JPH09194229A

JPH09194229A - 磁気ディスク用ガラス基板

Info

Publication number: JPH09194229A
Application number: JP8303205A
Authority: JP
Inventors: Yasuhisa Kuroda; 靖尚黒田; Yoshihiro Matsuno; 好洋松野; Shinya Katayama; 慎也片山; Akihiro Koyama; 昭浩小山; Junji Kurachi; 淳史倉知
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1995-11-14
Filing date: 1996-11-14
Publication date: 1997-07-29
Anticipated expiration: 2016-11-14
Also published as: JP4071309B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低浮上化に対応でき、しかも微細で安定した
形状のテクスチャーが形成された磁気ディスク用ガラス
基板を提供すること。【解決手段】ガラス組成中には遷移金属の酸化物が
０. ２〜３重量％含有される。光の波長２６６ｎｍにお
けるガラスの吸収係数は０. ０３〜２μｍ^-1の範囲内に
設定される。そして、ガラス基板の主表面上に所定間隔
をおいて、紫外領域の波長を有するレーザ光が選択的に
照射されることにより、径の小さい凸型形状の突起部１
０からなる多数の突起よりなるテクスチャーが形成され
る。磁気ディスク用ガラス基板は、表面の所定範囲にお
いてこのようなテクスチャーを有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスク用
ガラス基板に関するものである。より具体的には、レー
ザ光照射により特定組成を有するガラス基板表面に突起
を形成させ、テクスチャーとした磁気ディスク用ガラス
基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】固定磁気ディスク装置においては、ディ
スクが静止しているときに磁気ヘッドがディスク表面に
接触し、ディスクが起動および停止時には磁気ヘッドが
ディスク表面を接触しながら摺動するＣＳＳ（Contact
Start Stop）方式と呼ばれる機構が多く使用されてい
る。

【０００３】このＣＳＳ方式においては、ディスクの起
動および停止時に生ずるスティクションの防止や摩擦力
の軽減のために、「テクスチャー」と呼ばれる適切に微
細に粗れた表面凹凸（凸部のみでも良い）が、ディスク
上に形成されている。このテクスチャーは、ディスクの
主表面の全面あるいは一部分に形成される。テクスチャ
ーが一部分（ＣＳＳゾーン）にのみ形成されている場
合、磁気ヘッドはＣＳＳ動作時の適切な時期に、テクス
チャーが形成されたＣＳＳゾーンまで移動する。また、
ディスクが回転中に、電源が切れたような場合にも、Ｃ
ＳＳゾーンに移動するようになっている。

【０００４】特に、一部分にのみテクスチャーが形成さ
れている場合には、残りの部分は鏡面状の平滑さを保つ
ことができるため、磁気ヘッドの低浮上化が可能とな
る。このため、磁気ディスク装置の高記録密度化に適し
ている。

【０００５】ところで、このディスク基板には、広くア
ルミニウム（Ａｌ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金基板に
ニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっきを施した、いわゆ
るアルミニウム基板が用いられてきた。このアルミ基板
にテクスチャーを施す方法としては、研磨テープにより
基板に同心円状の傷をつけることが広く行われていた。
しかしこの方法では、磁気ヘッドのさらなる低浮上化が
求められた場合、スティクションの防止や摩擦力の軽減
との両立を図ることが困難となってくる。

【０００６】これを解決するために、種々の方法が提案
されている。例えば、米国特許第５０６２０２１号およ
び第５１０８７８１号は、スティクションを減少させる
ためにアルミ基板の金属表面に、凹部とその周囲に形成
されるリング状の突起からなるピットを形成するプロセ
スを開示している。前記２つの特許は、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザを使用して必要な表面粗さを作り出す方法を開示し
ている。

【０００７】ところで、ガラス基板は前記アルミ基板に
比較して、研磨により比較的容易に平滑化できること、
同一厚さであればより優れた剛性を有していること、耐
衝撃性に優れていること等の優れた特性を有している。

【０００８】このガラス基板では、その表面を平滑面に
することができるが故に、上述したテクスチャー形成技
術がより重要となる。ガラス基板に、テクスチャーを形
成する方法としては、Ａ．フォトリソ法を用いてガラスをドライエッチングす
る方法（(1)川合登他，日本潤滑学会トライボロジー会
議予稿集−福岡（１９９１年１０月）ｐ２６５，(2)
Ｈ．Ｔａｎａｋａｅｔａｌ，ＩＥＥＥＴｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎｓｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓｖｏｌ．２
９，Ｎｏ．１（Ｊａｎｕａｒｙ−１９９３）ｐ２７０，
(3)Ｈ．Ｉｓｈｉｈａｒａｅｔａｌ，Ｗｅａｒ，ｖ
ｏｌ．１７２（１９９４年）ｐ６５）、Ｂ．ガラス基板を化学的にエッチングする方法（特開平
３−２４５３２２号）、Ｃ．微細な粒子をガラス基板上に分散させる方法（特開
平２−１２８３１８号）、Ｄ．スパッタリングによる島状構造を利用する方法（特
開平３−７３４１９号）等が知られている。

【０００９】ところが、上記Ａの方法は精密にテクスチ
ャー形状等を制御できる特徴を有するものの、コスト高
となってしまうこと、Ｂ，Ｃ，Ｄの方法は、コスト的に
有利なものの生産時の安定性にやや問題があること、お
よびＣＳＳ領域のみにテクスチャーを形成することが困
難であること等の問題点を有している。

【００１０】このような問題を解決するために、ガラス
基板にテクスチャーを形成する方法として、最近レーザ
光照射による方法が提案されている。例えば、特開平４
−３１１８１４号は、バックプレートに所定の間隔を隔
てて配置されたガラス基板の裏側からレーザ光パルスを
照射し、前記バックプレートの表面から溶融飛散する微
細粒子を、前記ガラス基板表面に衝突させることによ
り、ガラス基板にテクスチャー加工する方法を開示して
いる。

【００１１】特開平７−１８２６５５号は、特にガラス
等の脆性材料にテクスチャーを形成する方法について述
べたものであり、ガラス等の熱衝撃限界を有する脆性材
料に対して、放射エネルギのフルエンスを熱衝撃限界以
下の適当な値に制御することにより、テクスチャー加工
が可能であることを開示している。急激に遷移するエネ
ルギフルエンス限界（熱衝撃限界）以下では、レーザ光
パルスのエネルギフルエンスは全く影響しないか、また
は損傷を与えずに単に隆起を形成するだけである。圧縮
表面応力を持つガラスディスクでは、このような隆起の
ほぼ全体が公称表面より上に突出し、データ記憶ディス
クのスティクションを減少する上で有用である。

【００１２】前記特開平７−１８２６５５号のレーザ光
を用いたテクスチャー加工法によれば、低コストかつ制
御性良くガラス基板にテクスチャーを形成することがで
きるとされている。また、ＣＳＳ領域のみにテクスチャ
ーを形成することも容易とのことである。

【００１３】またさらに、ディスク基板の素材は異なる
が、特開平６−２９０４５２号には、磁気ディスク用カ
ーボン基板にレーザを照射して、カーボンを酸化気化さ
せ複数の孔を形成する技術が開示されている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記特開平７
−１８２６５５号では、ガラスに対してレーザ光エネル
ギパルスの光透過がある値の範囲内になるようなレーザ
光を用いると記述されているが、ガラス組成との関係に
ついてはなんら述べられていない。また、レーザ光波長
に関しても、１０．６μｍのみが開示されており、他の
波長については述べられていない。

【００１５】また、上述した米国特許第５０６２０２１
号および第５１０８７８１号は、アルミ基板のテクスチ
ャー加工に関するものであり、ガラス製の磁気ディスク
基板にそのテクスチャー加工法を適用することについて
は、なんら開示も提案もしていない。

【００１６】ところで、一般に磁気ディスクのテクスチ
ャー部において、全面積に対するテクスチャー突起部の
面積の割合が同一の場合、テクスチャーの１つ１つの突
起の径は小さい方が、即ちテクスチャーの突起の間隔の
小さい方が潤滑剤は作用しやすく、耐摩耗特性が良好に
なることが知られている（(1)谷弘詞他，日本トライボ
ロジー学会トライボロジー会議予稿集−金沢，１９９４
年１０月，ｐ１５３，(2)Ｈ．Ｉｓｈｉｈａｒａｅｔ
ａｌ，Ｗｅａｒ，ｖｏｌ１７２（１９９４年）ｐ６
５）。そのため、テクスチャーの径としては、前記特開
平７−１８２６５５号の開示例（テクスチャーの突起の
径３０μｍ）より小さいものが望まれる。

【００１７】この発明の目的とするところは、レーザ光
の照射により特定組成を有するガラス基板に所定の突起
を形成させ、それをテクスチャーとすることができる磁
気ディスク用ガラス基板を提供することにある。この発
明のその他の目的は、ガラス基板の表面に所望の突起
を、ガラスの組成、ガラスの吸収係数及びレーザ光の強
度から精度良く、しかも効率的に形成することができる
磁気ディスク用ガラス基板を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板は、主
表面にレーザ光の照射により多数形成された突起をテク
スチャーとした磁気ディスク用ガラス基板において、前
記突起は凸型形状よりなる突起部からなり、前記ガラス
の組成中に遷移金属の酸化物が０．２〜３重量％含有さ
れており、かつ光の波長２６６ｎｍにおけるガラスの吸
収係数が０．０３〜２μｍ^-1の範囲内にあるものであ
る。

