JPH09217251A - 織布検反装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】照明光、風綿といった外乱の影響を排除して精
度の高い検反を行なえる織布検反装置を提供する。 【解決手段】検知範囲１９１は受光素子１９上に結像さ
れる織布Ｗ上の範囲を表し、検知範囲２０１は受光素子
２０上に結像される織布Ｗ上の範囲を表す。経糸の糸配
列方向の検知範囲１９１の幅ｈ１は経糸の糸配列ピッチ
Ｐ以下であり、経糸の糸配列方向の検知範囲２０１の幅
ｈ２は経糸の糸配列ピッチＰの数倍にしてある。受光素
子２０から得られる電気信号はゲイン調整回路２２で比
較対象信号に変換され、差演算回路３０がゲイン調整回
路２２及び受光素子１０から得られる信号の差を演算し
て出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、織布の織り状態を
反映する光の受光量に応じた電気信号を出力する光電セ
ンサを用いて織布の欠点を検出する織布検反装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の織布検反装置が特開昭６０−２
３１８５０号公報に開示されている。光源から織布上に
投射された光の反射光は感光セルによって受光される。
光の経路上には光学レンズ系が設置されており、投射光
あるいは反射光の集光、平行化等の必要な光学的処理が
光学レンズ系によって行われる。感光セルは受光量に応
じた電気信号を出力し、この電気信号が評価ユニットで
評価される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】受光量に応じて変換さ
れた電気信号の評価は一般的に電気信号の大きさと予め
設定された基準値との比較によって行われる。電気信号
の値が基準値以内であれば正常の評価が行われ、電気信
号の値が基準値を越えれば異常の評価が行われる。しか
しながら、検反装置以外の照明光の存在、あるいは風綿
の存在が前記電気信号を変化させる。このような電気信
号の変化は織布の織り状態を正しく反映せず、誤検反が
起きる。

【０００４】本発明は、照明光、風綿といった外乱の影
響を排除して精度の高い検反を行える織布検反装置を提
供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そのために請求項１の発
明では、織布上に検知範囲を持つ第１の光電センサと、
織布上に検知範囲を持つ第２の光電センサと、第２の光
電センサから得られる電気信号を第１の光電センサから
得られる電気信号に対する比較対象信号へ変換する比較
対象信号生成手段と、第１の光電センサから得られる電
気信号と比較対象信号生成手段から得られる比較対象信
号との差を演算する差演算手段と、前記差演算手段の演
算結果に基づいて欠点有無の判定を行なう判定手段とを
備えた織布検反装置を構成し、第１の光電センサにおけ
る検知範囲の織布に対する相対移動方向の幅と第２の光
電センサにおける検知範囲の相対移動方向の幅とを異な
らせた。

【０００６】請求項１の発明によれば、第２の光電セン
サから得られる電気信号が比較対象信号生成手段によっ
て第１光電センサから得られる電気信号の比較対象信号
に変換される。第２の光電センサから得られる電気信号
が織布上の欠点の有無に関係なく常に一定となるように
第２の光電センサにおける検知範囲が設定される。この
比較対象信号の値は織布に欠点がない場合に第１の光電
センサから得られる電気信号の平均値と同一レベルであ
る。第１の光電センサの電気信号と比較対象信号との差
が差演算手段によって演算され、判定手段がこの演算さ
れた差に基づいて欠点有無の判定を行なう。前記差の演
算は照明光、風綿といった外乱の影響による電気信号の
変化を排除する。

【０００７】請求項２の発明では、第１の光電センサに
おける検知範囲の織布に対する相対移動方向の幅を前記
相対移動方向の糸配列ピッチ以下とし、第２の光電セン
サにおける検知範囲の織布に対する相対移動方向の幅を
第１の光電センサにおける検知範囲の相対移動方向の幅
よりも大きくした。

