JPH09213728A - 半導体装置およびその製造に使用される成形装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アウタリードの本数を増加する。 【解決手段】 樹脂封止体を成形するキャビティーが合
わせ面に形成された上型または下型の一コーナー部に面
取り部４５を成形する面取り部成形部が形成され、この
面取り部成形部にキャビティーの厚さ方向に長いゲート
が開設されているトランスファ成形装置によって成形さ
れたＱＦＰ・ＩＣ２９の樹脂封止体２６は、一コーナー
部に面取り部４５が形成され、面取り部４５には縦長の
ゲート痕４６が形成された状態になり、面取り部４５の
横幅が小さくなった分だけアウタリードの本数が増加さ
れた状態になっている。 【効果】 縦長のゲートは横幅が小さくてもレジンをキ
ャビティーに充分に注入でき、他方、ゲート横幅縮小
で、面取り部成形部の横幅を縮小でき、その分、樹脂封
止体２６の一辺長を長くでき、アウタリードの本数を増
やせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、表面実装形樹脂封止パッケージを備えてい
る半導体集積回路装置の製造技術に関するもので、例え
ば、多ピンで小型かつ低価格化が要求される半導体集積
回路装置（以下、ＩＣという。）に利用して有効なもの
に関する。

【０００２】

【従来の技術】多ピンで小型かつ低価格のＩＣとして、
クワッド・フラット・パッケージを備えているＩＣ（以
下、ＱＦＰ・ＩＣという。）が広く知られている。すな
わち、ＱＦＰ・ＩＣのパッケージは絶縁性を有する樹脂
が使用されて四辺形の平盤形状に成形された樹脂封止体
と、樹脂封止体の四辺から直角に突出されてガル・ウイ
ング形状に屈曲された複数本のアウタリードとを備えて
いる。樹脂封止体の内部には半導体素子を含む集積回路
が作り込まれた半導体ペレット（以下、ペレットとい
う。）と、ペレットに電気的に接続されて各アウタリー
ドにそれぞれ一体的に連結された複数本のインナリード
とが樹脂封止されている。

【０００３】このＱＦＰ・ＩＣの樹脂封止体を成形する
従来のトランスファ成形装置においては、四辺形に形成
されたキャビティーのコーナー部にキャビティーに成形
材料としてのレジン（樹脂）を注入するためのゲートが
配設されている。そして、樹脂封止体の成形後に樹脂封
止体にゲートを通じて一体的に成形された状態になる残
滓成形体をゲートの位置で確実に切り離すために、ＱＦ
Ｐ・ＩＣの樹脂封止体を成形するキャビティーにおける
ゲートが配設されるコーナー部には面取り部成形部が形
成されている。

【０００４】また、ＱＦＰ・ＩＣの樹脂封止体を成形す
る従来のトランスファ成形装置においては、樹脂封止体
を成形するためのキャビティーが上型と下型との合わせ
面に形成されているため、ゲートは合わせ面においてキ
ャビティーの周方向に長く（横長）なるように開設され
ている。

【０００５】なお、ＩＣのパッケージを成形するトラン
スファ成形技術を述べてある例としては、株式会社日経
ＢＰ社１９９３年５月３１日発行「実践講座ＶＬＳＩパ
ッケージング技術（下）」Ｐ３５〜Ｐ４１、がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＱＦＰ・ＩＣの樹脂封止体を成形するトランスファ成形
装置においては、キャビティーのコーナー部に形成され
た面取り部成形部にゲートが横長に開設されているた
め、ＱＦＰ・ＩＣのパッケージにおけるコーナー部にア
ウタリードを配置することができなくなり、その分、ピ
ン数が減少するという問題点がある。

【０００７】本発明の目的は、アウタリードの本数を増
加することができる半導体装置の製造技術を提供するこ
とにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１０】すなわち、半導体装置の樹脂封止体を成形
する成形装置は、樹脂封止体を成形するキャビティーが
合わせ面に形成された上型および下型を備えており、上
型または下型の一コーナー部には面取り部を成形する面
取り部成形部が形成され、この面取り部成形部にはキャ
ビティーの厚さ方向に長いゲートが開設されている。

【００１１】前記した手段によれば、ゲートの周方向の
寸法を小さくしてもレジンをキャビティーに充分に注入
することができる。他方、ゲートの周方向の寸法を小さ
くすることにより、面取り部成形部の周方向の寸法を小
さく設定することができるため、面取り部成形部が小さ
くなった分だけアウタリードを余計に配置することがで
きる。

