JPH09227863A - 安定剤混合物およびそれらをポリカーボネート類で用いる使用 - Google Patents
安定剤混合物およびそれらをポリカーボネート類で用いる使用Info
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- JPH09227863A JPH09227863A JP9039757A JP3975797A JPH09227863A JP H09227863 A JPH09227863 A JP H09227863A JP 9039757 A JP9039757 A JP 9039757A JP 3975797 A JP3975797 A JP 3975797A JP H09227863 A JPH09227863 A JP H09227863A
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- Anti-Oxidant Or Stabilizer Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定剤混合物およびそれらをポリカーボネー
ト類で用いる使用。 【解決手段】 本発明は、ホスフィン類とケイ素化合物
を含有しそしてケイ素を含まないオキセタン化合物およ
び／またはケイ素を含まないエポキシド化合物を任意に
含有する安定剤混合物を提供し、そしてそれらを熱可塑
性芳香族ポリカーボネート類の安定化で用いることを提
供する。
ト類で用いる使用。 【解決手段】 本発明は、ホスフィン類とケイ素化合物
を含有しそしてケイ素を含まないオキセタン化合物およ
び／またはケイ素を含まないエポキシド化合物を任意に
含有する安定剤混合物を提供し、そしてそれらを熱可塑
性芳香族ポリカーボネート類の安定化で用いることを提
供する。
Description
【０００１】本発明は、 Ａ）式（Ｉ）
【０００２】
【化４】
【０００３】［式中、Ｒは、未置換もしくは置換Ｃ6−
Ｃ14−アリール基であり、そしてＲ1は、下記の基（Ｉ
ａ）から（Ｉｈ）
Ｃ14−アリール基であり、そしてＲ1は、下記の基（Ｉ
ａ）から（Ｉｈ）
【０００４】
【化５】
【０００５】（ここで、Ｒは、式（Ｉ）で示した意味を
有し、「ｎ」および「ｍ」は、各場合とも互いに独立し
て、１から７の整数であり、そして基（Ｉａ）から（Ｉ
ｃ）のＨ原子は、また、
有し、「ｎ」および「ｍ」は、各場合とも互いに独立し
て、１から７の整数であり、そして基（Ｉａ）から（Ｉ
ｃ）のＨ原子は、また、
【０００６】
【化６】
【０００７】で置換されていてもよい）の１つであり、
また、Ｒ1は、式（Ｉ）中のＲ両方が４−フェニル−フ
ェニルまたはα−ナフチルである場合、各場合とも４−
フェニル−フェニルまたはα−ナフチルであってもよ
く、ここでまた、４−フェニル−フェニルまたはα−ナ
フチル基は置換されていてもよい］で表されるホスフィ
ン類、および Ｂ）式（ＩＩ） R2 a−Si(OR3)b (II) ［式中、ａ＋ｂ＝４、ｂは少なくとも１、好適には３ま
たは４であり、Ｒ2は、Ｈ、Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2
−Ｃ18−アルケニル、Ｃ6−Ｃ24−アリール、Ｃ7−Ｃ24
−アルキルアリールまたはＣ7−Ｃ24−アラルキルであ
り、そしてＲ3は、Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2−Ｃ18−
アルケニル、Ｃ5−Ｃ10−シクロアルキルまたはＣ7−Ｃ
24−アラルキルである］で表されるケイ素化合物を含ん
でいて（Ａ）対（Ｂ）のモル比が０．０１から３．５、
好適には０．１から１．５の範囲である混合物を提供す
る。
また、Ｒ1は、式（Ｉ）中のＲ両方が４−フェニル−フ
ェニルまたはα−ナフチルである場合、各場合とも４−
フェニル−フェニルまたはα−ナフチルであってもよ
く、ここでまた、４−フェニル−フェニルまたはα−ナ
フチル基は置換されていてもよい］で表されるホスフィ
ン類、および Ｂ）式（ＩＩ） R2 a−Si(OR3)b (II) ［式中、ａ＋ｂ＝４、ｂは少なくとも１、好適には３ま
たは４であり、Ｒ2は、Ｈ、Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2
−Ｃ18−アルケニル、Ｃ6−Ｃ24−アリール、Ｃ7−Ｃ24
−アルキルアリールまたはＣ7−Ｃ24−アラルキルであ
り、そしてＲ3は、Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2−Ｃ18−
アルケニル、Ｃ5−Ｃ10−シクロアルキルまたはＣ7−Ｃ
24−アラルキルである］で表されるケイ素化合物を含ん
でいて（Ａ）対（Ｂ）のモル比が０．０１から３．５、
好適には０．１から１．５の範囲である混合物を提供す
る。
【０００８】本発明に従う混合物は、熱可塑性ポリカー
ボネート類を安定化するに適切である。
ボネート類を安定化するに適切である。
【０００９】従って、本発明はまた本発明に従う混合物
を熱可塑性芳香族ポリカーボネート類の安定化で用いる
ことも提供する。
を熱可塑性芳香族ポリカーボネート類の安定化で用いる
ことも提供する。
【００１０】ホスフィン類とケイ素化合物の混合物は公
知である［例えばヨーロッパ特許第４３ ９８８号（Ｌ
ｅＡ ２０ ４３０）および／または米国特許第Ｒｅ
３２０４６号およびドイツ特許出願公開第ＯＳ ３３
３２ ０６５号（ＬｅＡ２２ ５８８）を参照］。
知である［例えばヨーロッパ特許第４３ ９８８号（Ｌ
ｅＡ ２０ ４３０）および／または米国特許第Ｒｅ
３２０４６号およびドイツ特許出願公開第ＯＳ ３３
３２ ０６５号（ＬｅＡ２２ ５８８）を参照］。
【００１１】しかしながら、そのような混合物は、燐含
有量が高い結果として長期老化過程中に酸化された燐化
合物が多量に生じそしてこのような化合物が最終的にポ
リカーボネート類の色に否定的な影響を与えると言った
欠点を有する。
有量が高い結果として長期老化過程中に酸化された燐化
合物が多量に生じそしてこのような化合物が最終的にポ
リカーボネート類の色に否定的な影響を与えると言った
欠点を有する。
【００１２】それとは対照的に、本発明に従う混合物
は、燐含有量が低くまた酸化された燐構造物の量も低い
ままであると同時に従来技術に比較して向上した効果を
達成すると言った利点を有する。
は、燐含有量が低くまた酸化された燐構造物の量も低い
ままであると同時に従来技術に比較して向上した効果を
達成すると言った利点を有する。
【００１３】ポリカーボネート類にホスフィン類（Ｉ）
を添加することは従来技術のドイツ特許出願Ｐ ４４
４５ ７８６．３（ＬｅＡ ３０ ７６７）（２１．１
２．１９９４）に記述されている。
を添加することは従来技術のドイツ特許出願Ｐ ４４
４５ ７８６．３（ＬｅＡ ３０ ７６７）（２１．１
２．１９９４）に記述されている。
【００１４】（Ｉ）において、成分Ａ中の好適なＲ基は
フェニル、４−フェニル−フェニルおよびナフチルであ
る。
フェニル、４−フェニル−フェニルおよびナフチルであ
る。
【００１５】（Ｉ）において、アリール基Ｒの適切な置
換基は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＣＨ3、ＣＮ、Ｃ1−Ｃ
5−アルキルカルボキシ、フェニル、シクロアルキルお
よびＣ1−Ｃ5−アルキルである。
換基は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＣＨ3、ＣＮ、Ｃ1−Ｃ
5−アルキルカルボキシ、フェニル、シクロアルキルお
よびＣ1−Ｃ5−アルキルである。
【００１６】４−フェニル−フェニルおよびα−ナフチ
ル基に適切な置換基は、Ｆ、Ｃｌ、ＣＨ3、Ｃ2−Ｃ5−
アルキル、シクロヘキシルおよびアリールである。
ル基に適切な置換基は、Ｆ、Ｃｌ、ＣＨ3、Ｃ2−Ｃ5−
アルキル、シクロヘキシルおよびアリールである。
【００１７】好適な数「ｎ」および「ｍ」は１、２、３
または４である。
または４である。
【００１８】本発明に従って用いる式（Ｉ）で表される
ホスフィン類の例は下記である：１，２−ビス−（ジ−
ペンタフルオロフェニル−ホスフィノ）−エタン、ビス
−（ジフェニル−ホスフィノ）−アセチレン、１，２−
ビス−（ジフェニルホスフィノ）−ベンゼン、
ホスフィン類の例は下記である：１，２−ビス−（ジ−
ペンタフルオロフェニル−ホスフィノ）−エタン、ビス
−（ジフェニル−ホスフィノ）−アセチレン、１，２−
ビス−（ジフェニルホスフィノ）−ベンゼン、
【００１９】
【化７】
【００２０】［２，２’−ビス−（ジフェニルホスフィ
ノ）−１，１’−ビナフチル］、２，３−ビス−（ジフ
ェニルホスフィノ）−ブタン、１，４−ビス−（ジフェ
ニルホスフィノ）−ブタン、１，２−ビス−（ジフェニ
ルホスフィノ）−エタン、シス−１，２−ビス−（ジフ
ェニルホスフィノ）−エチレン、
ノ）−１，１’−ビナフチル］、２，３−ビス−（ジフ
ェニルホスフィノ）−ブタン、１，４−ビス−（ジフェ
ニルホスフィノ）−ブタン、１，２−ビス−（ジフェニ
ルホスフィノ）−エタン、シス−１，２−ビス−（ジフ
ェニルホスフィノ）−エチレン、
【００２１】
【化８】
【００２２】［ビス−（２−ジフェニルホスフィノ）−
エチル）−フェニルホスフィン］ ビス−（ジフェニルホスフィノ）−メタン、２，４−
（ジフェニルホスフィノ）−ペンタン、１−３−ビス−
（ジフェニルホスフィノ）−プロパン、１，２−ビス−
（ジフェニルホスフィノ）−プロパン、
エチル）−フェニルホスフィン］ ビス−（ジフェニルホスフィノ）−メタン、２，４−
