JPH09205053A - センサ制御装置及びそれを用いた走査型露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 センサへの逆電圧及び入射光束の照射径を適
切に設定し、センサの計測再現性を良好に維持し、所定
面上の露光量を精度良く検出することのできるセンサ制
御装置及びそれを用いた走査型露光装置を得ること。 【解決手段】 光源から放射され所定面上に入射する光
束を開口径可変の開口部材を介して所定の照射径とし
て、逆電圧印加部により所定の逆電圧を印加したセンサ
で受光する際、該センサからの出力信号と入力手段から
の信号に基づいて制御手段により該逆電圧印加部による
逆電圧と該開口部材による照射径をダイナミックに制御
していること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はセンサ制御装置及び
それを用いた走査型露光装置に関し、特に各種光源から
の光束を検出するセンサの制御を適切に行い、例えばＩ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ
等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製造する
工程のうち、リソグラフィー工程において所定面上への
積算露光量を制御する際に好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣパターンの微細化が要求される露光
装置において、感光基板（ウエハ）に照射される露光量
には厳しい精度が要求されている。一方、露光光の波長
は解像度を上げる為に従来まで使われていた水銀ランプ
のｉ線よりも波長の短いエキシマレーザ光源が用いられ
るようになっている。このエキシマレーザ光源は発光が
非連続的のパルス光であり、上限値で２．５msecの発光
間隔に対して実際に発光している時間は数十nsecとなっ
ている。

【０００３】又エキシマレーザ光源は、そのパルス光の
光強度が一定していなく、各パルス毎に変化するという
性質をもっている。この為、エキシマレーザを光源とし
て用いる露光装置では感光基板（ウエハ）上の積算露光
量が所定の値になるような種々な方法が提案されてい
る。

【０００４】例えば露光させるパルス数と個々のパルス
のエネルギーを制御する方法や走査露光装置において露
光させる個々のパルスの間隔を制御する方法等が提案さ
れている。

【０００５】このうち特開平４−６９６６０号公報では
最初の１パルスから各パルス毎に全露光量から既に露光
した露光量を差し引いた残りの露光量から次の１パルス
の露光量を算出し、露光量可変手段を制御する方法を提
案している。

【０００６】又特開平５−６２８７６号公報では、残存
光量の１パルスあたりの平均エネルギーと複数回前まで
の平均１パルス露光量とをパルス毎に比較し、次回の露
光量が残存光量の１パルスあたりの平均エネルギーに一
致するように制御パラメータを変化させる方法を提案し
ている。

【０００７】又特願平６−１１９９７１号公報ではスリ
ット走査型露光装置において走査速度を一定に保ちつ
つ、各パルス光による露光量をモニターし、計測された
露光量の強度に応じて次回のパルス光の発光タイミング
を時間的に前後させると共に走査方向におけるスリット
光の強度分布を境界領域において緩やかな変化を持たせ
ることによって上記の積算露光量の確定的な誤差が発生
しないように配慮した方法を提案している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】パルス光源を光源とし
て用いる走査型露光装置は従来の、例えば水銀ランプを
光源として用いた露光装置に比べて感光基板上における
積算露光量を一定にすることが難しい。

【０００９】特にパルス光の強度計測を行うセンサの計
測再現性が、パルス光の発光強度に対して大きく変化
し、この結果露光量制御結果に多大な影響を及ぼすとい
う問題点があった。従来の露光装置では露光量制御時に
パルス光の発光強度計測の再現性及びその変化を考慮し
ていないので露光量を精度良く制御するのが難しいとい
う問題点があった。

【００１０】本発明の第１の目的は、センサへの入射光
強度、センサに要求される寿命に応じてセンサの逆電
圧、照射光の照射光径を制御することによりセンサへの
入射光強度等による計測再現性のばらつきを除去するセ
ンサ制御装置の提供にある。

【００１１】本発明の第２の目的は、パルス光を発振す
る光源手段からのパルス光で照明した第１物体面上のパ
ターンを第２物体面上に走査露光する際に第１物体面又
は露光面上における光強度（露光量）を検出するセンサ
制御装置を適切に設定することにより積算露光量を一定
にしつつ走査露光することができ、高解像度のパターン
像が広い面積にわたり得られる走査型露光装置及びそれ
を用いたデバイスの製造方法の提供にある。

