JP3199221B2 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

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JP3199221B2
JP3199221B2 JP4012596A JP4012596A JP3199221B2 JP 3199221 B2 JP3199221 B2 JP 3199221B2 JP 4012596 A JP4012596 A JP 4012596A JP 4012596 A JP4012596 A JP 4012596A JP 3199221 B2 JP3199221 B2 JP 3199221B2
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a liquid crystal display device capable of realizing highly bright display or reducing power consumption by extending a display electrode in the first direction in a display area, extending counter electrodes and a source signal wiring in the first direction, and shraddling them over display areas. SOLUTION: A plurality of display areas 2a put with display electrodes 2 and counter wirings 1 between are provide in a matrix state in an active matrix substrate 100. A gate signal wiring 3 and a source signal wiring 4 are provided through the circumference of a display area 2. The counter wiring 1 is formed in a stripe state on a insulation film between layers, and the counter wiring 1 and display electrode 2 are arranged so as to be made in parallel to each other in the longitudinal direction. The counter wiring 1 forms the peripheral part of a display area 2a, and arranged at the position where it is not superimpose with be adjacent source signal wiring 4. Further, the counter wiring 1 forms a extended stripe shape while straddling adjacent plural display areas 2a in the longitudinal direction.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(以下、TFTという)などのスイッチング素子を備
え、表示媒体として液晶等を用いた表示装置に関し、特
にアクティブマトリクス基板の構成に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device having a switching element such as a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) and using a liquid crystal or the like as a display medium, and more particularly to a structure of an active matrix substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】ガラス等の絶縁基板の上にTFTをマト
リクス状に形成し、これをスイッチング素子として用い
るアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高画質の
フラットパネルディスプレイを実現するものとして期待
されている。従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置において広視野角化を実現する有効な手段として、液
晶に対して基板にほぼ平行な方向に電界を印可する方式
が提案されている(例えば、特開平7−36058号公
報)。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device in which TFTs are formed in a matrix on an insulating substrate such as glass and used as switching elements is expected to realize a flat panel display with high image quality. I have. As an effective means for realizing a wide viewing angle in a conventional active matrix type liquid crystal display device, a method of applying an electric field to a liquid crystal in a direction substantially parallel to a substrate has been proposed (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-36058). No.).

【0003】図11(a)、(b)及び図12は、この
ような従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置40
0の構成を示している。図11(a)及び(b)は、ア
クティブマトリクス基板401における1画素に対応す
る部分を示し、図12は、図11(a)に示される線A
−A’に沿ったアクティブマトリクス型液晶表示装置4
00の断面を示している。
FIGS. 11 (a), 11 (b) and 12 show such a conventional active matrix type liquid crystal display device 40. FIG.
0 is shown. 11A and 11B show a portion corresponding to one pixel on the active matrix substrate 401, and FIG. 12 shows a line A shown in FIG.
-A 'active-matrix liquid crystal display device 4
00 shows a cross section.

【0004】図12に示されるように、アクティブマト
リクス型液晶表示装置400は、アクティブマトリクス
基板401、対向基板402、及び両基板間に挟持され
た液晶層17を備えている。アクティブマトリクス基板
401は、ガラス基板100と、ガラス基板100上に
形成されたゲート信号線102、共通配線123、ゲー
ト絶縁膜103、ソース信号線108、半導体層10
4、絵素電極111、及び駆動電極113を有してい
る。ゲート絶縁膜103は、ゲート信号配線102及び
共通配線123を覆うように形成され、その上に、半導
体層104、ソース信号配線108、絵素電極111、
及び駆動電極113が形成される。
As shown in FIG. 12, an active matrix type liquid crystal display device 400 includes an active matrix substrate 401, a counter substrate 402, and a liquid crystal layer 17 sandwiched between both substrates. The active matrix substrate 401 includes a glass substrate 100, a gate signal line 102, a common wiring 123, a gate insulating film 103, a source signal line 108, and a semiconductor layer 10 formed on the glass substrate 100.
4, a pixel electrode 111 and a drive electrode 113. The gate insulating film 103 is formed so as to cover the gate signal wiring 102 and the common wiring 123, and the semiconductor layer 104, the source signal wiring 108, the pixel electrode 111,
And a drive electrode 113 are formed.

【0005】図11(a)及び(b)に示されるよう
に、ソース信号線108は、ソース信号線108がゲー
ト信号線102と交差する部分に分岐108’を有して
おり、ゲート信号線102をゲート電極105、分岐部
108’をソース電極、絵素電極111をドレイン電極
として、スイッチング素子(TFT)403が構成され
る。また、駆動電極113は、絵素電極111と同一の
材料から形成される。駆動電極13は、スルーホール2
00を介して共通配線123に接続されている。
As shown in FIGS. 11A and 11B, a source signal line 108 has a branch 108 'at a portion where the source signal line 108 intersects with the gate signal line 102, and the gate signal line 108 has a branch 108'. A switching element (TFT) 403 is configured by using 102 as a gate electrode 105, a branch portion 108 'as a source electrode, and a picture element electrode 111 as a drain electrode. The drive electrode 113 is formed from the same material as the pixel electrode 111. The drive electrode 13 is a through-hole 2
00 is connected to the common wiring 123.

【0006】ソース信号線108、絵素電極111、駆
動電極113、及びスイッチング素子403を覆うよう
にして保護絶縁膜124が形成され、その上に配向膜1
16が形成される。共通配線23と絵素電極11とはゲ
ート絶縁膜3を介して交差しており、この交差部に付加
容量が形成される。
[0006] A protective insulating film 124 is formed so as to cover the source signal line 108, the picture element electrode 111, the driving electrode 113, and the switching element 403.
16 are formed. The common wiring 23 and the pixel electrode 11 intersect via the gate insulating film 3, and an additional capacitance is formed at the intersection.

【0007】対向基板402は、基板114と、基板1
14のアクティブマトリクス基板401側に形成された
配向膜116と、外側に形成された偏向板112とを備
えている。
The opposing substrate 402 includes a substrate 114 and a substrate 1
14 is provided with the alignment film 116 formed on the active matrix substrate 401 side and the deflection plate 112 formed on the outside.

【0008】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置400においては、基板面にほぼ平行な方向に形
成される電界によって液晶層117が駆動される(横電
界駆動方式)。図11(a)に示すように、電圧が印可
されない状態において、液晶分子25は、絵素電極11
1及び駆動電極113の長手方向に対して若干の角度
(0度以上15度未満)を持つように配向される。絵素
電極111及び駆動電極113間に電圧が印可される
と、図11(b)に示すように、液晶分子25は絵素電
極111から駆動電極113に向かう電界Eに沿って配
向する。
In such an active matrix type liquid crystal display device 400, the liquid crystal layer 117 is driven by an electric field formed in a direction substantially parallel to the substrate surface (lateral electric field driving system). As shown in FIG. 11A, when no voltage is applied, the liquid crystal molecules 25
It is oriented so as to have a slight angle (0 degree or more and less than 15 degrees) with respect to the longitudinal direction of 1 and the drive electrode 113. When a voltage is applied between the pixel electrode 111 and the drive electrode 113, the liquid crystal molecules 25 are oriented along the electric field E from the pixel electrode 111 to the drive electrode 113, as shown in FIG.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述のような横電界駆
動方式のの液晶表示装置400においては、共通配線1
23及びその駆動電極113がTFT基板側に配置され
ているため、共通配線(駆動電極)が対向基板側に配置
された従来の縦電界駆動方式の液晶表示装置に比較し
て、アクティブマトリクス基板側の電極の配線構造が複
雑になる。そのため、各配線間での寄生容量によるクロ
ストークが生じやすいという問題点があった。更に、透
過型他液晶表示装置の場合、共通配線及び駆動電極の存
在によってバックライト光の透過する開口部の面積が狭
くなるため、十分な輝度が得られなかった。
In the above-described liquid crystal display device 400 of the lateral electric field driving system, the common wiring 1
23 and its drive electrode 113 are arranged on the TFT substrate side, so that the common wiring (drive electrode) is disposed on the active matrix substrate side as compared with the conventional vertical electric field drive type liquid crystal display device in which the common electrode (drive electrode) is arranged on the counter substrate side. The electrode wiring structure becomes complicated. Therefore, there is a problem in that crosstalk due to parasitic capacitance between the respective wirings is likely to occur. Further, in the case of a transmissive type other liquid crystal display device, a sufficient luminance cannot be obtained because the area of the opening through which the backlight is transmitted is reduced due to the presence of the common wiring and the drive electrode.

【0010】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、(1)バックライ
ト光の透過する開口部を面積を広くすることにより、高
輝度の表示あるいは低消費電力を実現できる液晶表示装
置を提供し、また(2)絵素電極に対するソース信号線
の影響を抑制することにより、クロストークが低減した
高品位の表示を実現する液晶表示装置を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object the following objects: (1) By increasing the area of an opening through which backlight light is transmitted, a high-luminance display or Provided is a liquid crystal display device that can realize low power consumption, and (2) a liquid crystal display device that realizes high-quality display with reduced crosstalk by suppressing the influence of source signal lines on picture element electrodes. It is in.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、基板と、該基板上に設けられたゲート信号配線お
よびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたソ
ース信号配線と、該ゲート信号配線と該ソース信号配線
との各交差部に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜
トランジスタに接続されたドレイン電極と、該ドレイン
電極に接続された接続電極と、該接続電極の一部と該ゲ
ート絶縁膜を介して保持容量を形成するための共通配線
と、該ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、該層
間絶縁膜上に設けられた液晶駆動用表示電極および対向
電極と、を有するアクティブマトリクス基板と、該アク
ティブマトリクス基板に対向する対向基板と、該アクテ
ィブマトリクス基板と該対向基板に狭持された液晶層
と、を備えた液晶表示装置であって、該表示電極が表示
領域内の第1の方向に伸びており、該対向電極および該
ソース信号配線が該表示領域内の該第1の方向に伸び
かつ、複数の該表示領域にまたがっており、そのことに
より上記目的が達成される。
A liquid crystal display device according to the present invention comprises: a substrate; a gate signal line and a gate insulating film provided on the substrate; a source signal line provided on the gate insulating film; A thin film transistor formed at each intersection of the gate signal line and the source signal line; a drain electrode connected to the thin film transistor; a connection electrode connected to the drain electrode; a portion of the connection electrode; A common wiring for forming a storage capacitor via the gate insulating film, an interlayer insulating film formed on the gate insulating film, a display electrode and a counter electrode for driving a liquid crystal provided on the interlayer insulating film, A liquid crystal display comprising: an active matrix substrate having: a counter substrate facing the active matrix substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate. An apparatus, the display electrodes extend in a first direction in the display region, the counter electrode and the source signal lines extending in the first direction of the display area,
In addition, the display area extends over a plurality of display areas, thereby achieving the above object.

