JPH09197148A - 高分子光導波路 - Google Patents
高分子光導波路Info
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- JPH09197148A JPH09197148A JP8010392A JP1039296A JPH09197148A JP H09197148 A JPH09197148 A JP H09197148A JP 8010392 A JP8010392 A JP 8010392A JP 1039296 A JP1039296 A JP 1039296A JP H09197148 A JPH09197148 A JP H09197148A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- refractive index
- optical waveguide
- clad
- polymer
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高分子を用いた光導波路であって、屈曲によ
る伝搬損失の増大を極力低減させ、性能を低下させるこ
となく屈曲させることができ、かつ簡便な製造工程によ
り製造可能で、歩留りを向上し信頼性の高い高分子光導
波路。 【解決手段】 コア１と、そのコアの周りに配置された
コアより屈折率の低いクラッド２を少なくとも含む平板
型高分子光導波路において、コアの上下に前記クラッド
よりも屈折率の低い低屈折率層３が設けられていること
を特徴とする。
る伝搬損失の増大を極力低減させ、性能を低下させるこ
となく屈曲させることができ、かつ簡便な製造工程によ
り製造可能で、歩留りを向上し信頼性の高い高分子光導
波路。 【解決手段】 コア１と、そのコアの周りに配置された
コアより屈折率の低いクラッド２を少なくとも含む平板
型高分子光導波路において、コアの上下に前記クラッド
よりも屈折率の低い低屈折率層３が設けられていること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子光導波路に
関し、特に、光集積回路、光インタコネクション、ある
いは光合分波器等の光学部品に用いるのに優れた低損失
光導波路に関するものである。
関し、特に、光集積回路、光インタコネクション、ある
いは光合分波器等の光学部品に用いるのに優れた低損失
光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光部品、あるいは光ファイバの基材とし
ては、光伝搬損失が小さく、伝送帯域が広いという特徴
を有する石英ガラスや多成分ガラス等の無機系の材料が
広く使用されている。しかし、近年においては、無機系
の材料に比べて加工性や価格の点で有利であることか
ら、光導波路用材料として、高分子系の材料も注目さ
れ、開発されている。例えば、ポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）やポリスチレンのような透明性に優れた
高分子をコアとし、そのコア材料よりも屈折率の低い高
分子材料をクラッドとしたコア−クラッド構造からなる
平板型光導波路素子が作製されている（特開平３−１８
８４０２号公報）。また、耐熱性の高い透明性高分子で
あるポリイミドやポリシロキサンを用いた平板型光導波
路素子も作製されている。ところで、高分子光導波路で
あると、屈曲な形状とすることが容易に可能であるとい
う利点がある。しかしながら、従来、製造上の制約か
ら、導波路をガラス基板、シリコン基板または厚い高分
子基板上に形成していた為に、その屈曲が可能という利
点を活かすことがなかった。また、屈曲させると伝搬損
失が増加するという問題もある。このような課題を解決
