JPH09186094A - 有機金属気相成長方法 - Google Patents
有機金属気相成長方法Info
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- JPH09186094A JPH09186094A JP296A JP296A JPH09186094A JP H09186094 A JPH09186094 A JP H09186094A JP 296 A JP296 A JP 296A JP 296 A JP296 A JP 296A JP H09186094 A JPH09186094 A JP H09186094A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 AlGaAsまたはAlAs上に、ハロメ
タンまたは水素化ハロゲン化炭素をドーパントとして、
カーボンドープのGaAsまたはAlGaAsを成長す
る有機金属気相成長方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 ハロメタン(CBr4 )または水素化ハ
ロゲン化炭素をドーパントとして、AlGaAsまたは
AlAs上に、カーボンドープのGaAsまたはAlG
aAsを成長するにあたり、ハロメタン(CBr4 )ま
たは水素化ハロゲン化炭素の供給開始時点を、Al源と
Ga源との供給開始時点より、ノンドープのGaAsま
たはAlGaAsが0.5〜2nm成長する時点まで、
遅らせることゝした有機金属気相成長方法である。
タンまたは水素化ハロゲン化炭素をドーパントとして、
カーボンドープのGaAsまたはAlGaAsを成長す
る有機金属気相成長方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 ハロメタン(CBr4 )または水素化ハ
ロゲン化炭素をドーパントとして、AlGaAsまたは
AlAs上に、カーボンドープのGaAsまたはAlG
aAsを成長するにあたり、ハロメタン(CBr4 )ま
たは水素化ハロゲン化炭素の供給開始時点を、Al源と
Ga源との供給開始時点より、ノンドープのGaAsま
たはAlGaAsが0.5〜2nm成長する時点まで、
遅らせることゝした有機金属気相成長方法である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヘテロ接合トラン
ジスタ、発光ダイオード等の製造に使用されるGaAs
またはAlGaAsの有機金属気相成長方法に関する。
特に、AlGaAsまたはAlAs上に、ハロメタンま
たは水素化ハロゲン化炭素をドーパントとして、カーボ
ンドープのGaAsまたはAlGaAsを成長する有機
金属気相成長方法に関する。
ジスタ、発光ダイオード等の製造に使用されるGaAs
またはAlGaAsの有機金属気相成長方法に関する。
特に、AlGaAsまたはAlAs上に、ハロメタンま
たは水素化ハロゲン化炭素をドーパントとして、カーボ
ンドープのGaAsまたはAlGaAsを成長する有機
金属気相成長方法に関する。
【0002】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】カーボン
は、GaAs・AlGaAsにドープされると、p型不
純物として機能するが、拡散係数が小さいので、有用な
ドーパントである。カーボンドープのGaAs・AlG
aAsの製造方法は多数知られているが、Buchan
等は、CBr4 をドーパントとして使用して、カーボン
ドープのGaAs・AlGaAsの薄膜を製造した
(N.I.Buchan et al.J.Cryst
alGrowth 110(1991)405)。彼等
は、78torrの減圧下において、トリメチルガリウ
ム(TMG)をGa源として使用し、アルシン(AsH
3 )をAs源として使用し、CBr4 をドーパントとし
て使用して、基板温度600〜750°Cにおいて、カ
ーボンドープのGaAsの成長を実行し、10 17〜10
19cm-3にカーボンがドープされたGaAsの成長に成
功している。
は、GaAs・AlGaAsにドープされると、p型不
純物として機能するが、拡散係数が小さいので、有用な
ドーパントである。カーボンドープのGaAs・AlG
aAsの製造方法は多数知られているが、Buchan
等は、CBr4 をドーパントとして使用して、カーボン