（ジフェニルホスフィノ）−ペンタン、１−３−ビス−
（ジフェニルホスフィノ）−プロパン、１，２−ビス−
（ジフェニルホスフィノ）−プロパン、
【００２３】
【化９】
【００２４】［４，５−Ｏ−イソプロピリジン−２，３
−ジヒドロキシ−１，４−ビス−（ジフェニルホスフィ
ノ）−ブタン］ トリ−（４−ジフェニル）−ホスフィン、トリス−（α
−ナフチル）−ホスフィン、および１，１，１−トリス
−（ジフェニルホスフィノ−メチル）エタン。
−ジヒドロキシ−１，４−ビス−（ジフェニルホスフィ
ノ）−ブタン］ トリ−（４−ジフェニル）−ホスフィン、トリス−（α
−ナフチル）−ホスフィン、および１，１，１−トリス
−（ジフェニルホスフィノ−メチル）エタン。
【００２５】式（Ｉ）で表される化合物は文献で公知で
あるか或は下記の参照文献に従って製造可能である：Is
sleib他.，Chem．Ber．92(1959)，3175，3179およびHar
tmann他.，Ｚeitschr.Anorg. Ch. 287(1956), 261, 26
4.式（ＩＩ）で表されるケイ素化合物において、アルキ
ルおよび／またはアルケニル基は線状または分枝してい
てもよくそしてオキシランまたはオキセタン基を含んで
いてもよい。
あるか或は下記の参照文献に従って製造可能である：Is
sleib他.，Chem．Ber．92(1959)，3175，3179およびHar
tmann他.，Ｚeitschr.Anorg. Ch. 287(1956), 261, 26
4.式（ＩＩ）で表されるケイ素化合物において、アルキ
ルおよび／またはアルケニル基は線状または分枝してい
てもよくそしてオキシランまたはオキセタン基を含んで
いてもよい。
【００２６】Ｃ−基であるＲ2およびＲ3は、ポリカーボ
ネート類の熱可塑的加工中に熱的に安定で不活性であっ
て塩基性でない如何なる置換基を含んでいてもよく、例
えばハロゲン原子、例えば塩素または臭素など、Ｃ1−
Ｃ18−アルコキシ基、Ｃ6−Ｃ24−アリールオキシ基、
複素環式基（酸素、硫黄および／または塩基性でない窒
素原子を有する）、ケト基、エステル基、ニトリル基、
エーテル基および／またはチオエーテル基などを含んで
いてもよい。
ネート類の熱可塑的加工中に熱的に安定で不活性であっ
て塩基性でない如何なる置換基を含んでいてもよく、例
えばハロゲン原子、例えば塩素または臭素など、Ｃ1−
Ｃ18−アルコキシ基、Ｃ6−Ｃ24−アリールオキシ基、
複素環式基（酸素、硫黄および／または塩基性でない窒
素原子を有する）、ケト基、エステル基、ニトリル基、
エーテル基および／またはチオエーテル基などを含んで
いてもよい。
【００２７】好適なＲ2基の例はメチル、エチル、ビニ
ル、プロピル、３−クロロプロピル、３−メタアクリル
オキシプロピル、３−グリシジルオキシプロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシルおよびフェニ
ルである。
ル、プロピル、３−クロロプロピル、３−メタアクリル
オキシプロピル、３−グリシジルオキシプロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシルおよびフェニ
ルである。
【００２８】好適なＲ3基の例はブチル、ペンチル、ヘ
キシル、オクチル、ステアリル、デシル、シクロヘキシ
ル、メチル−シクロヘキシル、（３−メチルオキセタニ
ル−３）−メチル、（３−エチルオキセタニル−３）−
メチル、（３−アミルオキセタニル−３）−メチル、２
−メトキシ−エチル、３−メトキシ−プロピル、３−メ
トキシ−プロピ−２−イル、３−エトキシ−プロピ−２
−イル、３−エトキシ−プロピル、３−（チオメチル）
−プロピル、（５−エチル−１，３−ジオキサニル−
５）−メチルおよび２，３−エポキシ−プロピルであ
る。
キシル、オクチル、ステアリル、デシル、シクロヘキシ
ル、メチル−シクロヘキシル、（３−メチルオキセタニ
ル−３）−メチル、（３−エチルオキセタニル−３）−
メチル、（３−アミルオキセタニル−３）−メチル、２
−メトキシ−エチル、３−メトキシ−プロピル、３−メ
トキシ−プロピ−２−イル、３−エトキシ−プロピ−２
−イル、３−エトキシ−プロピル、３−（チオメチル）
−プロピル、（５−エチル−１，３−ジオキサニル−
５）−メチルおよび２，３−エポキシ−プロピルであ
る。
【００２９】このケイ素化合物（ＩＩ）は文献（例えば
ヨーロッパ特許出願公開第０ ５０７ １７８号（Ｌｅ
Ａ ２８ ２３２）参照）で公知であるか或は公知方法
に従って製造可能である（例えばD RidgeおよびM-Todd,
J. Chem. Soc. 1949, 2637-2640頁またはV Bavzant, V
Chvalovsky, J Rathousky: Organosilicon Compounds,
vol. 1, 51-61頁, Academic Press, New York 1965)．
参照）。
ヨーロッパ特許出願公開第０ ５０７ １７８号（Ｌｅ
Ａ ２８ ２３２）参照）で公知であるか或は公知方法
に従って製造可能である（例えばD RidgeおよびM-Todd,
J. Chem. Soc. 1949, 2637-2640頁またはV Bavzant, V
Chvalovsky, J Rathousky: Organosilicon Compounds,
vol. 1, 51-61頁, Academic Press, New York 1965)．
参照）。
【００３０】本発明に従って用いる式（ＩＩ）で表され
るケイ素化合物の例は下記である：テトラブトキシシラ
ン、テトラペントキシシラン、テトラヘキソキシシラ
ン、テトラオクトキシシラン、テトラデコキシシラン、
テトラステアロキシシラン、テトラ−シクロヘキソキシ
シラン、テトラキス−（メチル−シクロヘキソキシ）−
シラン、メチル−トリブトキシシラン、メチル−トリヘ
キソキシシラン、メチル−トリオクトキシシラン、メチ
ル−トリデコキシシラン、メチル−トリステアロキシシ
ラン、メチル−トリ−シクロヘキソキシシラン、メチル
−トリス−（メチル−シクロヘキソキシ）−シラン、ビ
ニル−トリブトキシシラン、ビニル−トリオクトキシシ
ラン、ビニル−トリヘキソキシシラン、ビニル−トリス
テアロキシシラン、ビニル−トリ−シクロヘキソキシシ
ラン、ビニル−トリス−（メチル−シクロヘキソキシ）
−シラン、トリブトキシシラン、トリヘキソキシシラ
ン、トリオクトキシシラン、トリデコキシシラン、テト
ラキス−（２−オキシエチル−エトキシ）−シラン、フ
ェニル−トリス−（３−メトキシ−２−プロポキシ）−
シラン、メチル−トリス−（２−オキシエチル−エトキ
シ）−シラン、ビニル−トリス−（２−オキシエチル−
エトキシ）−シラン、ビニル−トリス−（２−メトキシ
−エトキシ）−シラン、メチル−トリス−（２−メトキ
シ−エトキシ）−シラン、３−クロロプロピル−トリエ
トキシシラン、３−クロロプロピル−トリブトキシシラ
ン、３−クロロプロピル−トリヘキソキシシラン、３−
クロロプロピル−トリオクトキシシラン、３−グリシジ
ルプロポキシ−トリエトキシシラン、３−グリシジルプ
ロポキシ−トリブトキシシラン、３−グリシジルプロポ
キシ−トリヘキソキシシラン、３−グリシジルプロポキ
シ−トリオクトキシシラン、イソ−ブチル−トリブトキ
シシラン、イソ−ブチル−トリオクトキシシラン、テト
ラキス−（２−メトキシエトキシ）−シラン、３−メタ
アクリルオキシプロピル−トリメトキシシラン、テトラ
キス−［（３−メチルオキセタニル−３）−メトキシ］
−シラン、テトラキス−［（３−エチルオキセタニル−
３）−メトキシ］−シラン、テトラキス−［（３−アミ
ルオキセタニル−３）−メトキシ］−シラン、メチル−
トリス−［（３−メチルオキセタニル−３）−メトキ
シ］−シラン、メチル−トリス−［（３−エチルオキセ
タニル−３）−メトキシ］−シラン、ジメチル−ビス−
［（３−メチルオキセタニル−３）−メトキシ］−シラ
ン、ジメチル−ビス−［（３−エチルオキセタニル−
３）−メトキシ］−シラン、フェニル−トリス−［（３
−エチルオキセタニル−３）−メトキシ］−シラン、テ
トラキス−［（５−エチル−１，３−ジオキサニル−
５）−メトキシ］−シラン、メチル−トリス−［（５−
エチル−１，３−ジオキサニル−５）−メトキシ］−シ
ラン、テトラキス−（２，３−エポキシ−プロポキシ）
−シラン、およびメチル−トリス−（２，３−エポキシ
−プロポキシ）−シラン。
るケイ素化合物の例は下記である：テトラブトキシシラ
ン、テトラペントキシシラン、テトラヘキソキシシラ
ン、テトラオクトキシシラン、テトラデコキシシラン、
テトラステアロキシシラン、テトラ−シクロヘキソキシ
シラン、テトラキス−（メチル−シクロヘキソキシ）−
シラン、メチル−トリブトキシシラン、メチル−トリヘ
キソキシシラン、メチル−トリオクトキシシラン、メチ
ル−トリデコキシシラン、メチル−トリステアロキシシ
ラン、メチル−トリ−シクロヘキソキシシラン、メチル
−トリス−（メチル−シクロヘキソキシ）−シラン、ビ
ニル−トリブトキシシラン、ビニル−トリオクトキシシ
ラン、ビニル−トリヘキソキシシラン、ビニル−トリス
テアロキシシラン、ビニル−トリ−シクロヘキソキシシ
ラン、ビニル−トリス−（メチル−シクロヘキソキシ）
−シラン、トリブトキシシラン、トリヘキソキシシラ
ン、トリオクトキシシラン、トリデコキシシラン、テト
ラキス−（２−オキシエチル−エトキシ）−シラン、フ
ェニル−トリス−（３−メトキシ−２−プロポキシ）−
シラン、メチル−トリス−（２−オキシエチル−エトキ
シ）−シラン、ビニル−トリス−（２−オキシエチル−
エトキシ）−シラン、ビニル−トリス−（２−メトキシ