するものとして、屈曲による伝搬損失の増加を低減し、
屈曲性を利用することのできる高分子導波路として、図
２に示すように、クラッド２よりも屈折率の低い低屈折
率層をコア１を囲むように形成し、屈折率分布が上下方
向および水平方向の両側からともＷ型となる高分子導波
路（以下、「全周Ｗ型」と称する。）が考えられる。
ては、光伝搬損失が小さく、伝送帯域が広いという特徴
を有する石英ガラスや多成分ガラス等の無機系の材料が
広く使用されている。しかし、近年においては、無機系
の材料に比べて加工性や価格の点で有利であることか
ら、光導波路用材料として、高分子系の材料も注目さ
れ、開発されている。例えば、ポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）やポリスチレンのような透明性に優れた
高分子をコアとし、そのコア材料よりも屈折率の低い高
分子材料をクラッドとしたコア−クラッド構造からなる
平板型光導波路素子が作製されている（特開平３−１８
８４０２号公報）。また、耐熱性の高い透明性高分子で
あるポリイミドやポリシロキサンを用いた平板型光導波
路素子も作製されている。ところで、高分子光導波路で
あると、屈曲な形状とすることが容易に可能であるとい
う利点がある。しかしながら、従来、製造上の制約か
ら、導波路をガラス基板、シリコン基板または厚い高分
子基板上に形成していた為に、その屈曲が可能という利
点を活かすことがなかった。また、屈曲させると伝搬損
失が増加するという問題もある。このような課題を解決
するものとして、屈曲による伝搬損失の増加を低減し、
屈曲性を利用することのできる高分子導波路として、図
２に示すように、クラッド２よりも屈折率の低い低屈折
率層をコア１を囲むように形成し、屈折率分布が上下方
向および水平方向の両側からともＷ型となる高分子導波
路（以下、「全周Ｗ型」と称する。）が考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この全
周Ｗ型導波路であると、屈曲による伝搬損失の増加を低
減でき屈曲性を有した導波路を実現することはできるも
のの、低屈折率層３をコア１の側壁に均一に形成するこ
とが難しく、歩留り良く製造することは困難で、信頼性
は十分ではなかった。本発明は前記課題を解決するため
になされたもので、高分子を用いた光導波路であって、
屈曲による伝搬損失の増大を極力低減させ、性能を低下
させることなく屈曲させることができ、かつ簡便な製造
工程により製造可能で、歩留りを向上し信頼性の高い高
分子光導波路を提供することを目的とする。
周Ｗ型導波路であると、屈曲による伝搬損失の増加を低
減でき屈曲性を有した導波路を実現することはできるも
のの、低屈折率層３をコア１の側壁に均一に形成するこ
とが難しく、歩留り良く製造することは困難で、信頼性
は十分ではなかった。本発明は前記課題を解決するため
になされたもので、高分子を用いた光導波路であって、
屈曲による伝搬損失の増大を極力低減させ、性能を低下
させることなく屈曲させることができ、かつ簡便な製造
工程により製造可能で、歩留りを向上し信頼性の高い高
分子光導波路を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願発明者等は全周Ｗ型
導波路の導波特性を検討したところ、屈曲時において、
その損失低減に主として寄与する低屈折率層は、膜厚上
下方向に位置する部分であることを解明した。また、コ
アの上下にのみ低屈折率層を形成するのであれば、スピ
ンコート等の手段により簡便に且つ高歩留りに低屈折率
層を形成することが可能であることを見い出した。即
ち、本発明は、コアと、そのコアの周りに配置されたコ
アより屈折率の低いクラッドを少なくとも含む平板型高