ドープのGaAs・AlGaAsの薄膜を製造した
(N.I.Buchan et al.J.Cryst
alGrowth 110(1991)405)。彼等
は、78torrの減圧下において、トリメチルガリウ
ム(TMG)をGa源として使用し、アルシン(AsH
3 )をAs源として使用し、CBr4 をドーパントとし
て使用して、基板温度600〜750°Cにおいて、カ
ーボンドープのGaAsの成長を実行し、10 17〜10
19cm-3にカーボンがドープされたGaAsの成長に成
功している。
【0003】一方、本発明の発明者等は、GaAs基板
上に、0.5μm厚にノンドープのGaAsを成長した
後、CBr4 をドーパントとして、0.5μm厚にカー
ボンドープのGaAsを成長し、Hall測定を実行し
た。その結果を表1に示す。なお、成長条件は、トリメ
チルガリウム(TMG)の供給量が0.59cc/分で
あり、アルシン(AsH3 )の供給量が1.25cc/
分であり、基板温度は610°Cである。
上に、0.5μm厚にノンドープのGaAsを成長した
後、CBr4 をドーパントとして、0.5μm厚にカー
ボンドープのGaAsを成長し、Hall測定を実行し
た。その結果を表1に示す。なお、成長条件は、トリメ
チルガリウム(TMG)の供給量が0.59cc/分で
あり、アルシン(AsH3 )の供給量が1.25cc/
分であり、基板温度は610°Cである。
【0004】
【表1】 また、GaAs基板上に、0.2μm厚にノンドープG
aAsを成長し、0.3μm厚にノンドープAl0.25G
a0.75Asを成長した後、CBr4 をドーパントとし
て、0.5μm厚にカーボンドープのGaAsを成長
し、Hall測定を実行した。その結果を表2に示す。
なお、成長条件はトリメチルガリウム(TMG)の供給
量が、0.59cc/分であり、アルシン(AsH3 )
の供給量が1.25cc/分であり、基板温度は610
°Cである。
aAsを成長し、0.3μm厚にノンドープAl0.25G
a0.75Asを成長した後、CBr4 をドーパントとし
て、0.5μm厚にカーボンドープのGaAsを成長
し、Hall測定を実行した。その結果を表2に示す。
なお、成長条件はトリメチルガリウム(TMG)の供給
量が、0.59cc/分であり、アルシン(AsH3 )
の供給量が1.25cc/分であり、基板温度は610
°Cである。
【0005】
【表2】 これらの結果にもとづき、ホール濃度とCBr4 の供給
量との関係と、移動度とホール濃度との関係とを、それ
ぞれ、図2と図3とに示す。
量との関係と、移動度とホール濃度との関係とを、それ
ぞれ、図2と図3とに示す。
【0006】GaAs基板上にノンドープのGaAsを
成長し、その後、カーボンドープのGaAsを成長した
場合は、ホール濃度とCBr4 の供給量との関係は、図
2に示すように、原点を通過する比例関係になる。
成長し、その後、カーボンドープのGaAsを成長した
場合は、ホール濃度とCBr4 の供給量との関係は、図
2に示すように、原点を通過する比例関係になる。
【0007】これに対して、GaAs基板上にノンドー
プのGaAsを成長し、その上にノンドープのAlGa
Asを成長し、その後、カーボンドープのGaAsを成
長した場合は、ホール濃度とCBr4 の供給量との関係
は、図2に示すように、原点を通過しない比例関係にな
り、同じCBr4 の供給量に対してホール濃度は大きな
値となる。また、移動度は、GaAs基板上にノンドー
プのGaAsを成長し、その上にノンドープのAlGa
Asを成長し、その後、カーボンドープのGaAsを成
長した場合の方が、GaAs基板上にノンドープのGa
Asを成長し、その後、カーボンドープのGaAsを成
長した場合より小さい。
プのGaAsを成長し、その上にノンドープのAlGa
Asを成長し、その後、カーボンドープのGaAsを成
長した場合は、ホール濃度とCBr4 の供給量との関係
は、図2に示すように、原点を通過しない比例関係にな
り、同じCBr4 の供給量に対してホール濃度は大きな
値となる。また、移動度は、GaAs基板上にノンドー
プのGaAsを成長し、その上にノンドープのAlGa
Asを成長し、その後、カーボンドープのGaAsを成
長した場合の方が、GaAs基板上にノンドープのGa
Asを成長し、その後、カーボンドープのGaAsを成
長した場合より小さい。
【0008】このように、AlGaAs上に、CBr4