【００１２】つまり、前記した成形装置によって成形さ
れた半導体装置の樹脂封止体は、一コーナー部に面取り
部が形成され、この面取り部には樹脂封止体の厚さ方向
に長いゲート痕が形成された状態になり、面取り部の周
方向の幅が小さくなった分だけアウタリードの本数が増
加された状態になっている。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
ＱＦＰ・ＩＣを示しており、（ａ）は全体斜視図、
（ｂ）はその拡大部分斜視図である。図２以降はそのＱ
ＦＰ・ＩＣの製造方法を示す各説明図である。

【００１４】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置はＱＦＰ・ＩＣとして構成されており、このＱＦＰ
・ＩＣのパッケージは図１に示されているように構成さ
れている。すなわち、ＱＦＰ・ＩＣ２９のパッケージは
絶縁性を有する樹脂が使用されて四辺形の平盤形状に成
形された樹脂封止体２６と、樹脂封止体２６の四辺から
直角に突出されてガル・ウイング形状に屈曲された複数
本のアウタリード２０とを備えており、樹脂封止体２６
の一コーナー部に形成された面取り部４５には樹脂封止
体２６の厚さ方向に長いゲート痕４６が形成された状態
になり、面取り部４５の周方向の幅が小さくなった分だ
けアウタリード２０の本数が増加された状態になってい
る。そして、このＱＦＰ・ＩＣは次に説明される製造方
法によって製造されている。

【００１５】以下、本発明の一実施形態であるＱＦＰ・
ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記ＱＦ
Ｐ・ＩＣについての構成の詳細が共に明らかにされる。

【００１６】本実施形態において、ＱＦＰ・ＩＣの製造
方法には、図２に示されている多連リードフレーム１１
が使用されており、この多連リードフレーム１１は多連
リードフレーム成形工程によって製作されて準備されて
いる。この多連リードフレーム１１は、鉄−ニッケル合
金や燐青銅等の比較的大きい機械的強度を有するばね材
料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工また
はエッチング加工等の適当な手段により一体成形されて
いる。多連リードフレーム１１の表面には銀（Ａｇ）等
を用いためっき処理が、後述するワイヤボンディングが
適正に実施されるように部分的または全体的に施されて
いる（図示せず）。この多連リードフレーム１１には複
数の単位リードフレーム１２が横方向に１列に並設され
ている。但し、説明および図示は一単位について行われ
る。

【００１７】単位リードフレーム１２は位置決め孔１３
ａが開設されている外枠１３を一対備えており、両外枠
１３は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム１
２、１２間には一対のセクション枠１４が両外枠１３、
１３間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠、セクション枠により形成される略正方
形の枠体（フレーム）内に単位リードフレーム１２が構
成されている。

【００１８】各単位リードフレーム（以下、リードフレ
ームという。）１２において、外枠１３およびセクショ
ン枠１４の接続部にはダム吊り部材１５が略直角方向に
それぞれ配されて一体的に突設されており、ダム吊り部
材１５には４本のダム部材１６が略正方形の枠形状にな
るように配されて一体的に吊持されている。正方形の４
箇所のコーナー部のうち一箇所のコーナー部に配置され
た一対のダム吊り部材１５ａ、１５ｂはそれぞれ４５度
の方向に延設されており、この両ダム吊り部材１５ａ、
１５ｂ間の間隙によって後述するゲートを配置するため
のゲート配置部２１が形成されている。

【００１９】セクション枠１４側の各ダム部材１６には
タブ吊りリード１７がそれぞれの一端に配されて、略４
５度の方向に対向して一体的に突設されており、各タブ
吊りリード１７の先端には正方形の平板形状に形成され
たタブ１８が、４本のダム部材１６による枠形状と略同
心的に配されて、これらタブ吊りリード１７により吊持
されるように一体的に連設されている。各タブ吊りリー
ド１７はタブ１８の付近においてそれぞれ屈曲されてお
り、このタブ吊りリード１７の屈曲によって、タブ１８
は後記するインナリード群の面よりも、後記するペレッ
トの厚さ分程度下げられている（所謂タブ下げ。）。