分子光導波路において、コアの上下にクラッドよりも屈
折率の低い低屈折率層が設けられていることを特徴とす
るものである。この高分子光導波路であると、屈曲時の
伝搬損失の低減と製造工程の簡便化を両立することがで
きる。
導波路の導波特性を検討したところ、屈曲時において、
その損失低減に主として寄与する低屈折率層は、膜厚上
下方向に位置する部分であることを解明した。また、コ
アの上下にのみ低屈折率層を形成するのであれば、スピ
ンコート等の手段により簡便に且つ高歩留りに低屈折率
層を形成することが可能であることを見い出した。即
ち、本発明は、コアと、そのコアの周りに配置されたコ
アより屈折率の低いクラッドを少なくとも含む平板型高
分子光導波路において、コアの上下にクラッドよりも屈
折率の低い低屈折率層が設けられていることを特徴とす
るものである。この高分子光導波路であると、屈曲時の
伝搬損失の低減と製造工程の簡便化を両立することがで
きる。
【０００５】また、クラッド及びコアとしては、下記一
般式で表される化学構造のうち、２種以上の異なった
繰返し単位からなる共重合体の重水素化またはハロゲン
化ポリアクリレートであることが望ましい。
般式で表される化学構造のうち、２種以上の異なった
繰返し単位からなる共重合体の重水素化またはハロゲン
化ポリアクリレートであることが望ましい。
【化４】 ここで、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ重水素またはハロゲン原
子、Ｒ1は重水素、ＣＤ3基（Ｄは重水素）及びハロゲン
原子のうちの１種、Ｒ2はＣnＹ2n+1で表されるハロゲン
化または重水素化アルキル基（Ｙはハロゲン原子または
重水素、ｎは５以下の正の整数）である。または、クラ
ッド及びコアは、下記一般式または一般式で表され
る繰返し単位を有するポリシロキサン、若しくは一般式
で表される繰返し単位と一般式で表される繰返し単
位の共重合体であるポリシロキサン、またはこれらの混
合物であるポリマーであることが望ましい。
子、Ｒ1は重水素、ＣＤ3基（Ｄは重水素）及びハロゲン
原子のうちの１種、Ｒ2はＣnＹ2n+1で表されるハロゲン
化または重水素化アルキル基（Ｙはハロゲン原子または
重水素、ｎは５以下の正の整数）である。または、クラ
ッド及びコアは、下記一般式または一般式で表され
る繰返し単位を有するポリシロキサン、若しくは一般式
で表される繰返し単位と一般式で表される繰返し単
位の共重合体であるポリシロキサン、またはこれらの混
合物であるポリマーであることが望ましい。
【化５】
【化６】 ここで、Ｒ1とＲ2は同一または異なり、ＣnＹ2n+1で表
されるアルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎ
は５以下の正の整数）、または、Ｃ6Ｙ5（Ｙは水素、重
水素もしくはハロゲンを示す）で表されるフェニル基、
重水素化フェニル基もしくはハロゲン化フェニル基であ
る。
されるアルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎ
は５以下の正の整数）、または、Ｃ6Ｙ5（Ｙは水素、重
水素もしくはハロゲンを示す）で表されるフェニル基、
重水素化フェニル基もしくはハロゲン化フェニル基であ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の高分子光導波路は、図１
に示すように、コア１の上下のみにクラッド２よりもさ
らに屈折率の低い低屈折率層３を形成し、コアの厚さ方
向に対してのみ屈折率分布がＷ型になるものである。低
屈折率層としては、クラッド、コア間でインターミキシ
ングを起こさない材料であればどのような材料でも可能
であるが、低損失かつ易加工性を有する材料が望まし