【００１９】請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基
板は、請求項１に記載の発明において、前記遷移金属の
酸化物が、酸化チタン，酸化バナジウム，酸化クロム，
酸化マンガン，酸化鉄，酸化コバルト，酸化ニッケル，
酸化銅，酸化モリブデン，酸化タングステン及び酸化セ
リウムからなる群の少なくとも１つの酸化物である。

【００２０】請求項３に記載の磁気ディスク用ガラス基
板は、請求項１又は２に記載の発明において、前記ガラ
スが、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケ
ートガラス又はボロシリケートガラスであるものであ
る。

【００２１】請求項４に記載の磁気ディスク用ガラス基
板は、主表面にレーザ光の照射により多数形成された突
起をテクスチャーとした磁気ディスク用ガラス基板にお
いて、前記突起は凸型形状よりなる突起部からなり、光
の波長２６６ｎｍにおけるガラスの吸収係数が、０．０
３〜２μｍ^-1の範囲内にあり、前記ガラスの組成が重量
基準で、酸化珪素（ＳｉＯ₂）７０〜７４％、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ₂Ｏ ₃）０〜２．５％、酸化鉄（Ｆ
ｅ₂Ｏ₃）０. １〜１．２％、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ₂）０〜０. ３％、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
３．０〜４．５％、酸化カルシウム（ＣａＯ）６. ５
〜９. ５％、酸化ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ）１２〜１４
％、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）０〜１．２％、酸化セリ
ウム（ＣｅＯ ₂）０〜１％、（ただし、Ｆｅ₂Ｏ
₃と、ＴｉＯ₂と、ＣｅＯ₂との合計量が０．２％以上
である。）の範囲内にあるものである。

【００２２】請求項５に記載の磁気ディスク用ガラス基
板は、請求項１〜４のいずれかに記載の発明において、
前記ガラスは化学強化されているものである。請求項６
に記載の磁気ディスク用ガラス基板は、請求項１〜５の
いずれかに記載の発明において、前記凸型形状よりなる
突起部の間隔は１〜１００μｍ、直径は１〜２０μｍ及
び高さは５〜１００ｎｍであるものである。

【００２３】請求項７に記載の磁気ディスク用ガラス基
板は、請求項６に記載の発明において、前記凸型形状よ
りなる突起部の間隔は２〜５０μｍ、直径は１〜１０μ
ｍ及び高さは１０〜５０ｎｍであるものである。

【００２４】請求項８に記載の磁気ディスク用ガラス基
板は、請求項１〜７のいずれかに記載の発明において、
前記凸型形状よりなる突起部は、所定の領域のみに形成
されているものである。

【００２５】請求項９に記載の磁気ディスク用ガラス基
板は、請求項２に記載の発明において、前記遷移金属の
酸化物が、酸化鉄，酸化銅，酸化チタン，酸化セリウ
ム，酸化コバルト及び酸化ニッケルからなる群の少なく
とも１つの酸化物であるものである。

【００２６】請求項１０に記載の磁気ディスク用ガラス
基板は、請求項９に記載の発明において、前記遷移金属
の酸化物が、酸化鉄，酸化銅，酸化チタン及び酸化セリ
ウムからなる群の少なくとも１つの酸化物であるるもの
である。

【００２７】請求項１１に記載の磁気ディスク用ガラス
基板は、主表面にレーザ光の照射により多数形成された
突起をテクスチャーとした磁気ディスク用ガラス基板に
おいて、前記突起は凸型形状よりなる突起部よりなり、
光の波長２６６ｎｍにおけるガラスの吸収係数が０．０
３〜２μｍ^-1の範囲内であり、かつガラスの組成が重量
基準で、酸化珪素（ＳｉＯ₂）５８〜６６％、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ₂Ｏ ₃）１３〜１９％、酸化リチウ
ム（Ｌｉ₂Ｏ）３〜４．５％、酸化ナトリウム（Ｎａ
₂Ｏ）６〜１３％、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）３〜
４．５％、Ｒ₂Ｏ１０〜１８％（ただし、Ｒ₂Ｏ＝Ｌｉ
₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ）、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）０〜３．５％、酸化カルシウム（ＣａＯ）１〜
７％、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）０〜２％、酸化
バリウム（ＢａＯ）０〜２％、ＲＯ２〜１０％（た
だし、ＲＯ＝ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）、酸化
鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）０. ０５〜２％、の範囲内にあるも
のである。

【００２８】請求項１２に記載の磁気ディスク用ガラス
基板は、請求項２、９、１０又は１１に記載の発明にお
いて、前記突起部の高さは、ガラス中の鉄の含有量とレ
ーザ光の出力との間で、次の関係式で表される関係を有
するものである。

【００２９】突起部の高さ＝ａ×鉄の含有量×ｌｎ（レ
ーザ光の出力／ｂ）ただし、ａ，ｂは係数、突起部の高さの単位はｎｍ、鉄
の含有量の単位は重量％、ｌｎは自然対数、レーザ光の
出力の単位はｍＷを表す。

【００３０】請求項１３に記載の磁気ディスク用ガラス
基板は、請求項２、９、１０又は１１に記載の発明にお
いて、前記突起部の高さは、ガラスの吸収係数とレーザ
光の出力との間で、次の関係式で表される関係を有する
ものである。

【００３１】突起部の高さ＝ａ×（ガラスの吸収係数−
ｅ）×ｌｎ（レーザ光の出力／ｂ）ただし、ａ，ｅは係数、突起部の高さの単位はｎｍ、ガ
ラスの吸収係数の単位はμｍ^-1、ｌｎは自然対数、レー
ザ光の出力の単位はｍＷを表す。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て詳細に説明する。一般に知られているように、同一の
レンズを使用してレーザ光を絞った場合、スポット径は
レーザ光の波長と共に小さくなる。レーザ光の波長を変
換する手段としては、ＳＨＧ（第２高調波発生）素子，
ＦＨＧ（第４高調波発生）素子等のデバイスが知られて
いる。これらを用いることにより、元のレーザ光の１／
２あるいは１／４波長のレーザ光を得ることができる。
なお、ＳＨＧとは、ある物質がある周波数の光を吸収
し、その２倍の周波数の光を発光する現象（第２高調波
発生）をいう。このとき、波長は１／２となる。ＦＨＧ
は第４高調波発生をいい、波長は１／４となる。

【００３３】そこで、特に紫外領域の波長のレーザ光を
使用すれば、レーザ光照射によるテクスチャー加工にお
いて、容易にレーザ光のスポット径を絞ることができ、
かなり小さな径のテクスチャーを、ガラス基板上に容易
に形成することができる。

【００３４】そして、本発明者らは、容易に得られる大
出力レーザ光であるＹＡＧレーザをＦＨＧにより短波長
化し、種々の組成のガラス基板へのテクスチャー加工実
験を精力的に行った。その結果、特定の金属酸化物を特
定量以上含有したガラスにのみ、安定したテクスチャー
加工が可能であることを見い出した。その他のガラスで
は、レーザ光を照射しても全く表面形状に変化が認めら
れないか、形状変化が認められる場合においても、テク
スチャーとして使用可能な均一形状のものは得られなか
った。

【００３５】この理由は、以下のようである。前記特定
の遷移金属酸化物を含有したガラスは、紫外波長領域に
おける光の吸収係数が大きく、照射されたレーザ光はガ
ラスの最表面、例えば深さ５０μｍまでで効率的に吸収
される。このため、ガラス基板にレーザ光を照射する
と、ガラスの最表面が局部的にかつ急速に加熱され、軟
化流動温度域に達する。照射されたレーザ光のエネルギ
密度が適当であると、この部分は気化し蒸発することな
く、熱膨張を伴いながら軟化して盛り上がり、凸型形状
の突起部からなる突起を形成する。その後、レーザ光の
照射がなくなると、その部分は急速に冷却され、その冷
却により前記突起部は収縮するが、所定の大きさの突起
が残る。その結果、突起部は元の基板表面より盛り上が
った形状として残ることになる。従って、この突起を磁
気ディスクにおけるテクスチャーとすることができる。

【００３６】ここで、一般的に熱処理されたガラスの密
度変化について述べる。ガラスの熱処理による密度変化
は、以下のように理解される。（１）一定温度を保持すると、そのガラス構造は平衡状
態に達する。図３に比容と温度の関係を示す。平衡状態
のガラスの比容と温度は、図中ＡＢ線上に位置する。（２）急熱または急冷されたとき、その比容は図中ＡＣ
線に平行に変化する。（３）ガラスを一定温度に十分長く保持すると、図中Ａ
Ｂ線上に近づくようになる。（４）一定温度に保持したとき、比容の変化速度は平衡
状態との比容の差に比例する。

【００３７】上述したレーザ光を照射した場合について
考えると、レーザ光が照射された部分は、急熱・急冷さ
れ、その部分は比容を増すことになる。つまり、体積膨
張を起こし、これが固定化されることになる。

