JP2701698B2 - The liquid crystal display device - Google Patents

The liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2701698B2
JP2701698B2 JP17882593A JP17882593A JP2701698B2 JP 2701698 B2 JP2701698 B2 JP 2701698B2 JP 17882593 A JP17882593 A JP 17882593A JP 17882593 A JP17882593 A JP 17882593A JP 2701698 B2 JP2701698 B2 JP 2701698B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
embodiment
liquid crystal
common electrode
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP17882593A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0736058A (en
Inventor
淳一 大和田
玄士朗 河内
克己 近藤
Original Assignee
株式会社日立製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
Priority to JP17882593A priority Critical patent/JP2701698B2/en
Publication of JPH0736058A publication Critical patent/JPH0736058A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2701698B2 publication Critical patent/JP2701698B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Lifetime legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明はOA機器等の画像,文字情報の表示装置として用いられる、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置の構造に関する。 The present invention relates to an image such as OA equipment, used as a display device of the character information on the structure of the liquid crystal display device of active matrix type.

【0002】 [0002]

【従来の技術】ガラス等の絶縁基板上に薄膜トランジスタ(以下TFTと記す)をマトリックス状に形成し、これをスイッチング素子として用いるアクティブマトリックス型の液晶表示装置(TFT−LCD)は高画質のフラットパネルディスプレイとして期待が大きい。 BACKGROUND ART on an insulating substrate such as glass a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) formed in a matrix, liquid crystal display device of active matrix type using as a switching element (TFT-LCD) is high-quality flat panel expected to be used as the display is large. 従来のアクティブマトリックス型液晶表示装置では、液晶層を駆動する電極として2枚の基板上に形成し対向させた透明電極を用いていた。 In the conventional active matrix type liquid crystal display device, it has been used a transparent electrode made to face formed on two substrates as an electrode for driving the liquid crystal layer. これは液晶に印加する電界の方向を基板面にほぼ垂直な方向とすることで動作するツイステッドネマチック表示方式に代表される表示方式を採用していることによる。 This is due to employing a display system represented by a twisted nematic display method which works by a direction substantially perpendicular to the direction of the electric field applied to the liquid crystal to the substrate surface.

【0003】一方、液晶に印加する電界の方向を基板面にほぼ平行な方向とする方式として、櫛歯電極を用いた方式が特公昭63−21907 号に開示されている。 On the other hand, the direction of the electric field applied to the liquid crystal as a method to a direction substantially parallel to the substrate surface, a method using the comb electrodes is disclosed in JP-B-63-21907.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術は液晶層を相互に咬合する櫛歯状の電極により駆動するものであるが、駆動電極として櫛歯状の電極を用いたので光が透過できる有効面積(以下開口率という)を大きくすることが困難である。 [0007] of the prior art are those driven by comb-shaped electrodes to bite the liquid crystal layer to each other, the comb-shaped electrode light can pass since used as a driving electrode it is difficult to increase the effective area (hereinafter referred to as aperture ratio). 原理的には櫛歯電極の電極幅を1〜 1 the electrode width of the comb electrodes in principle
2μm程度まで縮小すれば開口率を実用レベルまで拡大出来るが、実際には大型基板全面にわたってそのような細線を均一にかつ断線がないように形成することは極めて困難である。 Although it larger opening ratio to a practical level if reduced to about 2 [mu] m, in fact it is formed so as not to uniformly and disconnection of such fine wire over large substrate entire surface is very difficult. 即ち、上記の従来技術では、相互に咬合する櫛歯状の電極を用いたために画素開口率と製造歩留まりがトレードオフの関係となり、明るい画像を有する液晶表示装置を低コストで提供することは困難であった。 That is, in the above prior art, inter pixel aperture ratio and production yield for using comb-shaped electrodes of occlusion becomes a trade off, it is difficult to provide a liquid crystal display device at low cost with a bright image Met.

【0005】 本発明の目的は、開口率が高く、明るい液 An object of the present invention, the aperture ratio is high, bright liquid
晶表示装置を提供することにある。 And to provide a crystal display device.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】 本発明によれば、複数の Means for Solving the Problems] According to the present invention, a plurality of
走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそれぞれの領 Each territory surrounded by the scanning signal electrodes and image signal electrodes
域で少なくとも一つの画素が構成され、それぞれの画素 At least one pixel is composed of frequency, each pixel
には複数の画素に渡って接続された共通電極と、対応す A common electrode connected over a plurality of pixels in the corresponding to
る薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有してい Have a pixel electrode connected to that thin-film transistors
る。 That. 共通電極と画素電極とはその一部において絶縁膜を The insulating film in the common electrode and some of the pixel electrode
介して重ね合わさり、この重ね合わさった部分により容 Description Kasaneawasari, this the superimposed portion via
量が形成される。 The amount is formed. 共通電極と画素電極間に印加される電 Electrostatic applied between the common electrode and the pixel electrode
圧により、液晶層には基板に対し支配的に平行な成分を The pressure, the dominant component parallel to the substrate in the liquid crystal layer
持った電界が発生する。 Electric field that has to occur.

【0007】 好ましくは、共通電極上に絶縁膜が形成さ [0007] Preferably, the insulating film is formed on the common electrode
れ、この絶縁膜上には画素電極が形成される。 Is, the pixel electrode is formed on the insulating film.

【0008】 また、共通電極の実施態様によれば、その [0010] According to an embodiment of the common electrode, the
表面は自己酸化膜または自己窒化膜で被覆された金属電 Metal conductive surface coated with self-oxide or self nitride film
極によって構成されている。 It is constituted by poles.

【0009】 更に、共通電極及び画素電極の形状は、リ Furthermore, the common electrode and the pixel electrode shape, Li
ング状、十字型、T字型,Π字型、Ι字型、梯子型のい Ring-shaped, cross-shaped, T-shaped, Π-shaped, Ι-shaped, ladder-type gastric of
ずれかの形状であってもよい。 It may be in the form of a Zureka.

【0010】 [0010]

【0011】 [0011]

【0012】 [0012]

【0013】 [0013]

【作用】 共通電極と画素電極とをその一部において絶縁 [Action] insulating the part of the common electrode and the pixel electrode
膜を介して互いに重ね合わせ、この重ね合わさった部分 Through the film overlapped with each other, the the superimposed portions
により付加容量を形成することにより開口率(光が透過 Aperture ratio (light transmittance by forming the additional capacitor by
する開口部の面積割合)を高く出来、かつ、電圧保持特 It can increase the area ratio) of the openings, and the voltage holding JP
性を改善出来る。 It can improve the sex. また、共通電極と映像信号電極また Further, also the common electrode and the video signal electrode
は、共通電極と画素電極互いに絶縁膜より異層化するこ It is different layers of child than the common electrode and the pixel electrode from each other insulating film
とによる効果は上記だけではなく、これらの電極相互間の短絡不良は発生する確率が小さくできるので画素欠陥を低減出来るという効果も有る。 Effect and not only the probability is short circuit between the electrodes mutually occurring also effective there that can reduce the pixel defect can be small.

【0014】共通電極または画素電極の形状としては、 [0014] The shape of the common electrode or the pixel electrode,
なるべく開口率が大きくなるようなパターンを採用することが望ましい。 As possible it is desirable to employ a pattern, such as the aperture ratio increases. そこで、 画素電極または共通電極を、 Therefore, the pixel electrode or the common electrode,
環状型,十字型,T字型,Π字型,工字型,梯子型のいずれかの平面形状とし、これらを適宜組み合わせること<br>により開口率を拡大出来る。 Cyclic type, cruciform, T-shape, [pi-shape, Engineering-shaped, and one of the planar shape of the ladder, they can be enlarged by Ri open mouth rate <br> be combined as appropriate. また、共通電極と画素電極を互いに絶縁膜より異層化することにより、互いに重なりあうような電極形状の組合せが可能となるので、開口率が最大となるような電極形状の設計が容易となる。 Further, by different layers of from each other insulating film common electrode and the pixel electrode, since it is possible to combinations of electrodes shaped as overlap each other, the aperture ratio is easily designed electrode shape such that the maximum . また、共通電極をその表面が自己酸化膜または自己窒化膜で被覆された金属電極によって構成することにより、共通電極と画素電極を互いに重ねあわせた時にこれらの間の短絡不良の発生を防止出来るので画素欠陥を低減出来る。 Further, by the common electrode whose surface is made of a metal electrode coated with a self-oxide or self nitride film, since it prevents short circuit defective between them when superposed to each other and a common electrode and a pixel electrode It can be reduced pixel defects.

【0015】本発明のその他の特長は以下の記載から明らかとなるであろう。 [0015] Other features of the present invention will become apparent from the following description.