【０００８】請求項２の発明によれば、第１の光電セン
サの検知範囲の幅が糸配列ピッチ以下であるため、第１
の光電センサの検知範囲が糸の配列位置上にある場合に
得られる電気信号の値と、第１の光電センサの検知範囲
が隣合う糸の配列位置の間にある場合に得られる電気信
号の値との差が最も大きくなる。従って、第１の光電セ
ンサの検知範囲が糸の配列位置上にある場合に得られる
電気信号の値と前記比較対象信号の値との差は、第１の
光電センサの検知範囲が隣合う糸の配列位置の間にある
場合に得られる電気信号の値と前記比較対象信号の値と
の差に対して最も大きくなる。この差、即ち差演算手段
によって得られる演算差が大きいほど欠点有無の判定が
正確になる。

【０００９】請求項３の発明では、前記一対の検知範囲
から反射する光を単一の光学系によって第１及び第２の
光電センサへ送るようにした。単一の光学系によって織
布上をスキャンする構成は最も簡素な機構となる。

【００１０】請求項４の発明では、前記単一の光学系を
１つの結像レンズで構成し、この結像レンズによって前
記一対の検知範囲の一方の像を第１の光電センサ上に結
像すると共に、他方の像を第２の光電センサ上に結像す
るようにした。

【００１１】各検知範囲内の織布上の像が単一の結像レ
ンズによって別々の光電センサ上に結像される。隣合う
像を単一の結像レンズで精度良く結像する場合には隣合
う像が近接している必要がある。最小の場合には一対の
検知範囲を糸配列ピッチの半分だけずらすような構成は
精度の良い結像をもたらす。

【００１２】請求項５の発明では、前記一対の検知範囲
の一方から反射する光を第１の光学系によって第１の光
電センサへ送ると共に、他方から反射する光を第２の光
学系によって第２の光電センサへ送るようにした。

【００１３】請求項５の発明によれば、織布上の各検知
範囲から反射散乱する光が別々の光学系によって集光さ
れて光電センサへ送られる。別々の光学系によって反射
散乱光を拾う構成では、単一の光学系によって反射光を
拾う場合に比べて光電センサにおける光ゲインが増加す
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、織機上の織布検反装置に本
発明を具体化した第１の実施の形態を図１〜図６に基づ
いて説明する。

【００１５】図１に示すように織布Ｗの上方にはレール
１１が織布Ｗの織り幅方向、即ち緯糸Ｙの糸方向に配設
されている。レール１１にはセンサヘッド１２がガイド
体１３を介して吊下支持されている。ガイド体１３はレ
ール１１に沿って移動できる。図２及び図３に示すよう
にセンサヘッド１２には無端状ベルト１４が結合されて
おり、無端状ベルト１４はモータ１５の駆動プーリ１５
１とガイドプーリ１６とに掛け渡されている。無端状ベ
ルト１４はモータ１５の往復駆動によって往復周回し、
センサヘッド１２がレール１１に沿って往復動する。セ
ンサヘッド１２は、反射鏡１７、棒状の結像レンズ１
８、第１の光学センサとなる受光素子１９、第２の光学
センサとなる受光素子２０及び制御回路基板２１を備え
ている。

【００１６】図２に示すように、ガイドプーリ１６の近
傍には投光器２３が設置されている。投光器２３は、容
器２４と、容器２４の底部に取り付けられた投光素子２
５と、容器２３の開口側に取り付けられたスリット板２
６と、投光素子２５とスリット板２６との間に介在され
た棒状の凸レンズ２７とからなる。スリット板２６には
スリット２６１が形成されている。投光素子２５は凸レ
ンズ２７の焦点上に位置しており、投光素子２５から凸
レンズ２７に投射された光は凸レンズ２７を通って平行
光となる。図１の鎖線矢印は光の行路を表す。凸レンズ
２７の光軸はスリット２６１の中央を通っている。凸レ
ンズ２７を通って平行になった光の一部はスリット２６
１を通過する。スリット板２６は光の平行度を高めるた
めに凸レンズ２７の周縁部を通過した光の通過を阻止す
る。