−エトキシ）−シラン、メチル−トリス−（２−メトキ
シ−エトキシ）−シラン、３−クロロプロピル−トリエ
トキシシラン、３−クロロプロピル−トリブトキシシラ
ン、３−クロロプロピル−トリヘキソキシシラン、３−
クロロプロピル−トリオクトキシシラン、３−グリシジ
ルプロポキシ−トリエトキシシラン、３−グリシジルプ
ロポキシ−トリブトキシシラン、３−グリシジルプロポ
キシ−トリヘキソキシシラン、３−グリシジルプロポキ
シ−トリオクトキシシラン、イソ−ブチル−トリブトキ
シシラン、イソ−ブチル−トリオクトキシシラン、テト
ラキス−（２−メトキシエトキシ）−シラン、３−メタ
アクリルオキシプロピル−トリメトキシシラン、テトラ
キス−［（３−メチルオキセタニル−３）−メトキシ］
−シラン、テトラキス−［（３−エチルオキセタニル−
３）−メトキシ］−シラン、テトラキス−［（３−アミ
ルオキセタニル−３）−メトキシ］−シラン、メチル−
トリス−［（３−メチルオキセタニル−３）−メトキ
シ］−シラン、メチル−トリス−［（３−エチルオキセ
タニル−３）−メトキシ］−シラン、ジメチル−ビス−
［（３−メチルオキセタニル−３）−メトキシ］−シラ
ン、ジメチル−ビス−［（３−エチルオキセタニル−
３）−メトキシ］−シラン、フェニル−トリス−［（３
−エチルオキセタニル−３）−メトキシ］−シラン、テ
トラキス−［（５−エチル−１，３−ジオキサニル−
５）−メトキシ］−シラン、メチル−トリス−［（５−
エチル−１，３−ジオキサニル−５）−メトキシ］−シ
ラン、テトラキス−（２，３−エポキシ−プロポキシ）
−シラン、およびメチル−トリス−（２，３−エポキシ
−プロポキシ）−シラン。
【００３１】本発明に従うＡ）とＢ）の混合物に含めて
もよいのは、１種のホスフィンおよび数種のホスフィン
類の両方、そして１種のケイ素化合物および数種のケイ
素化合物の両方である。
もよいのは、１種のホスフィンおよび数種のホスフィン
類の両方、そして１種のケイ素化合物および数種のケイ
素化合物の両方である。
【００３２】例えば、成分Ａ）＋Ｂ）を一緒に不活性雰
囲気中室温でか或は若干加熱して混合することなどで、
成分Ａ）＋Ｂ）の混合物を製造する。
囲気中室温でか或は若干加熱して混合することなどで、
成分Ａ）＋Ｂ）の混合物を製造する。
【００３３】従って、本発明はまた本発明に従う成分
Ａ）＋Ｂ）の混合物を製造する方法も提供し、この方法
は、上記成分を一緒に２０℃から１００℃、好適には３
０℃から８０℃の不活性条件下で混合することを特徴と
する。
Ａ）＋Ｂ）の混合物を製造する方法も提供し、この方法
は、上記成分を一緒に２０℃から１００℃、好適には３
０℃から８０℃の不活性条件下で混合することを特徴と
する。
【００３４】本発明に従うＡ）とＢ）の混合物に、ま
た、ケイ素を含まないオキセタン化合物（Ｃ）および／
またはケイ素を含まないエポキシド化合物（Ｄ）を各場
合ともＡ）＋Ｂ）の重量を基準にして１から５０重量
％、好適には５から２０重量％の量で含めてもよい。
た、ケイ素を含まないオキセタン化合物（Ｃ）および／
またはケイ素を含まないエポキシド化合物（Ｄ）を各場
合ともＡ）＋Ｂ）の重量を基準にして１から５０重量
％、好適には５から２０重量％の量で含めてもよい。
【００３５】従って、本発明は、また、成分Ａ）とＢ）
を本発明に従う量比で含有しそしてケイ素を含まないオ
キセタン化合物（Ｃ）および／またはケイ素を含まない
エポキシド化合物（Ｄ）をＡ）＋Ｂ）の重量を基準にし
て１重量％から５０重量％含有する混合物も提供する。
を本発明に従う量比で含有しそしてケイ素を含まないオ
キセタン化合物（Ｃ）および／またはケイ素を含まない
エポキシド化合物（Ｄ）をＡ）＋Ｂ）の重量を基準にし
て１重量％から５０重量％含有する混合物も提供する。
【００３６】オキセタン化合物（Ｃ）およびエポキシド
化合物（Ｄ）は文献で公知である（例えば上記引用ヨー
ロッパ特許第０ ５０７ １７８号およびそれに引用さ
れている文献などを参照）。
化合物（Ｄ）は文献で公知である（例えば上記引用ヨー
ロッパ特許第０ ５０７ １７８号およびそれに引用さ
れている文献などを参照）。
【００３７】適切なオキセタン化合物（Ｃ）の例は、式
（ＩＩＩａ）
（ＩＩＩａ）
【００３８】
【化１０】
【００３９】［式中、Ｒ4は、水素、メチル、エチル、
ペンチル、ヘキサデシル、オクタデシル、シクロヘキシ
ル、フェニル、ｐ−トリル、ベンジル、メトキシメチ
ル、エトキシメチル、オクタデシルオキシメチル、フェ
ノキシメチル、ｐ−トリルオキシメチル、ベンジルオキ
シメチル、フェノキシ、ｐ−クロロフェノキシ、ｐ−ｔ
−ブチルフェノキシおよびアセチルオキシメチルであ
る］で表される化合物、または式（ＩＩＩｂ）
ペンチル、ヘキサデシル、オクタデシル、シクロヘキシ
ル、フェニル、ｐ−トリル、ベンジル、メトキシメチ
ル、エトキシメチル、オクタデシルオキシメチル、フェ
ノキシメチル、ｐ−トリルオキシメチル、ベンジルオキ
シメチル、フェノキシ、ｐ−クロロフェノキシ、ｐ−ｔ
−ブチルフェノキシおよびアセチルオキシメチルであ
る］で表される化合物、または式（ＩＩＩｂ）
【００４０】
【化１１】
【００４１】［式中、Ｒ5は、Ｃ1−Ｃ16−アルキルであ
り、そしてＲ6は、ｎ配位のＣ2−Ｃ8−アルカン（これ
はまたＯＨ基で置換されていてもよく、ここで、ｎは１
から６の数である）またはｎ配位のシクロアルカン（こ
こで、ｎ＝２）である］で表される化合物である。
り、そしてＲ6は、ｎ配位のＣ2−Ｃ8−アルカン（これ
はまたＯＨ基で置換されていてもよく、ここで、ｎは１
から６の数である）またはｎ配位のシクロアルカン（こ
こで、ｎ＝２）である］で表される化合物である。
【００４２】適切なエポキシド化合物（Ｄ）の例は、Ｄ
ＯＳ ２ ０１９ ３２５に従うエポキシド基含有混合
ポリマー類、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−
３，４−エポキシシクロヘキサン−カルボキシレートお
よびビス−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−アジ
ペートである。
ＯＳ ２ ０１９ ３２５に従うエポキシド基含有混合
ポリマー類、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−
３，４−エポキシシクロヘキサン−カルボキシレートお
よびビス−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−アジ
ペートである。
【００４３】公知様式で、オキセタン化合物（Ｃ）およ
び／またはエポキシド化合物（Ｄ）を燐成分Ａ）または
ケイ素成分Ｂ）にか或はＡ）＋Ｂ）の混合物に常圧下室
温で混合する。
び／またはエポキシド化合物（Ｄ）を燐成分Ａ）または
ケイ素成分Ｂ）にか或はＡ）＋Ｂ）の混合物に常圧下室
温で混合する。
【００４４】本発明に従うＡ）＋Ｂ）の混合物におい
て、上記ケイ素を含まないオキセタン化合物（Ｃ）が示
す効果は、本安定剤の性能を追加的に向上させる効果で
ある。
て、上記ケイ素を含まないオキセタン化合物（Ｃ）が示
す効果は、本安定剤の性能を追加的に向上させる効果で
ある。
【００４５】本発明に従うＡ）＋Ｂ）の混合物で上記ケ
イ素を含まないエポキシド化合物（Ｄ）が示す効果もま
た本安定剤の性能を向上させる効果である。
イ素を含まないエポキシド化合物（Ｄ）が示す効果もま
た本安定剤の性能を向上させる効果である。
【００４６】従って、本発明は、更に、ケイ素を含まな
いオキセタン化合物（Ｃ）および／またはケイ素を含ま
ないエポキシド化合物（Ｄ）と一緒に成分Ａ）とＢ）を
含む本発明に従う混合物を熱可塑性芳香族ポリカーボネ
ート類の安定化で用いることも提供する。
いオキセタン化合物（Ｃ）および／またはケイ素を含ま
ないエポキシド化合物（Ｄ）と一緒に成分Ａ）とＢ）を
含む本発明に従う混合物を熱可塑性芳香族ポリカーボネ
ート類の安定化で用いることも提供する。
【００４７】本発明の意味において、熱可塑性芳香族ポ
リカーボネート類はホモポリカーボネート類およびコポ
リカーボネート類の両方であり、このカーボネート類は
線状であるか或は公知様式で分枝していてもよい。
リカーボネート類はホモポリカーボネート類およびコポ
リカーボネート類の両方であり、このカーボネート類は
線状であるか或は公知様式で分枝していてもよい。
【００４８】本発明に従う適切なポリカーボネート類中
のカーボネート基の一部、即ち８０モル％以下、好適に
は２０モル％から５０モル％を芳香族ジカルボキシレー
ト基で置き換えてもよい。厳密に言うと、炭酸の酸基と
芳香族ジカルボン酸の酸基の両方が分子鎖内に組み込ま
れた状態でそれらを含有するそのようなポリカーボネー
ト類は、芳香族ポリエステルカーボネート類である。本
出願では、簡潔さの理由で、それらを熱可塑性芳香族ポ
リカーボネート類の一般項下に含めるべきである。
のカーボネート基の一部、即ち８０モル％以下、好適に
は２０モル％から５０モル％を芳香族ジカルボキシレー
ト基で置き換えてもよい。厳密に言うと、炭酸の酸基と
芳香族ジカルボン酸の酸基の両方が分子鎖内に組み込ま
れた状態でそれらを含有するそのようなポリカーボネー
ト類は、芳香族ポリエステルカーボネート類である。本
出願では、簡潔さの理由で、それらを熱可塑性芳香族ポ
リカーボネート類の一般項下に含めるべきである。
【００４９】公知様式で、ジフェノール類、炭酸誘導
体、任意に連鎖反応停止剤および任意に分枝剤を用い
て、本発明に従って用いるポリカーボネート類を製造す
るが、ここで、ポリエステルカーボネート類を製造する