【００２０】また、各ダム部材１６の内側端辺にはイン
ナリード１９が複数本、長手方向に等間隔に配されて互
いに平行でダム部材１６と直交するように一体的に突設
されており、各ダム部材１６における各インナリード１
９の先端部はタブ１８の外周に近接した状態で略一直線
に揃うように敷設されている。他方、各ダム部材１６の
外側端辺にはアウタリード２０が複数本、各インナリー
ド１９に一連に連続するように一体的に突設されてお
り、各ダム部材１６における各アウタリード２０の先端
部は外枠１３およびセクション枠１４にそれぞれ接続さ
れている。各ダム部材１６における隣り合うアウタリー
ド２０、２０間の部分は、後述する樹脂封止体成形時に
レジンの流れをせき止めるダム１６ａを実質的に構成し
ている。

【００２１】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム１１には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。

【００２２】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、ＩＣの製造工程における所謂前工程において半導体
素子を含む集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造
物としてのペレット２３が、図３に示されているよう
に、各単位リードフレーム１２におけるタブ１８上の略
中央部に配されて、タブ１８とペレット２３との間に形
成されたボンディング層２２によって機械的に固着され
ることによりボンディングされる。ボンディング層２２
の形成手段としては、銀ペースト接着層によるボンディ
ング法を用いることが可能である。

【００２３】次に、ワイヤボンディング作業により、図
３に示されているように、タブ１８上にボンディングさ
れたペレット２３の電極としてのボンディングパッド２
３ａと、各単位リードフレーム１２におけるインナリー
ド１９との間に、ワイヤ２４が超音波熱圧着式ワイヤボ
ンディング装置等のワイヤボンディング装置（図示せ
ず）が使用されることにより、その両端部をそれぞれボ
ンディングされて橋絡される。これにより、ペレット２
３に作り込まれている半導体素子を含む集積回路は、ボ
ンディングパッド２３ａ、ワイヤ２４、インナリード１
９およびアウタリード２０を介して電気的に外部に引き
出されることになる。

【００２４】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・
ボンディングされた組立体（以下、成形ワークとい
う。）２５には各単位リードフレーム毎に樹脂封止体
が、図４〜図６に示されているトランスファ成形装置３
０が使用されて各単位リードフレームについて同時成形
される。

【００２５】図４〜図６に示されているトランスファ成
形装置３０はシリンダ装置等（図示せず）によって互い
に型締めされる一対の上型３１と下型３２とを備えてい
る。上型３１と下型３２との合わせ面には上型キャビテ
ィー凹部３３ａと下型キャビティー凹部３３ｂとが複数
組、互いに協働してキャビティー３３を形成するように
それぞれ没設されている。但し、図示および説明は多連
リードフレームと同様に一単位について行われている。
このキャビティー３３は成形ワーク２５におけるリード
フレーム１２のダム部材１６が画成する正方形に対応さ
れている。キャビティー３３の全高は成形ワーク２５の
全高よりも僅かに大きく設定されている。上型キャビテ
ィー凹部３３ａの深さは、成形ワーク２５におけるワイ
ヤ２４のリードフレーム１２からの上方突出高さよりも
僅かに大きくなるように設定されている。下型キャビテ
ィー凹部３３ｂの深さは、底面が成形ワーク２５におけ
るタブ１８の下面から僅かに離れるように設定されてい
る。

【００２６】下型３２の合わせ面にはポット３４が開設
されており、ポット３４にはシリンダ装置（図示せず）
により進退されるプランジャ３５が成形材料としての樹
脂（レジン）を送給し得るように挿入されている。上型
３１の合わせ面にはカル３６がポット３４との対向位置
に配されて没設されているとともに、互いに連通された
メインランナ３７およびサブランナ３８がメインランナ
３７の一端をカル３６に接続されて没設されている。サ
ブランナ３８の他端は上側キャビティー凹部３３ａにお
ける後記する所定のコーナー部に形成されたゲート３９
に接続されており、ゲート３９はレジンをキャビティー
３３内に充分に注入し得るように縦長に形成されてい
る。

【００２７】下型３２の合わせ面における上型３１のゲ
ート３９と対向する位置には後記する面取り部成形部を
収容するための収容穴４０が、その深さが下型キャビテ
ィー凹部３３ｂに一体的に連続するように没設されてい
る。この収容穴４０が没設されていることにより、下型
キャビティー凹部３３ｂのゲート３９と対向するコーナ
ー部はＣ面取りされたように角を切り欠かれて開口した
状態になっている。収容穴４０は平面形状が長方形で一
定深さの穴形状に形成されており、面取り部成形部の形
状に対応されている。

