JPH09194826A - 導電性複合体、導電性膜形成用組成物、導電性膜及びそれらの製造法 - Google Patents
導電性複合体、導電性膜形成用組成物、導電性膜及びそれらの製造法Info
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- JPH09194826A JPH09194826A JP765396A JP765396A JPH09194826A JP H09194826 A JPH09194826 A JP H09194826A JP 765396 A JP765396 A JP 765396A JP 765396 A JP765396 A JP 765396A JP H09194826 A JPH09194826 A JP H09194826A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチック材料やガラス材料の表面に導電
性、耐久性、光透過性等の諸性能に優れた導電性膜を形
成する。 【解決手段】 導電性化合物前駆体と高分子化合物との
複合体を加熱処理してなることを特徴とする導電性複合
体、該導電性複合体を溶剤に溶解してなることを特徴と
する導電性膜形成用組成物及びそれらの製造法。
性、耐久性、光透過性等の諸性能に優れた導電性膜を形
成する。 【解決手段】 導電性化合物前駆体と高分子化合物との
複合体を加熱処理してなることを特徴とする導電性複合
体、該導電性複合体を溶剤に溶解してなることを特徴と
する導電性膜形成用組成物及びそれらの製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、溶剤可溶性や熱可
塑性を有する導電性複合体、導電性や光透過性等の諸性
能に優れた導電性膜を与える組成物及び導電性膜に関す
る。
塑性を有する導電性複合体、導電性や光透過性等の諸性
能に優れた導電性膜を与える組成物及び導電性膜に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】導電性と可視光透過性を兼ね備えた透明
導電材料は、液晶表示素子やタッチパネル等の透明電
極、各種ＯＡ機器の電磁波シールドや帯電防止、光電変
換素子等の用途に幅広く使用されている。このような透
明導電材料の例として、ＩＴＯの薄膜が挙げられる。Ｉ
ＴＯ膜を種々の基材表面に形成するには、スパッタ法や
蒸着法を用いることが一般的である。しかしながら、こ
れらの方法では真空設備を必要とするため、ＩＴＯ膜の
製造コストが高くなり、膜の大面積化が困難であるとい
う問題点を有していた。
導電材料は、液晶表示素子やタッチパネル等の透明電
極、各種ＯＡ機器の電磁波シールドや帯電防止、光電変
換素子等の用途に幅広く使用されている。このような透
明導電材料の例として、ＩＴＯの薄膜が挙げられる。Ｉ
ＴＯ膜を種々の基材表面に形成するには、スパッタ法や
蒸着法を用いることが一般的である。しかしながら、こ
れらの方法では真空設備を必要とするため、ＩＴＯ膜の
製造コストが高くなり、膜の大面積化が困難であるとい
う問題点を有していた。
【０００３】特開平５−１６６４１４号では、無機イン
ジウム化合物と有機錫化合物と、インジウムと錫に配位
可能な有機化合物からなる有機溶液を加熱処理して部分
的に加水分解させた後に多価アルコール類を混合して得
られる組成物を基材に塗布することによるＩＴＯ膜の形
成方法が開示されている。しかしながら、この方法では
インジウムと錫を含む組成物を基材に塗布して膜を作製
した後、４００〜７００℃で加熱処理を行う必要がある
ため、耐熱性の低い基材、例えば、高分子化合物基材や
陰極線管完成品フェースパネル等に成膜することは不可
能であった。
ジウム化合物と有機錫化合物と、インジウムと錫に配位
可能な有機化合物からなる有機溶液を加熱処理して部分
的に加水分解させた後に多価アルコール類を混合して得
られる組成物を基材に塗布することによるＩＴＯ膜の形
成方法が開示されている。しかしながら、この方法では
インジウムと錫を含む組成物を基材に塗布して膜を作製
した後、４００〜７００℃で加熱処理を行う必要がある
ため、耐熱性の低い基材、例えば、高分子化合物基材や
陰極線管完成品フェースパネル等に成膜することは不可
能であった。
【０００４】また、ＩＴＯ微粒子を高分子化合物や二酸
化珪素のマトリックス中に分散させた材料も知られてい
る。例えば、特開平６−２３４５５２号では、粒径５０
ｎｍ以下の粒子を体積分率で５０％以上含むＩＴＯ微粒
子を体積分率で３５〜９５％シリケートマトリックスに
分散させた材料が開示されている。これらの材料は、真
空設備や高温加熱装置等の特殊な設備を必要とせず、生
産性には優れているものの、導電性と可視光透過性の両
面で満足できる材料を得ることは困難であった。
化珪素のマトリックス中に分散させた材料も知られてい
る。例えば、特開平６−２３４５５２号では、粒径５０
ｎｍ以下の粒子を体積分率で５０％以上含むＩＴＯ微粒
子を体積分率で３５〜９５％シリケートマトリックスに
分散させた材料が開示されている。これらの材料は、真
空設備や高温加熱装置等の特殊な設備を必要とせず、生
産性には優れているものの、導電性と可視光透過性の両
面で満足できる材料を得ることは困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来知
られている透明導電材料は、膜の製造コストが高いこと
や膜の生産性が悪いという問題点を有していた。また、
これらの材料は金属酸化物の薄膜であるために脆く、例
えば基材を曲げるとクラックを生じて導電性を失う等の
欠点を有していた。また、予め別途製造した導電性微粒
子をマトリックスに分散させた材料は生産性には優れて
いるものの、その導電性や可視光透過性に問題があっ
た。本発明の目的は、上記欠点を改善した導電性複合
体、導電性膜形成用組成物及び導電性膜及びそれらの製
造法を提供することである。
られている透明導電材料は、膜の製造コストが高いこと
や膜の生産性が悪いという問題点を有していた。また、
これらの材料は金属酸化物の薄膜であるために脆く、例
えば基材を曲げるとクラックを生じて導電性を失う等の
欠点を有していた。また、予め別途製造した導電性微粒
子をマトリックスに分散させた材料は生産性には優れて
いるものの、その導電性や可視光透過性に問題があっ
た。本発明の目的は、上記欠点を改善した導電性複合
体、導電性膜形成用組成物及び導電性膜及びそれらの製
造法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成すべく鋭意検討してきた結果、特定の金属酸化物の前
駆体と高分子化合物の複合体を予め製造した後、この複
合体を加熱処理することにより、溶剤可溶性及び／また
は熱可塑性を有する導電性複合体が得られることを見い
だし、さらに、得られた導電性複合体を用いることによ
って導電性や可視光透過性に優れた導電性膜を形成する
ための組成物が得られることを見いだし本発明を完成す
るに至った。
成すべく鋭意検討してきた結果、特定の金属酸化物の前
駆体と高分子化合物の複合体を予め製造した後、この複
合体を加熱処理することにより、溶剤可溶性及び／また
は熱可塑性を有する導電性複合体が得られることを見い
だし、さらに、得られた導電性複合体を用いることによ
って導電性や可視光透過性に優れた導電性膜を形成する
ための組成物が得られることを見いだし本発明を完成す
るに至った。
【０００７】即ち、本発明は以下のものを提供するもの
である。 １）導電性化合物前駆体と高分子化合物との複合体を加
熱処理してなる導電性複合体であって、溶剤可溶性及び
／または熱可塑性を有することを特徴とする導電性複合
体。
である。 １）導電性化合物前駆体と高分子化合物との複合体を加
熱処理してなる導電性複合体であって、溶剤可溶性及び
／または熱可塑性を有することを特徴とする導電性複合
体。
【０００８】２）導電性化合物前駆体が下記一般式
（Ｉ）で表される有機インジウム化合物と下記一般式
（II）で表される有機錫化合物とをモル比で１００：１
〜４０の範囲で混合した混合物の加水分解重縮合物であ
ることを特徴とする１）記載の導電性複合体。
（Ｉ）で表される有機インジウム化合物と下記一般式
（II）で表される有機錫化合物とをモル比で１００：１