【0012】ある実施の形態では、少なくとも前記表示
電極または前記対向電極のいずれか一方が、前記ソース
信号配線と重畳するように形成される。
In one embodiment, at least one of the display electrode and the counter electrode is formed so as to overlap the source signal wiring.

【0013】他の実施の形態では、少なくとも前記表示
電極または前記対向電極のいずれか一方が、前記ゲート
信号配線と重畳するように形成される。
In another embodiment, at least one of the display electrode and the counter electrode is formed so as to overlap the gate signal wiring.

【0014】本発明の液晶表示装置は、基板と、該基板
上に設けられたゲート信号配線およびゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に設けられたソース信号配線と、該ゲ
ート信号配線と該ソース信号配線との各交差部に形成さ
れた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続さ
れたドレイン電極と、該ドレイン電極に接続された接続
電極と、該接続電極の一部と該ゲート絶縁膜を介して保
持容量を形成するための共通配線と、該ゲート絶縁膜上
に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に設けられ
た液晶駆動用表示電極および対向電極と、を有するアク
ティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板
に対向する対向基板と、該アクティブマトリクス基板と
該対向基板に狭持された液晶層と、を備えた液晶表示装
置であって、該対向電極が、該共通配線と該層間絶縁層
に設けられたコンタクトホールを介して直接接続されて
おり、そのことにより上記目的が達成される。
According to the liquid crystal display device of the present invention, a substrate, a gate signal wiring and a gate insulating film provided on the substrate,
And the source signal line provided on said gate insulating film, 該Ge
A thin film transistor formed at each intersection between the over preparative signal lines and the source signal line, a drain electrode connected to the thin film transistor, and a connecting electrode connected to the drain electrode, a portion said of said connection electrode A common wiring for forming a storage capacitor via the gate insulating film, an interlayer insulating film formed on the gate insulating film, a display electrode and a counter electrode for driving a liquid crystal provided on the interlayer insulating film, A liquid crystal display device comprising: an active matrix substrate having: a counter substrate facing the active matrix substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate. The common wiring is directly connected to the common insulating layer via a contact hole provided in the interlayer insulating layer, thereby achieving the above object.

【0015】本発明の液晶表示装置は、基板と、該基板
上に設けられたゲート信号配線およびゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に設けられたソース信号配線と、該ゲ
ート信号配線と該ソース信号配線との各交差部に形成さ
れた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続さ
れたドレイン電極と、該ドレイン電極に接続された接続
電極と、該接続電極の一部と該ゲート絶縁膜を介して保
持容量を形成するための共通配線と、該ゲート絶縁膜上
に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に設けられ
た液晶駆動用表示電極と、を有するアクティブマトリク
ス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向し、液晶
駆動用対向電極を表示領域のほぼ中央部に有する対向基
板と、該アクティブマトリクス基板と該対向基板に狭持
された液晶層と、を備えており、そのことにより上記目
的が達成される。
According to the liquid crystal display device of the present invention, a substrate, a gate signal line and a gate insulating film provided on the substrate,
And the source signal line provided on said gate insulating film, 該Ge
A thin film transistor formed at each intersection between the over preparative signal lines and the source signal line, a drain electrode connected to the thin film transistor, and a connecting electrode connected to the drain electrode, a portion said of said connection electrode An active having a common wiring for forming a storage capacitor via a gate insulating film, an interlayer insulating film formed on the gate insulating film, and a liquid crystal driving display electrode provided on the interlayer insulating film. A matrix substrate, and a liquid crystal facing the active matrix substrate.
A counter substrate having a driving counter electrode substantially at the center of the display area is provided, and the active matrix substrate and a liquid crystal layer sandwiched between the counter substrates are provided, thereby achieving the above object.

【0016】ある実施の形態では、前記表示電極が前記
ソース信号配線または前記ゲート信号配線と重畳するよ
うに形成される。
In one embodiment, the display electrode is formed so as to overlap with the source signal wiring or the gate signal wiring.

【0017】他の実施の形態では、前記表示電極の長手
方向に対して、前記対向電極の長手方向が一定の角度を
もっている。
In another embodiment, the longitudinal direction of the counter electrode has a fixed angle with respect to the longitudinal direction of the display electrode.

【0018】更に、他の実施の形態では、前記層間絶縁
層の厚さが1.0〜10.0μmである。
In still another embodiment, the interlayer insulating layer has a thickness of 1.0 to 10.0 μm.

【0019】更に、他の実施の形態では、前記層間絶縁
層の誘電率の値が1.5〜3.5である。更に、他の実
施の形態では、前記層間絶縁膜の材質が有機系の樹脂で
ある。
Further, in another embodiment, the value of the dielectric constant of the interlayer insulating layer is 1.5 to 3.5. Further, in another embodiment, the material of the interlayer insulating film is an organic resin.

【0020】更に、他の実施の形態では、表示領域の液
晶層分子が基板面に対してほぼ水平な方向に回転駆動す
ることによって、画像表示を行う。
Further, in another embodiment, an image is displayed by rotating the liquid crystal layer molecules in the display area in a direction substantially horizontal to the substrate surface.

【0021】本発明による液晶表示装置を製造する方法
は、基板上にゲート電極を形成するとともに、接続電極
とゲート絶縁層を介して保持容量を形成するための共通
配線を形成する工程と、該基板上に、該ゲート電極およ
び該共通配線を覆うようにゲート絶縁層を形成する工程
と、該ゲート絶縁層上に、ソース信号配線および接続電
極をパターン形成する工程と、該ゲート信号配線と該ソ
ース信号配線との交差部に薄膜トランジスタを形成する
工程と、該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該
接続電極、該ソース信号配線、該ゲート信号配線を覆う
ように層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜上に
液晶駆動用表示電極および対向電極を形成する工程と、
該層間絶縁膜の一部を貫通するコンタクトホールによっ
て該接続電極を介して、該薄膜トランジスタに接続され
るドレイン電極と該表示電極とを接続する工程と、を包
含しており、そのことにより上記目的が達成される。
According to a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a gate electrode is formed on a substrate and a connection electrode is formed.
Forming a common wiring for forming a storage capacitor with the gate insulating layer interposed therebetween; forming a gate insulating layer on the substrate so as to cover the gate electrode and the common wiring; Forming a source signal wiring and a connection electrode on a layer; forming a thin film transistor at an intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring; and forming the thin film transistor and the connection on the gate insulating layer. Covers the electrode, the source signal line, and the gate signal line
Forming an interlayer insulating film, and forming a liquid crystal drive display electrode and a counter electrode on the interlayer insulating film,
Connecting the display electrode and the drain electrode connected to the thin film transistor via the connection electrode through a contact hole penetrating a part of the interlayer insulating film, thereby achieving the above object. Is achieved.

【0022】本発明による液晶表示装置を製造する方法
は、基板上にゲート電極を形成するとともに、接続電極
とゲート絶縁層を介して保持容量を形成するための共通
配線を形成する工程と、該基板上に、該ゲート電極およ
び該共通配線を覆うようにゲート絶縁層を形成する工程
と、該ゲート絶縁層上に、ソース信号配線および接続電
極をパターン形成する工程と、該ゲート信号配線と該ソ
ース信号配線との交差部に薄膜トランジスタを形成する
工程と、該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該
接続電極、該ソース信号配線、該ゲート信号配線を覆う
ように層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜上に
液晶駆動用表示電極を形成する工程と、該層間絶縁膜の
一部を貫通するコンタクトホールによって該接続電極を
介して、該薄膜トランジスタに接続されるドレイン電極
と該表示電極とを接続する工程と、液晶層を介して該表
示電極に対向する対向電極を表示領域のほぼ中央部に
成する工程と、を包含しており、そのことにより上記目
的が達成される。
According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a gate electrode is formed on a substrate and a connection electrode is formed.
Forming a common wiring for forming a storage capacitor with the gate insulating layer interposed therebetween; forming a gate insulating layer on the substrate so as to cover the gate electrode and the common wiring; Forming a source signal wiring and a connection electrode on a layer; forming a thin film transistor at an intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring; and forming the thin film transistor and the connection on the gate insulating layer. Covers the electrode, the source signal line, and the gate signal line
Forming an interlayer insulating film as a step of forming a display electrode for driving liquid crystal on the interlayer insulating film, through the connection electrode via a contact hole which penetrates a portion of the interlayer insulating film, the thin film transistor Connecting the drain electrode connected to the display electrode to the display electrode, and forming a counter electrode facing the display electrode through the liquid crystal layer at a substantially central portion of the display region. As a result, the above object is achieved.

【0023】本発明によれば、上記構成によって、以下
のような作用を得ることができる。
According to the present invention, the following effects can be obtained by the above configuration.

【0024】1.表示電極2が層間絶縁膜9を介して隣
接するソース信号配線4上に重畳するように形成される
ことにより、配線による透過光の遮光を防止する。
1. The display electrode 2 is formed so as to overlap with the adjacent source signal wiring 4 via the interlayer insulating film 9, thereby preventing transmission light from being blocked by the wiring.

【0025】2.比誘電率が小さく、しかも厚膜の層間
絶縁膜9によって、下層のゲート信号配線3、およびソ
ース信号配線4、共通配線25とが絶縁されるため、浮
遊容量の発生を抑制する。
2. Since the relative dielectric constant is small, and the gate signal wiring 3, the source signal wiring 4, and the common wiring 25 in the lower layer are insulated by the thick interlayer insulating film 9, generation of stray capacitance is suppressed.

【0026】3.表示電極2、及び対向配線1を同一材
で同一マスクで形成することにより、2つの電極間の距
離を正確に形成する。
3. By forming the display electrode 2 and the counter wiring 1 using the same material and the same mask, the distance between the two electrodes is accurately formed.

【0027】4.対向配線1をストライプ状に対向基板
27側に配置することにより、対向配線1と周辺の配線
間に生じる寄生容量の発生防止する。
4. By arranging the counter wiring 1 in a stripe shape on the counter substrate 27 side, it is possible to prevent the occurrence of a parasitic capacitance generated between the counter wiring 1 and the peripheral wiring.