【００２８】上型３１の合わせ面におけるゲート３９が
配置されたコーナー部には、縦長のゲート３９を開設す
るための面取り部成形部４１が突設されている。面取り
部成形部４１は平面形状が長方形の略直方体に形成され
ており、下型３２に没設された収容穴４０に嵌入するこ
とによって収容穴４０を丁度埋め戻すようになってい
る。また、面取り部成形部４１はコーナー部において上
型キャビティー凹部３３ａの対角線上に延在されてお
り、面取り部成形部４１の対角線上の内側側面（以下、
面取り面という。）４２が対角線に直交した状態になる
ことにより、上型キャビティー凹部３３ａのゲート３９
が配置されたコーナー部はＣ面取りされたように角を切
り欠かれた状態になっている。面取り部成形部４１の面
取り面４２は上型キャビティー凹部３３ａの底から開口
方向に向かって次第に広がる傾斜面に形成されていると
ともに、面取り面４２の両側稜線が上型キャビティー凹
部３３ａの底から開口方向に行くに従って次第に広がる
テーパ形状に形成されている。

【００２９】面取り部成形部４１の面取り面４２にはゲ
ート３９が上型キャビティー凹部３３ａの底から開口方
向（以下、縦方向とする。）に長い台形形状に開設され
ており、ゲート３９の台形の長辺側は面取り部成形部４
１の収容穴４０の方を向く主面（以下、下面とする。）
４３において開口した状態になっている。縦長のゲート
３９の断面積はレジンをキャビティー３３に従来のトラ
ンスファ成形装置における横長のゲートと同等に注入し
得るように設定されている。したがって、ゲート３９が
縦方向に長く形成されている分だけ、横方向の寸法が小
さく設定されている。ゲート３９の横方向の寸法が小さ
く設定されているため、ゲート３９が開けられた面取り
面４２の横方向の寸法が小さく設定されている。そし
て、キャビティー３３のコーナー部に面取り部を成形す
る面取り面４２の横方向の寸法が小さく設定されている
分だけ、そのコーナー部において直交するキャビティー
３３の二辺の長さが長くなるため、前記したリードフレ
ーム１２においてはアウタリード２０の本数を増加させ
ることができる。

【００３０】面取り部成形部４１の下面４３にはサブラ
ンナ３８がゲート３９と連続する溝形状に没設されてい
る。すなわち、サブランナ３８は面取り面側端において
ゲート３９に流体連結されており、また、反対側端にお
いてメインランナ３７に流体連結されている。

【００３１】次に、前記構成に係るトランスファ成形装
置３０による成形ワーク２５への樹脂封止体２６の成形
方法について説明する。

【００３２】トランスファ成形に際して、成形ワーク２
５は多連リードフレーム１１が下型３２に没設されてい
る逃げ凹所内に収容され、各リードフレーム１２におけ
るペレット２３が各下型キャビティー凹部３３ｂにそれ
ぞれ収容されるように配されてセットされる。このセッ
ト状態において、リードフレーム１２の一コーナー部に
形成されたゲート配置部２１は下型キャビティー凹部３
３ｂの一コーナー部に没設された収容穴４０に配置され
た状態になる。

【００３３】続いて、上型３１と下型３２とが型締めさ
れる。型締めされると、リードフレーム１２のダム部材
１６の周りは上型３１と下型３２の合わせ面間で上下か
ら挟まれた状態になる。また、上型３１の合わせ面に突
設された面取り部成形部４１は下型３２の合わせ面に没
設された収容穴４０に、リードフレーム１２のゲート配
置部２１を挿通して嵌入された状態になり、面取り部成
形部４１の下面４３は収容穴４０の底面に当接した状態
になる。この状態において、下型キャビティー凹部３３
ｂのコーナー部に収容穴４０によって開いた開口は面取
り部成形部４１によって閉塞された状態になるため、上
型キャビティー凹部３３ａと下型キャビティー凹部３３
ｂとによって形成されたキャビティー３３は、実質的に
完全に密封された状態になる。また、キャビティー３３
において面取り部成形部４１が位置するコーナー部には
面取り面４２によってＣ面取り部が形成された状態にな
る。

【００３４】次いで、図６に示されているように、成形
材料としてのレジン４４がポット３４からプランジャ３
５によりメインランナ３７、サブランナ３８およびゲー
ト３９を通じてキャビティー３３に送給されて注入され
る。面取り部成形部４１に没設されたサブランナ３８を
流通するレジン４４は下型３２の底面に沿って流れ、面
取り部成形部４１の面取り面４２に開設された縦長のゲ
ート３９を通ってキャビティー３３内に注入される。こ
のとき、縦長のゲート３９の断面積は従来のトランスフ
ァ成形装置における横長のゲートと同等に設定されてい
るため、レジン４４はキャビティー３３に適正に充填さ
れることになる。

