25は、導電性の材質であれは良
く、例えば、ITO、Ti、Cr、Mo、Ta,Alお
よびSnO2、導電性樹脂等が用いられる。また、単層
構造のみでなく、多層構造であってもよく、例えば、T
a/Al、Ta/TaNおよびTa25/Ta/Al等
が用いられる。なお、Ta/Alという表記方法は、A
lの上にTaを形成する積層構造の膜を示す。
First, in the TFT 22 of FIG. 2, the gate electrode 5 connected to the gate signal wiring 3 of FIG. 1 and the gate insulating film 15 covering the gate electrode 5 are provided on the lower transparent insulating substrate 20. Has been. The semiconductor layer 14 is formed on the gate insulating film so as to overlap the gate electrode 5,
The channel protection layer 13 is provided at the center of the semiconductor layer 14. Both ends of the channel protection layer 13 and the semiconductor layer 1
N which will be the source electrode 11 and the drain electrode 12 in a state of covering a part of 4 and being divided on the channel protection layer 13.
A + -a-Si layer is provided. The gate signal wiring 3 and the common wiring 25 may be made of a conductive material, and for example, ITO, Ti, Cr, Mo, Ta, Al and SnO 2 , conductive resin, etc. are used. Further, not only a single-layer structure but also a multi-layer structure may be used.
a / Al, Ta / TaN, Ta 2 O 5 / Ta / Al, etc. are used. Note that the notation of Ta / Al is A
A film having a laminated structure in which Ta is formed on the film 1 is shown.

【0035】次に、一方のn+−a−Si層であるソー
ス電極11の端部上には、透明導電膜10aと金属層8
bとが設けられて2層構造のソース信号配線4となって
いる。また、他方のn+−a−Si層であるドレイン電
極12の端部上には、透明導電膜10a’と金属層8
b’とが設けられている。この透明導電膜10a’は延
長されて、ドレイン電極12と表示電極2とを接続する
役割を果たすと共に、付加容量の一方の電極6aに接続
される接続電極6と一体化している。さらに、TFT2
2、ゲート信号配線3およびソース信号配線4、接続電
極6の上部を覆って層間絶縁膜9が設けられている。な
お、金属層8b’とドレイン電極12とは、図2におい
ては接触していないように図示しているが、直接接触し
ていても特性上問題はない。また、金属膜8b、8b’
とは同時に形成され、これらは、導電性の材料であれば
良く、ITO、Ti、Cr、Mo、Ta、Al、SnO
2の他、導電性樹脂、Ta/TaN、Ta/ITO、T
a/TaN/ITO等の積層構造で形成しても良い。
Next, the transparent conductive film 10a and the metal layer 8 are formed on the end portion of the source electrode 11 which is one of the n + -a-Si layers.
b is provided to form the source signal wiring 4 having a two-layer structure. In addition, the transparent conductive film 10a ′ and the metal layer 8 are formed on the end portion of the drain electrode 12 which is the other n + -a-Si layer.
b'is provided. The transparent conductive film 10a 'is extended to play a role of connecting the drain electrode 12 and the display electrode 2, and is integrated with the connection electrode 6 connected to one electrode 6a of the additional capacitor. In addition, TFT2
2, the gate signal wiring 3, the source signal wiring 4, and the connection electrode 6 are covered with an interlayer insulating film 9. Although the metal layer 8b 'and the drain electrode 12 are shown not to be in contact with each other in FIG. 2, there is no problem in characteristics even if they are in direct contact with each other. In addition, the metal films 8b and 8b '
And ITO, Ti, Cr, Mo, Ta, Al, SnO.
Other than 2 , conductive resin, Ta / TaN, Ta / ITO, T
It may be formed in a laminated structure of a / TaN / ITO or the like.

【0036】図3に示すように、この層間絶縁膜9上に
は、画素を形成するための表示電極2が相対するように
設けられている。この表示電極2は、層間絶縁膜9を貫
くコンタクトホール7によって、接続電極6と一体化し
ている透明導電膜10a’を介してTFT22のドレイ
ン電極12と接続されている。ここで、表示電極2は、
ソース信号配線4上に層間絶縁膜9上を介して重畳する
ように、表示領域2aの周縁部に配置される。なお、接
続配線6および透明導電膜10a、10a’は、IT
O、SnO2で作られている。
As shown in FIG. 3, display electrodes 2 for forming pixels are provided on the interlayer insulating film 9 so as to face each other. The display electrode 2 is connected to the drain electrode 12 of the TFT 22 through the contact hole 7 penetrating the interlayer insulating film 9 through the transparent conductive film 10a ′ integrated with the connection electrode 6. Here, the display electrode 2 is
It is arranged in the peripheral portion of the display region 2a so as to overlap the source signal line 4 with the interlayer insulating film 9 interposed therebetween. The connection wiring 6 and the transparent conductive films 10a and 10a 'are
Made of O and SnO 2 .

【0037】また、上記の層間絶縁膜9上には、対向配
線1がストライプ状に形成されている。対向配線1と表
示電極2は、互いに長手方向に平行になるように配置さ
れる。対向配線1は、表示領域2aの周縁部であり、且
つ隣接するソース信号配線4と重畳しない位置に配置さ
れている。更に、該対向配線1は、その長手方向に向か
って隣接する複数の表示領域2aにまたがって、延伸さ
れたストライプ形状となっている。対向配線1と表示電
極2は同じ工程でつくられ、これらの材質は、導電性の
材料であれば良く、ITO、Ti、Cr、Mo、Ta、
AlおよびSnO2の他導電性樹脂でも良い。また、T
a/TaN等の積層構造でも良い。
On the above-mentioned interlayer insulating film 9, the counter wiring 1 is formed in a stripe shape. The counter wiring 1 and the display electrode 2 are arranged so as to be parallel to each other in the longitudinal direction. The counter wiring 1 is arranged at a peripheral portion of the display area 2a and at a position where it does not overlap the adjacent source signal wiring 4. Further, the counter wiring 1 has a striped shape extending over a plurality of display regions 2a adjacent to each other in the longitudinal direction. The counter wiring 1 and the display electrode 2 are made in the same process, and these materials may be conductive materials, such as ITO, Ti, Cr, Mo, Ta,
A conductive resin other than Al and SnO 2 may be used. Also, T
A laminated structure such as a / TaN may be used.

【0038】なお、層間絶縁膜9としては、比誘電率が
充分低く、厚膜形成の可能な無色透明の材料であれば、
いかなる絶縁材料でも良い。本実施形態1では、層間絶
縁膜9を感光性アクリル樹脂を用いて形成したが、アク
リル系以外の感光性樹脂でも良い。更には、ポリイミド
樹脂やエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いても良
い。但し、感光性樹脂を用いると、生産性が高く、アク
リル系樹脂は無色透明で、比誘電率が低いので好ましい
と言える。
If the interlayer insulating film 9 is a colorless and transparent material having a sufficiently low relative dielectric constant and capable of forming a thick film,
Any insulating material may be used. Although the interlayer insulating film 9 is formed by using the photosensitive acrylic resin in the first embodiment, the photosensitive resin other than the acrylic resin may be used. Further, a thermosetting resin such as a polyimide resin or an epoxy resin may be used. However, it is preferable to use a photosensitive resin because the productivity is high, the acrylic resin is colorless and transparent, and the relative dielectric constant is low.

【0039】次に、以上のような本実施形態のアクティ
ブマトリクス基板は、以下のようにして製造することが
できる。
Next, the active matrix substrate of this embodiment as described above can be manufactured as follows.