〜４０の範囲で混合した混合物の加水分解重縮合物であ
ることを特徴とする１）記載の導電性複合体。
【化３】
【化４】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素
数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素
基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキ
シ基、不飽和アルコキシ基、飽和アシルオキシ基もしく
は不飽和アシルオキシ基を表す。但し、Ｒ1 〜Ｒ3 のう
ちの少なくとも一つ、及びＲ4 〜Ｒ7 のうちの少なくと
も一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分
岐状の、飽和アルコキシ基、不飽和アルコキシ基、飽和
アシルオキシ基もしくは不飽和アシルオキシ基である。
なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の
飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニ
ル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有して
もよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、
エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スル
ホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよ
い。）
数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素
基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキ
シ基、不飽和アルコキシ基、飽和アシルオキシ基もしく
は不飽和アシルオキシ基を表す。但し、Ｒ1 〜Ｒ3 のう
ちの少なくとも一つ、及びＲ4 〜Ｒ7 のうちの少なくと
も一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分
岐状の、飽和アルコキシ基、不飽和アルコキシ基、飽和
アシルオキシ基もしくは不飽和アシルオキシ基である。
なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の
飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニ
ル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有して
もよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、
エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スル
ホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよ
い。）
【０００９】３）高分子化合物がポリイミド、ポリエー
テルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンから
なる群の少なくとも一つであることを特徴とする１）記
載の導電性複合体。 ４）導電性化合物前駆体と高分子化合物との複合体を加
熱処理することを特徴とする１）記載の導電性複合体の
製造法。 ５）導電性化合物前駆体と高分子化合物との複合体の加
熱温度が４００℃以下であることを特徴とする４）記載
の導電性複合体の製造法。
テルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンから
なる群の少なくとも一つであることを特徴とする１）記
載の導電性複合体。 ４）導電性化合物前駆体と高分子化合物との複合体を加
熱処理することを特徴とする１）記載の導電性複合体の
製造法。 ５）導電性化合物前駆体と高分子化合物との複合体の加
熱温度が４００℃以下であることを特徴とする４）記載
の導電性複合体の製造法。
【００１０】６）１）乃至３）記載の導電性複合体と溶
剤を含むことを特徴とする導電膜形成用組成物。 ７）１）乃至３）記載の導電性複合体を溶剤に溶解する
ことを特徴とする導電膜形成用組成物の製造法。 ８）基材上に６）または７）記載の導電性膜形成用組成
物を塗布もしくは吹き付けた後に溶剤を除去する工程を
含むことを特徴とする導電性膜の製造法。
剤を含むことを特徴とする導電膜形成用組成物。 ７）１）乃至３）記載の導電性複合体を溶剤に溶解する
ことを特徴とする導電膜形成用組成物の製造法。 ８）基材上に６）または７）記載の導電性膜形成用組成
物を塗布もしくは吹き付けた後に溶剤を除去する工程を
含むことを特徴とする導電性膜の製造法。
【００１１】以下に本発明を詳細に説明する。本発明の
導電性化合物前駆体は、溶剤に可溶であり、何らかの処
理によって導電体に転換し得る化合物であれば、どのよ
うな化合物であってもよい。このような導電性化合物前
駆体として、遷移金属の有機金属化合物、遷移金属塩ま
たは遷移金属の錯体化合物等が挙げられる。ここで、遷
移金属としては、例えば銅、インジウム、錫、亜鉛、チ
タン、カドミウム、スカンジウム、バナジウム、クロ
ム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ガリウム、ス
トロンチウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデ
ン、テクネチウム、ルテニウム、オジウム、パラジウ
ム、銀、アンチモン、ハフニウム、タンタル、タングス
テン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、
水銀、タリウム、鉛、ビスマス、ランタノイド、アクチ
ノイド等が挙げられる。
導電性化合物前駆体は、溶剤に可溶であり、何らかの処
理によって導電体に転換し得る化合物であれば、どのよ
うな化合物であってもよい。このような導電性化合物前
駆体として、遷移金属の有機金属化合物、遷移金属塩ま
たは遷移金属の錯体化合物等が挙げられる。ここで、遷
移金属としては、例えば銅、インジウム、錫、亜鉛、チ
タン、カドミウム、スカンジウム、バナジウム、クロ
ム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ガリウム、ス
トロンチウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデ
ン、テクネチウム、ルテニウム、オジウム、パラジウ
ム、銀、アンチモン、ハフニウム、タンタル、タングス
テン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、
水銀、タリウム、鉛、ビスマス、ランタノイド、アクチ
ノイド等が挙げられる。
【００１２】本発明の導電性化合物前駆体として、遷移
金属の各種化合物の中でも好ましいものは、加水分解重
縮合性の有機金属化合物の加水分解重縮合物である。特
に下記一般式（Ｉ）で表される有機インジウム化合物及
び／または下記一般式（II）で表される有機錫化合物の
加水分解重縮合物が好ましい。
金属の各種化合物の中でも好ましいものは、加水分解重
縮合性の有機金属化合物の加水分解重縮合物である。特
に下記一般式（Ｉ）で表される有機インジウム化合物及
び／または下記一般式（II）で表される有機錫化合物の
加水分解重縮合物が好ましい。
【化５】
【化６】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素
数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素
基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキ
シ基、不飽和アルコキシ基、飽和アシルオキシ基もしく
は不飽和アシルオキシ基を表す。但し、Ｒ1 〜Ｒ3 のう
ちの少なくとも一つ、及びＲ4 〜Ｒ7 のうちの少なくと
も一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分