には、炭酸誘導体の一部を芳香族ジカルボン酸またはジ
カルボン酸誘導体に置き換え、そして実際、芳香族ポリ
カーボネート類中の置換を受けるカーボネート構造単位
に応じて、芳香族ジカルボキシレート構造単位による置
換が起こる。
体、任意に連鎖反応停止剤および任意に分枝剤を用い
て、本発明に従って用いるポリカーボネート類を製造す
るが、ここで、ポリエステルカーボネート類を製造する
には、炭酸誘導体の一部を芳香族ジカルボン酸またはジ
カルボン酸誘導体に置き換え、そして実際、芳香族ポリ
カーボネート類中の置換を受けるカーボネート構造単位
に応じて、芳香族ジカルボキシレート構造単位による置
換が起こる。
【００５０】ポリカーボネート類の製造に関する詳細は
最近の４０年ほどに渡り数百の特許明細書に開示されて
きた。例として、ここでは、下記のみを言及する：“Sc
hnell, Chemistry and Physics of Polycarbonates", p
olymer Reviews, ９巻Interscience Publishers, New Y
ork, London, Sydney 1964, ; D C PREVORSEK, B T DEB
ONA および Y KESTEN, Corporate Research Center, Al
lied Chemical Corporation, Morristown, New Jersey
07960, “Synthesis of Poly(ester Carbonate) Copoly
mers", Journal of Polymer Science, Polymer Chemist
ry Edition, 19巻, 75-90(1980), ; D Freitag, U Grig
o, Polymer P R Mueller, N Nouvertne, BAYER AG, “P
olycarbonates", Encyclopedia of Polymer Science an
d Engineering, 11巻, 第二版, 1988, 648-718頁, そし
て最後にDrs U Grigo, KKircher および P R Mueller
“Polycarbonate", Becker/Braun, Kunststoff-Handbuc
h, 3/1巻, Polycarbonate, Polyacetale, Polyester, C
elluloseester, Carl Hanser Publishers, Munich, Vie
nna, 1992, 117-299頁.この熱可塑性ポリカーボネート
類（熱可塑性芳香族ポリエステルカーボネート類を包含
する）の平均分子量Ｍｗ（１００ｍＬのＣＨ2Ｃｌ2当た
り０．５ｇの濃度でＣＨ2Ｃｌ2中２５℃の相対粘度を測
定することで測定）は１２，０００から１２０，００
０、好適には１８，０００から８０，０００、特に２
２，０００から６０，０００である。
最近の４０年ほどに渡り数百の特許明細書に開示されて
きた。例として、ここでは、下記のみを言及する：“Sc
hnell, Chemistry and Physics of Polycarbonates", p
olymer Reviews, ９巻Interscience Publishers, New Y
ork, London, Sydney 1964, ; D C PREVORSEK, B T DEB
ONA および Y KESTEN, Corporate Research Center, Al
lied Chemical Corporation, Morristown, New Jersey
07960, “Synthesis of Poly(ester Carbonate) Copoly
mers", Journal of Polymer Science, Polymer Chemist
ry Edition, 19巻, 75-90(1980), ; D Freitag, U Grig
o, Polymer P R Mueller, N Nouvertne, BAYER AG, “P
olycarbonates", Encyclopedia of Polymer Science an
d Engineering, 11巻, 第二版, 1988, 648-718頁, そし
て最後にDrs U Grigo, KKircher および P R Mueller
“Polycarbonate", Becker/Braun, Kunststoff-Handbuc
h, 3/1巻, Polycarbonate, Polyacetale, Polyester, C
elluloseester, Carl Hanser Publishers, Munich, Vie
nna, 1992, 117-299頁.この熱可塑性ポリカーボネート
類（熱可塑性芳香族ポリエステルカーボネート類を包含
する）の平均分子量Ｍｗ（１００ｍＬのＣＨ2Ｃｌ2当た
り０．５ｇの濃度でＣＨ2Ｃｌ2中２５℃の相対粘度を測
定することで測定）は１２，０００から１２０，００
０、好適には１８，０００から８０，０００、特に２
２，０００から６０，０００である。
【００５１】本発明に従って用いるポリカーボネート類
の製造で使用するに適切なジフェノール類の例は、ヒド
ロキノン、レゾルシノール、ジヒドロキシジフェニル、
ビス−（ヒドロキシフェニル）−アルカン類、ビス−
（ヒドロキシフェニル）−シクロアルカン類、ビス−
（ヒドロキシフェニル）−スルフィド類、ビス−（ヒド
ロキシフェニル）−エーテル類、ビス−（ヒドロキシフ
ェニル）−ケトン類、ビス−（ヒドロキシフェニル）−
スルホン類、ビス−（ヒドロキシフェニル）−スルホキ
サイド類、α，α’−ビス−（ヒドロキシフェニル）−
ジイソプロピルベンゼン類、並びにそれらの核がアルキ
ル化されている化合物および核がハロゲン化されている
化合物である。
の製造で使用するに適切なジフェノール類の例は、ヒド
ロキノン、レゾルシノール、ジヒドロキシジフェニル、
ビス−（ヒドロキシフェニル）−アルカン類、ビス−
（ヒドロキシフェニル）−シクロアルカン類、ビス−
（ヒドロキシフェニル）−スルフィド類、ビス−（ヒド
ロキシフェニル）−エーテル類、ビス−（ヒドロキシフ
ェニル）−ケトン類、ビス−（ヒドロキシフェニル）−
スルホン類、ビス−（ヒドロキシフェニル）−スルホキ
サイド類、α，α’−ビス−（ヒドロキシフェニル）−
ジイソプロピルベンゼン類、並びにそれらの核がアルキ
ル化されている化合物および核がハロゲン化されている
化合物である。
【００５２】好適なジフェノール類は４，４’−ジヒド
ロキシジフェニル、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−メチルブタン、１，１−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、
２，２−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス−（３−クロロ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス−（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）−メタン、２，２−ビス−
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロ
パン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−スルホン、２，４−ビス−（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，
１−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２，２−ビス−
（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）−プロ
パン、２，２−ビス−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロ
キシフェニル）−プロパン、および１，１−ビス−（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンである。
ロキシジフェニル、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−メチルブタン、１，１−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、
２，２−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス−（３−クロロ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス−（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）−メタン、２，２−ビス−
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロ
パン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−スルホン、２，４−ビス−（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，
１−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２，２−ビス−
