JPH09197443A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH09197443A JPH09197443A JP9040230A JP4023097A JPH09197443A JP H09197443 A JPH09197443 A JP H09197443A JP 9040230 A JP9040230 A JP 9040230A JP 4023097 A JP4023097 A JP 4023097A JP H09197443 A JPH09197443 A JP H09197443A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口率の高いアクティブマトリクス表示装置
を提供することである。 【解決手段】 アクティブマトリクス表示装置に於いて
は、隣接する一方の絵素電極３ａと他方の絵素電極３ｂ
の端部を、絶縁膜４ａを介在させることにより、表示装
置の厚さ方向にずらせて絵素電極３ａ及び３ｂの面積を
拡大する。
を提供することである。 【解決手段】 アクティブマトリクス表示装置に於いて
は、隣接する一方の絵素電極３ａと他方の絵素電極３ｂ
の端部を、絶縁膜４ａを介在させることにより、表示装
置の厚さ方向にずらせて絵素電極３ａ及び３ｂの面積を
拡大する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶等の表示媒体
を用いた、高い開口率を有するアクティブマトリクス表
示装置に関する。
を用いた、高い開口率を有するアクティブマトリクス表
示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の代表的なアクティブマトリクス方
式のツイスティッドネマティック（ＴＮ）型液晶表示装
置の断面模式図を図４に、この表示装置を構成するアク
ティブマトリクス基板の平面図を図５に示す。この表示
装置は、図５に示すように、ゲートバス配線５と、ソー
スバス配線６とによって形成された矩形の各領域に、絵
素電極３が形成されている。図４に示すように、各絵素
電極３は絶縁性基板１上に形成され、絵素電極３にはス
イッチング素子として薄膜トランジスタ（以下では「Ｔ
ＦＴ」と称する）２が接続されている。絶縁性基板１に
対向する対向基板１０上には対向電極１３が形成され、
絵素電極３と対向電極１３との間の液晶層８に電圧が印
加される。
式のツイスティッドネマティック（ＴＮ）型液晶表示装
置の断面模式図を図４に、この表示装置を構成するアク
ティブマトリクス基板の平面図を図５に示す。この表示
装置は、図５に示すように、ゲートバス配線５と、ソー
スバス配線６とによって形成された矩形の各領域に、絵
素電極３が形成されている。図４に示すように、各絵素
電極３は絶縁性基板１上に形成され、絵素電極３にはス
イッチング素子として薄膜トランジスタ（以下では「Ｔ
ＦＴ」と称する）２が接続されている。絶縁性基板１に
対向する対向基板１０上には対向電極１３が形成され、
絵素電極３と対向電極１３との間の液晶層８に電圧が印
加される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなアクティブ
マトリクス表示装置では、ゲートバス配線５及びソース
バス配線６と、絵素電極３とをある程度の距離を置いて
形成する必要がある。そのため、絵素電極３の面積をあ
る程度以上に大きくできず、表示装置の開口率、即ち、
表示画面に対する絵素電極の表示に寄与する面積の割合
を高めることができないという問題点がある。このよう
な問題点を解決するため、図６の断面模式図に示すアク
ティブマトリクス表示装置が提案されている。図６の表
示装置では、絵素電極３はＴＦＴ２を覆う絶縁膜４上に
設けられ、絵素電極３とＴＦＴ２とは絶縁膜４に設けら
れたコンタクトホールを介して電気的に接続されてい
る。図６の構成では、絵素電極３の面積はゲートバス配
線５及びソースバス配線６に制約されないので、開口率
を高めることができる。
マトリクス表示装置では、ゲートバス配線５及びソース
バス配線６と、絵素電極３とをある程度の距離を置いて
形成する必要がある。そのため、絵素電極３の面積をあ
る程度以上に大きくできず、表示装置の開口率、即ち、
表示画面に対する絵素電極の表示に寄与する面積の割合
を高めることができないという問題点がある。このよう
な問題点を解決するため、図６の断面模式図に示すアク
ティブマトリクス表示装置が提案されている。図６の表
示装置では、絵素電極３はＴＦＴ２を覆う絶縁膜４上に
設けられ、絵素電極３とＴＦＴ２とは絶縁膜４に設けら
れたコンタクトホールを介して電気的に接続されてい
る。図６の構成では、絵素電極３の面積はゲートバス配
線５及びソースバス配線６に制約されないので、開口率
