JPH09181563A - 弾性表面波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイスInfo
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- JPH09181563A JPH09181563A JP33546795A JP33546795A JPH09181563A JP H09181563 A JPH09181563 A JP H09181563A JP 33546795 A JP33546795 A JP 33546795A JP 33546795 A JP33546795 A JP 33546795A JP H09181563 A JPH09181563 A JP H09181563A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来に比べてさらにデバイス特性、およびデ
バイス歩留りを向上させることができ、高性能な弾性表
面波デバイスを効率良く製造することのできる弾性表面
波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイスを提供
する。 【解決手段】 分極成分を有する弾性表面波用基板上
に、金属膜を形成し、この金属膜によって所定形状の電
極を形成して弾性表面波デバイスを製造するにあたり、
金属膜形成後における加熱工程の加熱温度を１００℃以
下とすることを特徴とする。
バイス歩留りを向上させることができ、高性能な弾性表
面波デバイスを効率良く製造することのできる弾性表面
波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイスを提供
する。 【解決手段】 分極成分を有する弾性表面波用基板上
に、金属膜を形成し、この金属膜によって所定形状の電
極を形成して弾性表面波デバイスを製造するにあたり、
金属膜形成後における加熱工程の加熱温度を１００℃以
下とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
スの製造方法および弾性表面波デバイスに関し、特に、
デバイス特性のロスを低減させ弾性表面波デバイスの歩
留りを向上させた弾性表面波デバイスの製造方法および
弾性表面波デバイスに関する。
スの製造方法および弾性表面波デバイスに関し、特に、
デバイス特性のロスを低減させ弾性表面波デバイスの歩
留りを向上させた弾性表面波デバイスの製造方法および
弾性表面波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、弾性表面波デバイスの製造工
程においては、単一分域化したＬｉＮｂＯ3 ウェーハ等
の分極成分を有する弾性表面波用基板上に、Ａｌ等の金
属膜を形成し、この金属膜を、レジスト塗布、ベイキン
グ、露光、現像、エッチング等の一連のフォトリソグラ
フ工程によって櫛形等の所定形状の電極とし、さらにこ
の後、吸温剤のプリントおよびベイキング、接着剤のコ
ートおよびベイキング等の工程を経て、弾性表面波デバ
イスを製造することが行われている。
程においては、単一分域化したＬｉＮｂＯ3 ウェーハ等
の分極成分を有する弾性表面波用基板上に、Ａｌ等の金
属膜を形成し、この金属膜を、レジスト塗布、ベイキン
グ、露光、現像、エッチング等の一連のフォトリソグラ
フ工程によって櫛形等の所定形状の電極とし、さらにこ
の後、吸温剤のプリントおよびベイキング、接着剤のコ
ートおよびベイキング等の工程を経て、弾性表面波デバ
イスを製造することが行われている。
【０００３】そして、上記各ベイキング工程において
は、例えば、１２０℃、１５０℃等の１００℃を超える
加熱温度によるベイキング処理が一般的に行われてい
る。また、テスト工程においても、１００℃を超える加
熱温度によるテストがー般的に行われている。
は、例えば、１２０℃、１５０℃等の１００℃を超える
加熱温度によるベイキング処理が一般的に行われてい
る。また、テスト工程においても、１００℃を超える加
熱温度によるテストがー般的に行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の弾性表面波デバイスの製造方法および弾性表面
波デバイスにおいても、さらにデバイス特性を向上させ
ること、およびデバイス歩留りを向上させることが当然
要求される。
た従来の弾性表面波デバイスの製造方法および弾性表面
波デバイスにおいても、さらにデバイス特性を向上させ
ること、およびデバイス歩留りを向上させることが当然
要求される。