（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）−プロ
パン、２，２−ビス−（３，５−ジブロモ−４−ヒドロ
キシフェニル）−プロパン、および１，１−ビス−（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンである。
【００５３】特に好適なジフェノール類は２，２−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プ
ロパン、２，２−ビス−（３，５−ジクロロ−４−ヒド
ロキシフェニル）−プロパン、２，２−ビス−（３，５
−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、
１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘ
キサンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンである。
−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プ
ロパン、２，２−ビス−（３，５−ジクロロ−４−ヒド
ロキシフェニル）−プロパン、２，２−ビス−（３，５
−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、
１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘ
キサンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンである。
【００５４】適切な上記およびさらなるジフェノール類
は例えば米国特許第３ ０２８ ６３５，２ ９９９
８３５，３ １４８ １７２，２ ９９１ ２７３，３
２７１ ３６７，４ ９８２ ０１４および２ ９９
９ ８４６号、ドイツ特許出願公開第１ ５７０ ７０
３， ２ ０６３ ０５０，２ ０３６ ０５２，２２
１１ ９５６および３ ８３２ ３９６号、フランス特
許第１ ５６１ ５１８号、専攻論文“H Schnell, Che
mistry および Physics of Polycarbonates,Interscien
ce Publishers, New York 1964"および特開６２０３９
／１９８６，６２０４０／１９８６および１０５５５０
／１９８６号などに記述されている。
は例えば米国特許第３ ０２８ ６３５，２ ９９９
８３５，３ １４８ １７２，２ ９９１ ２７３，３
２７１ ３６７，４ ９８２ ０１４および２ ９９
９ ８４６号、ドイツ特許出願公開第１ ５７０ ７０
３， ２ ０６３ ０５０，２ ０３６ ０５２，２２
１１ ９５６および３ ８３２ ３９６号、フランス特
許第１ ５６１ ５１８号、専攻論文“H Schnell, Che
mistry および Physics of Polycarbonates,Interscien
ce Publishers, New York 1964"および特開６２０３９
／１９８６，６２０４０／１９８６および１０５５５０
／１９８６号などに記述されている。
【００５５】ホモポリカーボネート類の場合にはジフェ
ノールを１種類のみ用い、コポリカーボネート類の場合
にはジフェノール類を数種用いる。
ノールを１種類のみ用い、コポリカーボネート類の場合
にはジフェノール類を数種用いる。
【００５６】適切な連鎖反応停止剤はモノフェノール類
およびモノカルボン酸の両方である。適切なモノフェノ
ール類は、フェノール自身、アルキルフェノール類、例
えばクレゾール類、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ
−オクチルフェノール、ｐ−イソ−オクチルフェノー
ル、ｐ−ｎ−ノニルフェノールおよびｐ−イソ−ノニル
フェノールなど、ハロゲン化フェノール類、例えばｐ−
クロロフェノール、２，４−ジクロロフェノール、ｐ−
ブロモフェノールおよび２，４，６−トリブロモフェノ
ールなどである。
およびモノカルボン酸の両方である。適切なモノフェノ
ール類は、フェノール自身、アルキルフェノール類、例
えばクレゾール類、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ
−オクチルフェノール、ｐ−イソ−オクチルフェノー
ル、ｐ−ｎ−ノニルフェノールおよびｐ−イソ−ノニル
フェノールなど、ハロゲン化フェノール類、例えばｐ−
クロロフェノール、２，４−ジクロロフェノール、ｐ−
ブロモフェノールおよび２，４，６−トリブロモフェノ
ールなどである。
【００５７】適切なモノカルボン酸は安息香酸、アルキ
ル安息香酸およびハロゲン化安息香酸である。
ル安息香酸およびハロゲン化安息香酸である。
【００５８】好適な連鎖反応停止剤は、式（ＩＩＩ）：
【００５９】
【化１２】
【００６０】［式中、Ｒkは、分枝もしくは未分枝Ｃ8−
および／またはＣ9−アルキル基である］で表されるフ
ェノール類である。
および／またはＣ9−アルキル基である］で表されるフ
ェノール類である。
【００６１】この連鎖反応停止剤の使用量は、各場合と
も使用するジフェノール類のモルを基準にして０．５モ
ル％から１０モル％である。この連鎖反応停止剤はホス
ゲン化の前か、ホスゲン化中か或はその後、添加可能で
ある。
も使用するジフェノール類のモルを基準にして０．５モ
ル％から１０モル％である。この連鎖反応停止剤はホス
ゲン化の前か、ホスゲン化中か或はその後、添加可能で
ある。
【００６２】適切な分枝剤は、ポリカーボネート化学で
公知の三官能または三官能以上の化合物、特にフェノー
ル系ＯＨ基を３個またはそれ以上有する化合物である。
公知の三官能または三官能以上の化合物、特にフェノー
ル系ＯＨ基を３個またはそれ以上有する化合物である。
【００６３】適切な分枝剤の例はフロログルシノール、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘプテン−２、４，６−ジメチル−２，
４，６−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、
１，３，５−トリ（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼ
ン、１，１，１−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）エ
タン、トリ−（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタ
ン、２，２−ビス−［４，４−ビス−（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキシル］プロパン、２，４−ビス−
（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）フェノール、
２，６−ビス−（２−ヒドロキシ−５’−メチルベンジ
ル）−４−メチルフェノール、２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロ
パン、ヘキサ−（４−（４−ヒドロキシフェニルイソプ
ロピル）フェニル）オルソテレフタレート、テトラ（４
−ヒドロキシフェニル）メタン、テトラ（４−（４−ヒ
ドロキシフェニルイソプロピル）フェノキシ）メタンお
よび１，１−ビス（（４’−４”−ジヒドロキシトリフ
ェニル）メチル）ベンゼンに加えて、２，４−ジヒドロ
キシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌール酸クロライド
および３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドールであ
る。
４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘプテン−２、４，６−ジメチル−２，
４，６−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、
１，３，５−トリ（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼ
ン、１，１，１−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）エ
タン、トリ−（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタ
ン、２，２−ビス−［４，４−ビス−（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキシル］プロパン、２，４−ビス−
（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）フェノール、
２，６−ビス−（２−ヒドロキシ−５’−メチルベンジ
ル）−４−メチルフェノール、２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロ
パン、ヘキサ−（４−（４−ヒドロキシフェニルイソプ
ロピル）フェニル）オルソテレフタレート、テトラ（４
−ヒドロキシフェニル）メタン、テトラ（４−（４−ヒ
ドロキシフェニルイソプロピル）フェノキシ）メタンお
よび１，１−ビス（（４’−４”−ジヒドロキシトリフ
ェニル）メチル）ベンゼンに加えて、２，４−ジヒドロ
キシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌール酸クロライド
