JPH09211868A - Ｔ字形状断面を有するホトレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上にホトレジスト層を設けた感光材料を
用い、Ｔ字形状断面をもつレジストパターンを形成させ
る。 【解決手段】 基板上に設けたホトレジスト層を画像担
持透明シートでマスクし、基板と接するホトレジスト層
のボトム部分が実質的に不溶化するのに必要な露光量の
１５〜６０％に相当する露光量で不完全画像形成露光し
たのち、露光したホトレジスト層の基板と接するボトム
部分が完全に溶解脱離するのに要する現像時間の４０〜
８５％に相当する現像時間で現像処理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にホトレジ
スト層を設けた感光材料を用いて、特殊な断面形状を有
するレジストパターンを製造する方法に関するものであ
る。さらに詳しくいえば、本発明は基板上にホトレジス
ト層を設けた感光材料を用い、露光量及び現像時間を調
節することにより、Ｔ字形状断面をもつレジストパター
ンを形成させる方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に半導体集積回路、ホトマスク、フ
ラットパネルディスプレーなどの製造には、ネガ型ホト
レジストを用いたホトリソグラフィー法が利用されてい
るが、最近、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩなど各種デバイス
の集積度の著しい向上とともに、線幅や線間隔の非常に
小さい微細パターンを高い精度で形成させることへの要
求が高まってきている。

【０００３】ところで、このホトリソグラフィー法の中
で、微細な金属パターンを精度よく形成しうるという点
でリフトオフ法が知られている。このリフトオフ法は、
基板の上にそれぞれ異なった組成を有する２種のホトレ
ジスト組成物から成る２層のホトレジスト層を設け、こ
れをマスクを通して画像形成露光したのち、先ず表面の
ホトレジスト層の未露光部分を選択的に溶解除去し、次
いで現像液を変えて基板に接するホトレジスト層を過度
に現像し、Ｔ字形状断面を有するレジストパターンを形
成させる方法であり、このようにして得られたレジスト
パターンの上方から全面に金属の蒸着処理を行うとＴ字
形状の上部ひさし部分の裏側に相当する基板表面には金
属は付着しないで、ひさし部分上面とレジスト線の間に
のみ金属膜が形成されるので、その後で残留しているホ
トレジストパターンを溶解除去すれば、微細な金属パタ
ーンが得られる。

【０００４】しかしながら、このリフトオフ法は、２種
の異なった組成のホトレジスト組成物と、それぞれに対
して選択的な溶解性を示す２種の現像液を必要とする上
に、感光膜の形成及び現像処理を２回ずつ行わなければ
ならないため、操作が煩雑になるのを免れず、工業的方
法としては不適当である。

【０００５】このようなリフトオフ法の欠点を克服する
ために、使用するホトレジストとして短波長紫外光の吸
収が大きいベンゼン環を有するものを用いてホトレジス
ト層を形成させ、これに短波長紫外光を照射し現像する
ことによって、単一のホトレジストを用い、単一の現像
処理で逆台形状断面を有するホトレジストパターンを形
成する方法（特開昭５７−３０８２９号公報）や、露光
又は露光後の熱処理によって架橋する成分、アルカリ可
溶性樹脂及び露光する光線を吸収する化合物を含むホト
レジストを用いてオーバーハング状又は逆テーパー状断
面を有するホトレジストパターンを形成させる方法（特
開平５−１６５２１８号公報）などが提案されている。
しかしながら、これらの方法では、Ｔ字形状断面のレジ
ストパターンを得ることができないため、マスクパター
ンに忠実な微細金属パターンを形成させることは困難で
利用分野が制限されるのを免れない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、Ｔ字形
状断面を有するホトレジストパターンを形成させる方法
について鋭意研究を重ねた結果、画像形成の際の露光量
と現像の際の現像率とを適切に制御することにより、き
わめて正確なＴ字形状断面をもつパターンが得られるこ
と、及びこの際パターンを形成するホトレジストとし
て、露光量と不溶化速度との間で所定の露光量に達した
ときに急速な不溶化速度を示すネガ型ホトレジスト組成
物を用いれば特に良好なものが得られることを見出し、
この知見に基づいて本発明をなすに至った。