を高めることができる。
【０００４】しかし、図６の表示装置では、隣接する絵
素電極３間のリークを防止するため、絵素電極３間に一
定のスペースを置かなければならない。このスペース
は、絵素電極３の作製時のパターン精度、目標歩留りの
設定値により異なるが、例えば５μｍ以上、３０μｍ以
下の範囲に設定される。特に大型で高精細の表示を行う
表示装置では相対的に絵素電極３の占める面積の割合が
小さくなるので、開口率は５０％以下と非常に小さくな
る。開口率が小さいと表示画面が暗くなるため、表示品
位の低下につながる。また、対向基板１０上にブラック
マスクが形成される場合には、絶縁性基板１と対向基板
１０との位置ずれを考慮して、ブラックマスクは、絵素
電極３の周縁部を覆うように形成されるため、更に開口
率が低下するという問題点もある。
素電極３間のリークを防止するため、絵素電極３間に一
定のスペースを置かなければならない。このスペース
は、絵素電極３の作製時のパターン精度、目標歩留りの
設定値により異なるが、例えば５μｍ以上、３０μｍ以
下の範囲に設定される。特に大型で高精細の表示を行う
表示装置では相対的に絵素電極３の占める面積の割合が
小さくなるので、開口率は５０％以下と非常に小さくな
る。開口率が小さいと表示画面が暗くなるため、表示品
位の低下につながる。また、対向基板１０上にブラック
マスクが形成される場合には、絶縁性基板１と対向基板
１０との位置ずれを考慮して、ブラックマスクは、絵素
電極３の周縁部を覆うように形成されるため、更に開口
率が低下するという問題点もある。
【０００５】本発明の目的は、絵素電極の面積が大き
く、高い開口率を有するアクティブマトリクス表示装置
を提供することである。
く、高い開口率を有するアクティブマトリクス表示装置
を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置は、一対の絶縁性基板と、該基板間に封
入された表示媒体と、該基板の何れか一方に配された、
該表示媒体に電圧を印加するための絵素電極と、を有す
るアクティブマトリクス表示装置であって、隣接する該
絵素電極の端部が、互いに該表示装置の厚さ方向に、該
絵素電極の厚みより大きくずれており、そのことによっ
て上記目的が達成される。
リクス表示装置は、一対の絶縁性基板と、該基板間に封
入された表示媒体と、該基板の何れか一方に配された、
該表示媒体に電圧を印加するための絵素電極と、を有す
るアクティブマトリクス表示装置であって、隣接する該
絵素電極の端部が、互いに該表示装置の厚さ方向に、該
絵素電極の厚みより大きくずれており、そのことによっ
て上記目的が達成される。
【０００７】また、隣接する該絵素電極の端部が、互い
に絶縁膜を挟んで重畳されている構成とすることができ
る。
に絶縁膜を挟んで重畳されている構成とすることができ
る。
【０００８】また、前記絵素電極が透明導電膜からなる
構成とすることができる。
構成とすることができる。
【０００９】更に、前記絵素電極が金属反射膜からなる
構成とすることができる。
構成とすることができる。
【００１０】本発明のアクティブマトリクス表示装置に
於いては、隣接する絵素電極の端部が、互いに表示装置
の厚さ方向に、絵素電極の厚みより大きくずれて形成さ
れているので、隣接する絵素電極間のスペースを設ける
必要がなくなる。従って、本発明のアクティブマトリク
ス表示装置では絵素電極以外の表示に寄与しない部分の
面積を小さくすることが可能となり、開口率が向上す
る。
於いては、隣接する絵素電極の端部が、互いに表示装置
の厚さ方向に、絵素電極の厚みより大きくずれて形成さ
れているので、隣接する絵素電極間のスペースを設ける
必要がなくなる。従って、本発明のアクティブマトリク
ス表示装置では絵素電極以外の表示に寄与しない部分の
面積を小さくすることが可能となり、開口率が向上す
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施例について以下に説
明する。
明する。
【００１２】（実施例１）図１に本発明のアクティブマ
トリクス表示装置の一実施例の断面図を示す。図２に図
１の表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の平
面図を示す。本実施例は、透過型ＴＮモードのアクティ
ブマトリクス表示装置であり、一対のガラスからなる絶
縁性基板１及び対向基板１０と、絶縁性基板１及び対向
基板１０間に封入された表示媒体としての液晶層８とを
有する。絶縁性基板１上にはゲートバス配線５と、これ
にゲート絶縁膜９を挟んで交差するソースバス配線６と
が形成されている。ゲートバス配線５からはゲート電極
７が分岐し、ゲート電極７上にはＴＦＴ２が形成されて