【0040】まず、ガラス基板などの下側透明絶縁性基
板20上に、ゲート電極5、ゲート絶縁膜15、半導体
層14、チャネル保護層13、ソース電極11およびド
レイン電極12となるn+−a−Si層を順次形成す
る。ここで、半導体材料は、a−Si(アモルファスシ
リコン)に限るものではなく、p−Si(ポリシリコ
ン)、又は微結晶シリコンであってもよく、導電性高分
子材料でもよい。半導体層14は、真性半導体層で形成
され、ドレイン電極およびソース電極は、n+半導体層
で形成される。また、チャネル保護膜13およびゲート
絶縁膜15は、膣化シリコン(Sixy)、SiO2
よび絶縁性樹脂等で形成される。
First, on the lower transparent insulating substrate 20 such as a glass substrate, n + -a- which becomes the gate electrode 5, the gate insulating film 15, the semiconductor layer 14, the channel protective layer 13, the source electrode 11 and the drain electrode 12 is formed. The Si layer is sequentially formed. Here, the semiconductor material is not limited to a-Si (amorphous silicon), but may be p-Si (polysilicon) or microcrystalline silicon, or a conductive polymer material. The semiconductor layer 14 is formed of an intrinsic semiconductor layer, and the drain electrode and the source electrode are formed of an n + semiconductor layer. The channel protective film 13 and the gate insulating film 15, Chitsuka silicon (Si x N y), it is formed by the SiO 2 and the insulating resin or the like.

【0041】ここまでの作成プロセスは、従来のアクテ
ィブマトリクス基板の製造方法と同様にして行うことが
できる。
The manufacturing process up to this point can be carried out in the same manner as the conventional active matrix substrate manufacturing method.

【0042】次に、ソース信号配線4および接続電極6
を構成する透明導電膜10a、10a’および金属層8
b、8b’、スパッタ法により順次成膜して所定形状に
パターニングする。
Next, the source signal wiring 4 and the connection electrode 6
Of the transparent conductive films 10a, 10a 'and the metal layer 8
b, 8b ', a film is sequentially formed by a sputtering method, and patterned into a predetermined shape.

【0043】さらに、その上に、層間絶縁膜9としての
感光性アクリル系樹脂をスピン塗布法により例えば5μ
mの膜厚で形成する。
Further, a photosensitive acrylic resin as the interlayer insulating film 9 is formed thereon by, for example, 5 μm by a spin coating method.
m.

【0044】次に、この樹脂を所望のパターンに従って
露光し、アルカリ性の溶液によって現像処理する。これ
により露光された部分のみがアルカリ性の溶液によって
エッチングされ、層間絶縁膜9を貫通するコンタクトホ
ール7が形成されることになる。
Next, the resin is exposed in a desired pattern and developed with an alkaline solution. As a result, only the exposed portion is etched by the alkaline solution, and the contact hole 7 penetrating the interlayer insulating film 9 is formed.

【0045】その後、表示領域2aを構成する表示電極
2、及び対向配線1を形成するため、金属膜をスパッタ
法により形成し、エッチングにより同時にパターニング
する。これにより、表示領域2aを構成する一方の電極
である表示電極2は、層間絶縁膜9を貫くコンタクトホ
ール7を介して、TFT22のドレイン電極12と接続
されている透明導電膜10a’と接続されることにな
る。また、対向配線1はストライプ状の形状にパターニ
ングされる。なお、表示電極2、及び対向電極1は同一
の工程、同一の材料で形成する。材料は、上述のよう
に、導電性の光透過性の無いTa金属膜で構成したがT
i,Al,Cr,Mo又は、光透過性のあるITO膜等
の透明導電性膜で形成してもよい。なお、ここでは、ウ
エットエッチング技術を用いた例に説明したが、ドライ
エッチング技術を用いても良い。
After that, in order to form the display electrode 2 and the counter wiring 1 which form the display region 2a, a metal film is formed by a sputtering method and simultaneously patterned by etching. As a result, the display electrode 2 which is one of the electrodes forming the display region 2a is connected to the transparent conductive film 10a ′ connected to the drain electrode 12 of the TFT 22 through the contact hole 7 penetrating the interlayer insulating film 9. Will be. Further, the counter wiring 1 is patterned into a stripe shape. The display electrode 2 and the counter electrode 1 are formed by the same process and the same material. As described above, the material is a Ta metal film that is conductive and has no optical transparency.
It may be formed of a transparent conductive film such as i, Al, Cr, Mo, or a light-transmissive ITO film. Although the wet etching technique is used here as an example, a dry etching technique may be used.

【0046】次に、以上より成る単位画素(表示領域2
a)をマトリックス状に配置したアクティブマトリック
ス基板の表面にポリイミドよりなる配向膜16を形成
し、表面にラビング処理を施した。同じく、ラビング処
理を施した配向膜17を表面に形成した対向基板27
と、アクティブマトリックス基板の間に棒状の液晶分子
23を液晶組成物を封入し、二枚の基板の外表面に偏光
板18、19を配置した。液晶分子23は無電界時(図
1(a))にはストライプ状の表示電極2、及び対向配
線1の長手方向に対して若干の角度、即ち液晶分子の長
軸(光学軸)と電界の方向(表示電極2と対向配線1の
長手方向に垂直)のなす角度にして45゜以上90゜未
満を持つように配向されている。尚、上下基板との界面
での液晶分子の配向は互いに平行とした。また、液晶分
子の誘電異方性は正である。ここで、TFTのゲート電
極5に電圧を印加してTFTをオンとすると表示電極2
に電圧が印加し、表示電極2一対向配線間に電界Eを誘
起させると、(図1(b))に示すように電界方向に液
晶分子が向きを変える。上下基板の表面に配置した2枚
の偏光板18、19の偏光透過軸を所定角度(例えば、
互いの偏光透過軸が直行するクロスニコル)に配置する
ことで電界印加によって光の透過率を変化させることが
可能になる。このように、本発明の表示方式では従来は
対向基板27に必要であった透明電極がなくてもコント
ラストを与える表示が可能となる。このため、透明電極
の形成に関わる工程を全て省略できるので製造コスト削
減が可能となる。さらに、従来の対向基板に透明電極を
用いる表示方式では、電圧印加により液晶分子の長軸を
基板界面から立ち上がらせ複屈折位相差を0とすること
で暗状態を得ているが、複屈折位相差が0となる視角方
向は正面、即ち基板界面に垂直な方向のみであり、僅か
でも傾くと複屈折位相差が現れ、ノーマリーホワイト型
の表示では光が漏れコントラストの低下や階調レベルの
反転を引き起こす。ところが、本実施例の表示方式では
液晶分子の長軸は基板とほぼ平行であり電圧を印加して
も立ち上がることが無い。従って視角方向を変えたとき
の明るさの変化が小さく視角特性が大幅に改善される。
Next, the unit pixel (display area 2
An alignment film 16 made of polyimide was formed on the surface of an active matrix substrate in which a) was arranged in a matrix, and the surface was rubbed. Similarly, a counter substrate 27 having a rubbing-treated alignment film 17 formed on the surface thereof
Then, a rod-shaped liquid crystal molecule 23 was filled with a liquid crystal composition between the active matrix substrates, and polarizing plates 18 and 19 were arranged on the outer surfaces of the two substrates. When there is no electric field (FIG. 1A), the liquid crystal molecules 23 have a slight angle with respect to the longitudinal direction of the stripe-shaped display electrode 2 and the counter wiring 1, that is, the long axis (optical axis) of the liquid crystal molecules and the electric field. The direction (perpendicular to the longitudinal direction of the display electrode 2 and the counter wiring 1) forms an angle of 45 ° or more and less than 90 °. The orientation of the liquid crystal molecules at the interface between the upper and lower substrates was parallel to each other. The dielectric anisotropy of the liquid crystal molecules is positive. When a voltage is applied to the gate electrode 5 of the TFT to turn on the TFT, the display electrode 2
When a voltage is applied to the display electrode 2 to induce an electric field E between the opposing wirings, the liquid crystal molecules turn in the electric field direction as shown in FIG. 1B. The polarization transmission axes of the two polarizing plates 18 and 19 arranged on the surfaces of the upper and lower substrates are set at a predetermined angle (for example,
It is possible to change the light transmittance by applying an electric field by arranging the polarization transmission axes in crossed Nicols in which their polarization transmission axes are orthogonal to each other. As described above, in the display system of the present invention, it is possible to perform display with contrast even without the transparent electrode which is conventionally required for the counter substrate 27. For this reason, all of the steps relating to the formation of the transparent electrode can be omitted, so that the manufacturing cost can be reduced. Further, in the conventional display method using a transparent electrode on a counter substrate, a dark state is obtained by raising the long axis of liquid crystal molecules from the substrate interface by applying a voltage and setting the birefringence phase difference to 0. The viewing angle direction in which the phase difference is 0 is only in the front direction, that is, in the direction perpendicular to the substrate interface, and a slight tilt causes a birefringence phase difference. Cause inversion. However, in the display method of this embodiment, the major axis of the liquid crystal molecules is substantially parallel to the substrate and does not rise even when a voltage is applied. Therefore, the change in brightness when the viewing angle direction is changed is small, and the viewing angle characteristics are significantly improved.