【００１７】スリット２６１を通過した平行光の行路は
反射鏡１７と交差する。反射鏡１７に当たった平行光は
織布Ｗ上に向けて反射される。結像レンズ１８は織布Ｗ
の上面の像を一対の受光素子１９，２０の受光面に一致
する平面上に結像する。受光素子１９，２０は、経糸Ｔ
の糸配列方向の幅が狭く、かつ経糸Ｔの糸方向へ長い形
状である。

【００１８】図４の検知範囲１９１は結像レンズ１８に
よって受光素子１９上に結像される織布Ｗ上の範囲を表
し、検知範囲２０１は結像レンズ１８によって受光素子
２０上に結像される織布Ｗ上の範囲を表す。経糸Ｔの糸
配列方向の検知範囲１９１のｈ１は経糸Ｔの糸配列ピッ
チＰ以下にしてあり、経糸Ｔの糸配列方向の検知範囲１
９１のｈ２は糸配列ピッチＰの複数倍程度にしてある。
検知範囲１９１，２０１の経糸Ｔの糸方向の長さは同じ
であり、この長さは緯糸Ｙを例えば１０本程度含むぐら
いの長さにしてある。

【００１９】図５の右向きの矢印Ｑ１で囲まれた領域は
センサヘッド１２の右方向への移動による織布Ｗ上にお
ける検知範囲１９１，２０１の走査範囲を表す。左向き
の矢印Ｑ２で囲まれた領域はセンサヘッド１２の左方向
への移動による織布Ｗ上における検知範囲１９１，２０
１の走査範囲を表す。織布Ｗは矢印Ｒの方向に移動す
る。

【００２０】受光素子１９，２０は受け取った光を電流
に変換する。この変換電流信号は受光量に応じた電気信
号になる。図５の回路は制御回路基板２１上の回路構成
を表す。受光素子１９は変換電流信号を電流−電圧変換
回路２８に出力し、受光素子２０は変換電流信号を電流
−電圧変換回路２９に出力する。電流−電圧変換回路２
８は変換電流信号を電圧信号Ｓ１に変換して差演算回路
３０に出力する。電流−電圧変換回路２９は変換電流信
号を電圧信号Ｓ２に変換してゲイン調整回路２２に出力
する。ゲイン調整回路２２は電圧信号Ｓ２を比較対象信
号Ｓｏに変換して差演算回路３０に出力する。ゲイン調
整回路２２は織布Ｗに欠点がない場合に受光素子１９か
ら得られる電気信号Ｓ１の平均値と同一レベルに電圧信
号Ｓ２を変換する。

【００２１】図６の波形Ｓ１は電流−電圧変換回路２８
から出力される電圧信号を表し、直線Ｓｏは比較対象信
号生成手段となるゲイン調整回路２２から出力される電
圧信号を表す。なお、電圧信号Ｓ１の値の変動は、例え
ば出力電圧１ボルトに対して５ミリボルト程度という僅
かなものである。

【００２２】差演算回路３０は電流−電圧変換回路２８
及びゲイン調整回路２２から入力する電圧信号Ｓ１，Ｓ
ｏの値の差を演算する。図６の波形ΔＳは差演算回路３
０から出力される差信号を表す。差演算回路３０は演算
して得られた差信号ΔＳをバンドパスフィルタ３１を経
由して比較回路３２に出力する。バンドパスフィルタ３
１は差信号ΔＳの周波数近辺の周波数の信号以外の波形
信号をカットする。

【００２３】比較回路３２は入力した差信号ΔＳと基準
値設定回路３３によって予め設定された基準値Ｖとを比
較する。差信号ΔＳの値が基準値Ｖを越えると、比較回
路３２は図６に波形Ｈで示す信号を制御信号発生回路３
４に出力する。制御信号発生回路３４は波形Ｈの立ち上
がり部に対応して図６にパルス状波形で示す制御信号Ｋ
をカウンタ３５に出力する。カウンタ３５は基準クロッ
ク３６から出力されるパルス信号の数に基づいて各制御
信号Ｋ間の時間間隔ｔｘの計測を行なう。この計測情報
は比較回路３７に送られる。