いる。ゲートバス配線５及びゲート電極７はＴａからな
り、ゲート絶縁膜９はＳｉＮXからなる。また、ソース
バス配線６はＴｉからなる。
トリクス表示装置の一実施例の断面図を示す。図２に図
１の表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の平
面図を示す。本実施例は、透過型ＴＮモードのアクティ
ブマトリクス表示装置であり、一対のガラスからなる絶
縁性基板１及び対向基板１０と、絶縁性基板１及び対向
基板１０間に封入された表示媒体としての液晶層８とを
有する。絶縁性基板１上にはゲートバス配線５と、これ
にゲート絶縁膜９を挟んで交差するソースバス配線６と
が形成されている。ゲートバス配線５からはゲート電極
７が分岐し、ゲート電極７上にはＴＦＴ２が形成されて
いる。ゲートバス配線５及びゲート電極７はＴａからな
り、ゲート絶縁膜９はＳｉＮXからなる。また、ソース
バス配線６はＴｉからなる。
【００１３】ＴＦＴ２は公知の方法によって作製され
る。ゲート電極７上にはゲート絶縁膜９を挟んでアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなるチャネル層２１が
形成されている。チャネル層２１上のゲート電極７の上
方にはエッチングストッパ２２が形成され、チャネル層
２１の両側部上にソース電極２３及びドレイン電極２４
が形成されている。ソース電極２３及びドレイン電極２
４はソースバス配線６と同時に形成され、従ってこれら
もＴｉからなる。
る。ゲート電極７上にはゲート絶縁膜９を挟んでアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなるチャネル層２１が
形成されている。チャネル層２１上のゲート電極７の上
方にはエッチングストッパ２２が形成され、チャネル層
２１の両側部上にソース電極２３及びドレイン電極２４
が形成されている。ソース電極２３及びドレイン電極２
４はソースバス配線６と同時に形成され、従ってこれら
もＴｉからなる。
【００１４】ソース電極２３及びドレイン電極２４上に
はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎｏｘｉｄｅ）膜２５が
パターン形成され、更に、ＩＴＯ膜２５上を覆ってＳｉ
ＮXからなる絶縁膜４が絶縁性基板１上の全面に形成さ
れている。ドレイン電極２４に接続されたＩＴＯ膜２５
上の絶縁膜４にはコンタクトホール２６が形成されてい
る。絶縁膜４上にはＩＴＯからなる絵素電極３が形成さ
れている。絵素電極３はコンタクトホール２６を介し
て、ＩＴＯ膜２５に電気的に接続されている。また、各
絵素電極３は図２に示すように、ゲートバス配線５及び
ソースバス配線６上にも形成されている。
はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎｏｘｉｄｅ）膜２５が
パターン形成され、更に、ＩＴＯ膜２５上を覆ってＳｉ
ＮXからなる絶縁膜４が絶縁性基板１上の全面に形成さ
れている。ドレイン電極２４に接続されたＩＴＯ膜２５
上の絶縁膜４にはコンタクトホール２６が形成されてい
る。絶縁膜４上にはＩＴＯからなる絵素電極３が形成さ
れている。絵素電極３はコンタクトホール２６を介し
て、ＩＴＯ膜２５に電気的に接続されている。また、各
絵素電極３は図２に示すように、ゲートバス配線５及び
ソースバス配線６上にも形成されている。
【００１５】絵素電極３は隣接する絵素電極３ａ及び３
ｂから構成されている。一方の絵素電極３ａは絶縁膜４
上に絵素電極３ｂの形成に先だって形成され、絵素電極
３ａが形成された後、絵素電極３ａの周辺部に絶縁膜４
ａがパターン形成される。その後に絵素電極３ｂがパタ
ーン形成される。従って、隣接する絵素電極３ａ及び３
ｂの端部は、絶縁膜４ａの介在によって互いに表示装置
の厚さ方向に、絵素電極３ｂの端部の厚みより大きくず
れて形成されている。また、図２に示すように、ソース
バス配線６の延設方向では、絵素電極３ａと絵素電極３
ｂとは絶縁膜４ａを挟んで重畳されている。本実施例で
はソースバス配線６の延設方向にのみ絵素電極３ａ及び
３ｂが重畳されているが、ゲートバス配線５の延設方向
に於いてもこれらが重畳されている構成とすることがで
きる。
ｂから構成されている。一方の絵素電極３ａは絶縁膜４
上に絵素電極３ｂの形成に先だって形成され、絵素電極
３ａが形成された後、絵素電極３ａの周辺部に絶縁膜４
ａがパターン形成される。その後に絵素電極３ｂがパタ
ーン形成される。従って、隣接する絵素電極３ａ及び３
ｂの端部は、絶縁膜４ａの介在によって互いに表示装置
の厚さ方向に、絵素電極３ｂの端部の厚みより大きくず
れて形成されている。また、図２に示すように、ソース
バス配線６の延設方向では、絵素電極３ａと絵素電極３