【0047】また、このようにして得られたアクティブ
マトリクス基板は、ゲート信号配線3、ソース信号配線
4およびTFT22と、液晶表示用表示電極2及び対向
配線1との間に層間絶縁膜9が形成されているので、各
配線3、4およびTFT22に対して表示電極2、及び
対向配線1をオーバーラップして形成することができる
とともにその表面を平坦化させることができる。
In the active matrix substrate thus obtained, the interlayer insulating film 9 is formed between the gate signal wiring 3, the source signal wiring 4 and the TFT 22, the liquid crystal display electrode 2 and the counter wiring 1. Therefore, the display electrode 2 and the counter wiring 1 can be formed so as to overlap the wirings 3 and 4 and the TFT 22, and the surface can be flattened.

【0048】例えば、図2のように、表示電極2をデー
タ信号を供給するTFTに接続されたソースバスライン
上に層間絶縁膜9を介して重畳させ、一方で対向配線1
を表示領域2aを跨いで対になり、且つ隣接するソース
信号配線4と重畳しないように配置することによって、
バックライト光の透過領域を拡大させることができる。
For example, as shown in FIG. 2, the display electrode 2 is superimposed on the source bus line connected to the TFT for supplying the data signal via the interlayer insulating film 9, while the counter wiring 1 is formed.
Are arranged such that they form a pair across the display area 2a and do not overlap with the adjacent source signal wiring 4,
It is possible to expand the transmission area of the backlight light.

【0049】このため、アクティブマトリクス基板と対
向基板の間に液晶を介在させた透過型液晶表示装置の構
成とした時に、開口率を向上させることができるととも
に、各配線3、4に起因する電界を表示領域2aを形成
する表示電極2、及び対向配線2によってシールドして
液晶の配向不良を抑制することができ、且つ各配線3、
4およびTFT22に起因する段差による液晶の配向不
良を抑制することができる。
Therefore, when a transmissive liquid crystal display device is constructed in which liquid crystal is interposed between the active matrix substrate and the counter substrate, the aperture ratio can be improved and the electric field caused by the wirings 3 and 4 can be improved. Can be shielded by the display electrode 2 forming the display region 2a and the counter wiring 2 to prevent liquid crystal misalignment, and each wiring 3,
4 and the TFT 22 can prevent the liquid crystal alignment defect due to the step.

【0050】また、層間絶縁膜9を形成するアクリル系
樹脂は、比誘電率が1.5〜3.5と無機膜(窒化シリ
コンの比誘電率8)に比べて低く、しかもスピン塗布法
により容易に1.0〜10.0μmという厚い膜厚にす
ることができるので、ゲート信号配線3と表示電極2と
の間の容量も小さくすることができる。これにより信号
波形のダレや歪みを少なくすることができる。同様に、
各配線3、4と表示電極2、及び対向配線1との間の容
量を小さくすることができ、これにより信号波形のダレ
や歪みを少なくすることができる。従って、各配線3、
4と表示電極2、及び対向配線1との間の容量成分が表
示に与えるクロストークなどの影響を、より改善するこ
とができ、良好で明るい表示を得ることを可能にする。
また、露光およびアルカリ現像によって、パターニング
を行うことにより、コンタクトホール7のテーパ形状を
良好にすることができので、表示電極2と接続電極6を
形成する透明導電膜10a’との良好な接続を得ること
ができるようになる。しかも、上記パターニングにはフ
ォトレジスト工程も不要なので、生産性向上という観点
からも有利である。ここで、層間絶縁膜9として使用し
たアクリル系樹脂は、塗布前には着色されたものである
が、パターニング後に全面露光処理を施してより透明化
することができる。なお、このような樹脂の透明処理化
は、光学的な処理によりなされるものに限らず、化学的
な処理により行うことも可能である。なお、透明性が高
いという点からも、アクリル系樹脂は好ましい材料であ
る。
The acrylic resin forming the interlayer insulating film 9 has a relative permittivity of 1.5 to 3.5, which is lower than that of the inorganic film (relative permittivity of silicon nitride 8), and the spin coating method is used. Since the thickness can be easily made as thick as 1.0 to 10.0 μm, the capacitance between the gate signal wiring 3 and the display electrode 2 can be reduced. This makes it possible to reduce the sagging and distortion of the signal waveform. Similarly,
It is possible to reduce the capacitance between each of the wirings 3 and 4, the display electrode 2, and the counter wiring 1, thereby reducing the sagging and distortion of the signal waveform. Therefore, each wiring 3,
It is possible to further improve the effect of crosstalk or the like on the display caused by the capacitance component between the display element 4, the display electrode 2, and the counter wiring 1, and it is possible to obtain a good and bright display.
In addition, since the tapered shape of the contact hole 7 can be improved by performing patterning by exposure and alkali development, a good connection between the display electrode 2 and the transparent conductive film 10a ′ forming the connection electrode 6 can be achieved. You will be able to get it. Moreover, the patterning does not require a photoresist process, which is advantageous from the viewpoint of improving productivity. Here, the acrylic resin used as the interlayer insulating film 9 is colored before coating, but can be made more transparent by subjecting it to an entire surface exposure process after patterning. It should be noted that such a transparent treatment of the resin is not limited to an optical treatment, and can be a chemical treatment. In addition, acrylic resin is a preferable material from the viewpoint of high transparency.

【0051】(実施形態2)層間絶縁膜9上に対向電極
1や表示電極2を形成すると、浮遊容量の増加によって
良好な表示特性を得ることが難しいと、考えられてい
た。しかしながら、上述のように本発明の液晶表示装置
に用いられた層間絶縁膜9は誘電率が極めて低く、しか
も、層厚を厚くすることができるという特徴を有するた
めに、対向電極1を層間絶縁膜9を介してソース信号配
線4上と重畳するように配置するという構成を採用して
も、浮遊容量を極めて小さくすることが可能になる。従
って、層間絶縁膜9上を介して対向電極1とソース信号
配線4を重ねあわせることにもたらされる効果によっ
て、液晶表示装置の開口率向上と、コントラストの向上
を図ることができる。同じ作用効果により、表示電極2
を層間絶縁膜9を介してゲート信号配線3上と重畳する
ように配置した場合においても、浮遊容量の発生を最小
限に抑えることができ、これにより、開口率、コントラ
ストを向上させることを可能にする。
(Embodiment 2) When the counter electrode 1 and the display electrode 2 were formed on the interlayer insulating film 9, it was considered difficult to obtain good display characteristics due to an increase in stray capacitance. However, as described above, the interlayer insulating film 9 used in the liquid crystal display device of the present invention has a feature that the dielectric constant is extremely low and the layer thickness can be increased. The stray capacitance can be made extremely small even if the configuration in which it is arranged so as to overlap the source signal line 4 via the film 9 is adopted. Therefore, the aperture ratio and the contrast of the liquid crystal display device can be improved by the effect brought about by superposing the counter electrode 1 and the source signal wiring 4 on the interlayer insulating film 9. With the same effect, the display electrode 2
Even when the gate electrodes are arranged so as to overlap with the gate signal line 3 via the interlayer insulating film 9, the generation of stray capacitance can be suppressed to the minimum, and thus the aperture ratio and the contrast can be improved. To

【0052】なお、横電界モードで、しかも層間絶縁膜
のよって平坦化されており、リバースチルトが発生しな
いので、本発明による液晶表示装置においては、基本的
にブラックマスクは不要である。しかしながら、本実施
形態1および2のように、表示領域2a内で対向配線1
と表示電極2との間隔が異なるような構成の場合には、
両者間の距離の違いによる応答速度の変化に基づく配向
不良という問題の発生が懸念される。従って、配向不良
の発生の懸念される互いに近接する対向配線1と表示電
極2との間に、ブラックマスクを設けても良い。
In the horizontal electric field mode, and since the film is flattened by the interlayer insulating film and the reverse tilt does not occur, the liquid crystal display device according to the present invention basically does not need a black mask. However, as in the first and second embodiments, the counter wiring 1 is formed in the display area 2a.
When the distance between the display electrode 2 and the display electrode 2 is different,
There is a concern that a problem of orientation failure may occur due to a change in response speed due to a difference in distance between the two. Therefore, a black mask may be provided between the counter wiring 1 and the display electrode 2 which are close to each other and in which an alignment defect may occur.