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に比べてさらにデバイス特性、およ
びデバイス歩留りを向上させることができ、高性能な弾
性表面波デバイスを効率良く製造することのできる弾性
表面波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイスを
提供しようとするものである。
されたもので、従来に比べてさらにデバイス特性、およ
びデバイス歩留りを向上させることができ、高性能な弾
性表面波デバイスを効率良く製造することのできる弾性
表面波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイスを
提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、分極
成分を有する弾性表面波用基板上に、金属膜を形成し、
この金属膜によって所定形状の電極を形成して弾性表面
波デバイスを製造するにあたり、前記金属膜形成後にお
ける加熱工程の加熱温度を１００℃以下とすることを特
徴とする。
成分を有する弾性表面波用基板上に、金属膜を形成し、
この金属膜によって所定形状の電極を形成して弾性表面
波デバイスを製造するにあたり、前記金属膜形成後にお
ける加熱工程の加熱温度を１００℃以下とすることを特
徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１記載の弾性表
面波デバイスの製造方法において、前記弾性表面波用基
板がＬｉＮｂＯ3 ウェーハからなることを特徴とする。
面波デバイスの製造方法において、前記弾性表面波用基
板がＬｉＮｂＯ3 ウェーハからなることを特徴とする。
【０００８】請求項３の発明は、分極成分を有する弾性
表面波用基板上に、金属膜によって所定形状の電極を形
成した弾性表面波デバイスにおいて、分極反転の発生率
が５％以下であることを特徴とする。
表面波用基板上に、金属膜によって所定形状の電極を形
成した弾性表面波デバイスにおいて、分極反転の発生率
が５％以下であることを特徴とする。
【０００９】請求項４の発明は、分極成分を有する弾性
表面波用基板上に、金属膜によって所定形状の電極を形
成した弾性表面波デバイスにおいて、前記金属膜形成後
における加熱工程の加熱温度を１００℃以下としたこと
を特徴とする。
表面波用基板上に、金属膜によって所定形状の電極を形
成した弾性表面波デバイスにおいて、前記金属膜形成後
における加熱工程の加熱温度を１００℃以下としたこと
を特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】前述したように、従来の技術にお
いては、弾性表面波デバイス製造工程におけるベイキン
グ工程、テスト工程等において、例えば、１２０℃、１
５０℃等の１００℃を超える加熱温度による処理が行わ
れている。
いては、弾性表面波デバイス製造工程におけるベイキン
グ工程、テスト工程等において、例えば、１２０℃、１
５０℃等の１００℃を超える加熱温度による処理が行わ
れている。
【００１１】しかしながら、本発明者等が詳査したとこ
ろ、ウェーハ上に櫛形電極等の電極材であるＡｌ膜等の
金属膜が形成された後、ベイキング工程等において１０
０℃を超える温度に加熱すると、加熱によって発生する
静電気により、アースされない電極との間において数十
ＫＶの高電界が発生し、ウェーハの電極の周辺部に、分
極反転層が形成されることが判明した。
ろ、ウェーハ上に櫛形電極等の電極材であるＡｌ膜等の
金属膜が形成された後、ベイキング工程等において１０
０℃を超える温度に加熱すると、加熱によって発生する
静電気により、アースされない電極との間において数十
ＫＶの高電界が発生し、ウェーハの電極の周辺部に、分
極反転層が形成されることが判明した。
【００１２】このため、電極形成後の加熱温度と分極反
転の発生率との関係を６４゜ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハに
ついて調べたところ、図１のようになった。すなわち、
加熱温度を８０℃以下とすることにより、分極反転の発
生率を略ゼロとすることができ、加熱温度を１００℃以
下とすることにより、分極反転の発生率を略５％以下と
することができることが判明した。なお、加熱温度が１
００℃を超えると、分極反転の発生率が急激に上昇す
る。
転の発生率との関係を６４゜ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハに
ついて調べたところ、図１のようになった。すなわち、