岐状の、飽和アルコキシ基、不飽和アルコキシ基、飽和
アシルオキシ基もしくは不飽和アシルオキシ基である。
なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の
飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニ
ル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有して
もよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、
エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スル
ホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよ
い。）
数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素
基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキ
シ基、不飽和アルコキシ基、飽和アシルオキシ基もしく
は不飽和アシルオキシ基を表す。但し、Ｒ1 〜Ｒ3 のう
ちの少なくとも一つ、及びＲ4 〜Ｒ7 のうちの少なくと
も一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分
岐状の、飽和アルコキシ基、不飽和アルコキシ基、飽和
アシルオキシ基もしくは不飽和アシルオキシ基である。
なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の
飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニ
ル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有して
もよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、
エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スル
ホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよ
い。）
【００１３】前記一般式（Ｉ）または（II）において、
Ｒ1 〜Ｒ7 の好ましい具体例として、Ｈ（水素）、水酸
基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ビニル基、１−プロペ
ニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテ
ニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基、グリシジル基、グリシドキシメチル基、２−グリシ
ドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル基、３−ア
クリロキシプロピル基、３−メタクリロキシプロピル
基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓ
ｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、メト
キシメトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−エトキ
シエトキシ基、３−メトキシプロピルオキシ基、３−エ
トキシプロピルオキシ基、アセトキシ基、オクチルカル
ボキシル基、２−エチルヘキシルカルボキシル基、ドデ
シルカルボキシル基等が挙げられる。
Ｒ1 〜Ｒ7 の好ましい具体例として、Ｈ（水素）、水酸
基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ビニル基、１−プロペ
ニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテ
ニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基、グリシジル基、グリシドキシメチル基、２−グリシ
ドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル基、３−ア
クリロキシプロピル基、３−メタクリロキシプロピル
基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓ
ｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、メト
キシメトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−エトキ
シエトキシ基、３−メトキシプロピルオキシ基、３−エ
トキシプロピルオキシ基、アセトキシ基、オクチルカル
ボキシル基、２−エチルヘキシルカルボキシル基、ドデ
シルカルボキシル基等が挙げられる。
【００１４】一般式（Ｉ）で表される有機インジウム化
合物の特に好ましい具体例は、トリメトキシインジウ
ム、トリエトキシインジウム、トリ−ｎ−プロポキシイ
ンジウム、トリ−ｉｓｏ−プロポキシインジウム、トリ
−ｎ−ブトキシインジウム、トリ−ｉｓｏ−ブトキシイ
ンジウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシインジウム、トリ−
ｔｅｒｔ−ブトキシインジウムであり、一般式（II）で
表される有機錫化合物の特に好ましい具体例は、テトラ
メトキシ錫、テトラエトキシ錫、テトラ−ｎ−プロポキ
シ錫、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシ錫、テトラ−ｎ−ブ
トキシ錫、テトラ−ｉｓｏ−ブトキシ錫、テトラ−ｓｅ
ｃ−ブトキシ錫、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシ錫、テト
ラ−２−エトキシエトキシ錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル
錫、ビス（２−エチルヘキサン酸）ジ−ｎ−ブチル錫、
二ラウリン酸ジ−ｎ−ブチル錫、マロン酸ジ−ｎ−ブチ
ル錫、酢酸トリ−ｎ−ブチル錫等である。これらの有機
金属化合物は単独で用いてもよく、２種類以上を併用し
てもよいが、特に上記の有機インジウム化合物と有機錫
化合物をモル比で１００：１〜４０の範囲で混合して用
いることが、得られる導電性複合体及び導電性膜の導電
性と可視光透過性に優れるため好ましい。
合物の特に好ましい具体例は、トリメトキシインジウ
ム、トリエトキシインジウム、トリ−ｎ−プロポキシイ
ンジウム、トリ−ｉｓｏ−プロポキシインジウム、トリ
−ｎ−ブトキシインジウム、トリ−ｉｓｏ−ブトキシイ
ンジウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシインジウム、トリ−
ｔｅｒｔ−ブトキシインジウムであり、一般式（II）で
表される有機錫化合物の特に好ましい具体例は、テトラ
メトキシ錫、テトラエトキシ錫、テトラ−ｎ−プロポキ
シ錫、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシ錫、テトラ−ｎ−ブ
トキシ錫、テトラ−ｉｓｏ−ブトキシ錫、テトラ−ｓｅ
ｃ−ブトキシ錫、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシ錫、テト
ラ−２−エトキシエトキシ錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル
錫、ビス（２−エチルヘキサン酸）ジ−ｎ−ブチル錫、
二ラウリン酸ジ−ｎ−ブチル錫、マロン酸ジ−ｎ−ブチ
ル錫、酢酸トリ−ｎ−ブチル錫等である。これらの有機
金属化合物は単独で用いてもよく、２種類以上を併用し
てもよいが、特に上記の有機インジウム化合物と有機錫
化合物をモル比で１００：１〜４０の範囲で混合して用
いることが、得られる導電性複合体及び導電性膜の導電
性と可視光透過性に優れるため好ましい。
