JPH09181348A - フォトダイオード - Google Patents
フォトダイオードInfo
- Publication number
- JPH09181348A JPH09181348A JP7336932A JP33693295A JPH09181348A JP H09181348 A JPH09181348 A JP H09181348A JP 7336932 A JP7336932 A JP 7336932A JP 33693295 A JP33693295 A JP 33693295A JP H09181348 A JPH09181348 A JP H09181348A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐放射線性の高いフォトダイオードを提供す
ることである。 【解決手段】 受光領域の周辺に形成されたＰＮ接合界
面まで達したＶ字形状溝１６と、このＶ字形状溝１６の
溝壁１６ａに形成された絶縁膜１８と、この絶縁膜１８
上に形成されたＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎ膜２０
と、絶縁膜及びＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎ膜を介し
てＶ字形状溝に充填されたＰｂ−Ｓｎ合金とを備える。
ることである。 【解決手段】 受光領域の周辺に形成されたＰＮ接合界
面まで達したＶ字形状溝１６と、このＶ字形状溝１６の
溝壁１６ａに形成された絶縁膜１８と、この絶縁膜１８
上に形成されたＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎ膜２０
と、絶縁膜及びＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎ膜を介し
てＶ字形状溝に充填されたＰｂ−Ｓｎ合金とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、耐放射線性の高
いフォトダイオードに関するものである。
いフォトダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトダイオードには、受光面の
周囲に垂直なトレンチ溝を形成し、このトレンチ溝にモ
リブデン金属を埋め込んだ構造のものが存在する（特開
昭６２−２３４３６８号公報参照）。このフォトダイオ
ードにおいては、トレンチ溝に埋め込まれたモリブデン
金属により斜め方向から入射する光を遮光し、ノイズの
発生を防止している。
周囲に垂直なトレンチ溝を形成し、このトレンチ溝にモ
リブデン金属を埋め込んだ構造のものが存在する（特開
昭６２−２３４３６８号公報参照）。このフォトダイオ
ードにおいては、トレンチ溝に埋め込まれたモリブデン
金属により斜め方向から入射する光を遮光し、ノイズの
発生を防止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、フォトダイ
オードをＸ線等の放射線の検出に用いることがある。こ
の場合、上述の垂直なトレンチ溝にモリブデン金属を埋
め込んだ構造のフォトダイオードでは、垂直方向に対し
て少しでも角度を有して放射線が入射した場合には、放
射線がトレンチ溝に面したＰ／Ｎ接合部にあたるため表
面リーク電流が増加し、ノイズが発生するという問題が
あった。
オードをＸ線等の放射線の検出に用いることがある。こ
の場合、上述の垂直なトレンチ溝にモリブデン金属を埋
め込んだ構造のフォトダイオードでは、垂直方向に対し
て少しでも角度を有して放射線が入射した場合には、放
射線がトレンチ溝に面したＰ／Ｎ接合部にあたるため表
面リーク電流が増加し、ノイズが発生するという問題が
あった。
【０００４】この発明の課題は、耐放射線性の高いフォ
トダイオードを提供することである。
トダイオードを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のフォトダ
イオードは、受光領域の周囲に形成されたＰ／Ｎ接合界
面まで達したＶ字型溝と、このＶ字型溝の溝壁に形成さ
れた絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された金属膜と、絶
縁膜及び金属膜を介してＶ字型溝に充填された重金属と
を備えることを特徴とする。
イオードは、受光領域の周囲に形成されたＰ／Ｎ接合界
面まで達したＶ字型溝と、このＶ字型溝の溝壁に形成さ
れた絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された金属膜と、絶
縁膜及び金属膜を介してＶ字型溝に充填された重金属と
を備えることを特徴とする。
【０００６】従って、Ｖ字型溝に充填された重金属によ
り垂直方向からの放射線のみならず斜め方向からの放射
線を遮断でき、表面リーク電流の増加を抑制しノイズの
発生を防止できる。
り垂直方向からの放射線のみならず斜め方向からの放射
線を遮断でき、表面リーク電流の増加を抑制しノイズの
発生を防止できる。
【０００７】また、請求項２記載のフォトダイオード
は、請求項１記載のフォトダイオードの重金属を、３５
０℃以下の温度で溶融する重金属で構成したことを特徴
とする。
は、請求項１記載のフォトダイオードの重金属を、３５