【0016】 [0016]

【実施例】〔実施例1〕 図1〜図4は本発明の第1の実施例の動作原理を示す単位画素の断面図及び平面図である。 EXAMPLES EXAMPLE 1 Figures 1 to 4 are a sectional view and a plan view of a unit pixel illustrating the operation principle of the first embodiment of the present invention. ガラス基板1上にC C on a glass substrate 1
rよりなるゲート電極10およびコモン電極(共通電極)16を形成し、これらの電極を覆うように窒化シリコン(SiN)膜からなるゲート絶縁膜20を形成した。 Forming a gate electrode 10 and the common electrode (common electrode) 16 made of r, to form the gate insulating film 20 made of silicon nitride (SiN) film so as to cover these electrodes. ゲート電極(走査信号電極) 10上にゲート絶縁膜20上を介して非晶質シリコン(a−Si)膜30を形成しトランジスタの能動層とする。 A gate electrode (scanning signal electrode) 10 through the gate insulating film 20 above on amorphous silicon (a-Si) to form a film 30 active layer of the transistor. 前記a−Si膜30 The a-Si film 30
のパターンの一部に重畳するようにMoよりなるドレイン電極(映像信号電極) 14,ソース電極(画素電極) Pattern drain electrode made of Mo so as to overlap a portion of the (video signal electrode) 14, a source electrode (pixel electrode)
15を形成し、これらすべてを被覆するようにSiN膜よりなる保護絶縁膜23を形成した。 15 was formed, to form a protective insulating film 23 made of SiN film so as to cover all of these. 以上よりなる単位画素をマトリックス状に配置したアクティブマトリックス基板の表面にポリイミドよりなる配向膜ORI1,ORI Orientation film ORI1, ORI made of polyimide unit pixel composed of more than the surface of the active matrix substrate arranged in a matrix
2を形成し、表面にラビング処理を施した。 2 was formed, was subjected to a rubbing treatment on the surface. 同じくラビング処理を施した配向膜ORI1,ORI2を表面に形成した対向基板508と、前記アクティブマトリックス基板の間に棒状の液晶分子513を含む液晶組成物を封入し、二枚の基板の外表面に偏光板505を配置した。 Similarly alignment film subjected to rubbing treatment ORI1, and ORI2 counter substrate 508 formed on the surface of the sealing liquid crystal composition comprising an active matrix liquid crystal molecules 513 of the rod-like between the substrates, the outer surface of the two substrates It was placed a polarizing plate 505.
液晶分子513は無電界時(図1および図2)にはストライプ状のソース電極15およびコモン電極16の長手方向に対して若干の角度、即ち液晶分子の長軸(光学軸)と電界の方向(ソース電極とコモン電極の長手方向に垂直)のなす角度にして45°以上90°未満を持つように配向されている。 Liquid crystal molecules 513 no electric field when a slight angle, i.e. the long axis of the liquid crystal molecules (optical axis) and the direction of the electric field with respect to the longitudinal direction of the stripe-shaped source electrode 15 and the common electrode 16 (FIG. 1 and FIG. 2) It is oriented to have a (perpendicular to the longitudinal direction of the source electrode and the common electrode) than the angle of 45 ° or more 90 °. 尚、上下基板との界面での液晶分子の配向は互いに平行とした。 Incidentally, the orientation of the liquid crystal molecules at the interface between the upper and lower substrates were parallel to each other. また、液晶分子の誘電異方性は正である。 Further, the dielectric anisotropy of the liquid crystal molecules is positive. ここで、TFTのゲート電極10に電圧を印加してTFTをオンとするとソース電極15に電圧が印加し、ソース電極15−コモン電極16間に電界E1を誘起させると、図3および図4に示すように電界方向に液晶分子が向きを変える。 Here, a voltage is applied to the source electrode 15 when to turn on the TFT by applying a voltage to the gate electrode 10 of the TFT, when the induced electric field E1 between the source electrode 15 common electrode 16, in FIGS. 3 and 4 liquid crystal molecules in the direction of the electric field as indicated by changing the direction. 上下基板の表面に配置した2枚の偏光板505の偏光透過軸を所定角度AG Predetermined angle AG polarization transmission axis of two polarizing plates 505 disposed on a surface of the upper and lower substrates
L1に配置することで電界印加によって光の透過率を変化させることが可能になる。 It is possible to change the transmittance of light by an electric field applied by placing the L1. このように、本発明の表示方式では従来必要であった透明電極がなくてもコントラストを与える表示が可能となる。 Thus, even without the transparent electrode it was conventionally required in the display system of the present invention it is possible to display giving contrast. このため、透明電極の形成に関わる工程を全て省略出来るので製造コスト削減が可能となる。 Therefore, manufacturing cost reduction can be achieved because it omitted all the steps involved in the formation of the transparent electrode. さらに、従来の透明電極を用いる表示方式では、電圧印加により液晶分子の長軸を基板界面から立ち上がらせ複屈折位相差を0とすることで暗状態を得ているが、複屈折位相差が0となる視角方向は正面、即ち基板界面に垂直な方向のみであり、僅かでも傾くと副屈折位相差が現れ、ノーマリーオープン型の表示では光が漏れコントラストの低下や階調レベルの反転を引き起こす。 Further, in the display system using a conventional transparent electrode, but to obtain a dark state birefringence phase difference caused rise the long axis from the substrate interface by zero of the liquid crystal molecules by applying voltage, birefringence phase difference is 0 and the viewing angle direction in which the front, i.e. it is only a direction perpendicular to the substrate surface, the inclined even slightly appear secondary refraction phase difference, causes a reduction and gray level of light leaks contrast reversal in the display of a normally open type . ところが、本実施例の表示方式では液晶分子の長軸は基板とほぼ平行であり電圧を印加しても立ち上がることが無い、従って視角方向を変えたときの明るさの変化が小さく視角特性が大幅に改善される効果が有る。 However, the long axes of liquid crystal molecules in the display system of the present embodiment, it is not to rise even when a voltage is applied substantially parallel to the substrate, thus the change in brightness is small significant viewing angle characteristics when changing the viewing angle direction there is an effect that is improved.

【0017】さらに、本実施例ではコモン電極16をゲート電極10と同一のレイヤーに形成し、ドレイン電極14および液晶駆動電極であるソース電極15とコモン電極16をゲート絶縁膜20によって絶縁分離した。 Furthermore, a common electrode 16 formed on the same layer and the gate electrode 10 in this embodiment, the drain electrode 14 and source electrode 15 and the common electrode 16 is a liquid crystal drive electrodes dielectrically isolated by a gate insulating film 20. また、従来使用されていた櫛歯状電極を廃し、ソース電極15とコモン電極16をゲート絶縁膜20を介して重畳させた。 Further, the comb-shaped electrode which is conventionally used to waste, and the source electrode 15 and the common electrode 16 is superimposed with the gate insulating film 20. このようにドレイン電極14およびソース電極15とコモン電極16を絶縁分離することによりソース電極15およびコモン電極16の平面パターンの設計自由度が大きくなり画素開口率を向上させることが可能となる。 Thus it is possible to improve the drain electrode 14 and source electrode 15 and the design freedom increases and the pixel aperture ratio of the plane pattern of the source electrode 15 and the common electrode 16 by the common electrode 16 is insulated and separated. また、ソース電極15とコモン電極16の重畳部は液晶容量と並列に接続される付加容量として作用するので液晶印加電圧の保持能を向上させることが出来る。 Further, superimposing portion of the source electrode 15 and the common electrode 16 can improve the retentivity of the liquid crystal application voltage because they act as an additional capacitance connected in parallel to the liquid crystal capacitor.
このような効果は従来の櫛歯状電極では得られないものであり、ドレイン電極14およびソース電極15とコモン電極16を絶縁分離することにより初めて達成される。 Such effects are those which can not be obtained by the conventional comb-shaped electrodes, the first time is achieved by insulating separating drain electrode 14 and source electrode 15 and the common electrode 16. 以上のように、ドレイン電極14およびソース電極15とコモン電極16を異層化することにより平面パターンの設計自由度が大きくなったので、電極形状としては本実施例に限らず多種多彩な構造が採用出来る。 As described above, since the design flexibility of the planar pattern by different layers of the drain electrode 14 and source electrode 15 and the common electrode 16 is increased, the electrode shape is a wide variety of structures is not limited to this example adoption can be.