および３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドールであ
る。
【００６４】この任意に用いる分枝剤の量は、再び各場
合とも使用するジフェノール類のモルを基準にして、
０．０５モル％から２モル％である。
合とも使用するジフェノール類のモルを基準にして、
０．０５モル％から２モル％である。
【００６５】この分枝剤は、水系アルカリ相内にジフェ
ノール類および連鎖反応停止剤と一緒に存在させてもよ
いか、或はホスゲン化を行う前に、有機溶媒に溶解させ
て添加してもよい。
ノール類および連鎖反応停止剤と一緒に存在させてもよ
いか、或はホスゲン化を行う前に、有機溶媒に溶解させ
て添加してもよい。
【００６６】このようなポリカーボネート類を製造する
手段は全部本分野の技術者によく知られている。
手段は全部本分野の技術者によく知られている。
【００６７】ポリエステルカーボネート類の製造で用い
るに適切な芳香族ジカルボン酸の例は、オルソフタル
酸、テレフタル酸、イソフタル酸、ｔ−ブチルイソフタ
ル酸、３，３’−ジフェニルジカルボン酸、４，４’−
ジフェニルジカルボン酸、４，４−ベンゾフェノンジカ
ルボン酸、３，４’−ベンゾフェノンジカルボン酸、
４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、４，４’
−ジフェニルスルホンジカルボン酸、２，２−ビス−
（４−カルボキシフェニル）−プロパン、トリメチル−
３−フェニルインダン−４，５’−ジカルボン酸であ
る。
るに適切な芳香族ジカルボン酸の例は、オルソフタル
酸、テレフタル酸、イソフタル酸、ｔ−ブチルイソフタ
ル酸、３，３’−ジフェニルジカルボン酸、４，４’−
ジフェニルジカルボン酸、４，４−ベンゾフェノンジカ
ルボン酸、３，４’−ベンゾフェノンジカルボン酸、
４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、４，４’
−ジフェニルスルホンジカルボン酸、２，２−ビス−
（４−カルボキシフェニル）−プロパン、トリメチル−
３−フェニルインダン−４，５’−ジカルボン酸であ
る。
【００６８】芳香族ジカルボン酸の中でテレフタル酸お
よび／またはイソフタル酸を特に好適に用いる。
よび／またはイソフタル酸を特に好適に用いる。
【００６９】ジカルボン酸の誘導体はジカルボン酸ジハ
ライド類およびジカルボン酸ジアルキルエステル類であ
り、特にジカルボン酸ジクロライド類およびジカルボン
酸ジメチルエステルである。
ライド類およびジカルボン酸ジアルキルエステル類であ
り、特にジカルボン酸ジクロライド類およびジカルボン
酸ジメチルエステルである。
【００７０】芳香族ジカルボキシレート基によるカーボ
ネート基の置換は実質的に化学量論的かつまた定量的に
起こり、その結果として、最終のポリエステルカーボネ
ート中でもまたその反応相手のモル比が再現される。こ
の芳香族ジカルボキシレート基の組み込みはランダムお
よびブロック様式の両方で起こり得る。
ネート基の置換は実質的に化学量論的かつまた定量的に
起こり、その結果として、最終のポリエステルカーボネ
ート中でもまたその反応相手のモル比が再現される。こ
の芳香族ジカルボキシレート基の組み込みはランダムお
よびブロック様式の両方で起こり得る。
【００７１】本発明に従って用いるポリカーボネート類
（ポリエステルカーボネート類を包含）の好適な製造方
法は、公知の界面方法および公知の溶融エステル交換方
法である。
（ポリエステルカーボネート類を包含）の好適な製造方
法は、公知の界面方法および公知の溶融エステル交換方
法である。
【００７２】酸誘導体として、前者の場合、好適にはホ
スゲンと任意にジカルボン酸ジクロライドを用い、そし
て後者の場合好適にはジフェニルカーボネートと任意に
ジカルボン酸ジエステルを用いる。ポリカーボネートお
よび／またはポリエステルカーボネートの製造で用いる
に適した触媒、溶媒、処理、反応条件などは両方の場合
とも充分に記述されていて公知である。
スゲンと任意にジカルボン酸ジクロライドを用い、そし
て後者の場合好適にはジフェニルカーボネートと任意に
ジカルボン酸ジエステルを用いる。ポリカーボネートお
よび／またはポリエステルカーボネートの製造で用いる
に適した触媒、溶媒、処理、反応条件などは両方の場合
とも充分に記述されていて公知である。
【００７３】本安定剤の使用量は、各場合とも成分Ａ）
＋Ｂ）を含む安定剤混合物と熱可塑性ポリカーボネート
の全重量を基準にして、０．００１から１重量％、好適
には０．００２から０．５重量％、特に０．００５から
０．２重量％の範囲である。
＋Ｂ）を含む安定剤混合物と熱可塑性ポリカーボネート
の全重量を基準にして、０．００１から１重量％、好適
には０．００２から０．５重量％、特に０．００５から
０．２重量％の範囲である。
【００７４】従って、また、本発明は、本発明に従う成
分Ａ）とＢ）の混合物を各場合とも成分Ａ）＋Ｂ）を含
む安定剤混合物と熱可塑性ポリカーボネートの全重量を
基準にして０．００１重量％から１重量％、好適には
０．００２重量％から０．５重量％、特に０．００５重
量％から０．２重量％の量で含有する熱可塑性芳香族ポ
リカーボネート類も提供する。
分Ａ）とＢ）の混合物を各場合とも成分Ａ）＋Ｂ）を含
む安定剤混合物と熱可塑性ポリカーボネートの全重量を
基準にして０．００１重量％から１重量％、好適には
０．００２重量％から０．５重量％、特に０．００５重
量％から０．２重量％の量で含有する熱可塑性芳香族ポ
リカーボネート類も提供する。
【００７５】従って、更に、本発明は、Ａ）＋Ｂ）を含
む安定剤混合物を本発明に従って含有しそしてケイ素を
含まないオキセタン化合物（Ｃ）および／またはケイ素
を含まないエポキシド化合物（Ｄ）をＡ）＋Ｂ）の重量
を基準にして１重量％から５０重量％の量で追加的に含
有する熱可塑性芳香族ポリカーボネート類も提供する。
む安定剤混合物を本発明に従って含有しそしてケイ素を
含まないオキセタン化合物（Ｃ）および／またはケイ素
を含まないエポキシド化合物（Ｄ）をＡ）＋Ｂ）の重量
を基準にして１重量％から５０重量％の量で追加的に含
有する熱可塑性芳香族ポリカーボネート類も提供する。
【００７６】有利にはポリカーボネートを製造する時
に、本安定剤混合物を熱可塑性芳香族ポリカーボネート
類に組み込む。本安定剤混合物は、最終製造段階中に適
切な供給ポンプで連続的に導入可能であり、この場合、
溶融させたポリカーボネートをウォームコンベヤ（ｗｏ
ｒｍ ｃｏｎｖｅｙｅｒ）に入れて溶媒を真空下で連続
的に除去する。勿論また、ポリカーボネートを製造した
後、いわゆるローリングアップ（ｒｏｌｌｉｎｇ ｕ
ｐ）手段を用いて、このポリカーボネートを本安定剤混
合物で安定化することも可能であり、この方法を本出願
の実施例に記述する。この場合、ポリカーボネートと一
緒に本安定剤混合物を無溶媒でか或は溶媒に溶解させて
混合した後、ＺＳＫ ３２押出し機を用いてコンパンド
化（ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を２７０℃で行う。
に、本安定剤混合物を熱可塑性芳香族ポリカーボネート
類に組み込む。本安定剤混合物は、最終製造段階中に適
切な供給ポンプで連続的に導入可能であり、この場合、
溶融させたポリカーボネートをウォームコンベヤ（ｗｏ
ｒｍ ｃｏｎｖｅｙｅｒ）に入れて溶媒を真空下で連続
的に除去する。勿論また、ポリカーボネートを製造した
後、いわゆるローリングアップ（ｒｏｌｌｉｎｇ ｕ
ｐ）手段を用いて、このポリカーボネートを本安定剤混
合物で安定化することも可能であり、この方法を本出願
の実施例に記述する。この場合、ポリカーボネートと一
緒に本安定剤混合物を無溶媒でか或は溶媒に溶解させて
混合した後、ＺＳＫ ３２押出し機を用いてコンパンド
化（ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を２７０℃で行う。
【００７７】本安定剤混合物に適切な溶媒は塩化メチレ
ン、イソプロパノール、トルエン、メチルエチルケトン
およびテトラヒドロフランである。
ン、イソプロパノール、トルエン、メチルエチルケトン
およびテトラヒドロフランである。
【００７８】従って、本発明はまた安定化された熱可塑
性芳香族ポリカーボネート類を製造する方法も提供し、
この方法は、熱可塑性ポリカーボネートの製造中か或は
製造後、ポリカーボネートと一緒に成分Ａ）とＢ）と任
意にＣ）および／またはＤ）を含む安定剤混合物を無溶
媒でか或は溶媒に溶解させて混合しそして押出し機でコ
ンパンド化することを特徴とする。
性芳香族ポリカーボネート類を製造する方法も提供し、
この方法は、熱可塑性ポリカーボネートの製造中か或は
製造後、ポリカーボネートと一緒に成分Ａ）とＢ）と任
意にＣ）および／またはＤ）を含む安定剤混合物を無溶
媒でか或は溶媒に溶解させて混合しそして押出し機でコ
ンパンド化することを特徴とする。
【００７９】この安定化されたポリカーボネート類の製
造で成分Ａ）、Ｂ）および任意にＣ）および／または
Ｄ）をポリカーボネート類に組み込む時、如何なる順序
でも個別に次々添加する様式で組み込み可能である。従
って、当該成分混合物を前以て製造しておくことは絶対
的には必要でない。
造で成分Ａ）、Ｂ）および任意にＣ）および／または
Ｄ）をポリカーボネート類に組み込む時、如何なる順序
でも個別に次々添加する様式で組み込み可能である。従
って、当該成分混合物を前以て製造しておくことは絶対
的には必要でない。
【００８０】また、成分Ａ）、Ｂ）および任意にＣ）お
よび／またはＤ）は、公知マスターバッチ方法に従い、
これらをポリカーボネートに入れた濃縮物を通してポリ