加熱温度を８０℃以下とすることにより、分極反転の発
生率を略ゼロとすることができ、加熱温度を１００℃以
下とすることにより、分極反転の発生率を略５％以下と
することができることが判明した。なお、加熱温度が１
００℃を超えると、分極反転の発生率が急激に上昇す
る。
【００１３】そこで、本発明においては、金属膜形成後
における加熱工程の加熱温度を１００℃以下とする。
における加熱工程の加熱温度を１００℃以下とする。
【００１４】すなわち、例えば、片面を鏡面に研磨し、
裏面を粗したＬｉＮｂＯ3 ウェーハ等の鏡面にＡｌ膜
（金属膜）を形成した場合、この後の工程における、上
記Ａｌ膜にレジスト液をコートしてベイキングする際、
および、この後、露光、レジスト剥離、Ａｌ膜のエッチ
ング、吸温剤のプリントの後にベイキングする際、なら
びに、この後、裏面に接着剤をコートしてべイキングす
る際等において、加熱温度を１００℃以下、さらに好ま
しくは８０℃以下として処理を行う。
裏面を粗したＬｉＮｂＯ3 ウェーハ等の鏡面にＡｌ膜
（金属膜）を形成した場合、この後の工程における、上
記Ａｌ膜にレジスト液をコートしてベイキングする際、
および、この後、露光、レジスト剥離、Ａｌ膜のエッチ
ング、吸温剤のプリントの後にベイキングする際、なら
びに、この後、裏面に接着剤をコートしてべイキングす
る際等において、加熱温度を１００℃以下、さらに好ま
しくは８０℃以下として処理を行う。
【００１５】このように、加熱温度を１００℃以下とす
ると、加熱によって発生する静電気が抑制され、電極と
の間の電界強度も低くなり、電界や放電による基板の分
極反転層の形成を抑制することができる。これによっ
て、デバイス形成時に発生する分極反転による表面波の
妨害を防止でき、デバイス特性およびデバイス歩留りを
向上させることができる。
ると、加熱によって発生する静電気が抑制され、電極と
の間の電界強度も低くなり、電界や放電による基板の分
極反転層の形成を抑制することができる。これによっ
て、デバイス形成時に発生する分極反転による表面波の
妨害を防止でき、デバイス特性およびデバイス歩留りを
向上させることができる。
【００１６】本発明に係る弾性表面波デバイスの分極反
転層の発生状態を調べたところ、本発明に係る弾性表面
波デバイスでは、分極反転層は明確には判別できなかっ
た。
転層の発生状態を調べたところ、本発明に係る弾性表面
波デバイスでは、分極反転層は明確には判別できなかっ
た。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１８】［実施例１］片面を鏡面に研磨し、裏面を
Ｒａ〜０．８μｍに粗した７６Φ×０．５ｍｍの６４゜
ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハ５０ｐを良く洗浄し、抵抗加熱
の蒸着機で鏡面にＡｌ膜（金属膜）を形成した。
Ｒａ〜０．８μｍに粗した７６Φ×０．５ｍｍの６４゜
ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハ５０ｐを良く洗浄し、抵抗加熱
の蒸着機で鏡面にＡｌ膜（金属膜）を形成した。
【００１９】この後、上記Ａｌ膜にレジスト液をコート
し、９０℃でベイキングした後、ステッパー露光し、レ
ジスト剥離液によりマスク部分を残してレジストを剥離
して、このレジストをマスクとしてＡｌ膜をエッチング
し、Ａｌの櫛形金属電極を形成した。
し、９０℃でベイキングした後、ステッパー露光し、レ
ジスト剥離液によりマスク部分を残してレジストを剥離
して、このレジストをマスクとしてＡｌ膜をエッチング
し、Ａｌの櫛形金属電極を形成した。
【００２０】さらに、上記ウェーハに吸温剤をプリント
し、８０℃でベイキングを行い、べイキング後裏面に接
着剤をコートし、さらに７０℃でべイキングした。
し、８０℃でベイキングを行い、べイキング後裏面に接
着剤をコートし、さらに７０℃でべイキングした。
【００２１】そして、上記ウェーハをダイシングし、チ
ップ化した後、マウントし、封じを行いデバイス化し
た。
ップ化した後、マウントし、封じを行いデバイス化し
た。
【００２２】このデバイスの特性を測定した結果、ロス
は２ｄＢ低減し、デバイス歩留りも８％以上向上した。
この素子をＨＦ：ＨＮＯ3 の混酸で表面をエッチングし
た所、明確な分極反転は見られなかった。
は２ｄＢ低減し、デバイス歩留りも８％以上向上した。
この素子をＨＦ：ＨＮＯ3 の混酸で表面をエッチングし
た所、明確な分極反転は見られなかった。
【００２３】［実施例２］片面を鏡面に研磨し、裏面を
