KR100455244B1 - 투명전도막 회로 조성물 및 그를 이용한 표시소자 기판의투명전도막 회로 형성방법 - Google Patents

투명전도막 회로 조성물 및 그를 이용한 표시소자 기판의투명전도막 회로 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정 표시소자, 전계 발광(EL; Electroluminescence) 표시소자나 플라즈마디스플레이패널(PDP; Plasma Display Panel) 표시소자 등에 사용하는 저저항 투명성 도전 전극막(低抵抗 透明性 導電 電極膜) 회로를 유리 및 플라스틱필름 등의 기판에 스크린 인쇄법으로 형성할 수 있도록 하는 투명전도막 회로 조성물 및 그를 이용한 표시소자 기판 투명전도막 회로 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 표시 소자류의 유리 기판면에 투명도전막을 형성할 때에 이온 스퍼터링법 (Spattering; 분산, 뿌리기)이나 진공증착법을 주로 사용하여 투명도전막을 형성한 후 전극패턴회로를 에칭처리로 형성하였다. 이러한 방법은 증착 진공실의 용량에 따라 기판치수가 제한받게 됨으로 대형 표시 소자 전극 회로 등의 형성에 고가의 장치와 많은 비용이 들게 되어 양산성에 큰 문제가 있었고, 또한 성막시(成膜時) 기판을 가열하여 사용해야 함으로 인한 비내열성 기판에는 고품질의 ITO 성막을 제조할 수가 없게 됨은 물론 패턴 형성을 위한 에칭공정에서 적층막에 손상을 주게 되는 문제가 있었던 바, ITO 전구체에 유기 고분자 전도성 폴리머, 또는 유기 고분자 유전성 폴리머를 혼합하여 투명전도막 회로 조성물을 만들고, 이 조성물로 기판에 투명전도막을 형성하는 것 등을 특징으로 하는 본 발명에 의하면 저항치의 도전특성과 고투명성, 광투과율, 밀착성 등의 기능을 갖는 투명전도막 회로를 저온도에서 쉽게 형성할 수 있게 되고, 기재의 내열 특성과 관계없이 박막형의 플렉시블한 필름액정 디스플레이와 필름 유기EL디스플레이 등의 표시소자를 스크린인쇄도포법과 저온형성법으로 고정도(高精度), 경량 박형화, 대형화, 자유로운 형상을 저렴하게 제작할 수 있게 되어 관련 산업에 많은 파급 효과를 줄 수 있을 것이다.

Description

투명전도막 회로 조성물 및 그를 이용한 표시소자 기판의 투명전도막 회로 형성방법 { Transparent conductive compound and printing method of forming transparent conductive electrode for display panel }
본 발명은 액정 표시소자, 전계 발광(EL; Electroluminescence) 표시소자나 플라즈마디스플레이패널(PDP; Plasma Display Panel) 표시소자 등에 사용하는 저 저항 투명성 도전 전극막(低抵抗 透明性 導電 電極膜) 회로를 유리 및 플라스틱필름 등의 기판에 스크린 인쇄법으로 형성할 수 있도록 하는 투명전도막 회로 조성물 및 그를 이용한 표시소자 기판 투명전도막 회로 형성방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 전자제품분야, 자동차 및 항공기 표시기기분야, 자외선, 적외선 방지나 조광(調光)을 필요로 하는 프론트 글라스 등에 다용도로 이용할 수 있는 표시소자 기판의 투명전도막 회로 형성을 위한 조성물 및 그를 이용한 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정, 유기EL, PDP 등 영상 표시 소자류에는 저저항 투명 전극 막 회로의 형성이 필요하게 되는 바, 종래에 있어서 이러한 표시 소자류의 유리기판면에 투명도전막을 형성할 때에는 파우더(Powder)상의 인듐-주석 산화물(ITO;Indium Tin Oxide) 전구체를 이용한 이온 스퍼터링법(Spattering; 분산, 뿌리기)이나 진공증착법을 주로 사용하였고, 투명도전막을 형성한 후 전극패턴회로를 에칭처리로 형성하였다.
그러나 상기 종래의 스퍼터링법 및 저온진공증착법은 챔버실의 용량과 기판치수가 제한되므로 대형 표시소자 전극회로 등의 형성에 1000mm2이상의 장치와 고가의 비용이 들게 되어 비용면이나 양산성에서 큰 문제가 있었다.