い。例えば、ＰＭＭＡのフッ素化合物の共重合体、シリ
コーン共重合体、ＳＯＧ（Spinon Glass）などである。
低屈折率層の厚さは、コア・クラッドの厚さの１／１０
程度の厚さが好適で、クラッドよりも屈折率の低い材料
をスピンコート等により塗布することにより容易に形成
される。
に示すように、コア１の上下のみにクラッド２よりもさ
らに屈折率の低い低屈折率層３を形成し、コアの厚さ方
向に対してのみ屈折率分布がＷ型になるものである。低
屈折率層としては、クラッド、コア間でインターミキシ
ングを起こさない材料であればどのような材料でも可能
であるが、低損失かつ易加工性を有する材料が望まし
い。例えば、ＰＭＭＡのフッ素化合物の共重合体、シリ
コーン共重合体、ＳＯＧ（Spinon Glass）などである。
低屈折率層の厚さは、コア・クラッドの厚さの１／１０
程度の厚さが好適で、クラッドよりも屈折率の低い材料
をスピンコート等により塗布することにより容易に形成
される。
【０００７】低屈折率層を形成しない光導波路（以下、
「通常型」と称する）と、本発明に相当する上下のみに
低屈折率層を形成した光導波路において、導波路中の電
界分布のシミュレーションの結果を図３に示す。図３に
おいて、（Ａ）に示すものが通常型光導波路、（Ｂ）が
本発明に相当するコア１の上下のみに低屈折率層３を形
成した光導波路のものである。こららは共に、コアサイ
ズは８×８μｍとし、コアの屈折率は１.４８４、クラ
ッドの屈折率は１.４８０とし、光の波長を１.３１μｍ
としたものである。また、（Ｂ）において、コア１の上
下に設けた低屈折率層３の屈折率は１.３９４で、その
厚みは１μｍである。図３から、（Ａ）においては、光
の電界はほぼ同心円状になっているのに対し、（Ｂ）で
は低屈折率層の存在により上下方向に強く閉じ込められ
ているのがわかる。高分子光導波路をフレキシブル光導
波路として使用する場合、例えば、光インタコネクショ
ンに用いる場合、想定される曲げの方向は上下方向のみ
なので、上下方向に強い光閉じ込めができれば、たとえ
光導波路が曲っても曲げ損失は小さく抑えられ、損失の
少ない光導波路が達成できることがわかる。
「通常型」と称する）と、本発明に相当する上下のみに
低屈折率層を形成した光導波路において、導波路中の電
界分布のシミュレーションの結果を図３に示す。図３に
おいて、（Ａ）に示すものが通常型光導波路、（Ｂ）が
本発明に相当するコア１の上下のみに低屈折率層３を形
成した光導波路のものである。こららは共に、コアサイ
ズは８×８μｍとし、コアの屈折率は１.４８４、クラ
ッドの屈折率は１.４８０とし、光の波長を１.３１μｍ
としたものである。また、（Ｂ）において、コア１の上
下に設けた低屈折率層３の屈折率は１.３９４で、その
厚みは１μｍである。図３から、（Ａ）においては、光
の電界はほぼ同心円状になっているのに対し、（Ｂ）で
は低屈折率層の存在により上下方向に強く閉じ込められ
ているのがわかる。高分子光導波路をフレキシブル光導
波路として使用する場合、例えば、光インタコネクショ
ンに用いる場合、想定される曲げの方向は上下方向のみ
なので、上下方向に強い光閉じ込めができれば、たとえ
光導波路が曲っても曲げ損失は小さく抑えられ、損失の
少ない光導波路が達成できることがわかる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。 ［実施例１］図１に示すように、コア１とクラッド２を
有し、コア１の上下のみにクラッド２よりも屈折率の低
いポリマーからなる低屈折率層３を形成し、屈曲性のあ
る平板型高分子光導波路を製造した。本実施例において
は、コア１を重水素化ポリメチルメタクリレートで構成
し、クラッド２を重水素化メチルメタクリレートとフッ
素化メタクリレート（モル比９：１）の共重合体で構成