をドーパントとしてカーボンドープのGaAsを成長す
ると、成長するカーボンドープのGaAsの特性に異常
が発生する。
をドーパントとしてカーボンドープのGaAsを成長す
ると、成長するカーボンドープのGaAsの特性に異常
が発生する。
【0009】本発明の目的は、このような異常が発生し
ないカーボンドープのGaAsまたはAlGaAsを、
ハロメタンまたは水素化ハロゲン化炭素をドーパントと
して、AlGaAsまたはAlAs上に成長する有機金
属気相成長方法を提供することにある。
ないカーボンドープのGaAsまたはAlGaAsを、
ハロメタンまたは水素化ハロゲン化炭素をドーパントと
して、AlGaAsまたはAlAs上に成長する有機金
属気相成長方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る有機金属気相成長方法は、ハロメタ
ンまたは水素化ハロゲン化炭素をドーパントとして、A
lGaAsまたはAlAs上に、カーボンドープのGa
AsまたはAlGaAsを成長する有機金属気相成長方
法において、図1の原料供給タイムスケジュールに示す
ように、Al源・Ga源・As源の供給開始時点より、
ハロメタンまたは水素化ハロゲン化炭素の供給開始時点
を遅らせることんゝした有機金属気相成長方法である。
めに、本発明に係る有機金属気相成長方法は、ハロメタ
ンまたは水素化ハロゲン化炭素をドーパントとして、A
lGaAsまたはAlAs上に、カーボンドープのGa
AsまたはAlGaAsを成長する有機金属気相成長方
法において、図1の原料供給タイムスケジュールに示す
ように、Al源・Ga源・As源の供給開始時点より、
ハロメタンまたは水素化ハロゲン化炭素の供給開始時点
を遅らせることんゝした有機金属気相成長方法である。
【0011】この構成において、ハロメタンまたは水素
化ハロゲン化炭素の供給開始時点は、ノンドープのGa
AsまたはAlGaAsが0.5〜2nm成長した時点
とすることが好適である。
化ハロゲン化炭素の供給開始時点は、ノンドープのGa
AsまたはAlGaAsが0.5〜2nm成長した時点
とすることが好適である。
【0012】上記いづれの構成においても、ハロメタン
としては、CBr4 が好適である。
としては、CBr4 が好適である。
【0013】
【作用】CBr4 をドーパントとしてなすカーボンドー
ピングのモデルについて、前記のBuchan等は、以
下のように述べている。即ち、CBr4 は結晶表面に吸
着されてBr1個を放出し、CBr3 が脱離しなけれ
ば、カーボンとして結晶中に取り込まれる。As源であ
るアルシン(AsH3 )の供給量が多い場合、これより
形成された活性なAsHxとCBr3 とが反応して脱離
する。また、成長温度が高い場合も脱離しやすい。この
結果、アルシン(AsH3 )の供給量が多い場合や成長
温度が高い場合は、カーボンのドーピングレベルが低下
するということである。
ピングのモデルについて、前記のBuchan等は、以
下のように述べている。即ち、CBr4 は結晶表面に吸
着されてBr1個を放出し、CBr3 が脱離しなけれ
ば、カーボンとして結晶中に取り込まれる。As源であ
るアルシン(AsH3 )の供給量が多い場合、これより
形成された活性なAsHxとCBr3 とが反応して脱離
する。また、成長温度が高い場合も脱離しやすい。この
結果、アルシン(AsH3 )の供給量が多い場合や成長
温度が高い場合は、カーボンのドーピングレベルが低下
するということである。
【0014】このモデルに従えば、結晶とCBr3 の吸
着力により、カーボンのドーピングレベルが異なること
が予想される。カーボンとGa・Alとの結合力は、A
lの方がGaより強い。この結果、図4に示すように、
AlGaAs上にカーボンドープのGaAsを成長した
場合、AlGaAsバッファ層とカーボンドープのGa
As層との界面にカーボンを高濃度に含む遷移層が形成
されることになり、この結果、ホール測定で検出される
ホール濃度は、 (C(d−Δ)+C′Δ)×1/d となり、dはΔよりはるかに大きいので、おゝよそ、C
+C′Δ/dとなる。こゝで、Cはホール濃度であり、
C′は遷移層におけるホール濃度であり、Δは遷移層の
厚さであり、dは厚さである。ところで、C′は初期の
吸着量で決定され、CBr4 の供給量が多くなれば、C
Br4 の供給量に依存しなくなるので、ホール濃度とC