カーボネートに組み込み可能であり、この場合、その後
更にポリカーボネートと混合して希釈することにより、
ポリカーボネート成形用コンパンドで望まれる本発明に
従う安定剤混合物の最終濃度にする。
よび／またはＤ）は、公知マスターバッチ方法に従い、
これらをポリカーボネートに入れた濃縮物を通してポリ
カーボネートに組み込み可能であり、この場合、その後
更にポリカーボネートと混合して希釈することにより、
ポリカーボネート成形用コンパンドで望まれる本発明に
従う安定剤混合物の最終濃度にする。
【００８１】従って、本発明に従って得ることができる
ポリカーボネート類は公知様式で如何なる種類の成形体
にも加工可能であり、このような成形体にはフィルムが
含まれる。例えば、公知射出成形方法に従い、成形体へ
の加工を２７０℃から３５０℃の範囲の温度で行う。
ポリカーボネート類は公知様式で如何なる種類の成形体
にも加工可能であり、このような成形体にはフィルムが
含まれる。例えば、公知射出成形方法に従い、成形体へ
の加工を２７０℃から３５０℃の範囲の温度で行う。
【００８２】本発明に従って安定化したポリカーボネー
ト類は、特に製造成形体が高熱応力に長期間さらされる
分野、そして特に高い光透過性が要求される物全部で用
いられる。これを好適には照明分野、例えばポリカーボ
ネート製パネルを用いたランプカバーまたは上塗り材料
など、或は眼鏡およびコンパクトディスクなどの如き光
学分野における使用に適用する。
ト類は、特に製造成形体が高熱応力に長期間さらされる
分野、そして特に高い光透過性が要求される物全部で用
いられる。これを好適には照明分野、例えばポリカーボ
ネート製パネルを用いたランプカバーまたは上塗り材料
など、或は眼鏡およびコンパクトディスクなどの如き光
学分野における使用に適用する。
【００８３】従って、本発明は更に本発明に従って安定
化したポリカーボネート類をランプのカバー、上塗り材
料、眼鏡およびコンパクトディスクの製造で用いること
も提供する。
化したポリカーボネート類をランプのカバー、上塗り材
料、眼鏡およびコンパクトディスクの製造で用いること
も提供する。
【００８４】本実施例に示す部は重量部である。
【００８５】また、本発明に従って安定化した熱可塑性
ポリカーボネート類を公知様式で他の熱可塑材、例えば
ＡＢＳポリマー類、ポリスチレン類、ポリアルキレンテ
レフタレート類またはポリアリーレンスルホン類などと
一緒に混合することも可能である。
ポリカーボネート類を公知様式で他の熱可塑材、例えば
ＡＢＳポリマー類、ポリスチレン類、ポリアルキレンテ
レフタレート類またはポリアリーレンスルホン類などと
一緒に混合することも可能である。
【００８６】
【実施例】ポリカーボネートの製造 撹拌機と気体供給用パイプを取り付けた３つ口フラスコ
に入れた１．５リットルの水に４５４部の２，２−ビス
−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンと２．５部の
ｐ−ｔ−ブチルフェノールを懸濁させた後、この反応混
合物に窒素を撹拌下で１５分間通すことでこの反応混合
物から酸素を除去する。次に、４５％の苛性ソーダ溶液
を３５５部および塩化メチレンを１０００部加える。こ
の混合物を２５℃に冷却した。この温度を冷却で維持し
ながら１２０分かけてホスゲンを２３７部加える。１５
から３０分後および／またはホスゲンの吸収が始まった
後、４５％の苛性ソーダ溶液を更に７５部の量で加え
た。その結果として生じた溶液にトリエチルアミンを
１．６部加えた後、その混合物を更に１５分間撹拌す
る。高粘溶液が得られ、塩化メチレンを添加してそれの
粘度を調節する。水相を分離除去する。有機相を水で洗
浄して塩とアルカリを除去する。この洗浄した溶液から
ポリカーボネートを単離して乾燥させる。このポリカー
ボネートの相対粘度は０．５％塩化メチレン溶液中２０
℃で測定して１．２９から１．３０である。これはほぼ
分子量が３２，０００であることに相当する。このよう
にして得たポリカーボネートを押出し加工して粒状にす
る。
に入れた１．５リットルの水に４５４部の２，２−ビス
−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンと２．５部の
ｐ−ｔ−ブチルフェノールを懸濁させた後、この反応混
合物に窒素を撹拌下で１５分間通すことでこの反応混合
物から酸素を除去する。次に、４５％の苛性ソーダ溶液
を３５５部および塩化メチレンを１０００部加える。こ
の混合物を２５℃に冷却した。この温度を冷却で維持し
ながら１２０分かけてホスゲンを２３７部加える。１５
から３０分後および／またはホスゲンの吸収が始まった
後、４５％の苛性ソーダ溶液を更に７５部の量で加え
た。その結果として生じた溶液にトリエチルアミンを
１．６部加えた後、その混合物を更に１５分間撹拌す
る。高粘溶液が得られ、塩化メチレンを添加してそれの
粘度を調節する。水相を分離除去する。有機相を水で洗
浄して塩とアルカリを除去する。この洗浄した溶液から
ポリカーボネートを単離して乾燥させる。このポリカー
ボネートの相対粘度は０．５％塩化メチレン溶液中２０
℃で測定して１．２９から１．３０である。これはほぼ
分子量が３２，０００であることに相当する。このよう
にして得たポリカーボネートを押出し加工して粒状にす
る。
【００８７】Ｉ． 安定化されたポリカーボネートの製
造 ＺＳＫ ３２押出し機を用い、この上に示した相対粘度
が１．２９５のポリカーボネートを本実施例に挙げる安
定剤と一緒に２７０℃でコンパンド化する。この生成物
を３００℃で標準的小型棒材にする。比較の目的で、も
う一度、未安定化のポリカーボネートを２７０℃で押出
し加工する。これにより、相対粘度が１．２８９に降下
する。
造 ＺＳＫ ３２押出し機を用い、この上に示した相対粘度
が１．２９５のポリカーボネートを本実施例に挙げる安
定剤と一緒に２７０℃でコンパンド化する。この生成物
を３００℃で標準的小型棒材にする。比較の目的で、も
う一度、未安定化のポリカーボネートを２７０℃で押出
し加工する。これにより、相対粘度が１．２８９に降下
する。
【００８８】ＩＩ． 特殊なホスフィン類の製造 実施例１ 窒素を伴わせて、１８．７重量％が１，２−ビス−（ジ
フェニルホスフィノ）−エタンで８１．３重量％がメチ
ル−トリス−［（３−エチルオキセタニル−３）−メト
キシ］−シランである混合物を８０℃で溶解させること
でこの混合物の製造を行う。
フェニルホスフィノ）−エタンで８１．３重量％がメチ
ル−トリス−［（３−エチルオキセタニル−３）−メト
キシ］−シランである混合物を８０℃で溶解させること
でこの混合物の製造を行う。
【００８９】Ｐ含有量：２．９％、Ｓｉ含有量：５．８
％。
％。
【００９０】この混合物をポリカーボネートに０．２％
添加する。
添加する。
【００９１】実施例２ 窒素を伴わせて、１９．８重量％が１，４−ビス−（ジ
フェニルホスフィノ）−ブタンで８０．２重量％がメチ
ル−トリス−［（３−エチルオキセタニル−３）−メト
キシ］−シランである混合物を８０℃で溶解させること
でこの混合物の製造を行う。
フェニルホスフィノ）−ブタンで８０．２重量％がメチ
ル−トリス−［（３−エチルオキセタニル−３）−メト
キシ］−シランである混合物を８０℃で溶解させること
でこの混合物の製造を行う。
【００９２】Ｐ含有量：２．８％、Ｓｉ含有量：５．７
％。
％。
【００９３】この混合物をポリカーボネートに０．２％
添加する。
添加する。
【００９４】ＩＩＩ． 比較実験 比較実施例１ 安定剤を含めないで上述した如く加工したポリカーボネ
ート。
ート。
【００９５】比較実施例２（ヨーロッパ特許第２１３
４１３号） トリフェニルホスフィン（Ｔｅｃｈｎｏ−Ｃｈｅｍｉ
ｅ）を０．１％入れて上述した如く加工したポリカーボ
ネート。
４１３号） トリフェニルホスフィン（Ｔｅｃｈｎｏ−Ｃｈｅｍｉ
ｅ）を０．１％入れて上述した如く加工したポリカーボ
ネート。
【００９６】トリフェニルホスフィンのＰ含有量：１
１．８％。
１．８％。
【００９７】比較実施例３ １，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−エタンを
０．１％入れて上述した如く加工したポリカーボネー
ト。
０．１％入れて上述した如く加工したポリカーボネー
ト。
【００９８】比較実施例４（ヨーロッパ特許第４３ ９
９８号） 窒素を伴わせて、４０重量％がトリフェニルホスフィン
で６０重量％がメチル−トリス−［（３−エチルオキセ
タニル−３）−メトキシ］−シランである混合物を８０
℃で溶解させることでこの混合物の製造を行う。
９８号） 窒素を伴わせて、４０重量％がトリフェニルホスフィン
で６０重量％がメチル−トリス−［（３−エチルオキセ
タニル−３）−メトキシ］−シランである混合物を８０
℃で溶解させることでこの混合物の製造を行う。
【００９９】Ｐ含有量：４．７％、Ｓｉ含有量：４．３
％。
％。
【０１００】この混合物をポリカーボネートに０．１％
添加する。
添加する。
【０１０１】ＩＶ． 結果 熱老化 この上に記述した様式で製造した試験体を１４０℃の乾
燥キャビネットに入れて焼いた。この熱処理過程中に生
じた黄色指数（Ｙ．Ｉ．）上昇率（ＡＳＴＭ１９２５に
従って測定）を、試験体の褐色度が高くなる尺度として
用いる。ＤＩＮ ５０３３、４６４６に従って光透過率
を４２０ｎｍで測定する。
燥キャビネットに入れて焼いた。この熱処理過程中に生
じた黄色指数（Ｙ．Ｉ．）上昇率（ＡＳＴＭ１９２５に
従って測定）を、試験体の褐色度が高くなる尺度として
用いる。ＤＩＮ ５０３３、４６４６に従って光透過率