【００１２】

【課題を解決する為の手段】本発明のセンサ制御装置
は、 （１−１）光源から放射され所定面上に入射する光束を
開口径可変の開口部材を介して所定の照射径として、逆
電圧印加部により所定の逆電圧を印加したセンサで受光
する際、該センサからの出力信号と入力手段からの信号
に基づいて制御手段により該逆電圧印加部による逆電圧
と該開口部材による照射径をダイナミックに制御してい
ることを特徴としている。

【００１３】特に、 （１−１−１）前記制御手段は前記センサに入射する光
束の光強度、センサからの出力信号の再現性、そして寿
命等に基づいて前記逆電圧印加部に逆電圧に関する信号
を入力していること。

【００１４】（１−１−２）前記制御手段は前記センサ
への入射光量とそのときの出力信号との関係を該センサ
への逆電圧と照射径をパラメータとして予め求めたデー
タテーブルを利用していること。

【００１５】（１−１−３）前記光源はパルス光を発振
していること。等、を特徴としている。

【００１６】本発明の走査型露光装置は、 （２−１）光源手段からのパルス光を照明手段により第
１物体面上のパターンを照明し、該第１物体面上のパタ
ーンを投影光学系により可動ステージに載置した第２物
体面上に走査手段により該第１物体と該可動ステージを
該投影光学系の撮影倍率に対応させた速度比で同期させ
て走査させながら投影露光する際、該第１物体面又は第
２物体面にセンサを配置し、該センサにより該第１物体
面又は第２物体面を照射するパルス光の積算露光量を検
出し、該センサからの出力信号を用いて制御手段により
該積算露光量を制御すると共に該センサからの出力信号
と入力手段からの信号とを用いて該センサへの入射光束
の照射径と該センサへの逆電圧をダイナミックに制御し
ていることを特徴としている。

【００１７】本発明のデバイスの製造方法は、構成要件
（２−１）の走査型露光装置を用いてデバイスを製造し
ていることを特徴としている。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１は本発明のセンサ制御装置を
有した走査型露光装置の実施形態１の構成概略図であ
る。本実施形態はパルスレーザの光源から射出する光束
を照明光学系（照明手段）を介してレチクル（第１物
体）に照射し、レチクル上に形成している回路パターン
を投影レンズ（投影光学系）によって感光体を塗布した
基板（第２物体）上に走査しながら縮小投影して焼き付
ける走査型露光装置を示しており、ＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体デバイス，ＣＣＤ等の撮像デバイス，磁気ヘッド等
のデバイスを製造する際に好適なものである。

【００１９】図中、１は光源（光源手段）であり、エキ
シマレーザ等のパルスレーザで構成しており、パルス光
を放射している。２はビーム整形光学系であり、光源１
からの光束を所定の形状に整形してオプティカルインテ
グレータ３の光入射面３ａへ入射させている。オプティ
カルインテグレータ３は複数の微小なレンズより成るハ
エの眼レンズ等で構成しており、その光射出面３ｂの近
傍に複数の２次光源を形成する。４はコンデンサレンズ
であり、オプティカルインテグレータ３の光射出面３ｂ
近傍の２次光源からの光束で可動スリット（マスキング
ブレード）６をケーラー照明している。

【００２０】可動スリット６を照明した光束は結像レン
ズ７，ミラー８を介してレチクル９を照明している。可
動スリット６とレチクル９とは光学的に共役の位置関係
にあり、可動スリット６の開口形状によりレチクル９の
照明領域の形と寸法を規定している。可動スリット６に
は、例えばボイスコイルモータ（不図示）が設けられて
おり、可動スリット６を光軸方向に移動制御している。
又１２は露光量検出器Ａであり、後述するセンサ制御装
置を有し、逆電圧やセンサ面への照射径をダイナミック
に変化可能としており、ハーフミラー５によって分割さ
れたパルス状の照明光の一部の光量を検出し、露光量演
算器１０２へ信号を出力する。