Br4 の供給量との関係は、図2に示すように、原点を
通過しないことになる。この遷移層はカーボンを高濃度
に含有するので、カーボンがドープされているGaAs
層より移動度が小さくなる。この結果、ホール測定で検
出される移動度は、GaAs上に成長した場合より小さ
くなる。
着力により、カーボンのドーピングレベルが異なること
が予想される。カーボンとGa・Alとの結合力は、A
lの方がGaより強い。この結果、図4に示すように、
AlGaAs上にカーボンドープのGaAsを成長した
場合、AlGaAsバッファ層とカーボンドープのGa
As層との界面にカーボンを高濃度に含む遷移層が形成
されることになり、この結果、ホール測定で検出される
ホール濃度は、 (C(d−Δ)+C′Δ)×1/d となり、dはΔよりはるかに大きいので、おゝよそ、C
+C′Δ/dとなる。こゝで、Cはホール濃度であり、
C′は遷移層におけるホール濃度であり、Δは遷移層の
厚さであり、dは厚さである。ところで、C′は初期の
吸着量で決定され、CBr4 の供給量が多くなれば、C
Br4 の供給量に依存しなくなるので、ホール濃度とC
Br4 の供給量との関係は、図2に示すように、原点を
通過しないことになる。この遷移層はカーボンを高濃度
に含有するので、カーボンがドープされているGaAs
層より移動度が小さくなる。この結果、ホール測定で検
出される移動度は、GaAs上に成長した場合より小さ
くなる。
【0015】しかし、本発明に係る有機金属気相成長方
法においては、カーボンがドープされたGaAsまたは
AlGaAsが成長する前に、AlGaAsまたはAl
As上にノンドープのGaAs薄層が形成されることに
なる。このノンドープのGaAs薄層の上にカーボンが
ドープされているGaAsが成長することになるので、
カーボンが高濃度にドープされた遷移層は形成しない。
なお、ノンドープのGaAs薄層の厚さは十分薄いの
で、実用上、何の支障にもならない。
法においては、カーボンがドープされたGaAsまたは
AlGaAsが成長する前に、AlGaAsまたはAl
As上にノンドープのGaAs薄層が形成されることに
なる。このノンドープのGaAs薄層の上にカーボンが
ドープされているGaAsが成長することになるので、
カーボンが高濃度にドープされた遷移層は形成しない。
なお、ノンドープのGaAs薄層の厚さは十分薄いの
で、実用上、何の支障にもならない。
【0016】また、AlGaAsまたはAlAs上にカ
ーボンドープのAlGaAsまたはGaAsを成長する
場合にも、同様の現象が発生する。
ーボンドープのAlGaAsまたはGaAsを成長する
場合にも、同様の現象が発生する。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態に係る有機金属気相成長方法について説明す
る。
実施の形態に係る有機金属気相成長方法について説明す
る。
【0018】第1例 Al0.25Ga0.75As上に、カーボンドープのGaAs
を成長する有機金属気相成長方法 As源であるアルシン(AsH3 )を1.25cc/分
流し、Ga源であるトリメチルガリウム(TMG)を
0.59cc/分流しているところに、カーボンのドー
パントであるCBr4 7.8×10-2cc/分を、下記
に列記する時間遅れて流し、基板温度610°Cにおい
て、AlGaAs上に、カーボンを含有するGaAsを
0.5μm厚に成長した。このときの成長速度は0.6
5nm/秒であった。この試行の結果を表3に示す。
を成長する有機金属気相成長方法 As源であるアルシン(AsH3 )を1.25cc/分
流し、Ga源であるトリメチルガリウム(TMG)を
0.59cc/分流しているところに、カーボンのドー
パントであるCBr4 7.8×10-2cc/分を、下記
に列記する時間遅れて流し、基板温度610°Cにおい
て、AlGaAs上に、カーボンを含有するGaAsを
0.5μm厚に成長した。このときの成長速度は0.6
5nm/秒であった。この試行の結果を表3に示す。
【0019】
【表3】 なお、同一条件で、最初からCBr4 を流しながら、G
aAs上にカーボンドープのGaAsを成長した場合の
ホール濃度は1.64×1019cm-3であり、移動度は
101cm2 /VSであった。この結果を参照して、上
記の表を検討すると、CBr4 の供給開始遅延時間が
0.5秒の場合(ノンドープAlGaAsの膜厚が0.