ｂとは絶縁膜４ａを挟んで重畳されている。本実施例で
はソースバス配線６の延設方向にのみ絵素電極３ａ及び
３ｂが重畳されているが、ゲートバス配線５の延設方向
に於いてもこれらが重畳されている構成とすることがで
きる。
【００１６】絵素電極３上には配向膜２７が形成されて
いる。また、絶縁性基板１に対向する対向基板１０上に
は、ＩＴＯからなる対向電極１３及び配向膜２７が形成
されている。絶縁性基板１及び対向基板１０の間に液晶
層８が封入され、液晶セルが構成されている。更に絶縁
性基板１及び対向基板１０の両外側にはそれぞれ偏光板
（図示せず）が設けられている。
いる。また、絶縁性基板１に対向する対向基板１０上に
は、ＩＴＯからなる対向電極１３及び配向膜２７が形成
されている。絶縁性基板１及び対向基板１０の間に液晶
層８が封入され、液晶セルが構成されている。更に絶縁
性基板１及び対向基板１０の両外側にはそれぞれ偏光板
（図示せず）が設けられている。
【００１７】この表示装置のセル構成、即ち、２つの配
向膜２７のラビング処理方向及び各偏光板の偏光軸を図
３に示す。図３中、実線ｏは上側偏光板の偏光軸方向を
示し、矢印ｍは上側基板上の配向膜のラビング処理方向
を示す。破線ｐは下側偏光板の偏光軸方向を示し、矢印
ｎは下側基板上の配向膜のラビング処理方向を示す。図
３に示すように、液晶層８内の液晶分子の捩れ角は９０
度であり、本実施例のアクティブマトリクス表示装置は
ノーマリホワイトモードである。本実施例では液晶セル
のΔｎ・ｄ値、即ち、複屈折とセル厚との積は、約０．
４に設定されている。液晶層８に添加されるカイラル剤
として、ＣＮ（ＣｈｏｌｅｓｔｅｒｙｌＮａｎｏｎａｔ
ｅ）を用い、その添加量はｄ／ｐ値、即ち、セル厚と液
晶のヘリカルピッチ長との比が０．１となるように決定
した。
向膜２７のラビング処理方向及び各偏光板の偏光軸を図
３に示す。図３中、実線ｏは上側偏光板の偏光軸方向を
示し、矢印ｍは上側基板上の配向膜のラビング処理方向
を示す。破線ｐは下側偏光板の偏光軸方向を示し、矢印
ｎは下側基板上の配向膜のラビング処理方向を示す。図
３に示すように、液晶層８内の液晶分子の捩れ角は９０
度であり、本実施例のアクティブマトリクス表示装置は
ノーマリホワイトモードである。本実施例では液晶セル
のΔｎ・ｄ値、即ち、複屈折とセル厚との積は、約０．
４に設定されている。液晶層８に添加されるカイラル剤
として、ＣＮ（ＣｈｏｌｅｓｔｅｒｙｌＮａｎｏｎａｔ
ｅ）を用い、その添加量はｄ／ｐ値、即ち、セル厚と液
晶のヘリカルピッチ長との比が０．１となるように決定
した。
【００１８】本実施例のアクティブマトリクス表示装置
の、絶縁性基板１及び対向基板１０の貼り合わせのずれ
を考慮した表示特性を表１に示す。比較のために、図４
に示す従来の表示装置の表示特性を比較例１に、図６に
示す従来の表示装置の表示特性を比較例２に示す。
の、絶縁性基板１及び対向基板１０の貼り合わせのずれ
を考慮した表示特性を表１に示す。比較のために、図４
に示す従来の表示装置の表示特性を比較例１に、図６に
示す従来の表示装置の表示特性を比較例２に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１に於いて表示輝度とは、最大コントラ
スト比が得られるように表示装置を駆動し、白表示を行
った場合に於ける光のパネル透過率である。本実施例で
は貼り合わせによるずれが生じた場合も含め、従来の表
示装置に比べて高輝度の表示画面が得られる。また、基
板の貼り合わせのずれが生じても最大コントラスト比が
変化せず、安定したコントラスト比、高い色再現性が得
られている。また、開口率も、比較例では３５〜５０％
であるのに対し、本実施例では８０％にも達し、表示品
位が大きく向上している。
スト比が得られるように表示装置を駆動し、白表示を行
った場合に於ける光のパネル透過率である。本実施例で
は貼り合わせによるずれが生じた場合も含め、従来の表
示装置に比べて高輝度の表示画面が得られる。また、基
板の貼り合わせのずれが生じても最大コントラスト比が
変化せず、安定したコントラスト比、高い色再現性が得
られている。また、開口率も、比較例では３５〜５０％
であるのに対し、本実施例では８０％にも達し、表示品
位が大きく向上している。
【００２１】（実施例２）本実施例のアクティブマトリ
クス表示装置は、上述の実施例１と同様の構成を有して
いるが、絵素電極３がＴｉ金属層からなる点のみが異な
る。従って、本実施例は図１及び図２に示される構成を
有する反射型のアクティブマトリクス表示装置である。
前述の実施例１と同様に、本実施例の絶縁性基板１及び
対向基板１０の貼り合わせのずれを考慮した表示特性を
表２に示す。比較のために、図４に示す構成を有する従
来の反射型表示装置の表示特性を比較例３に、図６に示