【００２４】比較回路３７は、基準値設定回路３８によ
って予め設定された基準間隔〔ｔｏ−Δｔ，ｔｏ＋Δ
ｔ〕と計測された時間間隔ｔｘとの比較を行なう。ｔｘ
が〔ｔｏ−Δｔ，ｔｏ＋Δｔ〕の範囲外にあれば、比較
回路３７は出力回路３９に対して欠点検出信号を出力す
る。ｔｘが〔ｔｏ−Δｔ，ｔｏ＋Δｔ〕の範囲内にあれ
ば、比較回路３７は出力回路３９に対して欠点検出信号
を出力しない。出力回路３９は、比較回路３２、基準値
設定回路３３、制御信号発生回路３４、カウンタ３５、
基準クロック３６及び基準値設定回路３８と共に判定手
段を構成する比較回路３７から出力される欠点検出信号
の入力に応じて製織停止信号あるいは警報指令信号等の
出力を行なう。

【００２５】センサヘッド１２の移動速度をｖ、結像レ
ンズ１８の倍率をｍとすると、結像レンズ１８によって
受光素子１９，２０の受光平面上に結合される像は速度
ｍｖで移動する。経糸Ｔの糸配列方向の検知範囲１９１
の幅ｈ１は糸配列ピッチＰ以下であり、経糸Ｔの糸配列
ピッチが常に所定の糸配列ピッチＰに等しいならば、制
御信号Ｋの時間間隔ｔｘはＰ／ｍｖにほぼ等しい。Ｐ／
ｍｖは基準値ｔｏとして採用されており、Δｔは許容公
差である。

【００２６】第１の実施の形態では以下の効果が得られ
る。 （１）比較回路３２、基準値設定回路３３、制御信号発
生回路３４、カウンタ３５、基準クロック３６、基準値
設定回路３８及び比較回路３７から構成される判定手段
は、差演算回路３０によって演算された差ΔＳに基づい
て欠点有無の判定を行なう。この差ΔＳの演算は照明
光、風綿といった外乱の影響による電気信号の変化を排
除する。 （２）経糸Ｔは隣合う筬羽間に一定本数単位で通されて
いるが、例えばある筬羽間では経糸の通し本数が規定に
足りず、隣の筬羽間で経糸の通し本数が規定よりも多い
といった状況が生じることもある。このような状況が続
くと、いわゆる経筋が織布上に生じ、不良織布ができて
しまう。図６では織布Ｗの織幅方向の領域Ｗ１が経筋発
生による粗な部分を表し、領域Ｗ２が経筋発生による密
な部分を表す。第２の光電センサとなる受光素子２０か
ら得られる電気信号が織布上の欠点の有無に関係なく常
に一定となるように受光素子２０における検知範囲２０
１が設定される。比較対象信号Ｓｏの値は織布Ｗに欠点
がない場合に第１の光電センサとなる受光素子１９から
得られる電気信号の平均値と同一レベルである。受光素
子１９の検知範囲１９１の経糸Ｔの糸配列方向の幅ｈ１
が経糸Ｔの糸配列ピッチＰ以下に設定してあるため、検
知範囲１９１が経糸Ｔの配列位置上にある場合に得られ
る電気信号の値と、検知範囲１９１が隣合う経糸Ｔの配
列位置の間にある場合に得られる電気信号の値との差が
最も大きくなる。従って、受光素子１９の検知範囲１９
１が経糸Ｔの配列位置上にある場合に得られる電気信号
の値と比較対象信号Ｓｏの値との差ΔＳは、受光素子１
９の検知範囲１９１が隣合う経糸Ｔの配列位置の間にあ
る場合に得られる電気信号の値と比較対象信号Ｓｏの値
との差に対して最も大きくなる。この差ΔＳ、即ち差演
算回路３０によって得られる演算差が大きいほど欠点有
無の判定が正確になる。 （３）一対の検知範囲１９１，２０１から反射する光を
単一の結像レンズ１８からなる光学系によって第１及び
第２の光電センサとなる受光素子１９，２０へ送るよう
にしたが、このような単一の光学系によって織布Ｗ上を
スキャンする構成は最も簡素な機構となる。 （４）各検知範囲１９１，２０１内の織布Ｗ上の像が単
一の結像レンズ１８によって別々の受光素子１９，２０
上に結像される。隣合う像を単一の結像レンズ１８で精
度良く結像する場合には隣合う像が近接している必要が
ある。最小の場合には一対の検知範囲１９１，２０１を
繋ぐような構成は精度の良い結像をもたらす。