32nmの場合)は十分とは言えないが、CBr4 の供
給開始遅延時間が1秒以上の発場合(ノンドープのAl
GaAsの膜厚が0.65nm以上の場合)は、GaA
s上に成長させた場合とおゝむね同等の結果が得られて
おり、本発明の効果が実現されている。
aAs上にカーボンドープのGaAsを成長した場合の
ホール濃度は1.64×1019cm-3であり、移動度は
101cm2 /VSであった。この結果を参照して、上
記の表を検討すると、CBr4 の供給開始遅延時間が
0.5秒の場合(ノンドープAlGaAsの膜厚が0.
32nmの場合)は十分とは言えないが、CBr4 の供
給開始遅延時間が1秒以上の発場合(ノンドープのAl
GaAsの膜厚が0.65nm以上の場合)は、GaA
s上に成長させた場合とおゝむね同等の結果が得られて
おり、本発明の効果が実現されている。
【0020】第2例 Al0.25Ga0.75As上に、カーボンドープのGaAs
を成長する有機金属気相成長方法 As源であるアルシン(AsH3 )を0.35cc/分
流し、Ga源であるトリメチルガリウム(TMG)を
0.20cc/分流しているところに、カーボンのドー
パントであるCBr4 2.7×10-2cc/分を、下記
に列記する時間遅れて流し、基板温度610°Cにおい
て、AlGaAs上に、カーボンをドープしたGaAs
を0.5μm厚に成長した。このときの成長速度は0.
22nm/秒であった。この試行の結果を表4に示す。
を成長する有機金属気相成長方法 As源であるアルシン(AsH3 )を0.35cc/分
流し、Ga源であるトリメチルガリウム(TMG)を
0.20cc/分流しているところに、カーボンのドー
パントであるCBr4 2.7×10-2cc/分を、下記
に列記する時間遅れて流し、基板温度610°Cにおい
て、AlGaAs上に、カーボンをドープしたGaAs
を0.5μm厚に成長した。このときの成長速度は0.
22nm/秒であった。この試行の結果を表4に示す。
【0021】
【表4】 なお、同一条件で、最初からCBr4 を流しながら、G
aAs上にカーボンドープのGaAsを成長した場合の
ホール濃度は1.51×1019cm-3であり、移動度は
103cm2 /VSであった。この結果を参照して、上
記の表を検討すると、CBr4 の供給開始遅延時間が1
秒の場合(ノンドープAlGaAsの膜厚が0.22n
mの場合)は十分とは言えないが、CBr4 の供給開始
遅延時間が2秒以上の発場合(ノンドープのAlGaA
sの膜厚が0.44nm以上の場合)は、GaAs上に
成長させた場合とおゝむね同等の結果が得られており、
本発明の効果が実現されている。
aAs上にカーボンドープのGaAsを成長した場合の
ホール濃度は1.51×1019cm-3であり、移動度は
103cm2 /VSであった。この結果を参照して、上
記の表を検討すると、CBr4 の供給開始遅延時間が1
秒の場合(ノンドープAlGaAsの膜厚が0.22n
mの場合)は十分とは言えないが、CBr4 の供給開始
遅延時間が2秒以上の発場合(ノンドープのAlGaA
sの膜厚が0.44nm以上の場合)は、GaAs上に
成長させた場合とおゝむね同等の結果が得られており、
本発明の効果が実現されている。
【0022】第3例 Al0.25Ga0.75As上に、カーボンドープのAlGa
Asを成長する有機金属気相成長方法 As源であるアルシン(AsH3 )を1.5cc/分流
し、Ga源であるトリメチルガリウム(TMG)を0.