【００１５】上記有機金属化合物の加水分解重縮合は、
有機金属化合物を溶剤に溶解した後に加水分解重縮合に
必要な量の水及び加水分解重縮合反応を促進する触媒を
加えて行う。有機金属化合物を溶解する溶剤としては、
有機金属化合物を所望の濃度で溶解できる溶剤であるな
らば特に限定されないが、水と均一混合可能であること
が好ましく、例えば、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパ
ノ−ル、イソプロパノ−ル、エチレングリコール、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチル
エーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、アセトン、エチルメチルケト
ン、アセトニトリル、１−メチル−２−ピロリドン、γ
−ブチロラクトン、ピルビン酸エチル、乳酸エチル、３
−エトキシプロピオン酸エチル、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、トリエタノールアミン等が挙げられる。これら
の有機溶剤は、単独または２種以上を混合して用いられ
る。これらの有機溶剤の中で、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール、
あるいは、これらのアルコール溶剤を５０重量％以上含
有する上記有機溶剤の混合溶剤がより好ましい。有機金
属化合物を溶剤に溶解する際の濃度は、有機金属化合物
と溶剤の種類によって異なり、一概には決められない
が、通常０．１〜５０重量％、好ましくは、１〜２０重
量％の範囲である。
有機金属化合物を溶剤に溶解した後に加水分解重縮合に
必要な量の水及び加水分解重縮合反応を促進する触媒を
加えて行う。有機金属化合物を溶解する溶剤としては、
有機金属化合物を所望の濃度で溶解できる溶剤であるな
らば特に限定されないが、水と均一混合可能であること
が好ましく、例えば、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパ
ノ−ル、イソプロパノ−ル、エチレングリコール、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチル
エーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、アセトン、エチルメチルケト
ン、アセトニトリル、１−メチル−２−ピロリドン、γ
−ブチロラクトン、ピルビン酸エチル、乳酸エチル、３
−エトキシプロピオン酸エチル、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、トリエタノールアミン等が挙げられる。これら
の有機溶剤は、単独または２種以上を混合して用いられ
る。これらの有機溶剤の中で、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール、
あるいは、これらのアルコール溶剤を５０重量％以上含
有する上記有機溶剤の混合溶剤がより好ましい。有機金
属化合物を溶剤に溶解する際の濃度は、有機金属化合物
と溶剤の種類によって異なり、一概には決められない
が、通常０．１〜５０重量％、好ましくは、１〜２０重
量％の範囲である。
【００１６】有機金属化合物の加水分解重縮合に必要な
水の量は、有機金属化合物の１アルコキシ残基または１
アシルオキシ残基に対し１当量以上であり、好ましくは
２当量以上である。また、有機金属化合物の加水分解重
縮合を促進する触媒として、塩酸、硫酸、硝酸、フッ
酸、酢酸、プロピオン酸、メタンスルホン酸、ベンゼン
スルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼ
ンスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン
酸等の酸、アンモニア、エタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基が挙げられる。触
媒としての添加量は、有機金属化合物や触媒の種類によ
って異なり、一概に決められないが、通常、有機金属化
合物に対してモル数で０．００００１〜１０倍、好まし
くは０．０００１〜１倍である。
水の量は、有機金属化合物の１アルコキシ残基または１
アシルオキシ残基に対し１当量以上であり、好ましくは
２当量以上である。また、有機金属化合物の加水分解重
縮合を促進する触媒として、塩酸、硫酸、硝酸、フッ
酸、酢酸、プロピオン酸、メタンスルホン酸、ベンゼン
スルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼ
ンスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン
酸等の酸、アンモニア、エタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基が挙げられる。触
媒としての添加量は、有機金属化合物や触媒の種類によ
って異なり、一概に決められないが、通常、有機金属化
合物に対してモル数で０．００００１〜１０倍、好まし
くは０．０００１〜１倍である。
【００１７】上記有機金属化合物の加水分解重縮合反応
は、高分子化合物と混合する前に行ってもよいが、有機
金属化合物、水及び触媒物質を溶剤に溶解した溶液と高
分子化合物を溶剤に溶解した溶液とを混合した後に行っ
たほうが、有機金属化合物の加水分解重縮合物と高分子
化合物の複合化が起こり、得られる導電性複合体及び導
電性膜の導電性及び可視光透過性が優れており好まし
い。
は、高分子化合物と混合する前に行ってもよいが、有機
金属化合物、水及び触媒物質を溶剤に溶解した溶液と高
分子化合物を溶剤に溶解した溶液とを混合した後に行っ
たほうが、有機金属化合物の加水分解重縮合物と高分子
化合物の複合化が起こり、得られる導電性複合体及び導
電性膜の導電性及び可視光透過性が優れており好まし
い。
【００１８】本発明で用いられる高分子化合物は、製造
される導電性複合体に溶剤可溶性及び／または熱可塑性
を付与することができれば如何なるものであっても良い
が、ポリイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリ
エーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン
等の耐熱性を有する高分子化合物が好ましい。これらの
中でもポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホンが好ましく、特にポリイミド
が好ましい。
される導電性複合体に溶剤可溶性及び／または熱可塑性
を付与することができれば如何なるものであっても良い
が、ポリイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリ
エーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン
等の耐熱性を有する高分子化合物が好ましい。これらの
中でもポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホンが好ましく、特にポリイミド
が好ましい。
【００１９】一般に、ポリイミドは、テトラカルボン酸
二無水物とジアミンを溶媒中で反応させて得られるポリ
アミド酸を加熱硬化させることによって合成される。本
発明で好適に用いることのできるテトラカルボン酸二無
水物の例として、ピロメリット酸二無水物、１，２，
３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸、３，４，
３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エー
テル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）メタン二無水物、４，４’−（ヘキサフロロイソプ
ロピリデン）ジフタル酸二無水物等が挙げられる。ま
た、ジアミンとしては、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４