【００２７】次に、図７の第２の実施の形態を説明す
る。第１の実施の形態と同じ構成部には同じ符号が付し
てある。この実施の形態では、検知範囲１９１，２０１
が経糸Ｔの糸方向にずらされている。この実施の形態に
おいても第１の実施の形態と同様の効果が得られる。

【００２８】次に、図８の第３の実施の形態を説明す
る。第１の実施の形態と同じ構成部には同じ符号が付し
てある。この実施の形態では、投光器２３がセンサヘッ
ド４０に取り付けられており、光の経路が第１の実施の
形態に比して短く、かつ経路長一定である。従って、風
綿等による途中の減衰作用を受けることなく一定強度の
光を織布Ｗ上に投射することができる。

【００２９】次に、図９の第４の実施の形態を説明す
る。第１の実施の形態と同じ構成部には同じ符号が付し
てある。この実施の形態では、第１及び第２の光電セン
サとしてイメージセンサ４１が用いられる。イメージセ
ンサ４１の全画素のうちの適当な個数の画素を用いて検
知範囲の大きさを選択できる。図示の場合には（ｎ，ｍ
１）で表す検知範囲が第１の実施の形態の検知範囲１９
１に対応し、（ｎ，ｍ２）で表す検知範囲が第１の実施
の形態の検知範囲２０１に対応する。検知範囲（ｎ，ｍ
１）の変換電流は検知範囲制御回路４２によって電流−
電圧変換回路２８へ送られ、検知範囲（ｎ，ｍ２）の変
換電流は検知範囲制御回路４２によって電流−電圧変換
回路２９へ送られる。以後の信号処理は第１の実施の形
態と同じである。

【００３０】なお、イメージセンサの画素の代わりに小
型のフォトダイオードあるいはフォトトランジスタを用
いることもできる。次に、図１０及び図１１の第５の実
施の形態を説明する。第１の実施の形態と同じ構成部に
は同じ符号が付してある。

【００３１】この実施の形態におけるセンサヘッド４３
は３つの反射鏡４４，４５，４６、一対の棒状の凸レン
ズ４７，４８及びスリット板４９を備えている。スリッ
ト板４９は織布Ｗに対して平行に配置されており、スリ
ット板４９には一対のスリット４９１，４９２が形成さ
れている。スリット４９１，４９２は経糸Ｙの糸方向に
延びている。スリット４９１の経糸Ｔの糸配列方向の幅
は、スリット４９２の経糸Ｔの糸配列方向の幅よりも大
きくしてある。

【００３２】投光器２３から投射された平行光の行路は
反射鏡４４と交差する。反射鏡４４は織布Ｗの面に対し
て４５°に傾いており、反射鏡４４に当たった平行光は
スリット板４９に向けて反射される。スリット板４９に
向かった平行光は一対のスリット４９１，４９２を通過
する。スリット４９１，４９２を通過した２本の光は織
布Ｗに垂直に当たって反射散乱する。

【００３３】凸レンズ４７，４８は反射鏡４４からの反
射光の行路の左右両側に配置されている。凸レンズ４
７，４８の焦点は織布Ｗ上に設定されており、凸レンズ
４７，４８は織布Ｗからの反射光を平行光にする。反射
鏡４５は凸レンズ４７を出た平行光の行路上に配置され
ており、反射鏡４６は凸レンズ４８を出た平行光の行路
上に配置されている。