【０００７】すなわち、本発明は、基板上に設けたホト
レジスト層を画像担持透明シートでマスクし、基板と接
するホトレジスト層のボトム部分が実質的に不溶化する
のに必要な露光量の１５〜６０％に相当する露光量で不
完全画像形成露光したのち、露光したホトレジスト層の
基板と接するボトム部分が完全に溶解脱離するのに要す
る現像時間の４０〜８５％に相当する現像時間で現像処
理することを特徴とするＴ字形状断面を有するホトレジ
ストパターンの製造方法を提供するものである。

【０００８】なお、本発明方法にいう感光材料とは、電
子線、エキシマレーザー、Ｘ線などの放射線に感応する
材料をすべて包含し、露光量とはこれらの放射線につい
てはその暴露量を意味する。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明方法において用いられる感
光材料の基板としては、一般にホトリソグラフィー法に
より加工する際に用いられる基板例えばシリコンウエー
ハ、絶縁膜、各種金属シートのほか、ガラス、使用する
現像液に不溶のプラスチックシートなどを挙げることが
できる。

【００１０】次にこの基板上に層状に設けられるホトレ
ジストとしては、２００〜５００ｎｍの波長を有する短
波長紫外線、ｉ線、ｇ線、エキシマレーザ及びＸ線、電
子線などの放射線に感応するネガ型ホトレジストの中か
ら任意に選ぶことができる。これらのホトレジストの中
で、正確なＴ字形状断面を与えるという点で、特にアル
カリ現像可能なものが有利である。

【００１１】このようなネガ型ホトレジストとしては、
例えばフェノール性水酸基をもつポリマー又はこのポリ
マーに芳香族アシド化合物を添加したものが用いられ
る。上記のフェノール性水酸基をもつポリマーの例とし
ては、ポリヒドロキシスチレン類、フェノール類又はク
レゾール類とアルデヒド類との付加縮合物、ポリヒドロ
キシベンザール、ポリイソプロペニルフェノールなどを
挙げることができるし、また上記の芳香族アジド化合物
の例としては、４，４′‐ジアジドジフェニルスルフィ
ド、４，４′‐ジアジドジフェニルスルホン、３，３′
‐ジアジドフェニルスルホン、４，４′‐ジアジドジフ
ェニルメタン、３，３′‐ジクロロ‐４，４′‐ジアジ
ドジフェニルメタン、４，４′‐ジアジドジフェニルエ
ーテル、４，４′‐ジアジドジベンジルなどを挙げるこ
とができる。

【００１２】さらに最近、電子デバイスの集積化の要求
にこたえるために、微細パターン形成用の各種ネガ型ホ
トレジストが開発されているが、本発明においてはこれ
らを用いるのが特に有利である。

【００１３】このようなものの例としては、ポリ（α‐
メチルスチレン）をクロロメチル化したものを主成分と
したホトレジスト、アルカリ可溶性ポリビニルフェノー
ル及びアジドカルコンの組み合せを含むホトレジスト、
アルカリ可溶性ポリビニルフェノール及びアジドシンナ
ムアルデヒドとイソホロンとの縮合物の組み合せを含む
ホトレジスト、アルカリ可溶性ポリビニルフェノールと
アジドジフェニルスルホンとの組み合せを含むホトレジ
スト、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド
との組み合せを含むホトレジスト、アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂と光により酸を発生する化合物と酸により架
橋を形成する化合物を含む光感応型ホトレジストのほ
か、特開平４−１３６８６０号公報に記載されているク
レゾールノボラック樹脂とトリアジン化合物とアルコキ
シメチル化尿素との組み合せを含むネガ型放射線感応性
ホトレジスト組成物、特開平４−１３６８５８号公報及
び特開平４−１３６８５９号公報に記載されているヒド
ロキシスチレンの重合体又は共重合体あるいはこれらの
部分変性体とトリアジン化合物とアルコキシメチル化ア
ミノ樹脂との組み合せを含むネガ型放射線感応性組成
物、特開平５−１６５２１８号公報に記載されているア
ルカリ可溶性樹脂と、光架橋性成分と光吸収性成分との
組み合せを含むネガ型感光性組成物などがある。