−ジアミノ安息香酸アミド、４，４’−ジアミノビフェ
ニル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルスルホン等が挙げられる。上記のテトラカル
ボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で反応させるこ
とにより、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得
られる。
二無水物とジアミンを溶媒中で反応させて得られるポリ
アミド酸を加熱硬化させることによって合成される。本
発明で好適に用いることのできるテトラカルボン酸二無
水物の例として、ピロメリット酸二無水物、１，２，
３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸、３，４，
３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エー
テル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）メタン二無水物、４，４’−（ヘキサフロロイソプ
ロピリデン）ジフタル酸二無水物等が挙げられる。ま
た、ジアミンとしては、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４
−ジアミノ安息香酸アミド、４，４’−ジアミノビフェ
ニル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルスルホン等が挙げられる。上記のテトラカル
ボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で反応させるこ
とにより、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得
られる。
【００２０】上記高分子化合物を溶解する溶剤は、高分
子化合物を所望の濃度で溶解できる溶剤であり、上記有
機金属化合物の溶液と任意の割合で混合可能な溶剤であ
れば特に限定されないが、例えば、上記有機金属化合物
を溶解する溶剤と同一の溶剤が挙げられる。これらの溶
剤は、単独または２種以上を混合して用いられる。高分
子化合物を溶剤に溶解する際の濃度は特に限定されない
が、好ましくは０．１〜５０重量％、より好ましくは１
〜１５重量％である。
子化合物を所望の濃度で溶解できる溶剤であり、上記有
機金属化合物の溶液と任意の割合で混合可能な溶剤であ
れば特に限定されないが、例えば、上記有機金属化合物
を溶解する溶剤と同一の溶剤が挙げられる。これらの溶
剤は、単独または２種以上を混合して用いられる。高分
子化合物を溶剤に溶解する際の濃度は特に限定されない
が、好ましくは０．１〜５０重量％、より好ましくは１
〜１５重量％である。
【００２１】有機金属化合物（及び水、触媒物質）を含
有する溶液と高分子化合物を含有する溶液との混合比は
特に限定されないが、好ましくは有機金属化合物から転
換された金属酸化物と高分子化合物の重量比が１：０．
１〜１００、さらに好ましくは１：０．５〜２０の範囲
となるように混合するのがよい。
有する溶液と高分子化合物を含有する溶液との混合比は
特に限定されないが、好ましくは有機金属化合物から転
換された金属酸化物と高分子化合物の重量比が１：０．
１〜１００、さらに好ましくは１：０．５〜２０の範囲
となるように混合するのがよい。
【００２２】本発明の実施の一態様としては、有機金属
化合物、水及び加水分解重縮合反応を促進する触媒物質
を含有する溶液と高分子化合物を含有する溶液を混合し
た後、有機金属化合物の加水分解重縮合反応を行い、有
機金属化合物の加水分解重縮合物と高分子化合物とを複
合化する。有機金属化合物の加水分解重縮合の際の温度
は、有機金属化合物、触媒、溶剤及び高分子化合物の種
類、或いは、水の添加量等によって異なり、一概には決
められないが、通常室温〜２５０℃、好ましくは室温〜
１８０℃である。反応時間は、有機金属化合物、触媒及
び溶剤の種類、水の添加量、反応温度等によって異な
り、一概には決められないが、通常１分〜２４０時間、
好ましくは１０分〜４８時間である。
化合物、水及び加水分解重縮合反応を促進する触媒物質
を含有する溶液と高分子化合物を含有する溶液を混合し
た後、有機金属化合物の加水分解重縮合反応を行い、有
機金属化合物の加水分解重縮合物と高分子化合物とを複
合化する。有機金属化合物の加水分解重縮合の際の温度
は、有機金属化合物、触媒、溶剤及び高分子化合物の種
類、或いは、水の添加量等によって異なり、一概には決
められないが、通常室温〜２５０℃、好ましくは室温〜
１８０℃である。反応時間は、有機金属化合物、触媒及
び溶剤の種類、水の添加量、反応温度等によって異な
り、一概には決められないが、通常１分〜２４０時間、
好ましくは１０分〜４８時間である。
【００２３】次いで、有機金属化合物の加水分解重縮合
物と高分子化合物の複合体から溶剤を除いた後、加熱処
理を行って有機金属化合物の加水分解重縮合物を導電性
金属酸化物に転換することにより、本発明の導電性複合
体が製造される。有機金属化合物の加水分解重縮合物と
高分子化合物の複合体から溶剤を除く方法は如何なる方
法であってもよいが、通常は常圧もしくは減圧における
蒸留により除く方法が好ましく、特に水銀柱５０ｍｍＨ
ｇ以下の減圧条件で３０〜１００℃の範囲の加熱による
蒸留で除く方法が好ましい。
物と高分子化合物の複合体から溶剤を除いた後、加熱処
理を行って有機金属化合物の加水分解重縮合物を導電性
金属酸化物に転換することにより、本発明の導電性複合
体が製造される。有機金属化合物の加水分解重縮合物と
高分子化合物の複合体から溶剤を除く方法は如何なる方
法であってもよいが、通常は常圧もしくは減圧における
蒸留により除く方法が好ましく、特に水銀柱５０ｍｍＨ
ｇ以下の減圧条件で３０〜１００℃の範囲の加熱による
蒸留で除く方法が好ましい。
【００２４】また、導電性化合物前駆体と高分子化合物
との複合体を導電性物質に転換する際の加熱処理温度
は、好ましくは２００〜４００℃、特に好ましくは３０
０〜３６０℃であり、加熱処理時間は好ましくは１〜４
８時間、特に好ましくは２〜１４時間である。加熱処理
は大気中でもよいが、窒素などの不活性ガス雰囲気下が
好ましい。
との複合体を導電性物質に転換する際の加熱処理温度
は、好ましくは２００〜４００℃、特に好ましくは３０
０〜３６０℃であり、加熱処理時間は好ましくは１〜４
８時間、特に好ましくは２〜１４時間である。加熱処理
は大気中でもよいが、窒素などの不活性ガス雰囲気下が
好ましい。
【００２５】上述のようにして製造された本発明の導電
性複合体は、溶剤可溶性及び／熱可塑性を有しているた
め、種々の方法で容易に導電性を有する物品に加工でき
る。とりわけ、本発明の導電性複合体を溶剤に溶解して
導電性膜を形成するための組成物とすることが有用であ
る。
性複合体は、溶剤可溶性及び／熱可塑性を有しているた
め、種々の方法で容易に導電性を有する物品に加工でき
る。とりわけ、本発明の導電性複合体を溶剤に溶解して
導電性膜を形成するための組成物とすることが有用であ
る。
【００２６】本発明の導電性複合体を溶解して導電膜形
成用組成物とするための溶剤は、導電性複合体を所望の
濃度で溶解できる溶剤であれば、特に限定されないが、
例えば、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソ
プロパノ−ル、エチレングリコール、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プ
ロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、アセトン、エチルメチルケトン、アセトニト
リル、アクリロイルモルホリン、１−メチル−２−ピロ
リドン、γ−ブチロラクトン、ピルビン酸エチル、乳酸
エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、３−エトキシプロピ
オン酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、トリエタノールアミン、塩化メチレン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、ベンゼン、クロロベンゼン、ニト