【００３４】センサヘッド４３の走行方向の延長線上に
は受光器５０が設置されている。受光器５０は、容器５
１と、容器５１の底部に取り付けられた第１の光電セン
サとなる受光素子５２と、第２の光電センサとなる受光
素子５３と、容器５１の開口側に取り付けられた一対の
棒状の集光レンズ５４，５５と、受光素子５２，５３と
集光レンズ５４，５５との間に介在された抽出スリット
板５６とからなる。抽出スリット板５６には一対のスリ
ット５６１，５６２が形成されている。スリット５６１
は受光素子５２に対置しており、スリット５６２は受光
素子５３に対置している。集光レンズ５４の焦点はスリ
ット５６１の中央にあり、集光レンズ５５の焦点はスリ
ット５６２の中央にある。凸レンズ４７の光軸と集光レ
ンズ５４の光軸とは反射鏡４５の反射面上で交差し、凸
レンズ４８の光軸と集光レンズ５５の光軸とは反射鏡４
６の反射面上で交差する。

【００３５】反射鏡４５から反射された平行光は集光レ
ンズ５４に向かい、反射鏡４６から反射された平行光は
集光レンズ５５に向かう。集光レンズ５４は反射鏡４５
からの反射光をスリット５６１上に集光し、集光レンズ
５５は反射鏡４６からの反射光をスリット５６２上に集
光する。スリット５６１，５６２を通過した光は受光素
子５２，５３によって受光される。スリット５６１，５
６２は外乱光を排除する機能を持つ。

【００３６】図１１に示す４７１は凸レンズ４７による
織布Ｗ上の検知範囲を表し、４８１は凸レンズ４８によ
る織布Ｗ上の検知範囲を表す。凸レンズ４７は検知範囲
４７１から反射した散乱光の一部を平行光に集束し、凸
レンズ４８は検知範囲４８１から反射した散乱光の一部
を平行光に集束する。経糸Ｔの糸配列方向の検知範囲４
７１の幅ｈ１は経糸Ｔの糸配列ピッチＰ以下に設定され
ており、経糸Ｔの糸配列方向の検知範囲４８１の幅ｈ２
は経糸Ｔの糸配列ピッチＰの複数倍程度に設定されてい
る。鎖線で示す位置Ｐ１，Ｐ２は、スリット４９１，４
９２を通過した光の経路と織布Ｗとの交差中心、かつ凸
レンズ４７，４８の焦点中心である。検知範囲４７１か
らの反射散乱光は、凸レンズ４７、反射鏡４５及び集光
レンズ５４からなる第１の光学系によって受光素子５２
へ送られる。検知範囲４８１からの反射散乱光は、凸レ
ンズ４８、反射鏡４６及び集光レンズ５５からなる第２
の光学系によって受光素子５３へ送られる。受光素子５
２，５３は受光量に応じた電気信号を電流−電圧変換回
路２８，２９へ送る。

【００３７】第５の実施の形態では以下の効果が得られ
る。 （１）織布Ｗの表面は細かい凹凸になっており、織布Ｗ
からの反射光は散乱する。各検知範囲４７１，４８１か
ら反射散乱する光を凸レンズ４７，４８によって集める
ことによって得られる光ゲインは、第１の実施の形態の
場合に比して高くなる。しかも、経糸Ｔの糸配列方向の
検知範囲４７１の幅ｈ１が糸配列ピッチＰ以下にしてあ
るため、隣合う経糸配列位置の間の位置における反射光
から得られる信号値と経糸配列位置における反射光から
得られる信号値との差が第１の実施の形態の場合よりも
大きくなる。このような差の大きさは図６の差信号ΔＳ
の振幅を大きくし、第１の実施の形態における基準値Ｖ
の設定が容易となる。即ち、検反有無の判定の精度が一
層高くなる。

【００３８】次に、図１２の第６の実施の形態を説明す
る。第１の実施の形態と同じ構成部には同じ符号が付し
てある。この実施の形態では、受光素子５７は変換電流
信号を電流−電圧変換回路２８に出力し、受光素子５８
は変換電流信号を電流−電圧変換回路２９に出力する。
電流−電圧変換回路２８は受光素子５７から得た変換電
流信号を電圧信号Ｓ１に変換してゲイン調整回路５９に
出力する。電流−電圧変換回路２９は変換電流信号を電
圧信号Ｓ２に変換して差演算回路３０に出力する。ゲイ
ン調整回路５９は電圧信号Ｓ１を比較対象信号Ｓｅに変
換して差演算回路３０に出力する。ゲイン調整回路５９
は織布Ｗに欠点がない場合に受光素子５７から得られる
電気信号Ｓ１と同一レベルに電圧信号Ｓ２を変換する。
この実施の形態では、受光素子５７が第２の光電センサ
となり、受光素子５８が第１の光電センサとなる。