【００１４】そして、これらの中で、好適なのは、露光
量と不溶化速度との間で所定の露光量に達したときに急
速な不溶化速度を示す関係を有する組成物である。

【００１５】本発明方法で用いるホトレジストには、前
記したアルカリ可溶性樹脂と感光成分のほかに、ネガ型
ホトレジストに慣用されている添加剤例えば熱硬化性樹
脂、増感剤、可塑剤、安定剤、界面活性剤、染料を含有
させることができる。

【００１６】これらのホトレジストは、常法に従い適当
な溶剤に溶かし、基板上に塗布したのち、溶剤を除去す
ることによって、通常０．５〜５０μｍの範囲の厚さの
層として形成されるが、この層厚は、使用目的に応じ、
それよりも薄くしてもよいし、またさらに厚くすること
もできる。

【００１７】次に、本発明方法においては、このように
して形成されたホトレジスト層を画像担持透明シートで
マスクし、画像形成露光するが、この際の露光量を、基
板と接するホトレジスト層のボトム部分が実質的に不溶
化するのに必要な露光量Ｑに基づき、１５〜６０％に相
当する露光量Ｑ′、すなわち ０．１５Ｑ≦Ｑ′≦０．６０Ｑ の範囲で不完全露光することが必要である。

【００１８】これよりも露光量が少ないと、現像処理後
に形成されるレジストパターンの上部が薄いひさし状に
なるために、リフトオフ法として利用する場合、後続の
金属蒸着工程の際ひさし状部分に蒸着した金属層が垂れ
下がり、基板上に形成される金属層と接触して目的が達
成されなくなるし、またこれよりも露光量が多くなる
と、現像の際Ｔ字形状断面が円滑に形成されないし、形
成されるとしても長時間を要し、実用的でない。

【００１９】この露光量ＱとＱ′の関係は同一出力の光
源を用いる場合には露光時間に置き換えることができ
る。すなわち、基板と接するホトレジスト層のボトム部
分が実質的に不溶化するのに必要な露光時間をＴ₁、実
際に使用される露光時間をＴ₁′とすると ０．１５Ｔ₁≦Ｔ₁′≦０．６０Ｔ₁ の関係が成り立つので、実際に必要な露光量Ｑ′は、露
光時間Ｔ₁′を測定することによって決めることができ
る。

【００２０】本発明方法における露光量Ｑ′又は露光時
間Ｔ₁′は、例えば露光後の感光材料をそのホトレジス
ト用現像液に浸せきし、所定時間経過後、そのレジスト
パターン断面を電子顕微鏡で観察し、それの側辺が実質
上垂直になるまでの時間Ｔ₁を測定し、その経過時間Ｔ₁
の１５〜６０％の範囲内で選ぶことによって容易に設定
することができる。ここで実質上とは、レジストパター
ンのボトム部分がわずかに溶解して、側辺が正確な直線
になっていない場合を許容するという意味である。

【００２１】図１は、本発明における露光量Ｑと形成さ
れるレジストパターン断面の形状との関係の１例を示し
たもので、レジストパターンを形成させたときにレジス
ト層の基板に接するボトム部分が実質的に不溶化するま
での露光量Ｑに対する露光量Ｑ′の割合を１０〜９０％
とし、現像して得られたレジストパターンの断面形状を
模式的に図示したものである。

【００２２】このようにして、画像形成露光されたホト
レジスト層は、次いで現像処理されるが、本発明方法に
おいては、この現像を、前記した露光条件で得たレジス
トパターンの基板に接するボトム部分が完全に溶解し、
レジスト部分と基板とが脱離するのに要した時間Ｔ₂に
対し、４０〜８５％に相当する範囲内の時間Ｔ₂′、す
なわち ０．４０Ｔ₂≦Ｔ₂′≦０．８５Ｔ₂ の条件下で現像することが必要である。

【００２３】これよりも現像時間が短かいとレジストパ
ターンのＴ字形状断面の脚部の形成が不完全になるし、
またこれよりも現像時間が長くなると脚部が細りすぎ
て、折損しやすくなる。