【００２１】尚、ビーム整形光学系２，オプティカルイ
ンテグレータ３，コンデンサレンズ４，可動スリット
６，結像レンズ７，ミラー８等は露光光をレチクル９に
供給する照明手段（露光光供給手段）の一要素を構成し
ている。又照明手段の中には不図示の減光手段があり、
光源１からの光束の光量を多段階に調整できる構成とな
っている。レチクル（第１物体）９はその上に回路パタ
ーンを有していて、レチクルステージ１３に保持されて
いる。１０は投影レンズ（投影光学系）であり、レチク
ル９の回路パターンを半導体基板（第２物体）１１上に
縮小投影している。半導体基板１１は所謂ウエハであ
り、その表面には感光体であるレジストを塗布してお
り、３次元に変位するウエハステージ１４に載置してい
る。ウエハ１１の表面は可動スリット６と共役の位置に
ある。

【００２２】ウエハステージ１４上には後述するセンサ
制御装置を有した露光量検出器Ｂ１５を設置しており、
これにより投影レンズ１０を介して後述するようにパル
ス光の光量及び積算露光量を計測している。

【００２３】１０１はステージ駆動制御系（走査手段）
であり、レチクルステージ１３とウエハステージ１４を
投影レンズ１０による結像倍率と同じ比率の速度で正確
に一定速度で互いに逆方向へ移動させるように制御して
いる。露光量演算器１０２は露光量検出器Ａ１２や露光
量検出器Ｂ１５によって光電変換された電気信号を論理
値に変換して主制御系１０４に出力し、主制御系１０４
内の記憶手段に記憶している。

【００２４】尚、露光量検出器Ａ１２は露光中でも強度
計測ができるので、スリットから照射される露光光の積
算値を見積もる為に用いられる。露光量検出器Ｂ１５は
露光工程の最初において投影レンズ１０を透過してウエ
ハ１１を照射するパルス光の強度を計測する為に用いて
いる。

【００２５】露光量検出器Ｂ１５からの計測値に対する
露光量検出器Ａ１２が検出する光の強度の相関を求めて
おき、各露光に際して露光量検出器Ａ１２が検出する値
を以上の相関を利用して補正し、ウエハ上の露光量を求
めている。露光量検出器Ｂ１５はウエハへの露光中には
露光光強度の測定は行っていない。

【００２６】１０３はレーザ制御系であり、所望の露光
量に応じてトリガー信号１６，充電電圧信号１７を出力
して光源１のパルスエネルギー及び発光間隔を制御す
る。尚、レーザ制御系１０３がトリガー信号１６，充電
電圧信号１７を生成する際には露光量演算器１０２から
の照度モニター信号１０８やステージ駆動制御系１０１
からのステージの現在位置信号１０７，主制御系１０４
からの履歴情報等をパラメータとして用いている。

【００２７】主制御系１０４は入力部１０５から与えた
データと露光装置固有のパラメータ及び露光量検出器Ａ
１２，Ｂ１５等の計測手段が計測したデータから走査露
光に必要なパラメータ群を算出してレーザ制御系１０３
やステージ制御系１０１に伝達している。

【００２８】本実施形態における露光量検出器Ａ１２，
Ｂ１５は逆電圧印加部によるセンサに印加する逆電圧の
変化や開口径可変の開口部材による入射光束の照射径の
変化等ができるように構成しており、これによりセンサ
への入射光強度による計測再現性を良好に維持しつつ、
半導体基板１１への積算露光量が所定値になるように高
精度に制御している。

【００２９】本実施形態における露光量検出器Ｂ１５に
は露光量をモニターする場合と、アライメントを行うと
いう２つの目的があるが、そのときの光量は２桁以上違
う場合がある。そのように広いバンドを持つ光量を精度
よく計測する為には１つのセンサによりその光量を計測
することは難しくなる。又半導体露光装置においては、
レイヤー毎にそのときに要求される露光ムラの精度は変
化するが、その変化に応じた計測を行うことが難しい。