또한 상기에서 스퍼터링법은 성막시(成膜時) 기판을 가열하여야 하지만 그 가열온도가 기판의 내열온도로 제한되므로 고품질의 ITO 성막을 제조하기 어렵게 되는 바, 예를 들어 비내열성 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET; Polyethylene Terephtalate)필름 기판의 스퍼터링 처리온도가 120℃ 전후로 제한되기 때문에 200Ω/cm2이하의 저저항치 ITO 성막을 제조하는 것이 곤란하게 된다.
한편 도포소성법(塗布燒成法)은 투명도전막 형성할 때에 기판면에 ITO 전구체나 Sn 용액을 스프레이나 코팅으로 도포한 후 도포막을 400~550℃로 고온건조소성시키기 때문에 비내열성의 플라스틱필름기판의 투명도전막 성형에 사용할 수가 없게 된다.
그리고 기판의 반도체 및 컬러필터 등의 적층위에 투명전극회로층을 구성하는 데에는 도포 소성법으로 형성하는 것이 곤란하며, 스퍼터링법으로는 적층막표면에 플라즈마에 의한 손상이 있게 되고, 에칭액이나 에칭공정에 의한 적층막에 손상을 주게 되는 문제가 있게 된다.
투명도전막을 형성하는 인듐-주석 산화물(ITO; Indium Tin Oxide)이나 인듐-아연 산화물(IZO; Indium Zinc Oxide)은 고순도 유기금속화합물을 사용하는 무색투명한 것으로, 스크린 인쇄방법에 의해 박막의 저저항성과 고투명성을 저온도에서 형성하는 제조프로세스가 필요하다.
비내열플라스틱필름 기판 등에 ITO나 IZO 투명전도막을 형성할 때는 기판 특성 때문에 막 형성 온도가 100℃이하의 저온처리가 가능하여야 하며, 기판에 밀착성이 좋은 투명도전막층을 형성하는 방법이 요구된다.
본 발명은 유기금속화합물을 조성하는 ITO나 IZO 전구체를 포함하는 조성물과 그를 통한 스크린 인쇄법으로, 그 목적이 투명전극회로와 투명박막도전막을 형성하고, 진공자외선조사, 단파장 자외선 조사법에 의한 광여기반응으로 저온에서 특성과 기능이 뛰어난 ITO나 IZO 투명도전막을 적은 비용으로 얻을 수 있도록 하는 표시소자 기판의 투명전도막 회로 조성물 및 투명전도막 회로 형성방법을 제공하는 데에 있는 것이다.
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위하여 인듐과 주석을 함유하는 유기금속화합물을 안정용제에 용해시켜 무색투명하고 점성이 있는 액체상태로 만든 ITO 전구체에 유기 고분자 도전성 폴리머, 또는 유기 고분자 유전성 폴리머를 혼합하여 표시소자 기판의 투명전도막 회로 조성물을 만드는 것과, 이 조성물로 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 기판에 투명전도막을 형성하는 것 등을 특징으로 하며, 이하 그 구체적인 기술내용을 더욱 자세히 설명하면 다음과 같다.
즉, 본 발명의 투명전도막 회로 조성물은 ITO 전구체에 유기 고분자 전도성 폴리머, 또는 유기 고분자 유전성 폴리머를 혼합하여서 되는 것인 바,
ITO 전구체는
In(CH3)3, In(C2H5)3, Sn(CH3)4, Sn(C2H5)4등의 유기금속알킬화합물과
In(OC2H5)3, In(C3H7)3, In(OC4H9)3, Sn(OC2H5)4, Sn(OC3H7)4, Sn(OC4H9)4등의 유기금속알콕시드화합물,
In(C5H7O2)2, In(C5H7O2)3, In(C5H7O2)3, In(C6H5)3, Sn(C5H7O2)2, Sn(C5H9)4등의 유기금속아세틸아세톤화합물을
안정용제인 1,2-디메톡시에탄(dimethoxyetane)이나 디그라임 등에 용해시켜 In에 대한 Sn의 함유비를 100:2.5에서 100:10까지의 범위로 조합하여 무색투명하고 점성이 있는 액체상태로 만든 것이며,
유기 고분자 전도성 폴리머, 또는 유기 고분자 유전성 폴리머는
폴리이소치아나프텐(PITN; Polyisothionaphtene),
폴리에틸렌다이옥시사이오펜(PEDT; Polyethylenedioxythiophene),
폴리스타일렌설포네이트(PSS; Polystyrenesulfonate),
폴리알킬플루오렌(PAF; Polyalkylfluorene),
폴리페닐비닐렌(PPV; Polyphenylvinylene),
폴리사이오펜(PAT; Polythiophene),
폴리비닐카바졸(PVC; Polyvinylcarbasol)
중의 어느 하나, 또는 하나 이상을 일정 비율로 혼합한 것이다.