０℃以下の温度で溶融する重金属で構成したことを特徴
とする。
【０００８】従って、Ａｌスパイクを生じさせず、ま
た、不純物濃度や拡散長の設計値からのずれを生じさせ
ることなく、Ｖ字型溝にＰｂ−Ｓｎ合金ハンダを充填す
ることができる。
た、不純物濃度や拡散長の設計値からのずれを生じさせ
ることなく、Ｖ字型溝にＰｂ−Ｓｎ合金ハンダを充填す
ることができる。
【０００９】また、請求項３記載のフォトダイオード
は、請求項２記載のフォトダイオードの重金属を、Ｐｂ
−Ｓｎ合金ハンダとしたことを特徴とする。
は、請求項２記載のフォトダイオードの重金属を、Ｐｂ
−Ｓｎ合金ハンダとしたことを特徴とする。
【００１０】従って、２００℃程度の熱処理を行なうこ
とにより、Ｖ字型溝にＰｂ−Ｓｎ合金ハンダを充填する
ことができる。
とにより、Ｖ字型溝にＰｂ−Ｓｎ合金ハンダを充填する
ことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００１２】図１は、この発明の実施の形態にかかるＰ
Ｎフォトダイオードの断面図であり、図２及び図３はそ
の製造工程を説明するための図である。はじめに、図２
及び図３を参照して、図１に示すＰＮフォトダイオード
の製造工程を説明する。
Ｎフォトダイオードの断面図であり、図２及び図３はそ
の製造工程を説明するための図である。はじめに、図２
及び図３を参照して、図１に示すＰＮフォトダイオード
の製造工程を説明する。
【００１３】まず、図２（ａ）に示すように、エピ型ウ
エハーにより構成されるＮ／Ｎ+型シリコン基板１０上
に、Ｐ型シリコンエピタキシャル層１２を成長させ、Ｐ
／Ｎ接合を形成する。
エハーにより構成されるＮ／Ｎ+型シリコン基板１０上
に、Ｐ型シリコンエピタキシャル層１２を成長させ、Ｐ
／Ｎ接合を形成する。
【００１４】次に、Ｐ型シリコンエピタキシャル層１２
の表面にＳｉＯ2膜を形成し、このＳｉＯ2膜にフォトエ
ッチングにより穴を開け、電極とのオーミックコンタク
トを得るためのＰ+領域１４をボロンイオンをイオン注
入することにより形成する。その後、Ｐ型シリコンエピ
タキシャル層１２の表面に残っているＳｉＯ2膜の除去
を行なう（図２（ｂ）参照）。
の表面にＳｉＯ2膜を形成し、このＳｉＯ2膜にフォトエ
ッチングにより穴を開け、電極とのオーミックコンタク
トを得るためのＰ+領域１４をボロンイオンをイオン注
入することにより形成する。その後、Ｐ型シリコンエピ
タキシャル層１２の表面に残っているＳｉＯ2膜の除去
を行なう（図２（ｂ）参照）。
【００１５】次に、図２（ｃ）に示すように、Ｐ／Ｎ接
合部分を分離するためのＶ字型溝１６をアルカリ異方性
エッチッング液を用いたウエットエッチングにより形成
する。ここで、形成されたこのＶ字型溝１６は、Ｐ／Ｎ
接合界面（Ｎ／Ｎ+型シリコン基板１０）に到達する深
さを有するものであり、このＶ字型溝１６は、受光領域
３０の周囲に形成される（断面図においては、一方のＶ
字型溝１６のみを示す。）。
合部分を分離するためのＶ字型溝１６をアルカリ異方性
エッチッング液を用いたウエットエッチングにより形成
する。ここで、形成されたこのＶ字型溝１６は、Ｐ／Ｎ
接合界面（Ｎ／Ｎ+型シリコン基板１０）に到達する深
さを有するものであり、このＶ字型溝１６は、受光領域
３０の周囲に形成される（断面図においては、一方のＶ
字型溝１６のみを示す。）。
【００１６】その後、図３（ｄ）に示すように、シリコ
ンの表面を保護するためのパッシベーション膜１８を形
成すると共に、Ｖ字型溝１６の傾斜部１６ａにＶ字型溝
に浸透充填される重金属の密着性を高め、表面張力の影
響を和らげるためにＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎを順
次蒸着し、３層構造とした金属膜２０を形成する。（図
３（ｅ）参照）。
ンの表面を保護するためのパッシベーション膜１８を形
成すると共に、Ｖ字型溝１６の傾斜部１６ａにＶ字型溝
に浸透充填される重金属の密着性を高め、表面張力の影
響を和らげるためにＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎを順
次蒸着し、３層構造とした金属膜２０を形成する。（図
３（ｅ）参照）。
【００１７】次に、Ｖ字型溝１６上にＰｂ−Ｓｎ合金ハ
ンダ（Ｐｂ≒４０％、Ｓｎ≒６０％）２２を置き、２０
０℃の熱処理を行なうことにより、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハン
ダ２２を、Ｖ字型溝１６内に浸透充填させることができ
る。ここで、２００℃の温度は、Ａｌスパイクが発生
し、また、不純物濃度や拡散長の設計値からのずれが発
生する４００℃よりも低い温度であることから、Ａｌス
パイクの発生、不純物濃度や拡散長の設計値からのずれ
の発生を防止することができる。
ンダ（Ｐｂ≒４０％、Ｓｎ≒６０％）２２を置き、２０
０℃の熱処理を行なうことにより、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハン
ダ２２を、Ｖ字型溝１６内に浸透充填させることができ
る。ここで、２００℃の温度は、Ａｌスパイクが発生
し、また、不純物濃度や拡散長の設計値からのずれが発
生する４００℃よりも低い温度であることから、Ａｌス
パイクの発生、不純物濃度や拡散長の設計値からのずれ