Ｒａ〜２．８μｍに粗した７６Φ×０．５ｍｍの１２８
゜ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハ５０ｐを良く洗浄し、抵抗加
熱の蒸着機で鏡面にＡｌ膜（金属膜）を形成した。
Ｒａ〜２．８μｍに粗した７６Φ×０．５ｍｍの１２８
゜ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハ５０ｐを良く洗浄し、抵抗加
熱の蒸着機で鏡面にＡｌ膜（金属膜）を形成した。
【００２４】この後、上記Ａｌ膜にレジスト液をコート
し、９０℃でベイキングした後、ステッパー露光し、レ
ジスト剥離液によりマスク部分を残してレジストを剥離
して、このレジストをマスクとしてＡｌ膜をエッチング
し、Ａｌの櫛形金属電極を形成した。
し、９０℃でベイキングした後、ステッパー露光し、レ
ジスト剥離液によりマスク部分を残してレジストを剥離
して、このレジストをマスクとしてＡｌ膜をエッチング
し、Ａｌの櫛形金属電極を形成した。
【００２５】さらに、上記ウェーハに吸温剤をプリント
し、８０℃でベイキングを行い、べイキング後裏面に接
着剤をコートし、さらに７０℃でべイキングした。
し、８０℃でベイキングを行い、べイキング後裏面に接
着剤をコートし、さらに７０℃でべイキングした。
【００２６】そして、上記ウェーハをダイシングし、チ
ップ化した後、マウントし、封じを行いデバイス化し
た。
ップ化した後、マウントし、封じを行いデバイス化し
た。
【００２７】このデバイスの特性を測定した結果、ロス
は１．５ｄＢ低減し、デバイス歩留りも６％以上向上し
た。この素子をΗＦ：ＨＮＯ3 の混酸で表面をエッチン
グした所、明確な分極反転は見られなかった。
は１．５ｄＢ低減し、デバイス歩留りも６％以上向上し
た。この素子をΗＦ：ＨＮＯ3 の混酸で表面をエッチン
グした所、明確な分極反転は見られなかった。
【００２８】［比較例１］片面を鏡面に研磨し、裏面を
Ｒａ〜０．８μｍに粗した７６Φ／０．５ｍｍの６４゜
ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハ５０ｐを良く洗浄し、抵抗加熱
の蒸着機で鏡面ににＡｌ膜（金属膜）を形成した。
Ｒａ〜０．８μｍに粗した７６Φ／０．５ｍｍの６４゜
ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハ５０ｐを良く洗浄し、抵抗加熱
の蒸着機で鏡面ににＡｌ膜（金属膜）を形成した。
【００２９】この後、上記Ａｌ膜にレジスト液をコート
し、１２０℃でベイキングした後、ステッパー露光し、
レジスト剥離液によりマスク部分を残してレジストを剥
離して、このレジストをマスクとしてＡｌ膜をエッチン
グし、Ａｌの櫛形金属電極を形成した。
し、１２０℃でベイキングした後、ステッパー露光し、
レジスト剥離液によりマスク部分を残してレジストを剥
離して、このレジストをマスクとしてＡｌ膜をエッチン
グし、Ａｌの櫛形金属電極を形成した。
【００３０】さらに、上記ウェーハに吸温剤をプリント
し、１５０℃でベイキングを行い、べイキング後裏面に
接着剤をコートし、さらに１２０℃でべイキングした。
し、１５０℃でベイキングを行い、べイキング後裏面に
接着剤をコートし、さらに１２０℃でべイキングした。
【００３１】そして、上記ウェーハをダイシングし、チ
ップ化した後、マウントし、封じを行いデバイス化し
た。
ップ化した後、マウントし、封じを行いデバイス化し
た。
【００３２】このデバイスの特性を測定した結果、ロス
は３ｄＢ増加し、デバイス歩留りも７０％と悪かった。
この素子をＨＦ：ＨＮＯ3 の混酸で１００℃で１時間表
面をエッチングした所、全面に明確な分極反転が見られ
た。
は３ｄＢ増加し、デバイス歩留りも７０％と悪かった。
この素子をＨＦ：ＨＮＯ3 の混酸で１００℃で１時間表
面をエッチングした所、全面に明確な分極反転が見られ
た。
【００３３】［比較例２］片面を鏡面に研磨し、裏面を
Ｒａ〜２．８μｍに粗した７６Φ×０．５ｍｍの１２８
゜ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハ５０ｐを良く洗浄し、抵抗加
熱の蒸着機で鏡面にＡｌ膜（金属膜）を形成した。
Ｒａ〜２．８μｍに粗した７６Φ×０．５ｍｍの１２８
゜ＹＬｉＮｂＯ3 ウェーハ５０ｐを良く洗浄し、抵抗加
熱の蒸着機で鏡面にＡｌ膜（金属膜）を形成した。
【００３４】この後、上記Ａｌ膜にレジスト液をコート
し、１１０℃でベイキングした後、ステッパー露光し、
レジスト剥離液によりマスク部分を残してレジストを剥
離して、このレジストをマスクとしてＡｌ膜をエッチン