【0053】(実施形態3)図4は、本発明の実施形態
3の液晶表示装置を示す平面図である。図5と図6はそ
れぞれ、図3に示される線B−B’とA−A’の断面図
である。この実施形態3において、実施形態1および2
と異なる点は、対向配線1の位置を表示領域2aのほぼ
中央部分に配置した点と、対向配線1を対向基板側に配
置した点である。
(Third Embodiment) FIG. 4 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention. 5 and 6 are cross-sectional views taken along the lines BB 'and AA' shown in FIG. 3, respectively. In this Embodiment 3, Embodiments 1 and 2
2 is that the position of the counter wiring 1 is arranged substantially in the center of the display area 2a and that the counter wiring 1 is arranged on the counter substrate side.

【0054】即ち、図4〜6から分かるように、アクテ
ィブマトリクス基板上に液晶駆動用表示電極2が設けら
れており、この点は、実施形態1および2と同じ構成を
有する。一方、対向基板側には、対向配線1がストライ
プ状に表示領域2aの中央に配置されており、この点が
本実施形態特有の構成である。
That is, as can be seen from FIGS. 4 to 6, the liquid crystal driving display electrode 2 is provided on the active matrix substrate, and this point has the same configuration as in the first and second embodiments. On the other hand, on the counter substrate side, the counter wiring 1 is arranged in a stripe shape at the center of the display area 2a, and this point is a characteristic of this embodiment.

【0055】実施形態3の液晶表示装置の製造方法を、
図4〜6を参照しながら説明する。
A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the third embodiment will be described.
This will be described with reference to FIGS.

【0056】層間絶縁膜9の形成までの各製造工程は、
実施形態1と同様のプロセスなので、それ以降の製造プ
ロセスについて説明する。単位画素(表示領域2a)を
マトリックス状に配置したアクティブマトリックス基板
28の表面にポリイミドよりなる配向膜16を形成し、
表面にラビング処理を施した。
Each manufacturing process up to the formation of the interlayer insulating film 9 is
Since the process is the same as that of the first embodiment, the subsequent manufacturing process will be described. An alignment film 16 made of polyimide is formed on the surface of an active matrix substrate 28 in which unit pixels (display area 2a) are arranged in a matrix.
The surface was rubbed.

【0057】次に、対向基板27に蒸着法により導電性
膜を成膜し、フォトリソ工程、エッチング工程をへて、
ストライプ状の対向配線1を形成した。ここで、導電性
膜の材料として、Taを用いたが、Ti,Al,Cr,
ITO等を用いてもよい。続いて、対向基板27の表面
にポリイミドよりなる配向膜17を形成し、表面にラビ
ング処理を施した。
Next, a conductive film is formed on the counter substrate 27 by a vapor deposition method, and a photolithography process and an etching process are performed.
The stripe-shaped opposing wiring 1 was formed. Here, Ta is used as the material of the conductive film, but Ti, Al, Cr,
ITO or the like may be used. Subsequently, an alignment film 17 made of polyimide was formed on the surface of the counter substrate 27, and the surface was rubbed.

【0058】以上のようにして形成した対向基板27
と、アクティブマトリックス基板の間に棒状の液晶分子
23を液晶組成物を封入した。さらに、アクティブマト
リックス基板28と対向基板27の配向膜と反対側の表
面に偏光板18、19を配置した。液晶分子23は無電
界時にはストライプ状の表示電極2、及び対向配線1の
長手方向に対して若千の角度、即ち液晶分子の長軸(光
学軸)と電界の方向(表示電極2と対向配線1の長手方
向に垂直)のなす角度にして45゜以上90゜未満を持
つように配向されている。尚、上下基板との界面での液
晶分子の配向は互いに平行になるようにした。また、液
晶分子の誘電異方性は正である。ここで、TFTのゲー
ト電極5に電圧を印加してTFTをオンとすると表示電
極2に電圧が印加し、表示電極2−対向配線1間に電界
Eを誘起させると、電界方向に液晶分子が向きを変える
(図4(a))。また、図5および図6では、厚み方向
を拡大して図示しているために、電界方向Eが傾斜して
いるように見えるが、実際の液晶表示装置では、表示領
域2a’の幅が40μm〜80μmに比べて、液晶層の
厚みは6μm程度と1桁近く小さいので、液晶層の厚み
方向の電界成分は極めて小さく、電界方向は基板面に対
してはぼ平行と考えて良い。以上の構成において上下基
板の表面に配置した2枚の偏光板18、19の偏光透過
軸を所定角度(例えば、互いの偏光透過軸が直行するク
ロスニコル)に配置することで、電界印加によって光の
透過率を変化させることが可能になる。
Counter substrate 27 formed as described above
Then, a rod-shaped liquid crystal molecule 23 was filled with a liquid crystal composition between the active matrix substrates. Further, polarizing plates 18 and 19 are arranged on the surfaces of the active matrix substrate 28 and the counter substrate 27 opposite to the alignment films. When there is no electric field, the liquid crystal molecules 23 form a slight angle with respect to the longitudinal direction of the stripe-shaped display electrode 2 and the counter wiring 1, that is, the major axis (optical axis) of the liquid crystal molecule and the direction of the electric field (display electrode 2 and counter wiring). (1 is perpendicular to the longitudinal direction) and has an angle of 45 ° or more and less than 90 °. The alignment of the liquid crystal molecules at the interface with the upper and lower substrates was made parallel to each other. The dielectric anisotropy of the liquid crystal molecules is positive. Here, when a voltage is applied to the gate electrode 5 of the TFT to turn on the TFT, a voltage is applied to the display electrode 2, and when an electric field E is induced between the display electrode 2 and the counter wiring 1, liquid crystal molecules are generated in the electric field direction. Change direction (Fig. 4 (a)). Further, in FIG. 5 and FIG. 6, since the thickness direction is enlarged and shown, the electric field direction E seems to be inclined, but in the actual liquid crystal display device, the width of the display region 2a ′ is 40 μm. Since the thickness of the liquid crystal layer is about 6 μm, which is smaller than that of ˜80 μm by almost one digit, the electric field component in the thickness direction of the liquid crystal layer is extremely small, and it can be considered that the electric field direction is substantially parallel to the substrate surface. In the above configuration, by arranging the polarization transmission axes of the two polarizing plates 18 and 19 arranged on the surfaces of the upper and lower substrates at a predetermined angle (for example, crossed Nicols where the polarization transmission axes of the two are orthogonal to each other), the It is possible to change the transmittance of.