【００３８】さらに、前記基板はその表面に化学強化等
によって、圧縮応力を有していると、突起部のより大き
な盛り上がりを得ることができる。すなわち、ガラス組
成中に遷移金属の酸化物が０．２〜３重量％含まれ、前
記光の波長２６６ｎｍ（ナノメートル）におけるガラス
の吸収係数が、０．０３μｍ^-1以上のガラス基板の主表
面上の所定間隔をおいた複数の位置に、紫外線領域の波
長を有するレーザ光を選択的に照射する。なお、ガラス
の主表面とは、ガラス基板に磁気記録部が形成されると
ともに、テクスチャーが形成される表面をいう。そし
て、間隔をあけた前記位置のそれぞれにある目標域内の
ガラス基板の主表面に、凸型形状よりなる突起部を形成
してテクスチャーとすることができる。

【００３９】前記紫外領域の波長を有するレーザ光とし
ては、容易に大出力を得られること、装置価格が比較的
安価であること等から、ＹＡＧレーザを１／４の波長に
波長変換して得られたものが好ましく使用される。

【００４０】さらに、前記遷移金属の酸化物としては、
酸化チタン，酸化バナジウム，酸化クロム，酸化マンガ
ン，酸化鉄，酸化コバルト，酸化ニッケル，酸化銅，酸
化モリブデン，酸化タングステン，酸化セリウム等が好
まれて使用される。これらの遷移金属酸化物は比較的安
価であり、かつガラスへ容易に含有させることができ
る。これらの遷移金属酸化物は単独で、あるいは２種類
以上を複合して使用することができる。また、これらの
遷移金属酸化物の中でも特に、酸化鉄，酸化銅，酸化ニ
ッケル，酸化チタン又は酸化セリウムが低毒性の面で優
れているため好ましく使用される。これらの遷移金属酸
化物の中でも、酸化鉄，酸化銅，酸化チタン又は酸化セ
リウムが基板の主表面に所望とする突起をレーザ光によ
り確実に形成するためにより好ましい。さらに、これら
の中でも酸化鉄が低コストであるため最も好まれて使用
される。

【００４１】上述した酸化物が選択された理由は、ガラ
スにおける着色のメカニズムと同様に説明できる。つま
り、ガラス内にこれらの遷移金属酸化物が存在すると、
これらの遷移金属原子内のｄ電子が許されるエネルギー
間を遷移することにより着色が起こり、紫外線を効率良
く吸収することになる。

【００４２】詳しくは、遷移金属イオン（特に３ｄ電子
が吸収に関係している第１遷移金属イオン）の最外郭に
あるｄ電子のエネルギー準位は隣接の陰イオンの影響を
受け、結晶場理論で説明されるエネルギー準位を持つこ
とになる。基底状態から励起状態へのエネルギー差は可
視光のエネルギー付近になるため、ｄ電子は光エネルギ
ーを吸収して励起し（ｄ−ｄ遷移）着色が起こる。

【００４３】酸化物ガラス中の遷移金属イオンによる着
色例について述べる。遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｅな
どが報告されている。また、その色は遷移金属の種類に
よって異なり、さらには同じ金属でもその価数によって
も色が異なる場合がある。その価数は、溶融状態の雰囲
気によって変化するといわれている。

【００４４】またさらに、ｆ軌道に空席を持つ希土類元
素イオンを含む場合にも、ガラスに着色が起こる。ガラ
スの着色に用いられる元素としては、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｅ
ｒ、Ｈｏなどがある。しかし、コストや取扱い性の点か
らは、上述した遷移金属の方が有利である。

【００４５】これらの遷移金属酸化物の含有量は、テク
スチャー加工性の面から０．２％以上であることが必要
であり、ガラス内の組成の均一性、ガラスの溶融温度そ
の他の熱的特性の面から３重量％以下であることが必要
である。これらの特性およびコスト面から、好ましくは
０．２〜２重量％、より好ましくは０．５〜２重量％の
範囲が使用される。

【００４６】さらに、ガラス基板の主表面にテクスチャ
ーとして所望の突起を形成するためには、紫外線領域の
波長の光に対する吸収が良好である必要がある。前記ガ
ラスの、例えば光の波長２６６ｎｍにおけるガラスの吸
収係数は、０．０３μｍ^-1以上であれば均一な突起形状
のテクスチャーの形成が可能である。より低出力のレー
ザ光の使用を可能にするには、０．０５μｍ^-1以上であ
ることが好ましく、０．１μｍ^-1以上であることがさら
に好ましい。しかし、光の吸収係数が大きくなりすぎる
とガラス成分が蒸発したり、ガラスの割れが発生したり
することから、吸収係数は２μｍ^-1以下であることが必
要であり、１μｍ^-1以下であることが好ましく、０．３
μｍ^-1以下であることがさらに好ましい。従って、ガラ
スの吸収係数は、０．０３〜２μｍ^-1の範囲であること
が必要であり、０．０５〜１μｍ ^-1の範囲であることが
好ましく、０．１〜０．３μｍ^-1の範囲であることがさ
らに好ましい。

【００４７】一例として、ソーダライムガラス組成にお
いて、酸化鉄の含有量を変えた場合の吸収係数の変化を
図４に示す。図中、実線は０．４重量％、破線は０．２
重量％、一点鎖線は０．０８重量％の酸化鉄の含有量の
場合をそれぞれ表す。酸化鉄の含有量が０．０８重量％
の場合には、含有量が少ないので２６６ｎｍの波長の紫
外線に対する吸収係数が約０．０２μｍ^-1であった。こ
れに対して、酸化鉄の含有量がそれぞれ０．２、０．４
重量％に場合の吸収係数は、０．０３μｍ^-1以上であっ
た。

【００４８】また別の例として図５に、同じくソーダラ
イムガラス組成において、酸化鉄と酸化チタンを含む場
合（Ｆｅ₂Ｏ₃：０．３６％、ＴｉＯ₂：０．０２％、
合計：０．３８％、図中破線）と、酸化鉄、酸化チタン
と酸化セリウムを含む場合（Ｆｅ₂Ｏ₃：０．８４％、
ＴｉＯ₂：０．２３％、ＣｅＯ₂０．５６％、合計：
１．６３％、図中実線）の吸収係数の変化を示す。この
いずれの場合にも、遷移金属酸化物として０．２重量％
以上含有しているので、吸収係数はやはり０．０３μｍ
^-1以上であった。

【００４９】前記ガラス基板の基本組成としては、安価
に製造可能なソーダライムシリケートガラス、あるいは
耐候性に優れたアルミノシリケートガラス、ボロンシリ
ケートガラスが好まれて使用される。

【００５０】さらに、ソーダライムシリケートガラスは
自動車用ガラス等として広く使用されており、安価に入
手可能であるので好ましく使用される。すなわち、その
ようなソーダライムシリケートガラスは、主成分として
酸化珪素を７０〜７４重量％、酸化アルミニウムを０〜
２．５重量％、酸化鉄を０．１〜１．２重量％、酸化チ
タンを０〜０．３重量％、酸化マグネシウムを３．０〜
４．５重量％、酸化カルシウムを６．５〜９．５重量
％、酸化ナトリウムを１２〜１４重量％、酸化カリウム
を０〜１．２重量％、酸化セリウムを０〜１重量％含む
組成（ただし、酸化鉄、酸化チタン、および酸化セリウ
ムの合計が０．２重量％以上である。）である。

【００５１】このソーダライムシリケートガラスにおい
て、酸化珪素が７０重量％未満であるとガラスの強度、
化学的耐久性が劣化してしまい、７４重量％を越えると
溶融が困難となる。酸化アルミニウムが２．５重量％を
越えると溶融が困難となる。通常酸化鉄は不純物として
０．１％程度含まれるため、酸化鉄を０．１重量％未満
とするとコストが高くなり、１．２重量％を越えると結
晶化しやすくなる。酸化チタンが０．３重量％を越える
とコストが高くなる。酸化マグネシウムが３重量％未満
であると溶融が困難になると同時に結晶化しやすくな
り、４．５重量％を越えるとやはり結晶化しやすくな
る。酸化ナトリウムが１２重量％未満であると溶融が困
難となり、１４重量％を越えると化学的耐久性が劣化す
る。酸化カリウムが１．２重量％を越えると溶融しにく
くなると同時にコストが高くなる。酸化セリウムが１重
量％を越えるとコストが高くなる。

【００５２】前記ガラス基板は、磁気ディスク用基板と
して要求される強度を保証するために、及び突起をより
大きく盛り上げるために、化学強化されていることが好
ましい。

【００５３】この化学強化処理は、ガラスがその組成中
に含まれる一価の金属イオンよりイオン半径が大きな一
価の金属イオンを含有する溶融塩中に浸漬され、ガラス
中の金属イオンと溶融塩中の金属イオンとが交換される
ことにより行われる。

【００５４】例えば、ガラス基板を加熱された硝酸カリ
ウム溶融塩中に浸漬することにより、ガラス基板表面近
傍のナトリウムイオンがそれより大きなイオン半径を有
するカリウムイオンに置き換えられ、その結果ガラス基
板表面に圧縮応力が作用して基板表面が強化される。ま
た、ガラス基板を硝酸銀（０. ５〜３％）と硝酸カリウ
ム（９７〜９９. ５％）の混合溶融塩中に、３０分から
１時間浸漬してもよい。それにより、銀がガラス基板表
面に速やかに浸透され、ガラス基板表面の強化が促進さ
れる。