【００２４】この現像の際に用いる現像液は、露光量設
定のための試験において用いた現像液と必ずしも同じも
のである必要はなく、Ｔ字形状断面の形成が円滑に、か
つ迅速に行われる組成のものを適宜使用することができ
る。このような現像液としては、例えば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムのような無機アルカリの水溶液や、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンのよう
な第四級アンモニウム塩のような有機塩基の水溶液を挙
げることができる。

【００２５】本発明方法においては、所望に応じ露光処
理の前又は後あるいはその両方でホトレジスト層を熱処
理することができる。この露光前の熱処理は、通常８０
〜１５０℃の範囲の温度で０．５〜３分間、露光後の熱
処理は、通常８０〜２００℃の温度において１〜１０分
間行われる。

【００２６】この熱処理により、ホトレジスト層表面の
不溶化が促進され、強固かつ迅速なＴ字形状断面の形成
を行うことができる。

【００２７】ところで、本発明方法においては、ホトレ
ジスト層を形成する感光性組成物として、露光量と不溶
化速度との間で、図２の実線で示されるような非直線的
な関係を示すもの、特に所定の露光量に達したときに急
速に不溶化速度が上昇するネガ型ホトレジスト組成物を
用いるのが好ましく、不溶化速度と露光量とが図２の破
線に示されるような関係で進行するものは好ましくな
い。

【００２８】一般に、化学増幅型ホトレジスト例えばノ
ボラック樹脂に酸発生剤と酸により架橋形成する物質と
を配合した組成物などは、所定の露光量に達したときに
急速に不溶化速度が上昇するので有利である。そして、
このようなものをホトレジスト層の形成に用いると、そ
の立ち上り前後における不溶化の程度が著しく異なるた
め、画像コントラストの良好なレジストパターンを形成
することができ、現像に際してそのレジストパターンの
Ｔ字形状断面における上面部を形成する部分と、脚部を
形成する部分との間の不溶化の差を容易に生じさせるこ
とができ、より正確なＴ字形状断面を形成することがで
きる。

【００２９】このような感光性組成物としては、アルカ
リ可溶性樹脂と酸架橋性物質と酸発生剤との混合物があ
る。アルカリ可溶性樹脂としては、例えばクレゾールノ
ボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシス
チレンとスチレンの共重合体、又はポリヒドロキシスチ
レンの水酸基の一部がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基
で保護された樹脂などを挙げることができる。

【００３０】また、酸架橋性物質としては、ヒドロキシ
ル基又はアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えばメ
ラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウ
リル‐ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド‐ホル
ムアルデヒド樹脂、エチレン尿素‐ホルムアルデヒド樹
脂などを挙げることができ、これらはメラミン、尿素、
グアナミン、グリコールウリル、スクシニルアミド、エ
チレン尿素を沸騰水中でホルマリンと反応させてメチロ
ール化、あるいはこれにさらに低級アルコールを反応さ
せてアルコキシル化することにより容易に得られる。ま
た酸発生剤としては、トリアジン化合物、オキシムスル
ホネート化合物などが挙げられ、具体的には２‐（４‐
メトキシフェニル）‐４，６‐ビス（トリクロロメチ
ル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐（４‐メトキシナ
フチル）‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，
３，５‐トリアジン、２‐［２‐（２‐フリル）エテニ
ル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５
‐トリアジン、２‐［２‐（５‐メチル‐２‐フリル）
エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，
３，５‐トリアジン、２‐［２‐（３，５‐ジメトキシ
フェニル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチ
ル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐（３，４‐
ジメトキシフェニル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリ
クロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐（３，
４‐メチレンジオキシフェニル）‐４，６‐ビス（トリ
クロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２，４，６
‐トリス（ジブロモプロピル）‐１，３，５‐トリアジ
ン、トリス（２，３‐ジブロモプロピル）‐１，３，５
‐トリアジン、トリス（２，３‐ジブロモプロピル）イ
ソシアヌレート；ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｐ‐
フェニレンジシアニドのメタンスルホン酸エステル、α
‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニ
ド、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐４‐メト
キシベンジルシアニド、α‐（トリフルオロメチルスル
ホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド、α‐（トリ
フルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキ
シベンジルシアニド、α‐（エチルスルホニルオキシイ
ミノ）‐４‐メトキシベンジルシアニド、α‐（プロピ
ルスルホニルオキシイミノ）‐４‐メチルベンジルシア
ニドなどを挙げることができる。