し、低屈折率層３を重水素化メチルメタクリレートとフ
ッ素化メタクリレート（モル比 ７：３）の共重合体で
構成した。これらは特開平２−９２９０８号公報に記載
されている製法により作製した。即ち、上記３種のポリ
マーをそれぞれメチルイソブチルケトンとキシレンの混
合溶液に溶かして溶液に調製しておき、シリコン基板に
銅をスパッタリングした基板上にクラッド成分ポリマー
を約２５μｍスピンコートで塗布した。そして、ベー
ク、乾燥処理後、その上に低屈折率層成分ポリマーを層
厚が約０.５μｍになるようにスピンコートで塗布し
た。続いて、その上にコア成分ポリマーを層厚が約８μ
ｍになるようにスピンコートで塗布し、さらにその上に
低屈折率層成分ポリマーを約０.５μｍスピンコートで
塗布した。次に、フォトリソグラフィー、ドライエッチ
ングによりコア成分ポリマーを８×８μｍ2の直線矩形
パターンに加工した。加工後、クラッド成分を塗布し、
埋込み型導波路を得た。この導波路を希塩酸（塩化水素
２０％）中で基板より剥離、シート状にしてフレキシブ
ル高分子光導波路を得た。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。 ［実施例１］図１に示すように、コア１とクラッド２を
有し、コア１の上下のみにクラッド２よりも屈折率の低
いポリマーからなる低屈折率層３を形成し、屈曲性のあ
る平板型高分子光導波路を製造した。本実施例において
は、コア１を重水素化ポリメチルメタクリレートで構成
し、クラッド２を重水素化メチルメタクリレートとフッ
素化メタクリレート（モル比９：１）の共重合体で構成
し、低屈折率層３を重水素化メチルメタクリレートとフ
ッ素化メタクリレート（モル比 ７：３）の共重合体で
構成した。これらは特開平２−９２９０８号公報に記載
されている製法により作製した。即ち、上記３種のポリ
マーをそれぞれメチルイソブチルケトンとキシレンの混
合溶液に溶かして溶液に調製しておき、シリコン基板に
銅をスパッタリングした基板上にクラッド成分ポリマー
を約２５μｍスピンコートで塗布した。そして、ベー
ク、乾燥処理後、その上に低屈折率層成分ポリマーを層
厚が約０.５μｍになるようにスピンコートで塗布し
た。続いて、その上にコア成分ポリマーを層厚が約８μ
ｍになるようにスピンコートで塗布し、さらにその上に
低屈折率層成分ポリマーを約０.５μｍスピンコートで
塗布した。次に、フォトリソグラフィー、ドライエッチ
ングによりコア成分ポリマーを８×８μｍ2の直線矩形
パターンに加工した。加工後、クラッド成分を塗布し、
埋込み型導波路を得た。この導波路を希塩酸（塩化水素
２０％）中で基板より剥離、シート状にしてフレキシブ
ル高分子光導波路を得た。
【０００９】同様の材料を使用して、上説した全周Ｗ型
導波路と、低屈折率層を含まない通常のフレキシブル導
波路（通常型）とを作製し、これら３種の各高分子光導
波路について、その導波路特性（波長１.３１μｍ）を
測定した。なお、測定は、５０mmの導波路の損失（結合
損失を含む）を測定し、導波路を曲げない状態（通常
時）と曲げた場合（曲げ半径：１０mm）において測定を
行った。測定結果を表１に示す。
導波路と、低屈折率層を含まない通常のフレキシブル導
波路（通常型）とを作製し、これら３種の各高分子光導
波路について、その導波路特性（波長１.３１μｍ）を
測定した。なお、測定は、５０mmの導波路の損失（結合
損失を含む）を測定し、導波路を曲げない状態（通常
時）と曲げた場合（曲げ半径：１０mm）において測定を
行った。測定結果を表１に示す。
【表１】 表１から、通常型は屈曲させることによって２.５ｄＢ
まで損失が増大するのに対して、全周Ｗ型は１.５ｄ
Ｂ、実施例１のものでは１.６ｄＢと共に損失増加が小