【００５５】前記凸型突起によるテクスチャーは、ガラ
ス基板の主表面全体に形成されていても良いが、主表面
のある特定の半径位置の範囲内のみに、部分的に形成さ
れていても良い。部分的に突起を形成することにより、
テクスチャー加工領域以外の半径位置において鏡面状の
ディスク表面を保つことが可能なため、磁気ディスクメ
ディアとした場合、ヘッドの低浮上化が可能になるた
め、このような部分テクスチャーは好まれて使用され
る。

【００５６】前記テクスチャー形状は、ほぼ平面円形の
凸型形状よりなる突起部がほぼ規則的に配置されたもの
であるが、凸型形状よりなる突起部同士の間隔として
は、１〜１００μｍの範囲が好まれて使用される。前記
間隔が１μｍよりも小さいと、テクスチャー加工に要す
る時間が長くなり、生産性が劣化する。一方、前記間隔
が１００μｍよりも大きいと、ＣＳＳ特性が劣化する。
より好ましくは２〜５０μｍの範囲である。

【００５７】前記突起の高さは、５〜１００ｎｍの範囲
であることが好ましい。前記高さが５ｎｍ未満である
と、磁気メディアとした場合に磁気ヘッドとの間の粘着
力が大きくなってしまう。一方、１００ｎｍを越えると
磁気メディアとした場合に、磁気ヘッドを十分低く浮上
させることができない。より好ましくは１０〜５０ｎｍ
の範囲がである。

【００５８】前記テクスチャーを形成する凸型形状より
なる突起部の径は、１〜２０μｍの範囲が好ましい。前
記凸型形状よりなる突起部の径が１μｍ未満であると、
安定に均一のテクスチャーを形成することが困難にな
る。一方、前記突起部の径が２０μｍを越えると、ＣＳ
Ｓ特性が劣化する。以上の特性の面および生産性の面か
らより好ましくは、１〜１０μｍの範囲がより好まし
い。

【００５９】以上のようなテクスチャーが形成されたガ
ラス基板上に、下地層，磁気媒体層，保護層を順次形成
し、磁気ディスクメディアを得ることができる。また、
前記ガラス基板に、少なくともその主表面に磁気特性を
向上させるための下地層、磁気媒体層、保護層が順次形
成され、さらに潤滑層が形成されて、磁気ディスクメデ
ィアとなる。磁気特性をさらに向上させる、あるいは付
着力を向上させる等の目的で、前記下地層とガラス基板
の間に、さらに複数の中間膜を形成しても良い。

【００６０】次に、磁気ディスク用のガラス基板を構成
するためのアルミノシリケートガラスの組成について説
明する。このアルミノシリケートガラスの組成は重量基
準で、酸化珪素（ＳｉＯ₂）を５８〜６６％、酸化アル
ミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）を１３〜１９％、酸化リチウム
（Ｌｉ₂Ｏ）を３〜４．５％、酸化ナトリウム（Ｎａ₂
Ｏ）を６〜１３％、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）を０〜５
％、Ｒ₂Ｏを１０〜１８％、（ただし、Ｒ₂Ｏ＝Ｌｉ₂
Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ）、さらに、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）を０〜３．５％、酸化カルシウム（ＣａＯ）
を１〜７％、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）を０〜２
％、酸化バリウム（ＢａＯ）を０〜２％、ＲＯを２〜１
０％、（ただし、ＲＯ＝ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋Ｂａ
Ｏ）、加えて、酸化チタン（ＴｉＯ₂）を０〜２％、酸
化セリウム（ＣｅＯ₂）を０〜２％、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ
₃）を０〜２％、酸化マンガン（ＭｎＯ）０〜１％、た
だし、ＴｉＯ₂＋ＣｅＯ₂＋Ｆｅ₂Ｏ₃＋ＭｎＯ＝０．
０１〜３％である。

【００６１】このような組成を有するアルミノシリケー
トガラスは、フロート法により製造可能で、溶融温度が
低く、化学強化処理後の耐水性や耐候性が良好で、しか
も金属製品と組み合わせて使用可能な膨張係数を有す
る。フロート法は、溶融スズを収容し、上部空間を還元
性雰囲気とした高温のバス中へ、一端から溶融ガラスを
流入し、他端からガラスを引き延ばして板状のガラスを
製造する方法である。このフロート法によれば、得られ
るガラス板は両面が平行でゆがみがなく、表面光沢があ
るとともに、多量生産が可能である。しかも、得られた
ガラス板内部の残留応力が少なく、これをもとにしてガ
ラスディスク基板を製造する際、基板の研磨時における
割れが少ないなど、その取扱いを容易にすることができ
る。

【００６２】このアルミノシリケートガラスの組成は、
次のような組成範囲がさらに好ましい。すなわち、重量
基準で、ＳｉＯ₂を６０〜６６％、Ａｌ₂Ｏ₃を１５〜
１８％、Ｌｉ₂Ｏを３〜４．５％、Ｎａ₂Ｏを７. ５〜
１２. ５％、Ｋ₂Ｏを０〜２％、Ｒ₂Ｏを１１〜１７
％、（ただし、Ｒ₂Ｏ＝Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ
₂Ｏ）、さらに、ＭｇＯを０．５〜３％、ＣａＯを２．
５〜６％、ＳｒＯを０〜２％、ＢａＯを０〜２％、ＲＯ
を３〜９％、（ただし、ＲＯ＝ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ
＋ＢａＯ）、加えて、ＴｉＯ₂を０〜２％、ＣｅＯ₂を
０〜２％、Ｆｅ₂Ｏ₃を０〜２％、ＭｎＯを０〜１％、
（ただし、Ｆｅ₂Ｏ₃＋ＴｉＯ₂＋ＣｅＯ₂≧０．２
％）である。

【００６３】上記のようなアルミノシリケートガラス組
成において、ＳｉＯ₂はガラスの主要成分であり、必須
の構成成分である。その含有量が５８重量％未満の場
合、イオン交換後の耐水性が悪化し、６６重量％を越え
る場合、ガラス融液の粘性が高くなりすぎ、溶融や成形
が困難になるとともに、膨張係数が小さくなりすぎる。

【００６４】Ａｌ₂Ｏ₃はイオン交換速度を速くし、イ
オン交換後の耐水性を向上させるために必要な成分であ
る。その含有量が１３重量％未満の場合、そのような効
果が不十分であり、１９重量％を越える場合、ガラス融
液の粘性が高くなりすぎ、溶融や成形が困難になるとと
もに、膨張係数が小さくなりすぎる。

【００６５】Ｌｉ₂Ｏはイオン交換を行うための必須の
構成成分であるとともに、溶解性を高める成分である。
その含有量が３重量％未満の場合、イオン交換後の表面
圧縮応力が十分得られず、また溶解性も悪く、４. ５重
量％を越える場合、イオン交換後の耐水性が悪化すると
ともに、液相温度が上がり、成形が困難となる。

【００６６】Ｎａ₂Ｏは溶解性を高める成分である。そ
の含有量が６重量％未満の場合、その効果が不十分であ
り、１３重量％を越える場合、イオン交換後の耐水性が
悪化する。

【００６７】Ｋ₂Ｏは溶解性を高める成分であるが、イ
オン交換後の表面圧縮応力が低下するため必須成分では
ない。このため、その含有量は５重量％以下が好まし
い。さらに、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏの合計Ｒ₂Ｏ
が９重量％未満の場合、ガラス融液の粘性が高くなりす
ぎ、溶融や成形が困難となるとともに、膨張係数が小さ
くなりすぎ、１８重量％を越える場合イオン交換後の耐
水性が悪化する。

【００６８】ＭｇＯは溶解性を高める成分であり、３.
５重量％を越える場合、液相温度が上がり、成形が困難
になる。ＣａＯは溶解性を高める成分であるとともに、
イオン交換速度を調整するための必須成分である。その
含有量が１重量％未満の場合、その効果が十分ではな
く、７重量％を越える場合、液相温度が上がり、成形が
困難になる。

【００６９】ＳｒＯやＢａＯは、溶解性を高める成分で
あるとともに、液相温度を下げるのに有効な成分であ
る。それらの含有量は２重量％を越える場合、ガラスの
密度が大きくなるとともに、製造コストが上昇する。

【００７０】さらに、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ
の合計ＲＯが、２重量％未満の場合、ガラス融液の粘性
が高くなりすぎ、溶融や成形が困難となり、１０重量％
を越える場合、液相温度が上がり、成形が困難となる。

【００７１】Ｆｅ₂Ｏ₃は、ガラス融液中でＦｅ²⁺とＦ
ｅ³⁺が平衡状態にあり、これらのイオンが融液中の光の
透過率、特に赤外領域の透過率を大きく左右する。この
Ｆｅ ₂Ｏ₃の含有量が２重量％を越える場合、赤外領域
の吸収が大きくなりすぎ、溶融や成形時にガラスの温度
分布を調節できなくなり、品質の悪化を招く。

【００７２】ＴｉＯ₂、ＣｅＯ₂、ＭｎＯはＦｅ²⁺とＦ
ｅ³⁺の平衡状態を変化させ、相互作用によって光の透過
率を変化させるのに有効な成分である。ＴｉＯ₂が３重
量％を越える場合、またはＣｅＯ₂、ＭｎＯがそれぞれ
１重量％を越える場合、ガラス素地の品質が悪化すると
ともに、製造コストが上昇する。