【００３０】そこで本発明では露光量検出器Ａ１２，Ｂ
１５に後述するセンサ制御装置を組み合わせることによ
って広いバンド幅を持つ光量を１つのセンサユニットで
精度よく計測することができるようにして従来２つのセ
ンサユニットを使用していたときと比較して少ないスペ
ースで済み、構成上有利にしている。又要求される計測
再現性に応じて、センサの逆電圧、照射径を変化させる
等して、センサの寿命といった観点から効率よくセンサ
を使用するようにしている。

【００３１】次に本実施形態の露光量検出器Ａ１２，Ｂ
１５に適用した第１発明としてのセンサ制御装置につい
て説明する。

【００３２】図２は本発明のセンサ制御装置の実施形態
１の要部ブロック図である。本実施形態の主要構成は逆
電圧をダイナミックに制御することのできるセンサユニ
ット（センサ）５０２と、センサユニット５０２への入
射光の光束径をダイナミックに調整することのできる手
段と、その逆電圧の制御状態を観察することのできるコ
ンソール５０９から成っている。同図において、コリメ
ータレンズ５０１は光線（光束）を集光し、センサユニ
ット５０２を照射しているが、センサ制御装置としては
必ずしも必要なものではない。

【００３３】このセンサユニット５０２は光線のセンサ
面５０２ａ上の照射位置を変化できるような機構、セン
サの逆電圧を調整できるような回路構成、任意の位置に
光線を照射することができる機構等を有している。セン
サユニット５０２からの出力は積分回路５０３によって
一定の時間その出力を積分され、可変アンプ５０４によ
り積分器５０３からの出力は調整され、Ａ／Ｄコンバー
タ５０５を介して演算器５０６に入力される。

【００３４】演算器５０６では計測された値と、オペレ
ータによって入力されたデータを基に、可変アンプ，セ
ンサの逆電圧コントローラ（逆電圧印加部）５０７，セ
ンサ位置調整ドライバ（開口部材）５０８のそれぞれに
指令信号を出力する。逆電圧コントローラ５０７は演算
器５０６からの指令に従って、センサユニット５０２に
指定された逆電圧を印加する。センサ位置調整ドライバ
５０８はセンサユニット５０２のセンサ位置調整サーボ
系に指令信号を与え、センサ面上での照射径を調整して
いる。又コンソール５０９はオペレータがセンサの逆電
圧、照射光径等のデータを入力及びその値の表示を表示
手段に行うインタフェイスとして使用している。

【００３５】図３は図２のセンサ５０２への入射光量と
センサ５０２からの出力のリニアリティと示した説明図
である。センサ５０２からの出力には出力リニアリティ
が決まっているので、センサ面５０２ａへ広い光量領域
のパルス光が照射された場合、リニアリティが保証され
ていない領域では、正確な光量を計測することができな
くなる。又同時にセンサの計測再現性もある限られた光
量の領域でしか保証されていないので、精度の良い計測
を行う為には、計測光の光量は限定されることとなる。
又センサの面内特性むらから同一の光量であっても、そ
の照射径により感度むらの影響から、その計測値が変動
し、同時に計測再現性も変化してくる場合がある。

【００３６】図３の曲線６０１〜６０４は逆電圧を変化
させたときのセンサ５０２への入射光量とセンサ５０２
からの出力の関係を示している。センサに印加する逆電
圧を変化させると、その出力結果は逆電圧を高くしてい
くに従って曲線６０１，曲線６０２，曲線６０３を経
て、曲線６０４のように変化してくる。

【００３７】図４は本実施形態において電圧，センサ５
０２への照射径を変化させたときのセンサ５０２への入
射光量とセンサの計測再現性のリニアリティを示した説
明図である。センサの計測再現性曲線７０１は、逆電圧
を変化させるに従って計測再現性曲線７０２のように入
射光量軸７０４に沿って矢印７０２のように移動する。
又センサ面５０２ａ上の照射径を変化させると計測再現
性曲線７０１は一般的に計測再現性曲線７０３のように
センサ再現性の軸に沿って矢印７０３のように移動す
る。