【0028】5.対向配線1をストライプ状に対向基板
27側に配置し、且つ表示電極2の長手方向に対して、
対向配線1の長手方向を一定の角度をもたせて、表示電
極2と対向配線1間に生じる電界強度を一つの表示領域
2a内の位置に依存して異ならせる。
5. The counter wiring 1 is arranged on the counter substrate 27 side in the form of a stripe, and with respect to the longitudinal direction of the display electrode 2,
The longitudinal direction of the opposing wiring 1 is given a certain angle, and the electric field intensity generated between the display electrode 2 and the opposing wiring 1 is made different depending on the position in one display area 2a.

【0029】6.対向配線1を共通配線25に直接接続
することにより、TFTに接続された接続配線6をなく
す。
6. By directly connecting the counter wiring 1 to the common wiring 25, the connection wiring 6 connected to the TFT is eliminated.

【0030】7.対向配線1を、対向配線1を挟む2つ
の表示電極2の中間位置に配置することにより、対向配
線1と表示電極2の間の寄生容量の発生を防止する。
[7] By disposing the opposing wiring 1 at an intermediate position between the two display electrodes 2 sandwiching the opposing wiring 1, the occurrence of a parasitic capacitance between the opposing wiring 1 and the display electrode 2 is prevented.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

(実施形態1)図1は、本発明の実施形態1の透過型液
晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素
部分の構成を示す平面図である。また、図2と図3はそ
れぞれ、図1に示される線B−B’とA−A’の断面図
である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view showing a configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a transmission type liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views taken along lines BB 'and AA' shown in FIG. 1, respectively.

【0032】図1に示すように、アクティブマトリクス
基板100には、表示電極2、及び対向配線1に挟まれ
た複数の表示領域2aがマトリクス状に設けられてい
る。また、これら表示領域2aの周囲を通って互いに直
交差するように、走査配線としてのゲート信号配線3と
信号配線としてのソース信号配線4が設けられている。
なお、これらの信号配線のうち、ゲート信号配線3の一
部が上記の対向配線1の一部とオーバーラップしてい
る。また、ゲート信号配線3とソース信号配線4の交差
部には、スイッチング素子として機能する薄膜トランジ
スタ(以下、TFT22という)が設けられ、TFT2
2のドレイン電極12は接続電極6aを介して、最終的
に表示電極2に接続されている。TFT22のゲート電
極5には、ゲート信号配線3が接続されており、ゲート
電極5に入力される信号によってTFT22が駆動制御
される。TFT22のソース電極11には、ソース信号
配線4が接続されており、これによりTFT22のソー
ス電極11にデータ信号が入力される。ここで、TFT
22のドレイン電極12は、コンタクトホール7によっ
て接続電極6aを介して表示電極2と接続される。さら
に、図3に示すように、接続配線6aと共通配線25a
のそれぞれを、電極としてゲート絶縁膜15で挟むこと
により付加容量が形成されている。
As shown in FIG. 1, the active matrix substrate 100 is provided with a plurality of display areas 2a sandwiched between display electrodes 2 and counter wirings 1 in a matrix. Further, a gate signal line 3 as a scanning line and a source signal line 4 as a signal line are provided so as to pass through the periphery of the display region 2a and to be orthogonal to each other.
Note that, of these signal wirings, a part of the gate signal wiring 3 overlaps with a part of the counter wiring 1 described above. A thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT 22) functioning as a switching element is provided at an intersection of the gate signal line 3 and the source signal line 4, and the TFT 2
The second drain electrode 12 is finally connected to the display electrode 2 via the connection electrode 6a. The gate signal line 3 is connected to the gate electrode 5 of the TFT 22, and the driving of the TFT 22 is controlled by a signal input to the gate electrode 5. The source signal wiring 4 is connected to the source electrode 11 of the TFT 22, whereby a data signal is input to the source electrode 11 of the TFT 22. Where TFT
The drain electrode 12 is connected to the display electrode 2 via the contact electrode 7 via the contact hole 7. Further, as shown in FIG. 3, the connection wiring 6a and the common wiring 25a
Are sandwiched between the gate insulating films 15 as electrodes to form additional capacitance.

【0033】以下、図2および図3を参照しながら、本
実施形態1に示された液晶表示装置の構成を更に詳しく
説明する。
Hereinafter, the structure of the liquid crystal display device according to the first embodiment will be described in more detail with reference to FIGS.

【0034】まず、図2のTFT22については、下側
透明絶縁性基板20上に、図1のゲート信号配線3に接
続されたゲート電極5と、ゲート電極5を覆ってゲート
絶縁膜15が設けられている。ゲート絶縁膜上には、ゲ
ート電極5と重畳するように半導体層14が形成され、
半導体層14の中央部にチャネル保護層13が設けられ
ている。チャネル保護層13の両端部および半導体層1
4の一部を覆い、チャネル保護層13上で分断された状
態で、ソース電極11およびドレイン電極12となるn
+−a−Si層が設けられている。なお、ゲート信号配
線3および共通配線25は、導電性の材質であれは良
く、例えば、ITO、Ti、Cr、Mo、Ta,Alお
よびSnO2、導電性樹脂等が用いられる。また、単層
構造のみでなく、多層構造であってもよく、例えば、T
a/Al、Ta/TaNおよびTa25/Ta/Al等
が用いられる。なお、Ta/Alという表記方法は、A
lの上にTaを形成する積層構造の膜を示す。
First, for the TFT 22 shown in FIG. 2, a gate electrode 5 connected to the gate signal wiring 3 shown in FIG. 1 and a gate insulating film 15 covering the gate electrode 5 are provided on a lower transparent insulating substrate 20. Have been. A semiconductor layer 14 is formed on the gate insulating film so as to overlap with the gate electrode 5,
The channel protection layer 13 is provided at the center of the semiconductor layer 14. Both ends of channel protection layer 13 and semiconductor layer 1
4 are partially separated on the channel protective layer 13 and serve as the source electrode 11 and the drain electrode 12.
A + -a-Si layer is provided. The gate signal line 3 and the common line 25 may be made of a conductive material, for example, ITO, Ti, Cr, Mo, Ta, Al, SnO 2 , and a conductive resin. Further, not only a single layer structure but also a multilayer structure may be used.
a / Al, Ta / TaN, Ta 2 O 5 / Ta / Al and the like are used. The notation method of Ta / Al is A
1 shows a film having a laminated structure in which Ta is formed on 1.

【0035】次に、一方のn+−a−Si層であるソー
ス電極11の端部上には、透明導電膜10aと金属層8
bとが設けられて2層構造のソース信号配線4となって
いる。また、他方のn+−a−Si層であるドレイン電
極12の端部上には、透明導電膜10a’と金属層8
b’とが設けられている。この透明導電膜10a’は延
長されて、ドレイン電極12と表示電極2とを接続する
役割を果たすと共に、付加容量の一方の電極6aに接続
される接続電極6と一体化している。さらに、TFT2
2、ゲート信号配線3およびソース信号配線4、接続電
極6の上部を覆って層間絶縁膜9が設けられている。な
お、金属層8b’とドレイン電極12とは、図2におい
ては接触していないように図示しているが、直接接触し
ていても特性上問題はない。また、金属膜8b、8b’
とは同時に形成され、これらは、導電性の材料であれば
良く、ITO、Ti、Cr、Mo、Ta、Al、SnO
2の他、導電性樹脂、Ta/TaN、Ta/ITO、T
a/TaN/ITO等の積層構造で形成しても良い。
Next, the transparent conductive film 10a and the metal layer 8 are formed on the end of the source electrode 11 which is one n + -a-Si layer.
b is provided to form the source signal wiring 4 having a two-layer structure. Further, on the other end of the drain electrode 12 which is the n + -a-Si layer, the transparent conductive film 10a '
b ′ are provided. The transparent conductive film 10a 'is extended and serves to connect the drain electrode 12 and the display electrode 2, and is integrated with the connection electrode 6 connected to one electrode 6a of the additional capacitor. Furthermore, TFT2
2, an interlayer insulating film 9 is provided so as to cover the gate signal wiring 3, the source signal wiring 4, and the connection electrode 6. Although the metal layer 8b 'and the drain electrode 12 are shown as not contacting in FIG. 2, there is no problem in characteristics even if they are in direct contact. Further, the metal films 8b and 8b '
Are formed at the same time, and these may be conductive materials, such as ITO, Ti, Cr, Mo, Ta, Al, and SnO.
2 , conductive resin, Ta / TaN, Ta / ITO, T
It may be formed in a laminated structure such as a / TaN / ITO.

【0036】図3に示すように、この層間絶縁膜9上に
は、画素を形成するための表示電極2が相対するように
設けられている。この表示電極2は、層間絶縁膜9を貫
くコンタクトホール7によって、接続電極6と一体化し
ている透明導電膜10a’を介してTFT22のドレイ
ン電極12と接続されている。ここで、表示電極2は、
ソース信号配線4上に層間絶縁膜9上を介して重畳する
ように、表示領域2aの周縁部に配置される。なお、接
続配線6および透明導電膜10a、10a’は、IT
O、SnO2で作られている。
As shown in FIG. 3, the display electrodes 2 for forming pixels are provided on the interlayer insulating film 9 so as to face each other. The display electrode 2 is connected to the drain electrode 12 of the TFT 22 via a transparent conductive film 10 a ′ integrated with the connection electrode 6 by a contact hole 7 penetrating the interlayer insulating film 9. Here, the display electrode 2
It is arranged on the periphery of the display area 2a so as to overlap with the source signal wiring 4 via the interlayer insulating film 9. Note that the connection wiring 6 and the transparent conductive films 10a and 10a '
Made of O, SnO 2 .

【0037】また、上記の層間絶縁膜9上には、対向配
線1がストライプ状に形成されている。対向配線1と表
示電極2は、互いに長手方向に平行になるように配置さ
れる。対向配線1は、表示領域2aの周縁部であり、且
つ隣接するソース信号配線4と重畳しない位置に配置さ
れている。更に、該対向配線1は、その長手方向に向か
って隣接する複数の表示領域2aにまたがって、延伸さ
れたストライプ形状となっている。対向配線1と表示電
極2は同じ工程でつくられ、これらの材質は、導電性の
材料であれば良く、ITO、Ti、Cr、Mo、Ta、
AlおよびSnO2の他導電性樹脂でも良い。また、T
a/TaN等の積層構造でも良い。
On the interlayer insulating film 9, the counter wiring 1 is formed in a stripe shape. The counter wiring 1 and the display electrode 2 are arranged so as to be parallel to each other in the longitudinal direction. The opposing wiring 1 is arranged at a peripheral portion of the display area 2a and at a position that does not overlap with the adjacent source signal wiring 4. Further, the counter wiring 1 has a stripe shape extending over a plurality of display areas 2a adjacent to each other in the longitudinal direction. The counter wiring 1 and the display electrode 2 are formed in the same process, and these materials may be any conductive materials, such as ITO, Ti, Cr, Mo, Ta,
A conductive resin other than Al and SnO 2 may be used. Also, T
A laminated structure such as a / TaN may be used.