の発生を防止することができる。
【００１８】また、Ｖ字型溝に浸透充填される重金属の
密着性を高め、表面張力の影響を和らげるためにＣｒ／
Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎ金属２０をＶ字型溝１６の傾斜
部１６ａに蒸着しているため、シリコン酸化膜となじみ
にくいＰｂ−Ｓｎ合金ハンダ２２をＶ字型溝１６に充填
しやすい。
密着性を高め、表面張力の影響を和らげるためにＣｒ／
Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎ金属２０をＶ字型溝１６の傾斜
部１６ａに蒸着しているため、シリコン酸化膜となじみ
にくいＰｂ−Ｓｎ合金ハンダ２２をＶ字型溝１６に充填
しやすい。
【００１９】次に、図３（ｆ）に示すように，パッシベ
ーション膜１８にコンタクトホール２４を形成してＡｌ
の電極２６の取り出しを行なう。また、裏面のコンタク
トはＡｕの電極２８により形成される。
ーション膜１８にコンタクトホール２４を形成してＡｌ
の電極２６の取り出しを行なう。また、裏面のコンタク
トはＡｕの電極２８により形成される。
【００２０】このようにして製造されたこの発明の実施
の形態にかかるＰＮフォトダイオードは、図１に示す構
成を有するものであり、受光領域３０の周囲（断面図で
は一端のみを示す）に、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダ２２が充
填されたＶ字型溝１６を備えるものである。
の形態にかかるＰＮフォトダイオードは、図１に示す構
成を有するものであり、受光領域３０の周囲（断面図で
は一端のみを示す）に、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダ２２が充
填されたＶ字型溝１６を備えるものである。
【００２１】次に、図４を参照して実施の形態にかかる
ＰＮフォトダイオードをマトリクス状に配列して構成さ
れる撮像素子４２を用いた放射線検出器について説明す
る。
ＰＮフォトダイオードをマトリクス状に配列して構成さ
れる撮像素子４２を用いた放射線検出器について説明す
る。
【００２２】この放射線検出器は、図４（ａ）に示すよ
うに撮像素子４２の上面に接着層４４を介してシンチレ
ータ４６が設けられた構成になっている。この放射線検
出器においては、放射線源４８から照射され、検出体５
０を通過してフォトダイオードに入射する放射線を検出
する。
うに撮像素子４２の上面に接着層４４を介してシンチレ
ータ４６が設けられた構成になっている。この放射線検
出器においては、放射線源４８から照射され、検出体５
０を通過してフォトダイオードに入射する放射線を検出
する。
【００２３】ここで、図４（ａ）の円内の部分を拡大し
たのが図４（ｂ）である。この図において（Ｘ），
（Ｙ），（Ｚ）で示すものは、入射する放射線である。
この（Ｘ），（Ｙ），（Ｚ）の放射線は、Ｖ字型溝１６
にＰｂ−Ｓｎ合金ハンダ２２が充填されていない場合に
は、図中点線で示すように、いずれもＰ／Ｎ接合部に照
射されるものである。しかしながら、この実施の形態の
ＰＮフォトダイオードによれば、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダ
２２が充填されたＶ字型溝１６により、入射した放射線
がＰ／Ｎ接合部にあたることを防止することができ、表
面リーク電流の増加を抑制しノイズの発生を防止するこ
とができる。
たのが図４（ｂ）である。この図において（Ｘ），
（Ｙ），（Ｚ）で示すものは、入射する放射線である。
この（Ｘ），（Ｙ），（Ｚ）の放射線は、Ｖ字型溝１６
にＰｂ−Ｓｎ合金ハンダ２２が充填されていない場合に
は、図中点線で示すように、いずれもＰ／Ｎ接合部に照
射されるものである。しかしながら、この実施の形態の
ＰＮフォトダイオードによれば、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダ
２２が充填されたＶ字型溝１６により、入射した放射線
がＰ／Ｎ接合部にあたることを防止することができ、表
面リーク電流の増加を抑制しノイズの発生を防止するこ
とができる。
【００２４】なお、上述の実施の形態においては、ＰＮ
フォトダイオードに本願の発明を適応した場合について
説明したが、本願の発明をアバランシェフォトダイオー
ドに適応することも可能である。
フォトダイオードに本願の発明を適応した場合について
説明したが、本願の発明をアバランシェフォトダイオー
ドに適応することも可能である。
【００２５】また、上述の実施の形態においては、Ｎ／
Ｎ+型シリコン基板１０をＮ+型ウエハーの上にＮ型シリ
コンエピタキシャル層を形成したエピ型ウエハーにより
構成しているが、これに限らずＮウエハーの裏面にＮ+
層を拡散により形成した拡散型ウエハーにより構成して
もよい。
Ｎ+型シリコン基板１０をＮ+型ウエハーの上にＮ型シリ
コンエピタキシャル層を形成したエピ型ウエハーにより
構成しているが、これに限らずＮウエハーの裏面にＮ+
層を拡散により形成した拡散型ウエハーにより構成して
もよい。
【００２６】また、上述の実施の形態においては、Ｐ+
領域１４をボロンイオンをイオン注入することにより形
成したが、これに限らず熱拡散により形成してもよい。
領域１４をボロンイオンをイオン注入することにより形