【0018】〔実施例2〕図5は本発明の第2の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0018] Example 2 FIG. 5 shows a plan view of a unit pixel of a second embodiment of the present invention. 本実施例の断面構造は前記第1の実施例(図1)と同様である。 Sectional structure of this embodiment is the same as the first embodiment (FIG. 1). 本実施例ではコモン電極16を十字型とし、一方ソース電極15はリング型とした点に特徴が有る。 And the common electrode 16 and the cross-shaped in the present embodiment, while the source electrode 15 is present, characterized in that a ring type. コモン電極16とソース電極15はC1,C2,C3,C4と記した箇所で互いに重なり付加容量を形成している。 The common electrode 16 and the source electrode 15 is formed overlapping the additional capacity to each other at points marked with C1, C2, C3, C4. 本実施例によれば、コモン電極16とゲート電極10の間の距離を大きくとれるのでコモン電極16とゲート電極10間の短絡不良を防止出来る。 According to this embodiment, short circuit can be prevented between the common electrode 16 and the gate electrode 10 because the distance between the common electrode 16 and the gate electrode 10 can be made large. また、ソース電極15をリング型にすることにより、ソース電極の任意の箇所で断線が発生しても2 Further, by setting the source electrode 15 to the ring, even if disconnected at any point of the source electrode is generated 2
箇所以上の断線が無いかぎりソース電極全体に給電され、正常な動作が可能である。 Point above disconnection is powered across the source electrode as long as no, it is possible to normal operation. 即ち、本構造は断線に対し冗長性をもち歩留まりを向上させることができる。 That is, the present structure can improve the yield have redundancy against breakage.

【0019】〔実施例3〕図6は本発明の第3の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0019] Example 3 Figure 6 shows a plan view of a unit pixel of a third embodiment of the present invention. 本実施例の断面構造は前記第1の実施例(図1)と同様である。 Sectional structure of this embodiment is the same as the first embodiment (FIG. 1). 本実施例では、ソース電極15は第2の実施例と同様にリング型とし、コモン電極16をT字型とした点に特徴が有る。 In this embodiment, the source electrode 15 is a second embodiment similarly to the ring type, it is characterized in that the common electrode 16 is T-shaped. 本実施例では、リング状のソース電極の短辺の一方とコモン電極が重なるようにすることにより、開口率を低下させること無く大きな付加容量を形成出来、電圧保持特性を改善出来る。 In this embodiment, by making the overlap is one and the common electrode of the short side of the ring-shaped source electrode, can form a large additional capacitance without decreasing the aperture ratio, can improve the voltage holding characteristics. また、水平方向のコモン電極を光透過領域内から排除したので画素開口率向上に有利である。 Further, it is advantageous to the pixel aperture ratio increased since eliminated the horizontal common electrode from the light transmissive region.

【0020】〔実施例4〕図7は本発明の第4の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0020] Example 4 Figure 7 shows a plan view of a unit pixel of a fourth embodiment of the present invention. 本実施例の断面構造は前記第1の実施例(図1)と同様である。 Sectional structure of this embodiment is the same as the first embodiment (FIG. 1). 本実施例では、ソース電極15は第2の実施例と同様にリング型とし、コモン電極16を工字型とした点に特徴が有る。 In this embodiment, the source electrode 15 is a second embodiment similarly to the ring type, is characterized in that the common electrode 16 and Engineering-shape. 本実施例では、リング状のソース電極の2つの短辺とコモン電極が重なるようにすることにより、開口率を低下させること無くより大きな付加容量を形成出来、電圧保持特性を改善出来る。 In this embodiment, by the overlap of two short sides and the common electrode of the ring-shaped source electrode, lowering the aperture ratio without can form a larger additional capacity, it can improve the voltage holding characteristics.

【0021】〔実施例5〕図8は本発明の第5の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0021] Example 5 Figure 8 shows a plan view of a unit pixel of a fifth embodiment of the present invention. 本実施例の断面構造は前記第1の実施例(図1)と同様である。 Sectional structure of this embodiment is the same as the first embodiment (FIG. 1). 本実施例では、コモン電極16はΠ字型とし、ソース電極15をT字型とした。 In this embodiment, the common electrode 16 is a Π-shape, the source electrode 15 is T-shaped. 本実施例は前記第2〜第4の実施例とはことなり、画素の中央にソース電極15を、その左右両側にコモン電極16を配置した点に特徴が有る。 This embodiment differs from that of the second to fourth embodiments, the source electrode 15 to the center of the pixel, is characterized in that arranged common electrode 16 on the left and right sides. このような配置の利点は、コモン電極16とドレイン電極14がゲート絶縁膜により分離されているためにこれらの電極の間の距離を小さく出来る点にある。 The advantage of such an arrangement is that possible to reduce the distance between these electrodes to the common electrode 16 and the drain electrode 14 are separated by the gate insulating film. これにより、コモン電極16をドレイン電極14に出来る限り近付けることにより光透過領域を拡大出来開口率を向上させることが出来る。 Thus, it is possible to improve the aperture ratio can be enlarged light transmission region by close as possible to the common electrode 16 to the drain electrode 14. ただし、この時コモン電極16とドレイン電極1 However, this time the common electrode 16 and the drain electrode 1
4が重なると、これらの電極間の寄生容量が急激に増大する。 4 the overlap, the parasitic capacitance between these electrodes abruptly increases. コモン電極とドレイン電極の間の過大な寄生容量はコモン電極信号の波形歪をもたらし、スミアと呼ばれる画質低下が発生するので望ましくない。 Excessive parasitic capacitance between the common electrode and the drain electrode results in waveform distortion of the common electrode signal, undesirable degradation in image quality called smear is generated. したがって、 Therefore,
コモン電極とドレイン電極は可能な限り近付けても良いが決して重ならないようにすることが必要である。 It is necessary to ensure that the common electrode and the drain electrode may be as close as possible but never overlap.

【0022】〔実施例6〕図9は本発明の第6の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0022] Example 6 FIG. 9 shows a sixth plan view of a unit pixel of an embodiment of the present invention. 本実施例の断面構造は前記第1の実施例(図1)と同様である。 Sectional structure of this embodiment is the same as the first embodiment (FIG. 1). 本実施例では、ソース電極15を工字型とし、コモン電極16はリング型とした点に特徴が有る。 In this embodiment, the source electrode 15 and Engineering-shaped common electrode 16 is characterized there in that a ring type. 本実施例では前記第5の実施例と同様に開口率を向上させることができることに加え、 In the present embodiment in addition to being able to improve the examples as well as aperture ratio of the fifth,
ソース電極15とコモン電極16の重なりを大きく出来るので付加容量を大きく出来る。 Since the overlap can increase the source electrode 15 and the common electrode 16 additional capacity can increase.

【0023】〔実施例7〕図10は本発明の第7の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0023] Example 7 Figure 10 shows a plan view of a unit pixel of a seventh embodiment of the present invention. 本実施例の断面構造は前記第1の実施例(図1)と同様である。 Sectional structure of this embodiment is the same as the first embodiment (FIG. 1). 本実施例では、 In this embodiment,
ソース電極15をはしご型とし、コモン電極16はリング型として互いに重ね合わせた構造を有し、前記第1〜 The source electrode 15 and ladder, the common electrode 16 has a structure obtained by superimposing each other as a ring-type, the first to
第6の実施例と異なり液晶を駆動する電界は画素の長手方向と平行な方向とした点に特徴が有る。 Field for driving the liquid crystal differs from the sixth embodiment is characterized in that a direction parallel to the longitudinal direction of the pixel. 本実施例では、はしご型電極の段数を変えることによりコモン電極16とソース電極15間のギャップを任意に変えることが出来る。 In this embodiment, any change is possible gap between the common electrode 16 and the source electrode 15 by changing the number of stages of the ladder electrode. 電極間ギャップは液晶の応答速度を決めるので、ギャップを任意に調節することにより所望の応答速度を得ることが可能となる。 Since the inter-electrode gap determines the response speed of the liquid crystal, it is possible to obtain a desired response speed by adjusting arbitrarily the gap.

【0024】以上のように、コモン電極とソース電極, [0024] above, the common electrode and the source electrode,
ドレイン電極を異層化することにより多種多様な電極形状の設計が可能となり、用途に応じた表示性能を実現することが出来る。 The drain electrode enables the design of a wide variety of electrode shapes by different layers of, it is possible to realize the display performance depending on the application.

【0025】以上の実施例ではコモン電極をゲート電極と同一の電極材料で構成する場合を示してきたが、コモン電極またはソース電極を複数の電極を組み合わせて構成しても良い。 [0025] have been shown a case constituting the common electrodes of the same electrode material and the gate electrode in the above embodiments may constitute a common electrode or a source electrode by combining a plurality of electrodes. 以下、そのような実施例を示す。 Hereinafter, such an embodiment.