【００７３】以上のような組成を有するガラスにおいて
は、５０〜３５０℃の温度範囲における平均線熱膨張係
数が８０×１０^-7／Ｋ以上であり、さらに８４×１０^-7
／Ｋ以上であることが好ましい。

【００７４】上記のようなアルミノシリケートガラス
は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）を含有していても、
あるいは含有していなくてもよいが、含有していない場
合には、ガラス組成物の溶融温度（１０²ポイズの粘性
を有する温度）を１５５０℃以下に、作業温度（１０⁴
ポイズの粘性を有する温度）を１１００℃以下に設定す
ることができ、しかも液相温度を作業温度以下にするこ
とができる。さらに、ガラス組成物の溶融温度（１０²
ポイズの粘性を有する温度）が１５４０℃以下で、作業
温度（１０⁴ポイズの粘性を有する温度）が１０５５℃
以下であり、しかも液相温度が作業温度以下であること
が好ましい。このような条件下では、ガラス基板をフロ
ート法により容易に製造でき、高平坦性を有する高品質
のガラス基板を得ることができる。

【００７５】前記アルミノシリケートガラスも、磁気デ
ィスク用基板として要求される強度を維持するために、
ソーダライムシリケートガラスについて述べた化学強化
処理が施されていることが好ましい。

【００７６】このような組成を有するアルミノシリケー
トガラス基板を用い、その表面の所定領域にレーザ光を
照射することにより、凸型形状、例えば山型又はクレー
タ型の突起部を形成することができる。この突起部を形
成する場合、レーザ光の出力が小さいときには、後述す
るように、突起部の高さに対するレーザ光の出力の影響
が小さいことから、レーザ出力のばらつきが突起部の高
さのばらつきに与える影響は少ない。このため、レーザ
出力が小さい条件で突起部を形成することが望ましい。

【００７７】前記アルミノシリケートガラスの組成にお
いて、突起部の高さはガラス中の遷移金属の酸化物、例
えば酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）の含有量とレーザ光の出力に
対して次のような関係を有する。

【００７８】突起部の高さ＝ａ×酸化鉄の含有量×ｌｎ
（レーザ光の出力／ｂ）但し、ａ、ｂは係数、突起の高さの単位はｎｍ、酸化鉄
の含有量の単位は重量％、ｌｎは自然対数、レーザ光の
出力の単位はｍＷを表す。

【００７９】さらに、前記ガラスの組成で酸化鉄の含有
量が０．４〜０．６重量％の範囲においては、係数ａは
３９５０、係数ｂは４５. ４〜４５．９である。前記関
係式に基づいて、ガラスの組成、すなわちガラス中の酸
化鉄の含有量と、レーザ光の出力から突起部の高さを直
接的に求めることができる。

【００８０】上記の関係式は、酸化鉄以外に、酸化銅，
酸化チタン，酸化セリウムなどについても同様に適用さ
れる。上記関係式より、レーザ光の出力の範囲は次のよ
うに表される。

【００８１】ｂ× exp〔突起部の高さ／（ａ×遷移金属
の酸化物の含有量）〕＞レーザ光の出力＞ｂ前記関係式は、次のようにして導かれた。すなわち、酸
化鉄の含有量が０. １７、０. ５及び０. ９重量％のガ
ラス基板を用い、突起の高さと鉄の含有量との関係を、
レーザ光の出力が６０、８０及び１０５ｍＷの場合につ
いて、最良条件と最悪条件とに分けて求めた。その結果
を図８〜１０に示した。これら図８〜１０において、上
側に示す最良条件を表す直線と下側に示す最悪条件を表
す直線が得られ、両直線の間でばらつきが発生すると考
えられる。そして、各図から平均的に合計３つの直線の
傾きを得ることができる。

【００８２】次に、上記図８〜１０から得られた直線の
傾きと、レーザ光の出力との関係を求め、図１１に示し
た。この図１１からわかるように、レーザ光の出力と直
線の傾きとの間には対数関係がある。

【００８３】以上の関係に基づいて、突起部の高さと、
酸化鉄の含有率と、レーザ光の出力との間には下記の関
係式が成立する。突起部の高さ＝ｃ×酸化鉄の含有量＝〔ａ×ｌｎ（レーザ光の出力）−ｄ〕×酸化鉄の含有量＝ａ×酸化鉄の含有量×ｌｎ（レーザ光の出力／ｂ）但し、ｌｎ（ｂ）＝ｄ／ａであり、ｃ及びｄは係数であ
る。

【００８４】この関係式の妥当性を確認するために、前
記とは異なる酸化鉄の含有率、すなわち０. ４及び０.
６重量％と、前記とは異なるレーザ光の出力、すなわち
４６. ２及び５１. ０ｍＷの場合について試験を行っ
た。その実測値を図１２に示した。また、レーザ光の出
力が４６. ２ｍＷにおける突起部の高さが実測値に相当
するように、前記係数ａ及びｂを求めたところ、ａは３
９５０、ｂは４５. ４〜４５．９であった。そして、そ
れらの値を用い、レーザ光の出力が５１. ０ｍＷの場合
について突起部の高さを計算した。その結果、図１２に
示したように、計算値と実測値とが良く一致しているこ
とがわかる。

【００８５】また、ガラス中の遷移金属の酸化物とガラ
スの吸収係数との間には直線的な関係があることから、
前記関係式より次のような関係式が導かれる。突起部の高さ＝ａ×（吸収係数−ｅ）×ｌｎ（レーザ光
の出力／ｂ）但し、突起の高さの単位はｎｍ、ａ、ｂ及びｅは係数、
吸収係数の単位はμｍ ^-1、ｌｎは自然対数、レーザ光の
出力の単位はｍＷを表す。

【００８６】例えば、遷移金属の酸化物が酸化鉄の場合
にはａが２３２００、ｂが４５．９、ｅが０．００１４
である。従って、所定の吸収係数とレーザ光の出力の条
件下で突起部の高さを測定し、各係数ａ、ｂ及びｅを求
めることにより、その他の吸収係数やレーザ光の出力の
条件下における突起部の高さを容易に算出することがで
き、テクスチャーの設計を容易化することができる。

【００８７】以上のような実施形態により発揮される効
果について、以下に記載する。（１）紫外線領域の波長を有するレーザ光をガラス基
板の所定領域に選択的に照射することにより、磁気ディ
スク用のテクスチャーとして好適な突起を容易に形成す
ることができる。（２）ソーダライムガラスやアルミノシリケートガラ
スなどのガラス基板に対して所定のレーザ光を照射する
ことによって、ガラス基板の主表面に所定の突起部を多
数形成して突起とし、磁気ディスク用のテクスチャーと
することができる。（３）アルミノシリケートガラスの所定の組成におい
て、突起部の高さはガラス中の遷移金属の酸化物、例え
ば酸化鉄の含有量とレーザ光の出力に対し一定の関係を
有することから、酸化鉄の含有量とレーザ光の出力から
突起部の高さを容易に算出することができる。このた
め、磁気ディスク用のガラス基板表面に突起を精度良
く、しかも効率的に形成することができる。従って、テ
クスチャーの設計を効率良く行うことができる。（４）アルミノシリケートガラスの所定の組成におい
て、ガラスの吸収係数はガラス中の遷移金属の酸化物、
例えば酸化鉄の含有量と直線関係を有することから、ガ
ラスの吸収係数とレーザ光の出力から突起部の高さを容
易に算出することができる。従って、磁気ディスク用ガ
ラス基板表面に突起を精度良く、かつ効率的に形成する
ことができ、テクスチャーの設計を効率良く行うことが
できる。（５）ガラス基板表面が化学強化されていることによ
り、ガラス基板は磁気ディスク用ガラス基板として要求
される十分な強度を有することができるとともに、テク
スチャーとしての突起をより大きく盛り上げることがで
きる。（６）ガラス基板を形成するガラスとして、ソーダラ
イムシリケートガラスを用いることによって製造コスト
の低減を図ることができ、アルミノシリケートガラスを
用いることによって耐候性を向上させることができる。

【００８８】

【実施例】以下、実施例によりこの発明をさらに具体的
に説明する。なお、この発明は各実施例に限定されるも
のではない。（実施例１）表１に示すような組成（重量％）のソーダ
ライムシリケートガラスへ、酸化鉄、酸化チタン、酸化
セリウムを、表２に示した含有量（重量％）となるよう
に含有させたガラス組成を有するガラススラブを作製し
た。これらのスラブを円柱状に加工した後、中心をくり
抜き、スライスすることにより、ディスク状のガラス基
板とした。このディスク状のガラス基板の主表面をラッ
ピング後研磨することにより、所定の板厚を有する平滑
なガラス基板を得た。このガラス基板は化学強化処理が
施され、その後洗浄された。ディスクの外径は６５ｍ
ｍ、ディスクの内径は２０ｍｍ、ディスクの板厚は０．
６３５ｍｍとした。

【００８９】また比較例として、酸化鉄、酸化チタン、
酸化セリウムのいずれも含まないか、含んだとしても
０．２重量％に満たない場合についても、表２に示し
た。この比較例の吸収係数は、いずれも０．０２μｍ^-1
以下であった。