ロベンゼン等が挙げられる。これらの溶剤は、単独また
は２種以上を混合して用いられる。これらの溶剤の中
で、ジメチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリド
ン、塩化メチレン等の溶剤、あるいは、これらの溶剤を
５０重量％以上含有する上記の溶剤の混合溶剤が好まし
い。導電性複合体を上記溶剤に溶解する際の導電性複合
体の濃度は、特に限定されないが、通常０．１〜５０重
量％、好ましくは１〜１５重量％である。
成用組成物とするための溶剤は、導電性複合体を所望の
濃度で溶解できる溶剤であれば、特に限定されないが、
例えば、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソ
プロパノ−ル、エチレングリコール、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プ
ロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、アセトン、エチルメチルケトン、アセトニト
リル、アクリロイルモルホリン、１−メチル−２−ピロ
リドン、γ−ブチロラクトン、ピルビン酸エチル、乳酸
エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、３−エトキシプロピ
オン酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、トリエタノールアミン、塩化メチレン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、ベンゼン、クロロベンゼン、ニト
ロベンゼン等が挙げられる。これらの溶剤は、単独また
は２種以上を混合して用いられる。これらの溶剤の中
で、ジメチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリド
ン、塩化メチレン等の溶剤、あるいは、これらの溶剤を
５０重量％以上含有する上記の溶剤の混合溶剤が好まし
い。導電性複合体を上記溶剤に溶解する際の導電性複合
体の濃度は、特に限定されないが、通常０．１〜５０重
量％、好ましくは１〜１５重量％である。
【００２７】本発明の導電性膜形成用組成物をガラス、
プラスチック等の基材表面に塗布もしくは吹き付けた後
に乾燥すれば本発明の導電性膜が得られる。導電性膜形
成用組成物を基材表面に塗布する方法は、組成物の組
成、基材の材質や形状、所望する導電性膜の膜厚等によ
って異なり、一概には決められないが、通常は回転塗
布、ロール塗布、スプレー塗布、ディッピング塗布、グ
ラビア塗布等の方法が用いられる。
プラスチック等の基材表面に塗布もしくは吹き付けた後
に乾燥すれば本発明の導電性膜が得られる。導電性膜形
成用組成物を基材表面に塗布する方法は、組成物の組
成、基材の材質や形状、所望する導電性膜の膜厚等によ
って異なり、一概には決められないが、通常は回転塗
布、ロール塗布、スプレー塗布、ディッピング塗布、グ
ラビア塗布等の方法が用いられる。
【００２８】導電性膜形成用組成物を基材に塗布もしく
は吹き付けた後の乾燥方法は、塗布膜中の溶剤成分が除
かれる方法であるならば如何なる方法であっても良い
が、通常は室温、常圧における自然乾燥、または常圧に
おける加熱乾燥等である。加熱乾燥の場合の乾燥温度は
導電性膜形成用組成物の組成によって異なり、一概には
決められないが、通常は３０〜２００℃、好ましくは４
０〜１５０℃の範囲である。乾燥時間は、導電性膜形成
用組成物の組成、塗布もしくは吹き付け方法、乾燥温度
等によって異なり、一概には決められないが、自然乾燥
の場合には、通常１０分〜２４時間であり、加熱乾燥の
場合には１〜６０分である。
は吹き付けた後の乾燥方法は、塗布膜中の溶剤成分が除
かれる方法であるならば如何なる方法であっても良い
が、通常は室温、常圧における自然乾燥、または常圧に
おける加熱乾燥等である。加熱乾燥の場合の乾燥温度は
導電性膜形成用組成物の組成によって異なり、一概には
決められないが、通常は３０〜２００℃、好ましくは４
０〜１５０℃の範囲である。乾燥時間は、導電性膜形成
用組成物の組成、塗布もしくは吹き付け方法、乾燥温度
等によって異なり、一概には決められないが、自然乾燥
の場合には、通常１０分〜２４時間であり、加熱乾燥の
場合には１〜６０分である。
【００２９】
【実施例】以下に本発明について実施例によりさらに具
体的に説明するが、これらは説明のための単なる例示で
あって、本発明はこれらに何ら限定されるものではな
い。
体的に説明するが、これらは説明のための単なる例示で
あって、本発明はこれらに何ら限定されるものではな
い。
【００３０】＜実施例１＞トリ−ｓｅｃ−ブトキシイン
ジウム２２．５重量部とテトラ−２−エトキシエトキシ
錫１．７重量部をイソプロピルアルコール１７７．３重
量部に溶解した溶液に０．１規定塩酸１．３重量部をイ
ソプロピルアルコール１７７．３重量部に溶解した溶液
を攪拌しながら加えて導電性化合物前駆体溶液を製造し
た。市販のポリイミド１０重量部をジメチルホルムアミ
ド９０重量部に溶解した溶液にこの溶液を加え、１６０
℃で２時間加熱還流反応させた後、溶媒を蒸留して除い
た。このようにして得られた導電性化合物前駆体とポリ
イミドとの複合体を窒素雰囲気下、３００℃で１４時間
熱処理をして導電性複合体を製造した。得られた導電性
複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得られた導電
性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑性を示し
た。
ジウム２２．５重量部とテトラ−２−エトキシエトキシ
錫１．７重量部をイソプロピルアルコール１７７．３重
量部に溶解した溶液に０．１規定塩酸１．３重量部をイ
ソプロピルアルコール１７７．３重量部に溶解した溶液
を攪拌しながら加えて導電性化合物前駆体溶液を製造し
た。市販のポリイミド１０重量部をジメチルホルムアミ
ド９０重量部に溶解した溶液にこの溶液を加え、１６０
℃で２時間加熱還流反応させた後、溶媒を蒸留して除い
た。このようにして得られた導電性化合物前駆体とポリ
イミドとの複合体を窒素雰囲気下、３００℃で１４時間
熱処理をして導電性複合体を製造した。得られた導電性
複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得られた導電
性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑性を示し
た。
【００３１】＜実施例２＞実施例１においてポリイミド
の代わりに市販のポリエーテルスルホンを用いた以外は
実施例１と同様にして導電性複合体を製造した。得られ
た導電性複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得ら
れた導電性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑
性を示した。
の代わりに市販のポリエーテルスルホンを用いた以外は
実施例１と同様にして導電性複合体を製造した。得られ
た導電性複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得ら
れた導電性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑
性を示した。
【００３２】＜実施例３＞実施例１においてポリイミド
の代わりに市販のポリスルホンを用いた以外は実施例１
と同様にして導電性複合体を製造した。得られた導電性
複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得られた導電
性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑性を示し
た。
の代わりに市販のポリスルホンを用いた以外は実施例１
と同様にして導電性複合体を製造した。得られた導電性
複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得られた導電