グし、Ａｌの櫛形金属電極を形成した。
し、１１０℃でベイキングした後、ステッパー露光し、
レジスト剥離液によりマスク部分を残してレジストを剥
離して、このレジストをマスクとしてＡｌ膜をエッチン
グし、Ａｌの櫛形金属電極を形成した。
【００３５】さらに、上記ウェーハに吸温剤をプリント
し、１２０℃でベイキングを行い、べイキング後裏面に
接着剤をコートし、さらに１５０℃でべイキングした。
し、１２０℃でベイキングを行い、べイキング後裏面に
接着剤をコートし、さらに１５０℃でべイキングした。
【００３６】そして、上記ウェーハをダイシングし、チ
ップ化した後、マウントし、封じを行いデバイス化し
た。
ップ化した後、マウントし、封じを行いデバイス化し
た。
【００３７】このデバイスの特性を測定した結果、ロス
は２．５ｄＢ増加し、デバイス歩留りも７５％と悪かっ
た。この素子をＨＦ：ＨＮＯ3 の混酸で１００℃で１時
間表面をエッチングした所、全面に明確な分極反転が見
られた。
は２．５ｄＢ増加し、デバイス歩留りも７５％と悪かっ
た。この素子をＨＦ：ＨＮＯ3 の混酸で１００℃で１時
間表面をエッチングした所、全面に明確な分極反転が見
られた。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来に比べてさらにデバイス特性、およびデバイス歩留
りを向上させることができ、高性能な弾性表面波デバイ
スを効率良く製造することができる。
従来に比べてさらにデバイス特性、およびデバイス歩留
りを向上させることができ、高性能な弾性表面波デバイ
スを効率良く製造することができる。
【図１】加熱温度と分極反転の発生率との関係を示す
図。
図。
Claims (4)
- 【請求項１】 分極成分を有する弾性表面波用基板上
に、金属膜を形成し、この金属膜によって所定形状の電
極を形成して弾性表面波デバイスを製造するにあたり、 前記金属膜形成後における加熱工程の加熱温度を１００
℃以下とすることを特徴とする弾性表面波デバイスの製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波デバイスの製
造方法において、 前記弾性表面波用基板がＬｉＮｂＯ3 ウェーハからなる
ことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項３】 分極成分を有する弾性表面波用基板上
に、金属膜によって所定形状の電極を形成した弾性表面
波デバイスにおいて、 分極反転の発生率が５％以下であることを特徴とする弾
性表面波デバイス。 - 【請求項４】 分極成分を有する弾性表面波用基板上
に、金属膜によって所定形状の電極を形成した弾性表面
波デバイスにおいて、 前記金属膜形成後における加熱工程の加熱温度を１００
℃以下としたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33546795A JPH09181563A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 弾性表面波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33546795A JPH09181563A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 弾性表面波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181563A true JPH09181563A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18288896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33546795A Withdrawn JPH09181563A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 弾性表面波デバイスの製造方法および弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181563A (ja) |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP33546795A patent/JPH09181563A/ja not_active Withdrawn
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