【００３１】使用するホトレジストの露光量と不溶化速
度との間の関係は、例えば、そのホトレジストについて
露光量に対応して赤外線吸収スペクトルを測定し、その
中の架橋が進行するにしたがって増大してくるピーク又
は減少してくるピークを特定し、そのピークの高さの増
加率又は減少率を求め、グラフに表わすことによって知
ることができる。

【００３２】また、架橋が進行するに従って分子量が増
大するものについては、液体クロマトグラフィーにおい
て特定時間に現われるピークを基準として定め、そのピ
ークの長さの変化を露光量に対応して記録しグラフに表
わすことによって確認することもできる。

【００３３】

【発明の効果】本発明方法によると、従来得られたこと
のない、正確なＴ字形状断面をもつレジストパターンを
簡単に得ることができるので、リフトオフ法による電子
デバイスの製造、マイクロマシーン用の微細形状の形成
などに好適に利用することができる。

【００３４】

【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。

【００３５】参考例１ ｍ‐クレゾールとｐ‐クレゾールとを重量比６：４の割
合で含むクレゾールに、ホルムアルデヒドを加え、シュ
ウ酸触媒を用いて常法に従って縮合反応を行わせること
により、重量平均分子量１４，０００のクレゾールノボ
ラック樹脂を製造した。次いで、このようにして得たク
レゾールノボラック樹脂１０ｇと、ヘキサメトキシメチ
ル化メラミン樹脂１．０ｇとをプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート２０ｇに溶解した溶液中に
２‐（４‐メトキシフェニル）‐４，６‐ビス（トリク
ロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン１．０ｇとクル
クミン０．５ｇとを加えて混合し、孔径０．２μｍのメ
ンブランフィルターを用いて加圧ろ過することによりレ
ジスト溶液を調製した。

【００３６】次に、このレジスト溶液をヘキサメチルジ
シラザン処理を施したシリコンウエーハ上に４０００ｒ
ｐｍで４０秒間スピンコートし、ホットプレート上で１
１０℃、９０秒間乾燥することで、膜厚２．０μｍのレ
ジスト層を形成させた。次いで、このようなレジスト層
が形成された複数枚のシリコンウエーハに対して、それ
ぞれ１０μｍ幅のラインアンドスペースのレジストパタ
ーンを形成するマスクを介してｇ線を０．５秒間隔で累
積変化させて照射したのち、９０℃で９０秒間の過熱処
理を施したものを、それぞれ２．３８重量％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３℃）に浸せき
して現像し、得られたレジストパターンの断面形状を電
子顕微鏡で観察し、実質的に矩形の断面形状が得られた
照射時間を確認したところ３秒間の照射が必要であるこ
とが分かった。また、１秒間のｇ線照射を施したシリコ
ンウエーハについて、さらに現像処理を継続したとこ
ろ、１３分間で完全にレジスト層のボトム部分がシリコ
ンウエーハから脱離した。このことから、この照射時間
１秒のレジスト組成物についての完全脱離に要する現像
時間は１３分間であることが分った。

【００３７】参考例２ ポリヒドロキシスチレン（重量平均分子量１００００）
１０ｇと、トリメトキシメチル化メラミン樹脂１．０ｇ
とをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト２０ｇに溶解した溶液中に、α‐（メチルスルホニル
オキシイミノ）‐４‐メトキシベンジルシアニド１．０
ｇとクルクミン０．５ｇとを加えて混合し、孔径０．２
μｍのメンブランフィルターを用いて加圧ろ過すること
によりレジスト溶液を調製した。次いで、参考例１で使
用したレジスト溶液を上記のようにして調製したものを
使用し、また露光源をｇ線からｉ線に代えた以外は、参
考例１と同様の操作により、実質的に矩形の断面形状が
得られた照射時間と、照射時間０．５秒のレジスト組成
物についての完全脱離に要する現像時間とを調べた結
果、それぞれ１．５秒間と３分間であった。