性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑性を示し
た。
【００３３】＜実施例４＞実施例１において導電性化合
物前駆体とポリイミドとの複合体の熱処理時間を２時間
とした以外は実施例１と同様にして導電性複合体を製造
した。得られた導電性複合体の体積抵抗を表１に示し
た。また、得られた導電性複合体を３００℃に加熱した
ところ、熱可塑性を示した。
物前駆体とポリイミドとの複合体の熱処理時間を２時間
とした以外は実施例１と同様にして導電性複合体を製造
した。得られた導電性複合体の体積抵抗を表１に示し
た。また、得られた導電性複合体を３００℃に加熱した
ところ、熱可塑性を示した。
【００３４】＜実施例５＞実施例４においてポリイミド
の代わりに市販のポリエーテルイミドを用いた以外は実
施例４と同様にして導電性複合体を製造した。得られた
導電性複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得られ
た導電性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑性
を示した。
の代わりに市販のポリエーテルイミドを用いた以外は実
施例４と同様にして導電性複合体を製造した。得られた
導電性複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得られ
た導電性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑性
を示した。
【００３５】＜実施例６＞トリ−ｓｅｃ−ブトキシイン
ジウム２１．０重量部とテトラ−２−エトキシエトキシ
錫３．３重量部をイソプロピルアルコール１７４．６重
量部に溶解した溶液に０．１規定塩酸１．３重量部をイ
ソプロピルアルコール１７４．６重量部に溶解した溶液
を攪拌しながら加え、導電性化合物前駆体溶液を製造し
た。市販のポリイミド１０重量部をジメチルホルムアミ
ド９０重量部に溶解した溶液にこの溶液を加え、１６０
℃で２時間加熱還流反応させた後、溶媒を蒸留して除い
た。このようにして得られた導電性化合物前駆体とポリ
イミドとの複合体を窒素雰囲気下、３００℃で１４時間
熱処理をして導電性複合体を製造した。得られた導電性
複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得られた導電
性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑性を示し
た。
ジウム２１．０重量部とテトラ−２−エトキシエトキシ
錫３．３重量部をイソプロピルアルコール１７４．６重
量部に溶解した溶液に０．１規定塩酸１．３重量部をイ
ソプロピルアルコール１７４．６重量部に溶解した溶液
を攪拌しながら加え、導電性化合物前駆体溶液を製造し
た。市販のポリイミド１０重量部をジメチルホルムアミ
ド９０重量部に溶解した溶液にこの溶液を加え、１６０
℃で２時間加熱還流反応させた後、溶媒を蒸留して除い
た。このようにして得られた導電性化合物前駆体とポリ
イミドとの複合体を窒素雰囲気下、３００℃で１４時間
熱処理をして導電性複合体を製造した。得られた導電性
複合体の体積抵抗を表１に示した。また、得られた導電
性複合体を３００℃に加熱したところ、熱可塑性を示し
た。
【００３６】
【表１】
【００３７】＜実施例７＞実施例１で製造した導電性複
合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶解
して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物をデ
ィッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１０
０℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得られ
た膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対する
透過率を表２に示した。
合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶解
して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物をデ
ィッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１０
０℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得られ
た膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対する
透過率を表２に示した。
【００３８】＜実施例８＞実施例１で製造した導電性複
合体５重量部を塩化メチレン９５重量部に溶解して、導
電膜形成用組成物を製造した。この組成物をディッピン
グ塗布法によりガラス基板に塗布した後、１００℃で１
時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得られた膜の表
面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対する透過率を
表２に示した。
合体５重量部を塩化メチレン９５重量部に溶解して、導
電膜形成用組成物を製造した。この組成物をディッピン
グ塗布法によりガラス基板に塗布した後、１００℃で１
時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得られた膜の表
面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対する透過率を
表２に示した。
【００３９】＜実施例９＞実施例１で製造した導電性複
合体５重量部を１−メチル−２−ピロリドン９５重量部
に溶解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成
物をディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した
後、１００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造し
た。得られた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視
光に対する透過率を表２に示した。
合体５重量部を１−メチル−２−ピロリドン９５重量部
に溶解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成
物をディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した
後、１００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造し
た。得られた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視
光に対する透過率を表２に示した。
【００４０】＜実施例１０＞実施例２で製造した導電性
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
【００４１】＜実施例１１＞実施例３で製造した導電性
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
【００４２】＜実施例１２＞実施例４で製造した導電性
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
【００４３】＜実施例１３＞実施例５で製造した導電性
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
【００４４】＜実施例１４＞実施例６で製造した導電性
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
複合体５重量部をジメチルホルムアミド９５重量部に溶
解して、導電膜形成用組成物を製造した。この組成物を
ディッピング塗布法によりガラス基板に塗布した後、１