【００３５】そして、樹脂封止体２６はレジン４４がキ
ャビティー３３に充填されるとともに、レジン４４が熱
硬化されることにより樹脂成形される。樹脂封止体２６
が樹脂成形された後に、上型３１および下型３２は型開
きされる。この型開きと同時に、樹脂封止体２６は上型
３１および下型３２に対してエジェクタ・ピン（図示せ
ず）により突き上げられて離型される。

【００３６】以上のようにして成形ワーク２５に樹脂封
止体２６が樹脂成形されて離型された状態において、図
７に示されている成形品２７が製造された状態になる。
この成形品２７におけるペレット２３、インナリード１
９、ワイヤ２４は、樹脂封止体２６の内部に樹脂封止さ
れた状態になっている。そして、樹脂封止体２６の一コ
ーナー部には面取り部成形部４１によって面取り部４５
が成形され、この面取り部４５には後記する残滓成形体
２８が縦長のゲートの部位において連結された状態にな
っている。

【００３７】詳細な説明および図示は省略するが、レジ
ンをキャビティーにトランスファするためのカルやラン
ナおよびゲートに充填して成形した残滓成形体２８は、
残滓成形体２８と樹脂封止体２６との境目であるゲート
３９の位置でチョコレートブレーキングされて除去され
る。ゲート３９が縦長に形成されていたため、このブレ
ーキングに際して、残滓成形体２８はゲート３９が薄い
方向すなわち横方向に折られることになる。そして、残
滓成形体２８がゲート３９において折られると、樹脂封
止体２６の面取り部４５には縦長のゲート痕４６が形成
された状態になる。

【００３８】その後、はんだめっき工程において、成形
品２７は樹脂封止体２６からの露出面全体にわたっては
んだめっき被膜（図示せず）を被着される。次いで、成
形品２７はリード切断成形工程において、ダム部材１６
が隣合うアウタリード２０、２０間において切り落とさ
れ、各アウタリード２０は外枠１３およびセクション枠
１４から切り離された後に、ガルウイング形状に屈曲成
形される。

【００３９】以上のようにして図１に示されている前記
構成に係るＱＦＰ・ＩＣ２９が製造されたことになる。

【００４０】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 （１） ＱＦＰ・ＩＣの樹脂封止体を成形するトランス
ファ成形装置のキャビティーにおけるコーナー部に面取
り部成形部を形成するとともに、面取り部成形部にゲー
トを縦長に形成することにより、面取り部成形部の周方
向の寸法を小さくしてもレジンをキャビティーに充分に
注入することができるため、樹脂封止体を適正に成形す
ることができる。

【００４１】（２） 他方、ゲートの周方向の寸法を小
さくすることにより、キャビティーにおける面取り部成
形部の周方向の寸法を小さく設定することができるた
め、面取り部成形部の寸法が小さくなった分だけキャビ
ティーの一辺の長さを長くすることができ、その結果、
アウタリードを余計に配置することができる。

【００４２】（３） 前記（２）のトランスファ成形装
置によって成形されたＱＦＰ・ＩＣの樹脂封止体は面取
り部の周方向の幅が小さくなった分だけアウタリードの
本数が増加された状態になっているため、多ピン化する
ことができる。

【００４３】図８は本発明の他の実施形態である低熱抵
抗形ＱＦＰ・ＩＣを示しており、（ａ）は全体斜視図、
（ｂ）は拡大部分斜視図である。

【００４４】本実施形態２が前記実施形態１と異なる点
は、低熱抵抗形ＱＦＰ・ＩＣ２９Ａの樹脂封止体２６に
おけるコーナー部に形成された面取り部４５からヒート
シンク４７の一部が放射状に突出されており、このヒー
トシンク４７の上面に縦長のゲート痕４６Ａの一部が接
触されている点にある。

【００４５】図示しないが、この低熱抵抗形ＱＦＰ・Ｉ
Ｃ２９Ａの樹脂封止体２６を成形するトランスファ成形
装置において、面取り部成形部にはヒートシンクの一部
が縦長のゲートの一部を挿通してキャビティーから突出
した状態になる。

【００４６】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４７】例えば、縦長のゲートは縦に長い台形形状
に形成するに限らず、縦に長い半分の楕円形等に形成し
てもよい。