본 발명의 ITO전구체에서 In에 대한 Sn의 함유비를 100:2.5에서 100:10까지의 범위로 조합하는 이유는 Sn의 함유비가 그 범위보다 낮으면 In의 전기저항값을 낮추는 효과가 미약하게 되고, Sn의 함유비가 그 범위보다 높으면 Sn의 고유물성이 독립적으로 발현되어 전기저항값이 오히려 증가하기 때문이다.한편 본 발명의 표시소자 기판의 투명전도막 회로 형성방법은 스크린 인쇄법을 등의 도포법을 이용하여 기판에 상기 투명전도막 회로 조성물로 투명전극막패턴을 인쇄하고, 진공 챔버나 질소 등의 불활성 가스 챔버에서 일정영역의 진공자외선을 조사(예를 들면 중수소램프 115nm~125nm를 조사)하거나 일정영역의 단파장자외선을 조사(예를 들면 엑시머램프 147nm전후를 조사)하여 광여기(光勵起)에 의한 유기금속화합물의 분자 해리 또는 결합에 의해 금속박막을 형성한 후 생성된 금속박막에 대해 공기 중에서 다시 자외선을 조사하여 O2나 O3에 의해 산화시킴으로써 In2O3와 SnO2가 함유된 ITO 투명전도막을 형성하는 것을 특징으로 하는 것이다.
그리고 본 발명에 있어서는 투명전도막 회로 조성물을 기판 전면에 도포한 후 그 도포막면에 진공자외선영역의 엑시머레이저를 조사하여 조사한 개소에만 투명전도막을 형성할 수도 있다.
한편 본 발명의 조성물에서 In과 Sn을 포함하는 ITO 전구체 대신에 In과 Zn을 포함하는 IZO 전구체를 사용하면 In2O3와 ZnO2가 함유된 IZO 투명전도막을 형성할 수 있게 되며, 이 IZO 투명전도막은 전술한 ITO 투명전도막과 동등한 투명전도성를 갖는다.
본 발명에 있어서 유기금속화합물을 유기금속 안정용매로 폴리머상으로 조합한 ITO 전구체를 유기 고분자 도전성 폴리머 또는 유기 고분자 유전성 폴리머와 혼합한 조성물은 상온에서 안정된 점성과 유동성을 갖으며, 스크린인쇄법으로 도포패턴의 형성정도(形成精度)와 형성막수정도(形成膜厚精度), 형성막계면정도(形成膜界面精度)를 얻을 수 있다.
그리고 본 발명에 있어서 이러한 막형성은 진공자외선조사 및 단파장자외선조사 등의 광조사법에 의한 광여기반응으로 유기화합물과 유기용매의 유기물을 해리분해 및 결합시킴으로써 이루어지는 것이므로 저온에서도 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서는 유기금속 ITO 전구체나 IZO 전구체를 포함하는 조성물을 기판상에 스크린인쇄법으로 형성한 도포막에 대해 일정범위(115nm~174nm)의 자외선을 조사하는 바, 자외선의 조사는 진공상태 또는 불활성가스속에서 이루어지며, 자외선조사의 여기반응으로 화학반응이 생겨 유기금속화합물과 그 전구체 및 유기용매의 분자구조의 해리, 결합, 중합 등이 상온상태에서 반응 작용하여 유기금속화합물의 유기화합물구조는 해리되고, IT0 금속생성막 또는 IZO 금속생성막이 형성된다.
상기에서 금속생성막이 형성된 기판을 조사실에서 배출하여 활성가스 주입 또는 대기중에서 ITO 생성막이나 IZO 생성막에 단파장자외선을 조사하면 자외선조사에 의해 O2와 O3가 발생하고, 이들은 ITO 생성막 또는 IZO 생성막에 결합하여 산화구조를 형성하게 되므로 In2O3와 SnO2또는 In2O3와 ZnO2의 투명저저항도전성 아몰퍼스(amorphous;비정질) 막을 형성한다.