さかった。すなわち、全周Ｗ型構造に比べて本実施例の
構造では、大幅に作製工程が簡便になるにもかかわら
ず、同程度の曲げ損失低減の効果があることになる。
まで損失が増大するのに対して、全周Ｗ型は１.５ｄ
Ｂ、実施例１のものでは１.６ｄＢと共に損失増加が小
さかった。すなわち、全周Ｗ型構造に比べて本実施例の
構造では、大幅に作製工程が簡便になるにもかかわら
ず、同程度の曲げ損失低減の効果があることになる。
【００１０】［実施例２］下記化学式（ａ）〜（ｄ）で
示される繰返し単位からなる重合体をコア材料とし、ク
ラッドを重水素化メチルメタクリレートとし、他は実施
例１と同様にして作製した導波路について、通常時と屈
強時（曲げ半径：１０mm）の損失差を測定した。測定結
果を表２に示す。
示される繰返し単位からなる重合体をコア材料とし、ク
ラッドを重水素化メチルメタクリレートとし、他は実施
例１と同様にして作製した導波路について、通常時と屈
強時（曲げ半径：１０mm）の損失差を測定した。測定結
果を表２に示す。
【化７】
【表２】 表２から、いずれも、損失差は僅かで、低屈折率層を有
する構造とすることによる効果が大きいことがわかる。
する構造とすることによる効果が大きいことがわかる。
【００１１】［実施例３］クラッドとして、下記化学式
（ｅ）で示される構造の繰返し単位からなるポリシロキ
サンをアニソールに１０重量％溶かした溶液を使用し、
コアとして、下記化学式（ｆ）で示される繰返し単位と
化学式（ｇ）で示される繰返し単位の共重合体をアニソ
ールに１０重量％溶かした溶液を使用し、低屈折率層と
して無機ＳＯＧを使用して実施例１と同様のフレキシブ
ル高分子光導波路を作製した。またさらに、同材料を使
用して通常型および全周Ｗ型の高分子光導波路を作製し
た。
（ｅ）で示される構造の繰返し単位からなるポリシロキ
サンをアニソールに１０重量％溶かした溶液を使用し、
コアとして、下記化学式（ｆ）で示される繰返し単位と
化学式（ｇ）で示される繰返し単位の共重合体をアニソ
ールに１０重量％溶かした溶液を使用し、低屈折率層と
して無機ＳＯＧを使用して実施例１と同様のフレキシブ
ル高分子光導波路を作製した。またさらに、同材料を使
用して通常型および全周Ｗ型の高分子光導波路を作製し
た。
【化８】 これらの光導波路（波長：１.３１μｍ、長さ：５０m
m）を１２０℃で１００時間加熱した後の曲げ損失（結
合損失を含む）を測定した。測定結果を表３に示す。
m）を１２０℃で１００時間加熱した後の曲げ損失（結
合損失を含む）を測定した。測定結果を表３に示す。
【表３】 表３から、実施例３の高分子光導波路であると、加熱後
の曲げ損失の増加も非常に小さく、測定誤差範囲内であ
ることがわかる。
の曲げ損失の増加も非常に小さく、測定誤差範囲内であ
ることがわかる。
【００１２】［実施例４］上記実施例３と同様にしてフ
レキシブル高分子光導波路を作製した。但し、クラッド
として、下記化学式（ｈ）で示される構造の繰返し単位
からなるポリシロキサンをアニソールに１０重量％溶か
した溶液を使用し、コアとして、下記化学式（ｉ）で示
される繰返し単位と化学式（ｊ）で示される繰返し単位
の共重合体をアニソールに１０重量％溶かした溶液を使
用した。また、同材料を使用して通常型および全周Ｗ型
の高分子光導波路を作製した。
レキシブル高分子光導波路を作製した。但し、クラッド
として、下記化学式（ｈ）で示される構造の繰返し単位
からなるポリシロキサンをアニソールに１０重量％溶か
した溶液を使用し、コアとして、下記化学式（ｉ）で示
される繰返し単位と化学式（ｊ）で示される繰返し単位
の共重合体をアニソールに１０重量％溶かした溶液を使
用した。また、同材料を使用して通常型および全周Ｗ型
の高分子光導波路を作製した。
【化９】 また、実施例３と同様に、これらの導波路（波長：１.