【0059】このように、対向配線1を対向基板27の
ほぼ中央に配置することにより、実施形態1と2に比較
して、浮遊容量をより小さくできる。従って、浮遊容量
に起因する信号波形のダレや歪みを、より効果的に改善
することになる。また、寄生容量に起因するオフ電流の
発生も防止できる。更には、実施形態1および2のよう
に、表示領域2a内で対向配線1と表示電極2との間隔
が異なるような構成の場合には、両者間の距離の違いに
よる応答速度の変化に基づく配向不良という問題の発生
が懸念されるが、本実施形態では、そのような問題が発
生することがなく、上記の実施形態1および2におい
て、言及したブラックマスクを設けることも要しない。
As described above, by arranging the counter wiring 1 substantially at the center of the counter substrate 27, the stray capacitance can be further reduced as compared with the first and second embodiments. Therefore, the sag and distortion of the signal waveform due to the stray capacitance can be improved more effectively. Further, it is possible to prevent the generation of off current due to the parasitic capacitance. Further, in the case of the configuration in which the distance between the counter wiring 1 and the display electrode 2 is different in the display area 2a as in the first and second embodiments, it is based on the change in response speed due to the difference in distance between the two. Although there is a concern that a problem of poor orientation may occur, such a problem does not occur in the present embodiment, and it is not necessary to provide the black mask mentioned in the first and second embodiments.

【0060】(実施形態4)図7は、本発明の実施形態
4の液晶表示装置を示す平面図である。図8と図9はそ
れぞれ、図7に示される線B−B’とA−A’の断面図
である。この実施形態4において、実施形態3と異なる
点は、長手方向の対向配線1を、表示電極の長手方向に
対して、一定の角度を持って配置されている点である。
(Fourth Embodiment) FIG. 7 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention. 8 and 9 are cross-sectional views taken along the lines BB 'and AA' shown in FIG. 7, respectively. The fourth embodiment differs from the third embodiment in that the counter wiring 1 in the longitudinal direction is arranged at a certain angle with respect to the longitudinal direction of the display electrode.

【0061】即ち、図7(a)、(b)からわかるよう
に、対向配線1を対向基板27側に配置した構成におい
て、対向配線1の長手方向を表示電極2の長手方向に対
して、一定の角度を持つ方向、望ましくは、ソース信号
配線4およびゲート信号配線3によって形成される四辺
形の表示領域2aの対角線上に沿った方向に、対向配線
1が形成されるように配置されている。
That is, as can be seen from FIGS. 7A and 7B, in the structure in which the counter wiring 1 is arranged on the counter substrate 27 side, the longitudinal direction of the counter wiring 1 is set with respect to the longitudinal direction of the display electrode 2. The counter wiring 1 is arranged so as to be formed in a direction having a certain angle, preferably in a direction along a diagonal line of the quadrilateral display area 2a formed by the source signal wiring 4 and the gate signal wiring 3. There is.

【0062】表示領域2aを複数の微少領域の集合であ
ると考えると、上記構成にすることによって、図8、9
の断面図に示すように、表示電極2と対向配線1との間
の電界強度は、表示領域2a内の微小領域の位置に依存
して、変化することになる。従って、異なった位置にあ
る微小領域においては、液晶分子の旋回角度が変化し、
このことが複屈折位相差の値にも影響を及ぼして、液晶
層を伝搬する円偏光の偏光面の傾きが異なることにな
る。従って、表示領域2aの液晶層中において、位置に
依存して各々違った位相差、又は偏光面を持つ光が伝搬
することになり、このことにより視角特性が大幅に改善
される。
Assuming that the display area 2a is a set of a plurality of microscopic areas, the above-mentioned structure is adopted, so that the display area 2a shown in FIGS.
As shown in the cross-sectional view of FIG. 5, the electric field strength between the display electrode 2 and the counter wiring 1 changes depending on the position of the minute area in the display area 2a. Therefore, the rotation angle of the liquid crystal molecules changes in the minute regions at different positions,
This also affects the value of the birefringence phase difference, and the inclination of the polarization plane of circularly polarized light propagating through the liquid crystal layer is different. Therefore, in the liquid crystal layer of the display area 2a, light having different phase differences or polarization planes depending on the position propagates, and this significantly improves the viewing angle characteristics.

【0063】(実施形態5)図10(a)は、本発明の
実施形態5の液晶表示装置を示す平面図である。
(Fifth Embodiment) FIG. 10A is a plan view showing a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【0064】図10(a)において、共通配線25を、
TFT22に接続されたゲート信号配線3に近隣に配置
している点が、他の実施形態と異なっている。
In FIG. 10A, the common wiring 25 is
It is different from the other embodiments in that it is arranged in the vicinity of the gate signal wiring 3 connected to the TFT 22.

【0065】このような構成を採用することにより、表
示領域2aの中央部における液晶分子の配向乱れの発生
を抑制できる。即ち、配向乱れ領域は、表示領域2aの
周辺部に限られることから、表示領域全体でみると表示
品位が大幅に向上ことになる。また、周辺部の配向の乱
れている部分のみをブラックマスクで覆うことによって
も、より高品質の表示を得ることもできる。
By adopting such a configuration, it is possible to suppress the occurrence of alignment disorder of the liquid crystal molecules in the central portion of the display area 2a. That is, since the alignment disorder area is limited to the peripheral portion of the display area 2a, the display quality is significantly improved in the entire display area. Further, it is possible to obtain a higher quality display by covering only the peripherally disturbed portion with a black mask.

【0066】(実施形態6)図10(b)は、本発明の
実施形態6の液晶表示装置を示す平面図である。
(Sixth Embodiment) FIG. 10B is a plan view showing a liquid crystal display device according to a sixth embodiment of the present invention.

【0067】図10(b)によると、共通配線25に対
して対向配線lが層間絶縁膜9に設けられたコンタクト
ホール7を介して直接、接続され、また、表示電極2も
同様に層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール7を
介してTFT22に直接、接続されたものである。
According to FIG. 10B, the counter wiring 1 is directly connected to the common wiring 25 through the contact hole 7 provided in the interlayer insulating film 9, and the display electrode 2 is also similarly interlayer-insulated. It is directly connected to the TFT 22 through the contact hole 7 provided in the film 9.

【0068】このような構成を採用することにより、層
間絶縁膜9を介してドレイン電極側で保持容量を形成す
る場合にくらべて、表示領域2a内に透明導電性膜から
形成される接続電極6を配置する必要がなくなり、透過
光の透過率が大幅に向上して、コントラストおよび輝度
の向上を図ることができるようになる。また、このよう
な構成によると、接続配線6の配線抵抗によるデータ信
号の遅延という問題も解消することができる。
By adopting such a structure, as compared with the case where the storage capacitor is formed on the drain electrode side via the interlayer insulating film 9, the connection electrode 6 formed of the transparent conductive film in the display region 2a. It becomes unnecessary to dispose, and the transmittance of transmitted light is significantly improved, and the contrast and the brightness can be improved. Further, with such a configuration, it is possible to solve the problem of delay of the data signal due to the wiring resistance of the connection wiring 6.

【0069】(実施形態7)図10(c)は、本発明の
実施形態7の液晶表示装置を示す平面図である。
(Embodiment 7) FIG. 10C is a plan view showing a liquid crystal display device of Embodiment 7 of the present invention.

【0070】図10(c)によると、実施形態7と同様
に対向配線1が直接共通配線25に接続されたおり、対
向配線1が表示領域2aを駆動させる液晶駆動用の各表
示電極2間の中間位置にくるように配設されたものであ
る。
According to FIG. 10C, the counter wiring 1 is directly connected to the common wiring 25 as in the case of the seventh embodiment, and the counter wiring 1 drives between the display electrodes 2 for driving the liquid crystal for driving the display area 2a. It is arranged so as to come to an intermediate position.

【0071】このような構成を採用することにより、表
示電極2と対向配線1の間に生じる寄生容量の発生を防
止することになるので、信号波形のダレや歪みを抑える
ことができる。また、図10(d)は、実施形態7の特
徴と実施形態5の特徴を組み合わせた構成となってい
る。
By adopting such a configuration, it is possible to prevent the generation of parasitic capacitance between the display electrode 2 and the counter wiring 1, so that it is possible to suppress the signal waveform from sagging or distortion. Further, FIG. 10D has a configuration in which the features of the seventh embodiment and the features of the fifth embodiment are combined.