한편 240℃ 이상의 내열성을 갖는 유리, 세라믹, 폴리아미드 등의 기판에서는 형성된 아몰퍼스막을 240℃ 이상의 열처리하여 다결정막질(多結晶膜質)로 개질(改質) 형성한다.
[실시예]
ITO 또는 IZO는 유기금속화합물인 알킬금속화합물, 알콕시드금속화합물 등의 고순도 유기금속화합물류를 사용한다.
유기금속화합물류의 조성은 안정 유기 용매인 1,2-디메톡시에탄 (dimethoxyetane)이나 디그라임에 용해시켜 In 100%에 대해 Sn 2.5~10%를 함유하도록 배합 조성한 무색투명하고 점성이 있는 액체상태의 ITO 전구체를 만든다.
또한 IZO에는 In 30~70%에 대해 Zn 30~70%를 함유하도록 배합 조성한 무색투명하고 점성이 있는 액체상태의 IZO 전구체를 만든다
플라스틱필름기판에 인쇄할 때에는 전구체화합물의 밀착성을 향상시키기 위해 전술한 전구체 화합물에 유기 고분자 도전성 폴리머인 폴리이소치아나프텐(PITN) 30% 용해액을 10~20% 첨가하여 만든 투명전도막 회로 조성물을 사용한다.
ITO 전구체에 폴리이소치아나프텐(PITN)을 첨가한 투명전도막 회로 조성물의 용액은 PITN구조에 유기금속화합물 In, Sn, Zn 등이 금속착체(金屬錯體)로서 도핑되어 약간 담황녹의 투명용액색이 되는 경우가 있으며, PITN 자체의 도전성은 향상된다.
또한 투명전도막 회로 조성물에 아크릴시클로펜타디아닐파라디움 (Acrylcyclopentadianylparadiume)을 0.3~0.8% 첨가하면 필름기판에 대한 밀착성이좋아지게 된다.
[실시예1]
투명전도막 회로 조성물의 배합예
유기금속화합물 순도 99.99(In-27.85%) 100
유기금속화합물 순도 99.99(Sn-27.52%) 4.9
유기용매 디그라임 70~
유기용매 1,2-디메톡시에탄 30~
유기용제 50~
폴리이소치아나프텐(PITN) 60~
[실시예2]
스크린인쇄법을 사용하여 전극패턴 형성의 330~480 메슈 폴리에스테르나 α-메슈 V-PAR 스크린 메슈 등의 쇄판(刷版)으로 인쇄 도포하고, 상온이나 40℃ 전후의 저온도상태로부터 진공자외선조사실에 도입하여 질소불활성가스속에서 122nm의 광조사를 20~240초간 행하여 광여기화학반응으로 유기금속 전구체화합물을 해리하여 기판위에 투명한 산화전의 ITO막을 생성한다.
막을 생성한 기판을 배출하여 대기나 산소중에서 단파장 자외선 174~254nm를 조사하면 산소 라디칼화에 의한 O2와 O3의 발생으로 생성막은 산화되어 ITO막을 형성한다.
[실시예3-1]
투명전도막 회로 조성물의 스크린 인쇄처방
제판 스크린메슈 α400
바이어스 27"
장강도(長强度)텐션 13.5kg/cm
감광유제도포막 8㎛
기판 유리(글라스) 1.1mm 광투과율 92.0%
인쇄 클리어런스 2mm
스퀴즈각도 75°
평행사쇄(平行斜刷) 170°
실인압(實印壓) 1.2kg 총압 4.8kg
인쇄속도 0.15㎧
판간격 10mm
도포두께 2.2㎛/wet 비접촉 레이저 포커스 측정
조사 진공자외선광 122nm~ 중수소자외선램프
창재(窓材) 고순도 열선흡수 석영글라스
환경온도 48℃
대기 공기 가급(加給)
조사시간 40~180sec
제판 스크린 인쇄 조사처리 및 산화처리는 상기 각 조건에서 제조하였다.
[실시예3-2]
특성 성막두께 0.3㎛
광투과율 89.5% 1.1mm글라스 포함
표면저항치 6.45Ω/㎠ 4단자측정
막경도 6H
상기 측정한 투명전도막을 형성하였다.
[실시예4-1]
실시예3-1의 처방에 따라 피리딜아조레조르신(PAR) 필름위에 스크린인쇄법으로 자발광소자(自發光素子)용 도트패턴전극의 ITO막을 형성한다.