【００３９】この実施の形態においても第１の実施の形
態と同様の高い検反精度が得られる。

【００４０】

【発明の効果】以上詳述したように本発明では、第１の
光電センサにおける検知範囲の織布に対する相対移動方
向の幅と第２の光電センサにおける検知範囲の相対移動
方向の幅とを異ならせ、第１の光電センサから得られる
電気信号と比較対象信号生成手段から得られる比較対象
信号との差を演算して検反有無の判定に供するようにし
たので、照明光、風綿といった外乱の影響を排除して高
精度の検反を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す一部省略正面
図。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。

【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図。

【図４】織布上の検知範囲と制御回路との組み合わせ
図。

【図５】検知範囲の走査領域を示す平面図。

【図６】制御回路における信号処理を説明するグラフ。

【図７】第２の実施の形態を示す織布上の検知範囲と制
御回路との組み合わせ図。

【図８】第３の実施の形態を示す一部省略正面図。

【図９】第４の実施の形態を示す織布上の検知範囲と制
御回路との組み合わせ図。

【図１０】第５の実施の形態を示す一部省略正面図。

【図１１】織布上の検知範囲と制御回路との組み合わせ
図。

【図１２】第６の実施の形態を示す織布上の検知範囲と
制御回路との組み合わせ図。

【符号の説明】

１８…結像レンズ、１９…第１の光学センサとなる受光
素子、２０…第２の光学センサとなる受光素子、１９
１，２０１…検知範囲、３０…差演算手段となる差演算
回路、２２…比較対象信号生成手段となるゲイン調整回
路。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】織布の織り状態を反映する光の受光量に応
   じた電気信号を出力する光電センサを用いて織布の欠点
   を検出する織布検反装置において、 織布上に検知範囲を持つ第１の光電センサと、 織布上に検知範囲を持つ第２の光電センサと、 第２の光電センサから得られる電気信号を第１の光電セ
   ンサから得られる電気信号に対する比較対象信号へ変換
   する比較対象信号生成手段と、 第１の光電センサから得られる電気信号と比較対象信号
   生成手段から得られる比較対象信号との差を演算する差
   演算手段と、 前記差演算手段の演算結果に基づいて欠点有無の判定を
   行なう判定手段とを備え、 第１の光電センサにおける検知範囲の織布に対する相対
   移動方向の幅と第２の光電センサにおける検知範囲の相
   対移動方向の幅とを異ならせた織布検反装置。
2. 【請求項２】第１の光電センサにおける検知範囲の織布
   に対する相対移動方向の幅を前記相対移動方向の糸配列
   ピッチ以下とし、第２の光電センサにおける検知範囲の
   織布に対する相対移動方向の幅を第１の光電センサにお
   ける検知範囲の相対移動方向の幅よりも大きくした請求
   項１に記載の織布検反装置。
3. 【請求項３】前記一対の検知範囲から反射する光を単一
   の光学系によって第１及び第２の光電センサへ送るよう
   にした請求項１及び請求項２のいずれか１項に記載の織
   布検反装置。
4. 【請求項４】前記単一の光学系は１つの結像レンズであ
   り、結像レンズは、前記一対の検知範囲の一方の像を第
   １の光電センサ上に結像すると共に、他方の像を第２の
   光電センサ上に結像する請求項３に記載の織布検反装
   置。
5. 【請求項５】前記一対の検知範囲の一方から反射する光
   を第１の光学系によって第１の光電センサへ送ると共
   に、他方から反射する光を第２の光学系によって第２の
   光電センサへ送るようにした請求項１及び請求項２のい
   ずれか１項に記載の織布検反装置。