【0026】〔実施例8〕図11は本発明の第8の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0026] EXAMPLE 8 Figure 11 shows a plan view of a unit pixel of an eighth embodiment of the present invention. 図12は図11中B− FIG. 12 is shown in FIG. 11 B-
B′における断面図を示す。 It shows a cross-sectional view at B '. 本実施例ではコモン電極は引出配線160とコモン側駆動電極161の2つの部材によって構成され、これらはゲート絶縁膜20に設けたスルーホールTHを介して接続されている。 Common electrode in this embodiment is constituted by two members of the lead wirings 160 and the common side drive electrodes 161, which are connected via a through hole TH formed in the gate insulating film 20. ここで引出配線160にはゲート電極10と同一の電極材料を、コモン側駆動電極161にはソース電極15と同一の電極材料を用いた。 Here the same electrode material and the gate electrode 10 to the lead wire 160, using the same electrode material and the source electrode 15 to the common side drive electrodes 161. 本実施例においてもコモン電極の引出配線160とソース電極15はゲート絶縁膜20によって異層化されているため、互いに交差させることができ交差部Cstにおいて付加容量を構成し、保持特性を改善出来る。 Lead wiring 160 and the source electrode 15 of the common electrode in the present embodiment because it is different stratified by the gate insulating film 20 constitutes an additional capacitance at the intersection Cst can be crossed with each other, we can improve the retention characteristics . また、コモン側駆動電極161をソース電極1 The source electrode 1 and the common side drive electrodes 161
5と同一層内に形成することにより、ソース電極15と隣接するドレイン電極14との間で形成される不必要な電界をシールドすることが可能となる。 By forming the 5 same layer, it is possible to shield the unnecessary electric field formed between the drain electrode 14 adjacent to the source electrode 15. 液晶の駆動に直接関与しない電極によって形成される寄生電界は液晶の配向を乱し、表示画像のコントラスト低下を招くので、 Parasitic electric field formed by electrodes not participating directly in the liquid crystal drive disturbs the alignment of the liquid crystal, so leading to decrease in contrast of the display image,
通常電極の周囲を遮光層によって隠すことによって対策している。 Are measures by hiding around the normal electrode by the light-shielding layer. しかしこのような遮光層は開口率を低下させるという欠点を持つ。 However, such light-shielding layer has a disadvantage of reducing an aperture ratio. これにたいして本実施例のように、液晶の配向を乱す寄生電界をシールドすることにより遮光層の面積を縮小出来るので開口率を向上させることが可能となる。 As in the present embodiment with respect to this, it becomes possible to improve the aperture ratio since the parasitic field disturbing the alignment of the liquid crystal can reduce the area of ​​the light shielding layer by the shield.

【0027】〔実施例9〕図13は本発明の第9の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0027] EXAMPLE 9 Figure 13 shows a plan view of a unit pixel of a ninth embodiment of the present invention. 図14は図13中C− FIG. 14 is shown in FIG. 13 C-
C′における断面図を示す。 It shows a cross-sectional view at C '. 本実施例ではコモン電極の引出配線160は、前記第7の実施例と同様にゲート電極10と同一の電極材料で構成し、コモン側駆動電極1 Lead wiring 160 of the common electrode in this embodiment, constituted by the seventh same electrode material and the gate electrode 10 similarly to the embodiment of the common-side drive electrode 1
61は保護絶縁膜23上に設けた新たな電極によって構成し、これらをスルーホールによって接続した。 61 constituted by new electrode provided over the protective insulating film 23, and connecting them via a through-hole. 本実施例ではコモン電極は引出配線160,コモン側駆動電極161ともにソース電極15と絶縁分離されているので前記の実施例と同様な効果が有る。 The common electrode lead wiring 160, the same effect as the previous embodiment there because it is insulated from the common-side drive electrodes 161 source electrode 15 both in this embodiment.

【0028】〔実施例10〕前記実施例ではコモン電極のコモン側駆動電極161は保護絶縁膜23上に設けた電極によって構成したが、コモン側駆動電極はゲート電極10の下層に設けても良い。 [0028] Although Example 10 common side drive electrodes 161 of the common electrode in the example was constituted by electrodes provided on the protective insulating film 23, the common side drive electrodes may be formed below the gate electrode 10 . 図15は本発明の第10 Figure 15 is a tenth of the present invention
の実施例の単位画素の平面図を示す。 It shows a plan view of a unit pixel of the embodiment of. 図16は図15中D−D′における断面図を示す。 Figure 16 is a cross-sectional view in the FIG. 15 D-D '. 本実施例ではコモン電極の引出配線160は、前記第7の実施例と同様にゲート電極10と同一の電極材料で構成し、コモン側駆動電極161はゲート電極10の下層に絶縁膜24を介して設けた新たな電極によって構成し、これらをスルーホールによって接続した。 Lead wiring 160 of the common electrode in this embodiment, through the seventh embodiment and is made of the same electrode material and the gate electrode 10 as well, lower layer insulating film 24 of the common side drive electrode 161 is a gate electrode 10 of the constituted by new electrodes provided Te, were connected to these via a through-hole. 本実施例ではコモン電極は引出配線160,コモン側駆動電極161ともにソース電極1 Common electrode in this embodiment lead wiring 160, the common side drive electrodes 161 are both a source electrode 1
5と絶縁分離されているので前記の実施例と同様な効果が有る。 5 and because it is insulated and separated same effect as the previous examples there.

【0029】〔実施例11〕図17は本発明の第11の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0029] Example 11 Figure 17 shows an eleventh plan view of a unit pixel of an embodiment of the present invention. 図18は図17中E FIG. 18 is shown in FIG. 17 E
−E′における断面図を示す。 A cross sectional view taken along -E '. 本実施例ではコモン電極16はゲート電極10の下層に下地絶縁膜24を介して設けた新たな電極によって構成した。 The common electrode 16 in the present embodiment is constituted by a new electrode provided via an underlying insulating film 24 below the gate electrode 10. 従って、コモン電極はゲート電極10およびソース電極15,ドレイン電極14の全てと異層化される。 Therefore, the common electrode is the gate electrode 10 and source electrode 15 are all the different stratification drain electrode 14. そこで、本実施例はコモン電極16をゲート電極と平行な方向だけでなくゲート電極と垂直な方向にも引出して網目状とすることが可能となる。 Therefore, this embodiment makes it possible to reticulated also drawer in a direction perpendicular to the gate electrode, not only in the direction parallel to the gate electrode of the common electrode 16. このことにより、コモン電極の抵抗値を下げられるのでコモン電圧の波形歪を低減しスミアの発生を防止出来る効果が有る。 Thus, the effect that can prevent the occurrence of smear reduce waveform distortion of the common voltage is present so lowered the resistance of the common electrode.

【0030】〔実施例12〕図19は本発明の第12の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0030] Example 12 FIG. 19 shows a plan view of a unit pixel of a twelfth embodiment of the present invention. 図20は図19中F FIG. 20 is shown in FIG. 19 F
−F′における断面図を示す。 It shows a cross-sectional view of -F '. 本実施例ではコモン電極16は保護絶縁膜23上に設けた新たな電極によって構成した。 The common electrode 16 is constituted by a new electrode provided over the protective insulating film 23 in this embodiment. 本実施例においても、前記実施例11と同様にコモン電極はゲート電極10およびソース電極15,ドレイン電極14の全てと異層化されるので、コモン電極16をゲート電極と平行な方向だけでなくゲート電極と垂直な方向にも引出して網目状とすることが可能となりコモン電圧の波形歪を低減しスミアの発生を防止出来る。 In this embodiment, the common electrode in the same manner as in Example 11 the gate electrode 10 and the source electrode 15, since it is all the different stratification drain electrode 14, but the common electrode 16 only in the direction parallel to the gate electrode also lead-out gate electrode and the direction perpendicular to reduce the waveform distortion of the common voltage becomes possible to reticulated can prevent the occurrence of smear.

【0031】〔実施例13〕図21は本発明の第13の実施例の単位画素の断面図を示す。 [0031] Example 13 FIG 21 shows a thirteenth sectional view of a unit pixel of an embodiment of the present invention. 本実施例の平面図は前記実施例1と同様である。 Plan view of this embodiment is the same as that of the Embodiment 1. 本実施例ではゲート電極1 The gate electrode 1 in this embodiment
0およびコモン電極16はアルミニウム(Al)で構成され、その表面はAlの自己酸化膜であるアルミナ(A 0 and the common electrode 16 is made of aluminum (Al), alumina its surface is self oxide film Al (A
23 )21によって被覆されている点に特徴がある。 l 2 O 3) is characterized in that it is covered by 21.
このような2層絶縁膜構造を採用することによりコモン電極16とドレイン,ソース電極との絶縁不良が低減できるので画素欠陥を低減できる。 The common electrode 16 and the drain by adopting such a two-layer insulating film structure, it is possible insulation failure reduction of the source electrode can be reduced pixel defects.