【００９０】

【表１】

【００９１】

【表２】

【００９２】＊波長２６６ｎｍにおける吸収係数（μｍ
^-1）洗浄後のガラス基板は、図２に概念的に示す装置により
テクスチャー加工を行った。レーザ加工用光源１１に
は、ＹＡＧパルスレーザ装置を用いた。すなわち、レー
ザ光源１１から射出されたレーザ光は、ＳＨＧ素子１２
により元の１／２の波長に変換された後、固定ミラー１
３でＦＨＧ素子１４に入射する。このＦＨＧ素子１４に
よりさらに１／２の波長に変換され、２６６ｎｍの波長
となったレーザ光は、ガルバノミラー１５および集光レ
ンズ１６により、ガラス基板１７表面の所定の位置に焦
点を結ぶ。

【００９３】波長２６６ｎｍにおけるレーザ光のパワー
は５０ｍＷから１０ｍＷに変化させ、パルス間隔は０．
２ｍsec 、レーザ光のスポット径は１０μｍ、隣り合う
レーザ光スポット照射位置の間隔は２５μｍとした。テ
クスチャー加工領域は、ディスク半径１３．０ｍｍから
１６．０ｍｍの範囲となるように、また突起の配列が格
子状になるようにレーザ光を照射した。

【００９４】上述のテクスチャー加工後、偏光顕微鏡お
よびＺＹＧＯ（キヤノン販売（株）製）を用いてガラス
基板表面を観察し、突起部形成の有無およびその形状を
評価した。

【００９５】まず、遷移金属酸化物を含有していないガ
ラス基板、および酸化鉄を０．１重量％だけ含有したガ
ラス基板には、突起部は形成されていなかった。一方、
遷移金属酸化物を合計０．２重量％以上含有したガラス
基板には突起部１０が、図６のように２５μｍ間隔で安
定的に形成されていた。

【００９６】さらに、その突起形状についての結果を表
３に示す。◎はリング状突起部（図７参照）が形成され
ていることを、○は凸型形状よりなる突起部が形成され
ていることを、×は突起部が形成されていないことを示
す。

【００９７】

【表３】

【００９８】この結果より、遷移金属酸化物の含有量が
増大すると共に、より低いレーザパワーでもテクスチャ
ーが形成できることがわかった。これは、遷移金属酸化
物の量が増大すると共にレーザ光の波長におけるガラス
の吸光係数が増大し、ガラス表面でより効率的にレーザ
光が吸収されるようになるためと考えられる。

【００９９】ここで注目すべきは、レーザパワーを小さ
くしていった場合、テクスチャー形状が図７に示すよう
なリング状の突起部１０の形状から、図１に示すような
所定の高さ、径を有する凸型形状の突起部１０へ変化す
ることである。

【０１００】前記ガラス基板のうち、凸型形状の突起部
が形成されたガラス基板を洗浄した後、磁気ディスクメ
ディア形成に供することができる。さらに、比較例２の
酸化鉄を０．１重量％だけ含有したガラス基板に、レー
ザ光パワーを７５ｍＷまで増加させてテクスチャー加工
を行った。その結果、部分的に突起部は形成されたが、
大半の部分ではなにも形成されなかった。さらに、レー
ザ光パワーを１００ｍＷまで増加させてテクスチャー加
工を行った。その結果、突起部はやはり部分的にしか形
成されず、しかも大きさ・形状が不揃いであり、ディス
ク基板のテクスチャーとして不適当なものであった。

【０１０１】この理由については、上述した遷移金属酸
化物を含有しないか、不十分にしか含有しないガラスに
おいては、たとえレーザ光の照射パワーを増加させたと
しても、紫外波長領域における光の吸収係数が小さいた
め、照射されたレーザ光がガラスの最表面において効率
的に吸収されず、むしろ内部で吸収されるために、安定
した突起部の形成ができないものと考えられる。

【０１０２】また、この実施例はガラススラブをもとに
ガラスディスク基板を加工しているが、フロート法によ
り作製したガラス板をもとに加工したガラスディスク基
板についても、同一の実験結果を得た。（実施例２）表４に示すような組成（重量％）のアルミ
ノシリケートガラス、およびこのガラス組成に酸化銅を
２重量％の含有量となるように含有されたガラス組成を
有するガラススラブを作製した。このあと、実施例１と
同様の加工を行い、ガラスディスク基板を得た。

【０１０３】

【表４】

【０１０４】このガラスディスク基板に対して実施例１
と同様の条件でテクスチャー加工を行った。その結果、
遷移金属酸化物である酸化銅を２重量％含有したアルミ
ノシリケートガラスにおいても、ソーダライムシリケー
トガラスを用いた場合と同様に、レーザパワーを制御す
ることにより安定した凸型形状のテクスチャー加工が可
能であった。

【０１０５】上述したように、安定した形状の凸型突起
部が形成され、これをテクスチャーとしたガラスディス
ク基板を洗浄し、テクスチャー付き磁気ディスク用ガラ
ス基板として供することができた。（実施例３）下記の表５に示すような組成（重量％）の
ソーダライムシリケートガラス板を、フロート法により
製造した。これらのガラス板をダイヤモンドホイールカ
ッターを用いて内外径加工を行い、ディスク状のガラス
基板とした。このガラス基板の主表面をラッピング後研
磨することにより、所定の板厚を有する平滑なガラスデ
ィスク基板を得た。このガラスディスク基板に対して化
学強化を行った後、洗浄した。ディスクの外径は６５ｍ
ｍ、ディスクの内径は２０ｍｍ、ディスクの板厚は０．
６３５ｍｍとした。

【０１０６】

【表５】

【０１０７】これらのガラスディスク基板に対して、実
施例１と同様の条件でテクスチャー加工を行った。その
結果、いずれのガラスディスク基板についても、遷移金
属酸化物を合計で０．２重量％以上含んでいるので、レ
ーザパワーを制御することにより安定なテクスチャー加
工が可能であった。これらのガラス組成は自動車用ガラ
スとして広く用いられているものであり、大規模なフロ
ート窯での生産が可能である。そのため、特殊な組成の
ガラスに比較してコスト的に優位性を有する。

【０１０８】上述したように、安定した形状の凸型突起
部が形成され、これをテクスチャーとしたガラスディス
ク基板を洗浄し、テクスチャー付き磁気ディスク用ガラ
ス基板として供することができる。

【０１０９】以上の実施例では、レーザ光としてＹＡＧ
パルスレーザ装置を用いて、さらにそれをＳＨＧ素子及
びＦＨＧ素子により元の波長の１／４である２６６ｎｍ
の波長のものを用いたが、紫外域にその波長を有するレ
ーザ光を照射したものでも良いことはいうまでもない。（実施例４）下記表６に示すような組成（重量％）のア
ルミノシリケートガラス及びこのガラス組成に酸化鉄
（Ｆｅ₂Ｏ₃）を０．１７重量％、０．５重量％、０．
９重量％含むように調合したガラス組成（酸化鉄を含め
て１００重量％）を有するガラススラブを作製した。こ
れらのスラブを板状に板状に加工した後、スライス及び
研磨することにより、大きさ３０×３０mm、厚さ２mmの
正方形をしたガラス片を作製した。このガラス基板を硝
酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合塩（混合比６０：４
０）の溶融塩に浸すことにより化学強化処理を行った。
この化学強化処理後、純水でスクラブ洗浄を行い、温風
乾燥した。

【０１１０】

【表６】

【０１１１】なお、テクスチャーを形成する突起部の高
さのばらつきに対して、２〜３水準の条件を設定して得
られたデータから品質工学の考え方に基づき最適条件と
最悪条件を表７のように決定した。すなわち、Ｎａ₂Ｏ
組成については、中心組成に対し、±１重量％程変化さ
せた。また、加工ピッチ、半径ピッチは、それぞれ突起
部を同心円状に形成する際の円周方向の間隔と半径方向
の間隔をいい、それらのピッチを変化させた。ピント位
置は、焦点が合ったと思われる位置を０とした場合の相
対位置で変化させた。強化温度については、上記混合塩
の溶融温度を変化させた。これらの変化に対して、突起
部の高さのばらつきの最も小さい組合せを最適条件、最
も大きい組合せを最悪条件とした。なお、強化時間は、
４００℃のとき、９０分、３６０℃のとき３０分とし
た。

【０１１２】

【表７】

【０１１３】次に、表６のガラス組成に酸化鉄を含有さ
せた場合の、各含有量に対する基板の波長２６６ｎｍに
おける吸収係数を下記表８に示す。

【０１１４】

【表８】

【０１１５】この表８から、実施例４における所定の酸
化鉄を含有する場合のガラスの吸収係数は、テクスチャ
ーの形成限界である０．０３μｍ^-1以上の吸収係数を有
するとともに、その上限である２μｍ^-1以下の吸収係数
を有することがわかる。ちなみに、表８のデータより、
ガラスの吸収係数と酸化鉄の含有率との関係の近似式を
求めると次式のようになる。

【０１１６】吸収係数（μｍ^-1）＝０．１７×酸化鉄の
含有量（重量％）＋０．００１４この式より、テクスチャーの作製限界となる酸化鉄の含
有量を算出すると、０．１７重量％となることがわか
る。