成したが、これに限らず熱拡散により形成してもよい。
【００２７】更に、上述の実施の形態においては、Ｖ字
型溝１６に埋め込む金属としてＰｂ−Ｓｎ合金ハンダを
用いているが、Ａｌスパイク、不純物濃度や拡散長の設
計値からのずれが生じる４００℃よりも低い融点、好ま
しくは３５０℃以下の融点を有する重金属であればＰｂ
−Ｓｎ合金ハンダに限定されない。
型溝１６に埋め込む金属としてＰｂ−Ｓｎ合金ハンダを
用いているが、Ａｌスパイク、不純物濃度や拡散長の設
計値からのずれが生じる４００℃よりも低い融点、好ま
しくは３５０℃以下の融点を有する重金属であればＰｂ
−Ｓｎ合金ハンダに限定されない。
【００２８】また、上述の実施の形態においては、Ｖ字
型溝に浸透充填される重金属の密着性を高め、表面張力
の影響を和らげるためにＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎ
金属を用いているが、これに限らず、Ｔｉ等のように絶
縁膜と密着性の良い金属を蒸着し、その上にＡｕ等Ｐｂ
−Ｓｎ合金ハンダとなじみの良い金属を蒸着するという
２層構造によりＶ字型溝に浸透充填される重金属の密着
性を高め、表面張力の影響を和らげるための金属を構成
してもよい。更に、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕを順次蒸着させて
３層構造によりＶ字型溝に浸透充填される重金属の密着
性を高め、表面張力の影響を和らげるための金属を構成
してもよい。
型溝に浸透充填される重金属の密着性を高め、表面張力
の影響を和らげるためにＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃｕ−Ｓｎ
金属を用いているが、これに限らず、Ｔｉ等のように絶
縁膜と密着性の良い金属を蒸着し、その上にＡｕ等Ｐｂ
−Ｓｎ合金ハンダとなじみの良い金属を蒸着するという
２層構造によりＶ字型溝に浸透充填される重金属の密着
性を高め、表面張力の影響を和らげるための金属を構成
してもよい。更に、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕを順次蒸着させて
３層構造によりＶ字型溝に浸透充填される重金属の密着
性を高め、表面張力の影響を和らげるための金属を構成
してもよい。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、Ｖ字型溝に重金属を
充填したことにより、斜め方向から入射する放射線のみ
ならず、垂直方向から入射する放射線も遮断でき、表面
リーク電流の増加を抑制しノイズの発生を防止できる。
充填したことにより、斜め方向から入射する放射線のみ
ならず、垂直方向から入射する放射線も遮断でき、表面
リーク電流の増加を抑制しノイズの発生を防止できる。
【００３０】また、金属膜としてＣｒ／Ｃｒ−Ｃｕ／Ｃ
ｕ−Ｓｎ金属等を用いた場合には、Ｖ字型溝に充填され
る重金属とシリコン酸化膜とのなじみをよくし、重金属
を確実にＶ字型溝に充填することができる。
ｕ−Ｓｎ金属等を用いた場合には、Ｖ字型溝に充填され
る重金属とシリコン酸化膜とのなじみをよくし、重金属
を確実にＶ字型溝に充填することができる。
【００３１】また、重金属として３５０℃以下の温度で
溶融する重金属を用いた場合には、Ａｌスパイクを生じ
させず、また、不純物濃度や拡散長の設計値からのずれ
を生じさせることなく、Ｖ字型溝に重金属を充填するこ
とができる。
溶融する重金属を用いた場合には、Ａｌスパイクを生じ
させず、また、不純物濃度や拡散長の設計値からのずれ
を生じさせることなく、Ｖ字型溝に重金属を充填するこ
とができる。
【００３２】更に、重金属をＰｂ−Ｓｎ合金ハンダとし
た場合には、２００℃程度の熱処理を行なうことによ
り、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダを充填することができる。ま
た、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダは、入手も容易な重金属であ
ることから、フォトダイオードに用いる材料として適し
ている。
た場合には、２００℃程度の熱処理を行なうことによ
り、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダを充填することができる。ま
た、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダは、入手も容易な重金属であ
ることから、フォトダイオードに用いる材料として適し
ている。
【図１】本願発明の実施の形態のＰＮフォトダイオード
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
【図２】実施の形態のＰＮフォトダイオードの製造工程
（前半）を示す工程断面図である。
（前半）を示す工程断面図である。
【図３】実施の形態のＰＮフォトダイオードの製造工程
（後半）を示す工程断面図である。
（後半）を示す工程断面図である。
【図４】実施の形態のＰＮフォトダイオードを用いた放
射線検出に放射線が照射される状態を示す図である。
射線検出に放射線が照射される状態を示す図である。
１０…Ｎ／Ｎ+型シリコン基板、１２…Ｐ型シリコンエ
ピタキシャル層、１４…Ｐ+領域、１６…Ｖ字型溝、１