【0032】〔実施例14〕図22は本発明の第14の実施例の単位画素の平面図を示す。 [0032] Example 14 Figure 22 shows a plan view of a unit pixel of a fourteenth embodiment of the present invention. 図23は図22のG 23 G of FIG. 22
−G′断面図である。 -G 'is a cross-sectional view. 本実施例ではコモン電極16はタンタル(Ta)で構成し、その表面はTaの自己酸化膜である五酸化タンタル(Ta 25 )22によって被覆した。 The common electrode 16 in the present embodiment is composed of a tantalum (Ta), the surface was covered with the tantalum pentoxide is a self-oxide film of Ta (Ta 2 O 5) 22 . また、コモン電極16上のソース電極15と対向する側のゲート絶縁膜20および保護絶縁膜23をエッチング除去した点に特徴がある。 Further, there is a characteristic of the gate insulating film 20 and the protective insulating film 23 on the side facing the source electrode 15 on the common electrode 16 in that etched away. 比誘電率が23と大きいTa 25を露出させることによりソース電極側に電束を集中できるのでより低い印加電圧で液晶を駆動させることができる。 Relative dielectric constant can drive the liquid crystal with lower applied voltage because it concentrates the flux field source electrode side by exposing the Ta 2 O 5 as large as 23.

【0033】図24は本発明のアクティブマトリックス基板鏡の等価回路を含む平面模式図である。 FIG. 24 is a schematic plan view including an equivalent circuit of an active matrix substrate mirror invention. ガラス基板1上にゲート電極10とドレイン電極14とこれらに接続されたTFTとゲート電極10に平行に引き出されたコモン電極16とゲート電極ドレイン電極およびコモン電極の引出端子101,151,163が形成されたものである。 Lead terminals 101,151,163 is formed of a glass substrate 1 on the gate electrode 10 and the drain electrode 14 and those connected to the TFT and the common electrode 16 drawn parallel to the gate electrode 10 and the gate electrode a drain electrode and the common electrode it is those that have been. 引出端子はゲート電極10,ドレイン電極1 Lead terminals are gate electrodes 10, the drain electrode 1
4およびコモン電極16に外部回路から信号を供給するための端子である。 4 and the common electrode 16 is a terminal for supplying a signal from an external circuit.

【0034】図25はアクティブマトリックス部の画素配列の平面図である。 [0034] FIG. 25 is a plan view of a pixel array of an active matrix portion. 図25では単位画素として図9に示したものを使用した。 Were used as shown in FIG. 9 as a unit pixel in FIG. 25. 各画素はゲート電極10が延在する方向と同一方向に複数配置され、画素列X1,X Each pixel is more arranged in the same direction as the direction in which the gate electrode 10 extends, pixel columns X1, X
2,X3…のそれぞれを構成している。 2, X3 ... constitute the respective. 各画素列X1, Each pixel columns X1,
X2,X3…のそれぞれの画素は薄膜トランジスタTFT X2, X3 ... each pixel of the thin film transistor TFT
1,コモン電極16およびソース電極15の配置位置を同一に構成している。 1, constitutes a position of the common electrode 16 and the source electrode 15 to the same. ドレイン電極14はゲート電極1 A drain electrode 14 is the gate electrode 1
0と交差するように配置され各画素列の内の1個の画素に接続されている。 0 is arranged to cross are connected to one pixel of the pixel columns.

【0035】図26は本発明の液晶表示装置のセル断面図である。 [0035] FIG. 26 is a cell sectional view of a liquid crystal display device of the present invention. 下側のガラス基板1上に走査信号電極10と映像信号電極14がマトリックス状に形成され、その交点付近に形成されたTFTを介してソース電極15を駆動する。 Lower side of the glass substrate 1 on scan signal electrode 10 and the video signal electrodes 14 are formed in a matrix, to drive the source electrode 15 through the TFT formed in the vicinity of the intersection. 棒状の液晶分子513を含む液晶層を挾んで対向する対向基板508上にはカラーフィルタ507,カラーフィルタ保護膜511,遮光用ブラックマトリックス512が形成されている。 The color filter 507 on the counter substrate 508 facing across the liquid crystal layer including liquid crystal molecules 513 of the rod-like, a color filter protective film 511, the light-shielding black matrix 512 is formed. 図26の中央部は単位画素の断面図を、左側は外部接続端子の存在する部分の断面図を、右側は外部接続端子の存在しない部分の断面図を示している。 The central portion is a sectional view of a unit pixel in FIG. 26, left side cross-sectional view of a portion of the presence of the external connection terminal, and the right side shows a cross-sectional view of a non-existent portion of the external connection terminals. 図26の右側、左側に示すシール材SLは液晶層を封止するように構成されており、液晶封入口(図示せず)を除くガラス基板1,508の縁全体に沿って形成されている。 Right side of FIG. 26, the sealing material SL shown on the left side is configured to seal the liquid crystal layer, and is formed along the entire edge of the glass substrate and 508 excluding the liquid crystal filling port (not shown) . シール材は例えばエポキシ樹脂で形成されている。 Sealing material is formed of, for example, epoxy resin. 配向制御膜ORI1,ORI2,保護膜2 The orientation control film ORI1, ORI2, protective film 2
3,カラーフィルタ保護膜511の各層はシール材SL 3, each layer of the color filter protective film 511 sealing material SL
の内側に形成される。 It is formed of on the inside. 偏光板505は一対のガラス基板1,508の外側表面に形成されている。 Polarizer 505 is formed on the outer surface of the pair of glass substrates 1,508. 液晶層内の液晶分子513は配向制御膜ORI1,ORI2によって所定の方向に配向されており、バックライトBLからの光をソース電極15とコモン電極16の間の部分の液晶層で調節することによりカラー画像の表示が可能となる。 Liquid crystal molecules 513 in the liquid crystal layer is oriented in a predetermined direction by the alignment layer ORI1, ORI2, by adjusting the light from the backlight BL in the liquid crystal layer in a portion between the source electrode 15 and the common electrode 16 display of color image can be.

【0036】 [0036]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、 共通電極 According to the present invention as described above, according to the present invention, the common electrode
と画素電極とをその一部において絶縁膜を介して互いに To each other via the insulating film in a part thereof and a pixel electrode and
重さね合わせ、この重ね合わさった部分により付加容量 It weights together, additional capacity by this the superimposed part
を形成したことにより、高い開口率を有する明るい液晶表示装置を実現できる。 By forming the can realize a bright liquid crystal display device having a high aperture ratio.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明に係る液晶表示装置の第1の実施例の電界無印加時の画素平面模式図。 The first pixel schematic plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to the invention; FIG.

【図2】本発明に係る液晶表示装置の第1の実施例の電界無印加時の画素断面模式図。 The first pixel cross-sectional schematic view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to the invention; FIG.

【図3】本発明に係る液晶表示装置の第1の実施例の電界印加時の画素平面模式図。 The first embodiment pixel schematic plan view of when an electric field is applied in the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図4】本発明に係る液晶表示装置の第1の実施例の電界印加時の画素断面模式図。 Pixel cross-sectional schematic view of when an electric field is applied to the first embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図5】本発明に係る液晶表示装置の第2の実施例の電界無印加時の画素平面図。 Pixel plan view of when no electric field is applied to the second embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図6】本発明に係る液晶表示装置の第3の実施例の電界無印加時の画素平面図。 Third pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図7】本発明に係る液晶表示装置の第4の実施例の電界無印加時の画素平面図。 Pixel plan view of when no electric field is applied in the fourth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図8】本発明に係る液晶表示装置の第5の実施例の電界無印加時の画素平面図。 Pixel plan view of when no electric field is applied to the fifth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図9】本発明に係る液晶表示装置の第6の実施例の電界無印加時の画素平面図。 6 pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図10】本発明に係る液晶表示装置の第7の実施例の電界無印加時の画素平面図。 7 pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to the invention; FIG.

【図11】本発明に係る液晶表示装置の第8の実施例の電界無印加時の画素平面図。 8 pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [11] the present invention.

【図12】本発明に係る液晶表示装置の第8の実施例の電界無印加時の画素断面図。 8 pixel cross-sectional view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図13】本発明に係る液晶表示装置の第9の実施例の電界無印加時の画素平面図。 9 pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [13] the present invention.

【図14】本発明に係る液晶表示装置の第9の実施例の電界無印加時の画素断面図。 9 pixel cross-sectional view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [14] the present invention.

【図15】本発明に係る液晶表示装置の第10の実施例の電界無印加時の画素平面図。 10 pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention; FIG.