【０１１７】次に、上記基板を実施例１で使用したもの
と同じレーザ装置を用いてテクスチャー加工を行った。
レーザ光の繰り返し周波数を３ｋＨｚ、スポット径を１
０μｍとした。レーザ照射後の突起部の高さを微分干渉
顕微鏡及び干渉型表面形状測定器（ＺＹＧＯ）を用いて
観察、測定した。各レーザ光の出力、各酸化鉄の含有量
における突起部の高さの関係を表９に示す。なお、レー
ザ光の出力の測定には、Newport 社の 1825-C(883UV)を
用いた。以下の実施例におけるレーザ光の出力の測定も
同じ装置を用いた。

【０１１８】

【表９】

【０１１９】この表９の結果をグラフで表したものが図
８〜図１０である。なお、図８〜図１０における各点は
一群のデータの代表値を表すものである。これらのグラ
フの中で、最適条件と最悪条件の２本のグラフを描くこ
とができるが、これらのグラフからわかるように、レー
ザ光の出力が大きい方が両グラフの差が小さくなり、レ
ーザ光の乱れによる突起部の高さのばらつきへの影響が
小さくなることがわかる。また、図９のグラフから、適
当なレーザ光の出力の下では、酸化鉄の含有量が多い方
が突起部の高さのばらつきへの影響が小さいことがわか
る。

【０１２０】次に、各グラフの傾きを求め、最適条件と
最悪条件における傾きの平均値に対するレーザ光の出力
との関係を図１１に示す。この図１１より、前記グラフ
の傾きとレーザ光の出力との関係は、自然対数の関係に
あることがわかる。すなわち、その関係は次式で表され
る。

【０１２１】最適条件では、傾きｃ＝１５２６×ｌｎ〔レーザ光の出力（ｍＷ）−５
８４５〕最悪条件では、傾きｃ＝１４８２×ｌｎ〔レーザ光の出力（ｍＷ）−５
６２６〕これらの結果より、突起部の高さ（ｎｍ）、酸化鉄の含
有量（重量％）及びレーザ光の出力（ｍＷ）との間に次
式で表される関係式が導かれる。

【０１２２】突起部の高さ＝傾きｃ×酸化鉄の含有量＝〔ａ×ｌｎ（レーザ光の出力）−ｄ〕×酸化鉄の含有量＝ａ×酸化鉄の含有量×ｌｎ（レーザ光の出力／ｂ）但し、ｂ＝ exp（ｄ／ａ）なお、この関係式は、酸化鉄以外の遷移金属の酸化物に
対しても適用が可能である。

【０１２３】さらに、上記関係式は、前記ガラスの吸収
係数と酸化鉄の含有量との関係式から以下のようにな
る。突起部の高さ＝ａ×（ガラスの吸収係数−ｅ）×ｌｎ
（レーザ光の出力／ｂ）例えば、遷移金属が酸化鉄の場合、ａは２３２００、ｂ
は４５．９及びｅは０．００１４である。

【０１２４】この関係式によれば、ガラスの吸収係数
と、２水準のレーザ光の出力の条件下に突起部の高さを
測定することにより、その他のレーザ光出力における突
起部の高さを容易に求めることが可能である。

【０１２５】上記の関係式より、レーザ光の出力の範囲
は次のように表される。ｂ× exp〔突起部の高さ／（ａ×酸化鉄の含有量）〕＞
レーザ光の出力＞ｂここで、ａ＝３９５０、ｂ＝４５．４〜４５．９、突起
部の高さ＝１００ｎｍ、酸化鉄の含有量＝０．２重量％
とすると、レーザ光の出力範囲は次のようになる。

【０１２６】５１．５〜５２．０＞レーザ光の出力＞４
５．４〜４５．９（ｍＷ）なお、このレーザ光の出力範囲は、ガラスの組成及びガ
ラスの強化条件により異なる。

【０１２７】次に、上記関係式の適用を確認するため
に、上記ガラスとは異なる酸化鉄を含有するガラスを用
い、レーザ光照射によってテクスチャーを形成した。表
１０に条件と結果を示す。

【０１２８】

【表１０】

【０１２９】表１０に示したレーザ光の出力が４６．２
ｍＷにおける突起部の高さが実測値に相当するように、
前記係数ａ及びｂを求め、それらの係数を用いてレーザ
光の出力が５１．０ｍＷにおける突起部の高さを前記関
係式により算出した。その結果を図１２に示した。図１
２に示したように、レーザ光の出力が５１．０ｍＷにお
ける突起部の高さは、計算値と実測値とは良く一致し
た。従って、突起部の高さを前記計算式により算出でき
ることが実証された。（実施例５）前記表６に示すような組成（重量％）のア
ルミノシリケートガラス、及びこのガラス組成に酸化第
二銅を１．０重量％と２．０重量％含むように調合した
ガラス組成（酸化第二銅を含めて１００重量％）を有す
るガラススラブを作製した。これらのスラブを板状に加
工した後、スライス及び研磨することにより、大きさ３
０×３０mm、厚さ２mmの正方形をしたガラス片を作製し
た。このガラス基板を硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの
混合塩（混合比６０：４０）の溶融塩（温度３８０℃、
１時間）に浸すことにより化学強化処理を行った。この
化学強化処理後、純水でスクラブ洗浄を行い、温風乾燥
した。ガラス中の酸化第二銅の含有量とガラスの吸収係
数との関係を表１１に示す。

【０１３０】

【表１１】

【０１３１】表１１の結果から最小二乗法に基づき、ガ
ラスの吸収係数と酸化第二銅の含有量との間には次の関
係式が成立する。ガラスの吸収係数＝０．０３２３×酸化第二銅の含有量
＋０．８７２×１０^-3 但し、ガラスの吸収係数の単位はμｍ^-1、酸化第二銅の
含有量は重量％である。

【０１３２】次に、上記基板を実施例１で使用したもの
と同じレーザ装置を用いてテクスチャー加工を行った。
レーザ光の繰り返し周波数を７．９３〜１０．１ｋＨｚ
とし、繰り返し周波数を変えることにより、第４次高調
波の出力を調整した。繰り返し周波数と出力との関係を
表１２に示す。スポット径は約１０μｍとした。加工ピ
ッチ及び半径ピッチはともに３０μｍとし、格子状に加
工した。レーザ照射後の突起部の高さを微分干渉顕微鏡
及び干渉型表面形状測定器（ＺＹＧＯ）を用いて観察、
測定した。ガラス中の酸化第二銅の含有量が２．０重量
％のときの各レーザ光の出力と突起部の高さとの関係を
表１３に示す。

【０１３３】なお、酸化第二銅の含有量が１．０重量％
のときには、膨らみのある突起部を形成させることはで
きなかった。

【０１３４】

【表１２】

【０１３５】

【表１３】

【０１３６】このように、遷移金属の酸化物として、酸
化第二銅を用いた場合にも、突起部によるテクスチャー
を形成することができた。次に、前記実施例４で得られ
た関係式を実施例５の結果に適用すると、表１４のよう
になる。但し、ガラスの吸収係数は、６４．５９、係数
ａは２９３１、係数ｂは４７．７である。

【０１３７】

【表１４】

【０１３８】表１４に示したように、酸化第二銅の場合
についても、実施例４の関係式が成立することがわか
る。また、レーザ光の出力の範囲は、実施例４と同様に
次式で表される。ｂ× exp〔突起部の高さ／（ａ×酸化第二銅の含有
量）〕＞レーザ光の出力＞ｂここで、ａ＝２９３１、ｂ＝４７．７、突起部の高さ＝
１００ｎｍ、酸化第二銅の含有量＝０．２重量％とする
と、レーザ光の出力範囲は次のようになる。

【０１３９】５６．５＞レーザ光の出力＞４７．７（ｍＷ）（実施例６）前記実施例４の表６に示すアルミノシリケ
ートガラスに酸化チタン（ＴｉＯ₂）を１．０重量％含
むように調合したガラス組成（酸化チタンを含めて１０
０重量％）を有するガラススラブを作製し、以下実施例
４と同様にしてテクスチャーの形成を行った。

【０１４０】この実施例６においても、突起部の高さ、
ガラスの吸収係数及びレーザ光の出力の関係式が適用で
きることを確認した。すなわち、前記実施例４及び５の
結果から、係数ｂの値を４５．４〜４７．７とし、吸収
係数を１７．５×１０^-3（μｍ^-1）、レーザ光の出力を
７５（ｍＷ）、突起部の高さを９０．２（ｎｍ）とした
とき、次式から係数ａを算出すると次のようになる。

【０１４１】係数ａ＝突起部の高さ／〔吸収係数×ｌｎ
（レーザ光の出力／係数ｂ）〕この式より、係数ａは９．７〜１１．４となる。この場
合、化学強化の条件が実施例４と同様の場合、係数ｂは
４５．６８であり、そのときのａは１０．９４となる。

【０１４２】なお、前記実施形態より把握される技術的
思想について、以下に記載する。（１）前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ光を第２高調波
発生素子及び第４高調波発生素子により１／４波長とし
たものである請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基
板。

【０１４３】このように構成した場合、レーザ光のスポ
ット径を容易に絞ることができ、より小さな径の突起か
らなるテクスチャーをガラス基板上に効率良く形成する
ことができる。（２）前記アルミノシリケートガラスは、フロート法
により製造されたものである請求項９〜１３のいずれか
に記載の磁気ディスク用ガラス基板。