기판 PAR-125㎛필름 광투과율 92.5%
도트 1.6 ×1.6mm(1.9 ×1.6mm/p) 19200 도트
막두께 ITO 0.4㎛ 비접촉 레이저포커스 변위법
막경도 ITO 6H
밀착도 PAR/ITO 100:100 1mm cross cut peel
투명도 ITO 투명무색
광투과율 PAR/ITO 92.0%
표면저항 ITO 47Ω/㎠ 4단자측정
[실시예4-2]
실시예4-1의 전극도트패턴 ITO막위에 자발광소자를 스크린인쇄법을 사용 적층 구조로 만든다.
ITO 전도도 및 자발광소자 등의 전기전도특성은 스퍼터 ITO막과 동일한 특성치를 측정했다.
PAR-125㎛필름 기판에 스크린인쇄법으로 Ag 전하구동전극회로(電荷驅動電極回路)를 만들고, Ag 전극회로에 접촉하는 위치에 발광소자용 투명전극 ITO막을 만든다.
ITO막위에 폴리에틸렌다이옥시사이오펜(PEDT; Polyethylendioxythiophene) 유기도전성고분자폴리머를 버퍼층으로 0.3㎛막을 만들고 도트피치부분에 절연층을 만든다.
버퍼층위에는 폴리에틸렌다이옥시사이오펜/ 폴리스타일렌설포네이트 (PEDT/PSS) 또는 폴리알킬플루오렌(PAF) 유기도전성 고분자 폴리머에 유기형광색소 및 발광유도체를 도핑하여 발광색으로 하는 발광층을 0.3㎛ 적층하고, 그 위에 폴리비닐카바졸(PVC)이나 폴리에틸렌다이옥시사이오펜(PEDT)에 하이드로퀴노린알루미나(Alq3; Hidro Quinoline Alumina) 금속착제를 도핑한 전자수송층을 적층 형성한다.
도트주변에 절연막을 만들고 평형한 막면으로 만든다.
이 막면위에 Al/Ag의 음극전극회로를 적층 형성하고 실리콘레진으로 단자부분 이외는 봉지(封止) 도포하여 발광소자구조로 한다.
[실시예4-3]
유기고분자발광소자의 공정
Ag 전하구동전극회로막
ITO 발광소자전극
절연막
PAF 발광막
PEDT 전자수송막
절연막
Al/Ag 음극회로막
봉지막(封止膜)
9공정 적층 프로세스
ITO의 전기특성 저항치는 47Ω/㎠부터 PEDT 막면상에서는 330~460Ω/㎠로 저항치가 증가하지만 PEDT는 도전성과 전하수송기능의 작용을 갖는 발광소자구조이며, DC/3.3.V에서 발광하고, DC/9V의 발광휘도는 6,800cd/㎡에 달한다.
종래기술인 스퍼터 ITO필름의 200Ω/㎠면에 형성한 PEDT막면에서는 2100~2800Ω/㎠와 비교해 유기금속화합물에 의한 ITO막은 성능면에서 더욱 우수하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 ITO 전도체에 유기 고분자 도전성 폴리머 또는 유기 고분자 유전성 폴리머를 혼합하여 투명전도막 회로 조성물을 만들고, 이 조성물로 스크린인쇄법 등을 사용하여 기판에 투명전도막 회로를 형성하는 것으로, 본 발명에 의하면 저항치의 도전특성과 고투명성, 광투과율, 밀착성 등의 기능을 갖는 투명전도막 회로를 저온도에서 쉽게 형성할 수 있게 된다.
또한 본 발명에 의하면 기재의 내열성과 무관하게 스크린인쇄도포법과 저온형성법으로 박막형의 플렉시블한 필름액정 디스플레이와 필름 유기EL디스플레이 등의 표시소자를 고정도(高精度), 경량박형화, 대형화, 자유로운 사이즈 형상으로 저렴하게 제작할 수 있게 되며, 이러한 ITO 투명전도막은 에칭공정 등을 삭감할 수 있게 되므로 그 비용을 대폭 줄일 수 있게 되는 등의 효과를 얻을 수 있게 된다.