【0038】なお、層間絶縁膜9としては、比誘電率が
充分低く、厚膜形成の可能な無色透明の材料であれば、
いかなる絶縁材料でも良い。本実施形態1では、層間絶
縁膜9を感光性アクリル樹脂を用いて形成したが、アク
リル系以外の感光性樹脂でも良い。更には、ポリイミド
樹脂やエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いても良
い。但し、感光性樹脂を用いると、生産性が高く、アク
リル系樹脂は無色透明で、比誘電率が低いので好ましい
と言える。
The interlayer insulating film 9 is made of a colorless and transparent material having a sufficiently low relative permittivity and capable of forming a thick film.
Any insulating material may be used. In the first embodiment, the interlayer insulating film 9 is formed using a photosensitive acrylic resin, but a photosensitive resin other than an acrylic resin may be used. Further, a thermosetting resin such as a polyimide resin or an epoxy resin may be used. However, the use of a photosensitive resin is preferable because the productivity is high, the acrylic resin is colorless and transparent, and the relative dielectric constant is low.

【0039】次に、以上のような本実施形態のアクティ
ブマトリクス基板は、以下のようにして製造することが
できる。
Next, the active matrix substrate of the present embodiment as described above can be manufactured as follows.

【0040】まず、ガラス基板などの下側透明絶縁性基
板20上に、ゲート電極5、ゲート絶縁膜15、半導体
層14、チャネル保護層13、ソース電極11およびド
レイン電極12となるn+−a−Si層を順次形成す
る。ここで、半導体材料は、a−Si(アモルファスシ
リコン)に限るものではなく、p−Si(ポリシリコ
ン)、又は微結晶シリコンであってもよく、導電性高分
子材料でもよい。半導体層14は、真性半導体層で形成
され、ドレイン電極およびソース電極は、n+半導体層
で形成される。また、チャネル保護膜13およびゲート
絶縁膜15は、膣化シリコン(Sixy)、SiO2
よび絶縁性樹脂等で形成される。
First, a gate electrode 5, a gate insulating film 15, a semiconductor layer 14, a channel protection layer 13, a source electrode 11 and a drain electrode 12 are formed on a lower transparent insulating substrate 20 such as a glass substrate. An Si layer is sequentially formed. Here, the semiconductor material is not limited to a-Si (amorphous silicon), but may be p-Si (polysilicon), microcrystalline silicon, or a conductive polymer material. The semiconductor layer 14 is formed of an intrinsic semiconductor layer, and the drain electrode and the source electrode are formed of an n + semiconductor layer. The channel protective film 13 and the gate insulating film 15, Chitsuka silicon (Si x N y), it is formed by the SiO 2 and the insulating resin or the like.

【0041】ここまでの作成プロセスは、従来のアクテ
ィブマトリクス基板の製造方法と同様にして行うことが
できる。
The manufacturing process up to this point can be performed in the same manner as the conventional method of manufacturing an active matrix substrate.

【0042】次に、ソース信号配線4および接続電極6
を構成する透明導電膜10a、10a’および金属層8
b、8b’、スパッタ法により順次成膜して所定形状に
パターニングする。
Next, the source signal wiring 4 and the connection electrode 6
Transparent conductive films 10a, 10a 'and metal layer 8 constituting
b, 8b ', a film is sequentially formed by a sputtering method, and is patterned into a predetermined shape.

【0043】さらに、その上に、層間絶縁膜9としての
感光性アクリル系樹脂をスピン塗布法により例えば5μ
mの膜厚で形成する。
Further, a photosensitive acrylic resin as an interlayer insulating film 9 is further formed thereon by, for example, 5 μm by spin coating.
m.

【0044】次に、この樹脂を所望のパターンに従って
露光し、アルカリ性の溶液によって現像処理する。これ
により露光された部分のみがアルカリ性の溶液によって
エッチングされ、層間絶縁膜9を貫通するコンタクトホ
ール7が形成されることになる。
Next, the resin is exposed according to a desired pattern and developed with an alkaline solution. As a result, only the exposed portions are etched by the alkaline solution, and the contact holes 7 penetrating through the interlayer insulating film 9 are formed.

【0045】その後、表示領域2aを構成する表示電極
2、及び対向配線1を形成するため、金属膜をスパッタ
法により形成し、エッチングにより同時にパターニング
する。これにより、表示領域2aを構成する一方の電極
である表示電極2は、層間絶縁膜9を貫くコンタクトホ
ール7を介して、TFT22のドレイン電極12と接続
されている透明導電膜10a’と接続されることにな
る。また、対向配線1はストライプ状の形状にパターニ
ングされる。なお、表示電極2、及び対向電極1は同一
の工程、同一の材料で形成する。材料は、上述のよう
に、導電性の光透過性の無いTa金属膜で構成したがT
i,Al,Cr,Mo又は、光透過性のあるITO膜等
の透明導電性膜で形成してもよい。なお、ここでは、ウ
エットエッチング技術を用いた例に説明したが、ドライ
エッチング技術を用いても良い。
Thereafter, in order to form the display electrode 2 and the counter wiring 1 constituting the display area 2a, a metal film is formed by a sputtering method, and is simultaneously patterned by etching. As a result, the display electrode 2, which is one of the electrodes constituting the display region 2a, is connected to the transparent conductive film 10a 'connected to the drain electrode 12 of the TFT 22 via the contact hole 7 penetrating the interlayer insulating film 9. Will be. The counter wiring 1 is patterned into a stripe shape. Note that the display electrode 2 and the counter electrode 1 are formed in the same process and with the same material. As described above, the material was formed of a conductive Ta metal film having no light transmission property.
i, Al, Cr, Mo, or a transparent conductive film such as a light-transmissive ITO film. Here, an example using the wet etching technique has been described, but a dry etching technique may be used.

【0046】次に、以上より成る単位画素(表示領域2
a)をマトリックス状に配置したアクティブマトリック
ス基板の表面にポリイミドよりなる配向膜16を形成
し、表面にラビング処理を施した。同じく、ラビング処
理を施した配向膜17を表面に形成した対向基板27
と、アクティブマトリックス基板の間に棒状の液晶分子
23を液晶組成物を封入し、二枚の基板の外表面に偏光
板18、19を配置した。液晶分子23は無電界時(図
1(a))にはストライプ状の表示電極2、及び対向配
線1の長手方向に対して若干の角度、即ち液晶分子の長
軸(光学軸)と電界の方向(表示電極2と対向配線1の
長手方向に垂直)のなす角度にして45゜以上90゜未
満を持つように配向されている。尚、上下基板との界面
での液晶分子の配向は互いに平行とした。また、液晶分
子の誘電異方性は正である。ここで、TFTのゲート電
極5に電圧を印加してTFTをオンとすると表示電極2
に電圧が印加し、表示電極2対向配線1との間に電界
Eを誘起させると、図1(b)に示すように電界方向に
液晶分子が向きを変える。上下基板の表面に配置した2
枚の偏光板18、19の偏光透過軸を所定角度(例え
ば、互いの偏光透過軸が直行するクロスニコル)に配置
することで電界印加によって光の透過率を変化させるこ
とが可能になる。このように、本発明の表示方式では従
来は対向基板27に必要であった透明電極がなくてもコ
ントラストを与える表示が可能となる。このため、透明
電極の形成に関わる工程を全て省略できるので製造コス
ト削減が可能となる。さらに、従来の対向基板に透明電
極を用いる表示方式では、電圧印加により液晶分子の長
軸を基板界面から立ち上がらせ複屈折位相差を0とする
ことで暗状態を得ているが、複屈折位相差が0となる視
角方向は正面、即ち基板界面に垂直な方向のみであり、
僅かでも傾くと複屈折位相差が現れ、ノーマリーホワイ
ト型の表示では光が漏れコントラストの低下や階調レベ
ルの反転を引き起こす。ところが、本実施例の表示方式
では液晶分子の長軸は基板とほぼ平行であり電圧を印加
しても立ち上がることが無い。従って視角方向を変えた
ときの明るさの変化が小さく視角特性が大幅に改善され
る。
Next, the unit pixel (display region 2
An alignment film 16 made of polyimide was formed on the surface of an active matrix substrate in which a) was arranged in a matrix, and the surface was subjected to a rubbing treatment. Similarly, a counter substrate 27 having a rubbed alignment film 17 formed on its surface.
And a liquid crystal composition in which rod-like liquid crystal molecules 23 are filled between the active matrix substrates, and polarizing plates 18 and 19 are arranged on the outer surfaces of the two substrates. When there is no electric field (FIG. 1A), the liquid crystal molecules 23 have a slight angle with respect to the longitudinal direction of the stripe-shaped display electrode 2 and the counter wiring 1, that is, the relationship between the long axis (optical axis) of the liquid crystal molecules and the electric field. It is oriented so as to have an angle of 45 ° or more and less than 90 ° in a direction (perpendicular to the longitudinal direction of the display electrode 2 and the counter wiring 1). The orientation of the liquid crystal molecules at the interface between the upper and lower substrates was parallel to each other. The dielectric anisotropy of the liquid crystal molecules is positive. Here, when a voltage is applied to the gate electrode 5 of the TFT to turn on the TFT, the display electrode 2 is turned on.
When an electric field E is induced between the display electrode 2 and the opposing wiring 1, a liquid crystal molecule changes its direction in the direction of the electric field as shown in FIG . 2 arranged on the upper and lower substrates
By arranging the polarization transmission axes of the polarizing plates 18 and 19 at a predetermined angle (for example, crossed Nicols where the polarization transmission axes are perpendicular to each other), it becomes possible to change the light transmittance by applying an electric field. As described above, according to the display method of the present invention, it is possible to provide a display which provides a contrast even without the transparent electrode which is conventionally required on the counter substrate 27. For this reason, all of the steps relating to the formation of the transparent electrode can be omitted, so that the manufacturing cost can be reduced. Further, in the conventional display method using a transparent electrode for the opposite substrate, a dark state is obtained by raising the major axis of liquid crystal molecules from the substrate interface by applying a voltage and setting the birefringence phase difference to 0. The viewing angle direction in which the phase difference is 0 is only the front, that is, the direction perpendicular to the substrate interface,
Even if it is slightly tilted, a birefringence phase difference appears, and in a normally white type display, light leaks, causing a decrease in contrast and a reversal of gradation levels. However, in the display method of this embodiment, the major axis of the liquid crystal molecules is substantially parallel to the substrate and does not rise even when a voltage is applied. Therefore, the change in brightness when the viewing angle direction is changed is small, and the viewing angle characteristics are greatly improved.