59cc/分流し、アルミニウム源であるトリメチルア
ルミニウムを0.066cc/分流しているところに、
カーボンのドーパントであるCBr4 7.8×10-2c
c/分を、下記に列記する時間遅れて流し、基板温度6
10°Cにおいて、AlGaAs上に、カーボンドープ
のAl0. 1 Ga0.9 Asを0.5μm厚に成長した。こ
のときの成長速度は0.72nm/秒であった。この試
行の結果を表5に示す。
Asを成長する有機金属気相成長方法 As源であるアルシン(AsH3 )を1.5cc/分流
し、Ga源であるトリメチルガリウム(TMG)を0.
59cc/分流し、アルミニウム源であるトリメチルア
ルミニウムを0.066cc/分流しているところに、
カーボンのドーパントであるCBr4 7.8×10-2c
c/分を、下記に列記する時間遅れて流し、基板温度6
10°Cにおいて、AlGaAs上に、カーボンドープ
のAl0. 1 Ga0.9 Asを0.5μm厚に成長した。こ
のときの成長速度は0.72nm/秒であった。この試
行の結果を表5に示す。
【0023】
【表5】 なお、同一条件で、最初からCBr4 を流しながら、A
l0.1 Ga0.9 As上にAl0.1 Ga0.9 Asを成長し
た場合のホール濃度は2.45×1019cm-3であり、
移動度は81cm2 /VSであった。この結果を参照し
て、上記の表を検討すると、CBr4 の供給開始遅延時
間が0.5秒の場合(ノンドープAl0. 1 Ga0.9 As
Alの膜厚が0.36nmの場合)は十分とは言えない
が、CBr4 の供給開始遅延時間が1秒以上の発場合
(ノンドープのAl0.1 Ga0.9 AsAlの膜厚が0.
72nm以上の場合)は、Al0.1 Ga0.9 As上に成
長させた場合とおゝむね同等の結果が得られており、本
発明の効果が実現されている。
l0.1 Ga0.9 As上にAl0.1 Ga0.9 Asを成長し
た場合のホール濃度は2.45×1019cm-3であり、
移動度は81cm2 /VSであった。この結果を参照し
て、上記の表を検討すると、CBr4 の供給開始遅延時
間が0.5秒の場合(ノンドープAl0. 1 Ga0.9 As
Alの膜厚が0.36nmの場合)は十分とは言えない
が、CBr4 の供給開始遅延時間が1秒以上の発場合
(ノンドープのAl0.1 Ga0.9 AsAlの膜厚が0.
72nm以上の場合)は、Al0.1 Ga0.9 As上に成
長させた場合とおゝむね同等の結果が得られており、本
発明の効果が実現されている。
【0024】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る、ハ
ロメタン好ましくはCBr4 または水素化ハロゲン化炭
素をドーパントとして、AlGaAsまたはAlAs上
に、カーボンドープのGaAsまたはAlGaAsを成
長する有機金属気相成長方法においては、Al源の供給
開始時点とGa源の供給開始時点とより、好ましくは、
ノンドープのGaAsまたはAlGaAsが0.5〜2
nm成長する時間だけ、ハロメタン好ましくはCBr4
または水素化ハロゲン化炭素の供給開始時点を遅らせる
ことゝされているので、アルミニウムを含む下地上に、
ハロメタン好ましくはCBr4 または水素化ハロゲン化
炭素をドーパントとして、カーボンドープのGaAsを
形成する場合、このカーボンドープのGaAsの特性に
異常が見られることはない。
ロメタン好ましくはCBr4 または水素化ハロゲン化炭
素をドーパントとして、AlGaAsまたはAlAs上
に、カーボンドープのGaAsまたはAlGaAsを成
長する有機金属気相成長方法においては、Al源の供給
開始時点とGa源の供給開始時点とより、好ましくは、
ノンドープのGaAsまたはAlGaAsが0.5〜2
nm成長する時間だけ、ハロメタン好ましくはCBr4
または水素化ハロゲン化炭素の供給開始時点を遅らせる
ことゝされているので、アルミニウムを含む下地上に、
ハロメタン好ましくはCBr4 または水素化ハロゲン化
炭素をドーパントとして、カーボンドープのGaAsを
形成する場合、このカーボンドープのGaAsの特性に
異常が見られることはない。
【図1】本発明に係る有機金属気相成長方法における原
料供給タイムスケジュールを示す図である。
料供給タイムスケジュールを示す図である。
【図2】GaAs基板上に、ノンドープGaAsを成長
した後、CBr4 をドーパントとして成長されるカーボ
ンドープのGaAsのホール濃度とCBr4 供給量との
関係と、GaAs基板上にノンドープのGaAsを成長
し、ノンドープのAlGaAsを成長した後、CBr4
をドーパントとして成長されたカーボンドープのGaA
sのホール濃度を示すグラフである。