【図16】本発明に係る液晶表示装置の第10の実施例の電界無印加時の画素断面図。 10 pixel cross-sectional view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [16] the present invention.

【図17】本発明に係る液晶表示装置の第11の実施例の電界無印加時の画素平面図。 11 pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [17] the present invention.

【図18】本発明に係る液晶表示装置の第11の実施例の電界無印加時の画素断面図。 11 pixel cross-sectional view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [18] the present invention.

【図19】本発明に係る液晶表示装置の第12の実施例の電界無印加時の画素平面図。 12 pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [19] the present invention.

【図20】本発明に係る液晶表示装置の第12の実施例の電界無印加時の画素断面図。 12 pixel cross-sectional view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [20] the present invention.

【図21】本発明に係る液晶表示装置の第13の実施例の電界無印加時の画素断面図。 13 pixel cross-sectional view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [21] the present invention.

【図22】本発明に係る液晶表示装置の第14の実施例の電界無印加時の画素平面図。 14 pixel plan view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [22] the present invention.

【図23】本発明に係る液晶表示装置の第14の実施例の電界無印加時の画素断面図。 14 pixel cross-sectional view of when no electric field is applied in the embodiment of the liquid crystal display device according to [23] the present invention.

【図24】本発明に係る液晶表示装置の等価回路を示す平面図。 Plan view showing an equivalent circuit of the liquid crystal display device according to [24] the present invention.

【図25】本発明に係る液晶表示装置の表示部TFTマトリックス部の平面図。 Plan view of a display unit TFT matrix portion of a liquid crystal display device according to [25] the present invention.

【図26】本発明に係る液晶表示装置のセル断面図。 Cell cross-sectional view of a liquid crystal display device according to [26] the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…ガラス基板、10…ゲート電極、14…ドレイン電極、15…ソース電極、16…コモン電極、20…ゲート絶縁膜、21…アルミナ膜、22…五酸化タンタル膜、23…保護絶縁膜、24…下地絶縁膜、30…非晶質シリコン膜、101…ゲート電極の引出し端子、14 1 ... glass substrate, 10 ... gate electrode, 14 ... drain electrode, 15 ... Source electrode, 16 ... common electrode 20 ... gate insulating film, 21 ... alumina film, 22 ... tantalum pentoxide film, 23 ... protective insulating film, 24 ... base insulating film, 30 ... amorphous silicon film, lead-out terminals 101 ... gate electrode, 14
1…ドレイン電極の引出し端子、160…コモン電極の引き出し配線、161…コモン側駆動電極、505…偏光板、507…カラーフィルタ、508…対向基板、5 1 ... lead terminal of the drain electrode, 160 ... lead-out wiring of the common electrode, 161 ... common side drive electrodes, 505 ... polarization plate, 507 ... color filter, 508 ... counter substrate 5
11…カラーフィルタ保護膜、512…遮光用ブラックマトリックス、513…液晶分子、ORI1,ORI2 11 ... color filter protective film, 512 ... light-shielding black matrix 513 ... liquid crystal molecules, ORI1, ORI2
…配向膜、SL…シール材、C1,C2,C3,C4, ... orientation film, SL ... sealing material, C1, C2, C3, C4,
Cst…付加容量、TH…スルーホール、E1…液晶駆動電界。 Cst ... additional capacity, TH ... through-hole, E1 ... liquid crystal driving electric field.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−57882(JP,A) 特開 昭57−138682(JP,A) 特公 昭63−21907(JP,B2) 特表 平5−505247(JP,A) JOURNAL OF APPLIE D PHYSICS,VOL. ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (56) reference Patent Sho 55-57882 (JP, a) JP Akira 57-138682 (JP, a) Tokuoyake Akira 63-21907 (JP, B2) JP-T flat 5 505247 (JP, A) JOURNAL OF APPLIE D PHYSICS, VOL. 45 N O. 45 N O. 12 (1974) P. 12 (1974) P. 5466−5468 5466-5468