【0047】また、このようにして得られたアクティブ
マトリクス基板は、ゲート信号配線3、ソース信号配線
4およびTFT22と、液晶表示用表示電極2及び対向
配線1との間に層間絶縁膜9が形成されているので、各
配線3、4およびTFT22に対して表示電極2、及び
対向配線1をオーバーラップして形成することができる
とともにその表面を平坦化させることができる。
In the active matrix substrate thus obtained, an interlayer insulating film 9 is formed between the gate signal wiring 3, the source signal wiring 4, the TFT 22, and the liquid crystal display electrode 2 and the counter wiring 1. Therefore, the display electrode 2 and the counter wiring 1 can be formed so as to overlap each of the wirings 3 and 4 and the TFT 22, and the surface thereof can be flattened.

【0048】例えば、図2のように、表示電極2をデー
タ信号を供給するTFTに接続されたソースバスライン
上に層間絶縁膜9を介して重畳させ、一方で対向配線1
を表示領域2aを跨いで対になり、且つ隣接するソース
信号配線4と重畳しないように配置することによって、
バックライト光の透過領域を拡大させることができる。
For example, as shown in FIG. 2, the display electrode 2 is overlapped on the source bus line connected to the TFT for supplying the data signal via the interlayer insulating film 9, while the opposite electrode 1
Are arranged so as to form a pair across the display area 2a and not to overlap with the adjacent source signal lines 4,
The transmission area of the backlight can be enlarged.

【0049】このため、アクティブマトリクス基板と対
向基板の間に液晶を介在させた透過型液晶表示装置の構
成とした時に、開口率を向上させることができるととも
に、各配線3、4に起因する電界を表示領域2aを形成
する表示電極2、及び対向配線2によってシールドして
液晶の配向不良を抑制することができ、且つ各配線3、
4およびTFT22に起因する段差による液晶の配向不
良を抑制することができる。
Therefore, when a transmissive liquid crystal display device having a liquid crystal interposed between an active matrix substrate and a counter substrate is configured, the aperture ratio can be improved, and the electric field caused by the wirings 3 and 4 can be improved. Is shielded by the display electrode 2 forming the display region 2a and the opposing wiring 2 so that poor alignment of the liquid crystal can be suppressed.
4 and liquid crystal alignment failure due to steps caused by the TFT 22 can be suppressed.

【0050】また、層間絶縁膜9を形成するアクリル系
樹脂は、比誘電率が1.5〜3.5と無機膜(窒化シリ
コンの比誘電率8)に比べて低く、しかもスピン塗布法
により容易に1.0〜10.0μmという厚い膜厚にす
ることができるので、ゲート信号配線3と表示電極2と
の間の容量も小さくすることができる。これにより信号
波形のダレや歪みを少なくすることができる。同様に、
各配線3、4と表示電極2、及び対向配線1との間の容
量を小さくすることができ、これにより信号波形のダレ
や歪みを少なくすることができる。従って、各配線3、
4と表示電極2、及び対向配線1との間の容量成分が表
示に与えるクロストークなどの影響を、より改善するこ
とができ、良好で明るい表示を得ることを可能にする。
また、露光およびアルカリ現像によって、パターニング
を行うことにより、コンタクトホール7のテーパ形状を
良好にすることができので、表示電極2と接続電極6を
形成する透明導電膜10a’との良好な接続を得ること
ができるようになる。しかも、上記パターニングにはフ
ォトレジスト工程も不要なので、生産性向上という観点
からも有利である。ここで、層間絶縁膜9として使用し
たアクリル系樹脂は、塗布前には着色されたものである
が、パターニング後に全面露光処理を施してより透明化
することができる。なお、このような樹脂の透明処理化
は、光学的な処理によりなされるものに限らず、化学的
な処理により行うことも可能である。なお、透明性が高
いという点からも、アクリル系樹脂は好ましい材料であ
る。
The acrylic resin forming the interlayer insulating film 9 has a relative dielectric constant of 1.5 to 3.5, which is lower than that of the inorganic film (the relative dielectric constant of silicon nitride is 8). Since the thickness can be easily increased to 1.0 to 10.0 μm, the capacitance between the gate signal line 3 and the display electrode 2 can be reduced. As a result, sag and distortion of the signal waveform can be reduced. Similarly,
The capacitance between each of the wirings 3 and 4 and the display electrode 2 and the counter wiring 1 can be reduced, so that sag and distortion of the signal waveform can be reduced. Therefore, each wiring 3,
The influence of crosstalk and the like on the display caused by the capacitance component between the display electrode 4 and the display electrode 2 and the counter wiring 1 can be further improved, and a good and bright display can be obtained.
In addition, by performing patterning by exposure and alkali development, the tapered shape of the contact hole 7 can be improved, so that a good connection between the display electrode 2 and the transparent conductive film 10a 'forming the connection electrode 6 can be achieved. Will be able to gain. In addition, since a photoresist process is not required for the patterning, it is advantageous from the viewpoint of improving productivity. Here, the acrylic resin used as the interlayer insulating film 9 is colored before coating, but can be made more transparent by performing an overall exposure process after patterning. It should be noted that such a transparent treatment of the resin is not limited to being performed by an optical treatment, but may be performed by a chemical treatment. In addition, an acrylic resin is also a preferable material from the viewpoint of high transparency.

【0051】(実施形態2)層間絶縁膜9上に対向電極
1や表示電極2を形成すると、浮遊容量の増加によって
良好な表示特性を得ることが難しいと、考えられてい
た。しかしながら、上述のように本発明の液晶表示装置
に用いられた層間絶縁膜9は誘電率が極めて低く、しか
も、層厚を厚くすることができるという特徴を有するた
めに、対向電極1を層間絶縁膜9を介してソース信号配
線4上と重畳するように配置するという構成を採用して
も、浮遊容量を極めて小さくすることが可能になる。従
って、層間絶縁膜9上を介して対向電極1とソース信号
配線4を重ねあわせることにもたらされる効果によっ
て、液晶表示装置の開口率向上と、コントラストの向上
を図ることができる。同じ作用効果により、表示電極2
を層間絶縁膜9を介してゲート信号配線3上と重畳する
ように配置した場合においても、浮遊容量の発生を最小
限に抑えることができ、これにより、開口率、コントラ
ストを向上させることを可能にする。
(Embodiment 2) It has been considered that when the counter electrode 1 and the display electrode 2 are formed on the interlayer insulating film 9, it is difficult to obtain good display characteristics due to an increase in stray capacitance. However, as described above, the interlayer insulating film 9 used in the liquid crystal display device of the present invention has a feature that the dielectric constant is extremely low and the layer thickness can be increased. Even if a configuration is adopted in which it is disposed so as to overlap with the source signal wiring 4 via the film 9, the stray capacitance can be extremely reduced. Therefore, the effect brought about by overlapping the counter electrode 1 and the source signal wiring 4 via the interlayer insulating film 9 can improve the aperture ratio and the contrast of the liquid crystal display device. With the same effect, the display electrode 2
Is arranged so as to overlap with the gate signal wiring 3 via the interlayer insulating film 9, the generation of stray capacitance can be minimized, thereby improving the aperture ratio and contrast. To

【0052】なお、横電界モードで、しかも層間絶縁膜
によって平坦化されており、リバースチルトが発生しな
いので、本発明による液晶表示装置においては、基本的
にブラックマスクは不要である。しかしながら、本実施
形態1および2のように、表示領域2a内で対向配線1
と表示電極2との間隔が異なるような構成の場合には、
両者間の距離の違いによる応答速度の変化に基づく配向
不良という問題の発生が懸念される。従って、配向不良
の発生の懸念される互いに近接する対向配線1と表示電
極2との間に、ブラックマスクを設けても良い。
In the lateral electric field mode, the interlayer insulating film
Are planarized by, since the reverse tilt does not occur in the liquid crystal display device according to the invention, essentially black mask is not required. However, as in the first and second embodiments, the counter wiring 1 in the display area 2a is not used.
In the case where the distance between the display electrode 2 and the display electrode 2 is different,
There is a concern that a problem of poor orientation based on a change in response speed due to a difference in distance between the two may occur. Therefore, a black mask may be provided between the opposing wiring 1 and the display electrode 2 which are close to each other and in which the occurrence of an alignment defect may be caused.

【0053】(実施形態3)図4は、本発明の実施形態
3の液晶表示装置を示す平面図である。図5と図6はそ
れぞれ、図3に示される線B−B’とA−A’の断面図
である。この実施形態3において、実施形態1および2
と異なる点は、対向配線1の位置を表示領域2aのほぼ
中央部分に配置した点と、対向配線1を対向基板側に配
置した点である。
(Embodiment 3) FIG. 4 is a plan view showing a liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention. 5 and 6 are cross-sectional views taken along lines BB 'and AA' shown in FIG. 3, respectively. In Embodiment 3, Embodiments 1 and 2
The difference from the first embodiment is that the position of the opposing wiring 1 is arranged substantially at the center of the display area 2a, and that the opposing wiring 1 is arranged on the opposing substrate side.

【0054】即ち、図4〜6から分かるように、アクテ
ィブマトリクス基板上に液晶駆動用表示電極2が設けら
れており、この点は、実施形態1および2と同じ構成を
有する。一方、対向基板側には、対向配線1がストライ
プ状に表示領域2aの中央に配置されており、この点が
本実施形態特有の構成である。
That is, as can be seen from FIGS. 4 to 6, the liquid crystal driving display electrode 2 is provided on the active matrix substrate, and this point has the same configuration as the first and second embodiments. On the other hand, on the counter substrate side, the counter wiring 1 is arranged in the center of the display area 2a in a stripe shape, which is a configuration unique to the present embodiment.

【0055】実施形態3の液晶表示装置の製造方法を、
図4〜6を参照しながら説明する。
The method of manufacturing the liquid crystal display device according to the third embodiment will now be described.
This will be described with reference to FIGS.