６ａ…傾斜部、１８…パッシベーション膜、２０…金属
膜、２６，２８…電極、４２…撮像素子、４６…シンチ
レータ。
ピタキシャル層、１４…Ｐ+領域、１６…Ｖ字型溝、１
６ａ…傾斜部、１８…パッシベーション膜、２０…金属
膜、２６，２８…電極、４２…撮像素子、４６…シンチ
レータ。
Claims (3)
- 【請求項１】 受光領域の周囲に形成されたＰ／Ｎ接合
界面まで達したＶ字型溝と、 このＶ字型溝の溝壁に形成された絶縁膜と、 この絶縁膜上に形成された金属膜と、 前記絶縁膜及び前記金属膜を介してＶ字型溝に充填され
た重金属とを備えることを特徴とするフォトダイオー
ド。 - 【請求項２】 前記重金属は、３５０℃以下の温度で溶
融する重金属であることを特徴とする請求項１記載のフ
ォトダイオード。 - 【請求項３】 前記重金属は、Ｐｂ−Ｓｎ合金ハンダで
あることを特徴とする請求項２記載のフォトダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7336932A JPH09181348A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | フォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7336932A JPH09181348A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | フォトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181348A true JPH09181348A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18303970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7336932A Pending JPH09181348A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | フォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181348A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227750A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2019189700A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光検出器 |
| CN110649153A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-03 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种多层金属薄膜键合层结构及其制备方法 |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP7336932A patent/JPH09181348A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227750A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4584159B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2010-11-17 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2019189700A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光検出器 |
| CN111937151A (zh) * | 2018-03-30 | 2020-11-13 | 松下知识产权经营株式会社 | 光检测器 |
| JPWO2019189700A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2021-04-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光検出器 |
| US11888003B2 (en) | 2018-03-30 | 2024-01-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photodetector |
| CN110649153A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-03 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种多层金属薄膜键合层结构及其制备方法 |
| CN110649153B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-09-30 | 中电科技集团重庆声光电有限公司 | 一种多层金属薄膜键合层结构及其制备方法 |
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