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 一対の基板と、この一対の基板に挟持され And 1. A pair of substrates are sandwiched the pair of substrates
    た液晶層とを有する液晶表示装置において、 前記一対の基板の一方の基板には、複数の走査信号電極 In the liquid crystal display device having a liquid crystal layer, on one of the pair of substrates, a plurality of scanning signal electrodes
    と、それらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電 And a plurality of video signals conductive crossing in a matrix thereof
    極と、これらの電極のそれぞれの交点に対応して形成さ And poles, is formed corresponding to each of the intersections of these electrodes
    れた複数の薄膜トランジスタとを有し、 前記複数の走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそ And a plurality of thin film transistors, its surrounded by the plurality of scanning signal electrodes and image signal electrodes
    れぞれの領域で少なくとも一つの画素が構成され、それ At least one pixel is composed of regions of respectively, it
    ぞれの画素には複数の画素に渡って接続された共通電極 Common electrode connected over a plurality of pixels to pixels of, respectively
    と、対応する薄膜トランジスタに接続された画素電極と When a pixel electrode connected to the corresponding thin film transistor
    を有し、 前記共通電極と画素電極とはその一部において絶縁膜を Has the insulating film at the common electrode and some of the pixel electrode
    介して重ね合わさり、この重ね合わさった部分により容 Description Kasaneawasari, this the superimposed portion via
    量が形成され、 前記共通電極と前記画素電極間に印加される電圧によ The amount is formed, a voltage applied between the common electrode and the pixel electrode
    り、前記液晶層には前記一方の基板に対し支配的に平行 Ri, predominantly parallel to the one substrate in the liquid crystal layer
    な成分を持った電界が発生することを特徴とする液晶表 Liquid crystal display of electric field having a component which is characterized in that occur
    示装置。 Display devices.
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記共通電極上に前記 2. A method according to claim 1, wherein on said common electrode
    絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装 LCD instrumentation, wherein an insulating film is formed
    置。 Location.
  3. 【請求項3】 請求項2において、前記絶縁膜上に前記画 3. The method of claim 2, wherein the image on the insulating film
    素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装 LCD instrumentation, characterized in that the pixel electrode is formed
    置。 Location.
  4. 【請求項4】 請求項1,2または3において、前記共通 4. The method of claim 1, 2 or 3, wherein the common
    電極はその表面が自己酸化膜または自己窒化膜で被覆さ Is coated electrode has its surface autoxidation film or self nitride film
    れた金属電極によって構成されていることを特徴とする Characterized in that it is constituted by a metal electrode
    液晶表示装置。 The liquid crystal display device.
  5. 【請求項5】 請求項1,2,3または4において、前記 5. A method according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein
    共通電極または前記画素電極は、リング状,十字型,T Common electrode or the pixel electrode is ring-shaped, cross-shaped, T
    字型,Π字型,Ι字型,梯子型のいずれかの形状を有す Yusuke shape, [pi-shape, iota-shaped, either in the shape of a ladder
    ることを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display device comprising Rukoto.
  6. 【請求項6】 一対の基板と、この一対の基板に挟持され 6. A pair of substrates are sandwiched the pair of substrates
    た液晶層とを有する液晶表示装置において、 前記一対の基板の一方の基板には、複数の走査信号電極 In the liquid crystal display device having a liquid crystal layer, on one of the pair of substrates, a plurality of scanning signal electrodes
    と、それらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電 And a plurality of video signals conductive crossing in a matrix thereof
    極と、これらの電極のそれぞれの交点に対応して形成さ And poles, is formed corresponding to each of the intersections of these electrodes
    れた複数の薄膜トランジスタとを有し、 前記複数の走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそ And a plurality of thin film transistors, its surrounded by the plurality of scanning signal electrodes and image signal electrodes
    れぞれの領域で少なくとも一つの画素が構成され、 それぞれの画素には前記走査信号電極と同一方向に延び At least one pixel is composed of regions of respectively, each of the pixels extending in the scanning signal electrode and the same direction
    た少なくとも一つの部分と前記映像信号電極と同一方向 At least one portion and the image signal electrode and the same direction
    に延びた少なくとも一つの部分とを有する共通電極と、 A common electrode having at least one portion which extends,
    対応する薄膜トランジスタに接続され前記走査信号電極 Is connected to the corresponding thin film transistor wherein the scan signal electrodes
    と同一方向に延びた少なくとも一つの部分と前記映像信 The video signal and at least one portion extending in the same direction as the
    号電極と同一方向に延びた少なくとも一つの部分とを有 Yes and at least one portion extending in JP electrode in the same direction
    する画素電極とを有し、 前記共通電極の前記走査信号電極と同一方向に延びた少 And a pixel electrode, small extending to the scanning signal electrodes and the same direction of the common electrode
    なくとも一つの部分と画素電極の前記走査信号電極と同 Same as the scanning signal electrodes of one part and the pixel electrode even without
    一方向に延びた少なくとも一つの部分とは絶縁膜を介し It is via an insulating film and at least one portion extending in one direction
    てオーバラップしていることを特徴とする液晶表示装 The liquid crystal display instrumentation which is characterized in that the overlap Te
    置。 Location.
  7. 【請求項7】 請求項6において、前記共通電極と前記画 7. The method of claim 6, wherein the image and the common electrode
    素電極間に印加される電圧により、前記液晶層には前記 The voltage applied between pixel electrodes, wherein the liquid crystal layer
    一方の基板に対し支配的に平行な成分を持った電界が発 Field having a dominant component parallel to one of the substrates originating
    生することを特徴とする液晶表示装置。 The liquid crystal display device which is characterized in that raw.
  8. 【請求項8】 請求項7において、前記共通電極上に前記 8. The method of claim 7, wherein on said common electrode
    絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装 LCD instrumentation, wherein an insulating film is formed
    置。 Location.
  9. 【請求項9】 請求項8において、前記絶縁膜上に前記画 9. The method of claim 8, wherein the image on the insulating film
    素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装 LCD instrumentation, characterized in that the pixel electrode is formed
    置。 Location.
  10. 【請求項10】 請求項6,7,8または9において、前 10. The method of Claim 6, 7, 8 or 9, before
    記共通電極はその表面が自己酸化膜または自己窒化膜で Serial common electrode surfaces thereof a self-oxide or self nitride film
    被覆された金属電極によって構成されていることを特徴 Characterized in that it is constituted by a coated metal electrode
    とする 液晶表示装置。 A liquid crystal display device.
  11. 【請求項11】 一対の基板と、この一対の基板に挟持さ 11. sandwich of a pair of substrates, the pair of substrates
    れた液晶層とを有する液晶表示装置において、 前記一対の基板の一方の基板には、複数の走査信号電極 In the liquid crystal display device having a liquid crystal layer, on one of the pair of substrates, a plurality of scanning signal electrodes
    と、それらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電 And a plurality of video signals conductive crossing in a matrix thereof
    極と、これらの電極のそれぞれの交点に対応して形成さ And poles, is formed corresponding to each of the intersections of these electrodes
    れた複数の薄膜トランジスタとを有し、 前記複数の走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそ And a plurality of thin film transistors, its surrounded by the plurality of scanning signal electrodes and image signal electrodes
    れぞれの領域で少なくとも一つの画素が構成され、 それぞれの画素には、前記映像信号電極と同一方向に延 At least one pixel is composed of regions of respectively, each pixel, extends on the video signal electrode in the same direction
    びた少なくとも一つの部分と複数の画素に渡って前記走 Vita said running over at least one portion and a plurality of pixels
    査信号電極と同一方向に延び前記少なくとも一つの部分 Wherein at least one portion extending in scanning signal No. electrodes in the same direction
    と接続される接続部とを有する共通電極と、対応する薄 Common electrode and the corresponding thin and a connection portion to be connected to the
    膜トランジスタに接続され前記映像信号電極と同一方向 Connected to the membrane transistor the video signal electrode in the same direction
    に延びた第1の部分とこの部分に接続された第2の部分 The first portion and connected to the second portion to the portion extending to
    とを少なくとも有する画素電極とを有し、 前記共通電極の接続部と画素電極の第2の部分とは絶縁 And a pixel electrode having at least the door, insulated from the second portion of the connecting portion and the pixel electrode of the common electrode
    膜を介してオーバーラップしていることを特徴とする液 Liquid, characterized in that overlap through the membrane
    晶表示装置 Crystal display device.
  12. 【請求項12】 請求項11において、前記共通電極と前 12. The method of Claim 11, wherein the common electrode and the front
    記画素電極間に印加される電圧により、前記液晶層には The voltage applied between the serial pixel electrodes, said liquid crystal layer
    前記一方の基板に対し支配的に平行な成分を持った電界 Field having a dominant component parallel to the substrate of the one
    が発生することを特徴とする液晶表示装置。 The liquid crystal display device, characterized in that but occur.
  13. 【請求項13】 請求項12において、前記共通電極上に 13. The method of claim 12, on the common electrode
    前記絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示 Liquid crystal display, wherein the insulating film is formed
    装置。 apparatus.
  14. 【請求項14】 請求項13において、前記絶縁膜上に前 14. The method of claim 13, before on the insulating film
    記画素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示 Liquid crystal display, characterized in that the serial pixel electrode is formed
    装置。 apparatus.
  15. 【請求項15】 請求項11,12,13または14にお To 15. The method of claim 11, 12, 13 or 14 you
    いて、前記共通電極はその表面が自己酸化膜または自己 There are, the common electrode is self-oxide or self its surface
    窒化膜で被覆された金属電極によって構成されているこ This being constituted by coated metallic electrode of a nitride layer
    とを特 徴とする液晶表示装置。 Preparative liquid crystal display device according to feature a.
JP17882593A 1993-07-20 1993-07-20 The liquid crystal display device Expired - Lifetime JP2701698B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17882593A JP2701698B2 (en) 1993-07-20 1993-07-20 The liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17882593A JP2701698B2 (en) 1993-07-20 1993-07-20 The liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0736058A JPH0736058A (en) 1995-02-07
JP2701698B2 true JP2701698B2 (en) 1998-01-21