した後、CBr4 をドーパントとして成長されるカーボ
ンドープのGaAsのホール濃度とCBr4 供給量との
関係と、GaAs基板上にノンドープのGaAsを成長
し、ノンドープのAlGaAsを成長した後、CBr4
をドーパントとして成長されたカーボンドープのGaA
sのホール濃度を示すグラフである。
【図3】GaAs基板上に、ノンドープGaAsを成長
した後、CBr4 をドーパントとして成長されるカーボ
ンドープのGaAsの移動度とホール濃度との関係とG
aAs基板上にノンドープのGaAsを成長し、ノンド
ープのAlGaAsを成長した後、CBr4 をドーパン
トとして成長されたカーボンドープのGaAsの移動度
とホール濃度との関係とを示すグラフである。
した後、CBr4 をドーパントとして成長されるカーボ
ンドープのGaAsの移動度とホール濃度との関係とG
aAs基板上にノンドープのGaAsを成長し、ノンド
ープのAlGaAsを成長した後、CBr4 をドーパン
トとして成長されたカーボンドープのGaAsの移動度
とホール濃度との関係とを示すグラフである。
【図4】ノンドープのGaAs上にカーボンドープのG
aAsを成長した場合のカーボン濃度と、ノンドープA
lGaAs上にGaAsの薄膜を形成し、その上に成長
した場合のカーボン濃度とをしめす図である。
aAsを成長した場合のカーボン濃度と、ノンドープA
lGaAs上にGaAsの薄膜を形成し、その上に成長
した場合のカーボン濃度とをしめす図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 ハロメタンまたは水素化ハロゲン化炭素
をドーパントとして、AlGaAsまたはAlAs上
に、カーボンがドープされているGaAsまたはAlG
aAsを成長する有機金属気相成長方法において、 Al源の供給開始時点とGa源の供給開始時点とより、
ハロメタンまたは水素化ハロゲン化炭素の供給開始時点
を遅らせることを特徴とする有機金属気相成長方法。 - 【請求項2】 前記ハロメタンまたは水素化ハロゲン化
炭素の供給開始時点は、前記ハロメタンまたは水素化ハ
ロゲン化炭素の供給開始が遅延されてノンドープのGa
AsまたはAlGaAsが0.5〜2nm成長した時点
であることを特徴とする請求項1記載の有機金属気相成
長方法。 - 【請求項3】 前記ハロメタンは、CBr4 であること
を特徴とする請求項1または請求項2記載の有機金属気
相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP296A JPH09186094A (ja) | 1996-01-04 | 1996-01-04 | 有機金属気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP296A JPH09186094A (ja) | 1996-01-04 | 1996-01-04 | 有機金属気相成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09186094A true JPH09186094A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=11462293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP296A Pending JPH09186094A (ja) | 1996-01-04 | 1996-01-04 | 有機金属気相成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09186094A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6191014B1 (en) | 1998-07-27 | 2001-02-20 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing compound semiconductor |
-
1996
- 1996-01-04 JP JP296A patent/JPH09186094A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6191014B1 (en) | 1998-07-27 | 2001-02-20 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing compound semiconductor |
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