【００４８】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＱＦＰ
・ＩＣに適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、ＱＦＪ・ＩＣ、ＱＦＩ・ＩＣ等の
ような表面実装形樹脂封止パッケージを備えたＩＣ、さ
らには、そのパッケージを備えたパワートランジスタ
や、その他の電子装置全般に適用することができる。特
に、本発明は多ピンで小型かつ低価格の半導体装置に利
用して優れた効果が得られる。

【００４９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５０】縦長のゲートをキャビティーのコーナー部
の面取り部成形部に配置することにより、ゲートの周方
向の寸法（横幅）を小さくしてもレジンをキャビティー
に充分に注入することができる。他方、ゲートの横幅を
小さくすることにより、ゲートが設けられたコーナー部
の面取り部の横幅を小さくできるため、キャビティーの
一辺の長さを長くすることができ、その結果、樹脂封止
体に配されるアウタリードの本数を増加することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるＱＦＰ・ＩＣを示して
おり、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は拡大部分斜視図で
ある。

【図２】そのＱＦＰ・ＩＣの製造方法に使用される多連
リードフレームを示す一部省略平面図である。

【図３】その製造方法におけるペレットおよびワイヤ・
ボンディング工程後を示す一部省略拡大平面図である。

【図４】そのＱＦＰ・ＩＣの樹脂封止体の成形に使用さ
れるトランスファ成形装置における下型を示す一部省略
平面図である。

【図５】同じく上型を示しており、（ａ）は一部省略底
面図、（ｂ）は（ａ）の面取り部成形部の拡大部分斜視
図である。

【図６】同じく成形途中を示しており、（ａ）は正面断
面図、（ｂ）は対角線に沿う側面断面図である。

【図７】樹脂封止体成形後を示す一部省略平面図であ
る。

【図８】本発明の他の実施形態である低熱抵抗形ＱＦＰ
・ＩＣを示しており、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は拡
大部分斜視図である。

【符合の説明】

１１…多連リードフレーム、１２…単位リードフレー
ム、１３…外枠、１４…セクション枠、１５…ダム吊り
部材、１６…ダム部材、１６ａ…ダム、１７…タブ吊り
リード、１８…タブ、１９…インナリード、２０…アウ
タリード、２１…ゲート配置部、２２…ボンディング
層、２３…ペレット、２３ａ…ボンディングパッド（電
極）、２４…ワイヤ、２５…成形ワーク、２６…樹脂封
止体、２７…樹脂封止体成形後の成形品、２８…残滓成
形体、２９、２９Ａ…ＱＦＰ・ＩＣ（表面実装形樹脂封
止パッケージを備えている半導体装置）、３０…トラン
スファ成形装置、３１…上型、３２…下型、３３…キャ
ビティー、３３ａ…上型キャビティー凹部、３３ｂ…下
型キャビティー凹部、３４…ポット、３５…プランジ
ャ、３６…カル、３７…メインランナ、３８…サブラン
ナ、３９…ゲート、４０…収容穴、４１…面取り部成形
部、４２…面取り面、４３…下面、４４…レジン、４５
…面取り部、４６、４６Ａ…ゲート痕、４７…ヒートシ
ンク。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中條 卓也 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 武藤 邦治 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 土屋 純一 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ペレットと、半導体ペレットに電
   気的に接続された複数本のインナリードと、各インナリ
   ードにそれぞれ一体的に連結された各アウタリードと、
   半導体ペレットおよびインナリード群を樹脂封止する樹
   脂封止体とを備えており、樹脂封止体が四辺形の平盤形
   状に形成され、アウタリード群が樹脂封止体の四辺から
   それぞれ引き出されている半導体装置において、 前記樹脂封止体の一コーナー部に面取り部が形成されて
   おり、この面取り部には樹脂封止体の厚さ方向に長いゲ
   ート痕が形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記面取り部に金属片が埋設されてお
   り、前記ゲート痕の一部が金属片に接触していることを
   特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置の製造に使
   用される成形装置であって、 前記樹脂封止体を成形するキャビティーが合わせ面に形
   成された上型および下型を備えており、上型または下型
   の一コーナー部には前記面取り部を成形する面取り部成
   形部が形成されているとともに、この面取り部成形部に
   はキャビティーの厚さ方向に長いゲートが開設されてい
   ることを特徴とする成形装置。
4. 【請求項４】 前記面取り部成形部に金属片が挿通され
   ており、この金属片の一部に前記ゲートが接触されてい
   ることを特徴とする請求項３に記載の成形装置。