【０１４４】このように構成すれば、ガラス基板表面の
平坦性を発揮することができるとともに、基板内部の残
留応力を低減させることができ、しかも多量生産が可能
である。（３）前記アルミノシリケートガラスは、化学強化処
理が施されているものである請求項９〜１３のいずれか
に記載の磁気ディスク用ガラス基板。

【０１４５】このように構成した場合、ガラス基板の強
度を向上できるとともに、突起部をより大きく盛り上げ
ることができる。

【０１４６】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、次のような優れた効果を奏する。請求項１に記載の
発明の磁気ディスク用ガラス基板によれば、ガラス基板
表面に径の小さな凸型形状の突起を容易に形成すること
ができ、テクスチャーとすることができる。しかも、そ
の突起の分布、密度及び形成範囲を容易に、かつ正確に
制御することができる。

【０１４７】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加え、所定の遷移金属の酸化物を
ガラスに容易に含有させることができ、紫外領域の波長
の光を吸収して、所望の突起を効率良く形成することが
できる。

【０１４８】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
又は２に記載の発明の効果に加え、ガラス基板の製造コ
ストを低減したり、耐候性を向上させることができる。
請求項４に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明
の効果に加え、紫外領域の波長の光を十分に吸収できる
とともに、ガラス基板の製造コストの低減を図ることが
できる。

【０１４９】請求項５に記載の発明によれば、請求項１
〜４のいずれかに記載の発明の効果に加え、ガラス基板
の強度を向上させることができるとともに、突起をより
大きく盛り上げることができる。

【０１５０】請求項６及び７に記載の発明によれば、請
求項１〜５のいずれかに記載の発明の効果に加え、磁気
ディスクのテクスチャーとして、磁気ヘッドの低浮上化
が可能で、高記録密度化ができ、しかもＣＳＳ特性を向
上させることができる。

【０１５１】請求項８に記載の発明によれば、請求項１
〜７のいずれかに記載の発明の効果に加え、テクスチャ
ーが形成されている部分以外の部分を鏡面状の平滑面と
することができ、磁気ヘッドの低浮上化と高記録密度化
ができる。

【０１５２】請求項９又は１０に記載の発明によれば、
請求項２に記載の発明の効果に加え、紫外領域の波長の
光を吸収して、所望とする突起を確実に形成することが
できる。

【０１５３】請求項１１に記載の発明によれば、請求項
１に記載の発明の効果に加え、アルミノシリケートガラ
スにより所望のテクスチャーを形成できるとともに、ガ
ラス基板の耐候性を向上させることができる。

【０１５４】請求項１２に記載の発明によれば、請求項
２、９、１０又は１１に記載の発明の効果に加え、ガラ
ス中の遷移金属の酸化物の含有量とレーザ光の出力か
ら、突起の高さを容易に算出することができ、ガラス基
板表面のテクスチャーの設計を効率的に行うことができ
る。

【０１５５】請求項１３に記載の発明によれば、請求項
２、９、１０又は１１に記載の発明の効果に加え、ガラ
スの吸収係数とレーザ光の出力から、突起の高さを容易
に算出することができ、ガラス基板表面のテクスチャー
の設計を効率良く行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】レーザ光の照射による突起部の断面形状の一
例を示す説明図。

【図２】レーザ光照射装置の構成を示す概念図。

【図３】一般的なガラスの比容と温度との関係を示す
グラフ。

【図４】ガラスの吸収係数と光の波長との関係を示す
グラフ。

【図５】同じくガラスの吸収係数と光の波長との関係
を示すグラフ。

【図６】ガラス基板表面の突起の配置を示す部分平面
図。

【図７】リング状突起部の断面形状の一例を示す説明
図。

【図８】突起部の高さと鉄の含有量との関係を示すグ
ラフ。

【図９】同じく突起部の高さと鉄の含有量との関係を
示すグラフ。

【図１０】同じく突起部の高さと鉄の含有量との関係
を示すグラフ。

【図１１】直線の傾きとレーザ光の出力との関係を示
すグラフ。

【図１２】突起の高さの計算値と実測値の関係を表形
式で示した図。

【符号の説明】

１０…テクスチャーを形成するための突起部、１７…ガ
ラス基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小山昭浩大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内 (72)発明者倉知淳史大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主表面にレーザ光の照射により多数形成
された突起をテクスチャーとした磁気ディスク用ガラス
基板において、前記突起は凸型形状よりなる突起部からなり、前記ガラ
スの組成中に遷移金属の酸化物が０．２〜３重量％含有
されており、かつ光の波長２６６ｎｍにおけるガラスの
吸収係数が０．０３〜２μｍ^-1の範囲内にある磁気ディ
スク用ガラス基板。
【請求項２】前記遷移金属の酸化物が、酸化チタン，
酸化バナジウム，酸化クロム，酸化マンガン，酸化鉄，
酸化コバルト，酸化ニッケル，酸化銅，酸化モリブデ
ン，酸化タングステン及び酸化セリウムからなる群の少
なくとも１つの酸化物である請求項１に記載の磁気ディ
スク用ガラス基板。
【請求項３】前記ガラスが、ソーダライムシリケート
ガラス、アルミノシリケートガラス又はボロシリケート
ガラスである請求項１又は２に記載の磁気ディスク用ガ
ラス基板。
【請求項４】主表面にレーザ光の照射により多数形成
された突起をテクスチャーとした磁気ディスク用ガラス
基板において、前記突起は凸型形状よりなる突起部からなり、光の波長
２６６ｎｍにおけるガラスの吸収係数が、０．０３〜２
μｍ^-1の範囲内にあり、前記ガラスの組成が重量基準
で、酸化珪素（ＳｉＯ₂）７０〜７４％、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）０〜２．５％、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）０. １〜１．２％、酸化チタン（ＴｉＯ₂）０〜０. ３％、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）３．０〜４．５％、酸化カルシウム（ＣａＯ）６. ５〜９. ５％、酸化ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ）１２〜１４％、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）０〜１．２％、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）０〜１％、（ただし、Ｆｅ₂Ｏ₃と、ＴｉＯ₂と、ＣｅＯ₂との合
計量が０．２％以上である。）の範囲内にある磁気ディ
スク用ガラス基板。
【請求項５】前記ガラスは化学強化されている請求項
１〜４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項６】前記凸型形状よりなる突起部の間隔は１
〜１００μｍ、直径は１〜２０μｍ及び高さは５〜１０
０ｎｍである請求項１〜５のいずれかに記載の磁気ディ
スク用ガラス基板。
【請求項７】前記凸型形状よりなる突起部の間隔は２
〜５０μｍ、直径は１〜１０μｍ及び高さは１０〜５０
ｎｍである請求項６に記載の磁気ディスク用ガラス基
板。
【請求項８】前記凸型形状よりなる突起部は、所定の
領域のみに形成されている請求項１〜７のいずれかに記
載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項９】前記遷移金属の酸化物が、酸化鉄，酸化
銅，酸化チタン，酸化セリウム，酸化コバルト及び酸化
ニッケルからなる群の少なくとも１つの酸化物である請
求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項１０】前記遷移金属の酸化物が、酸化鉄，酸
化銅，酸化チタン及び酸化セリウムからなる群の少なく
とも１つの酸化物である請求項９に記載の磁気ディスク
用ガラス基板。
【請求項１１】主表面にレーザ光の照射により多数形
成された突起をテクスチャーとした磁気ディスク用ガラ
ス基板において、前記突起は凸型形状よりなる突起部よりなり、光の波長
２６６ｎｍにおけるガラスの吸収係数が０．０３〜２μ
ｍ^-1の範囲内であり、かつガラスの組成が重量基準で、酸化珪素（ＳｉＯ₂）５８〜６６％、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）１３〜１９％、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）３〜４．５％、酸化ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ）６〜１３％、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）３〜４．５％、Ｒ₂Ｏ１０〜１８％（ただし、Ｒ₂Ｏ＝Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎ
ａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）０〜３．５％、酸化カルシウム（ＣａＯ）１〜７％、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）０〜２％、酸化バリウム（ＢａＯ）０〜２％、ＲＯ２〜１０％（ただし、ＲＯ＝ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｓ
ｒＯ＋ＢａＯ）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）０. ０５〜２％、の範囲内にあ
る磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項１２】前記突起部の高さは、ガラス中の遷移
金属の酸化物の含有量とレーザ光の出力との間で、次の
関係式で表される関係を有する請求項２、９、１０又は
１１に記載の磁気ディスク用ガラス基板。突起部の高さ＝ａ×遷移金属の酸化物の含有量×ｌｎ
（レーザ光の出力／ｂ）ただし、ａ，ｂは係数、突起部の高さの単位はｎｍ、遷
移金属の酸化物の含有量の単位は重量％、ｌｎは自然対
数、レーザ光の出力の単位はｍＷを表す。
【請求項１３】前記突起部の高さは、ガラスの吸収係
数とレーザ光の出力との間で、次の関係式で表される関
係を有する請求項２、９、１０又は１１に記載の磁気デ
ィスク用ガラス基板。突起部の高さ＝ａ×（ガラスの吸収係数−ｅ）×ｌｎ
（レーザ光の出力／ｂ）ただし、ａ，ｅは係数、突起部の高さの単位はｎｍ、ガ
ラスの吸収係数の単位はμｍ^-1、ｌｎは自然対数、レー
ザ光の出力の単位はｍＷを表す。