【0072】なお、本実施形態では、対向電極1を帯状
の電極であるように図示しているが、この対向電極1お
よび表示電極2は、くし歯形状でも良い。即ち、対向電
極1と表示電極2との電極間距離を一定にして、互いに
かみ合わせた形状でも良い。
In the present embodiment, the counter electrode 1 is illustrated as a strip electrode, but the counter electrode 1 and the display electrode 2 may have a comb tooth shape. That is, the inter-electrode distance between the counter electrode 1 and the display electrode 2 may be fixed and the shapes may be intermeshed with each other.

【0073】なお、本発明の液晶表示装置の駆動信号
は、TNモードの液晶表示装置と同じ駆動信号でも良
く、印加電圧は、液晶材料、セル構造(例えば、表示電
極1と対向電極2間の距離)によって適切に選択され
る。また、共通配線は、一定電位であっても良い。ま
た、本発明の液晶表示装置では、接続電極6aと共通配
線間25aで付加容量を形成したが、液晶材料によって
電圧を保持できる場合には、共通配線25aはなくても
良い。更に、ゲート信号配線3上に絶縁膜を形成するこ
とによって、付加容量を設けても良い。
The drive signal of the liquid crystal display device of the present invention may be the same drive signal as that of the TN mode liquid crystal display device, and the applied voltage is applied to the liquid crystal material and the cell structure (for example, between the display electrode 1 and the counter electrode 2). It is properly selected according to the distance. Further, the common wiring may have a constant potential. Further, in the liquid crystal display device of the present invention, the additional capacitance is formed between the connection electrode 6a and the common wiring 25a, but if the voltage can be held by the liquid crystal material, the common wiring 25a may be omitted. Further, the additional capacitance may be provided by forming an insulating film on the gate signal wiring 3.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上の実施形態によれば、以下のような
作用・効果を得ることができる。
According to the above embodiment, the following actions and effects can be obtained.

【0075】1.表示電極2が層間絶縁膜9を介して隣
接するソース信号配線4上に重畳するように形成される
ことにより、配線による透過光の遮光を防止することが
できるため、開口率を向上を図ることができ、高コント
ラスト・高輝度化を達成する。
1. Since the display electrode 2 is formed so as to overlap with the adjacent source signal wiring 4 with the interlayer insulating film 9 interposed therebetween, it is possible to prevent the transmission light from being blocked by the wiring, thereby improving the aperture ratio. It achieves high contrast and high brightness.

【0076】2.比誘電率が小さく、しかも厚膜の層間
絶縁膜9によって、下層のゲート信号配線3、およびソ
ース信号配線4、共通配線25とが絶縁されるため、浮
遊容量の発生を抑制する。これにより、液晶の駆動容量
の変動を防止することができるので、ダレや歪みの少な
いデータ信号を正確に液晶層に伝達することができの
で、高コントラスト表示を可能になる。
2. Since the lower-layer gate signal line 3, the source signal line 4, and the common line 25 are insulated from each other by the thick interlayer insulating film 9 having a small relative permittivity, generation of stray capacitance is suppressed. As a result, it is possible to prevent fluctuations in the drive capacitance of the liquid crystal, and it is possible to accurately transmit a data signal with little sagging or distortion to the liquid crystal layer, which enables high contrast display.

【0077】3.表示電極2、及び対向配線1を同一材
で同一マスクで形成することにより、2つの電極間の距
離を正確に形成することが可能となり、製造コスト、及
び歩留まりを向上させる。
3. By forming the display electrode 2 and the counter wiring 1 using the same material and using the same mask, the distance between the two electrodes can be accurately formed, and the manufacturing cost and the yield are improved.

【0078】4.対向配線1をストライプ状に対向基板
27側に配置することにより、対向配線1と周辺の配線
間に生じる寄生容量の発生防止することにより、対向信
号の遅延に起因する表示品質の低下を防止する。
4. By arranging the counter wiring 1 in the form of stripes on the counter substrate 27 side, the generation of parasitic capacitance between the counter wiring 1 and the peripheral wiring is prevented, so that the deterioration of the display quality due to the delay of the counter signal is prevented. .

【0079】5.対配配線1をストライプ状に対向基板
27側に配置し、且つ表示電極2の長手方向に対して、
対向配線1の長手方向を一定の角度をもたせることによ
り、表示電極2と対向電極1間に生じる電界強度を一つ
の表示領域2a内の位置に依存して異ならせることによ
り、広視野角の表示を可能にする。
5. The counter wiring 1 is arranged in a stripe shape on the counter substrate 27 side, and in the longitudinal direction of the display electrode 2,
By making the longitudinal direction of the counter wiring 1 have a constant angle, the electric field strength generated between the display electrode 2 and the counter electrode 1 is made different depending on the position in one display region 2a, thereby displaying a wide viewing angle. To enable.

【0080】6.対向配線1を共通配線25に直接接続
することにより、TFTに接続された接続配線6をなく
すことにより、配線抵抗の影響によるデータ信号の遅延
を防止と透過光の透過率向上を図ることができる。
6. By directly connecting the counter wiring 1 to the common wiring 25 and eliminating the connection wiring 6 connected to the TFT, it is possible to prevent the delay of the data signal due to the influence of the wiring resistance and improve the transmittance of the transmitted light. .

【0081】7.対向配線1を、対向配線1を挟む2つ
の表示電極2の中問位置に配置することにより、対向配
線1と表示電極2の間の寄生容量の発生を防止すること
により、寄生容量の発生の抑制とオフ電流の発生の防止
を図ることができる。
7. By arranging the counter wiring 1 at an intermediate position between the two display electrodes 2 sandwiching the counter wiring 1, the generation of the parasitic capacitance between the counter wiring 1 and the display electrode 2 is prevented. It is possible to suppress and prevent the generation of off-current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態1の液晶表示装置の構成を示
す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の液晶表示装置のB−B’断面図である。2 is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of the liquid crystal display device of FIG.

【図3】図1の液晶表示装置のA−A’断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of the liquid crystal display device of FIG.

【図4】本発明の実施形態2の液晶表示装置を示す平面
図である。
FIG. 4 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4の液晶表示装置のB−B’断面図である。5 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of the liquid crystal display device of FIG.

【図6】図4の液晶表示装置のA−A’断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of the liquid crystal display device of FIG.

【図7】本発明の実施形態5の液晶表示装置の構成を示
す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】図7の液晶表示装置のB−B’断面図である。8 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of the liquid crystal display device of FIG.

【図9】図7の液晶表示装置のA−A’断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of the liquid crystal display device of FIG.

【図10】(a)は、本発明の実施形態5の液晶表示装
置の構成を示す平面図である。(b)は、本発明の実施
形態6の液晶表示装置の構成を示す平面図である。
(c)は、本発明の実施形態7の液晶表示装置の構成を
示す平面図である。(d)は、本発明の実施形態7の液
晶表示装置の別の構成を示す平面図である。
FIG. 10A is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 6B is a plan view showing the configuration of the liquid crystal display device of Embodiment 6 of the present invention.
FIG. 13C is a plan view showing the configuration of the liquid crystal display device of Embodiment 7 of the present invention. FIG. 7D is a plan view showing another configuration of the liquid crystal display device of Embodiment 7 of the present invention.

【図11】(a)および(b)は、従来の液晶表示装置
の構成を示す平面図である。
11A and 11B are plan views showing a configuration of a conventional liquid crystal display device.