【0056】層間絶縁膜9の形成までの各製造工程は、
実施形態1と同様のプロセスなので、それ以降の製造プ
ロセスについて説明する。単位画素(表示領域2a)を
マトリックス状に配置したアクティブマトリックス基板
28の表面にポリイミドよりなる配向膜16を形成し、
表面にラビング処理を施した。
The respective manufacturing steps up to the formation of the interlayer insulating film 9 are as follows.
Since the process is the same as that of the first embodiment, the subsequent manufacturing process will be described. An alignment film 16 made of polyimide is formed on a surface of an active matrix substrate 28 in which unit pixels (display areas 2a) are arranged in a matrix,
The surface was rubbed.

【0057】次に、対向基板27に蒸着法により導電性
膜を成膜し、フォトリソ工程、エッチング工程をへて、
ストライプ状の対向配線1を形成した。ここで、導電性
膜の材料として、Taを用いたが、Ti,Al,Cr,
ITO等を用いてもよい。続いて、対向基板27の表面
にポリイミドよりなる配向膜17を形成し、表面にラビ
ング処理を施した。
Next, a conductive film is formed on the opposite substrate 27 by a vapor deposition method, and is subjected to a photolithography process and an etching process.
A stripe-shaped opposing wiring 1 was formed. Here, Ta was used as the material of the conductive film, but Ti, Al, Cr,
ITO or the like may be used. Subsequently, an alignment film 17 made of polyimide was formed on the surface of the counter substrate 27, and rubbing was performed on the surface.

【0058】以上のようにして形成した対向基板27
と、アクティブマトリックス基板の間に棒状の液晶分子
23を液晶組成物を封入した。さらに、アクティブマト
リックス基板28と対向基板27の配向膜と反対側の表
面に偏光板18、19を配置した。液晶分子23は無電
界時にはストライプ状の表示電極2、及び対向配線1の
長手方向に対して若千の角度、即ち液晶分子の長軸(光
学軸)と電界の方向(表示電極2と対向配線1の長手方
向に垂直)のなす角度にして45゜以上90゜未満を持
つように配向されている。尚、上下基板との界面での液
晶分子の配向は互いに平行になるようにした。また、液
晶分子の誘電異方性は正である。ここで、TFTのゲー
ト電極5に電圧を印加してTFTをオンとすると表示電
極2に電圧が印加し、表示電極2−対向配線1間に電界
Eを誘起させると、電界方向に液晶分子が向きを変える
(図4(a))。また、図5および図6では、厚み方向
を拡大して図示しているために、電界方向Eが傾斜して
いるように見えるが、実際の液晶表示装置では、表示領
域2a’の幅が40μm〜80μmに比べて、液晶層の
厚みは6μm程度と1桁近く小さいので、液晶層の厚み
方向の電界成分は極めて小さく、電界方向は基板面に対
してはぼ平行と考えて良い。以上の構成において上下基
板の表面に配置した2枚の偏光板18、19の偏光透過
軸を所定角度(例えば、互いの偏光透過軸が直行するク
ロスニコル)に配置することで、電界印加によって光の
透過率を変化させることが可能になる。
The counter substrate 27 formed as described above
And a liquid crystal composition in which rod-like liquid crystal molecules 23 were sealed between the active matrix substrates. Furthermore, polarizing plates 18 and 19 were arranged on the surfaces of the active matrix substrate 28 and the counter substrate 27 on the side opposite to the alignment film. When there is no electric field, the liquid crystal molecules 23 have a small angle with respect to the longitudinal direction of the stripe-shaped display electrode 2 and the counter wiring 1, that is, the major axis (optical axis) of the liquid crystal molecules and the direction of the electric field (the display electrode 2 and the counter wiring). 1 (perpendicular to the longitudinal direction). The orientation of the liquid crystal molecules at the interface with the upper and lower substrates was made parallel to each other. The dielectric anisotropy of the liquid crystal molecules is positive. Here, when a voltage is applied to the gate electrode 5 of the TFT to turn on the TFT, a voltage is applied to the display electrode 2, and an electric field E is induced between the display electrode 2 and the counter wiring 1. The direction is changed (FIG. 4A). In FIGS. 5 and 6, since the thickness direction is illustrated in an enlarged manner, the electric field direction E appears to be inclined. However, in an actual liquid crystal display device, the width of the display region 2a ′ is 40 μm. Since the thickness of the liquid crystal layer is about 6 μm, which is about one digit smaller than that of the liquid crystal layer of about 80 μm, the electric field component in the thickness direction of the liquid crystal layer is extremely small, and the electric field direction can be considered to be almost parallel to the substrate surface. In the above configuration, by arranging the polarization transmission axes of the two polarizing plates 18 and 19 disposed on the surfaces of the upper and lower substrates at a predetermined angle (for example, crossed Nicols where the polarization transmission axes are orthogonal to each other), light is applied by electric field application. Can be changed.

【0059】このように、対向配線1を対向基板27の
ほぼ中央に配置することにより、実施形態1と2に比較
して、浮遊容量をより小さくできる。従って、浮遊容量
に起因する信号波形のダレや歪みを、より効果的に改善
することになる。また、寄生容量に起因するオフ電流の
発生も防止できる。更には、実施形態1および2のよう
に、表示領域2a内で対向配線1と表示電極2との間隔
が異なるような構成の場合には、両者間の距離の違いに
よる応答速度の変化に基づく配向不良という問題の発生
が懸念されるが、本実施形態では、そのような問題が発
生することがなく、上記の実施形態1および2におい
て、言及したブラックマスクを設けることも要しない。
As described above, by disposing the opposing wiring 1 substantially at the center of the opposing substrate 27, the stray capacitance can be reduced as compared with the first and second embodiments. Therefore, sag and distortion of the signal waveform caused by the stray capacitance can be more effectively improved. Further, generation of off-current due to parasitic capacitance can be prevented. Furthermore, in the case of a configuration in which the distance between the opposing wiring 1 and the display electrode 2 is different in the display area 2a as in the first and second embodiments, the response speed is changed based on the difference in the distance between the two. Although there is a concern that the problem of poor orientation may occur, in the present embodiment, such a problem does not occur, and it is not necessary to provide the black mask mentioned in the first and second embodiments.

【0060】(実施形態4)図7は、本発明の実施形態
4の液晶表示装置を示す平面図である。図8と図9はそ
れぞれ、図7に示される線B−B’とA−A’の断面図
である。この実施形態4において、実施形態3と異なる
点は、長手方向の対向配線1を、表示電極の長手方向に
対して、一定の角度を持って配置されている点である。
(Embodiment 4) FIG. 7 is a plan view showing a liquid crystal display device according to Embodiment 4 of the present invention. 8 and 9 are cross-sectional views taken along lines BB 'and AA' shown in FIG. 7, respectively. The fourth embodiment is different from the third embodiment in that the opposing wires 1 in the longitudinal direction are arranged at a certain angle with respect to the longitudinal direction of the display electrodes.

【0061】即ち、図7(a)、(b)からわかるよう
に、対向配線1を対向基板27側に配置した構成におい
て、対向配線1の長手方向を表示電極2の長手方向に対
して、一定の角度を持つ方向、望ましくは、ソース信号
配線4およびゲート信号配線3によって形成される四辺
形の表示領域2aの対角線上に沿った方向に、対向配線
1が形成されるように配置されている。
That is, as can be seen from FIGS. 7A and 7B, in the configuration in which the counter wiring 1 is arranged on the counter substrate 27 side, the longitudinal direction of the counter wiring 1 is The counter wiring 1 is arranged so as to be formed in a direction having a certain angle, preferably in a direction along a diagonal line of the quadrangular display area 2 a formed by the source signal wiring 4 and the gate signal wiring 3. I have.

【0062】表示領域2aを複数の微少領域の集合であ
ると考えると、上記構成にすることによって、図8、9
の断面図に示すように、表示電極2と対向配線1との間
の電界強度は、表示領域2a内の微小領域の位置に依存
して、変化することになる。従って、異なった位置にあ
る微小領域においては、液晶分子の旋回角度が変化し、
このことが複屈折位相差の値にも影響を及ぼして、液晶
層を伝搬する円偏光の偏光面の傾きが異なることにな
る。従って、表示領域2aの液晶層中において、位置に
依存して各々違った位相差、又は偏光面を持つ光が伝搬
することになり、このことにより視角特性が大幅に改善
される。
Assuming that the display area 2a is a set of a plurality of small areas, the above-described structure allows
As shown in the cross-sectional view, the electric field strength between the display electrode 2 and the opposing wiring 1 changes depending on the position of the minute area in the display area 2a. Therefore, in the micro regions at different positions, the rotation angle of the liquid crystal molecules changes,
This also affects the value of the birefringence phase difference, so that the inclination of the polarization plane of the circularly polarized light propagating through the liquid crystal layer differs. Accordingly, in the liquid crystal layer of the display area 2a, light having different phase differences or polarization planes propagates depending on the position, thereby greatly improving the viewing angle characteristics.

【0063】(実施形態5)図10(a)は、本発明の
実施形態5の液晶表示装置を示す平面図である。
(Embodiment 5) FIG. 10A is a plan view showing a liquid crystal display device according to Embodiment 5 of the present invention.

【0064】図10(a)において、共通配線25を、
TFT22に接続されたゲート信号配線3に近隣に配置
している点が、他の実施形態と異なっている。
In FIG. 10A, the common wiring 25 is
It is different from the other embodiments in that it is arranged near the gate signal wiring 3 connected to the TFT 22.

【0065】このような構成を採用することにより、表
示領域2aの中央部における液晶分子の配向乱れの発生
を抑制できる。即ち、配向乱れ領域は、表示領域2aの
周辺部に限られることから、表示領域全体でみると表示
品位が大幅に向上ことになる。また、周辺部の配向の乱
れている部分のみをブラックマスクで覆うことによって
も、より高品質の表示を得ることもできる。
By adopting such a configuration, it is possible to suppress the occurrence of the disorder of the alignment of the liquid crystal molecules in the central portion of the display area 2a. That is, since the alignment disorder region is limited to the peripheral portion of the display region 2a, the display quality is greatly improved in the entire display region. In addition, a higher quality display can also be obtained by covering only the peripheral portion where the orientation is disordered with a black mask.

【0066】(実施形態6)図10(b)は、本発明の
実施形態6の液晶表示装置を示す平面図である。
(Embodiment 6) FIG. 10B is a plan view showing a liquid crystal display device according to Embodiment 6 of the present invention.