３１μｍ、長さ：５０mm）を１２０℃、１００時間加熱
した後の曲げ損失（結合損失を含む）を測定した。測定
結果を表４に示す。
３１μｍ、長さ：５０mm）を１２０℃、１００時間加熱
した後の曲げ損失（結合損失を含む）を測定した。測定
結果を表４に示す。
【表４】 表４から、この実施例４の高分子光導波路においても、
加熱後の曲げ損失の増加が非常に小さく、測定誤差範囲
内であることがわかる。
加熱後の曲げ損失の増加が非常に小さく、測定誤差範囲
内であることがわかる。
【００１３】［実施例５］上記実施例３と同様にしてフ
レキシブル高分子光導波路を作製した。但し、クラッド
として、下記化学式（ｋ）で示される構造の繰返し単位
からなるポリシロキサンをアニソールに１０重量％溶か
した溶液を使用し、コアとして、下記化学式（ｌ）で示
される繰返し単位と化学式（ｍ）で示される繰返し単位
の共重合体をアニソールに１０重量％溶かした溶液を使
用した。また、低屈折率層として下記化学式（ｎ）で示
される高分子材料を使用した。また、同材料を使用して
通常型および全周Ｗ型の高分子光導波路も作製した。
レキシブル高分子光導波路を作製した。但し、クラッド
として、下記化学式（ｋ）で示される構造の繰返し単位
からなるポリシロキサンをアニソールに１０重量％溶か
した溶液を使用し、コアとして、下記化学式（ｌ）で示
される繰返し単位と化学式（ｍ）で示される繰返し単位
の共重合体をアニソールに１０重量％溶かした溶液を使
用した。また、低屈折率層として下記化学式（ｎ）で示
される高分子材料を使用した。また、同材料を使用して
通常型および全周Ｗ型の高分子光導波路も作製した。
【化１０】 また、実施例３と同様に、これらの導波路（波長：１.
３１μｍ、長さ：５０mm）を１２０℃、１００時間加熱
した後の曲げ損失（結合損失を含む）を測定した。測定
結果を表５に示す。
３１μｍ、長さ：５０mm）を１２０℃、１００時間加熱
した後の曲げ損失（結合損失を含む）を測定した。測定
結果を表５に示す。
【表５】 表５から、加熱後の曲げ損失の増加も非常に小さく、測
定誤差範囲内であることがわかる。
定誤差範囲内であることがわかる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によるフレキシブル高分子光導波
路は、フレキシブルで低損失な素子が従来より簡便なプ
ロセスで実現可能なため、例えば、光コネクタ間の接続
等の光インターコネクションを構築する上で重要な素子
となる。
路は、フレキシブルで低損失な素子が従来より簡便なプ
ロセスで実現可能なため、例えば、光コネクタ間の接続
等の光インターコネクションを構築する上で重要な素子
となる。
【図１】本発明の高分子光導波路の一例を示す側断面図
である。
である。
【図２】全周Ｗ型高分子光導波路を示す側断面図であ
る。
る。
【図３】光導波路中の光の電界分布のシミュレーション
結果を示す図である。
結果を示す図である。
１ コア ２ クラッド ３ 低屈折率層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今村 三郎 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 コアと、そのコアの周りに配置されたコ
アより屈折率の低いクラッドを少なくとも含む平板型高
分子光導波路において、 前記コアの上下に前記クラッドよりも屈折率の低い低屈
折率層が設けられていることを特徴とする高分子光導波
路。 - 【請求項２】 前記クラッド及びコアが、下記一般式
で表される化学構造のうち、２種以上の異なった繰返し
単位からなる共重合体の重水素化またはハロゲン化ポリ
アクリレートであることを特徴とする請求項１記載の高
分子光導波路。 【化１】 ここで、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ重水素またはハロゲン原
子、 Ｒ1は重水素、ＣＤ3基（Ｄは重水素）及びハロゲン原子
のうちの１種、 Ｒ2はＣnＹ2n+1で表されるハロゲン化または重水素化ア
ルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５以下
の正の整数）である。 - 【請求項３】 前記クラッド及びコアが、下記一般式
または一般式で表される繰返し単位を有するポリシロ
キサン、若しくは一般式で表される繰返し単位と一般
式で表される繰返し単位の共重合体であるポリシロキ
サン、またはこれらの混合物であるポリマーであること
を特徴とする請求項１記載の高分子光導波路。 【化２】 【化３】 ここで、Ｒ1とＲ2は同一または異なり、ＣnＹ2n+1で表
されるアルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎ
は５以下の正の整数）、または、Ｃ6Ｙ5（Ｙは水素、重
水素もしくはハロゲンを示す）で表されるフェニル基、
重水素化フェニル基もしくはハロゲン化フェニル基であ
る。
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-
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