【図12】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 対向配線 2 表示電極 2a 表示領域 2b 表示電極引き出し部 3 ゲート信号配線 4 ソース信号配線 5 ゲート電極 6 接続電極 7 コンタクトホール 8b’、8b 金属層 9 層間絶縁膜 10a、10a’ 透明導電膜 11 ソース電極 12 ドレイン電極 13 チャネル保護層 14 半導体層 15 ゲート絶縁膜 16 下側配向膜 17 上側配向膜 18、19 偏光板 20 下側透明絶縁性基板 21 上側透明絶縁性基板 22 TFT 23 液晶分子 24 液晶層 25 共通配線 27 対向基板 28 アクティブマトリックス基板 1 counter wiring 2 display electrode 2a display area 2b display electrode lead-out portion 3 gate signal wiring 4 source signal wiring 5 gate electrode 6 connection electrode 7 contact hole 8b ', 8b metal layer 9 interlayer insulating film 10a, 10a' transparent conductive film 11 source Electrode 12 Drain electrode 13 Channel protection layer 14 Semiconductor layer 15 Gate insulating film 16 Lower alignment film 17 Upper alignment film 18, 19 Polarizing plate 20 Lower transparent insulating substrate 21 Upper transparent insulating substrate 22 TFT 23 Liquid crystal molecule 24 Liquid crystal layer 25 common wiring 27 counter substrate 28 active matrix substrate

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、該基板上に設けられたゲート信
号配線およびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設け
られたソース信号配線と、該ゲート絶縁膜上に設けら
れ、該ゲート信号配線と該ソース信号配線との各交差部
に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ
に接続されたドレイン電極と、該ドレイン電極に接続さ
れた接続電極と、該接続電極の一部と該ゲート絶縁膜を
介して保持容量を形成するための共通配線と、該ゲート
絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に
設けられた液晶駆動用表示電極および対向電極と、を有
するアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリ
クス基板に対向する対向基板と、該アクティブマトリク
ス基板と該対向基板に狭持された液晶層と、を備えた液
晶表示装置であって、 該表示電極が表示領域内の第一の方向に伸びており、該
対向電極および該ソース信号配線が該表示領域内の該第
1の方向に、かつ、複数の該表示領域にまたがっている
液晶表示装置。
1. A substrate, a gate signal wiring and a gate insulating film provided on the substrate, a source signal wiring provided on the gate insulating film, and a gate signal provided on the gate insulating film. A thin film transistor formed at each intersection of a wiring and the source signal wiring, a drain electrode connected to the thin film transistor, a connection electrode connected to the drain electrode, a part of the connection electrode, and the gate insulating film. An active line having a common wire for forming a storage capacitor via the interlayer insulating film formed on the gate insulating film, and a liquid crystal driving display electrode and a counter electrode provided on the interlayer insulating film. A liquid crystal display device comprising: a matrix substrate; a counter substrate facing the active matrix substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate, A liquid crystal in which the display electrode extends in a first direction within the display region, and the counter electrode and the source signal line extend in the first direction within the display region and across a plurality of the display regions. Display device.
【請求項2】 少なくとも前記表示電極または前記対向
電極のいずれか一方が、前記ソース信号配線と重畳する
ように形成される請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the display electrode and the counter electrode is formed so as to overlap with the source signal line.
【請求項3】 少なくとも前記表示電極または前記対向
電極のいずれか一方が、前記ゲート信号配線と重畳する
ように形成される請求項1に記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the display electrode and the counter electrode is formed so as to overlap with the gate signal line.
【請求項4】 基板と、該基板上に設けられたゲート信
号配線およびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設け
られたソース信号配線と、該ゲート絶縁膜上に設けら
れ、該ゲート信号配線と該ソース信号配線との各交差部
に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ
に接続されたドレイン電極と、該ドレイン電極に接続さ
れた接続電極と、該接続電極の一部と該ゲート絶縁膜を
介して保持容量を形成するための共通配線と、該ゲート
絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に
設けられた液晶駆動用表示電極および対向電極と、を有
するアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリ
クス基板に対向する対向基板と、該アクティブマトリク
ス基板と該対向基板に狭持された液晶層と、を備えた液
晶表示装置であって、 該対向電極が、該共通配線と該層間絶縁層に設けられた
コンタクトホールを介して直接接続される液晶表示装
置。
4. A substrate, a gate signal wiring and a gate insulating film provided on the substrate, a source signal wiring provided on the gate insulating film, and a gate signal provided on the gate insulating film. A thin film transistor formed at each intersection of a wiring and the source signal wiring, a drain electrode connected to the thin film transistor, a connection electrode connected to the drain electrode, a part of the connection electrode, and the gate insulating film. An active line having a common wire for forming a storage capacitor via the interlayer insulating film formed on the gate insulating film, and a liquid crystal driving display electrode and a counter electrode provided on the interlayer insulating film. A liquid crystal display device comprising: a matrix substrate; a counter substrate facing the active matrix substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate, A liquid crystal display device in which the counter electrode is directly connected to the common wiring through a contact hole provided in the interlayer insulating layer.
【請求項5】 基板と、該基板上に設けられたゲート信
号配線およびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設け
られたソース信号配線と、該ゲート絶縁膜上に設けら
れ、該ゲート信号配線と該ソース信号配線との各交差部
に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ
に接続されたドレイン電極と、該ドレイン電極に接続さ
れた接続電極と、該接続電極の一部と該ゲート絶縁膜を
介して保持容量を形成するための共通配線と、該ゲート
絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に
設けられた液晶駆動用表示電極および対向電極と、を有
するアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリ
クス基板に対向する対向基板と、該アクティブマトリク
ス基板と該対向基板に狭持された液晶層と、を備えた液
晶表示装置であって、更に、該アクティブマトリクス基
板に対向し、液晶駆動用対向電極を有する対向基板と、
該アクティブマトリクス基板と該対向基板に狭持された
液晶層と、を備えた液晶表示装置。
5. A substrate, a gate signal wiring and a gate insulating film provided on the substrate, a source signal wiring provided on the gate insulating film, and a gate signal provided on the gate insulating film. A thin film transistor formed at each intersection of a wiring and the source signal wiring, a drain electrode connected to the thin film transistor, a connection electrode connected to the drain electrode, a part of the connection electrode, and the gate insulating film. An active line having a common wire for forming a storage capacitor via the interlayer insulating film formed on the gate insulating film, and a liquid crystal driving display electrode and a counter electrode provided on the interlayer insulating film. A liquid crystal display device comprising: a matrix substrate; a counter substrate facing the active matrix substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate, Furthermore, a counter substrate facing the active matrix substrate and having a liquid crystal driving counter electrode,
A liquid crystal display device comprising the active matrix substrate and a liquid crystal layer sandwiched between the counter substrates.
【請求項6】 前記表示電極が前記ソース信号配線また
は前記ゲート信号配線と重畳するように形成される請求
項5に記載の液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the display electrode is formed so as to overlap with the source signal line or the gate signal line.
【請求項7】 前記表示電極の長手方向に対して、前記
対向電極の長手方向が一定の角度をもっている請求項5
または請求項6に記載の液晶表示装置。
7. The longitudinal direction of the counter electrode has a constant angle with respect to the longitudinal direction of the display electrode.
Alternatively, the liquid crystal display device according to claim 6.
【請求項8】 前記層間絶縁層の厚さが1.0〜10.
0μmである請求項1〜7に記載の液晶表示装置。
8. The thickness of the interlayer insulating layer is 1.0 to 10.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device has a thickness of 0 μm.
【請求項9】 前記層間絶縁層の誘電率の値が1.5〜
3.5である請求項1〜8に記載の液晶表示装置。
9. The dielectric constant value of the interlayer insulating layer is 1.5 to
The liquid crystal display device according to claim 1, which is 3.5.
【請求項10】 前記層間絶縁膜の材質が有機系の樹脂
である請求項1〜10に記載の液晶表示装置。
10. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the material of the interlayer insulating film is an organic resin.
【請求項11】 表示領域の液晶層分子が基板面に対し
てほぼ水平な方向に回転駆動することによって、画像表
示を行う請求項1〜10に記載の液晶表示装置。
11. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an image is displayed by rotationally driving liquid crystal layer molecules in the display region in a direction substantially horizontal to the substrate surface.
【請求項12】 液晶表示装置を製造する方法であっ
て、 基板上にゲート電極および共通配線を形成する工程と、 該基板上に、該ゲート電極および該共通配線を覆うよう
にゲート絶縁層を形成する工程と、 該ゲート絶縁層上に、ゲート信号配線、ソース信号配線
および接続電極をパターン形成する工程と、 該ゲート信号配線と該ソース信号配線との交差部に薄膜
トランジスタを形成する工程と、 該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該接続電
極、該ソース信号配線、該ゲート信号配線および該共通
配線を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、 該層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を
形成する工程と、 該層間絶縁膜の一部を貫通するコンタクトホールによっ
て該接続電極を介して、該薄膜トランジスタに接続され
るドレイン電極と該表示電極とを接続する工程と、を包
含する方法。
12. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a gate electrode and a common wiring on a substrate; and forming a gate insulating layer on the substrate so as to cover the gate electrode and the common wiring. A step of forming, a step of patterning a gate signal wiring, a source signal wiring and a connection electrode on the gate insulating layer, a step of forming a thin film transistor at an intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring, A step of forming an interlayer insulating film on the gate insulating layer so as to cover the thin film transistor, the connection electrode, the source signal wiring, the gate signal wiring and the common wiring; and a liquid crystal driving display on the interlayer insulating film. The step of forming an electrode and a counter electrode, and the step of connecting to the thin film transistor through the connection electrode by a contact hole penetrating a part of the interlayer insulating film. The method comprises the steps of connecting the drain electrode and the display electrode.
【請求項13】 液晶表示装置を製造する方法であっ
て、 基板上にゲート電極および共通配線を形成する工程と、 該基板上に、該ゲート電極および該共通配線を覆うよう
にゲート絶縁層を形成する工程と、 該ゲート絶縁層上に、ゲート信号配線、ソース信号配線
および接続電極をパターン形成する工程と、 該ゲート信号配線と該ソース信号配線との交差部に薄膜
トランジスタを形成する工程と、 該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該接続電
極、該ソース信号配線、該ゲート信号配線および該共通
配線を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、 該層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極を形成する工程
と、 該層間絶縁膜の一部を貫通するコンタクトホールによっ
て該接続電極を介して、該薄膜トランジスタに接続され
るドレイン電極と該表示電極とを接続する工程と、 液
晶層を介して該表示電極に対向する対向電極を形成する
工程と、を包含する方法。
13. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a gate electrode and a common wiring on a substrate; and forming a gate insulating layer on the substrate so as to cover the gate electrode and the common wiring. A step of forming, a step of patterning a gate signal wiring, a source signal wiring and a connection electrode on the gate insulating layer, a step of forming a thin film transistor at an intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring, A step of forming an interlayer insulating film on the gate insulating layer so as to cover the thin film transistor, the connection electrode, the source signal wiring, the gate signal wiring, and the common wiring; and a liquid crystal driving display on the interlayer insulating film. A step of forming an electrode, and a drain electrode connected to the thin film transistor via the connection electrode by a contact hole penetrating a part of the interlayer insulating film The method comprises the steps of connecting the said display electrodes, and forming a counter electrode opposed to the display electrodes through the liquid crystal layer.
JP4012596A 1996-02-27 1996-02-27 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof Expired - Lifetime JP3199221B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4012596A JP3199221B2 (en) 1996-02-27 1996-02-27 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US08/806,928 US5852485A (en) 1996-02-27 1997-02-26 Liquid crystal display device and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4012596A JP3199221B2 (en) 1996-02-27 1996-02-27 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09230378A true JPH09230378A (en) 1997-09-05
JP3199221B2 JP3199221B2 (en) 2001-08-13