す構成を有する従来の反射型表示装置の表示特性を比較
例４に示す。
クス表示装置は、上述の実施例１と同様の構成を有して
いるが、絵素電極３がＴｉ金属層からなる点のみが異な
る。従って、本実施例は図１及び図２に示される構成を
有する反射型のアクティブマトリクス表示装置である。
前述の実施例１と同様に、本実施例の絶縁性基板１及び
対向基板１０の貼り合わせのずれを考慮した表示特性を
表２に示す。比較のために、図４に示す構成を有する従
来の反射型表示装置の表示特性を比較例３に、図６に示
す構成を有する従来の反射型表示装置の表示特性を比較
例４に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】ここで、表示輝度とは、表示装置の画面の
法線に対して４５度の方向から入射した光の輝度に対す
る、該法線に対して４５度の方向に出射した光の輝度
（若しくは反射率）を表わす。
法線に対して４５度の方向から入射した光の輝度に対す
る、該法線に対して４５度の方向に出射した光の輝度
（若しくは反射率）を表わす。
【００２４】本実施例でも貼り合わせによるずれが生じ
た場合も含め、従来の表示装置に比べて高輝度の表示画
面が得られる。また、基板の貼り合わせのずれが生じて
も最大コントラスト比が変化せず、安定したコントラス
ト比、高い色再現性が得られている。また、開口率も、
比較例では５０〜７０％であるのに対し、本実施例では
１００％とすることができ、表示品位が大きく向上して
いる。
た場合も含め、従来の表示装置に比べて高輝度の表示画
面が得られる。また、基板の貼り合わせのずれが生じて
も最大コントラスト比が変化せず、安定したコントラス
ト比、高い色再現性が得られている。また、開口率も、
比較例では５０〜７０％であるのに対し、本実施例では
１００％とすることができ、表示品位が大きく向上して
いる。
【００２５】本実施例では、前述の実施例１と同様に、
配向膜２７のラビング処理方向及び各偏光板の偏光軸を
図３に示すように設定したが、表示輝度は実施例１より
かなり小さくなっている。従って、反射型の表示装置で
は他の表示モードを用いる必要があるが、表示モードを
変更しても、本発明の効果は表２と同様に現れることが
確認された。
配向膜２７のラビング処理方向及び各偏光板の偏光軸を
図３に示すように設定したが、表示輝度は実施例１より
かなり小さくなっている。従って、反射型の表示装置で
は他の表示モードを用いる必要があるが、表示モードを
変更しても、本発明の効果は表２と同様に現れることが
確認された。
【００２６】上記実施例１及び２では、前述のように各
パラメータを設定したが、セルのΔｎ・ｄ値を０．２４
以上、０．５６以下の範囲内に設定し、添加するカイラ
ル剤として各種のものを用い、ｄ／ｐ値が０．０１以
上、０．５以下であれば、同様の結果が得られることが
確認されている。また、ゲートバス配線５及びソースバ
ス配線６として、Ｔａ、Ｔｉ以外のＣｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ等の単体または合金を用いることもで
きる。
パラメータを設定したが、セルのΔｎ・ｄ値を０．２４
以上、０．５６以下の範囲内に設定し、添加するカイラ
ル剤として各種のものを用い、ｄ／ｐ値が０．０１以
上、０．５以下であれば、同様の結果が得られることが
確認されている。また、ゲートバス配線５及びソースバ
ス配線６として、Ｔａ、Ｔｉ以外のＣｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ等の単体または合金を用いることもで
きる。
【００２７】上記実施例１では、絵素電極３としてＩＴ
Ｏを用いたが、他の透明導電膜を用いることもできる。
また、実施例２では、絵素電極３としてＴｉを用いた
が、Ａｌ、Ｍｏ、又はこれらの合金を用いることもでき
る。更に、上記実施例１、２では絶縁膜４としてＳｉＮ
Xを用いたが、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｔａ2Ｏ5等、他の絶縁
膜を用いても同様の効果が得られる。
Ｏを用いたが、他の透明導電膜を用いることもできる。
また、実施例２では、絵素電極３としてＴｉを用いた
が、Ａｌ、Ｍｏ、又はこれらの合金を用いることもでき
る。更に、上記実施例１、２では絶縁膜４としてＳｉＮ
Xを用いたが、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｔａ2Ｏ5等、他の絶縁
膜を用いても同様の効果が得られる。
【００２８】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス表示装置
は、隣接する絵素電極の端部が、互いに表示装置の厚さ