Claims (8)

  1. In(CH3)3, In(C2H5)3, Sn(CH3)4, Sn(C2H5)4의 유기금속알킬화합물과 In(OC2H5)3, In(C3H7)3, In(OC4H9)3, Sn(OC2H5)4, Sn(OC3H7)4, Sn(OC4H9)4의 유기금속알콕시드화합물, In(C5H7O2)2, In(C5H7O2)3, In(C5H7O2)3, In(C6H5)3, Sn(C5H7O2)2, Sn(C5H9)4의 유기금속아세틸아세톤화합물을 안정용제인 1,2-디메톡시에탄이나 디그라임 등에 용해시켜 In에 대한 Sn의 함유비를 100:2.5에서 100:10까지의 범위로 조합하여 무색투명하고 점성이 있는 액체상태로 만든 ITO 전구체에
    폴리이소치아나프텐(PITN), 폴리에틸렌다이옥시사이오펜(PEDT), 폴리스타일렌설포네이트(PSS), 폴리알킬플루오렌(PAF), 폴리페닐비닐렌(PPV), 폴리사이오펜(PAT), 폴리비닐카바졸(PVC)의 액체상태의 유기 고분자 전도성 폴리머 또는 유기 고분자 유전성 폴리머 중의 어느 하나, 또는 그들의 혼합물을 혼합한 것을 특징으로 하는 투명전도막 회로 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. In(CH3)3, In(C2H5)3, Sn(CH3)4, Sn(C2H5)4의 유기금속알킬화합물과 In(OC2H5)3, In(C3H7)3, In(OC4H9)3, Sn(OC2H5)4, Sn(OC3H7)4, Sn(OC4H9)4의 유기금속알콕시드화합물, In(C5H7O2)2, In(C5H7O2)3, In(C5H7O2)3, In(C6H5)3, Sn(C5H7O2)2, Sn(C5H9)4의 유기금속아세틸아세톤화합물을 안정용제인 1,2-디메톡시에탄이나 디그라임 등에 용해시켜 In에 대한 Sn의 함유비를 100:2.5에서 100:10까지의 범위로 조합하여 무색투명하고 점성이 있는 액체상태로 만든 ITO 전구체에
    폴리이소치아나프텐(PITN), 폴리에틸렌다이옥시사이오펜(PEDT), 폴리스타일렌설포네이트(PSS), 폴리알킬플루오렌(PAF), 폴리페닐비닐렌(PPV), 폴리사이오펜(PAT), 폴리비닐카바졸(PVC)의 액체상태의 유기 고분자 전도성 폴리머 또는 유기 고분자 유전성 폴리머 중의 어느 하나, 또는 그들의 혼합물을 혼합한 투명전도막 회로 조성물을 스크린인쇄법을 이용하여 기판에 인쇄하는 것을 특징으로 하는 표시소자 기판의 투명전도막 회로 형성방법.
  5. 제 4항에 있어서, 기판에 투명전도막 회로 조성물로 투명 전극막 패턴을 인쇄하고, 진공챔버나 불활성가스챔버에서 일정영역의 진공자외선을 조사하거나 일정영역의 단파장자외선을 조사하여 광여기(光勵起)에 의한 유기금속화합물의 분자 해리 또는 결합에 의해 금속박막을 형성한 후 생성된 금속박막에 대해 대기중에서 다시 자외선을 조사하여 O2나 O3에 의해 산화시킴으로써 In2O3와 SnO2가 함유된 ITO 투명전도막 회로를 형성하는 것을 특징으로 하는 표시소자 기판의 투명전도막 회로 형성방법.
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, In과 Sn을 포함하는 ITO 전구체 대신에 In과 Zn을 포함하는 IZO 전구체를 사용하여 In2O3와 ZnO2가 함유된 IZO 투명전도막 회로를 형성하는 것을 특징으로 하는 표시소자 기판의 투명전도막 회로 형성방법.
  7. 제4항에 있어서, 투명전도막 회로 조성물을 기판에 인쇄하여 금속박막을 형성하고, 일정영역의 진공자외선이나 일정영역의 단파장자외선을 조사하여 유기화합물 및 유기용매류를 해리 또는 분해시키거나 유기고분자화합물의 분자 해리 또는 결합, 중합에 의해 투명전도막 회로를 형성하는 것을 특징으로 하는 표시소자 기판의 투명전도막 회로 형성방법.
  8. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 투명전도막 회로 조성물을 기판 전면에 도포한 후 그 도포막면에 진공자외선영역의 엑시머레이저를 조사하여 조사한 개소에만 투명전도막 회로를 형성하는 것을 특징으로 하는 표시소자 기판의 투명전도막 회로 형성방법.
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