【００３８】そこで本実施形態では入射光量及び要求さ
れる計測再現性が決まっているときはセンサに印加され
る逆電圧を調整して計測再現性曲線を入射光量軸７０４
に沿って移動させ、所望とする計測再現性を実現する為
にセンサを支持しているステージを照射方向に移動さ
せ、照射光径を調節し、センサ再現性方向に計測再現性
曲線を移動させている。

【００３９】センサへの照射径と逆電圧は図５のような
グラフ（テーブル）を用いて変化させることができる。
図５のグラフはセンサへの入射光量とセンサの計測再現
性を示しており、逆電圧とセンサ面上での照射径を変化
させたときの入射光量に対するセンサの計測再現性を同
一のグラフ上にプロットしたものである。センサへの入
射光量８０１と要求される計測再現性８０２が決定され
ると、グラフ上で位置８０３を決定することができる。
そして点８０３を規定する計測再現性曲線の逆電圧と照
射径が入射光量８０１において再現性８０２を実現する
ことができる逆電圧と照射径となる。

【００４０】しかしながら、点８０３がいくつかの再現
性曲線上で規定されることも考えられる。その場合には
逆電圧、入射光径それぞれについて規定された最大値と
最小値の範囲内において要求性能を満たす値、一般的に
は照射径については最大のもの、逆電圧については最小
のものを選択している。

【００４１】この選択方法には様々な方法が考えられる
が、逆電圧にのみ着目し、逆電圧が最小の場合を選択し
たり、又は照射径のみに着目する方法又は逆電圧と照射
径の両方に適切な重みをかけ、それらの和を最小にする
方法等が適用できる。又要求性能を満たす範囲から最適
な逆電圧と照射径を決定する判断要素として、センサの
応答速度，周波数特性等がある。センサの応答時間はセ
ンサの接合容量などセンサの特性として決まる部分もあ
るが、センサに印加する逆電圧に依存する部分もある。
一般的に、センサに印加される電圧を大きくすると、そ
のときのセンサの応答時間は短くなるので、判断基準と
してセンサの応答時間を用いても良い。

【００４２】図６は、以上の事柄からセンサへの最適照
射径、逆電圧を決定する為の本実施形態のフロー図であ
る。まず、ステップ９０１でセンサ再現性テーブルを作
成する。センサ再現性テーブルはセンサへの逆電圧、セ
ンサ面での入射光径をそれぞれ変化させてそのときの入
射光量に対する計測再現性を計算し、図５のようなグラ
フの形にしたものである。尚、このときのグラフの精度
は、センサの制御性能に大きく変化するので、複数回デ
ータを取り平均するなどしてデータの精度を高めてい
る。

【００４３】次に、ステップ９０２で入射光量を入力
し、ステップ９０３でセンサに要求される再現性を入力
し、ステップ９０１で求めたセンサ再現性テーブルか
ら、要求を満たすバイアス電圧、照射光径の範囲を決定
している。

【００４４】そしてステップ９０４で計測の際に考慮し
なくてはならないその他の事項（センサの寿命）を入力
し、ステップ９０５においてステップ９０３で求めた逆
電圧，照射径範囲から最適な値を決定している。尚本実
施形態において装置構成上の制約などから逆電圧，照射
径のどちらか一方のみを操作し、光量を計測するように
しても良い。

【００４５】図７は本発明のセンサ制御装置を図１の走
査型露光装置に実施した場合のフローチャートである。
同図においてまず、ステップ１１０１で行われる計測の
目的を、即ち露光量計測か、アライメント光計測かを入
力し、センサ面に照射される光量の見当をつける。又同
時にその計測に必要とされる計測精度も入力する。

【００４６】次のステップ１１０２ではセンサに要求さ
れる使用条件、寿命と計測速度のどちらを重視するかを
入力する。そしてステップ１１０３において、その計測
に必要とされる照射径、逆電圧を決定し、露光過程に移
る。ステップ１１０３では発光強度計測、ステップ１１
０４では露光量から次回の発光強度を計算し、ステップ
１１０５でレーザを発光し、ステップ１１０６で露光過
程が終了したか判断をし、終わらなければ、再び発光強
度を求める露光過程を繰り返している。