Family

ID=16055327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17882593A Expired - Lifetime JP2701698B2 (en) 1993-07-20 1993-07-20 The liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2701698B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7173609B2 (en) 2000-06-08 2007-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus and image display method
US7248324B2 (en) 1999-09-07 2007-07-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997010530A1 (en) * 1995-09-14 1997-03-20 Hitachi, Ltd. Active matrix liquid crystal display
US5959599A (en) 1995-11-07 1999-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type liquid-crystal display unit and method of driving the same
TW329500B (en) 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
JPH09146108A (en) 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device and its driving method
JP3963974B2 (en) 1995-12-20 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal electro-optical device
US6697129B1 (en) 1996-02-14 2004-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Guest-host mode liquid crystal display device of lateral electric field driving type
US5852485A (en) * 1996-02-27 1998-12-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
JP3708620B2 (en) * 1996-03-01 2005-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 Active matrix liquid crystal electro-optical device
JP3597305B2 (en) 1996-03-05 2004-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 The liquid crystal display device and a manufacturing method thereof
US6911962B1 (en) 1996-03-26 2005-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of active matrix display device
KR100225910B1 (en) 1996-04-04 1999-10-15 구자홍 Lcd device
JP3396130B2 (en) * 1996-06-03 2003-04-14 シャープ株式会社 The liquid crystal display device
JP2776376B2 (en) * 1996-06-21 1998-07-16 日本電気株式会社 Active matrix liquid crystal display panel
KR100209531B1 (en) 1996-06-22 1999-07-15 구자홍 Liquid crystal display device
JP2973934B2 (en) * 1996-07-11 1999-11-08 日本電気株式会社 The liquid crystal display device, and equipped with a liquid crystal display device the electronic device
JP3567183B2 (en) * 1996-08-19 2004-09-22 大林精工株式会社 The liquid crystal display device
US6812985B1 (en) 1996-09-23 2004-11-02 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR100236518B1 (en) * 1996-09-21 2000-01-15 구본준 A liquid crystal display device
KR100218697B1 (en) * 1996-09-23 1999-09-01 구자홍 Liquid crystal display elements
KR100241286B1 (en) * 1996-09-23 2000-02-01 구본준 A liquid crystal display device
TW396289B (en) * 1996-10-29 2000-07-01 Nippon Electric Co Liquid crystal display device
JPH10142635A (en) * 1996-11-15 1998-05-29 Furontetsuku:Kk Liquid crystal display device
JP3788649B2 (en) 1996-11-22 2006-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 The liquid crystal display device
US6184946B1 (en) * 1996-11-27 2001-02-06 Hitachi, Ltd. Active matrix liquid crystal display
JPH10186405A (en) * 1996-12-27 1998-07-14 Hitachi Ltd Active matrix liquid crystal display device
KR100697903B1 (en) 1997-04-11 2007-03-20 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Liquid crystal display device
KR100257369B1 (en) 1997-05-19 2000-05-15 구본준 In plane switching mode liquid crystal display device
US6972818B1 (en) 1997-05-19 2005-12-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
KR100257370B1 (en) 1997-05-19 2000-05-15 구본준 In plane switching mode liquid crystal display device
US6184961B1 (en) 1997-07-07 2001-02-06 Lg Electronics Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains
KR100251512B1 (en) 1997-07-12 2000-04-15 구본준 In-plane switching mode lcd
US6335770B1 (en) 1997-07-22 2002-01-01 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode LCD with specific arrangement of common bus line, data electrode, and common electrode
US6697140B2 (en) 1997-07-29 2004-02-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device wherein portions of second gate line overlaps with data electrode
KR100255931B1 (en) 1997-08-14 2000-05-01 구본준, 론 위라하디락사 In-plane switching mode lcd
US6549258B1 (en) 1997-09-04 2003-04-15 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Hybrid switching mode liquid crystal display device
KR100293434B1 (en) 1997-09-08 2001-04-03 구본준, 론 위라하디락사 In-plane switching mode liquid crystal display device
JP4130490B2 (en) 1997-10-16 2008-08-06 三菱電機株式会社 The liquid crystal display device
US6215541B1 (en) 1997-11-20 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
KR100293436B1 (en) 1998-01-23 2001-04-03 구본준, 론 위라하디락사 In plane switching mode liquid crystal display device
JP4364332B2 (en) 1998-06-23 2009-11-18 シャープ株式会社 The liquid crystal display device
US6509939B1 (en) 1998-07-07 2003-01-21 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Hybrid switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
JP3099812B2 (en) 1998-07-30 2000-10-16 日本電気株式会社 The liquid crystal display device
JP3129293B2 (en) 1998-08-13 2001-01-29 日本電気株式会社 The liquid crystal display device
US6400435B2 (en) 1998-08-26 2002-06-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device capable of shielding against interferences
JP3132483B2 (en) 1998-09-17 2001-02-05 日本電気株式会社 A liquid crystal display device in a horizontal electric field method
JP2000147511A (en) 1998-11-13 2000-05-26 Fujitsu Ltd Liquid crystal display device and its manufacture
KR100798761B1 (en) * 1999-09-07 2008-01-29 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Liquid crystal display
KR100595294B1 (en) 1999-12-14 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Method of manufacturing a color filter array for in-plane switching mode liquid crystal display device
KR100504531B1 (en) 1999-12-15 2005-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 An in-plane switching mode liquid crystal display device
JP3712637B2 (en) 2000-08-11 2005-11-02 シャープ株式会社 The liquid crystal display device and a defect correction method thereof
JP2002148623A (en) 2000-08-31 2002-05-22 Sharp Corp Liquid crystal display device
JP2002323706A (en) 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp Active matrix liquid crystal display device of transverse electric field system and method for manufacturing the same
JP4718712B2 (en) 2001-04-17 2011-07-06 Nec液晶テクノロジー株式会社 Active matrix liquid crystal display device
JP4647843B2 (en) 2001-06-28 2011-03-09 株式会社日立製作所 The liquid crystal display device
JP2003140188A (en) 2001-11-07 2003-05-14 Hitachi Ltd The liquid crystal display device
JP4019697B2 (en) 2001-11-15 2007-12-12 株式会社日立製作所 The liquid crystal display device
JP3881248B2 (en) 2002-01-17 2007-02-14 株式会社日立製作所 The liquid crystal display device and an image display device
JP3586674B2 (en) 2002-01-30 2004-11-10 Nec液晶テクノロジー株式会社 The liquid crystal display device
JP4338511B2 (en) 2003-12-24 2009-10-07 シャープ株式会社 The liquid crystal display device
KR100680103B1 (en) 2004-02-02 2007-02-28 샤프 가부시키가이샤 Liquid crystal display device
US7468719B2 (en) 2004-02-09 2008-12-23 Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. Liquid crystal pixel memory, liquid crystal display, and methods of driving the same
US7425940B2 (en) 2004-02-09 2008-09-16 Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. Liquid crystal pixel memory, liquid crystal display, and methods of driving the same
JP4863102B2 (en) 2005-06-24 2012-01-25 Nltテクノロジー株式会社 Liquid crystal drive electrodes, the liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2008102479A (en) * 2006-09-19 2008-05-01 Konica Minolta Opto Inc Liquid crystal display device
WO2008044452A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-17 Konica Minolta Opto, Inc. Lateral electric field switching mode type liquid crystal display
JP5224237B2 (en) 2007-10-23 2013-07-03 Nltテクノロジー株式会社 Active matrix liquid crystal display device of IPS mode
JP2008170987A (en) * 2007-12-21 2008-07-24 Mitsubishi Electric Corp In-plane switching type liquid crystal display device
JP5239495B2 (en) 2008-05-12 2013-07-17 Nltテクノロジー株式会社 A liquid crystal display device in a horizontal electric field method
JP5266578B2 (en) 2008-07-22 2013-08-21 Nltテクノロジー株式会社 A liquid crystal display device in a horizontal electric field method
CN103534642B (en) 2011-04-08 2016-01-27 株式会社日本显示器 The liquid crystal display device
WO2012137541A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 株式会社ジャパンディスプレイセントラル Liquid crystal display device
KR101878482B1 (en) 2011-10-06 2018-07-16 엘지디스플레이 주식회사 Stereoscopic image display
JP2012234212A (en) * 2012-09-03 2012-11-29 Nlt Technologies Ltd Active matrix substrate and liquid crystal panel
WO2014097979A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 シャープ株式会社 Liquid crystal display device
US9612490B2 (en) 2012-12-28 2017-04-04 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5557882A (en) * 1978-10-20 1980-04-30 Fujitsu Ltd Display unit
FI74871B (en) * 1986-06-26 1987-12-31 Sinisalo Sport Oy Skyddsklaede.

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,VOL.45 NO.12 (1974) P.5466−5468

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10139687B2 (en) 1999-09-07 2018-11-27 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US7248324B2 (en) 1999-09-07 2007-07-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7251006B2 (en) 1999-09-07 2007-07-31 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7251005B2 (en) 1999-09-07 2007-07-31 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device comprising two counter voltage signal lines having two branches in each pixel region
US7253863B2 (en) 1999-09-07 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7256854B2 (en) 1999-09-07 2007-08-14 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7271869B2 (en) 1999-09-07 2007-09-18 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7456924B2 (en) 1999-09-07 2008-11-25 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7683996B2 (en) 1999-09-07 2010-03-23 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7697100B2 (en) * 1999-09-07 2010-04-13 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7705949B2 (en) 1999-09-07 2010-04-27 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7733455B2 (en) 1999-09-07 2010-06-08 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US7936429B2 (en) 1999-09-07 2011-05-03 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US8035786B2 (en) 1999-09-07 2011-10-11 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US8045116B2 (en) 1999-09-07 2011-10-25 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
US8218118B2 (en) 1999-09-07 2012-07-10 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
US8218119B2 (en) 1999-09-07 2012-07-10 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
US8345205B2 (en) 1999-09-07 2013-01-01 Hitachi Displays, Ltd. Liquid Crystal display device
US8493537B2 (en) 1999-09-07 2013-07-23 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
US8564752B2 (en) 1999-09-07 2013-10-22 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
US8964155B2 (en) 1999-09-07 2015-02-24 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US9488883B2 (en) 1999-09-07 2016-11-08 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US9632370B2 (en) 1999-09-07 2017-04-25 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US9857643B2 (en) 1999-09-07 2018-01-02 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US7173609B2 (en) 2000-06-08 2007-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus and image display method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0736058A (en) 1995-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4724339B2 (en) The liquid crystal display device
KR100269196B1 (en) Liquid crystal display device
JP5057500B2 (en) Multidomain liquid crystal display device and a display panel for use therein
US8134674B2 (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device
US6587170B2 (en) Liquid crystal display device having a light shielding matrix
US6667790B2 (en) Liquid crystal display having particular spacer
JP3081607B2 (en) The liquid crystal display device
KR100463043B1 (en) Active matrix liquid crystal display device
KR100367869B1 (en) A liquid crystal display device
US7304708B2 (en) Liquid crystal display device and image display device
JP3869600B2 (en) The liquid crystal display device
US6417900B1 (en) Liquid crystal display unit with conductive light-shielding member having substantially the same potential as common electrode
JP4317282B2 (en) The liquid crystal display device
US7113233B2 (en) Thin film transistor array panel with varying coupling capacitance between first and second pixel electrodes
JP3486859B2 (en) The liquid crystal display device
JP4238877B2 (en) Ffs mode liquid crystal display panel of
KR100356604B1 (en) A liquid crystal display device
JP4024901B2 (en) Active matrix liquid crystal display device
US6525798B1 (en) Liquid crystal display unit
US7352425B2 (en) Liquid crystal display device
US6356331B1 (en) Liquid crystal display device
JP4316381B2 (en) The liquid crystal display device having a high aperture ratio
KR100482468B1 (en) Fringe field switching mode lcd
JP3567183B2 (en) The liquid crystal display device
JP4381782B2 (en) The liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003

Year of fee payment: 13

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003

Year of fee payment: 16

EXPY Cancellation because of completion of term