を４２０ｎｍで測定する。
【０１０２】加水分解試験 数多くの試験体を１００℃の蒸留水に入れて貯蔵する。
個々の時間間隔が終了した時点で一度に１０個の試験体
を取り出して、それらに関する相対粘度ηrel（２５℃
の塩化メチレン中０．５重量％）を測定する。ηrel低
下率が、水に入れて貯蔵した間に増大した加水分解の尺
度である。個々の１０測定の平均値を以下の表に示す。
個々の時間間隔が終了した時点で一度に１０個の試験体
を取り出して、それらに関する相対粘度ηrel（２５℃
の塩化メチレン中０．５重量％）を測定する。ηrel低
下率が、水に入れて貯蔵した間に増大した加水分解の尺
度である。個々の１０測定の平均値を以下の表に示す。
【０１０３】
【表１】
【０１０４】本発明の特徴および態様は以下のとうりで
ある。
ある。
【０１０５】１． Ａ）式（Ｉ）
【０１０６】
【化１３】
【０１０７】［式中、Ｒは、未置換もしくは置換Ｃ6−
Ｃ14−アリール基であり、そしてＲ1は、下記の基（Ｉ
ａ）から（Ｉｈ）
Ｃ14−アリール基であり、そしてＲ1は、下記の基（Ｉ
ａ）から（Ｉｈ）
【０１０８】
【化１４】
【０１０９】（ここで、Ｒは、式（Ｉ）で示した意味を
有し、「ｎ」および「ｍ」は、各場合とも互いに独立し
て、１から７の整数であり、そして基（Ｉａ）から（Ｉ
ｃ）のＨ原子は、また、
有し、「ｎ」および「ｍ」は、各場合とも互いに独立し
て、１から７の整数であり、そして基（Ｉａ）から（Ｉ
ｃ）のＨ原子は、また、
【０１１０】
【化１５】
【０１１１】で置換されていてもよい）の１つであり、
また、Ｒ1は、式（Ｉ）中のＲ両方が４−フェニル−フ
ェニルまたはα−ナフチルである場合、各場合とも４−
フェニル−フェニルまたはα−ナフチルであってもよ
く、ここでまた、４−フェニル−フェニルおよびα−ナ
フチル基は置換されていてもよい］で表されるホスフィ
ン類、および Ｂ）式（ＩＩ） R2 a−Si(OR3)b (II) ［式中、ａ＋ｂ＝４、ｂは少なくとも１であり、Ｒ
2は、Ｈ、Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2−Ｃ18−アルケニ
ル、Ｃ6−Ｃ24−アリール、Ｃ7−Ｃ24−アルキルアリー
ルまたはＣ7−Ｃ24−アラルキルであり、そしてＲ3は、
Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2−Ｃ18−アルケニル、Ｃ5−
Ｃ10−シクロアルキルまたはＣ7−Ｃ24−アラルキルで
ある］で表されるケイ素化合物を含んでいて（Ａ）対
（Ｂ）のモル比が０．０１から３．５の範囲である混合
物。
また、Ｒ1は、式（Ｉ）中のＲ両方が４−フェニル−フ
ェニルまたはα−ナフチルである場合、各場合とも４−
フェニル−フェニルまたはα−ナフチルであってもよ
く、ここでまた、４−フェニル−フェニルおよびα−ナ
フチル基は置換されていてもよい］で表されるホスフィ
ン類、および Ｂ）式（ＩＩ） R2 a−Si(OR3)b (II) ［式中、ａ＋ｂ＝４、ｂは少なくとも１であり、Ｒ
2は、Ｈ、Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2−Ｃ18−アルケニ
ル、Ｃ6−Ｃ24−アリール、Ｃ7−Ｃ24−アルキルアリー
ルまたはＣ7−Ｃ24−アラルキルであり、そしてＲ3は、
Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2−Ｃ18−アルケニル、Ｃ5−
Ｃ10−シクロアルキルまたはＣ7−Ｃ24−アラルキルで
ある］で表されるケイ素化合物を含んでいて（Ａ）対
（Ｂ）のモル比が０．０１から３．５の範囲である混合
物。
【０１１２】２． 熱可塑性芳香族ポリカーボネート類
を安定化するための第１項の混合物の使用。
を安定化するための第１項の混合物の使用。
【０１１３】３． 第１項の混合物を製造する方法であ
って、その成分を２０℃から１００℃の不活性な条件下
で互いに混合することを特徴とする方法。
って、その成分を２０℃から１００℃の不活性な条件下
で互いに混合することを特徴とする方法。
【０１１４】４． ケイ素を含まないオキセタン化合物
（Ｃ）および／またはケイ素を含まないエポキシド化合
物（Ｄ）を追加的にＡ）＋Ｂ）の重量を基準にして１重
量％から５０重量％含有する第１項記載の混合物。
（Ｃ）および／またはケイ素を含まないエポキシド化合
物（Ｄ）を追加的にＡ）＋Ｂ）の重量を基準にして１重
量％から５０重量％含有する第１項記載の混合物。
【０１１５】５． 熱可塑性芳香族ポリカーボネート類
を安定化するための第４項の混合物の使用。
を安定化するための第４項の混合物の使用。
【０１１６】６． 各場合とも第１項の混合物をＡ）＋
Ｂ）を含む安定剤混合物と熱可塑性ポリカーボネートの
全重量を基準にして０．００１重量％から１重量％の量
で含有する熱可塑性芳香族ポリカーボネート類。
Ｂ）を含む安定剤混合物と熱可塑性ポリカーボネートの
全重量を基準にして０．００１重量％から１重量％の量
で含有する熱可塑性芳香族ポリカーボネート類。
【０１１７】７． ケイ素を含まないオキセタン化合物
（Ｃ）および／またはケイ素を含まないエポキシド化合
物（Ｄ）をＡ）＋Ｂ）の重量を基準にして１重量％から
５０重量％の量で追加的に含有する第６項記載のポリカ
ーボネート類。
（Ｃ）および／またはケイ素を含まないエポキシド化合
物（Ｄ）をＡ）＋Ｂ）の重量を基準にして１重量％から
５０重量％の量で追加的に含有する第６項記載のポリカ
ーボネート類。
【０１１８】８． 第６項のポリカーボネート類を製造
する方法であって、熱可塑性ポリカーボネート製造中ま
たは製造後に該ポリカーボネートと一緒に第１項の安定
剤混合物を無溶媒でか或は溶媒に溶解させて混合しそし
て押出し機でコンパンド化することを特徴とする方法。
する方法であって、熱可塑性ポリカーボネート製造中ま
たは製造後に該ポリカーボネートと一緒に第１項の安定
剤混合物を無溶媒でか或は溶媒に溶解させて混合しそし
て押出し機でコンパンド化することを特徴とする方法。
【０１１９】９． 該ポリカーボネートと一緒に第４項
の安定剤混合物を混合しそして押出し機でコンパンド化
することを特徴とする第８項記載の方法。
の安定剤混合物を混合しそして押出し機でコンパンド化
することを特徴とする第８項記載の方法。
【０１２０】１０． ランプのカバー、上塗り材料、眼
鏡およびコンパクトディスクを製造するための第６項の
ポリカーボネート類の使用。
鏡およびコンパクトディスクを製造するための第６項の
ポリカーボネート類の使用。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｋ 69:00 (72)発明者 ボルフガング・エベルト ドイツ47800クレーフエルト・デルパーホ フシユトラーセ31 (72)発明者 ビルフリート・ヘーゼ ドイツ51519オーデンタール・オゼナウア ーシユトラーセ32
Claims (6)
- 【請求項１】 Ａ）式（Ｉ） 【化１】 ［式中、Ｒは、未置換もしくは置換Ｃ6−Ｃ14−アリー
ル基であり、そしてＲ1は、下記の基（Ｉａ）から（Ｉ
ｈ） 【化２】 （ここで、Ｒは、式（Ｉ）で示した意味を有し、「ｎ」
および「ｍ」は、各場合とも互いに独立して、１から７
の整数であり、そして基（Ｉａ）から（Ｉｃ）のＨ原子
は、また、 【化３】 で置換されていてもよい）の１つであり、また、Ｒ
1は、式（Ｉ）中の両方のＲが４−フェニル−フェニル
またはα−ナフチルである場合、各場合とも４−フェニ
ル−フェニルまたはα−ナフチルであってもよく、ここ
でまた、４−フェニル−フェニルおよびα−ナフチル基
は置換されていてもよい］で表されるホスフィン類、お
よび Ｂ）式（ＩＩ） R2 a−Si(OR3)b (II) ［式中、ａ＋ｂ＝４、ｂは少なくとも１であり、Ｒ
2は、Ｈ、Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2−Ｃ18−アルケニ
ル、Ｃ6−Ｃ24−アリール、Ｃ7−Ｃ24−アルキルアリー
ルまたはＣ7−Ｃ24−アラルキルであり、そしてＲ3は、
Ｃ1−Ｃ18−アルキル、Ｃ2−Ｃ18−アルケニル、Ｃ5−
Ｃ10−シクロアルキルまたはＣ7−Ｃ24−アラルキルで
ある］で表されるケイ素化合物を含んでいて（Ａ）対
（Ｂ）のモル比が０．０１から３．５の範囲である混合
物。 - 【請求項２】 ケイ素を含まないオキセタン化合物
（Ｃ）および／またはケイ素を含まないエポキシド化合
物（Ｄ）を追加的にＡ）＋Ｂ）の重量を基準にして１重
量％から５０重量％含有する請求項１記載の混合物。 - 【請求項３】 各場合とも請求項１の混合物をＡ）＋
Ｂ）を含む安定剤混合物と熱可塑性ポリカーボネートの
全重量を基準にして０．００１重量％から１重量％の量
で含有する熱可塑性芳香族ポリカーボネート類。 - 【請求項４】 ケイ素を含まないオキセタン化合物
（Ｃ）および／またはケイ素を含まないエポキシド化合
物（Ｄ）をＡ）＋Ｂ）の重量を基準にして１重量％から
５０重量％の量で追加的に含有する請求項３記載のポリ
カーボネート類。 - 【請求項５】 請求項３のポリカーボネート類を製造す
る方法であって、熱可塑性ポリカーボネート製造中また
は製造後に該ポリカーボネートと一緒に請求項１の安定
剤混合物を無溶媒でか或は溶媒に溶解させて混合しそし
て押出し機でコンパンド化することを特徴とする方法。 - 【請求項６】 該ポリカーボネートと一緒に請求項２の
安定剤混合物を混合しそして押出し機でコンパンド化す
ることを特徴とする請求項５記載の方法。
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