Family

ID=12572107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4012596A Expired - Lifetime JP3199221B2 (en) 1996-02-27 1996-02-27 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3199221B2 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11194366A (en) * 1998-01-07 1999-07-21 Seiko Epson Corp Active matrix substrate and its manufacture, liquid crystal device, and electronic equipment
JP2000029073A (en) * 1999-06-22 2000-01-28 Mitsubishi Electric Corp Liquid crystal display device
JP2002162640A (en) * 2000-10-14 2002-06-07 Samsung Electronics Co Ltd Transverse electric field type liquid crystal display device and its manufacturing method
JP2003241224A (en) * 2003-03-24 2003-08-27 Seiko Epson Corp Active matrix substrate, liquid crystal device, and electronic apparatus
US6819389B2 (en) 2001-12-03 2004-11-16 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device with a substrate having an opening on an organic film thereof to accommodate sealing material therethrough
US6940566B1 (en) 1996-11-26 2005-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays including organic passivation layer contacting a portion of the semiconductor layer between source and drain regions
KR100483525B1 (en) * 1997-09-25 2005-09-15 삼성전자주식회사 Manufacturing method of liquid crystal display device using organic insulating film
KR100502093B1 (en) * 1997-09-25 2005-11-30 삼성전자주식회사 Liquid crystal display device using organic insulating film and its manufacturing method
US7304708B2 (en) 2002-01-17 2007-12-04 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device and image display device
JP2009151328A (en) * 1999-10-15 2009-07-09 Lg Display Co Ltd Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7973905B2 (en) 1996-11-26 2011-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays using organic insulating material and manufacturing methods thereof
US6940566B1 (en) 1996-11-26 2005-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays including organic passivation layer contacting a portion of the semiconductor layer between source and drain regions
KR100483525B1 (en) * 1997-09-25 2005-09-15 삼성전자주식회사 Manufacturing method of liquid crystal display device using organic insulating film
KR100502093B1 (en) * 1997-09-25 2005-11-30 삼성전자주식회사 Liquid crystal display device using organic insulating film and its manufacturing method
JPH11194366A (en) * 1998-01-07 1999-07-21 Seiko Epson Corp Active matrix substrate and its manufacture, liquid crystal device, and electronic equipment
JP2000029073A (en) * 1999-06-22 2000-01-28 Mitsubishi Electric Corp Liquid crystal display device
JP2009151328A (en) * 1999-10-15 2009-07-09 Lg Display Co Ltd Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2002162640A (en) * 2000-10-14 2002-06-07 Samsung Electronics Co Ltd Transverse electric field type liquid crystal display device and its manufacturing method
US6819389B2 (en) 2001-12-03 2004-11-16 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device with a substrate having an opening on an organic film thereof to accommodate sealing material therethrough
US7009664B2 (en) 2001-12-03 2006-03-07 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device with organic protective film which structure connecting around sealing material
US7304708B2 (en) 2002-01-17 2007-12-04 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device and image display device
CN100428029C (en) * 2002-01-17 2008-10-22 株式会社日立制作所 Liquid crystal display device and image display device
JP2003241224A (en) * 2003-03-24 2003-08-27 Seiko Epson Corp Active matrix substrate, liquid crystal device, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP3199221B2 (en) 2001-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5852485A (en) Liquid crystal display device and method for producing the same
USRE44167E1 (en) Wide viewing angle liquid crystal display comprising at least one floating electrode in locations facing corresponding one or more pixel electrodes with liquid crystal layer therebetween
US8259271B2 (en) Color filter substrate and liquid crystal display panel including the same
JP2701698B2 (en) Liquid crystal display
US8724064B2 (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7916258B2 (en) In-plane switching LCD panel
JP2701832B2 (en) Liquid crystal display
US8339557B2 (en) Liquid crystal display panel
US20020067455A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
WO2001018597A1 (en) Liquid crystal display device
WO2005006068A1 (en) Display unit
JP2003207795A (en) Liquid crystal display device
JP3646999B2 (en) Transmission type liquid crystal display device
US7724325B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP4036498B2 (en) Active matrix liquid crystal display device
JP3199221B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JPH10333180A (en) Liquid crystal display device
JPH11109356A (en) Liquid crystal display device
JP2005182048A (en) Multi-domain thin-film transistor display plate and liquid crystal display including same
KR20070008882A (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR20050058105A (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR100251655B1 (en) In-plane switching mode lcd
JP4035992B2 (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device
KR100585872B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof
JP3282542B2 (en) Active matrix type liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090615

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615

Year of fee payment: 12

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04

EXPY Cancellation because of completion of term