【００４７】次に上記説明した走査型露光装置を利用し
たデバイスの製造方法の実施例を説明する。

【００４８】図８は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。

【００４９】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。

【００５０】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。

【００５１】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。

【００５２】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００５３】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。

【００５４】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。

【００５５】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【００５６】

【発明の効果】本発明によれば以上のように、センサへ
の入射光強度、センサに要求される寿命に応じてセンサ
の逆電圧、照射光の照射光径を制御することによりセン
サへの入射光強度等による計測再現性のばらつきを除去
するセンサ制御装置を達成することができる。

【００５７】又本発明によれば、パルス光を発振する光
源手段からのパルス光で照明した第１物体面上のパター
ンを第２物体面上に走査露光する際に第１物体面又は露
光面上における光強度（露光量）を検出するセンサ制御
装置を適切に設定することにより積算露光量を一定にし
つつ走査露光することができ、高解像度のパターン像が
広い面積にわたり得られる走査型露光装置及びそれを用
いたデバイスの製造方法を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の走査型露光装置の実施形態１の要部概
略図

【図２】本発明のセンサ制御装置の実施形態１の要部ブ
ロック図

【図３】本発明のセンサ制御装置における入射光量と出
力との関係を示す説明図

【図４】本発明のセンサ制御装置における入射光量と出
力とセンサ再現性を示す説明図

【図５】本発明のセンサ制御装置における入射光量と出
力とセンサ再現性を示す説明図

【図６】本発明のセンサ制御装置における動作のフロー
チャート

【図７】本発明のセンサ制御装置を走査型露光装置に適
用したときのフローチャート

【図８】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート

【図９】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート

【符号の説明】

１ パルスレーザの光源 ９ レチクル １０ 投影レンズ １１ 半導体基板 １３ レチクルステージ １４ ウエハステージ １６ トリガー信号 １７ 充電電圧信号 １０１ ステージ駆動制御系 １０２ 露光量演算器 １０３ レーザ制御系 １０４ 主制御系 １０７ ステージ位置信号 １０８ 照度モニター信号 １０９ 強度指令値

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小澤 邦貴 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源から放射され所定面上に入射する光
   束を開口径可変の開口部材を介して所定の照射径とし
   て、逆電圧印加部により所定の逆電圧を印加したセンサ
   で受光する際、該センサからの出力信号と入力手段から
   の信号に基づいて制御手段により該逆電圧印加部による
   逆電圧と該開口部材による照射径をダイナミックに制御
   していることを特徴とするセンサ制御装置。
2. 【請求項２】 前記制御手段は前記センサに入射する光
   束の光強度、センサからの出力信号の再現性、そして寿
   命等に基づいて前記逆電圧印加部に逆電圧に関する信号
   を入力していることを特徴とする請求項１のセンサ制御
   装置。
3. 【請求項３】 前記制御手段は前記センサへの入射光量
   とそのときの出力信号との関係を該センサへの逆電圧と
   照射径をパラメータとして予め求めたデータテーブルを
   利用していることを特徴とする請求項１のセンサ制御装
   置。
4. 【請求項４】 前記光源はパルス光を発振していること
   を特徴とする請求項１，２又は３のセンサ制御装置。
5. 【請求項５】 光源手段からのパルス光を照明手段によ
   り第１物体面上のパターンを照明し、該第１物体面上の
   パターンを投影光学系により可動ステージに載置した第
   ２物体面上に走査手段により該第１物体と該可動ステー
   ジを該投影光学系の撮影倍率に対応させた速度比で同期
   させて走査させながら投影露光する際、該第１物体面又
   は第２物体面にセンサを配置し、該センサにより該第１
   物体面又は第２物体面を照射するパルス光の積算露光量
   を検出し、該センサからの出力信号を用いて制御手段に
   より該積算露光量を制御すると共に該センサからの出力
   信号と入力手段からの信号とを用いて該センサへの入射
   光束の照射径と該センサへの逆電圧をダイナミックに制
   御していることを特徴とする走査型露光装置。
6. 【請求項６】 請求項５の走査型露光装置を用いてデバ
   イスを製造していることを特徴とするデバイスの製造方
   法。