００℃で１時間自然乾燥して導電性膜を製造した。得ら
れた膜の表面抵抗値及び波長５５０ｎｍの可視光に対す
る透過率を表２に示した。
【００４５】
【表２】
【００４６】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、プ
ラスチック材料やガラス材料の表面に導電性、耐久性、
光透過性等の諸性能に優れた導電性膜を形成することが
できる。しかも、真空設備を必要とするスパッタ法や蒸
着法を用いることなく、また高温での加熱処理を必要と
せずに導電性膜を製造できるので、膜の大面積化が容易
になると共に、高分子化合物基材や陰極線管完成品フェ
ースパネル等の耐熱性の低い基材表面に導電性膜を低コ
ストで形成することが可能となる。従って、本発明の導
電性膜形成用組成物及び導電性膜の製造法は、高導電性
でかつ透明性を要求される各分野での応用が期待でき
る。例えば、液晶表示素子やタッチパネル等の透明電
極、陰極線管の電磁波シールドや帯電防止、光電変換素
子等の用途に非常に有効である。
ラスチック材料やガラス材料の表面に導電性、耐久性、
光透過性等の諸性能に優れた導電性膜を形成することが
できる。しかも、真空設備を必要とするスパッタ法や蒸
着法を用いることなく、また高温での加熱処理を必要と
せずに導電性膜を製造できるので、膜の大面積化が容易
になると共に、高分子化合物基材や陰極線管完成品フェ
ースパネル等の耐熱性の低い基材表面に導電性膜を低コ
ストで形成することが可能となる。従って、本発明の導
電性膜形成用組成物及び導電性膜の製造法は、高導電性
でかつ透明性を要求される各分野での応用が期待でき
る。例えば、液晶表示素子やタッチパネル等の透明電
極、陰極線管の電磁波シールドや帯電防止、光電変換素
子等の用途に非常に有効である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｈ０１Ｂ 1/12 Ｈ０１Ｂ 1/12 Ｚ
Claims (8)
- 【請求項１】 導電性化合物前駆体と高分子化合物との
複合体を加熱処理してなる導電性複合体であって、溶剤
可溶性及び／または熱可塑性を有することを特徴とする
導電性複合体。 - 【請求項２】 導電性化合物前駆体が下記一般式（Ｉ）
で表される有機インジウム化合物と下記一般式（II）で
表される有機錫化合物とをモル比で１００：１〜４０の
範囲で混合した混合物の加水分解重縮合物であることを
特徴とする請求項１記載の導電性複合体。 【化１】 【化２】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ7 はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素
数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素
基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状
の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキ
シ基、不飽和アルコキシ基、飽和アシルオキシ基もしく
は不飽和アシルオキシ基を表す。但し、Ｒ1 〜Ｒ3 のう
ちの少なくとも一つ、及びＲ4 〜Ｒ7 のうちの少なくと
も一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分
岐状の、飽和アルコキシ基、不飽和アルコキシ基、飽和
アシルオキシ基もしくは不飽和アシルオキシ基である。
なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の
飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニ
ル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有して
もよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、
エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スル
ホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよ
い。） - 【請求項３】 高分子化合物がポリイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンからな
る群の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１
記載の導電性複合体。 - 【請求項４】 導電性化合物前駆体と高分子化合物との
複合体を加熱処理することを特徴とする請求項１記載の
導電性複合体の製造法。 - 【請求項５】 導電性化合物前駆体と高分子化合物との
複合体の加熱温度が４００℃以下であることを特徴とす
る請求項４記載の導電性複合体の製造法。 - 【請求項６】 請求項１乃至３記載の導電性複合体と溶
剤を含むことを特徴とする導電膜形成用組成物。 - 【請求項７】 請求項１乃至３記載の導電性複合体を溶
剤に溶解することを特徴とする導電膜形成用組成物の製
造法。 - 【請求項８】 基材上に請求項６または７記載の導電性
膜形成用組成物を塗布もしくは吹き付けた後に溶剤を除
去する工程を含むことを特徴とする導電性膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP765396A JPH09194826A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 導電性複合体、導電性膜形成用組成物、導電性膜及びそれらの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP765396A JPH09194826A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 導電性複合体、導電性膜形成用組成物、導電性膜及びそれらの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09194826A true JPH09194826A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=11671789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP765396A Pending JPH09194826A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 導電性複合体、導電性膜形成用組成物、導電性膜及びそれらの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09194826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455244B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-11-06 | 주식회사 두성테크 | 투명전도막 회로 조성물 및 그를 이용한 표시소자 기판의투명전도막 회로 형성방법 |
| KR20190134327A (ko) * | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP765396A patent/JPH09194826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455244B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-11-06 | 주식회사 두성테크 | 투명전도막 회로 조성물 및 그를 이용한 표시소자 기판의투명전도막 회로 형성방법 |
| KR20190134327A (ko) * | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
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