【0067】図10(b)によると、共通配線25に対
して対向配線lが層間絶縁膜9に設けられたコンタクト
ホール7を介して直接、接続され、また、表示電極2も
同様に層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール7を
介してTFT22に直接、接続されたものである。
According to FIG. 10B, the counter wiring 1 is directly connected to the common wiring 25 via the contact hole 7 provided in the interlayer insulating film 9, and the display electrode 2 is similarly connected to the common wiring 25. It is directly connected to the TFT 22 via the contact hole 7 provided in the film 9.

【0068】このような構成を採用することにより、層
間絶縁膜9を介してドレイン電極側で保持容量を形成す
る場合にくらべて、表示領域2a内に透明導電性膜から
形成される接続電極6を配置する必要がなくなり、透過
光の透過率が大幅に向上して、コントラストおよび輝度
の向上を図ることができるようになる。また、このよう
な構成によると、接続配線6の配線抵抗によるデータ信
号の遅延という問題も解消することができる。
By employing such a structure, the connection electrode 6 formed of a transparent conductive film in the display region 2a is different from the case where a storage capacitor is formed on the drain electrode side via the interlayer insulating film 9. Need not be disposed, the transmittance of transmitted light is greatly improved, and the contrast and brightness can be improved. According to such a configuration, the problem of data signal delay due to the wiring resistance of the connection wiring 6 can be solved.

【0069】(実施形態7)図10(c)は、本発明の
実施形態7の液晶表示装置を示す平面図である。
(Embodiment 7) FIG. 10C is a plan view showing a liquid crystal display device according to Embodiment 7 of the present invention.

【0070】図10(c)によると、実施形態7と同様
に対向配線1が直接共通配線25に接続されたおり、対
向配線1が表示領域2aを駆動させる液晶駆動用の各表
示電極2間の中間位置にくるように配設されたものであ
る。
According to FIG. 10C, the counter wiring 1 is directly connected to the common wiring 25 as in the seventh embodiment, and the counter wiring 1 is connected between the liquid crystal driving display electrodes 2 for driving the display area 2a. It is arranged so that it may be located in the middle position.

【0071】このような構成を採用することにより、表
示電極2と対向配線1の間に生じる寄生容量の発生を防
止することになるので、信号波形のダレや歪みを抑える
ことができる。また、図10(d)は、実施形態7の特
徴と実施形態5の特徴を組み合わせた構成となってい
る。
By adopting such a configuration, it is possible to prevent the occurrence of a parasitic capacitance generated between the display electrode 2 and the counter wiring 1, so that it is possible to suppress the sagging and distortion of the signal waveform. FIG. 10D shows a configuration in which the features of the seventh embodiment and the features of the fifth embodiment are combined.

【0072】なお、本実施形態では、対向電極1を帯状
の電極であるように図示しているが、この対向電極1お
よび表示電極2は、くし歯形状でも良い。即ち、対向電
極1と表示電極2との電極間距離を一定にして、互いに
かみ合わせた形状でも良い。
In the present embodiment, the counter electrode 1 is shown as a band-shaped electrode, but the counter electrode 1 and the display electrode 2 may have a comb shape. That is, the interelectrode distance between the opposing electrode 1 and the display electrode 2 may be constant, and the opposing electrode 1 and the display electrode 2 may be engaged with each other.

【0073】なお、本発明の液晶表示装置の駆動信号
は、TNモードの液晶表示装置と同じ駆動信号でも良
く、印加電圧は、液晶材料、セル構造(例えば、表示電
極1と対向電極2間の距離)によって適切に選択され
る。また、共通配線は、一定電位であっても良い。ま
た、本発明の液晶表示装置では、接続電極6aと共通配
線間25aで付加容量を形成したが、液晶材料によって
電圧を保持できる場合には、共通配線25aはなくても
良い。更に、ゲート信号配線3上に絶縁膜を形成するこ
とによって、付加容量を設けても良い。
The drive signal of the liquid crystal display device of the present invention may be the same drive signal as that of the TN mode liquid crystal display device, and the applied voltage depends on the liquid crystal material and the cell structure (for example, between the display electrode 1 and the counter electrode 2). Distance). Further, the common wiring may have a constant potential. Further, in the liquid crystal display device of the present invention, the additional capacitance is formed between the connection electrode 6a and the common wiring 25a, but the common wiring 25a may not be provided if the voltage can be held by the liquid crystal material. Further, an additional capacitance may be provided by forming an insulating film on the gate signal wiring 3.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上の実施形態によれば、以下のような
作用・効果を得ることができる。
According to the above embodiment, the following operations and effects can be obtained.

【0075】1.表示電極2が層間絶縁膜9を介して隣
接するソース信号配線4上に重畳するように形成される
ことにより、配線による透過光の遮光を防止することが
できるため、開口率を向上を図ることができ、高コント
ラスト・高輝度化を達成する。
1. Since the display electrode 2 is formed so as to overlap with the adjacent source signal wiring 4 via the interlayer insulating film 9, it is possible to prevent the transmission light from being blocked by the wiring, thereby improving the aperture ratio. To achieve high contrast and high brightness.

【0076】2.比誘電率が小さく、しかも厚膜の層間
絶縁膜9によって、下層のゲート信号配線3、およびソ
ース信号配線4、共通配線25とが絶縁されるため、浮
遊容量の発生を抑制する。これにより、液晶の駆動容量
の変動を防止することができるので、ダレや歪みの少な
いデータ信号を正確に液晶層に伝達することができの
で、高コントラスト表示を可能になる。
2. Since the relative dielectric constant is small, and the gate signal wiring 3, the source signal wiring 4, and the common wiring 25 in the lower layer are insulated by the thick interlayer insulating film 9, generation of stray capacitance is suppressed. As a result, fluctuations in the driving capacity of the liquid crystal can be prevented, and a data signal with little sagging or distortion can be accurately transmitted to the liquid crystal layer, so that high-contrast display is possible.

【0077】3.表示電極2、及び対向配線1を同一材
で同一マスクで形成することにより、2つの電極間の距
離を正確に形成することが可能となり、製造コスト、及
び歩留まりを向上させる。
3. By forming the display electrode 2 and the counter wiring 1 using the same material and the same mask, the distance between the two electrodes can be accurately formed, thereby improving the manufacturing cost and the yield.

【0078】4.対向配線1をストライプ状に対向基板
27側に配置することにより、対向配線1と周辺の配線
間に生じる寄生容量の発生防止することにより、対向信
号の遅延に起因する表示品質の低下を防止する。
4. By arranging the opposing wiring 1 in a stripe shape on the opposing substrate 27 side, it is possible to prevent the occurrence of a parasitic capacitance generated between the opposing wiring 1 and a peripheral wiring, thereby preventing a deterioration in display quality due to a delay of the opposing signal. .

【0079】5.対配配線1をストライプ状に対向基板
27側に配置し、且つ表示電極2の長手方向に対して、
対向配線1の長手方向を一定の角度をもたせることによ
り、表示電極2と対向電極1間に生じる電界強度を一つ
の表示領域2a内の位置に依存して異ならせることによ
り、広視野角の表示を可能にする。
5. The paired wirings 1 are arranged in a stripe shape on the counter substrate 27 side, and are arranged in the longitudinal direction of the display electrode 2.
By giving a certain angle to the longitudinal direction of the opposing wiring 1, the electric field intensity generated between the display electrode 2 and the opposing electrode 1 is made different depending on the position in one display area 2a, thereby displaying a wide viewing angle. Enable.

【0080】6.対向配線1を共通配線25に直接接続
することにより、TFTに接続された接続配線6をなく
すことにより、配線抵抗の影響によるデータ信号の遅延
を防止と透過光の透過率向上を図ることができる。
6. By directly connecting the opposing wiring 1 to the common wiring 25, the connection wiring 6 connected to the TFT is eliminated, so that a data signal delay due to the influence of wiring resistance can be prevented and the transmittance of transmitted light can be improved. .

【0081】7.対向配線1を、対向配線1を挟む2つ
の表示電極2の中間位置に配置することにより、対向配
線1と表示電極2の間の寄生容量の発生を防止すること
により、寄生容量の発生の抑制とオフ電流の発生の防止
を図ることができる。
7. By disposing the opposing wiring 1 at an intermediate position between the two display electrodes 2 sandwiching the opposing wiring 1, it is possible to prevent occurrence of a parasitic capacitance between the opposing wiring 1 and the display electrode 2, thereby suppressing generation of the parasitic capacitance. Thus, generation of off current can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1の液晶表示装置の構成を示
す平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の液晶表示装置のB−B’断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the liquid crystal display device taken along the line B-B 'of FIG.

【図3】図1の液晶表示装置のA−A’断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 1 taken along line A-A ';

【図4】本発明の実施形態2の液晶表示装置を示す平面
図である。
FIG. 4 is a plan view illustrating a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4の液晶表示装置のB−B’断面図である。5 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 4, taken along line B-B '.

【図6】図4の液晶表示装置のA−A’断面図である。6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 4 taken along line A-A '.

【図7】本発明の実施形態5の液晶表示装置の構成を示
す平面図である。
FIG. 7 is a plan view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】図7の液晶表示装置のB−B’断面図である。8 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 7 taken along line B-B '.

【図9】図7の液晶表示装置のA−A’断面図である。9 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 7 taken along line A-A '.

【図10】(a)は、本発明の実施形態5の液晶表示装
置の構成を示す平面図である。(b)は、本発明の実施
形態6の液晶表示装置の構成を示す平面図である。
(c)は、本発明の実施形態7の液晶表示装置の構成を
示す平面図である。(d)は、本発明の実施形態7の液
晶表示装置の別の構成を示す平面図である。
FIG. 10A is a plan view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention. (B) is a plan view showing the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 6 of the present invention.
(C) is a plan view showing the configuration of the liquid crystal display device of Embodiment 7 of the present invention. (D) is a top view which shows another structure of the liquid crystal display device of Embodiment 7 of this invention.

【図11】(a)および(b)は、従来の液晶表示装置
の構成を示す平面図である。
FIGS. 11A and 11B are plan views showing a configuration of a conventional liquid crystal display device.