方向に、絵素電極の厚みより大きくずれた構成を有して
いる。この構成により、絵素電極の間に表示に寄与しな
いスペースを設ける必要がなくなり、開口率が向上す
る。従って、本発明によれば高コントラスト、高輝度の
表示画面が得られ、画像品位の向上に寄与することがで
きる。
は、隣接する絵素電極の端部が、互いに表示装置の厚さ
方向に、絵素電極の厚みより大きくずれた構成を有して
いる。この構成により、絵素電極の間に表示に寄与しな
いスペースを設ける必要がなくなり、開口率が向上す
る。従って、本発明によれば高コントラスト、高輝度の
表示画面が得られ、画像品位の向上に寄与することがで
きる。
【図１】本発明のアクティブマトリクス表示装置の一実
施例の断面図である。
施例の断面図である。
【図２】図１の表示装置を構成するアクティブマトリク
ス基板の平面図である。
ス基板の平面図である。
【図３】図１に示すアクティブマトリクス表示装置のセ
ル構成を示す図である。
ル構成を示す図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス表示装置の断面図
である。
である。
【図５】図４の表示装置を構成するアクティブマトリク
ス基板の平面図である。
ス基板の平面図である。
【図６】図４の表示装置を改良した従来のアクティブマ
トリクス表示装置の断面図である。
トリクス表示装置の断面図である。
【符号の説明】 １ 絶縁性基板 ２ ＴＦＴ ３、３ａ、３ｂ 絵素電極 ４、４ａ 絶縁膜 ５ ゲートバス配線 ６ ソースバス配線 ７ ゲート電極 ８ 液晶層 ９ ゲート絶縁膜 １０ 対向基板 １３ 対向電極 ２１ チャネル層 ２２ エッチングストッパ ２３ ソース電極 ２４ ドレイン電極 ２５ ＩＴＯ膜 ２６ コンタクトホール ２７ 配向膜
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の絶縁性基板と、該基板間に封入さ
れた表示媒体と、該基板の何れか一方に配された、該表
示媒体に電圧を印加するための絵素電極と、を有するア
クティブマトリクス表示装置であって、隣接する該絵素
電極の端部が、互いに該表示装置の厚さ方向に、該絵素
電極の厚みより大きくずれていることを特徴とするアク
ティブマトリクス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023097A JP3145944B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023097A JP3145944B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2653591A Division JP2653559B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 単純マトリクス液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09197443A true JPH09197443A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3145944B2 JP3145944B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=12574942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4023097A Expired - Lifetime JP3145944B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145944B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476900B1 (en) | 1997-12-17 | 2002-11-05 | Hyundai Display Technology Inc. | Liquid crystal display |
-
1997
- 1997-02-25 JP JP4023097A patent/JP3145944B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476900B1 (en) | 1997-12-17 | 2002-11-05 | Hyundai Display Technology Inc. | Liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3145944B2 (ja) | 2001-03-12 |
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