【００３８】実施例１ ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエーハ
上に、参考例１で調製したレジスト溶液を使用し、同様
の操作により膜厚２．０μｍのレジスト層を形成させ
た。次に、縮小投影露光装置ＮＳＲ−１５０５Ｇ４Ｄ
（ニコン社製）を用い、１０μｍ幅のラインアンドスペ
ースのレジストパターンを形成するマスクを介してｇ線
を１秒間（Ｑ′／Ｑ＝３３％）照射したのち、９０℃で
９０秒間加熱処理した。次いで、このようにして得られ
たレジスト層を、２．３８重量％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液を現像液として用い、２３℃に
おいて９分間（Ｔ₂′／Ｔ₂＝６９．２％）浸せき現像し
た。このようにして得たレジストパターンの断面形状の
電子顕微鏡写真を図３として示す。この図から明らかな
ように、このレジストパターンの断面はＴ字形状を有し
ている。

【００３９】実施例２ 参考例２で調製したレジスト溶液を使用し、縮小投影露
光装置ＮＳＲ−１５０５Ｇ４Ｄの代りにＮＳＲ−２００
５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用い、ｉ線を０．７５秒間
（Ｑ′／Ｑ＝５０％）照射し、現像時間９０秒間
（Ｔ₂′／Ｔ₂＝５０％）にした以外は実施例１と同様な
操作によりレジストパターンを形成した。形成されたレ
ジストパターンの断面形状を電子顕微鏡で観察した結果
を図４に示す。これから分るように、断面はＴ字形状で
あった。

【００４０】比較例１ 実施例１において、ｇ線の照射時間を２．５秒間（Ｑ′
／Ｑ＝８３％）、現像時間を５分間（Ｔ₂′／Ｔ₂＝３８
％）に代えた以外は、実施例１と同様の操作によりレジ
ストパターンを形成した。形成されたレジストパターン
の断面形状を電子顕微鏡で観察した結果を図５に示す。
これから分るように、Ｔ字形状は得られなかった。

【００４１】実施例３〜４、比較例２〜３ 実施例１において、ｇ線の照射時間と現像時間を表１の
ように変化させた以外は、実施例１と同様の操作により
形成されたレジストパターンの断面形状を観察した結果
を表１に示す。

【００４２】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明方法におけるＱ′／Ｑを代えたときの
断面形状の変化を示す説明図。

【図２】 ホトレジスト層の露光量と不溶化速度との関
係を示すグラフ。

【図３】 実施例１で得たレジストパターンの断面の顕
微鏡拡大写真図。

【図４】 実施例２で得たレジストパターンの断面の顕
微鏡拡大写真図。

【図５】 比較例１で得たレジストパターンの断面の顕
微鏡拡大写真図。

【図６】 実施例３で得たレジストパターンの断面の顕
微鏡拡大写真図。

【図７】 実施例４で得たレジストパターンの断面の顕
微鏡拡大写真図。

【図８】 比較例２で得たレジストパターンの断面の顕
微鏡拡大写真図。

【図９】 比較例３で得たレジストパターンの断面の顕
微鏡拡大写真図。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設けたホトレジスト層を画像担
   持透明シートでマスクし、基板と接するホトレジスト層
   のボトム部分が実質的に不溶化するのに必要な露光量の
   １５〜６０％に相当する露光量で不完全画像形成露光し
   たのち、露光したホトレジスト層の基板と接するボトム
   部分が完全に溶解脱離するのに要する現像時間の４０〜
   ８５％に相当する現像時間で現像処理することを特徴と
   するＴ字形状断面を有するホトレジストパターンの製造
   方法。
2. 【請求項２】 基板に接するホトレジスト層のボトム部
   分が実質的に不溶化するのに必要な露光量に基づき２０
   〜５０％に相当する露光量で不完全画像形成露光を行う
   請求項１記載の製造方法。
3. 【請求項３】 露光したホトレジスト層の基板と接する
   ボトム部分が完全に溶解脱離するのに要する現像時間の
   ５０〜７５％に相当する現像時間で現像処理する請求項
   １又は２記載の製造方法。
4. 【請求項４】 感光材料のホトレジスト層が、所定の露
   光量に達したときに急速に不溶化速度が上昇するネガ型
   ホトレジスト組成物から成る請求項１，２又は３記載の
   製造方法。