【図12】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 対向配線 2 表示電極 2a 表示領域 2b 表示電極引き出し部 3 ゲート信号配線 4 ソース信号配線 5 ゲート電極 6 接続電極 7 コンタクトホール 8b’、8b 金属層 9 層間絶縁膜 10a、10a’ 透明導電膜 11 ソース電極 12 ドレイン電極 13 チャネル保護層 14 半導体層 15 ゲート絶縁膜 16 下側配向膜 17 上側配向膜 18、19 偏光板 20 下側透明絶縁性基板 21 上側透明絶縁性基板 22 TFT 23 液晶分子 24 液晶層 25 共通配線 27 対向基板 28 アクティブマトリックス基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Counter wiring 2 Display electrode 2a Display area 2b Display electrode lead-out part 3 Gate signal wiring 4 Source signal wiring 5 Gate electrode 6 Connection electrode 7 Contact hole 8b ', 8b Metal layer 9 Interlayer insulating film 10a, 10a' Transparent conductive film 11 Source Electrode 12 Drain electrode 13 Channel protective layer 14 Semiconductor layer 15 Gate insulating film 16 Lower alignment film 17 Upper alignment film 18, 19 Polarizer 20 Lower transparent insulating substrate 21 Upper transparent insulating substrate 22 TFT 23 Liquid crystal molecules 24 Liquid crystal layer 25 common wiring 27 counter substrate 28 active matrix substrate

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板と、該基板上に設けられたゲート信
号配線およびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設け
られたソース信号配線と、該ゲート信号配線と該ソース
信号配線との各交差部に形成された薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続されたドレイン電極と、
該ドレイン電極に接続された接続電極と、該接続電極の
一部と該ゲート絶縁膜を介して保持容量を形成するため
の共通配線と、該ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁
膜と、該層間絶縁膜上に設けられた液晶駆動用表示電極
および対向電極と、を有するアクティブマトリクス基板
と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板
と、該アクティブマトリクス基板と該対向基板に狭持さ
れた液晶層と、を備えた液晶表示装置であって、 該表示電極が表示領域内の第1の方向に伸びており、該
対向電極および該ソース信号配線が該表示領域内の該第
1の方向に伸び、かつ、複数の該表示領域にまたがって
いる液晶表示装置。
A substrate; a gate signal line and a gate insulating film provided on the substrate; a source signal line provided on the gate insulating film; and a gate signal line and the source signal line. A thin film transistor formed at the intersection, a drain electrode connected to the thin film transistor,
A connection electrode connected to the drain electrode, a common wiring for forming a storage capacitor via a part of the connection electrode and the gate insulating film, and an interlayer insulating film formed on the gate insulating film; An active matrix substrate having a liquid crystal driving display electrode and a counter electrode provided on the interlayer insulating film, a counter substrate facing the active matrix substrate, and sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate; And a liquid crystal layer, wherein the display electrode extends in a first direction in the display area, and the counter electrode and the source signal wiring are in the first direction in the display area. elongation, and liquid crystal display devices over a plurality of the display area.
【請求項2】 少なくとも前記表示電極または前記対向
電極のいずれか一方が、前記ソース信号配線と重畳する
ように形成される請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the display electrode and the counter electrode is formed so as to overlap with the source signal wiring.
【請求項3】 少なくとも前記表示電極または前記対向
電極のいずれか一方が、前記ゲート信号配線と重畳する
ように形成される請求項1に記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the display electrode and the counter electrode is formed so as to overlap the gate signal line.
【請求項4】 基板と、該基板上に設けられたゲート信
号配線およびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設け
られたソース信号配線と、該ゲート信号配線と該ソース
信号配線との各交差部に形成された薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続されたドレイン電極と、
該ドレイン電極に接続された接続電極と、該接続電極の
一部と該ゲート絶縁膜を介して保持容量を形成するため
の共通配線と、該ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁
膜と、該層間絶縁膜上に設けられた液晶駆動用表示電極
および対向電極と、を有するアクティブマトリクス基板
と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板
と、該アクティブマトリクス基板と該対向基板に狭持さ
れた液晶層と、を備えた液晶表示装置であって、 該対向電極が、該共通配線と該層間絶縁層に設けられた
コンタクトホールを介して直接接続される液晶表示装
置。
4. A substrate, a gate signal wiring and a gate insulating film provided on the substrate, a source signal wiring provided on the gate insulating film, and each of the gate signal wiring and the source signal wiring. A thin film transistor formed at the intersection, a drain electrode connected to the thin film transistor,
A connection electrode connected to the drain electrode, a common wiring for forming a storage capacitor via a part of the connection electrode and the gate insulating film, and an interlayer insulating film formed on the gate insulating film; An active matrix substrate having a liquid crystal driving display electrode and a counter electrode provided on the interlayer insulating film, a counter substrate facing the active matrix substrate, and sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate; A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal layer, wherein the counter electrode is directly connected to the common line via a contact hole provided in the interlayer insulating layer.
【請求項5】 基板と、該基板上に設けられたゲート信
号配線およびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設け
られたソース信号配線と、該ゲート信号配線と該ソース
信号配線との各交差部に形成された薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続されたドレイン電極と、
該ドレイン電極に接続された接続電極と、該接続電極の
一部と該ゲート絶縁膜を介して保持容量を形成するため
の共通配線と、該ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁
膜と、該層間絶縁膜上に設けられた液晶駆動用表示電極
、を有するアクティブマトリクス基板と、該アクティ
ブマトリクス基板に対向し、液晶駆動用対向電極を表示
領域のほぼ中央部に有する対向基板と、該アクティブマ
トリクス基板と該対向基板に狭持された液晶層と、を備
えた液晶表示装置。
5. A substrate, a gate signal line and a gate insulating film provided on the substrate, a source signal line provided on the gate insulating film, and each of the gate signal line and the source signal line. A thin film transistor formed at the intersection, a drain electrode connected to the thin film transistor,
A connection electrode connected to the drain electrode, a common wiring for forming a storage capacitor via a part of the connection electrode and the gate insulating film, and an interlayer insulating film formed on the gate insulating film; An active matrix substrate having a liquid crystal driving display electrode provided on the interlayer insulating film; and a liquid crystal driving counter electrode facing the active matrix substrate.
A liquid crystal display device comprising: a counter substrate substantially at the center of a region; a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate.
【請求項6】 前記表示電極が前記ソース信号配線また
は前記ゲート信号配線と重畳するように形成される請求
項5に記載の液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the display electrode is formed so as to overlap with the source signal wiring or the gate signal wiring.
【請求項7】 前記表示電極の長手方向に対して、前記
対向電極の長手方向が一定の角度をもっている請求項5
または請求項6に記載の液晶表示装置。
7. The device according to claim 5, wherein the longitudinal direction of the counter electrode has a constant angle with respect to the longitudinal direction of the display electrode.
Or the liquid crystal display device according to claim 6.
【請求項8】 前記層間絶縁層の厚さが1.0〜10.
0μmである請求項1〜7に記載の液晶表示装置。
8. The method according to claim 1, wherein said interlayer insulating layer has a thickness of 1.0 to 10.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the thickness is 0 μm.
【請求項9】 前記層間絶縁層の誘電率の値が1.5〜
3.5である請求項1〜8に記載の液晶表示装置。
9. The dielectric constant of said interlayer insulating layer is 1.5 to 1.5.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the ratio is 3.5.
【請求項10】 前記層間絶縁膜の材質が有機系の樹脂
である請求項1〜9に記載の液晶表示装置。
10. The liquid crystal display device according to claim 1 , wherein the material of the interlayer insulating film is an organic resin.
【請求項11】 表示領域の液晶層分子が基板面に対し
てほぼ水平な方向に回転駆動することによって、画像表
示を行う請求項1〜10に記載の液晶表示装置。
11. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an image is displayed by driving the liquid crystal layer molecules in the display region to rotate in a direction substantially horizontal to the substrate surface.
【請求項12】 液晶表示装置を製造する方法であっ
て、 基板上にゲート電極を形成するとともに、接続電極とゲ
ート絶縁層を介して保持容量を形成するための共通配線
を形成する工程と、 該基板上に、該ゲート電極および該共通配線を覆うよう
にゲート絶縁層を形成する工程と、 該ゲート絶縁層上に、ソース信号配線および接続電極を
パターン形成する工程と、 該ゲート信号配線と該ソース信号配線との交差部に薄膜
トランジスタを形成する工程と、 該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該接続電
極、該ソース信号配線、該ゲート信号配線を覆うように
層間絶縁膜を形成する工程と、 該層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を
形成する工程と、 該層間絶縁膜の一部を貫通するコンタクトホールによっ
て該接続電極を介して、該薄膜トランジスタに接続され
るドレイン電極と該表示電極とを接続する工程と、を包
含する方法。
12. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a gate electrode on a substrate;
Forming a common wiring for forming a storage capacitor via a gate insulating layer; forming a gate insulating layer on the substrate so as to cover the gate electrode and the common wiring; Forming a source signal wiring and a connection electrode on the layer; forming a thin film transistor at an intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring; and forming the thin film transistor and the connection on the gate insulating layer. Forming an interlayer insulating film so as to cover the electrode, the source signal wiring, and the gate signal wiring ; forming a liquid crystal driving display electrode and a counter electrode on the interlayer insulating film; Connecting the drain electrode connected to the thin film transistor and the display electrode via the connection electrode by a contact hole penetrating a part of the insulating film.
【請求項13】 液晶表示装置を製造する方法であっ
て、 基板上にゲート電極を形成するとともに、接続電極とゲ
ート絶縁層を介して保持容量を形成するための共通配線
を形成する工程と、 該基板上に、該ゲート電極および該共通配線を覆うよう
にゲート絶縁層を形成する工程と、 該ゲート絶縁層上に、ソース信号配線および接続電極を
パターン形成する工程と、 該ゲート信号配線と該ソース信号配線との交差部に薄膜
トランジスタを形成する工程と、 該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該接続電
極、該ソース信号配線、該ゲート信号配線を覆うように
層間絶縁膜を形成する工程と、 該層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極を形成する工程
と、 該層間絶縁膜の一部を貫通するコンタクトホールによっ
て該接続電極を介して、該薄膜トランジスタに接続され
るドレイン電極と該表示電極とを接続する工程と、 液晶層を介して該表示電極に対向する対向電極を表示領
域のほぼ中央部に形成する工程と、を包含する方法。
13. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a gate electrode on a substrate;
Forming a common wiring for forming a storage capacitor via a gate insulating layer; forming a gate insulating layer on the substrate so as to cover the gate electrode and the common wiring; Forming a source signal wiring and a connection electrode on the layer; forming a thin film transistor at an intersection of the gate signal wiring and the source signal wiring; and forming the thin film transistor and the connection on the gate insulating layer. Forming an interlayer insulating film so as to cover the electrode, the source signal wiring, and the gate signal wiring ; forming a liquid crystal driving display electrode on the interlayer insulating film; Connecting a drain electrode connected to the thin film transistor and the display electrode via the connection electrode by a contact hole penetrating a part thereof; and opposing the display electrode via a liquid crystal layer. The counter electrode display territory that
Forming the region substantially at the center of the region .
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